JPH10240783A - フォトマスクパターン設計装置およびフォトマスクパターン設計方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 微細加工精度が向上したフォトマスクパター
ンを簡易に得ることができるフォトマスクパターン設計
装置およびフォトマスクパターン設計方法を得ること。 【解決手段】 本発明は、微細加工精度の向上を図る目
的で通常のフォトマスクパターンにおける最適化すべき
フォトマスクパターン部分を抽出するための条件たるパ
ターンデザインルールの入力に用いられるパターン特徴
入力部２と、通常のフォトマスクパターンがパターンデ
ザインルールに適合するか否かをチェックするデザイン
ルールチェック部６と、フォトマスクパターンにおいて
最適化すべき最適化前パターンセルを抽出するパターン
抽出部７と、上記最適化前パターンセルのデータをデー
タベースの最適化後パターンセルデータに置換するパタ
ーン変換部９とを有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスクパタ
ーン設計に用いられるフォトマスクパターン設計装置お
よびフォトマスクパターン設計方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体工程の研究開発または
開発試作段階においては、そのプロセスや製造物の特性
を把握するとともに、製造条件に対するデバイス特性の
予測や評価をシミュレーションするための技術としてコ
ンピュータシミュレーション技術が用いられており、同
技術は、現在盛んに利用されている。特に、数多くある
コンピュータシミュレーション技術の中で、半導体製造
技術の中心的な微細加工技術におけるフォトリソグラフ
ィ工程で用いられるシミュレーションの技術は、理論的
にも確立しており、研究開発において欠かせない技術で
ある。

【０００３】また、上記フォトリソグラフィ工程におけ
る露光工程のシミュレーション技術は、特に、光強度シ
ミュレーション技術と称され、投影露光装置（ステッパ
ー）を用いてフォトマスクパターンを半導体ウェハの表
面に露光転写した場合における投影光学像の光強度分布
を計算により求めるものである。実際には、上記光強度
シミュレーションは、光強度シミュレータと呼ばれるソ
フトウェアを用いてコンピュータにより実行される。

【０００４】また、上述した光強度シミュレーション技
術の基礎となる物理理論としては、Ｈ．Ｈｏｐｋｉｎｓ
らによって確立された結像光学理論が知られている。こ
の結像光学理論の詳細については、Ｂｏｒｎ、Ｗｏｌｆ
著「光学の原理II・III」１９７５、またはＨ．Ｈｏｐ
ｋｉｎｓ；Ｊ．Ｏｐｔ．Ｓｏｃ．Ａｍ．Ｖｏｌ．４７、
Ｎｏ．６（’５７）ｐ５０８を参照されたい。さらに、
コンピュータ計算モデルとしては、Ｌｉｎ、またはＹｅ
ｕｎｇによるモデル等をも参照されたい。

【０００５】加えて、上述した光強度シミュレーション
技術は、実際に半導体ウェハに対してフォトリソグラフ
ィを施すことなく、半導体ウェハの表面の露光分布を計
算により推定することができるという利点を有している
ことから、フォトリソグラフィ工程の研究開発やデバイ
ス試作において頻繁に利用されている。特に、近時、第
１に微細加工技術に要求される加工精度が光による加工
の限界にまで達しようとしていること、および第２に技
術面およびコスト面を考慮すれば、実際に実験を繰り返
して行うデバイス開発が困難であること、という背景に
鑑れば、光強度シミュレーション技術は、重要性を増し
てきている。これは、光強度シミュレーション技術が、
コンピュータを利用することによって低コストかつ迅速
に、結果（光強度分布）を得ることができるという利点
を有しているからにほかならない。

【０００６】また、半導体ウェハのパターン設計工程に
おいては、設計シミュレーションなる技術が従来より用
いられている。この設計シミュレーションは、上述した
光強度シミュレーションとは異なる技術であるが、論理
設計や回路設計等において所望の電子特性・回路特性を
得るための技術であって、現在、量産工程において不可
欠なものである。上記パターン設計工程は、一般的なフ
ルカスタム設計方式のＬＳＩ工程を例にすると、大別し
て機能設計工程、論理設計工程、回路設計工程およびマ
スクパターン設計工程という４工程からなる。

【０００７】図２は、上述した従来のパターン設計工程
を説明するフローチャートであり、一例として一般的な
ＬＳＩのパターン設計工程を説明するフローチャートで
ある。図２において、ステップＳＡ１では、要求される
性能を具備するような機能設計が行われた後、ステップ
ＳＡ２では論理設計が行われ、上記機能設計を満足する
論理回路が設計される。

【０００８】ステップＳＡ３では、ステップＳＡ２にお
いて設計された論埋回路が要求する特性を実現すべく、
トランジスタや配線等の構成要素からなる具体的な回路
の設計が行われる。ステップＳＡ４では、ステップＳＡ
３において設計された回路における個々のトランジスタ
の形状や配置をデザインルールに基づいて決定するとい
うマスクパターン設計が行われる。

【０００９】ここで、上記デザインルールとは、ＬＳＩ
の製造プロセスの微細加工精度やデバイスの電子特性に
基づいて定められた幾何学的設計規則をいい、例えば、
各配線の最小線幅、当該配線とこれに隣接する配線との
間の最小間隔、コンタクトホール径、層間の目合わせ裕
度をいう。すなわち、デザインルールとは、２次元的な
配線について最適化を図るためのルールをいう。

【００１０】具体的には、ステップＳＡ４では、設計用
のＣＡＤ（Computer Aided Design）ツールを用いて、
素子や配線が記号で表された複数のシンボル図を適宜組
み合わせることにより、上述したデザインルールを満足
するフォトマスクパターンの設計が行われる。

【００１１】ステップＳＡ５では、ステップＳＡ４にお
いて設計されたフォトマスクパターンの全てがデザイン
ルールを満足しているか否かを検証するデザインルール
チェック（ＤＲＣ）が行われる。具体的には、ステップ
ＳＡ５では、ＤＲＣシステムと呼ばれる検証用ツールに
よって、フォトマスクパターンに対するデザインルール
チェックが行われ、問題のある箇所についてパターン訂
正が行われた後、フォトマスクパターンデータが生成さ
れる。

【００１２】ステップＳＡ６では、ステップＳＡ５にお
いて生成されたフォトマスクパターンデータが出力され
る。そして、ステップＳＡ７では、上記フォトマスクパ
ターンデータに基づいて実際にフォトマスクが作成され
た後、該フォトマスクを用いてフォトリソグラフィ工程
が行われる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したフ
ォトマスクパターン設計方法においては、図２を参照し
て説明した一連の設計作業が、主として回路の論理的な
特性を満足させることを主眼として行われるため、後工
程として行われるフォトリソグラフィ工程（ステップＳ
Ａ７）における微細加工を考慮していないとともに、実
際に得られるデバイス特性を最適化することができな
い。また、上述したフォトマスクパターン設計方法にお
いては、ステップＳＡ７において作成されたフォトマス
ク（以下、通常のフォトマスクと称する）を、フォトリ
ソグラフィ工程における微細加工の極限技術としての光
近接効果補正技術や超解像技術にそのまま適用すること
ができない。すなわち、上記通常のフォトマスクを光近
接補正技術等に適用するには、フォトリソグラフィ工
程、少なくとも露光工程を考慮したフォトマスクパター
ン設計が必要であり、具体的には、上述した光強度シミ
ュレーションを利用して光近接補正技術等における露光
条件に基づいてフォトマスクパターンの最適化を行う必
要がある。従って、ステップＳＡ６において生成された
フォトマスクパターン（データ）を光近接補正技術に適
用するためには、該フォトマスクパターンを特別な加工
ルール（以下、パターンデザインルールと称する）に基
づいて再編成すればよい。上記パターンデザインルール
は、超解像技術等の専用のルールであり、上述したデザ
インルールとは全く別異のものであり、フォトリソグラ
フィ工程の露光条件や工程条件によって決定される。

【００１４】しかしながら、実際のＬＳＩ回路のフォト
マスクパターンは、周知のごとく非常に複雑でかつ膨大
であり、数十万〜数百万もの閉図形から構成されてい
る。このような膨大なデータ量のフォトマスクパターン
全体に対して、微細加工精度を最適化すべく上述した光
強度シミュレーションを行うことは、コンピュータの演
算処理速度およびシミュレーション計算に要する時間を
考慮すれば実用上不可能である。また、全フォトマスク
パターンの中から、最適化すべき一部分（以下、パター
ンセルと称する）を人手により抽出した後、該パターン
セルに対して光強度シミュレーションを行うことも考え
られるが、この方法は、多大なる労力、ヒューマンエラ
ー等を考慮すれば現実的ではない。まとめれば、上述し
たフォトマスクパターン設計方法においては、近時の微
細加工精度を満足するフォトマスクパターンを簡易に得
ることができず、しかも、フォトマスクパターンのデー
タ量が膨大であるため光強度シミュレーションによって
パターンの最適化を図ることも実用上困難であった。

【００１５】本発明はこのような背景のもとになされた
もので、微細加工精度が向上したフォトマスクパターン
を簡易に得ることができるフォトマスクパターン設計装
置およびフォトマスクパターン設計方法を提供すること
を目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載のフォト
マスクパターン設計装置は、フォトマスクパターンのフ
ォトマスクパターンデータを生成するフォトマスクパタ
ーンデータ生成手段と、前記フォトマスクパターンデー
タに基づいて、前記フォトマスクパターンにおいて所定
の条件を満たすパターンセルを抽出するパターンセル抽
出手段と、複数の前記パターンセルに対して光強度シミ
ュレーションを行い前記パターンセルにおける光強度の
分布を計算により各々求めた結果に基づいて、微細加工
用に最適化された複数の最適パターンセルをデータベー
スとして予め記憶する記憶手段と、前記パターンセル抽
出手段により抽出された前記パターンセルを前記データ
ベースの前記最適パターンセルに置換する置換手段とを
具備することを特徴とする。また、請求項２に記載の発
明は、請求項１に記載のフォトマスクパターン設計装置
において、前記パターンセル抽出手段により抽出された
前記パターンセルに対応する当該最適パターンセルをデ
ータベースから検索する検索手段を具備し、前記置換手
段は、前記パターンセル抽出手段により抽出された前記
パターンセルを前記検索手段により検索された前記最適
パターンセルに置換することを特徴とする。また、請求
項３に記載の発明は、請求項１に記載のフォトマスクパ
ターン設計装置において、前記パターンセル抽出手段に
より抽出された前記パターンセルに対応する当該最適パ
ターンセルがデータベースに存在しない場合、前記パタ
ーンセルに対して光強度シミュレーションを行い前記パ
ターンセルにおける光強度の分布を計算により各々求め
た結果に基づいて、微細加工用に最適化された最適パタ
ーンセルを新たに生成する最適パターンセル生成手段を
具備し、前記置換手段は、前記パターンセル抽出手段に
より抽出された前記パターンセルを前記データベースの
前記最適パターンセルに代えて、前記最適パターンセル
生成手段により生成された新たな前記最適パターンセル
に置換することを特徴とする。また、請求項４に記載の
発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載のフォトマ
スクパターン設計装置において、前記最適パターンセル
が組み込まれた前記フォトマスクパターンのデータを出
力する出力手段を具備することを特徴とする。また、請
求項５に記載のフォトマスクパターン設計装置は、フォ
トマスクパターンのフォトマスクパターンデータ生成す
る第１の過程と、前記フォトマスクパターンデータに基
づいて、前記フォトマスクパターンにおいて所定の条件
を満たすパターンセルを抽出する第２の過程と、複数の
前記パターンセルに対して光強度シミュレーションを行
い前記パターンセルにおける光強度の分布を計算により
各々求めた結果に基づいて、微細加工用に最適化された
複数の最適パターンセルをデータベースとして記憶手段
に予め記憶する第３の過程と、前記第２の過程において
抽出された前記パターンセルを前記データベースの最適
パターンセルに置換する第４の過程とを有することを特
徴とする。また、請求項６に記載の発明は、請求項５に
記載のフォトマスクパターン設計方法において、前記最
適パターンセルが組み込まれた前記フォトマスクパター
ンのデータを出力する第５の過程を有することを特徴と
する。また、請求項７に記載のフォトマスクパターン設
計方法は、フォトマスクパターンのフォトマスクパター
ンデータを生成する第１の過程と、前記フォトマスクパ
ターンデータに基づいて、前記フォトマスクパターンに
おいて所定の条件を満たすパターンセルを抽出する第２
の過程と、複数の前記パターンセルに対して光強度シミ
ュレーションを行い前記パターンセルにおける光強度の
分布を計算により各々求めた結果に基づいて、微細加工
用に最適化された複数の最適パターンセルをデータベー
スとして記憶手段に予め記憶する第３の過程と、前記第
２の過程において抽出された前記パターンセルに対応す
る当該最適パターンセルをデータベースから検索する第
４の過程と、前記第２の過程において抽出された前記パ
ターンセルを前記第４の過程において検索された前記最
適パターンセルに置換する第５の過程とを有することを
特徴とする。また、請求項８に記載のフォトマスクパタ
ーン設計方法は、フォトマスクパターンのフォトマスク
パターンデータを生成する第１の過程と、前記フォトマ
スクパターンデータに基づいて、前記フォトマスクパタ
ーンにおいて所定の条件を満たすパターンセルを抽出す
る第２の過程と、複数の前記パターンセルに対して光強
度シミュレーションを行い前記パターンセルにおける光
強度の分布を計算により各々求めた結果に基づいて、微
細加工用に最適化された複数の最適パターンセルをデー
タベースとして記憶手段に予め記憶する第３の過程と、
前記第２の過程において抽出された前記パターンセルを
前記データベースの最適パターンセルに置換する第４の
過程と、前記第２の過程において抽出された前記パター
ンセルに対応する当該最適パターンセルが前記データベ
ースに存在しない場合、前記パターンセルに対して光強
度シミュレーションを行い前記パターンセルにおける光
強度の分布を計算により各々求めた結果に基づいて、微
細加工用に最適化された最適パターンセルを新たに生成
する第５の過程と、前記第２の過程において抽出された
前記パターンセルを前記第５の過程において新たに生成
された前記最適パターンセルに置換する第６の過程とを
有することを特徴とする。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明する。図１は本発明の一実施形態に
よるフォトマスクパターン設計装置の構成を示すブロッ
ク図である。この図において、１は、マスクパターンデ
ータ入力部であり、前述したＣＡＤツールを用いて生成
されたフォトマスクパターンデータの入力に用いられ
る。すなわち、該フォトマスクパターンデータは、図２
に示すステップＳＡ６において出力される通常のフォト
マスクパターンデータである。

【００１８】２は、パターン特徴入力部であり、前述し
た光近接補正技術等を用いてフォトマスクパターンを作
成する際において、微細加工精度の向上を図る目的で通
常のフォトマスクパターンにおける最適化すべきフォト
マスクパターン部分を抽出するための条件たるパターン
デザインルールの入力に用いられる。また、パターン特
徴入力部２は、入力されたパターンデザインルールをパ
ターンデザインルールデータとして出力する。

【００１９】上記パターンデザインルールは、後工程と
して実施される半導体ウェハのフォトリソグラフィ工程
の露光条件等を考慮して決定される。その理由は以下の
ようになる。前述したように、近年の超ＬＳＩ製造工程
のフォトリソグラフィ工程においては、光近接効果補正
技術、位相シフトマスク技術または変形照明技術等を用
いて解像度および焦点深度の向上を図る必要がある。

【００２０】すなわち、光近接効果補正技術等における
フォトマスクパターンは、単なるＬＳＩパターンの原版
としての役目のみならず、半導体ウェハのフォトマスク
パターン形成時において所望の微細加工精度を実現する
ための原版としての役目をも果たしているからである。
従って、光近接効果補正技術等に適用されるフォトマス
クパターンは、通常のフォトマスクパターンの最適化す
べきパターンセルに対して微細加工精度を考慮するとい
う最適化が図られたものであることが必要である。

【００２１】ここで、最適化すべきパターンセルとは、
光近接効果補正技術等において所望の微細加工精度が維
持できない部分をいう。すなわち、最適化すべき通常の
パターン部分に対して、パターンデザインルールが適用
される。このパターンデザインルールの具体的な限界値
は、半導体ウェハのフォトリソグラフィ工程において複
数あるプロセス技術の中のいずれのプロセス技術を用い
るかによって異なる。具体的には、上記パターンデザイ
ンルールが適用される最適化すべきパターンセルは、例
えばパターンが密となっている配線部分や、コンタクト
ホールが並列する部分、メモリセルパターンが並んでい
る部分等である。

【００２２】例えば、プロセス技術としてレベンソン型
の位相シフトマスク技術を用いる場合、パターンデザイ
ンルールは、遮光層パターンと位相シフト層とを考慮し
て決定される。具体的には、上記パターンデザインルー
ルは、主として寸法幅およびパターン間隔が所定の値で
あるか否かというルールである。但し、適用対象たるフ
ォトマスクパターンが２次元平面からなるため、おのず
とパターンデザインルールは、２次元におけるＸ方向と
Ｙ方向の両方を考慮して決定される。すなわち、上記パ
ターンデザインルールを通常のフォトマスクパターンに
適用した場合には、上記寸法幅、パターン間隔が所定の
値以下である最適化すべきパターンセルが抽出される。

【００２３】また、プロセス技術として上述したレベル
ソン型の位相シフトマスク技術以外の技術を用いる場
合、パターンデザインルールとしては、位相シフトマス
クのごとき寸法幅等の当該技術固有の条件が用いられ
る。

【００２４】また、上述したパターンデザインルールを
適用する場合には、従来の論理回路チェック用のデザイ
ンルールチェック手法が用られる。すなわち、この場合
には、従来のデザインルールチェック手法において、パ
ターン寸法幅、パターン間隔、オーバーラップ幅、最小
幅、最小間隔、最小面積等の基本的なデザインルール
を、パターンデザインルール用の数値で指定すればよ
い。従って、本一実施形態によるフォトマスクパターン
設計装置においては、デザインルールチェックシステム
として従来の論理回路検証用のツールがそのまま応用さ
れる。

【００２５】３は、フォトマスクパターン設計に必要な
各種情報を表示する表示部であり、この表示部３には、
キーボード、マウス等が接続されている。オペレータ
は、表示部３の表示画面を確認しつつキーボード等を操
作することにより、各種操作を行う。マスクパターンデ
ータ作成部４において、５は、記憶部であり、上述した
フォトマスクパターンデータおよびパターンデザインル
ールデータを記憶する。

【００２６】６は、上述した通常のフォトマスクパター
ンがパターンデザインルールに適合しているか否かをチ
ェックするデザインルールチェック部である。具体的に
は、デザインルールチェック部６は、記憶部５に記憶さ
れているフォトマスクパターンデータおよびパターンデ
ザインルールデータを読み出し、両データから得られる
フォトマスクパターンに対してパターンデザインルール
を適用する。

【００２７】７は、パターン抽出部であり、デザインル
ールチェック部６においてパターンデザインルールに適
合しないフォトマスクパターンにおける部分、すなわ
ち、最適化すべきパターンセル（以下、最適化前パター
ンセルと称する）を抽出する。８は、最適化パターンセ
ルデータベース部であり、最適化前パターンセルのデー
タと、該最適化前パターンセルが最適化されたパターン
セル（以下、最適化後パターンセルと称する）のデータ
とが１組とされた組データを複数、データベースとして
図示しない記憶媒体に記憶している。

【００２８】すなわち、上記最適化後パターンセルのデ
ータは、最適化前パータンセルに対して予めシミュレー
ション条件に基づいて、前述した微細加工精度向上を目
的とする光強度シミュレーションによる解析が行われた
データである。ここで上記光強度シミュレーション条件
としては、露光波長、開口数、コヒーレンス度、デフォ
ーカス量といった露光パラメータが用意されており、実
際に光強度シミュレーションを行う場合には、実際の半
導体ウェハ露光工程で使用される具体的数値が上記露光
パラメータに代入される。

【００２９】具体的には、上述した露光パラメータが一
つに定められることになるので、微細加工精度の最適条
件を求めるべく、パターンの寸法幅とパターン間隔をい
くつかの値に割り振り、それぞれの値で光強度シミュレ
ーションが複数回行われる。次いで、光シュミュレーシ
ョンの複数の結果同士を比較して、最良の結果がシミュ
レーション条件として求められる。

【００３０】また、最適化パターンセルデータベース部
８には、上述した最適化前パターンセルのデータおよび
最適化後パターンセルデータ、すなわち２次元図形に係
わるデータの他に、寸法幅、パターン間隔、図形種類等
のパターンデザインルールの情報がデータベース化され
ている。この最適化パターンセルデータベース部８のデ
ータベースは、通常のデータベース検索手法により検索
可能とされている。

【００３１】９は、パターン変換部であり、フォトマス
クパターンにおいて、パターン抽出部７により抽出され
た最適化前パターンセルのデータを、最適化パターンセ
ルデータベース部８の最適化後パターンセルのデータに
置換する。１０は、パターンデータ出力部であり、最適
化後パターンセルデータをフォトマスクパターンデータ
に組み込んだデータ（以下、最適化されたフォトマスク
パターンデータと称する）を出力する。１１は、ディス
クドライブ、テープドライブ、ＣＲＴ（cathoderay tub
e）、プリンタ等からなる出力部であり、上記最適化さ
れたフォトマスクパターンデータを、ディジタル情報、
またはハードコピーとして出力する。

【００３２】次に、上述した一実施形態によるフォトマ
スクパターン設計装置の動作について説明する。図１に
おいて、マスクパターンデータ入力部１よりフォトマス
クパターンデータが、およびパターン特徴入力部２より
パターンデザインルールデータが各々入力されると、上
記フォトマスクパターンデータおよびパターンデザイン
ルールデータは、記憶部５に各々記憶される。

【００３３】そして、オペレータが表示部３のキーボー
ド（図示略）を操作することにより、パターンデータ作
成命令がなされると、デザインルールチェック部６は、
記憶部５からフォトマスクパターンデータおよびパター
ンデザインルールデータを読み出す。次に、デザインル
ールチェック部６は、フォトマスクパターンデータから
得られるフォトマスクパターンに対して、パターンデザ
インルールに適合しているか否かのチェックを行う。す
なわち、デザインルールチェック部６は、フォトマスク
パターンにおいて最適化前パターンセルがあるか否かを
チェックする。

【００３４】次に、パターン抽出部７は、デザインルー
ルチェック部６によりチェックされた最適化前パターン
セルを、フォトマスクパターンの中から抽出した後、こ
れを最適化パターンセルデータベース部８およびパター
ン変換部９へ各々出力する。

【００３５】最適化パターンセルデータベース部８は、
最適化前パターンセルのパターン形状、寸法、パターン
間隔等のデザインルールをチェックし、データベースの
中に上記デザインルールと等しいデザインルールを有す
る最適化前パターンセルが存在するか否かを検索する。
そして、上記最適化前パターンセルがデータベース中に
存在する場合、最適化パターンセルデータベース部８
は、データベース中から当該最適化前パターンセルと組
みをなす最適化後パターンセルを取り出した後、これを
パターン変換部９へ出力する。

【００３６】これにより、パターン変換部９は、パター
ン抽出部７より入力された最適化前パターンセルを、最
適化パターンセルデータベース部８より入力された最適
化後パターンセルに置換した後、最適化後パターンセル
のデータをパターンデータ出力部１０へ出力する。

【００３７】そして、パターンデータ出力部１０は、上
記最適化後パターンセルデータをフォトマスクパターン
データに組み込んだ最適化されたフォトマスクパターン
データを出力する。出力部１１は、上記最適化されたフ
ォトマスクパターンデータを、ディジタル情報、または
ハードコピーとして出力する。

【００３８】一方、最適化パターンセルデータベース部
８において、パターン抽出部７より入力された最適化前
パターンセルがデータベース中に存在しない場合には、
抽出された最適化前パターンセルに対して、図示しない
シミュレータが起動されて光強度シミュレーション解析
が行われる。これにより、最適化後パターンセルが新た
に生成され、この最適化後パターンセルが最適化パター
ンセルデータベース部８において用いられる。

【００３９】しかしながら、最適化前パターンセルのほ
とんどが共有化された、メモリーやゲートアレイ回路の
ような回路素子のパターン設計においては、ほとんどの
最適化前パターンセルがデータベース化されている。し
たがって、図示しないシミュレータを起動して、データ
ベースに存在しない最適化後パターンセルを新たに生成
するケースは希である。

【００４０】なお、上述したデザインルールチェック部
６、パターン抽出部７および最適化パターンセルデータ
ベース部８は、実際にはソフトウェア処理によって一連
の動作を行うものであり、上記ソフトウェア処理は、図
示しない内部記憶装置および外部記憶装置に記憶された
ソフトウェアの実行ファイルによって実行される。

【００４１】以上説明したように、本発明の一実施形態
によるフォトマスクパターン設計装置およびフォトマス
クパターン設計方法によれば、通常のフォトマスクパタ
ーンに対して最適化すべき最適化前パターンセルのみを
抽出した後、該最適化前パターンセルに対してのみ最適
化を行っているので、微細加工精度が向上したフォトマ
スクパターンを簡易に作成することができる。

【００４２】さらに、上述した一実施形態によるフォト
マスクパターン設計装置およびフォトマスクパターン設
計方法によれば、フォトマスクパターンの中から最適化
すべき最適化前パターンセルを抽出するという手法を用
いているので、データ量が膨大なフォトマスクパターン
に対して最適化を行う場合であっても、短時間かつ自動
的に最適化を行うことができる。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
データベースとして予め最適パターンセルを用意してお
き、パターンセル抽出手段により抽出されたパターンセ
ルをデータベースの最適パターンセルに置換することに
より、微細加工精度が最良となる最適化を行っているの
で、微細加工精度が向上したフォトマスクパターンを簡
易に作成することができ、しかもデータ量が膨大なフォ
トマスクパターンに対して最適化を行う場合であって
も、短時間かつ自動的に最適化を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施形態によるフォトマスクパタ
ーン設計装置の構成を示すブロック図である。

【図２】 従来のＬＳＩのパターン設計工程を説明する
フローチャートである。

【符号の説明】

１ マスクパターンデータ入力部 ２ パターン特徴入力部 ３ 表示部 ４ マスクパターンデータ作成部 ５ 記憶部 ６ デザインルールチェック部 ７ パターン抽出部 ８ 最適化パターンセルデータベース部 ９ パターン変換部 １０ パターンデータ出力部 １１ 出力部

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フォトマスクパターンのフォトマスクパ
   ターンデータを生成するフォトマスクパターンデータ生
   成手段と、 前記フォトマスクパターンデータに基づいて、前記フォ
   トマスクパターンにおいて所定の条件を満たすパターン
   セルを抽出するパターンセル抽出手段と、 複数の前記パターンセルに対して光強度シミュレーショ
   ンを行い前記パターンセルにおける光強度の分布を計算
   により各々求めた結果に基づいて、微細加工用に最適化
   された複数の最適パターンセルをデータベースとして予
   め記憶する記憶手段と、 前記パターンセル抽出手段により抽出された前記パター
   ンセルを前記データベースの前記最適パターンセルに置
   換する置換手段と、 を具備することを特徴とするフォトマスクパターン設計
   装置。
2. 【請求項２】 前記パターンセル抽出手段により抽出さ
   れた前記パターンセルに対応する当該最適パターンセル
   をデータベースから検索する検索手段を具備し、 前記置換手段は、前記パターンセル抽出手段により抽出
   された前記パターンセルを前記検索手段により検索され
   た前記最適パターンセルに置換すること、 を特徴とする請求項１に記載のフォトマスクパターン設
   計装置。
3. 【請求項３】 前記パターンセル抽出手段により抽出さ
   れた前記パターンセルに対応する当該最適パターンセル
   がデータベースに存在しない場合、前記パターンセルに
   対して光強度シミュレーションを行い前記パターンセル
   における光強度の分布を計算により各々求めた結果に基
   づいて、微細加工用に最適化された最適パターンセルを
   新たに生成する最適パターンセル生成手段を具備し、 前記置換手段は、前記パターンセル抽出手段により抽出
   された前記パターンセルを前記データベースの前記最適
   パターンセルに代えて、前記最適パターンセル生成手段
   により生成された新たな前記最適パターンセルに置換す
   ること、 を特徴とする請求項１に記載のフォトマスクパターン設
   計装置。
4. 【請求項４】 前記最適パターンセルが組み込まれた前
   記フォトマスクパターンのデータを出力する出力手段、 を具備することを特徴とする請求項１ないし３のいずれ
   かに記載のフォトマスクパターン設計装置。
5. 【請求項５】 フォトマスクパターンのフォトマスクパ
   ターンデータ生成する第１の過程と、 前記フォトマスクパターンデータに基づいて、前記フォ
   トマスクパターンにおいて所定の条件を満たすパターン
   セルを抽出する第２の過程と、 複数の前記パターンセルに対して光強度シミュレーショ
   ンを行い前記パターンセルにおける光強度の分布を計算
   により各々求めた結果に基づいて、微細加工用に最適化
   された複数の最適パターンセルをデータベースとして記
   憶手段に予め記憶する第３の過程と、 前記第２の過程において抽出された前記パターンセルを
   前記データベースの最適パターンセルに置換する第４の
   過程と、 を有することを特徴とするフォトマスクパターン設計方
   法。
6. 【請求項６】 前記最適パターンセルが組み込まれた前
   記フォトマスクパターンのデータを出力する第５の過程
   を有すること、 を特徴とする請求項５に記載のフォトマスクパターン設
   計方法。
7. 【請求項７】 フォトマスクパターンのフォトマスクパ
   ターンデータを生成する第１の過程と、 前記フォトマスクパターンデータに基づいて、前記フォ
   トマスクパターンにおいて所定の条件を満たすパターン
   セルを抽出する第２の過程と、 複数の前記パターンセルに対して光強度シミュレーショ
   ンを行い前記パターンセルにおける光強度の分布を計算
   により各々求めた結果に基づいて、微細加工用に最適化
   された複数の最適パターンセルをデータベースとして記
   憶手段に予め記憶する第３の過程と、 前記第２の過程において抽出された前記パターンセルに
   対応する当該最適パターンセルをデータベースから検索
   する第４の過程と、 前記第２の過程において抽出された前記パターンセルを
   前記第４の過程において検索された前記最適パターンセ
   ルに置換する第５の過程と、 を有することを特徴とするフォトマスクパターン設計方
   法。
8. 【請求項８】 フォトマスクパターンのフォトマスクパ
   ターンデータを生成する第１の過程と、 前記フォトマスクパターンデータに基づいて、前記フォ
   トマスクパターンにおいて所定の条件を満たすパターン
   セルを抽出する第２の過程と、 複数の前記パターンセルに対して光強度シミュレーショ
   ンを行い前記パターンセルにおける光強度の分布を計算
   により各々求めた結果に基づいて、微細加工用に最適化
   された複数の最適パターンセルをデータベースとして記
   憶手段に予め記憶する第３の過程と、 前記第２の過程において抽出された前記パターンセルを
   前記データベースの最適パターンセルに置換する第４の
   過程と、 前記第２の過程において抽出された前記パターンセルに
   対応する当該最適パターンセルが前記データベースに存
   在しない場合、前記パターンセルに対して光強度シミュ
   レーションを行い前記パターンセルにおける光強度の分
   布を計算により各々求めた結果に基づいて、微細加工用
   に最適化された最適パターンセルを新たに生成する第５
   の過程と、 前記第２の過程において抽出された前記パターンセルを
   前記第５の過程において新たに生成された前記最適パタ
   ーンセルに置換する第６の過程と、 を有することを特徴とするフォトマスクパターン設計方
   法。