JPH09306899A - 気相反応装置 - Google Patents
気相反応装置Info
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- JPH09306899A JPH09306899A JP14672796A JP14672796A JPH09306899A JP H09306899 A JPH09306899 A JP H09306899A JP 14672796 A JP14672796 A JP 14672796A JP 14672796 A JP14672796 A JP 14672796A JP H09306899 A JPH09306899 A JP H09306899A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セルフクリーニングを効率的に実施できるプ
ラズマＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 反応炉を有し、該反応炉内には少なくと
もシャワー電極とサセプタが配設されており、前記シャ
ワー電極は絶縁リングにより支持され、かつ、高周波電
源に接続されており、前記サセプタはその上面に均熱板
とその均熱板の周囲を取り囲む絶縁カバーを有する気相
反応装置において、前記反応炉に成膜用圧力センサとク
リーニング用圧力センサの２種類の圧力センサが設置さ
れていることを特徴とする気相反応装置。
ラズマＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 反応炉を有し、該反応炉内には少なくと
もシャワー電極とサセプタが配設されており、前記シャ
ワー電極は絶縁リングにより支持され、かつ、高周波電
源に接続されており、前記サセプタはその上面に均熱板
とその均熱板の周囲を取り囲む絶縁カバーを有する気相
反応装置において、前記反応炉に成膜用圧力センサとク
リーニング用圧力センサの２種類の圧力センサが設置さ
れていることを特徴とする気相反応装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマＣＶＤ装置
などの気相反応装置に関する。更に詳細には、本発明は
成膜処理後のクリーニング作業を円滑、迅速に実施でき
るプラズマＣＶＤ装置及びそのクリーニング方法に関す
る。
などの気相反応装置に関する。更に詳細には、本発明は
成膜処理後のクリーニング作業を円滑、迅速に実施でき
るプラズマＣＶＤ装置及びそのクリーニング方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＩＣの製造においては、基板の表
面に酸化シリコンの薄膜を形成する工程がある。薄膜の
形成方法には化学的気相成長法（ＣＶＤ）が用いられて
いる。ＣＶＤ法には、常圧法、減圧法およびプラズマ法
の３方法があるが、最近の高品質で高精度な薄膜が要求
される超ＬＳＩに対してはプラズマ法が好適であるとし
て注目されている。
面に酸化シリコンの薄膜を形成する工程がある。薄膜の
形成方法には化学的気相成長法（ＣＶＤ）が用いられて
いる。ＣＶＤ法には、常圧法、減圧法およびプラズマ法
の３方法があるが、最近の高品質で高精度な薄膜が要求
される超ＬＳＩに対してはプラズマ法が好適であるとし
て注目されている。
【０００３】プラズマ法は、真空中に噴射された反応ガ
スに対し、高周波電圧を印加してプラズマ化し、反応に
必要なエネルギーを得るもので、膜厚の均一性と共に良
好な膜質が得られ、しかも、膜形成速度が速いなど多く
の点で優れている。
スに対し、高周波電圧を印加してプラズマ化し、反応に
必要なエネルギーを得るもので、膜厚の均一性と共に良
好な膜質が得られ、しかも、膜形成速度が速いなど多く
の点で優れている。
【０００４】プラズマ法によるシリコン酸化膜の形成材
料には例えば、ＳｉＨ4 などが使用されてきたが、半導
体デバイスの微細化に伴ってステップカバレージ（段差
被覆性）の低下が問題となってきた。このモノシランガ
スの代わりに、最近、液体のテトラエチルオルソシリケ
ート（ＴＥＯＳ）［Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ］が使用され
るようになってきた。ＴＥＯＳはステップカバレージに
優れた緻密な膜を形成できるためである。ＴＥＯＳを用
いてシリコン酸化膜を成膜する場合、ＴＥＯＳを加熱し
て気化させ、ＴＥＯＳガスとし、これに酸素ガスを混合
して反応炉に供給する。
料には例えば、ＳｉＨ4 などが使用されてきたが、半導
体デバイスの微細化に伴ってステップカバレージ（段差
被覆性）の低下が問題となってきた。このモノシランガ
スの代わりに、最近、液体のテトラエチルオルソシリケ
ート（ＴＥＯＳ）［Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ］が使用され
るようになってきた。ＴＥＯＳはステップカバレージに
優れた緻密な膜を形成できるためである。ＴＥＯＳを用
いてシリコン酸化膜を成膜する場合、ＴＥＯＳを加熱し
て気化させ、ＴＥＯＳガスとし、これに酸素ガスを混合
して反応炉に供給する。
【０００５】図２は従来のプラズマＣＶＤ装置１の一例
の模式的構成図である。図において、反応炉（チャン
バ）１０は気密とされ、反応炉１０の蓋板１０２に金属
製のノズル部３０を固定し、その下部にアルミニウム製
で、上面から下面に貫通する微小孔４１を多数有する円
盤状のシャワー電極４０を絶縁リング１０３により支持
する。これを上部電極３２とする。シャワー電極４０に
対して高周波電圧を印加する高周波電源７が設けられて
いる。
の模式的構成図である。図において、反応炉（チャン
バ）１０は気密とされ、反応炉１０の蓋板１０２に金属
製のノズル部３０を固定し、その下部にアルミニウム製
で、上面から下面に貫通する微小孔４１を多数有する円
盤状のシャワー電極４０を絶縁リング１０３により支持
する。これを上部電極３２とする。シャワー電極４０に
対して高周波電圧を印加する高周波電源７が設けられて
いる。
【０００６】上部電極３２に対峙して下部電極２０が配
設されている。下部電極２０は支柱２５により支持され
ている。支柱２５の上部にはサセプタ２２が配設され、
サセプタ２２の下部にはヒータユニット２１が配設され
ており、サセプタ２２とヒータユニット２１の周囲には
ヒータカバー２３が設けられている。
設されている。下部電極２０は支柱２５により支持され
ている。支柱２５の上部にはサセプタ２２が配設され、
サセプタ２２の下部にはヒータユニット２１が配設され
ており、サセプタ２２とヒータユニット２１の周囲には
ヒータカバー２３が設けられている。
【０００７】反応処理においては、反応炉１０の側面１
０５に設けられた搬入／搬出路５０のゲート５１を開
き、キャリヤー５２により基板６を搬入してサセプタ２
２の上面略中央部に載置する。ゲートを閉じて、ダクト
１０４から排気することにより反応炉内部を所定の真空
度にした後、ヒータユニット２１によりサセプタ２２が
加熱され、これに載置された基板６が所定の温度になる
と、インレット３１から所定の反応ガス（例えば、ＴＥ
ＯＳ及び酸素ガス）を反応炉内に送入する。ガスはノズ
ル部３０を経て、シャワー電極４０の微小孔４１より基
板に向けて噴射される。
０５に設けられた搬入／搬出路５０のゲート５１を開
き、キャリヤー５２により基板６を搬入してサセプタ２
２の上面略中央部に載置する。ゲートを閉じて、ダクト
１０４から排気することにより反応炉内部を所定の真空
度にした後、ヒータユニット２１によりサセプタ２２が
加熱され、これに載置された基板６が所定の温度になる
と、インレット３１から所定の反応ガス（例えば、ＴＥ
ＯＳ及び酸素ガス）を反応炉内に送入する。ガスはノズ
ル部３０を経て、シャワー電極４０の微小孔４１より基
板に向けて噴射される。
【０００８】しかし、成膜処理の進行につれて、基板の
表面以外に、反応炉の内壁面の他、シャワー電極４０、
サセプタ２２、ヒータカバー２３などの様々な部材の壁
面にも反応生成物が付着する。このような反応生成物を
そのままにして成膜処理を継続すると、やがては生成物
が剥離し、異物の原因となる。また、炉内のインピーダ
ンスが変化し、高周波出力などに悪影響を及ぼし、結果
的に基板表面に形成されるプラズマＣＶＤ膜の膜厚分
布、膜質特性などを劣化させ、製品不良を引き起こす恐
れがある。このため、枚様式装置の場合、基板数枚〜数
十枚の成膜処理が完了した時点で、必ず炉内クリーニン
グを行い、クリーニング完了後に新たな基板を炉内に搬
入し、新たな成膜処理を開始するようにしている。
表面以外に、反応炉の内壁面の他、シャワー電極４０、
サセプタ２２、ヒータカバー２３などの様々な部材の壁
面にも反応生成物が付着する。このような反応生成物を
そのままにして成膜処理を継続すると、やがては生成物
が剥離し、異物の原因となる。また、炉内のインピーダ
ンスが変化し、高周波出力などに悪影響を及ぼし、結果
的に基板表面に形成されるプラズマＣＶＤ膜の膜厚分
布、膜質特性などを劣化させ、製品不良を引き起こす恐
れがある。このため、枚様式装置の場合、基板数枚〜数
十枚の成膜処理が完了した時点で、必ず炉内クリーニン
グを行い、クリーニング完了後に新たな基板を炉内に搬
入し、新たな成膜処理を開始するようにしている。
【０００９】従来のプラズマＣＶＤ装置では、インレッ
ト３１からフロン系ガス（例えば、ＣＦ4、ＣＣｌ
2Ｆ2、Ｃ2 Ｆ6 またはＮＦ3 とＯ2）を炉内に導入し、
高周波電圧を印加してプラズマ雰囲気下でフッ素ラジカ
ルを生成し、このフッ素ラジカルで異物を分解除去する
プラズマドライエッチング法により炉内壁面のセルフク
リーニングを行ってきた。
ト３１からフロン系ガス（例えば、ＣＦ4、ＣＣｌ
2Ｆ2、Ｃ2 Ｆ6 またはＮＦ3 とＯ2）を炉内に導入し、
高周波電圧を印加してプラズマ雰囲気下でフッ素ラジカ
ルを生成し、このフッ素ラジカルで異物を分解除去する
プラズマドライエッチング法により炉内壁面のセルフク
リーニングを行ってきた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、高密度プラズ
マを用いるＣＶＤプロセスでは、数ｍＴｏｒｒオーダー
の低圧力で成膜を行うが、反応炉内のセルフクリーニン
グを同様の圧力帯で行うと、クリーニング時間の増大を
招き、スループットの低下要因となる。
マを用いるＣＶＤプロセスでは、数ｍＴｏｒｒオーダー
の低圧力で成膜を行うが、反応炉内のセルフクリーニン
グを同様の圧力帯で行うと、クリーニング時間の増大を
招き、スループットの低下要因となる。
【００１１】従って、本発明の目的は、反応炉内のセル
フクリーニングを円滑、迅速に実施することができる気
相反応装置及びそのクリーニング方法を提供することで
ある。
フクリーニングを円滑、迅速に実施することができる気
相反応装置及びそのクリーニング方法を提供することで
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記課題は、反応炉を有
し、該反応炉内には少なくともシャワー電極とサセプタ
が配設されており、前記シャワー電極は絶縁リングによ
り支持され、かつ、高周波電源に接続されており、前記
サセプタはその上面に均熱板とその均熱板の周囲を取り
囲む絶縁カバーを有する気相反応装置において、前記反
応炉に成膜用圧力センサとクリーニング用圧力センサの
２種類の圧力センサが設置されていることを特徴とする
気相反応装置により解決される。
し、該反応炉内には少なくともシャワー電極とサセプタ
が配設されており、前記シャワー電極は絶縁リングによ
り支持され、かつ、高周波電源に接続されており、前記
サセプタはその上面に均熱板とその均熱板の周囲を取り
囲む絶縁カバーを有する気相反応装置において、前記反
応炉に成膜用圧力センサとクリーニング用圧力センサの
２種類の圧力センサが設置されていることを特徴とする
気相反応装置により解決される。
【００１３】更に、前記課題は、反応炉を有し、該反応
炉内には少なくともシャワー電極とサセプタが配設され
ており、前記シャワー電極は絶縁リングにより支持さ
れ、かつ、高周波電源に接続されており、前記サセプタ
はその上面に均熱板とその均熱板の周囲を取り囲む絶縁
カバーを有する気相反応装置において、前記高周波電源
からの電力を上部電極を介して反応炉に供給し、同時に
炉内にフロン系ガスを送入し、プラズマ雰囲気下でフッ
素ラジカルを生成することにより前記反応炉の内部に形
成された不要な成膜を除去して前記反応炉内部をクリー
ニングするクリーニング方法であって、１Ｔｏｒｒ〜９
Ｔｏｒｒの範囲内の雰囲気圧力で前記シャワー電極をク
リーニングし、１ｍＴｏｒｒ〜９０ｍＴｏｒｒの範囲内
の雰囲気圧力でシャワー電極以外の反応炉内部をクリー
ニングすることを特徴とする気相反応装置のクリーニン
グ方法によっても解決される。
炉内には少なくともシャワー電極とサセプタが配設され
ており、前記シャワー電極は絶縁リングにより支持さ
れ、かつ、高周波電源に接続されており、前記サセプタ
はその上面に均熱板とその均熱板の周囲を取り囲む絶縁
カバーを有する気相反応装置において、前記高周波電源
からの電力を上部電極を介して反応炉に供給し、同時に
炉内にフロン系ガスを送入し、プラズマ雰囲気下でフッ
素ラジカルを生成することにより前記反応炉の内部に形
成された不要な成膜を除去して前記反応炉内部をクリー
ニングするクリーニング方法であって、１Ｔｏｒｒ〜９
Ｔｏｒｒの範囲内の雰囲気圧力で前記シャワー電極をク
リーニングし、１ｍＴｏｒｒ〜９０ｍＴｏｒｒの範囲内
の雰囲気圧力でシャワー電極以外の反応炉内部をクリー
ニングすることを特徴とする気相反応装置のクリーニン
グ方法によっても解決される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、具体例により本発明を更に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１５】図１は本発明のプラズマＣＶＤ装置の構成
を示す概要断面図である。図１に示された本発明のプラ
ズマＣＶＤ装置の構成自体は図２に示された従来のプラ
ズマＣＶＤ装置と大体同一である。従って、下記の説明
でも図２に示された符号を用いて説明する。
を示す概要断面図である。図１に示された本発明のプラ
ズマＣＶＤ装置の構成自体は図２に示された従来のプラ
ズマＣＶＤ装置と大体同一である。従って、下記の説明
でも図２に示された符号を用いて説明する。
【００１６】図２に示された従来のプラズマＣＶＤ装置
と異なり、本発明のプラズマＣＶＤ装置は、反応炉１０
に成膜用圧力センサ６０とクリーニング用圧力センサ６
２が配設されている。センサ６０，６２の配設箇所は図
示された側壁部に限定されない。反応炉１０の適当な箇
所で炉内の圧力を正確に検出できる箇所であれば何処で
も配設することができる。例えば、蓋板１０２に配設す
ることもできる。センサ６０，６２は適当な導管６４に
より反応炉１０に接続されている。
と異なり、本発明のプラズマＣＶＤ装置は、反応炉１０
に成膜用圧力センサ６０とクリーニング用圧力センサ６
２が配設されている。センサ６０，６２の配設箇所は図
示された側壁部に限定されない。反応炉１０の適当な箇
所で炉内の圧力を正確に検出できる箇所であれば何処で
も配設することができる。例えば、蓋板１０２に配設す
ることもできる。センサ６０，６２は適当な導管６４に
より反応炉１０に接続されている。
【００１７】成膜用圧力センサ６０は数ｍＴｏｒｒ〜数
十ｍＴｏｒｒオーダー、例えば、１ｍＴｏｒｒ〜９０ｍ
Ｔｏｒｒの範囲内の圧力を検知することができるものを
使用する。一方、クリーニング用圧力センサ６２は数Ｔ
ｏｒｒオーダー、例えば、１Ｔｏｒｒ〜９Ｔｏｒｒの範
囲内の圧力を検知することができるものを使用する。従
って、本発明のプラズマＣＶＤ装置では、成膜時とクリ
ーニング時でセンサを切り替えて使用する。このような
目的に使用可能なセンサとしては、例えば、バラトロン
ゲージ、Ｂ−Ａゲージ、サーモカップルゲージ、ピラニ
ーゲージなどが挙げられる。
十ｍＴｏｒｒオーダー、例えば、１ｍＴｏｒｒ〜９０ｍ
Ｔｏｒｒの範囲内の圧力を検知することができるものを
使用する。一方、クリーニング用圧力センサ６２は数Ｔ
ｏｒｒオーダー、例えば、１Ｔｏｒｒ〜９Ｔｏｒｒの範
囲内の圧力を検知することができるものを使用する。従
って、本発明のプラズマＣＶＤ装置では、成膜時とクリ
ーニング時でセンサを切り替えて使用する。このような
目的に使用可能なセンサとしては、例えば、バラトロン
ゲージ、Ｂ−Ａゲージ、サーモカップルゲージ、ピラニ
ーゲージなどが挙げられる。
【００１８】高密度プラズマを用いるＣＶＤプロセスで
はミリオーダーの低圧力で成膜を行うが、反応炉内のセ
ルフクリーニングを同様の圧力帯で行うとクリーニング
時間の増大を招き、スループットの低下要因となる。し
かし、数ｍＴｏｒｒの雰囲気圧力ではプラズマ放電が周
囲に拡散するので、シャワー電極以外の部分のクリーニ
ングには極めて好都合である。従って、本発明によれ
ば、成膜後、反応炉内の圧力を成膜時の数ｍＴｏｒｒの
状態のままに維持しながら、インレット３１からＣ
2Ｆ6，ＣＦ4などのフッ素系ガスを炉内に導入し、上部
電極３２に高周波を印加してプラズマ放電を起こさせて
シャワー電極以外の反応炉内部をセルフクリーニングす
る。その後、炉内の圧力を数Ｔｏｒｒまで上昇させる。
このように高い雰囲気圧力ではプラズマ放電は局部に集
中するので、炉内の広い面積よりも、局部をクリーニン
グするのに極めて好都合である。従って、本発明によれ
ば、低圧力における反応炉内部のクリーニングが終了し
たら、炉内圧力を成膜時の圧力よりも約２桁程度上昇さ
せ、数Ｔｏｒｒの雰囲気圧力のもとでフッ素系ガスを炉
内に導入し、プラズマ密度を上げて、シャワー電極の高
速セルフクリーニングを行う。
はミリオーダーの低圧力で成膜を行うが、反応炉内のセ
ルフクリーニングを同様の圧力帯で行うとクリーニング
時間の増大を招き、スループットの低下要因となる。し
かし、数ｍＴｏｒｒの雰囲気圧力ではプラズマ放電が周
囲に拡散するので、シャワー電極以外の部分のクリーニ
ングには極めて好都合である。従って、本発明によれ
ば、成膜後、反応炉内の圧力を成膜時の数ｍＴｏｒｒの
状態のままに維持しながら、インレット３１からＣ
2Ｆ6，ＣＦ4などのフッ素系ガスを炉内に導入し、上部
電極３２に高周波を印加してプラズマ放電を起こさせて
シャワー電極以外の反応炉内部をセルフクリーニングす
る。その後、炉内の圧力を数Ｔｏｒｒまで上昇させる。
このように高い雰囲気圧力ではプラズマ放電は局部に集
中するので、炉内の広い面積よりも、局部をクリーニン
グするのに極めて好都合である。従って、本発明によれ
ば、低圧力における反応炉内部のクリーニングが終了し
たら、炉内圧力を成膜時の圧力よりも約２桁程度上昇さ
せ、数Ｔｏｒｒの雰囲気圧力のもとでフッ素系ガスを炉
内に導入し、プラズマ密度を上げて、シャワー電極の高
速セルフクリーニングを行う。
【００１９】本発明の２段階クリーニング方法によら
ず、成膜後に直ちに炉内圧力を上昇させ、数Ｔｏｒｒの
雰囲気圧力のもとでフッ素系ガスを炉内に導入しプラズ
マ放電を起こさせても、プラズマが局部に集中するの
で、シャワー電極部分のクリーニングは迅速に行われる
が、その他の反応炉内部のクリーニングは十分に行われ
ない。一方、低圧力だけでクリーニングすると、プラズ
マが周囲に拡散するので炉内の広い面積をクリーニング
するには好都合であるが、シャワー電極のクリーニング
は殆ど行われない。従って、短い時間内で、シャワー電
極のような局部と共に、炉内の広い面積を十分にクリー
ニングするには本発明の２段階クリーニング方法が最も
効率的である。
ず、成膜後に直ちに炉内圧力を上昇させ、数Ｔｏｒｒの
雰囲気圧力のもとでフッ素系ガスを炉内に導入しプラズ
マ放電を起こさせても、プラズマが局部に集中するの
で、シャワー電極部分のクリーニングは迅速に行われる
が、その他の反応炉内部のクリーニングは十分に行われ
ない。一方、低圧力だけでクリーニングすると、プラズ
マが周囲に拡散するので炉内の広い面積をクリーニング
するには好都合であるが、シャワー電極のクリーニング
は殆ど行われない。従って、短い時間内で、シャワー電
極のような局部と共に、炉内の広い面積を十分にクリー
ニングするには本発明の２段階クリーニング方法が最も
効率的である。
【００２０】本発明のクリーニング方法は上部電極と下
部電極が対向する、いわゆる平行平板型電極を有するプ
ラズマＣＶＤ装置で実施することが最も好ましい。バイ
アスＥＣＲ−ＣＶＤ装置では、数Ｔｏｒｒの圧力になる
とプラズマ放電が起こらなくなるのでクリーニングを実
施できない。平行平板型プラズマＣＶＤ装置であれば、
数ｍＴｏｒｒの低圧力における高密度プラズマ成膜処理
の他に、数Ｔｏｒｒの高圧力におけるクリーニング作業
においてもプラズマ放電を起こさせることができる。
部電極が対向する、いわゆる平行平板型電極を有するプ
ラズマＣＶＤ装置で実施することが最も好ましい。バイ
アスＥＣＲ−ＣＶＤ装置では、数Ｔｏｒｒの圧力になる
とプラズマ放電が起こらなくなるのでクリーニングを実
施できない。平行平板型プラズマＣＶＤ装置であれば、
数ｍＴｏｒｒの低圧力における高密度プラズマ成膜処理
の他に、数Ｔｏｒｒの高圧力におけるクリーニング作業
においてもプラズマ放電を起こさせることができる。
【００２１】本発明の装置では、シャワー電極４０を支
持する絶縁リング１０３を窒化アルミニウムセラミック
材料で形成する。窒化アルミニウムセラミック製の絶縁
リングは電気絶縁性が高く、熱衝撃にも強いので特に好
ましい。所望ならば、絶縁リング１０３の外周面および
シャワーリング接触部分だけを窒化アルミニウムセラミ
ック材料でライニング形成することもできる。
持する絶縁リング１０３を窒化アルミニウムセラミック
材料で形成する。窒化アルミニウムセラミック製の絶縁
リングは電気絶縁性が高く、熱衝撃にも強いので特に好
ましい。所望ならば、絶縁リング１０３の外周面および
シャワーリング接触部分だけを窒化アルミニウムセラミ
ック材料でライニング形成することもできる。
【００２２】また、サセプタ２０において、均熱板２２
およびその周囲を取り囲む絶縁カバー２３を窒化アルミ
ニウムセラミック材料で形成することが特に好ましい。
所望により、ヒータ２１を包込むクロージャー２４およ
びサセプタの脚部２５も窒化アルミニウムセラミック材
料で形成するか、または該材料でライニングすることも
できる。
およびその周囲を取り囲む絶縁カバー２３を窒化アルミ
ニウムセラミック材料で形成することが特に好ましい。
所望により、ヒータ２１を包込むクロージャー２４およ
びサセプタの脚部２５も窒化アルミニウムセラミック材
料で形成するか、または該材料でライニングすることも
できる。
【００２３】本発明のプラズマＣＶＤ装置では、少なく
とも反応炉内の均熱板およびその周囲の絶縁カバーと、
シャワー電極を支持する絶縁リングとヒータクロージャ
ーが窒化アルミニウムセラミック材料で形成されている
ことが好ましい。その理由は、これらの部分が集中的に
プラズマに暴露され、しかも、フッ素イオンラジカルの
攻撃を最も受け易いからである。
とも反応炉内の均熱板およびその周囲の絶縁カバーと、
シャワー電極を支持する絶縁リングとヒータクロージャ
ーが窒化アルミニウムセラミック材料で形成されている
ことが好ましい。その理由は、これらの部分が集中的に
プラズマに暴露され、しかも、フッ素イオンラジカルの
攻撃を最も受け易いからである。
【００２４】更に、窒化アルミニウムセラミック材料で
形成されたこれらの部材の耐フッ素性を一層高めるため
に、窒化アルミニウムセラミック材料の表面にＡｌＦ3
の緻密な層を形成することもできる。ＡｌＦ3 層の存在
により腐食の進行を防止することができる。ＡｌＦ3 層
は予め人為的に形成することもできるが、ＣＦ4 を用い
るプラズマセルフクリーニング過程でも発生する。
形成されたこれらの部材の耐フッ素性を一層高めるため
に、窒化アルミニウムセラミック材料の表面にＡｌＦ3
の緻密な層を形成することもできる。ＡｌＦ3 層の存在
により腐食の進行を防止することができる。ＡｌＦ3 層
は予め人為的に形成することもできるが、ＣＦ4 を用い
るプラズマセルフクリーニング過程でも発生する。
【００２５】所望により、反応炉１０の蓋板１０２，ベ
ース１０１，および胴部１０５の内壁面を窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）セラミック材料で形成することもでき
る。蓋板１０２，ベース１０１，および胴部１０５の全
体を窒化アルミニウムセラミック材料で形成することも
できるし、あるいは、適当な厚さの板状をした窒化アル
ミニウムセラミック材料でライニングすることもでき
る。
ース１０１，および胴部１０５の内壁面を窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）セラミック材料で形成することもでき
る。蓋板１０２，ベース１０１，および胴部１０５の全
体を窒化アルミニウムセラミック材料で形成することも
できるし、あるいは、適当な厚さの板状をした窒化アル
ミニウムセラミック材料でライニングすることもでき
る。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
ＣＶＤ装置及び２段階クリーニング方法では、短い時間
内で、シャワー電極のような局部と共に、炉内の広い面
積を十分にクリーニングすることができる。その結果、
成膜処理全体のスループットを向上させることができ
る。
ＣＶＤ装置及び２段階クリーニング方法では、短い時間
内で、シャワー電極のような局部と共に、炉内の広い面
積を十分にクリーニングすることができる。その結果、
成膜処理全体のスループットを向上させることができ
る。
【図１】本発明によるプラズマＣＶＤ装置の一例の概要
断面図である。
断面図である。
【図２】従来のプラズマＣＶＤ装置の一例の概要断面図
である。
である。
１ プラズマＣＶＤ装置 ６ ウエハ ７ 高周波電源 １０ 筐体（反応炉） １０１ ベース １０２ 蓋板 １０３ 絶縁リング １０４ 排気口 １０５ 胴部 ２０ サセプタ ２１ ヒーター ２２ 均熱板 ２３ 絶縁カバー ２４ ヒータクロージャー ２５ 脚部 ３０ ノズル部 ３１ インレット ３２ 上部電極 ４０ シャワー電極 ４１ 噴射孔 ５０ 搬入／搬出路 ５１ ゲート ５２ キャリッジ
Claims (5)
- 【請求項１】 反応炉を有し、該反応炉内には少なくと
もシャワー電極とサセプタが配設されており、前記シャ
ワー電極は絶縁リングにより支持され、かつ、高周波電
源に接続されており、前記サセプタはその上面に均熱板
とその均熱板の周囲を取り囲む絶縁カバーを有する気相
反応装置において、 前記反応炉に成膜用圧力センサとクリーニング用圧力セ
ンサの２種類の圧力センサが設置されていることを特徴
とする気相反応装置。 - 【請求項２】 成膜用圧力センサは１ｍＴｏｒｒ〜９０
ｍＴｏｒｒの範囲内の圧力を検出することができ、クリ
ーニング用圧力センサは１Ｔｏｒｒ〜９Ｔｏｒｒの範囲
内の圧力を検出することができる請求項１の気相反応装
置。 - 【請求項３】 センサはバラトロンゲージである請求項
１の気相反応装置。 - 【請求項４】 プラズマＣＶＤ装置である請求項１の気
相反応装置。 - 【請求項５】 反応炉を有し、該反応炉内には少なくと
もシャワー電極とサセプタが配設されており、前記シャ
ワー電極は絶縁リングにより支持され、かつ、高周波電
源に接続されており、前記サセプタはその上面に均熱板
とその均熱板の周囲を取り囲む絶縁カバーを有する気相
反応装置において、前記高周波電源からの電力を上部電
極を介して反応炉に供給し、同時に炉内にフロン系ガス
を送入し、プラズマ雰囲気下でフッ素ラジカルを生成す
ることにより前記反応炉の内部に形成された不要な成膜
を除去して前記反応炉内部をクリーニングするクリーニ
ング方法であって、 １Ｔｏｒｒ〜９Ｔｏｒｒの範囲内の雰囲気圧力で前記シ
ャワー電極をクリーニングし、１ｍＴｏｒｒ〜９０ｍＴ
ｏｒｒの範囲内の雰囲気圧力でシャワー電極以外の反応
炉内部をクリーニングすることを特徴とする気相反応装
置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14672796A JPH09306899A (ja) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | 気相反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14672796A JPH09306899A (ja) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | 気相反応装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09306899A true JPH09306899A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=15414215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14672796A Pending JPH09306899A (ja) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | 気相反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09306899A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008223130A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-09-25 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| JP2015144185A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| KR20180062386A (ko) * | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 방법 및 처리 장치 |
| JP2019161121A (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置のクリーニング方法、運用方法及び成膜装置 |
-
1996
- 1996-05-16 JP JP14672796A patent/JPH09306899A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008223130A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-09-25 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
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| US9508546B2 (en) | 2014-01-31 | 2016-11-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device |
| KR20180062386A (ko) * | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 방법 및 처리 장치 |
| JP2019161121A (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置のクリーニング方法、運用方法及び成膜装置 |
| CN110273138A (zh) * | 2018-03-15 | 2019-09-24 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置的清洗方法、运用方法以及成膜装置 |
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