JPH1160654A - 半導体用ダイアタッチ樹脂ペースト - Google Patents
半導体用ダイアタッチ樹脂ペーストInfo
- Publication number
- JPH1160654A JPH1160654A JP9222215A JP22221597A JPH1160654A JP H1160654 A JPH1160654 A JP H1160654A JP 9222215 A JP9222215 A JP 9222215A JP 22221597 A JP22221597 A JP 22221597A JP H1160654 A JPH1160654 A JP H1160654A
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- JP
- Japan
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- resin
- paste
- weight
- component
- parts
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
Landscapes
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低汚染性及び耐半田クラック性に優れたダイ
ボンディング用樹脂ペーストを提供する。 【解決手段】 （Ａ）下記一般式（１）又は（２）で示
されるウレタンアクリレート樹脂またはウレタンメタク
リレート樹脂、（Ｂ）下記一般式（３）で示されるアク
リル樹脂またはメタクリル樹脂、（Ｃ）有機過酸化物、
（Ｅ）無機フィラーを必須成分とする半導体用ダイアタ
ッチ樹脂ペースト。 【化１】 【化２】 【化３】
ボンディング用樹脂ペーストを提供する。 【解決手段】 （Ａ）下記一般式（１）又は（２）で示
されるウレタンアクリレート樹脂またはウレタンメタク
リレート樹脂、（Ｂ）下記一般式（３）で示されるアク
リル樹脂またはメタクリル樹脂、（Ｃ）有機過酸化物、
（Ｅ）無機フィラーを必須成分とする半導体用ダイアタ
ッチ樹脂ペースト。 【化１】 【化２】 【化３】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の
半導体素子を基板等に接着する樹脂ペーストに関するも
のである。
半導体素子を基板等に接着する樹脂ペーストに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年のエレクトロニクス産業の著しい発
展に伴い、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩと半
導体素子における回路の集積度は急激に増大している。
このため、半導体素子の大きさも、従来長辺が数ｍｍ程
度だったものが１０数ｍｍと飛躍的に増大している。
又、リードフレームは従来の４２アロイから、熱伝導性
も良く安価である銅材が主流となりつつある。一方、半
導体製品の実装は表面実装法になり、しかも高密度実装
化のため半導体製品自体、すなわちパッケージの大きさ
は小さく、且つ薄くなってきている。
展に伴い、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩと半
導体素子における回路の集積度は急激に増大している。
このため、半導体素子の大きさも、従来長辺が数ｍｍ程
度だったものが１０数ｍｍと飛躍的に増大している。
又、リードフレームは従来の４２アロイから、熱伝導性
も良く安価である銅材が主流となりつつある。一方、半
導体製品の実装は表面実装法になり、しかも高密度実装
化のため半導体製品自体、すなわちパッケージの大きさ
は小さく、且つ薄くなってきている。
【０００３】このような半導体製品の動向に従い、半導
体製品の構成材料に対する要求性能も変化してきてお
り、半導体素子と金属フレームを接合するダイボンディ
ング用樹脂ペーストに対しても、従来要求されていた接
合の信頼性のみならず、大型チップと銅フレームの熱膨
張率の差に基づく熱応力を吸収緩和する応力緩和特性、
更に薄型パッケージでの表面実装に基づく耐半田クラッ
ク特性が要求され始めている。
体製品の構成材料に対する要求性能も変化してきてお
り、半導体素子と金属フレームを接合するダイボンディ
ング用樹脂ペーストに対しても、従来要求されていた接
合の信頼性のみならず、大型チップと銅フレームの熱膨
張率の差に基づく熱応力を吸収緩和する応力緩和特性、
更に薄型パッケージでの表面実装に基づく耐半田クラッ
ク特性が要求され始めている。
【０００４】この様な耐半田クラック性のダイボンディ
ング用樹脂ペーストの条件としては、低応力性、低吸水
性、低汚染性などの項目があげられる。これらの項目の
うち、低応力性、低吸水性に関しては樹脂、硬化剤、添
加剤等広汎にわたる研究開発がなされており実用化され
ている。一方、汚染性に関しては、一般にダイボンディ
ング用樹脂ペーストは、樹脂と無機充填材から構成され
ているが、塗布作業性を考慮するためにペーストの粘度
が限定される。
ング用樹脂ペーストの条件としては、低応力性、低吸水
性、低汚染性などの項目があげられる。これらの項目の
うち、低応力性、低吸水性に関しては樹脂、硬化剤、添
加剤等広汎にわたる研究開発がなされており実用化され
ている。一方、汚染性に関しては、一般にダイボンディ
ング用樹脂ペーストは、樹脂と無機充填材から構成され
ているが、塗布作業性を考慮するためにペーストの粘度
が限定される。
【０００５】従来のエポキシ樹脂を使用する場合は、樹
脂は元来粘稠な液体、又は固形であるため、ペースト化
するには希釈剤を加え低粘度化する必要がある。その希
釈剤としては、例えば、モノエポキシ、脂肪族ポリエポ
キシ等の反応性希釈剤、又は溶剤で代表される非反応性
希釈剤がある。
脂は元来粘稠な液体、又は固形であるため、ペースト化
するには希釈剤を加え低粘度化する必要がある。その希
釈剤としては、例えば、モノエポキシ、脂肪族ポリエポ
キシ等の反応性希釈剤、又は溶剤で代表される非反応性
希釈剤がある。
【０００６】反応性希釈剤の場合においては、ペースト
の硬化中にアウトガスとして一部が揮散し、基板、チッ
プ表面等を汚染し易く、更に封止樹脂組成物で封止した
ときの封止樹脂と基板やチップ表面との密着性が悪くな
り、封止樹脂組成物やペーストに採用されている低応力
性が生かされず、ストレスがかかった時の界面剥離やパ
ッケージクラックが起きやすくなるという欠点があっ
た。又、半田クラック性とは関係ないが、反応性希釈剤
は、揮発し易く一般に作業環境に難点がある。このため
硬化時に排気を十分にしなければならない等の問題があ
り、環境面で好ましくない。一方、非反応性希釈剤を用
いる場合は、基板、チップへの汚染は殆どないが、ペー
スト層にボイドが発生し易い、ペースト厚みが一定しな
い等の問題があった。
の硬化中にアウトガスとして一部が揮散し、基板、チッ
プ表面等を汚染し易く、更に封止樹脂組成物で封止した
ときの封止樹脂と基板やチップ表面との密着性が悪くな
り、封止樹脂組成物やペーストに採用されている低応力
性が生かされず、ストレスがかかった時の界面剥離やパ
ッケージクラックが起きやすくなるという欠点があっ
た。又、半田クラック性とは関係ないが、反応性希釈剤
は、揮発し易く一般に作業環境に難点がある。このため
硬化時に排気を十分にしなければならない等の問題があ
り、環境面で好ましくない。一方、非反応性希釈剤を用
いる場合は、基板、チップへの汚染は殆どないが、ペー
スト層にボイドが発生し易い、ペースト厚みが一定しな
い等の問題があった。
【０００７】又、液状エポキシ樹脂、液状の硬化剤、銀
粉及びその他の成分の組み合わせがあるが、一般にリー
ドフレームにペーストを塗布する時に糸引き不良が発生
し易く、実際の作業に適用するには問題があった。従っ
て希釈剤、又は溶剤を添加しない低汚染性で、且つ耐半
田クラック性に優れたペーストの開発が望まれていた。
粉及びその他の成分の組み合わせがあるが、一般にリー
ドフレームにペーストを塗布する時に糸引き不良が発生
し易く、実際の作業に適用するには問題があった。従っ
て希釈剤、又は溶剤を添加しない低汚染性で、且つ耐半
田クラック性に優れたペーストの開発が望まれていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、低汚染性及
び耐半田クラック性に優れたダイボンディング用樹脂ペ
ーストを提供するものである。
び耐半田クラック性に優れたダイボンディング用樹脂ペ
ーストを提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）下記一
般式（１）又は（２）で示されるウレタンアクリレート
樹脂又はウレタンメタクリレート樹脂、（Ｂ）下記一般
式（３）で示されるアクリル樹脂またはメタクリル樹
脂、（Ｃ）有機過酸化物、（Ｄ）無機フィラーを必須成
分とし、成分（Ａ）１００重量部に対して、成分（Ｂ）
が５０〜２００重量部、成分（Ｃ）が０．１〜５０重量
部、成分（Ｄ）が５０〜１２００重量部である半導体用
ダイアタッチ樹脂ペーストである。
般式（１）又は（２）で示されるウレタンアクリレート
樹脂又はウレタンメタクリレート樹脂、（Ｂ）下記一般
式（３）で示されるアクリル樹脂またはメタクリル樹
脂、（Ｃ）有機過酸化物、（Ｄ）無機フィラーを必須成
分とし、成分（Ａ）１００重量部に対して、成分（Ｂ）
が５０〜２００重量部、成分（Ｃ）が０．１〜５０重量
部、成分（Ｄ）が５０〜１２００重量部である半導体用
ダイアタッチ樹脂ペーストである。
【００１０】
【化１】
【００１１】
【化２】
【００１２】
【化３】
【００１３】本発明に用いる式（１）または（２）で示
されるウレタンアクリレート樹脂またはウレタンメタク
リレート樹脂は、低弾性率の特徴を有している。ポリプ
ロピレングリコールとイソホロンジイソシアネートの反
応物にヒドロキシエチルアクリレート又はヒドロキシエ
チルメタクリレートを更に反応させたものである。本発
明の式（３）で示されるアクリル樹脂またはメタクリル
樹脂は、（Ａ）の一般式（１）又は（２）で示されるウ
レタンアクリレート樹脂またはウレタンメタクリレート
樹脂１００重量部に対して、５０〜２００重量部である
ことが好ましい。５０重量部未満であると希釈低粘度効
果が少なくペーストの粘度が高くなり過ぎ塗布作業性が
低下するので好ましくなく、２００重量部を越えると硬
化時に発生するアウトガスが増加して汚染性が損なわれ
耐半田クラック性が低下するので好ましくない。
されるウレタンアクリレート樹脂またはウレタンメタク
リレート樹脂は、低弾性率の特徴を有している。ポリプ
ロピレングリコールとイソホロンジイソシアネートの反
応物にヒドロキシエチルアクリレート又はヒドロキシエ
チルメタクリレートを更に反応させたものである。本発
明の式（３）で示されるアクリル樹脂またはメタクリル
樹脂は、（Ａ）の一般式（１）又は（２）で示されるウ
レタンアクリレート樹脂またはウレタンメタクリレート
樹脂１００重量部に対して、５０〜２００重量部である
ことが好ましい。５０重量部未満であると希釈低粘度効
果が少なくペーストの粘度が高くなり過ぎ塗布作業性が
低下するので好ましくなく、２００重量部を越えると硬
化時に発生するアウトガスが増加して汚染性が損なわれ
耐半田クラック性が低下するので好ましくない。
【００１４】本発明に用いられる有機過酸化物としては
特に限定されるものではなく、例えば１，１，３，３−
テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサネー
ト、ｔ−ブチルパ−オキシ−２−エチルヘキサネート、
ｔ−ヘキシルパ−オキシ−２−エトルヘキサネート、
１，１−ビス（ｔ−ブチルパ−オキシ）−３，３，５−
トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシ
ルパ−オキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサ
ン、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パ−オキシ
ジカーボネート等が挙げられる。これら過酸化物は単独
あるいは硬化性をコントロールするため２種以上を混合
して用いることもできる。
特に限定されるものではなく、例えば１，１，３，３−
テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサネー
ト、ｔ−ブチルパ−オキシ−２−エチルヘキサネート、
ｔ−ヘキシルパ−オキシ−２−エトルヘキサネート、
１，１−ビス（ｔ−ブチルパ−オキシ）−３，３，５−
トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシ
ルパ−オキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサ
ン、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パ−オキシ
ジカーボネート等が挙げられる。これら過酸化物は単独
あるいは硬化性をコントロールするため２種以上を混合
して用いることもできる。
【００１５】有機過酸化物の配合量は式（１）又は
（２）で示されるウレタンアクリレート樹脂またはウレ
タンメタクリレート樹脂１００重量部に対して、０．１
〜５０重量部であることが好ましい。０．１重量部未満
であると硬化反応が遅くなり過ぎ充分な接着強度が出な
いので好ましくなく、５０重量部を越えると保存性が低
下するので好ましくない。さらに、樹脂の保存性を向上
するために各種重合禁止剤を予め添加しておくことも可
能である。
（２）で示されるウレタンアクリレート樹脂またはウレ
タンメタクリレート樹脂１００重量部に対して、０．１
〜５０重量部であることが好ましい。０．１重量部未満
であると硬化反応が遅くなり過ぎ充分な接着強度が出な
いので好ましくなく、５０重量部を越えると保存性が低
下するので好ましくない。さらに、樹脂の保存性を向上
するために各種重合禁止剤を予め添加しておくことも可
能である。
【００１６】本発明で用いる無機フィラーとしては炭酸
カルシウム、シリカ、アルミナ等の絶縁フィラー、銀
粉、金粉、ニッケル粉、銅粉等の導電性フィラーが挙げ
られるが用途によりこれらを複数混合しても良い。更に
ニードル詰りを防止するため、これらの粒径は５０μｍ
以下が好ましい。無機フィラーの配合量は、式（１）又
は（２）で示されるウレタンアクリレート樹脂またはウ
レタンメタクリレート樹脂１００重量部に対して、５０
〜１２００重量部であることが好ましい。５０重量部未
満では熱伝導性が不充分であったり導電性が不足するた
めに好ましくなく、１２００重量部を越えるとペースト
の粘度が上昇し塗布作業性が低下するので好ましくな
い。
カルシウム、シリカ、アルミナ等の絶縁フィラー、銀
粉、金粉、ニッケル粉、銅粉等の導電性フィラーが挙げ
られるが用途によりこれらを複数混合しても良い。更に
ニードル詰りを防止するため、これらの粒径は５０μｍ
以下が好ましい。無機フィラーの配合量は、式（１）又
は（２）で示されるウレタンアクリレート樹脂またはウ
レタンメタクリレート樹脂１００重量部に対して、５０
〜１２００重量部であることが好ましい。５０重量部未
満では熱伝導性が不充分であったり導電性が不足するた
めに好ましくなく、１２００重量部を越えるとペースト
の粘度が上昇し塗布作業性が低下するので好ましくな
い。
【００１７】本発明における樹脂ペーストは必要により
消泡剤、カップリング剤、界面活性剤等の添加剤を用い
ることができる。本発明のペーストの製造方法として
は、例えば予備混合して三本ロール等を用いてペースト
を得て真空下脱泡する等がある。
消泡剤、カップリング剤、界面活性剤等の添加剤を用い
ることができる。本発明のペーストの製造方法として
は、例えば予備混合して三本ロール等を用いてペースト
を得て真空下脱泡する等がある。
【００１８】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明を具体的に説明
する。なお配合割合は、重量部である。
する。なお配合割合は、重量部である。
【００１９】実施例１〜６ ・１官能のウレタンアクリレート樹脂として、根上工業
（株）製ＵＮ−２１１１Ａ（Ａ成分） ・式（３）のアクリレート樹脂として共栄社化学（株）
製ＩＢ−ＸＡ（Ｂ成分） ・1,1,3,3-テトラメチルブチルパーオキシ-2-エチルヘ
キサネート（Ｃ成分） ・平均粒径３μｍのフレーク状銀粉（Ｄ１成分） ・平均粒径６μｍの球状シリカフィラー（Ｄ２成分） ・ビスフェノールＦジグリシジルエーテル（Ｅ成分） ・ターシャリーブチルフェニルグリシジルエーテル（Ｆ
成分） ・ブチルセルソルブアセテート（Ｇ成分） ・フェノールノボラック樹脂（Ｈ成分） ・2-フェニル-4-メチルイミダゾール（Ｉ成分） を表１に示す割合で配合し、三本ロールで充分に混練、
脱泡後、樹脂ペーストを得て、各種性能を評価した。評
価結果を表１に示す。
（株）製ＵＮ−２１１１Ａ（Ａ成分） ・式（３）のアクリレート樹脂として共栄社化学（株）
製ＩＢ−ＸＡ（Ｂ成分） ・1,1,3,3-テトラメチルブチルパーオキシ-2-エチルヘ
キサネート（Ｃ成分） ・平均粒径３μｍのフレーク状銀粉（Ｄ１成分） ・平均粒径６μｍの球状シリカフィラー（Ｄ２成分） ・ビスフェノールＦジグリシジルエーテル（Ｅ成分） ・ターシャリーブチルフェニルグリシジルエーテル（Ｆ
成分） ・ブチルセルソルブアセテート（Ｇ成分） ・フェノールノボラック樹脂（Ｈ成分） ・2-フェニル-4-メチルイミダゾール（Ｉ成分） を表１に示す割合で配合し、三本ロールで充分に混練、
脱泡後、樹脂ペーストを得て、各種性能を評価した。評
価結果を表１に示す。
【００２０】比較例１〜６ 表２に示す割合で配合し、実施例と同様にして樹脂ペー
ストを得て、実施例と同様にして各種性能を評価した。
評価結果を表２に示す。
ストを得て、実施例と同様にして各種性能を評価した。
評価結果を表２に示す。
【００２１】評価方法 粘 度 ：２５℃でＥ型粘度計を用いて回転数２．５
ｒｐｍでの粘度を測定した。 接着強度 ：ペーストを用いて、２×２ｍｍのシリコン
チップを銅フレームにマウントし、１５０℃のオーブン
中で３０分間硬化した。硬化後プッシュプルゲージを用
い２５０℃での熱時ダイシェア強度（吸水前）を測定し
た。又硬化後のサンプルを８５℃、相対湿度８５％、７
２時間吸水処理し２４０℃での熱時ダイシェア強度（吸
水後）を測定した。 吸 水 率：テフロンシート上にペーストを５０×５０
×０．１ｍｍになるように塗布し２００℃のオーブン中
で６０分間硬化した後、８５℃、相対湿度８５％、７２
時間吸水処理を行ない、処理前後の重量変化より吸水率
を算出した。 ボ イ ド：リードフレームに１０ｍｍ×１０ｍｍのガ
ラスチップをマウントし硬化後、外観でボイドをチェッ
クした。被着面積の１５％以下のボイドならば良好、１
５％を越えるものを不良とした。 ＷＢ処理時の剥離：リードフレームに６ｍｍ×１５ｍｍ
のチップをマウントし硬化後、２５０℃にてワイヤ−ボ
ンディング処理を行ない、ペレットの接着状態を観察し
た。剥離が無ければ良好、剥離が観察されれば不良とし
た。 耐パッケージクラック性：スミコンＥＭＥ−７３２０
（住友ベークライト（株）・製）の封止材料を用い、下
記の条件で成形したパッケージを８５℃、相対湿度８５
％、１６８時間吸水処理した後、ＩＲリフロー（２４０
℃、１０秒）にかけ、断面観察により内部クラックの数
を測定し耐パッケージクラック性の指標とした。 パッケージ ：８０ｐＱＦＰ（１４×２０×２ｍｍ厚さ） チップサイズ ：７．５×７．５ｍｍ（アルミ配線のみ） リードフレーム ：４２アロイ 成 形 ：１７５℃、２分間 ポストモールドキュア：１７５℃、４時間 全パッケージ数 ：１２
ｒｐｍでの粘度を測定した。 接着強度 ：ペーストを用いて、２×２ｍｍのシリコン
チップを銅フレームにマウントし、１５０℃のオーブン
中で３０分間硬化した。硬化後プッシュプルゲージを用
い２５０℃での熱時ダイシェア強度（吸水前）を測定し
た。又硬化後のサンプルを８５℃、相対湿度８５％、７
２時間吸水処理し２４０℃での熱時ダイシェア強度（吸
水後）を測定した。 吸 水 率：テフロンシート上にペーストを５０×５０
×０．１ｍｍになるように塗布し２００℃のオーブン中
で６０分間硬化した後、８５℃、相対湿度８５％、７２
時間吸水処理を行ない、処理前後の重量変化より吸水率
を算出した。 ボ イ ド：リードフレームに１０ｍｍ×１０ｍｍのガ
ラスチップをマウントし硬化後、外観でボイドをチェッ
クした。被着面積の１５％以下のボイドならば良好、１
５％を越えるものを不良とした。 ＷＢ処理時の剥離：リードフレームに６ｍｍ×１５ｍｍ
のチップをマウントし硬化後、２５０℃にてワイヤ−ボ
ンディング処理を行ない、ペレットの接着状態を観察し
た。剥離が無ければ良好、剥離が観察されれば不良とし
た。 耐パッケージクラック性：スミコンＥＭＥ−７３２０
（住友ベークライト（株）・製）の封止材料を用い、下
記の条件で成形したパッケージを８５℃、相対湿度８５
％、１６８時間吸水処理した後、ＩＲリフロー（２４０
℃、１０秒）にかけ、断面観察により内部クラックの数
を測定し耐パッケージクラック性の指標とした。 パッケージ ：８０ｐＱＦＰ（１４×２０×２ｍｍ厚さ） チップサイズ ：７．５×７．５ｍｍ（アルミ配線のみ） リードフレーム ：４２アロイ 成 形 ：１７５℃、２分間 ポストモールドキュア：１７５℃、４時間 全パッケージ数 ：１２
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】
【発明の効果】本発明は、従来のエポキシ樹脂で使用し
ていた反応性希釈剤、溶剤を含有しないため、硬化時の
アウトガスによる基材の汚染が殆どなく、且つ硬化物層
にボイドの発生もなく、耐半田クラック性に優れるもの
である。
ていた反応性希釈剤、溶剤を含有しないため、硬化時の
アウトガスによる基材の汚染が殆どなく、且つ硬化物層
にボイドの発生もなく、耐半田クラック性に優れるもの
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ａ）下記一般式（１）又は（２）で示
されるウレタンアクリレート樹脂又はウレタンメタクリ
レート樹脂、（Ｂ）下記一般式（３）で示されるアクリ
ル樹脂またはメタクリル樹脂、（Ｃ）有機過酸化物、
（Ｄ）無機フィラーを必須成分とし、成分（Ａ）１００
重量部に対して、成分（Ｂ）が５０〜２００重量部、成
分（Ｃ）が０．１〜５０重量部、成分（Ｄ）が５０〜１
２００重量部である半導体用ダイアタッチ樹脂ペース
ト。 【化１】 【化２】 【化３】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9222215A JPH1160654A (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | 半導体用ダイアタッチ樹脂ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9222215A JPH1160654A (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | 半導体用ダイアタッチ樹脂ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1160654A true JPH1160654A (ja) | 1999-03-02 |
Family
ID=16778940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9222215A Pending JPH1160654A (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | 半導体用ダイアタッチ樹脂ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1160654A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001257219A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
| JP2001257220A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
| JP2007131781A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
-
1997
- 1997-08-19 JP JP9222215A patent/JPH1160654A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001257219A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
| JP2001257220A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
| JP2007131781A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
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| A02 | Decision of refusal |
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