JPH10232484A - フォトマスクパターン設計装置およびフォトマスクパターン設計方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 微細加工精度が向上したフォトマスクパター
ンを簡易に得ることができるフォトマスクパターン設計
装置およびフォトマスクパターン設計方法を得ること。 【解決手段】 本発明は、フォトマスクパターンデータ
の入力に用いられるマスクパターンデータ入力部１と、
微細加工精度の向上を図る目的で通常のフォトマスクパ
ターンにおける最適化すべきフォトマスクパターン部分
を抽出するための条件たるパターンデザインルールの入
力に用いられるパターン特徴入力部２と、パターンデザ
インルールに適合しない最適化すべき最適化前パターン
セルを抽出するパターン抽出部７と、最適化前パターン
セルに対して複数回に亘って繰り返し光強度シミュレー
ションを実行して、シミュレーション結果に基づいて最
適化前パターンセルを最適化する光強度シミュレーショ
ン計算部９とを有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスクパタ
ーン設計に用いられるフォトマスクパターン設計装置お
よびフォトマスクパターン設計方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体工程の研究開発または
開発試作段階においては、そのプロセスや製造物の特性
を把握するとともに、製造条件に対するデバイス特性の
予測や評価をシミュレーションするための技術としてコ
ンピュータシミュレーション技術が用いられており、同
技術は、現在盛んに利用されている。特に、数多くある
コンピュータシミュレーション技術の中で、半導体製造
技術の中心的な微細加工技術におけるフォトリソグラフ
ィ工程で用いられるシミュレーションの技術は、理論的
にも確立しており、研究開発において欠かせない技術で
ある。

【０００３】また、上記フォトリソグラフィ工程におけ
る露光工程のシミュレーション技術は、特に、光強度シ
ミュレーション技術と称され、投影露光装置（ステッパ
ー）を用いてフォトマスクパターンを半導体ウェハの表
面に露光転写した場合における投影光学像の光強度分布
を計算により求めるものである。実際には、上記光強度
シミュレーションは、光強度シミュレータと呼ばれるソ
フトウェアを用いてコンピュータにより実行される。

【０００４】また、上述した光強度シミュレーション技
術の基礎となる物理理論としては、Ｈ．Ｈｏｐｋｉｎｓ
らによって確立された結像光学理論が知られている。こ
の結像光学理論の詳細については、Ｂｏｒｎ、Ｗｏｌｆ
著「光学の原理II・III」１９７５、またはＨ．Ｈｏｐ
ｋｉｎｓ；Ｊ．Ｏｐｔ．Ｓｏｃ．Ａｍ．Ｖｏｌ．４７、
Ｎｏ．６（’５７）ｐ５０８を参照されたい。さらに、
コンピュータ計算モデルとしては、Ｌｉｎ、またはＹｅ
ｕｎｇによるモデル等をも参照されたい。

【０００５】加えて、上述した光強度シミュレーション
技術は、実際に半導体ウェハに対してフォトリソグラフ
ィを施すことなく、半導体ウェハの表面の露光分布を計
算により推定することができるという利点を有している
ことから、フォトリソグラフィ工程の研究開発やデバイ
ス試作において頻繁に利用されている。特に、近時、第
１に微細加工技術に要求される加工精度が光による加工
の限界にまで達しようとしていること、および第２に技
術面およびコスト面を考慮すれば、実際に実験を繰り返
して行うデバイス開発が困難であること、という背景に
鑑れば、光強度シミュレーション技術は、重要性を増し
てきている。これは、光強度シミュレーション技術が、
コンピュータを利用することによって低コストかつ迅速
に、結果（光強度分布）を得ることができるという利点
を有しているからにほかならない。

【０００６】また、半導体ウェハのパターン設計工程に
おいては、設計シミュレーションなる技術が従来より用
いられている。この設計シミュレーションは、上述した
光強度シミュレーションとは異なる技術であるが、論理
設計や回路設計等において所望の電子特性・回路特性を
得るための技術であって、現在、量産工程において不可
欠なものである。上記パターン設計工程は、一般的なフ
ルカスタム設計方式のＬＳＩ工程を例にすると、大別し
て機能設計工程、論理設計工程、回路設計工程およびマ
スクパターン設計工程という４工程からなる。

【０００７】図３は、上述した従来のパターン設計工程
を説明するフローチャートであり、一例として一般的な
ＬＳＩのパターン設計工程を説明するフローチャートで
ある。図３において、ステップＳＡ１では、要求される
性能を具備するような機能設計が行われた後、ステップ
ＳＡ２では論理設計が行われ、上記機能設計を満足する
論理回路が設計される。

【０００８】ステップＳＡ３では、ステップＳＡ２にお
いて設計された論埋回路が要求する特性を実現すべく、
トランジスタや配線等の構成要素からなる具体的な回路
の設計が行われる。ステップＳＡ４では、ステップＳＡ
３において設計された回路における個々のトランジスタ
の形状や配置をデザインルールに基づいて決定するとい
うマスクパターン設計が行われる。

【０００９】ここで、上記デザインルールとは、ＬＳＩ
の製造プロセスの微細加工精度やデバイスの電子特性に
基づいて定められた幾何学的設計規則をいい、例えば、
各配線の最小線幅、当該配線とこれに隣接する配線との
間の最小間隔、コンタクトホール径、層間の目合わせ裕
度をいう。すなわち、デザインルールとは、２次元的な
配線について最適化を図るためのルールをいう。

【００１０】具体的には、ステップＳＡ４では、設計用
のＣＡＤ（Computre Aided Design）ツールを用いて、
素子や配線が記号で表された複数のシンボル図を適宜組
み合わせることにより、上述したデザインルールを満足
するフォトマスクパターンの設計が行われる。

【００１１】ステップＳＡ５では、ステップＳＡ４にお
いて設計されたフォトマスクパターンの全てがデザイン
ルールを満足しているか否かを検証するデザインルール
チェック（ＤＲＣ）が行われる。具体的には、ステップ
ＳＡ５では、ＤＲＣシステムと呼ばれる検証用ツールに
よって、フォトマスクパターンに対するデザインルール
チェックが行われ、問題のある箇所についてパターン訂
正が行われた後、フォトマスクパターンデータが生成さ
れる。

【００１２】ステップＳＡ６では、ステップＳＡ５にお
いて生成されたフォトマスクパターンデータが出力され
る。そして、ステップＳＡ７では、上記フォトマスクパ
ターンデータに基づいて実際にフォトマスクが作成され
た後、該フォトマスクを用いてフォトリソグラフィ工程
が行われる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したフ
ォトマスクパターン設計方法においては、図３を参照し
て説明した一連の設計作業が、主として回路の論理的な
特性を満足させることを主眼として行われるため、後工
程として行われるフォトリソグラフィ工程（ステップＳ
Ａ７）において微細加工を考慮していないとともに、実
際に得られるデバイス特性を最適化することができな
い。また、上述したフォトマスクパターン設計方法にお
いては、ステップＳＡ７において作成されたフォトマス
ク（以下、通常のフォトマスクと称する）を、フォトリ
ソグラフィ工程における微細加工の極限技術としての光
近接効果補正技術や超解像技術にそのまま適用すること
ができない。すなわち、上記通常のフォトマスクを光近
接補正技術等に適用するには、フォトリソグラフィ工
程、少なくとも露光工程を考慮したフォトマスクパター
ン設計が必要であり、具体的には、上述した光強度シミ
ュレーションを利用して光近接補正技術等における露光
条件に基づいてフォトマスクパターンの最適化を行う必
要がある。従って、ステップＳＡ６において生成された
フォトマスクパターン（データ）を光近接補正技術に適
用するためには、該フォトマスクパターンを特別な加工
ルール（以下、パターンデザインルールと称する）に基
づいて再編成すればよい。上記パターンデザインルール
は、超解像技術等の専用のルールであり、上述したデザ
インルールとは全く別異のものであり、フォトリソグラ
フィ工程の露光条件や工程条件によって決定される。

【００１４】しかしながら、実際のＬＳＩ回路のフォト
マスクパターンは、周知のごとく非常に複雑でかつ膨大
であり、数十万〜数百万もの閉図形から構成されてい
る。このような膨大なデータ量のフォトマスクパターン
全体に対して、微細加工精度を最適化すべく上述した光
強度シミュレーションを行うことは、コンピュータの演
算処理速度およびシミュレーション計算に要する時間を
考慮すれば実用上不可能である。また、全フォトマスク
パターンの中から、最適化すべき一部分（以下、パター
ンセルと称する）を人手により抽出した後、該パターン
セルに対して光強度シミュレーションを行うことも考え
られるが、この方法は、多大なる労力、ヒューマンエラ
ー等を考慮すれば現実的ではない。まとめれば、上述し
たフォトマスクパターン設計方法においては、近時の微
細加工精度を満足するフォトマスクパターンを簡易に得
ることができず、しかも、フォトマスクパターンのデー
タ量が膨大であるため光強度シミュレーションによって
パターンの最適化を図ることも実用上困難であった。

【００１５】本発明はこのような背景のもとになされた
もので、微細加工精度が向上したフォトマスクパターン
を簡易に得ることができるフォトマスクパターン設計装
置およびフォトマスクパターン設計方法を提供すること
を目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載のフォト
マスクパターン設計装置は、フォトマスクパターンのフ
ォトマスクパターンデータを生成するフォトマスクパタ
ーンデータ生成手段と、前記フォトマスクパターンデー
タに基づいて、前記フォトマスクパターンにおいて所定
の条件を満たすパターンセルを抽出するパターンセル抽
出手段と、前記パターンセル抽出手段により抽出された
前記パターンセルに対して光強度シミュレーションを行
い前記パターンセルにおける光強度の分布を計算により
求めた結果に基づいて、前記パターンセルを微細加工用
に最適化しこれを最適化パターンセルとして出力する最
適化手段とを具備することを特徴とする。また、請求項
２に記載の発明は、請求項１に記載のフォトマスクパタ
ーン設計装置において、前記最適化手段は、前記光強度
シミュレーションの条件を変えて複数回、前記光強度シ
ミュレーションを行った後、複数のシミュレーション結
果のうち前記微細加工用に最も適合した当該シミュレー
ション結果に基づいて、前記最適化パターンセルを出力
することを特徴とする。また、請求項３に記載の発明
は、請求項１または２に記載のフォトマスクパターン設
計装置において、前記最適パターンセルが組み込まれた
前記フォトマスクパターンのデータを出力する出力手段
を具備することを特徴とする。また、請求項４に記載の
フォトマスクパターン設計方法は、フォトマスクパター
ンのフォトマスクパターンデータを生成する第１の過程
と、前記フォトマスクパターンデータに基づいて、前記
フォトマスクパターンにおいて所定の条件を満たすパタ
ーンセルを抽出する第２の過程と、前記第２の過程にお
いて抽出された前記パターンセルに対して光強度シミュ
レーションを行い前記パターンセルにおける光強度の分
布を計算により各々求めた結果に基づいて、前記パター
ンセルを微細加工用に最適化しこれを前記最適化パター
ンセルとして出力する第３の過程とを有することを特徴
とする。また、請求項５に記載の発明は、請求項４に記
載のフォトマスクパターン設計方法において、前記第３
の過程においては、前記光強度シミュレーションの条件
を変えて複数回、前記光強度シミュレーションを行った
後、複数のシミュレーション結果のうち前記微細加工用
に最も適合した当該シミュレーション結果に基づいて、
最適化パターンセルが出力されることを特徴とする。ま
た、請求項６に記載の発明は、請求項５に記載のフォト
マスクパターン設計方法において、前記最適パターンセ
ルが組み込まれた前記フォトマスクパターンのデータを
出力する第５の過程を有することを特徴とする。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明する。図１は本発明の一実施形態に
よるフォトマスクパターン設計装置の構成を示すブロッ
ク図である。この図において、１は、マスクパターンデ
ータ入力部であり、前述したＣＡＤツールを用いて生成
されたフォトマスクパターンデータの入力に用いられ
る。すなわち、該フォトマスクパターンデータは、図３
に示すステップＳＡ６において出力される通常のフォト
マスクパターンデータである。

【００１８】２は、パターン特徴入力部であり、前述し
た光近接補正技術等を用いてフォトマスクパターンを作
成する際において、微細加工精度の向上を図る目的で通
常のフォトマスクパターンにおける最適化すべきフォト
マスクパターン部分を抽出するための条件たるパターン
デザインルールの入力に用いられる。また、このパター
ン特徴入力部２は、入力されたパターンデザインルール
をパターンデザインルールデータとして出力する。

【００１９】上記パターンデザインルールは、後工程と
して実施される半導体ウェハのフォトリソグラフィ工程
の露光条件等を考慮して決定される。その理由は以下の
ようになる。前述したように、近年の超ＬＳＩ製造工程
のフォトリソグラフィ工程においては、光近接効果補正
技術、位相シフトマスク技術または変形照明技術等を用
いて解像度および焦点深度の向上を図る必要がある。

【００２０】すなわち、光近接効果補正技術等における
フォトマスクパターンは、単なるＬＳＩパターンの原版
としての役目のみならず、半導体ウェハのフォトマスク
パターン形成時において所望の微細加工精度を実現する
ための原版としての役目をも果たしているからである。
従って、光近接効果補正技術等に適用されるフォトマス
クパターンは、通常のフォトマスクパターンの最適化す
べきパターンセルに対して微細加工精度を考慮するとい
う最適化が図られたものであることが必要である。

【００２１】ここで、最適化すべきパターンセルとは、
光近接効果補正技術等において所望の微細加工精度が維
持できない部分をいう。すなわち、最適化すべき通常の
パターン部分に対して、パターンデザインルールが適用
される。このパターンデザインルールの具体的な限界値
は、半導体ウェハのフォトリソグラフィ工程において複
数あるプロセス技術の中のいずれのプロセス技術を用い
るかによって異なる。具体的には、上記パターンデザイ
ンルールが適用される最適化すべきパターンセルは、例
えばパターンが密となっている配線部分や、コンタクト
ホールが並列する部分、メモリセルパターンが並んでい
る部分等である。

【００２２】例えば、プロセス技術としてレベンソン型
の位相シフトマスク技術を用いる場合、パターンデザイ
ンルールは、遮光層パターンと位相シフト層とを考慮し
て決定される。具体的には、上記パターンデザインルー
ルは、主として寸法幅およびパターン間隔が所定の値で
あるか否かというルールである。但し、適用対象たるフ
ォトマスクパターンが２次元平面からなるため、おのず
とパターンデザインルールは、２次元におけるＸ方向と
Ｙ方向の両方を考慮して決定される。すなわち、上記パ
ターンデザインルールを通常のフォトマスクパターンに
適用した場合には、上記寸法幅、パターン間隔が所定の
値以下である最適化すべきパターンセルが抽出される。

【００２３】また、プロセス技術として上述したレベル
ソン型の位相シフトマスク技術以外の技術を用いる場
合、パターンデザインルールとしては、位相シフトマス
クのごとき寸法幅等の当該技術固有の条件が用いられ
る。

【００２４】また、上述したパターンデザインルールを
適用する場合には、従来の論理回路チェック用のデザイ
ンルールチェック手法が用られる。すなわち、この場合
には、従来のデザインルールチェック手法において、パ
ターン寸法幅、パターン間隔、オーバーラップ幅、最小
幅、最小間隔、最小面積等の基本的なデザインルール
を、パターンデザインルール用の数値で指定すればよ
い。従って、本一実施形態によるフォトマスクパターン
設計装置においては、デザインルールチェックシステム
として従来の論理回路検証用のツールがそのまま応用さ
れる。

【００２５】３は、フォトマスクパターン設計に必要な
各種情報を表示する表示部であり、この表示部３には、
キーボード、マウス等が接続されている。オペレータ
は、表示部３の表示画面を確認しつつキーボード等を操
作することにより、各種操作を行う。マスクパターンデ
ータ作成部４において、５は、記憶部であり、上述した
フォトマスクパターンデータおよびパターンデザインル
ールデータを記憶する。

【００２６】６は、上述した通常のフォトマスクパター
ンがパターンデザインルールに適合するか否かをチェッ
クするデザインルールチェック部である。具体的には、
デザインルールチェック部６は、記憶部５に記憶されて
いるフォトマスクパターンデータおよびパターンデザイ
ンルールデータを読み出し、両データから得られるフォ
トマスクパターンに対してパターンデザインルールを適
用する。

【００２７】７は、パターン抽出部であり、デザインル
ールチェック部６においてパターンデザインルールに適
合しないフォトマスクパターンにおける部分、すなわ
ち、最適化すべきパターンセル（以下、最適化前パター
ンセルと称する）を抽出する。また、上記パターン抽出
部７により抽出される最適化前パターンセルは、通常の
フォトマスクパターンにおいてある程度の面積内に配置
された単独または複数の図形からなるセルであり、半導
体ウェハ上の転写範囲にして、一般に２μｍ角〜１００
μｍ角程度の大きさとされている。この抽出すべき最適
化前パターンセルの大きさは、該最適化前パターンセル
に対して後述する光強度シミュレーションを短時間で行
うべく決定されている。

【００２８】８は、シミュレーションデータ変換部であ
り、パターン抽出部７において抽出された最適化前パタ
ーンセルを、光強度シミュレーションを実行するのに適
したデータに変換し、該データを光強度シミュレーショ
ンデータとして出力する。また、シミュレーションデー
タ変換部８は、上記データ変換の際に、最終的に完成さ
れるフォトマスクパターンの透過率及び位相差の値を指
定する。

【００２９】ここで、パターン抽出部７において抽出さ
れた最適化前パターンセルのデータは、一般的にＣＡＤ
のソースデータであり、図形情報が独自形式で符号化さ
れたものである。これに対して、光強度シミュレーショ
ンに適した変換後のデータ（シミュレーション用デー
タ）は、２次元の最適化前パターンセルを適当なメッシ
ュに分割したときの、メッシュ毎に上述したフォトマス
クパターンの透過率および位相差の情報が付与されたも
のである。すなわち、ＣＡＤのソースデータが連続座標
系であるのに対して、シミュレーション用データが離散
座標系であるという本質的な差異があるため、シミュレ
ーションデータ変換部８において、データ変換が行われ
るのである。

【００３０】９は、上述したシミュレーション用データ
に対して光強度シミュレーションを実行する光強度シミ
ュレーション計算部であり、この光強度シミュレーショ
ン計算部９には、上記光強度シミュレーションに必要な
露光条件、すなわち、露光装置の開口数やコヒーレンス
度、露光波長等がパラメータとして設定されている。

【００３１】すなわち、光強度シミュレーション計算部
９は、シミュレーション用データに対して、光強度シミ
ュレーションを実行して、フォトリソグラフィ工程にお
ける半導体ウェハ表面の光強度分布を計算により求め
る。この光強度シミュレーション計算部９のシミュレー
ション結果に基づいて、パターンの解像状態が評価され
る。

【００３２】また、光強度シミュレーション計算部９
は、シミュレーション用データ（最適化前パターンセ
ル）のパターン寸法あるいはパターン間隔等の最適化の
ためのパラメータを少しずつ自動的に変化させながら、
複数回に亘って繰り返し光強度シミュレーションを実行
して、得られた複数のシミュレーション結果の中から解
像度及び焦点深度などの微細加工精度に関するパラメー
タが最適となるものを最適化後パターンセルとして選択
する。すなわち、光強度シミュレーション計算部９は、
最適化のためのパラメータを自動的に変化させた後、微
細加工精度に関するパラメータが最適となるものを自動
的に選択する。なお、光強度シミュレーション計算部９
においては、上記選択を手動でも行うことができ、設計
目的に応じて自動選択または手動選択に適宜設定され
る。また、光強度シミュレーション計算部９は、上記パ
ターン寸法幅等を変化させるという、寸法リサイズや座
標オフセット等の基本的な図形演算機能を有している。

【００３３】１０は、シミュレーション結果出力部であ
り、光強度シミュレーション計算部９により得られた上
記最適化後パターンセルを最適化後パターンセルデータ
として出力する。１１は、ディスクドライブ、テープド
ライブ、ＣＲＴ（cathoderaytube）およびプリンタ等か
らなる出力部であり、上記最適化後パターンセルデータ
を、デジタル情報またはハードコピーとして出力する。

【００３４】次に、上述した一実施形態によるフォトマ
スクパターン設計装置の動作について、図２を参照しつ
つ説明する。図２は、一実施形態よるフォトマスクパタ
ーン設計装置の動作を説明するフローチャートである。
図２において、ステップＳＢ１では、要求される性能を
具備するような機能設計が行われた後、ステップＳＢ２
では論理設計が行われ、上記機能設計を満足する論理回
路が設計される。

【００３５】ステップＳＢ３では、ステップＳＢ２にお
いて設計された論埋回路が要求する特性を実現すべく、
トランジスタや配線等の構成要素からなる具体的な回路
の設計が行われる。ステップＳＢ４では、ステップＳＢ
３において設計された回路における個々のトランジスタ
の形状や配置を前述したデザインルールに基づいて決定
するというマスクパターン設計が行われる。

【００３６】さらに、ステップＳＢ４では、オペレータ
により表示部３のキーボード（図示略）が操作されるこ
とにより、マスクパターンデータ入力部１を介して、Ｃ
ＡＤデータたるマスクパターンデータが入力される。こ
れにより、上記マスクパターンデータは、記憶部５に記
憶される。

【００３７】次に、ステップＳＢ５では、キーボード入
力等のデータ入力装置（図示略）から、上述した微細加
工精度の向上を図るための最適化前パターンセルの抽出
条件たるパターンデザインルールのデータがオペレータ
により入力される。これにより、上記パターンデザイン
ルールのデータは、記憶部５に記憶される。

【００３８】次に、ステップＳＢ６では、デザインルー
ルチェック部６は、記憶部５に記憶されたフォトマスク
パターンデータから得られるフォトマスクパターンに対
して、パターンデザインルールに適合しているか否かの
チェックを行う。すなわち、デザインルールチェック部
６は、フォトマスクパターンにおいて最適化前パターン
セルがあるか否かをチェックする。

【００３９】次に、ステップＳＢ７では、パターン抽出
部７は、デザインルールチェック部６によりチェックさ
れた最適化前パターンセルを、フォトマスクパターンの
中から抽出した後、これをシミュレーションデータ変換
部８へ出力する。

【００４０】次に、ステップＳＢ８では、シミュレーシ
ョンデータ変換部８は、パターン抽出部７において抽出
された最適化前パターンセルを、光強度シミュレーショ
ンを実行するのに適したデータに変換し、該データを光
強度シミュレーション用データとして光強度シミュレー
ション計算部９へ出力する。

【００４１】次に、ステップＳＢ９では、光強度シミュ
レーション計算部９は、入力された光シミュレーション
用データ（最適化前パターンセル）のパターン寸法ある
いはパターン間隔を少しずつ変化させながら、複数回に
亘って繰り返し光強度シミュレーションを実行した後、
ステップＳＢ１０へ進む。ステップＳＢ１０では、光強
度シミュレーション計算部９は、得られた複数のシミュ
レーション結果の中から解像度及び焦点深度などの微細
加工精度に関するパラメータが最適となるものを最適化
後パターンセルとして選択する。

【００４２】次に、ステップＳＢ１１では、シミュレー
ション結果出力部１０は、上記最適化後パターンセルデ
ータを、記憶部５に記憶されているフォトマスクパター
ンデータに組み込んだ後、このデータを最適化されたフ
ォトマスクパターンデータとして出力部１１へ出力す
る。これにより、出力部１１は、上記最適化されたフォ
トマスクパターンデータを、ディジタル情報、またはハ
ードコピーとして出力する。

【００４３】次に、ステップＳＢ１２では、出力部１１
より出力された最適化されたフォトマスクパターンデー
タに基づいてフォトマスクが作成された後、該フォトマ
スクを用いて半導体ウェハに対する露光が行われる。こ
れにより、上記半導体ウェハの表面には、フォトマスク
パターンが形成される。このとき形成されたフォトマス
クパターンは、微細加工に適合するように最適化された
ものであるから、解像度及び焦点深度等の微細加工精度
が従来のものに比して格段に向上したものである。

【００４４】以上説明したように本発明の一実施形態に
よるフォトマスクパターン設計装置およびフォトマスク
パターン設計方法によれば、通常のフォトマスクパター
ンに対して最適化すべき最適化前パターンセルのみを抽
出した後、該最適化前パターンセルに対してのみ、個別
に光シミュレーションによる最適化を行っているので、
微細加工精度が向上したフォトマスクパターンを簡易に
作成することができる。

【００４５】さらに、上述した一実施形態によるフォト
マスクパターン設計装置およびフォトマスクパターン設
計方法によれば、フォトマスクパターンの中から最適化
すべき最適化前パターンセルを抽出するという手法を用
いているので、データ量が膨大なフォトマスクパターン
に対して最適化を行う場合であっても、短時間かつ自動
的に最適化を行うことができる。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パターンセル抽出手段により抽出されたパターンセルに
対して光強度シミュレーションを行い、この結果に基づ
いて、パターンセルを微細加工用に最適化しているの
で、微細加工精度が向上したフォトマスクパターンを簡
易に作成することができ、しかもデータ量が膨大なフォ
トマスクパターンに対して最適化を行う場合であって
も、短時間かつ自動的に最適化を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施形態によるフォトマスクパタ
ーン設計装置の構成を示すブロック図である。

【図２】 同一実施形態によるフォトマスクパターン設
計装置の動作を説明するフローチャートである。

【図３】 従来のフォトマスク設計方法を説明するフロ
ーチャートである。

【符号の説明】

１ マスクパターンデータ入力部 ２ パターン特徴入力部 ３ 表示部 ４ マスクパターンデータ作成部 ５ 記憶部 ６ デザインルールチェック部 ７ パターン抽出部 ８ シミュレーションデータ変換部 ９ 光強度シミュレーション計算部 １０ シミュレーション結果出力部 １１ 出力部

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フォトマスクパターンのフォトマスクパ
   ターンデータを生成するフォトマスクパターンデータ生
   成手段と、 前記フォトマスクパターンデータに基づいて、前記フォ
   トマスクパターンにおいて所定の条件を満たすパターン
   セルを抽出するパターンセル抽出手段と、 前記パターンセル抽出手段により抽出された前記パター
   ンセルに対して光強度シミュレーションを行い前記パタ
   ーンセルにおける光強度の分布を計算により求めた結果
   に基づいて、前記パターンセルを微細加工用に最適化し
   これを最適化パターンセルとして出力する最適化手段
   と、 を具備することを特徴とするフォトマスクパターン設計
   装置。
2. 【請求項２】 前記最適化手段は、前記光強度シミュレ
   ーションの条件を変えて複数回、前記光強度シミュレー
   ションを行った後、複数のシミュレーション結果のうち
   前記微細加工用に最も適合した当該シミュレーション結
   果に基づいて、前記最適化パターンセルを出力するこ
   と、 を特徴とする請求項１に記載のフォトマスクパターン設
   計装置。
3. 【請求項３】 前記最適パターンセルが組み込まれた前
   記フォトマスクパターンのデータを出力する出力手段、 を具備することを特徴とする請求項１または２に記載の
   フォトマスクパターン設計装置。
4. 【請求項４】 フォトマスクパターンのフォトマスクパ
   ターンデータを生成する第１の過程と、 前記フォトマスクパターンデータに基づいて、前記フォ
   トマスクパターンにおいて所定の条件を満たすパターン
   セルを抽出する第２の過程と、 前記第２の過程において抽出された前記パターンセルに
   対して光強度シミュレーションを行い前記パターンセル
   における光強度の分布を計算により各々求めた結果に基
   づいて、前記パターンセルを微細加工用に最適化しこれ
   を前記最適化パターンセルとして出力する第３の過程
   と、 を有することを特徴とするフォトマスクパターン設計方
   法。
5. 【請求項５】 前記第３の過程においては、前記光強度
   シミュレーションの条件を変えて複数回、前記光強度シ
   ミュレーションを行った後、複数のシミュレーション結
   果のうち前記微細加工用に最も適合した当該シミュレー
   ション結果に基づいて、最適化パターンセルが出力され
   る、 ことを特徴とする請求項４に記載のフォトマスクパター
   ン設計方法。
6. 【請求項６】 前記最適パターンセルが組み込まれた前
   記フォトマスクパターンのデータを出力する第５の過
   程、 を有することを特徴とする請求項５に記載のフォトマス
   クパターン設計方法。