JPH10237657A

JPH10237657A - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JPH10237657A
Application number: JP9058516A
Authority: JP
Inventors: Koichi Fukuda; 航一福田; Seitetsu Kin; 聖哲金; Susumu Arai; 進新井; Kuniaki Kurokawa; 邦明黒川
Original assignee: FURONTETSUKU KK; Frontec Inc; Ulvac Inc
Current assignee: FURONTETSUKU KK; Frontec Inc; Ulvac Inc
Priority date: 1997-02-26
Filing date: 1997-02-26
Publication date: 1998-09-08

Abstract

(57)【要約】【課題】放電防止板の汚染や腐食がないプラズマ処理
装置を提供する。【解決手段】反応槽１０内に配置されたサセプタ２上に
処理対象物７０を配置し、反応槽１０内を真空排気して
処理ガスを導入し、プラズマ処理を行う際、サセプタに
電圧を印加するプラズマ処理装置１について、サセプタ
２周囲の放電防止板３₁、３₂とサセプタ２との間の隙間
６、７内にパージガスを流す。反応生成物が隙間６、７
内に侵入しないので、隙間６、７内が汚染されたり腐食
したりしない。放電防止板３₁、３₂はサセプタ本体と共
に上下移動できるように構成するとよい。また、パージ
ガスは反応槽１０内に放出されるようにすれば、排気系
統の配管が不要になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプラズマを用いて処
理対象物表面を処理するプラズマ処理装置にかかり、特
に、処理対象物を配置するサセプタに電圧を印加するプ
ラズマ処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマ処理装置のうち、ＣＶＤ装置は
反応槽内に成膜ガスを導入し、処理対象物である基板表
面に薄膜を形成する装置であり、常圧ＣＶＤ装置や減圧
ＣＶＤ装置では、基板を高温に加熱することでＣＶＤ反
応を生じさせ、反応生成物を堆積させて薄膜形成を行っ
ている。それに対し、プラズマＣＶＤ装置では、基板上
に発生させたプラズマによって成膜ガスを活性化し、Ｃ
ＶＤ反応を生じさせて薄膜形成を行うので、常圧ＣＶＤ
装置や減圧ＣＶＤ装置と比べた場合、基板を低温状態に
したままで薄膜形成を行えるという利点がある。

【０００３】従来技術のプラズマＣＶＤ装置を図３の符
号１０１に示す。このプラズマＣＶＤ装置１０１は、チ
ャンバ１３１、ガスシャワーヘッド１２１、支持板１１
１、支柱１３４を有しており、チャンバ１３１とガスシ
ャワーヘッド１２１とが、絶縁物１４１を介して互いに
気密に固定され、真空排気可能な反応槽１１０が構成さ
れている。また、支持板１１１は支柱１３４の上端部に
固定された状態で、反応槽１０内に配置されており、支
持板１１１と支柱１３４とでサセプタ１０２が構成され
ている。

【０００４】このプラズマＣＶＤ装置１０１で薄膜を形
成する場合には、先ず、処理対象物である基板１７０を
支持板１１１上に載置し、次いで、反応槽１１０内を真
空排気しながら支持板１１１内に配置されたヒーターに
通電し、反応槽１１０内が所定圧力になり、また、基板
１７０が所定温度になったところで、ガスシャワーヘッ
ド１２１から成膜ガスを反応槽１１０内に導入し、圧力
が安定したところで、高周波電源１８２を起動し、ガス
シャワーヘッド１２１に高周波電圧を印加して基板１７
０上に成膜ガスのプラズマを発生させる。

【０００５】成膜ガスがプラズマによって励起されるこ
とにより、プラズマＣＶＤ反応が進行し、反応生成物が
基板１７０表面に堆積すると、基板１７０表面に成膜ガ
ス中の元素を含む薄膜が形成される。

【０００６】従来では、プラズマを発生させる際には、
サセプタ１０２をチャンバ１３１と共に接地させていた
が、近年では、サセプタ１０２とチャンバ１３１とを絶
縁させ、サセプタ１０２に直流電圧や高周波電圧を印加
するプラズマＣＶＤ装置が登場しており、プラズマの制
御性を向上させることで、ＣＶＤ反応によって形成され
る薄膜の膜質向上が図られている。

【０００７】しかし、反応槽１０内は真空雰囲気に置か
れるため、サセプタ１０２に電圧を印加すると、サセプ
タ１０２とチャンバ１３１との間に放電を生じやすい。

【０００８】そこで従来より対策が採られており、電圧
が印加されるサセプタ１０２に、図３(ｂ)に示すよう
に、接地電位に置いた放電防止板１０３を近接配置し、
パッシェン則に従い、放電防止板１０３とサセプタ１０
２との間の放電発生電圧を上昇させ、チャンバー１３１
との間の放電発生を防止していた。

【０００９】この場合、サセプタ１０２と放電防止板１
０３の間に隙間１０７が形成されるが、その隙間１０７
を閉塞させないため、放電防止板１０３には孔１０８を
設け、隙間１０７内を反応槽１１０内に開放させ、反応
槽１１０内を真空排気する際に、隙間１０７内も一緒に
真空排気されるようにしていた。

【００１０】しかしながら、このような放電防止板１０
３では、プラズマＣＶＤ反応によって薄膜を形成する際
に、孔１０８から反応生成物が侵入し、隙間１０７内に
蓄積されてしまうという問題がある。反応生成物が蓄積
され、隙間１０７内が汚染された場合には、薄膜形成の
際のパーティクル発生原因となったり、放出ガスにより
反応槽内の真空度が悪化する等の原因となり、形成され
る薄膜の膜質を悪化させてしまう。

【００１１】また、プラズマエッチングを行う際に発生
するガスや、プラズマＣＶＤ装置をクリーニングする際
に発生するガス等には腐食性があり、そのような腐食性
ガスが隙間１０７内に侵入し、滞留した場合には放電防
止板１０３が腐食してしまう。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合を解決するために創作されたもので、その目的
は、放電防止板の汚染や腐食がないプラズマ処理装置を
提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、反応槽と、前記反応槽内に
配置されたサセプタとを有し、前記サセプタ上に処理対
象物を配置し、前記反応槽内を真空排気して処理ガスを
導入し、前記処理対象物上にプラズマを発生させてプラ
ズマ処理を行う際、前記サセプタに電圧を印加できるよ
うに構成されたプラズマ処理装置であって、前記サセプ
タは、サセプタ本体に電気的に絶縁した状態で近接配置
された放電防止板を有し、前記サセプタ本体と前記放電
防止板の間に形成される隙間内にガスを流せるように構
成されたことを特徴とする。

【００１４】この場合、請求項２記載の発明のように、
前記サセプタにベローズを設け、前記反応槽内の真空雰
囲気と前記隙間を維持したまま、少なくとも前記サセプ
タ本体と前記放電防止板とが一緒に上下移動できるよう
に構成することができる。

【００１５】その請求項２記載のプラズマ処理装置で
は、請求項３記載の発明のように、前記隙間内に流され
るガスは、前記ベローズと前記放電防止板との間を流れ
た後、導入されるように構成することができる。

【００１６】以上説明した請求項１乃至請求項３のいず
れか１項記載のプラズマ処理装置では、請求項４記載の
発明のように、前記隙間に流れたガスが、前記反応槽内
に放出されるように構成することができる。

【００１７】上述した構成のプラズマ処理装置では、反
応槽と、その反応槽内に配置されたサセプタとを有して
おり、サセプタ上に処理対象物を配置し、反応槽内を真
空排気して処理ガスを導入し、プラズマを発生させる際
に、サセプタに電圧を印加することができるので、プラ
ズマＣＶＤ反応による薄膜形成や、プラズマエッチング
反応によるエッチング等のプラズマ処理の制御性や処理
速度は高い。

【００１８】しかし、サセプタは真空雰囲気に置かれ、
反応槽は接地電位に置かれるのが普通なので、サセプタ
に電圧を印加した場合には、サセプタと反応槽との間で
放電が発生しやすい。

【００１９】ここで、反応槽内の圧力をｐ、反応槽内で
電圧が印加される物体間の距離をｄ、放電が生じる電圧
をＶ_Sとし、図２のグラフに、圧力ｐ×距離ｄの値とＶ_S
の大きさとの関係を示す。この図２のグラフは、パッシ
ェン則とよばれる火花放電の法則を表しており、真空雰
囲気下に置かれた物体間に放電を生じさせる放電開始電
圧は、圧力と距離の積が特定の値(このグラフでは符号
ａ₀で示す値)のときに最小値(ここでは符号Ｖ_smで示す
大きさ)をとることを示している。

【００２０】プラズマ処理装置で望ましくない放電が発
生しやすい場所は、サセプタと反応槽との間であり、サ
セプタと反応槽との距離と、反応槽内の圧力の積が、上
述の符号ａ₀付近の大きさであった場合には、サセプタ
に比較的小さな電圧を印加した場合でも放電が生じるこ
とになる。

【００２１】この場合、接地電位に置いた放電防止板を
サセプタの周囲に近接配置し、電圧が印加される物体間
の距離を短くすることでｐ×ｄの値を小さくすると、放
電発生電圧Ｖ_Sが上昇し、放電が発生しにくくなる。

【００２２】そのような放電防止板とサセプタとの間に
形成される隙間内に、プラズマＣＶＤ反応により生じた
反応生成物や腐食性ガスが侵入した場合には、隙間内が
汚染されたり腐食が進行したりする。

【００２３】本発明のプラズマ処理装置では、その隙間
内にガスを流し、隙間内の圧力を反応槽内部の圧力より
も高くすることで、反応生成物や腐食性ガスが隙間内に
侵入し、一旦侵入した反応生成物や腐食性ガスを、導入
したガスで流し去るようにしたので、上述のような問題
が生じることはない。

【００２４】更に、隙間内の放出ガスによって反応槽内
の真空度が悪化し、形成される薄膜の膜質を悪化させる
問題についても、隙間内にパージガスを流すことで、不
純物となる放出ガスをパージ除去し、真空度や真空の質
が悪化しないようにし、薄膜の膜質を向上させている。

【００２５】ところで、このようなプラズマ処理装置で
は、サセプタ周囲にベローズを設け、処理対象物である
基板の搬出入を行う際に、支持板と支柱とで構成される
サセプタ本体が、反応槽内の真空雰囲気を維持したまま
上下移動できるようにされている場合が多い。従って、
本発明のプラズマ処理装置では、サセプタ本体が上下移
動する際に、放電防止版も一緒に上下移動し、前述の隙
間の大きさが変わらないように構成するとよい。

【００２６】この場合、隙間内に流すガスは、ベローズ
(の内壁面)と放電防止板(の外周)の間を流れてから隙間
内に導入されるようにすると、ベローズ内壁面や放電防
止板の外周面から放出されると不純物ガスもパージ除去
できる。

【００２７】更に、隙間内を流れたガスは、反応槽内に
放出されるようにしておくと、排気系統の配管を設ける
必要がなくなり、プラズマ処理装置の構成を簡略化する
ことができる。

【００２８】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を用い
て説明する。図１を参照し、符号１は、本発明のプラズ
マ処理装置の一実施形態を示すプラズマＣＶＤ装置であ
り、各々金属材料から成るチャンバ３１、ガスシャワー
ヘッド２１、放電防止板３₁、３₂、支持板１１、支柱３
４を有している。

【００２９】チャンバ３１は容器状に成形されており、
そのチャンバ３１上には、絶縁物４１によって電気的に
絶縁した状態で、ガスシャワーヘッド２１が気密に固定
されており、チャンバ３１、絶縁物４、ガスシャワーヘ
ッド２１によって、符号１０で示す反応槽が構成されて
いる。このチャンバ３１の側壁には、排気口３２が設け
られており、図示しない真空ポンプを起動すると、反応
槽１０内を真空排気できるように構成されている。

【００３０】支持板１１は矩形形状に形成され、放電防
止板３₁はその支持板１１と同形状でほぼ同じ大きさに
形成されており、放電防止板３₁は、支持板１１の裏面
に、支持板１１とは非接触の状態で配置されており、支
持板１１の周囲に設けられた絶縁物４５に、その周囲を
固定されている。従って、支持板１１と放電防止板３₁
とは、互いに電気的に絶縁された状態にあり、その間に
は２ｍｍの隙間７が形成されている。

【００３１】また、支柱３４は中空の円柱形状(外径６
０ｍｍ)に形成され、放電防止板３₂は円筒形状(内径６
４ｍｍ)に形成されており、支柱３４は放電防止板３₂中
に挿通され、放電防止板３₂が支柱３４の周囲に非接触
の状態で位置するように構成されており、その間には２
ｍｍ隙間６が形成されている。

【００３２】放電防止板３₁の中央には、放電防止板３₂
の内径と同径の孔が開けられており、放電防止板３₂に
挿通された支柱３４の上端部は、その孔内に、支持板１
１裏面の放電防止板３₁とは非接触の状態で挿入され、
支持板１１の裏面に固定されており、支持板１１と支柱
３４とでサセプタ本体が構成されている。

【００３３】他方、放電防止板３₂の上端部は、放電防
止板３₁の孔周囲に気密に固定され、支持板１１と支柱
３４によって構成されるサセプタ本体に、放電防止板３
₁、３₂が近接配置され、符号２で示すサセプタが構成さ
れている。

【００３４】チャンバ３１の底面には貫通孔が設けられ
ており、チャンバ３１底面の反応槽１０の外側には、そ
の貫通孔と略同径の貫通孔を有するガス導入板６１が配
置され、互いの貫通孔を連通させて気密に固定されてい
る。サセプタ２のうち、放電防止板３₂が、支柱３４と
一緒にその貫通孔内に非接触の状態で挿通されており、
支持板１１と放電防止板３₁とが、反応槽１０内に位置
するように構成されている。

【００３５】支柱３４の下端部と放電防止板３₂の下端
部には、シール板５６と取付板５７とがそれぞれ固定さ
れており、そのシール板５６と取付板５７とは、絶縁物
４３を挟み、電気的に絶縁した状態で互いに気密に固定
され、シール板５６と取付板５７との間に大気が侵入し
ないように構成されている。

【００３６】放電防止板３₂は、支柱３４と共にベロー
ズ６０内に挿通され、放電防止板３₂の周囲にそのベロ
ーズ６０が非接触の状態で位置するようにされており、
ベローズ６０の上端部と下端部とは、ガス導入板６１と
取付板５７にそれぞれ溶接固定され、ベローズ６０と放
電防止板３₂の間に形成される隙間５内に大気が侵入し
ないように構成されている。

【００３７】放電防止板３₂と支柱３４によって形成さ
れた隙間６の上端部は、支持板１１と放電防止板３₁と
で形成される隙間７と通じており、下端部は、シール板
５６と取付板５７の間に形成された空間と通じており、
放電防止板３₂に設けられた孔によって、その空間と隙
間５とが通じられており、各隙間５〜７が互いに通じる
ように構成されている。

【００３８】ガス導入板６１にはガス導入ノズル４が設
けられ、そのガス導入ノズル４から隙間５内に所望種類
のガスを導入できるように構成されており、他方、排気
口３２付近に位置する放電防止板３₁の部分には、パー
ジガス放出孔８が設けられており、反応槽１０内を真空
排気する際に、ガス導入ノズル４から隙間５内にガスを
導入すると、導入したガスが各隙間５〜７内を流れ、パ
ージガス放出孔８から反応槽１０内に放出された後、排
気口３２から排気されるように構成されている。

【００３９】反応槽１０外では、チャンバ３１の下方位
置に、固定板５１、可動板５２、シャフト５３、ボール
ねじ５４を有する基板昇降機構５０が配置されている。
可動板５２には、絶縁物４２によって電気的に絶縁した
状態で上述のシール板５６が固定されており、従って、
シール板５６を介して、支柱３４の下端部が可動板５２
に固定されていることになる。

【００４０】他方、シャフト５３の上端部と下端部は、
チャンバ３１の底面と固定板５１に、それぞれ回転運動
可能に取り付けられており、シャフト５３にはボールね
じ５４が取り付けられ、そのボールねじ５４に可動板５
２が取り付けられている。

【００４１】固定板５１は、チャンバ３１に対して相対
的に固定されており、シャフト５３が回転させられた場
合、回転運動が規制された可動板５２によって、ボール
ねじ５４がシャフト５３上を往復動するように構成され
ている。そのボールねじ５４の往復動によって可動板５
２が上下移動し、支柱３４が昇降軸となり、支持板１１
が反応槽１０内で上下移動できるように構成されてい
る。

【００４２】放電防止板３₂が挿通されたチャンバ３１
の貫通孔内には、パッキン３７が突設されており、パッ
キン３７が放電防止板３₂の外周面に接触するように構
成されている。従って、支持板１１が上下移動する際、
パッキン３７と摺動して横方向の動きが規制されること
で、放電防止板３₂がチャンバ３１やガス導入板６１と
接触しないように構成されている。

【００４３】反応槽１０内では、支持板１１の表面は、
基板７０を配置し、加熱できるように露出させられてい
るが、側面と裏面は、放電防止板３₁と絶縁物４５によ
って覆われており、反応槽１０内に露出しておらず、支
持板１１はチャンバ３１の壁面と直接対向しないように
されている。

【００４４】また、支柱３４は放電防止板３₂で覆われ
ており、反応槽１０内には露出しておらず、チャンバ３
１、ガス導入板６１、ベローズ６０とは直接対向しない
ようにされている。

【００４５】従って、放電防止板３₁、３₂を接地させ、
支柱３４に電圧を印加し、支持板１１を支柱３４と同電
位にした場合には、支持板１１及び支柱３４(サセプタ
本体)と接地電位に置かれたチャンバ３１との間は放電
防止板３₁、３₂によって電気的に遮蔽されるように構成
されてる。

【００４６】このような構成のプラズマＣＶＤ装置１を
用いて薄膜を形成する場合は、先ず、処理対象物である
基板７０を反応槽１０内に搬入し、基板昇降機構５０を
動作させ、基板７０を支持板１１上に載置する。次い
で、図示しない真空ポンプを起動し、排気口３２から反
応槽１０内を真空排気する。このとき、ガス導入ノズル
４を閉状態にしておくと、各隙間５〜７内も真空排気さ
れる。

【００４７】支持板１１内にはヒーターが配置されてお
り、反応槽１０内が所定真空度に到達した後、支柱３４
の下端部から導出された配線３５に電圧を印加してヒー
ターに通電し、支持板１１の表面を介して基板７０を加
熱する。基板７０が所定温度になったところで、ガス導
入パイプからガスシャワーヘッド２１内に成膜ガス(処
理ガス)を導入する。

【００４８】シャワーヘッド２１の反応槽１０内部側に
は、複数の孔を有するシャワー板２２が設けれており、
導入された成膜対象ガスはシャワー板２２によって基板
７０表面に均一に散布される。

【００４９】成膜ガスを散布する際に、ガス導入ノズル
４からパージガス(アルゴンガスや窒素ガス等の不活性
ガス)を導入し、隙間５〜７内を流して放出孔８から反
応槽１０内に放出されるようにしておくと、反応槽１０
内に放出されたパージガスは成膜ガスと共に排気口３２
から排気される。

【００５０】その状態を維持し、反応槽１０内の圧力が
所定値で安定したところで高周波電源８２を起動し、ガ
スシャワーヘッド２１に４０ＭＨｚの高周波電圧を印加
して成膜ガスのプラズマを発生させる。このとき、同時
に高周波電源８１を起動し、支柱３４の下端部側からサ
セプタ本体に１ＭＨｚ程度の高周波電圧を印加すると、
その高周波電圧がガスシャワーヘッド２１に印加された
電圧に重畳され、基板７０表面上で成膜ガスの均一なプ
ラズマが発生する。そのプラズマによってＣＶＤ反応が
進行し、反応生成物が基板７０表面に堆積されると、成
膜ガス中の元素を含む薄膜が形成される。

【００５１】そのようなＣＶＤ反応が行われている最中
には、パージガスがパージガス放出孔８から反応槽１０
内に放出されており、各隙間５〜７内の圧力は、反応槽
１０内の圧力に対して陽圧になっている。従って、ＣＶ
Ｄ反応によって生じた反応生成物はパージガス放出孔８
内から各隙間５〜７内には侵入することができず、各隙
間５〜７内がパーティクルで汚染されることはない。

【００５２】なお、上述のような隙間６、７の大きさ
(２ｍｍ)は、サセプタ２に印加される１ＭＨｚの高周波
電圧の大きさでは、放電が発生しない距離となってい
る。

【００５３】薄膜が所定膜厚に形成された後、高周波電
源８１、８２の動作と成膜ガスの供給とを停止し、基板
昇降機構５０を動作させ、基板７０の受け渡しを行って
反応槽１０外に搬出した後、未処理の基板を反応槽１０
内に搬入し、新しい基板に対し、プラズマＣＶＤ反応に
よる薄膜形成作業を再開する。

【００５４】このような工程を繰り返し行い、所定枚数
の基板表面に薄膜が形成されたら、基板を搬入しない状
態で反応槽１０内を真空排気し、ガスシャワーヘッド２
１からフッ素系のクリーニングガスを散布し、高周波電
源８１、８２の両方、若しくは一方を起動し、クリーニ
ングガスのプラズマを発生させ、反応槽１０内に付着し
た反応生成物をガス化して除去する。

【００５５】そのクリーニング作業により、反応槽１０
の壁面や、支持板１１表面に付着したパーティクルが除
去されるので、所定枚数の基板をプラズマ処理する毎に
定期的なクリーニング作業を行うことにより、基板表面
にパーティクルを付着させることなく、連続して薄膜形
成を行うことが可能となる。

【００５６】ところで、フッ素系のクリーニングガスが
隙間５〜７内に侵入し、滞留した場合には、放電防止板
３₁、３₂やベローズ６０が腐食してしまう。

【００５７】そこで、クリーニングガスのプラズマを発
生させる際にも、ガス導入ノズル４から各隙間５〜７内
にパージガスを流し、パージガス放出孔８から反応槽１
０内に放出されるようにしておくと、フッ素系のクリー
ニングガスは各隙間５〜７内に侵入することができず、
腐食を防止することができる。

【００５８】なお、このプラズマＣＶＤ装置１では、ベ
ローズ６０の周囲にヒーター６６が配置されており、ベ
ローズ６０を加熱できるように構成されている。従っ
て、ガス導入ノズル４からパージガスを流しながらベロ
ーズ６０を加熱し、クリーニング作業や脱ガス作業を行
うようにすれば、ベローズ６０から放出されるガスはパ
ージガスと共に真空排気されるので、放出ガスが各隙間
５〜７内に滞留することがなく、反応槽１０内を高真空
状態に復帰させることが容易になる。従って、薄膜を形
成する際に、反応槽１０内を、放出ガス不純物が少ない
状態に保つことができる。

【００５９】以上説明したプラズマＣＶＤ装置１は種々
の変形が可能である。例えば、上述のパージガス放出孔
８は放電防止板３₁に設けたが、絶縁物４５に設けても
よい。また、パージガスはプラズマ処理中に流す場合だ
けに限定されるものではなく、プラズマＣＶＤ反応を行
う際にはパージガスは流さず、反応槽１０をクリーニン
グする際に、ガス導入ノズル４からパージガスを導入す
るようにしてもよい。

【００６０】また、上述の支柱３４は金属材料で構成さ
れており、支持板１１と同電位になっているが、支柱は
絶縁物で構成することもできる。その場合には絶縁物の
支柱の周囲には放電防止板３₂を配置しなくても放電は
生じない。

【００６１】以上は薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置
１について説明したが、本発明はＣＶＤ装置に限定され
るものではなく、プラズマを用いて処理対象物の処理を
行う装置を広く含む。例えば、プラズマエッチング装置
については、サセプタ本体と放電防止板とでサセプタを
構成させる際に形成される隙間内にパージガスを流せる
ようにしておけば、エッチングガスによる放電防止板の
腐食を効果的に防止することができる。

【００６２】なお、成膜対象物についても、シリコンウ
ェハーやガラス基板等の基板に限定されるものではな
く、表面処理対象の治工具、金型等のワークや樹脂フィ
ルム等の種々材質・形状のものを広く含む。

【００６３】また上述のプラズマＣＶＤ装置１では、サ
セプタ２に高周波電圧を印加したが、本発明はそれに限
定されるものではなく、直流電圧を印加するものや直流
電圧に交流電圧を重畳した電圧を印加するものも含まれ
る。要するに、本発明は、放電を防止するために設けら
れた放電防止板と、電圧が印加されるサセプタ本体間に
形成される隙間内に、パージガス等の所望種類のガスを
流せるように構成されたプラズマ処理装置を広く含む。

【００６４】

【発明の効果】放電防止板の内周面にパーティクルが付
着したり、腐食が生じたりすることがない。放電防止板
の寿命が長くなるので、清掃や交換の作業が不要にな
り、プラズマ処理装置のスループットが向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマ処理装置の一例

【図２】パッシェン則を示すグラフ

【図３】従来技術のプラズマ処理装置の例

【符号の説明】

１……プラズマ処理装置３₁、３₂……放電防止板
２……サセプタ１０……反応槽１１……サセプタ本体６０……
ベローズ７０……処理対象物(基板)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (72)発明者新井進神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空技術株式会社内 (72)発明者黒川邦明神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空技術株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反応槽と、前記反応槽内に配置されたサ
セプタとを有し、前記サセプタ上に処理対象物を配置し、前記反応槽内を
真空排気して処理ガスを導入し、前記処理対象物上にプ
ラズマを発生させてプラズマ処理を行う際、前記サセプ
タに電圧を印加できるように構成されたプラズマ処理装
置であって、前記サセプタは、サセプタ本体に電気的に絶縁した状態
で近接配置された放電防止板を有し、前記サセプタ本体と前記放電防止板の間に形成される隙
間内にガスを流せるように構成されたことを特徴とする
プラズマ処理装置。
【請求項２】前記サセプタはベローズを有し、前記反
応槽内の真空雰囲気と前記隙間を維持したまま、少なく
とも前記サセプタ本体と前記放電防止板とが一緒に上下
移動できるように構成されたことを特徴とする請求項１
記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】前記隙間内に流されるガスは、前記ベロ
ーズと前記放電防止板との間を流れた後、導入されるよ
うに構成されたことを特徴とする請求項２記載のプラズ
マ処理装置。
【請求項４】前記隙間に流れたガスが、前記反応槽内
に放出されるように構成されたことを特徴とする請求項
１乃至請求項３のいずれか１項記載のプラズマ処理装
置。