JPH10239347A - 運動センサ - Google Patents
運動センサInfo
- Publication number
- JPH10239347A JPH10239347A JP9045220A JP4522097A JPH10239347A JP H10239347 A JPH10239347 A JP H10239347A JP 9045220 A JP9045220 A JP 9045220A JP 4522097 A JP4522097 A JP 4522097A JP H10239347 A JPH10239347 A JP H10239347A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- motion sensor
- acceleration
- mass
- electrode
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
Landscapes
- Gyroscopes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 加速度検出部の質量部を大きくとってそれだ
け加速度の検出精度を向上する運動センサを提供する。 【解決手段】 半導体基板に形成された角速度センサお
よび加速度センサより成る運動センサにおいて、加速度
センサacを構成する質量部1は角速度センサjyを囲
んで形成される四辺形枠形のものである運動センサ。
け加速度の検出精度を向上する運動センサを提供する。 【解決手段】 半導体基板に形成された角速度センサお
よび加速度センサより成る運動センサにおいて、加速度
センサacを構成する質量部1は角速度センサjyを囲
んで形成される四辺形枠形のものである運動センサ。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、運動センサに関
し、特に、2軸の角速度と3軸の加速度を検出して運動
状態をモニタする運動センサに関する。
し、特に、2軸の角速度と3軸の加速度を検出して運動
状態をモニタする運動センサに関する。
【0002】
【従来の技術】2軸の角速度と3軸の加速度を検出して
運動状態をモニタする運動センサについて説明する。先
ず、図4および図5を参照して角速度を検出する振動ジ
ャイロについて説明する。jyは振動ジャイロを示し、
半導体より成る運動センサ共通基板9から構成される。
振動ジャイロjyの振動体10は断面が6角の柱状に構
成され、支持部80を介して枠部30に一体に構成され
ている。振動体10の上面の中央部には駆動用圧電素子
20が形成される。この駆動用圧電素子20は圧電材料
を、振動体10の上面の中央部に直接にスパッタリング
或は蒸着することにより被着形成する。振動体10の下
側の斜面の中央部には検出用圧電素子3aおよび検出用
圧電素子3bが形成される。この検出用圧電素子3aお
よび検出用圧電素子3bも、駆動用圧電素子20と同様
に圧電材料を振動体10の下側の斜面の中央部に直接に
スパッタリング或は蒸着することにより形成される。こ
れらの圧電素子にはそれぞれ圧電素子電極被膜が成膜さ
れる。駆動用圧電素子20の電極は発振回路11に接続
して、検出用圧電素子3aおよび検出用圧電素子3bの
電極は検出回路12に接続している。なお、半導体より
成る振動体10のこれら圧電素子の形成される表面自体
は、これら圧電素子それぞれの他方の電極を構成してい
る。発振回路11の発振振動数は振動体10の駆動方向
の固有振動数と同一の振動数の駆動信号を発生する。こ
の駆動信号が駆動用圧電素子20に印加され、これによ
り振動体10は図4において上下方向に屈曲振動せしめ
らる。そして、振動体10はその上下方向の歪みの大き
さおよび振動数に対応して図4における左右方向にも屈
曲振動し、検出用圧電素子3aおよび検出用圧電素子3
bはそれぞれこの屈曲振動に対応する電圧出力を発生す
る。
運動状態をモニタする運動センサについて説明する。先
ず、図4および図5を参照して角速度を検出する振動ジ
ャイロについて説明する。jyは振動ジャイロを示し、
半導体より成る運動センサ共通基板9から構成される。
振動ジャイロjyの振動体10は断面が6角の柱状に構
成され、支持部80を介して枠部30に一体に構成され
ている。振動体10の上面の中央部には駆動用圧電素子
20が形成される。この駆動用圧電素子20は圧電材料
を、振動体10の上面の中央部に直接にスパッタリング
或は蒸着することにより被着形成する。振動体10の下
側の斜面の中央部には検出用圧電素子3aおよび検出用
圧電素子3bが形成される。この検出用圧電素子3aお
よび検出用圧電素子3bも、駆動用圧電素子20と同様
に圧電材料を振動体10の下側の斜面の中央部に直接に
スパッタリング或は蒸着することにより形成される。こ
れらの圧電素子にはそれぞれ圧電素子電極被膜が成膜さ
れる。駆動用圧電素子20の電極は発振回路11に接続
して、検出用圧電素子3aおよび検出用圧電素子3bの
電極は検出回路12に接続している。なお、半導体より
成る振動体10のこれら圧電素子の形成される表面自体
は、これら圧電素子それぞれの他方の電極を構成してい
る。発振回路11の発振振動数は振動体10の駆動方向
の固有振動数と同一の振動数の駆動信号を発生する。こ
の駆動信号が駆動用圧電素子20に印加され、これによ
り振動体10は図4において上下方向に屈曲振動せしめ
らる。そして、振動体10はその上下方向の歪みの大き
さおよび振動数に対応して図4における左右方向にも屈
曲振動し、検出用圧電素子3aおよび検出用圧電素子3
bはそれぞれこの屈曲振動に対応する電圧出力を発生す
る。
【0003】振動体10を上下方向に駆動振動している
時に、入力軸である振動体の軸回りの角速度が入力され
ると、左右方向にコリオリ力が生じて振動体10には左
右方向の力が作用する。このコリオリ力により振動体1
0の振動方向がずれるところから検出用圧電素子3の出
力電圧は変化する。この場合、検出用圧電素子3aおよ
び検出用圧電素子3bの内の一方の出力は増加するのに
対して、他方の検出用圧電素子の出力は減少する。何れ
か一方の検出用圧電素子3の出力の変化量、或は両者の
出力の差動出力の変化量を検出回路12により検出して
入力角速度を求めることができる。
時に、入力軸である振動体の軸回りの角速度が入力され
ると、左右方向にコリオリ力が生じて振動体10には左
右方向の力が作用する。このコリオリ力により振動体1
0の振動方向がずれるところから検出用圧電素子3の出
力電圧は変化する。この場合、検出用圧電素子3aおよ
び検出用圧電素子3bの内の一方の出力は増加するのに
対して、他方の検出用圧電素子の出力は減少する。何れ
か一方の検出用圧電素子3の出力の変化量、或は両者の
出力の差動出力の変化量を検出回路12により検出して
入力角速度を求めることができる。
【0004】図4および図6を参照して加速度を検出す
る加速度センサを説明する。図6は加速度センサの梁状
構造部50を通る断面を示す図である。30は質量部1
を取り囲む枠部である。質量部1と枠部30とは梁状構
造部50により接続されている。これら質量部1、枠部
30および梁状構造部50は、運動センサ共通基板9に
凹所60を形成することにより構成される。梁状構造部
50は下側を加工して切除部70を形成し厚さを薄くし
て完成する。梁状構造部50はこの様に構成することに
より、質量部1に作用する慣性力により枠部30を基準
として上下に容易に屈曲することができる。R1 ないし
R4 はピエゾ抵抗部である。ピエゾ抵抗部R1 は梁状構
造部4表面と枠部30表面に跨って形成されている。ピ
エゾ抵抗部R4 も梁状構造部4表面と枠部30表面に跨
って形成されている。ピエゾ抵抗部R2 およびピエゾ抵
抗部R3 は全体が梁状構造部50表面に形成されてい
る。
る加速度センサを説明する。図6は加速度センサの梁状
構造部50を通る断面を示す図である。30は質量部1
を取り囲む枠部である。質量部1と枠部30とは梁状構
造部50により接続されている。これら質量部1、枠部
30および梁状構造部50は、運動センサ共通基板9に
凹所60を形成することにより構成される。梁状構造部
50は下側を加工して切除部70を形成し厚さを薄くし
て完成する。梁状構造部50はこの様に構成することに
より、質量部1に作用する慣性力により枠部30を基準
として上下に容易に屈曲することができる。R1 ないし
R4 はピエゾ抵抗部である。ピエゾ抵抗部R1 は梁状構
造部4表面と枠部30表面に跨って形成されている。ピ
エゾ抵抗部R4 も梁状構造部4表面と枠部30表面に跨
って形成されている。ピエゾ抵抗部R2 およびピエゾ抵
抗部R3 は全体が梁状構造部50表面に形成されてい
る。
【0005】以上の加速度センサは、ピエゾ抵抗部R1
とピエゾ抵抗部R4 とを互に対向させると共にピエゾ抵
抗部R2 とピエゾ抵抗部R3 とを互に対向させてブリッ
ジ回路を形成することにより加速度を検出測定すること
ができる。即ち、加速度センサに矢印の向きの加速度が
入力されると、これに起因して質量部4に矢印の向きの
慣性力が作用する結果、質量部1は矢印の向きに変位し
て梁状構造部50は下向きに屈曲せしめられる。梁状構
造部50が下向きに屈曲せしめられると、上面に形成さ
れているピエゾ抵抗部R1 およびピエゾ抵抗部R4 に引
張力が加わる。ピエゾ抵抗部R1 およびピエゾ抵抗部R
4 に引張力が加わったことによりこれら抵抗部の抵抗値
は変化する。その結果、ブリッジ回路の平衡はくずれて
抵抗値の変化に比例する出力電圧が得られる。この抵抗
値の変化は入力加速度に比例しているる。
とピエゾ抵抗部R4 とを互に対向させると共にピエゾ抵
抗部R2 とピエゾ抵抗部R3 とを互に対向させてブリッ
ジ回路を形成することにより加速度を検出測定すること
ができる。即ち、加速度センサに矢印の向きの加速度が
入力されると、これに起因して質量部4に矢印の向きの
慣性力が作用する結果、質量部1は矢印の向きに変位し
て梁状構造部50は下向きに屈曲せしめられる。梁状構
造部50が下向きに屈曲せしめられると、上面に形成さ
れているピエゾ抵抗部R1 およびピエゾ抵抗部R4 に引
張力が加わる。ピエゾ抵抗部R1 およびピエゾ抵抗部R
4 に引張力が加わったことによりこれら抵抗部の抵抗値
は変化する。その結果、ブリッジ回路の平衡はくずれて
抵抗値の変化に比例する出力電圧が得られる。この抵抗
値の変化は入力加速度に比例しているる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図4に示さ
れる運動センサは、角速度センサおよび加速度センサを
シリコンの如き半導体基板に単に平面的に構成して各別
に配列したものに過ぎない。角速度センサおよび加速度
センサは、一般に、大型に構成することによりその測定
精度性能は向上するものであるが、図4の運動センサは
或る一定の大きさの半導体基板の領域を充分有効に使用
して角速度センサおよび加速度センサを形成して測定精
度性能は向上したものとはいい難い。
れる運動センサは、角速度センサおよび加速度センサを
シリコンの如き半導体基板に単に平面的に構成して各別
に配列したものに過ぎない。角速度センサおよび加速度
センサは、一般に、大型に構成することによりその測定
精度性能は向上するものであるが、図4の運動センサは
或る一定の大きさの半導体基板の領域を充分有効に使用
して角速度センサおよび加速度センサを形成して測定精
度性能は向上したものとはいい難い。
【0007】この発明は、上述の問題を解消した運動セ
ンサを提供するものである。
ンサを提供するものである。
【0008】
請求項1:半導体基板に形成された角速度センサおよび
加速度センサより成る運動センサにおいて、加速度セン
サacを構成する質量部1は角速度センサjyを囲んで
形成される四辺形枠形のものである運動センサを構成し
た。 そして、請求項2:請求項1に記載される運動センサに
おいて、四辺形枠形の質量部1は矩形波状に延伸構成さ
れる質量部支持体21により運動センサ共通基板9から
浮上した状態に保持されものである運動センサを構成し
た。
加速度センサより成る運動センサにおいて、加速度セン
サacを構成する質量部1は角速度センサjyを囲んで
形成される四辺形枠形のものである運動センサを構成し
た。 そして、請求項2:請求項1に記載される運動センサに
おいて、四辺形枠形の質量部1は矩形波状に延伸構成さ
れる質量部支持体21により運動センサ共通基板9から
浮上した状態に保持されものである運動センサを構成し
た。
【0009】また、請求項3:請求項2に記載される運
動センサにおいて、質量部支持体21は運動センサ共通
基板9から上に少し突出して形成される質量部基台21
1、213、232、231に支持される運動センサを
構成した。 更に、請求項4:請求項2および請求項3の内の何れか
に記載される運動センサにおいて、質量部支持体21は
質量部1の四辺形枠形の各辺に対して結合する運動セン
サを構成した。
動センサにおいて、質量部支持体21は運動センサ共通
基板9から上に少し突出して形成される質量部基台21
1、213、232、231に支持される運動センサを
構成した。 更に、請求項4:請求項2および請求項3の内の何れか
に記載される運動センサにおいて、質量部支持体21は
質量部1の四辺形枠形の各辺に対して結合する運動セン
サを構成した。
【0010】ここで、請求項5:請求項1ないし請求項
4の内の何れかに記載される運動センサにおいて、加速
度検出部31ないし34を質量部1の四辺形枠に穿設し
た開孔に形成した運動センサを構成した。 そして、請求項6:請求項5に記載される運動センサに
おいて、加速度検出部は可変静電容量型加速度検出部で
あることを特徴とする運動センサを構成した。
4の内の何れかに記載される運動センサにおいて、加速
度検出部31ないし34を質量部1の四辺形枠に穿設し
た開孔に形成した運動センサを構成した。 そして、請求項6:請求項5に記載される運動センサに
おいて、加速度検出部は可変静電容量型加速度検出部で
あることを特徴とする運動センサを構成した。
【0011】また、請求項7:請求項6に記載される運
動センサにおいて、加速度検出部の静電容量を形成する
電極面はz方向に平行に設定されるものである運動セン
サを構成した。 更に、請求項8:請求項7に記載される運動センサにお
いて、静電容量を形成する電極は質量部1から延伸形成
される複数枚の可動櫛波電極342と運動センサ共通基
板9から突出形成される加速度検出部基台343から延
伸形成される複数枚の可動櫛波電極345より成る運動
センサを構成した。
動センサにおいて、加速度検出部の静電容量を形成する
電極面はz方向に平行に設定されるものである運動セン
サを構成した。 更に、請求項8:請求項7に記載される運動センサにお
いて、静電容量を形成する電極は質量部1から延伸形成
される複数枚の可動櫛波電極342と運動センサ共通基
板9から突出形成される加速度検出部基台343から延
伸形成される複数枚の可動櫛波電極345より成る運動
センサを構成した。
【0012】ここで、請求項9:請求項8に記載される
運動センサにおいて、電極面をx方向およびz方向に平
行に設定される加速度検出部と電極面をy方向およびz
方向に平行に設定される加速度検出部とを有する運動セ
ンサを構成した。 そして、請求項10:請求項9に記載される運動センサ
において、電極面をx方向およびz方向に平行に設定さ
れる加速度検出部を一対と、電極面をy方向およびz方
向に平行に設定される加速度検出部を一対具備する運動
センサを構成した。
運動センサにおいて、電極面をx方向およびz方向に平
行に設定される加速度検出部と電極面をy方向およびz
方向に平行に設定される加速度検出部とを有する運動セ
ンサを構成した。 そして、請求項10:請求項9に記載される運動センサ
において、電極面をx方向およびz方向に平行に設定さ
れる加速度検出部を一対と、電極面をy方向およびz方
向に平行に設定される加速度検出部を一対具備する運動
センサを構成した。
【0013】また、請求項11:請求項8ないし請求項
10の内の何れかに記載される運動センサにおいて、一
方の櫛波電極の各1枚とその両面に隣接する他方の櫛波
電極との間の間隔を相違せしめると共に、一方の櫛波電
極を他方の櫛波電極に対してz方向に変位して対向設定
した運動センサを構成した。 更に、請求項12:請求項1ないし請求項11の内の何
れかに記載される運動センサにおいて、角速度センサj
yは可変静電容量型角速度センサである運動センサを構
成した。
10の内の何れかに記載される運動センサにおいて、一
方の櫛波電極の各1枚とその両面に隣接する他方の櫛波
電極との間の間隔を相違せしめると共に、一方の櫛波電
極を他方の櫛波電極に対してz方向に変位して対向設定
した運動センサを構成した。 更に、請求項12:請求項1ないし請求項11の内の何
れかに記載される運動センサにおいて、角速度センサj
yは可変静電容量型角速度センサである運動センサを構
成した。
【0014】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図1ない
し図3を参照して説明する。図1は角速度センサおよび
加速度センサより成る運動センサの実施例を上から視た
ところを示す図である。図2は図1における加速度セン
サの一部を拡大して示した斜視図であり、(a)は加速
度検出部の一部を拡大して示した斜視図、(b)は質量
部支持体の質量部結合部近傍を拡大して示した斜視図、
(c)は質量部支持体の基台結合部近傍を拡大して示し
た斜視図である。図3は2軸角速度センサの斜視図を示
す。
し図3を参照して説明する。図1は角速度センサおよび
加速度センサより成る運動センサの実施例を上から視た
ところを示す図である。図2は図1における加速度セン
サの一部を拡大して示した斜視図であり、(a)は加速
度検出部の一部を拡大して示した斜視図、(b)は質量
部支持体の質量部結合部近傍を拡大して示した斜視図、
(c)は質量部支持体の基台結合部近傍を拡大して示し
た斜視図である。図3は2軸角速度センサの斜視図を示
す。
【0015】(加速度センサの構成)先ず、運動センサ
の実施例の加速度センサを図1を参照して説明する。こ
の発明の運動センサの実施例は1点鎖線により2分割し
て示されており、1点鎖線により分割される外側は加速
度センサacの領域を示している。なお、1点鎖線の内
側は2軸角速度センサjyの領域を示している。加速度
センサacは質量部1と、矩形波状の質量部支持体21
ないし24と、x方向加速度検出部31および33およ
びy方向加速度検出部32および34、とを有してい
る。なお、以上の運動センサは半導体より成る運動セン
サ共通基板9表面にホトリソグラフィ技術を適用して順
次に構成され、絶縁膜7を除いて他はすべて半導体或い
は導電体より成るものである。
の実施例の加速度センサを図1を参照して説明する。こ
の発明の運動センサの実施例は1点鎖線により2分割し
て示されており、1点鎖線により分割される外側は加速
度センサacの領域を示している。なお、1点鎖線の内
側は2軸角速度センサjyの領域を示している。加速度
センサacは質量部1と、矩形波状の質量部支持体21
ないし24と、x方向加速度検出部31および33およ
びy方向加速度検出部32および34、とを有してい
る。なお、以上の運動センサは半導体より成る運動セン
サ共通基板9表面にホトリソグラフィ技術を適用して順
次に構成され、絶縁膜7を除いて他はすべて半導体或い
は導電体より成るものである。
【0016】以上の通り、質量部1は外側縁部は正方形
ではあるが、その内部領域は2軸角速度センサjyおよ
び4個の加速度検出部31ないし34が形成されること
により、正方形枠状質量部に構成されている。次に、図
2(a)を参照して加速度センサの加速度検出部につい
て説明する。31ないし34は4個の加速度検出部を示
し、31および33はx方向加速度検出部であり、32
および34はy方向加速度検出部である。加速度検出部
は、形成される位置および向きは互に相違しているが、
それぞれの構成自体は同一であるので、y方向加速度検
出部34についてこれを代表として説明する。なお、後
で説明されることであるが、質量部1は運動センサ共通
基板9に接触することなく少し浮上した状態に支持され
ている。341は質量部1の枠に穿設される加速度検出
部四角孔を示す。この四角孔341のy方向側面のそれ
ぞれには互に平行に可動櫛波電極342が複数枚延伸形
成されている。この可動櫛波電極342は運動センサ共
通基板9に接触することなく少し浮上した状態で延伸形
成されることになる。343は加速度検出部基台であ
り、運動センサ共通基板9から上向きに絶縁層を介して
突出形成されている。加速度検出部基台343には、そ
のx方向側面のそれぞれにy方向に支持極344が延伸
形成されている。これらの支持極344および加速度検
出部基台343のy方向側面のそれぞれには、互に平行
に固定櫛波電極345が複数枚延伸形成されている。そ
して、これら複数枚の可動櫛波電極342と複数枚の固
定櫛波電極345とは、図示される通り、交互にインタ
ーリーブして対向配列され、両櫛波電極により結局可変
静電容量を構成している。
ではあるが、その内部領域は2軸角速度センサjyおよ
び4個の加速度検出部31ないし34が形成されること
により、正方形枠状質量部に構成されている。次に、図
2(a)を参照して加速度センサの加速度検出部につい
て説明する。31ないし34は4個の加速度検出部を示
し、31および33はx方向加速度検出部であり、32
および34はy方向加速度検出部である。加速度検出部
は、形成される位置および向きは互に相違しているが、
それぞれの構成自体は同一であるので、y方向加速度検
出部34についてこれを代表として説明する。なお、後
で説明されることであるが、質量部1は運動センサ共通
基板9に接触することなく少し浮上した状態に支持され
ている。341は質量部1の枠に穿設される加速度検出
部四角孔を示す。この四角孔341のy方向側面のそれ
ぞれには互に平行に可動櫛波電極342が複数枚延伸形
成されている。この可動櫛波電極342は運動センサ共
通基板9に接触することなく少し浮上した状態で延伸形
成されることになる。343は加速度検出部基台であ
り、運動センサ共通基板9から上向きに絶縁層を介して
突出形成されている。加速度検出部基台343には、そ
のx方向側面のそれぞれにy方向に支持極344が延伸
形成されている。これらの支持極344および加速度検
出部基台343のy方向側面のそれぞれには、互に平行
に固定櫛波電極345が複数枚延伸形成されている。そ
して、これら複数枚の可動櫛波電極342と複数枚の固
定櫛波電極345とは、図示される通り、交互にインタ
ーリーブして対向配列され、両櫛波電極により結局可変
静電容量を構成している。
【0017】これら複数枚の可動櫛波電極342と複数
枚の固定櫛波電極345の相互間隔についてであるが、
複数枚の可動櫛波電極342の相互間隔は相等しく、複
数枚の固定櫛波電極345の相互間隔は相等しく設定す
る。そして、一方の櫛波電極の各1枚とその両面に隣接
する他方の櫛波電極との間の間隔は相違して配列され
る。即ち、y方向加速度検出部34において、可動櫛波
電極342を固定櫛波電極345に対して中間位置から
下側或は上側に大きく変位し一方の固定櫛波電極345
に極く接近し、他方の固定櫛波電極345とは大きく離
隔した状態に設置する。x方向加速度検出部31および
x方向加速度検出部33においては、可動櫛波電極34
2を固定櫛波電極345に対して中間位置から左側或は
右側に大きく変位し一方の固定櫛波電極345に極く接
近し、他方の固定櫛波電極345とは大きく離隔した状
態に設置する。可動櫛波電極342と固定櫛波電極34
5の相互間隔をこの通りに設定することにより、可動櫛
波電極342が接近する固定櫛波電極345に更に接近
すると両電極間の静電容量は増加するが、固定櫛波電極
345から離隔せしめると両電極間の静電容量は減少す
る。
枚の固定櫛波電極345の相互間隔についてであるが、
複数枚の可動櫛波電極342の相互間隔は相等しく、複
数枚の固定櫛波電極345の相互間隔は相等しく設定す
る。そして、一方の櫛波電極の各1枚とその両面に隣接
する他方の櫛波電極との間の間隔は相違して配列され
る。即ち、y方向加速度検出部34において、可動櫛波
電極342を固定櫛波電極345に対して中間位置から
下側或は上側に大きく変位し一方の固定櫛波電極345
に極く接近し、他方の固定櫛波電極345とは大きく離
隔した状態に設置する。x方向加速度検出部31および
x方向加速度検出部33においては、可動櫛波電極34
2を固定櫛波電極345に対して中間位置から左側或は
右側に大きく変位し一方の固定櫛波電極345に極く接
近し、他方の固定櫛波電極345とは大きく離隔した状
態に設置する。可動櫛波電極342と固定櫛波電極34
5の相互間隔をこの通りに設定することにより、可動櫛
波電極342が接近する固定櫛波電極345に更に接近
すると両電極間の静電容量は増加するが、固定櫛波電極
345から離隔せしめると両電極間の静電容量は減少す
る。
【0018】更に、可動櫛波電極342と固定櫛波電極
345の間の上下方向であるz方向の重なりについて
は、可動櫛波電極342を固定櫛波電極345に対して
z方向である上方或いは下方に変位して対向設定する。
即ち、可動櫛波電極342を固定櫛波電極345に対し
て正のz方向に変位して対向設定すると、可動櫛波電極
342が加速度により正のz方向変位すると両電極間の
静電容量は減少する一方負のz方向に変位すると両電極
間の静電容量は増加する。可動櫛波電極342を固定櫛
波電極345に対して負のz方向に変位して対向設定す
ると、可動櫛波電極342が加速度により負のz方向に
変位すると両電極間の静電容量は減少する一方、正のz
方向に変位すると両電極間の静電容量は増加する。
345の間の上下方向であるz方向の重なりについて
は、可動櫛波電極342を固定櫛波電極345に対して
z方向である上方或いは下方に変位して対向設定する。
即ち、可動櫛波電極342を固定櫛波電極345に対し
て正のz方向に変位して対向設定すると、可動櫛波電極
342が加速度により正のz方向変位すると両電極間の
静電容量は減少する一方負のz方向に変位すると両電極
間の静電容量は増加する。可動櫛波電極342を固定櫛
波電極345に対して負のz方向に変位して対向設定す
ると、可動櫛波電極342が加速度により負のz方向に
変位すると両電極間の静電容量は減少する一方、正のz
方向に変位すると両電極間の静電容量は増加する。
【0019】図2(b)を参照して加速度センサの矩形
波状の質量部支持体について説明する。質量部支持体2
1に着目して説明するに、211および212は質量部
基台を示し、運動センサ共通基板9から上に少し突出し
て形成されている。矩形波状に延伸構成されている質量
部支持体21は運動センサ共通基板9に接触することな
く少し浮上した状態において基台結合部213および2
14を介してこれら質量部基台に取り付けられている。
質量部支持体21は、更に、その中間部において質量部
結合部215を介して質量部1に結合している。結局、
質量部1は質量部結合部215、質量部支持体21、基
台結合部213および基台結合部214を介して、質量
部基台211および質量部基台212により運動センサ
共通基板9から浮上した状態に保持されていることにな
る。質量部支持体22ないし質量部支持体24も同様に
質量部1の保持に参画している。
波状の質量部支持体について説明する。質量部支持体2
1に着目して説明するに、211および212は質量部
基台を示し、運動センサ共通基板9から上に少し突出し
て形成されている。矩形波状に延伸構成されている質量
部支持体21は運動センサ共通基板9に接触することな
く少し浮上した状態において基台結合部213および2
14を介してこれら質量部基台に取り付けられている。
質量部支持体21は、更に、その中間部において質量部
結合部215を介して質量部1に結合している。結局、
質量部1は質量部結合部215、質量部支持体21、基
台結合部213および基台結合部214を介して、質量
部基台211および質量部基台212により運動センサ
共通基板9から浮上した状態に保持されていることにな
る。質量部支持体22ないし質量部支持体24も同様に
質量部1の保持に参画している。
【0020】(加速度センサの動作)ここで、加速度セ
ンサの動作について説明する。xの正方向に加速度が印
加されたものとすると、質量部1には運動センサ共通基
板9を基準として左向きの慣性力が加えられる。質量部
1に左向きの慣性力が加えられると、矩形波状の質量部
支持体21ないし質量部支持体24が変形し、質量部1
は左向きに変位するに到る。質量部1が左向きに変位す
ることにより、x方向加速度検出部31およびx方向加
速度検出部33において、可動櫛波電極342は左向き
に変位することにより可動櫛波電極342と固定櫛波電
極345より成る可変静電容量は増加或いは減少する。
このx方向加速度検出部双方の可変静電容量の増加或い
は減少に基づいてxの正方向に加速度が印加されたもの
と認識することができる。
ンサの動作について説明する。xの正方向に加速度が印
加されたものとすると、質量部1には運動センサ共通基
板9を基準として左向きの慣性力が加えられる。質量部
1に左向きの慣性力が加えられると、矩形波状の質量部
支持体21ないし質量部支持体24が変形し、質量部1
は左向きに変位するに到る。質量部1が左向きに変位す
ることにより、x方向加速度検出部31およびx方向加
速度検出部33において、可動櫛波電極342は左向き
に変位することにより可動櫛波電極342と固定櫛波電
極345より成る可変静電容量は増加或いは減少する。
このx方向加速度検出部双方の可変静電容量の増加或い
は減少に基づいてxの正方向に加速度が印加されたもの
と認識することができる。
【0021】xの負方向に加速度が印加されたものとす
ると、質量部1には運動センサ共通基板9を基準として
右向きの慣性力が加えられる。質量部1に右向きの慣性
力が加えられると、矩形波状の質量部支持体21ないし
質量部支持体24が変形し、質量部1は右向きに変位す
るに到る。質量部1が右向きに変位することにより、x
方向加速度検出部31およびx方向加速度検出部33に
おいて、可動櫛波電極342は右向きに変位することに
より可動櫛波電極342と固定櫛波電極345より成る
可変静電容量は増加或いは減少する。このx方向加速度
検出部双方の可変静電容量の増加或いは減少に基づいて
xの負方向に加速度が印加されたものと認識することが
できる。
ると、質量部1には運動センサ共通基板9を基準として
右向きの慣性力が加えられる。質量部1に右向きの慣性
力が加えられると、矩形波状の質量部支持体21ないし
質量部支持体24が変形し、質量部1は右向きに変位す
るに到る。質量部1が右向きに変位することにより、x
方向加速度検出部31およびx方向加速度検出部33に
おいて、可動櫛波電極342は右向きに変位することに
より可動櫛波電極342と固定櫛波電極345より成る
可変静電容量は増加或いは減少する。このx方向加速度
検出部双方の可変静電容量の増加或いは減少に基づいて
xの負方向に加速度が印加されたものと認識することが
できる。
【0022】y正方向に加速度が印加された場合におい
ても、同様に、y方向加速度検出部32およびy方向加
速度検出部34の双方における可変静電容量の増加或い
は減少を検出することにより、y方向に印加された加速
度を認識することができる。z方向に加速度が印加され
た場合について説明するに、可動櫛波電極342を固定
櫛波電極345に対してz正方向に変位して対向設定す
ると、可動櫛波電極342が加速度によりz正方向に変
位すると両電極間の静電容量は減少する一方z負方向に
変位すると両電極間の静電容量は増加する。可動櫛波電
極342を固定櫛波電極345に対してz負方向に変位
して対向設定すると、可動櫛波電極342が加速度によ
りz負方向に変位すると両電極間の静電容量は減少する
一方、z負方向に変位すると両電極間の静電容量は増加
する。これにより、加速度の検出測定をすることができ
る。
ても、同様に、y方向加速度検出部32およびy方向加
速度検出部34の双方における可変静電容量の増加或い
は減少を検出することにより、y方向に印加された加速
度を認識することができる。z方向に加速度が印加され
た場合について説明するに、可動櫛波電極342を固定
櫛波電極345に対してz正方向に変位して対向設定す
ると、可動櫛波電極342が加速度によりz正方向に変
位すると両電極間の静電容量は減少する一方z負方向に
変位すると両電極間の静電容量は増加する。可動櫛波電
極342を固定櫛波電極345に対してz負方向に変位
して対向設定すると、可動櫛波電極342が加速度によ
りz負方向に変位すると両電極間の静電容量は減少する
一方、z負方向に変位すると両電極間の静電容量は増加
する。これにより、加速度の検出測定をすることができ
る。
【0023】(角速度センサの構成)図3を参照して角
速度センサについて説明する。4は十字状可動片を示
す。十字状可動片4には十字状溝40が十字状可動片4
を上下方向に貫通して形成されている。42は可動片固
定部であり、運動センサ共通基板9から上に少し突出し
て一体的に形成されている。十字状の可動片支持体41
は可動片固定部42から十字状に一体的に延伸形成され
ており、十字状可動片4先端部の十字状溝40側と可動
片固定部42との間を運動センサ共通基板9から浮上し
た状態において連結している。即ち、可動片固定部42
は、十字状の可動片支持体41を中心として、十字状可
動片4を中立状態に保持している。
速度センサについて説明する。4は十字状可動片を示
す。十字状可動片4には十字状溝40が十字状可動片4
を上下方向に貫通して形成されている。42は可動片固
定部であり、運動センサ共通基板9から上に少し突出し
て一体的に形成されている。十字状の可動片支持体41
は可動片固定部42から十字状に一体的に延伸形成され
ており、十字状可動片4先端部の十字状溝40側と可動
片固定部42との間を運動センサ共通基板9から浮上し
た状態において連結している。即ち、可動片固定部42
は、十字状の可動片支持体41を中心として、十字状可
動片4を中立状態に保持している。
【0024】43は可動側駆動電極であり、十字状可動
片4の側面から運動センサ共通基板9から浮上した状態
において一体的に円弧状に延伸形成されている。44は
固定側駆動電極であり、固定側駆動電極端子45の側面
から運動センサ共通基板9から浮上した状態において一
体的に円弧状に延伸形成されている。可動側駆動電極4
3と固定側駆動電極44とは、図示される通り、交互に
インターリーブして対向配列され、両電極により結局可
変静電容量を構成している。
片4の側面から運動センサ共通基板9から浮上した状態
において一体的に円弧状に延伸形成されている。44は
固定側駆動電極であり、固定側駆動電極端子45の側面
から運動センサ共通基板9から浮上した状態において一
体的に円弧状に延伸形成されている。可動側駆動電極4
3と固定側駆動電極44とは、図示される通り、交互に
インターリーブして対向配列され、両電極により結局可
変静電容量を構成している。
【0025】十字状可動片4の先端部の上側にはモニタ
電極5が形成されると共に、その下側には検出電極6が
形成されている。ここで、モニタ電極5は運動センサ静
止状態において十字状可動片4の先端部との間に間隔を
有して設定される。モニタ電極端子51は絶縁膜7を介
して運動センサ共通基板9に接続している。検出電極端
子61は運動センサ共通基板9に直接形成されている。
電極5が形成されると共に、その下側には検出電極6が
形成されている。ここで、モニタ電極5は運動センサ静
止状態において十字状可動片4の先端部との間に間隔を
有して設定される。モニタ電極端子51は絶縁膜7を介
して運動センサ共通基板9に接続している。検出電極端
子61は運動センサ共通基板9に直接形成されている。
【0026】ここで、角速度センサの動作について説明
する。固定側駆動電極端子45と基準電位点を構成する
例えば可動片固定部42との間に交流駆動電圧を印加す
る。なお、この交流駆動電圧の印加の仕方については、
説明を簡略化する見地から固定側駆動電極端子45の何
れか1個と可動片固定部42との間に交流駆動電圧を印
加した場合を例として説明する。
する。固定側駆動電極端子45と基準電位点を構成する
例えば可動片固定部42との間に交流駆動電圧を印加す
る。なお、この交流駆動電圧の印加の仕方については、
説明を簡略化する見地から固定側駆動電極端子45の何
れか1個と可動片固定部42との間に交流駆動電圧を印
加した場合を例として説明する。
【0027】(角速度センサの動作)固定側駆動電極端
子45と可動片固定部42との間に交流駆動電圧を印加
すると、可動側駆動電極43と固定側駆動電極44との
間に交流駆動電圧が印加されることにより、両電極間に
吸引力および反発力が周期的に交互に作用する。その結
果、十字状可動片4の相隣接する2片は可動片固定部4
2を中心として周期的に交互に接近および離反する振動
をするに到る。交流駆動電圧の周波数を調整してこの振
動を共振状態にすることができる。即ち、x方向に延伸
する十字状可動片4の片およびy方向に延伸する十字状
可動片4の片の何れも可動片固定部42を中心として水
平方向に屈曲振動をするに到る。
子45と可動片固定部42との間に交流駆動電圧を印加
すると、可動側駆動電極43と固定側駆動電極44との
間に交流駆動電圧が印加されることにより、両電極間に
吸引力および反発力が周期的に交互に作用する。その結
果、十字状可動片4の相隣接する2片は可動片固定部4
2を中心として周期的に交互に接近および離反する振動
をするに到る。交流駆動電圧の周波数を調整してこの振
動を共振状態にすることができる。即ち、x方向に延伸
する十字状可動片4の片およびy方向に延伸する十字状
可動片4の片の何れも可動片固定部42を中心として水
平方向に屈曲振動をするに到る。
【0028】以上の通りに十字状可動片4の片が可動片
固定部42を中心として水平方向に屈曲振動している状
態において、x軸方向に時計方向の角速度が入力された
ものとすると、x方向に延伸する十字状可動片4の片に
コリオリ力が発生して作用する結果、その左側のモニタ
電極5および左側の検出電極6の先端部は上向きに変位
する一方、右側モニタ電極5および右側検出電極6側の
先端部は下向きに変位する。左側の先端部が上向きに変
位すると、左側モニタ電極5と左側検出電極6により形
成されていた静電容量は、左側検出電極6とほぼ同電位
にある十字状可動片4の先端部が左側モニタ電極5に接
近することにより増大する。これに対して、右側モニタ
電極5および右側検出電極6により形成されていた静電
容量は、右側検出電極6とほぼ同電位にある十字状可動
片4の先端部が右側モニタ電極5に接近することにより
減少する。左側モニタ電極5と左側検出電極6により形
成されていた静電容量が増大する一方、右側モニタ電極
5および右側検出電極6により形成されていた静電容量
が減少することを検出し、これによりx軸方向に時計方
向の角速度が入力されたものと認識することができる。
固定部42を中心として水平方向に屈曲振動している状
態において、x軸方向に時計方向の角速度が入力された
ものとすると、x方向に延伸する十字状可動片4の片に
コリオリ力が発生して作用する結果、その左側のモニタ
電極5および左側の検出電極6の先端部は上向きに変位
する一方、右側モニタ電極5および右側検出電極6側の
先端部は下向きに変位する。左側の先端部が上向きに変
位すると、左側モニタ電極5と左側検出電極6により形
成されていた静電容量は、左側検出電極6とほぼ同電位
にある十字状可動片4の先端部が左側モニタ電極5に接
近することにより増大する。これに対して、右側モニタ
電極5および右側検出電極6により形成されていた静電
容量は、右側検出電極6とほぼ同電位にある十字状可動
片4の先端部が右側モニタ電極5に接近することにより
減少する。左側モニタ電極5と左側検出電極6により形
成されていた静電容量が増大する一方、右側モニタ電極
5および右側検出電極6により形成されていた静電容量
が減少することを検出し、これによりx軸方向に時計方
向の角速度が入力されたものと認識することができる。
【0029】x軸方向に反時計方向の角速度が入力され
たものとすると、逆に左側モニタ電極5および左側検出
電極6側の先端部は下向きに変位する一方、右側モニタ
電極5および右側検出電極6側の先端部は上向きに変位
する。左側モニタ電極5と左側検出電極6により形成さ
れていた静電容量が減少する一方、右側モニタ電極5お
よび右側検出電極6により形成されていた静電容量が増
大することを検出し、これによりx軸方向に反時計方向
の角速度が入力されたものと認識することができる。
たものとすると、逆に左側モニタ電極5および左側検出
電極6側の先端部は下向きに変位する一方、右側モニタ
電極5および右側検出電極6側の先端部は上向きに変位
する。左側モニタ電極5と左側検出電極6により形成さ
れていた静電容量が減少する一方、右側モニタ電極5お
よび右側検出電極6により形成されていた静電容量が増
大することを検出し、これによりx軸方向に反時計方向
の角速度が入力されたものと認識することができる。
【0030】y軸方向に時計方向の角速度が入力された
ものとすると、y方向に延伸する十字状可動片4の片に
コリオリ力が発生して作用する結果、その下側モニタ電
極5および下側検出電極6側の先端部は上向きに変位す
る一方、上側モニタ電極5および上側検出電極6側の先
端部は下向きに変位する。この場合、下側モニタ電極5
と下側検出電極6により形成されていた静電容量が増大
する一方、上側モニタ電極5および上側検出電極6によ
り形成されていた静電容量が減少することを検出し、こ
れによりy軸方向に時計方向の角速度が入力されたもの
と認識することができる。
ものとすると、y方向に延伸する十字状可動片4の片に
コリオリ力が発生して作用する結果、その下側モニタ電
極5および下側検出電極6側の先端部は上向きに変位す
る一方、上側モニタ電極5および上側検出電極6側の先
端部は下向きに変位する。この場合、下側モニタ電極5
と下側検出電極6により形成されていた静電容量が増大
する一方、上側モニタ電極5および上側検出電極6によ
り形成されていた静電容量が減少することを検出し、こ
れによりy軸方向に時計方向の角速度が入力されたもの
と認識することができる。
【0031】y軸方向に反時計方向の角速度が入力され
たものとすると、逆に下側モニタ電極5および下側検出
電極6側の先端部は下向きに変位する一方、上側モニタ
電極5および上側検出電極6側の先端部は上向きに変位
する。下側モニタ電極5と下側検出電極6により形成さ
れていた静電容量が減少する一方、上側モニタ電極5お
よび上側検出電極6により形成されていた静電容量が増
大することを検出し、これによりy軸方向に反時計方向
の角速度が入力されたものと認識することができる。
たものとすると、逆に下側モニタ電極5および下側検出
電極6側の先端部は下向きに変位する一方、上側モニタ
電極5および上側検出電極6側の先端部は上向きに変位
する。下側モニタ電極5と下側検出電極6により形成さ
れていた静電容量が減少する一方、上側モニタ電極5お
よび上側検出電極6により形成されていた静電容量が増
大することを検出し、これによりy軸方向に反時計方向
の角速度が入力されたものと認識することができる。
【0032】
【発明の効果】以上の通りであって、この発明は、半導
体基板に加速度センサの質量部が角速度センサを囲む四
辺形枠形に角速度センサおよび加速度センサを形成する
ことにより、加速度検出部においてその質量部を大きく
とることができるに到り、それだけ加速度の検出精度を
向上することができる。
体基板に加速度センサの質量部が角速度センサを囲む四
辺形枠形に角速度センサおよび加速度センサを形成する
ことにより、加速度検出部においてその質量部を大きく
とることができるに到り、それだけ加速度の検出精度を
向上することができる。
【0033】そして、四辺形枠形の質量部を矩形波状に
延伸構成される質量部支持体により運動センサ共通基板
から浮上した状態に保持し、この質量部支持体を運動セ
ンサ共通基板から上に少し突出して形成される質量部基
台に支持し、この質量部支持体を質量部の四辺形枠形の
各辺に対して結合することにより、質量部は適正に支持
されると共に、印加される加速度に即応するに到る。
延伸構成される質量部支持体により運動センサ共通基板
から浮上した状態に保持し、この質量部支持体を運動セ
ンサ共通基板から上に少し突出して形成される質量部基
台に支持し、この質量部支持体を質量部の四辺形枠形の
各辺に対して結合することにより、質量部は適正に支持
されると共に、印加される加速度に即応するに到る。
【0034】また、一方の櫛波電極の各1枚とその両面
に隣接する他方の櫛波電極との間の間隔を相違せしめる
と共に、一方の櫛波電極を他方の櫛波電極に対してz方
向に変位して対向設定することにより、3軸方向の加速
度センサを容易に構成することができる。
に隣接する他方の櫛波電極との間の間隔を相違せしめる
と共に、一方の櫛波電極を他方の櫛波電極に対してz方
向に変位して対向設定することにより、3軸方向の加速
度センサを容易に構成することができる。
【図1】実施例を上から視たところを示す図。
【図2】図1における一部を拡大して示した斜視図。
【図3】図1における角速度センサの斜視図。
【図4】従来例を説明する図。
【図5】検出回路を説明する図。
【図6】図4の一部を説明する図。
1 質量部 21ないし24 質量部支持体 211、212 質量部基台 213、214 基台結合部 215 質量部結合部 25 接地電極 31、33 x方向加速度検出部 32、34 y方向加速度検出部 341 加速度検出部四角孔 342 可動櫛波電極 343 加速度検出部基台 344 支持極 345 固定櫛波電極 4 十字状可動片 40 十字状溝 41 可動片支持体 42 可動片固定部 43 可動側駆動電極 44 固定側駆動電極 45 固定側駆動電極端子 5 モニタ電極 51 モニタ電極端子 6 検出電極 61 検出電極端子 7 絶縁膜 9 運動センサ共通基板 ac 加速度センサ jy 角速度センサ
Claims (12)
- 【請求項1】 半導体基板に形成された角速度センサお
よび加速度センサより成る運動センサにおいて、 加速度センサを構成する質量部は角速度センサを囲んで
形成される四辺形枠形のものであることを特徴とする運
動センサ。 - 【請求項2】 請求項1に記載される運動センサにおい
て、 四辺形枠形の質量部は矩形波状に延伸構成される質量部
支持体により運動センサ共通基板から浮上した状態に保
持されるものであることを特徴とする運動センサ。 - 【請求項3】 請求項2に記載される運動センサにおい
て、 質量部支持体は運動センサ共通基板から上に少し突出し
て形成される質量部基台に支持されるものであることを
特徴とする運動センサ。 - 【請求項4】 請求項2および請求項3の内の何れかに
記載される運動センサにおいて、 質量部支持体は質量部の四辺形枠形の各辺に対して結合
することを特徴とする運動センサ。 - 【請求項5】 請求項1ないし請求項4の内の何れかに
記載される運動センサにおいて、 加速度検出部を質量部の四辺形枠に穿設した開孔に形成
したことを特徴とする運動センサ。 - 【請求項6】 請求項5に記載される運動センサにおい
て、 加速度検出部は可変静電容量型加速度検出部であること
を特徴とする運動センサ。 - 【請求項7】 請求項6に記載される運動センサにおい
て、 加速度検出部の静電容量を形成する電極面はz方向に平
行に設定されるものであることを特徴とする運動セン
サ。 - 【請求項8】 請求項7に記載される運動センサにおい
て、 静電容量を形成する電極は質量部から延伸形成される複
数枚の可動櫛波電極と運動センサ共通基板から突出形成
される加速度検出部基台から延伸形成される複数枚の可
動櫛波電極より成ることを特徴とする運動センサ。 - 【請求項9】 請求項8に記載される運動センサにおい
て、 電極面をx方向およびz方向に平行に設定される加速度
検出部と電極面をy方向およびz方向に平行に設定され
る加速度検出部とを有することを特徴とする運動セン
サ。 - 【請求項10】 請求項9に記載される運動センサにお
いて、 電極面をx方向およびz方向に平行に設定される加速度
検出部を一対と、電極面をy方向およびz方向に平行に
設定される加速度検出部を一対具備することを特徴とす
る運動センサ。 - 【請求項11】 請求項8ないし請求項10の内の何れ
かに記載される運動センサにおいて、 一方の櫛波電極の各1枚とその両面に隣接する他方の櫛
波電極との間の間隔を相違せしめると共に、一方の櫛波
電極を他方の櫛波電極に対してz方向に変位して対向設
定したことを特徴とする運動センサ。 - 【請求項12】 請求項1ないし請求項11の内の何れ
かに記載される運動センサにおいて、 角速度センサは可変静電容量型角速度センサであること
を特徴とする運動センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9045220A JPH10239347A (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 運動センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9045220A JPH10239347A (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 運動センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10239347A true JPH10239347A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12713196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9045220A Withdrawn JPH10239347A (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 運動センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10239347A (ja) |
Cited By (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000180177A (ja) * | 1998-12-15 | 2000-06-30 | Mitsumi Electric Co Ltd | 回転振動型ジャイロ |
| JP2003010265A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-14 | Microstone Corp | コミュニケーション端末装置およびシステム |
| US7004025B2 (en) | 2000-06-23 | 2006-02-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite sensor device and method of producing the same |
| JP2006162314A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合センサ |
| JP2006524825A (ja) * | 2003-04-28 | 2006-11-02 | アナログ ディバイス インコーポレイテッド | 2軸の加速度検知及び1軸の角速度検知を与える微細加工マルチセンサ |
| JP2006525511A (ja) * | 2003-04-28 | 2006-11-09 | アナログ ディバイス インコーポレイテッド | 六自由度型微細加工マルチセンサ |
| JP2007298385A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 静電容量式センサ |
| WO2007145113A1 (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-21 | Sony Corporation | 慣性センサ |
| WO2009078284A1 (ja) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 角速度センサ |
| WO2009087858A1 (ja) * | 2008-01-07 | 2009-07-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 角速度センサ |
| JP4633982B2 (ja) * | 1999-06-22 | 2011-02-16 | 旭化成株式会社 | 加速度センサ |
| JP2012507716A (ja) * | 2008-10-30 | 2012-03-29 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 相互直交方向で分離的検知を有するトランスデューサ |
| EP2075534A4 (en) * | 2007-09-19 | 2013-05-29 | Murata Manufacturing Co | COMPOSITE SENSOR AND ACCELERATION SENSOR |
| WO2013116356A1 (en) * | 2012-01-31 | 2013-08-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | Mems multi-axis accelerometer electrode structure |
| DE112011104033T5 (de) | 2010-12-06 | 2013-09-12 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Kombinierter Sensor |
| CN103376102A (zh) * | 2012-04-12 | 2013-10-30 | 快捷半导体(苏州)有限公司 | Mems正交消除和信号解调 |
| US8978475B2 (en) | 2012-02-01 | 2015-03-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS proof mass with split z-axis portions |
| US9006846B2 (en) | 2010-09-20 | 2015-04-14 | Fairchild Semiconductor Corporation | Through silicon via with reduced shunt capacitance |
| US9069006B2 (en) | 2012-04-05 | 2015-06-30 | Fairchild Semiconductor Corporation | Self test of MEMS gyroscope with ASICs integrated capacitors |
| US9094027B2 (en) | 2012-04-12 | 2015-07-28 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micro-electro-mechanical-system (MEMS) driver |
| US9095072B2 (en) | 2010-09-18 | 2015-07-28 | Fairchild Semiconductor Corporation | Multi-die MEMS package |
| US9156673B2 (en) | 2010-09-18 | 2015-10-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | Packaging to reduce stress on microelectromechanical systems |
| US9246018B2 (en) | 2010-09-18 | 2016-01-26 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micromachined monolithic 3-axis gyroscope with single drive |
| US9278845B2 (en) | 2010-09-18 | 2016-03-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS multi-axis gyroscope Z-axis electrode structure |
| US9278846B2 (en) | 2010-09-18 | 2016-03-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micromachined monolithic 6-axis inertial sensor |
| US9352961B2 (en) | 2010-09-18 | 2016-05-31 | Fairchild Semiconductor Corporation | Flexure bearing to reduce quadrature for resonating micromachined devices |
| US9425328B2 (en) | 2012-09-12 | 2016-08-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | Through silicon via including multi-material fill |
| US9444404B2 (en) | 2012-04-05 | 2016-09-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS device front-end charge amplifier |
| US9488693B2 (en) | 2012-04-04 | 2016-11-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | Self test of MEMS accelerometer with ASICS integrated capacitors |
| US9618361B2 (en) | 2012-04-05 | 2017-04-11 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS device automatic-gain control loop for mechanical amplitude drive |
| US9644963B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-05-09 | Fairchild Semiconductor Corporation | Apparatus and methods for PLL-based gyroscope gain control, quadrature cancellation and demodulation |
| US10060757B2 (en) | 2012-04-05 | 2018-08-28 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS device quadrature shift cancellation |
| US10065851B2 (en) | 2010-09-20 | 2018-09-04 | Fairchild Semiconductor Corporation | Microelectromechanical pressure sensor including reference capacitor |
| CN111308126A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-06-19 | 电子科技大学 | 一种增大质量块的电容式三轴加速度计及其制作方法 |
| US10697994B2 (en) | 2017-02-22 | 2020-06-30 | Semiconductor Components Industries, Llc | Accelerometer techniques to compensate package stress |
-
1997
- 1997-02-28 JP JP9045220A patent/JPH10239347A/ja not_active Withdrawn
Cited By (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000180177A (ja) * | 1998-12-15 | 2000-06-30 | Mitsumi Electric Co Ltd | 回転振動型ジャイロ |
| JP4633982B2 (ja) * | 1999-06-22 | 2011-02-16 | 旭化成株式会社 | 加速度センサ |
| US7004025B2 (en) | 2000-06-23 | 2006-02-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite sensor device and method of producing the same |
| JP2003010265A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-14 | Microstone Corp | コミュニケーション端末装置およびシステム |
| JP2006524825A (ja) * | 2003-04-28 | 2006-11-02 | アナログ ディバイス インコーポレイテッド | 2軸の加速度検知及び1軸の角速度検知を与える微細加工マルチセンサ |
| JP2006525511A (ja) * | 2003-04-28 | 2006-11-09 | アナログ ディバイス インコーポレイテッド | 六自由度型微細加工マルチセンサ |
| JP2006162314A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合センサ |
| JP2007298385A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 静電容量式センサ |
| WO2007145113A1 (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-21 | Sony Corporation | 慣性センサ |
| JP2007333643A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Sony Corp | 慣性センサ |
| US8096181B2 (en) | 2006-06-16 | 2012-01-17 | Sony Corporation | Inertial sensor |
| EP2075534A4 (en) * | 2007-09-19 | 2013-05-29 | Murata Manufacturing Co | COMPOSITE SENSOR AND ACCELERATION SENSOR |
| WO2009078284A1 (ja) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 角速度センサ |
| JP4929489B2 (ja) * | 2007-12-19 | 2012-05-09 | 株式会社村田製作所 | 角速度センサ |
| WO2009087858A1 (ja) * | 2008-01-07 | 2009-07-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 角速度センサ |
| JP4631992B2 (ja) * | 2008-01-07 | 2011-02-16 | 株式会社村田製作所 | 角速度センサ |
| US8272267B2 (en) | 2008-01-07 | 2012-09-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Angular velocity sensor |
| JP2012507716A (ja) * | 2008-10-30 | 2012-03-29 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 相互直交方向で分離的検知を有するトランスデューサ |
| US10050155B2 (en) | 2010-09-18 | 2018-08-14 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micromachined monolithic 3-axis gyroscope with single drive |
| US9856132B2 (en) | 2010-09-18 | 2018-01-02 | Fairchild Semiconductor Corporation | Sealed packaging for microelectromechanical systems |
| US9455354B2 (en) | 2010-09-18 | 2016-09-27 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micromachined 3-axis accelerometer with a single proof-mass |
| US9352961B2 (en) | 2010-09-18 | 2016-05-31 | Fairchild Semiconductor Corporation | Flexure bearing to reduce quadrature for resonating micromachined devices |
| US9156673B2 (en) | 2010-09-18 | 2015-10-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | Packaging to reduce stress on microelectromechanical systems |
| US9278846B2 (en) | 2010-09-18 | 2016-03-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micromachined monolithic 6-axis inertial sensor |
| US9278845B2 (en) | 2010-09-18 | 2016-03-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS multi-axis gyroscope Z-axis electrode structure |
| US9246018B2 (en) | 2010-09-18 | 2016-01-26 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micromachined monolithic 3-axis gyroscope with single drive |
| US9095072B2 (en) | 2010-09-18 | 2015-07-28 | Fairchild Semiconductor Corporation | Multi-die MEMS package |
| US10065851B2 (en) | 2010-09-20 | 2018-09-04 | Fairchild Semiconductor Corporation | Microelectromechanical pressure sensor including reference capacitor |
| US9006846B2 (en) | 2010-09-20 | 2015-04-14 | Fairchild Semiconductor Corporation | Through silicon via with reduced shunt capacitance |
| US9000543B2 (en) | 2010-12-06 | 2015-04-07 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Combined sensor |
| DE112011104033B4 (de) * | 2010-12-06 | 2021-04-29 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Kombinierter Sensor |
| DE112011104033T5 (de) | 2010-12-06 | 2013-09-12 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Kombinierter Sensor |
| WO2013116356A1 (en) * | 2012-01-31 | 2013-08-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | Mems multi-axis accelerometer electrode structure |
| US9062972B2 (en) | 2012-01-31 | 2015-06-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS multi-axis accelerometer electrode structure |
| CN104105945A (zh) * | 2012-01-31 | 2014-10-15 | 快捷半导体公司 | 微电子机械系统(mems)多轴加速计电极结构 |
| US8978475B2 (en) | 2012-02-01 | 2015-03-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS proof mass with split z-axis portions |
| US9599472B2 (en) | 2012-02-01 | 2017-03-21 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS proof mass with split Z-axis portions |
| US9488693B2 (en) | 2012-04-04 | 2016-11-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | Self test of MEMS accelerometer with ASICS integrated capacitors |
| US9618361B2 (en) | 2012-04-05 | 2017-04-11 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS device automatic-gain control loop for mechanical amplitude drive |
| US9444404B2 (en) | 2012-04-05 | 2016-09-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS device front-end charge amplifier |
| US10060757B2 (en) | 2012-04-05 | 2018-08-28 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS device quadrature shift cancellation |
| US9069006B2 (en) | 2012-04-05 | 2015-06-30 | Fairchild Semiconductor Corporation | Self test of MEMS gyroscope with ASICs integrated capacitors |
| US9094027B2 (en) | 2012-04-12 | 2015-07-28 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micro-electro-mechanical-system (MEMS) driver |
| US9625272B2 (en) | 2012-04-12 | 2017-04-18 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS quadrature cancellation and signal demodulation |
| CN103376102A (zh) * | 2012-04-12 | 2013-10-30 | 快捷半导体(苏州)有限公司 | Mems正交消除和信号解调 |
| CN103376102B (zh) * | 2012-04-12 | 2016-02-03 | 快捷半导体(苏州)有限公司 | 消除mems设备信号的正交误差的方法、装置和系统 |
| US9802814B2 (en) | 2012-09-12 | 2017-10-31 | Fairchild Semiconductor Corporation | Through silicon via including multi-material fill |
| US9425328B2 (en) | 2012-09-12 | 2016-08-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | Through silicon via including multi-material fill |
| US9644963B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-05-09 | Fairchild Semiconductor Corporation | Apparatus and methods for PLL-based gyroscope gain control, quadrature cancellation and demodulation |
| US10697994B2 (en) | 2017-02-22 | 2020-06-30 | Semiconductor Components Industries, Llc | Accelerometer techniques to compensate package stress |
| CN111308126A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-06-19 | 电子科技大学 | 一种增大质量块的电容式三轴加速度计及其制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10239347A (ja) | 運動センサ | |
| CA2385873C (en) | Microfabricated tuning fork gyroscope and associated three-axis inertial measurement system to sense out-of-plane rotation | |
| US7036373B2 (en) | MEMS gyroscope with horizontally oriented drive electrodes | |
| US8082790B2 (en) | Solid-state inertial sensor on chip | |
| US7546768B2 (en) | Mounting structure of angular rate sensor | |
| EP2056068B1 (en) | Inertia force sensor | |
| CN104350359B (zh) | 物理量传感器 | |
| US8225662B2 (en) | Acceleration sensing device | |
| JP3263113B2 (ja) | 慣性センサー | |
| JPH11183179A (ja) | 検出器 | |
| JP5884603B2 (ja) | ロールオーバージャイロセンサ | |
| JPH11337345A (ja) | 振動するマイクロジャイロメータ | |
| TW200537100A (en) | A miniature angular speed sensing device | |
| KR20040056494A (ko) | 수평 가진 수직형 mems 자이로스코프 및 그 제작 방법 | |
| JP5923970B2 (ja) | 振動型角速度センサ | |
| EP1098170A2 (en) | Microgyroscope with two resonant plates | |
| JP2000046560A (ja) | 角速度センサ | |
| JP2001194153A (ja) | 角速度センサ、加速度センサおよび製造方法 | |
| JP2008545128A (ja) | 振動質量体の運動の示差測定のための微細機械加工されたジャイロメータセンサ | |
| US7267005B1 (en) | SOI-MEMS gyroscope having three-fold symmetry | |
| JP2012149961A (ja) | 振動ジャイロ | |
| JP2001133268A (ja) | 角速度センサ | |
| JP6627663B2 (ja) | 物理量センサ | |
| JP2001349731A (ja) | マイクロマシンデバイスおよび角加速度センサおよび加速度センサ | |
| JPH10339640A (ja) | 角速度センサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040511 |