JPS60226042A - 情報ガラス基板およびその製造方法 - Google Patents
情報ガラス基板およびその製造方法Info
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- JPS60226042A JPS60226042A JP59082007A JP8200784A JPS60226042A JP S60226042 A JPS60226042 A JP S60226042A JP 59082007 A JP59082007 A JP 59082007A JP 8200784 A JP8200784 A JP 8200784A JP S60226042 A JPS60226042 A JP S60226042A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0057—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、光メモリディスクや光磁気ディスク。
ビデオディスク、コンパクトディスク等の情報記録用基
板として、あるいはこれらの情報記録用基板を製造する
ための情報原盤として用いられる情茜ガラス其址卦rr
g染め創忌十社r朋半1〔従来技術〕 従来上述した各稲メモリディスクは、例えば次のように
して形成されている。まず、ガラス基板の一主面上にフ
ォトレジストを撒布し、次に強度変調されたレーザ光を
照射し、その後現像することによって所望のレジストパ
ターンを形成し情報原盤とする。次いで、レジストパタ
ーンを有する主面に導電性をもたせるために銀等の金属
薄膜をコートした後厚さ約0.3mのニッケルメッキを
施す。このニッケル層を情報原盤から剥離してマスター
盤を作シ、次いでその表面部を重クロム酸などで酸化し
、再びニッケルをメッキした後そのニッケル層を剥離し
てマザー盤とする。その後このマザー盤を用いて上述し
たと同様の方法でスタンパ−を作る。このメタ/バーと
ガラス基板との間に樹脂を入れ、熱または紫外線などに
よシ硬化させてスタンパ−の凹凸を転写し、情報記録用
基板を形成する。とこで、上記凹凸は情報記録用トラッ
クを構成する案内溝および位置決め用のプレグルーブと
1−で用いられ、2)4.のであり、@1身げト述した
情報記録用基板の樹脂層の凹凸面に各種記録用薄膜およ
び保護層を形成しさらに必要に応じて記録情報の高密度
化、長寿命化をはかるためにこのような基板を情報記録
層が内側となるよう2枚張り合せて、メモリディスクが
形成される。
板として、あるいはこれらの情報記録用基板を製造する
ための情報原盤として用いられる情茜ガラス其址卦rr
g染め創忌十社r朋半1〔従来技術〕 従来上述した各稲メモリディスクは、例えば次のように
して形成されている。まず、ガラス基板の一主面上にフ
ォトレジストを撒布し、次に強度変調されたレーザ光を
照射し、その後現像することによって所望のレジストパ
ターンを形成し情報原盤とする。次いで、レジストパタ
ーンを有する主面に導電性をもたせるために銀等の金属
薄膜をコートした後厚さ約0.3mのニッケルメッキを
施す。このニッケル層を情報原盤から剥離してマスター
盤を作シ、次いでその表面部を重クロム酸などで酸化し
、再びニッケルをメッキした後そのニッケル層を剥離し
てマザー盤とする。その後このマザー盤を用いて上述し
たと同様の方法でスタンパ−を作る。このメタ/バーと
ガラス基板との間に樹脂を入れ、熱または紫外線などに
よシ硬化させてスタンパ−の凹凸を転写し、情報記録用
基板を形成する。とこで、上記凹凸は情報記録用トラッ
クを構成する案内溝および位置決め用のプレグルーブと
1−で用いられ、2)4.のであり、@1身げト述した
情報記録用基板の樹脂層の凹凸面に各種記録用薄膜およ
び保護層を形成しさらに必要に応じて記録情報の高密度
化、長寿命化をはかるためにこのような基板を情報記録
層が内側となるよう2枚張り合せて、メモリディスクが
形成される。
しかし々がら、このような方法では、スタンパ−上の欠
陥がそのまま樹脂層に転写されるため、欠陥のないスタ
ンパ−を作る必要があるが、まず情報原盤を作る段階で
、500〜1500Aの厚さのフォトレジストを均一に
塗布することが困難であるばかシでなくでき上ったフォ
トレジスト膜も強度的に弱いという欠点があった。
陥がそのまま樹脂層に転写されるため、欠陥のないスタ
ンパ−を作る必要があるが、まず情報原盤を作る段階で
、500〜1500Aの厚さのフォトレジストを均一に
塗布することが困難であるばかシでなくでき上ったフォ
トレジスト膜も強度的に弱いという欠点があった。
このようなフォトレジストを用いる代シに、ガラス基板
上に形成したシリコン酸化物層に凹凸を設けて情報原盤
とすることも提案されているC特開昭59−3731号
公報)。ところが、通常情報原盤には価格の点からソー
ダライムガラスが用いられるが、このソーダライムガラ
ス基板上にシリコン酸化物層を蒸着法あるいはスパッタ
リング法等で形成した場合、ガラス基板内部に含まれる
ナトリウムイオンがシリコン酸化物層内に拡散してくる
ために、CF4等の気体を用いたドライエツチング法に
よって微細な凹凸を制御性良く形成することが困難とな
る問題を有する。特に、エツチング速度はナトリウムイ
オンの濃度に大きく影響されるため、均一な深さの凹凸
を形成することは困難である。
上に形成したシリコン酸化物層に凹凸を設けて情報原盤
とすることも提案されているC特開昭59−3731号
公報)。ところが、通常情報原盤には価格の点からソー
ダライムガラスが用いられるが、このソーダライムガラ
ス基板上にシリコン酸化物層を蒸着法あるいはスパッタ
リング法等で形成した場合、ガラス基板内部に含まれる
ナトリウムイオンがシリコン酸化物層内に拡散してくる
ために、CF4等の気体を用いたドライエツチング法に
よって微細な凹凸を制御性良く形成することが困難とな
る問題を有する。特に、エツチング速度はナトリウムイ
オンの濃度に大きく影響されるため、均一な深さの凹凸
を形成することは困難である。
また、このようにして形成した情報原盤、さらにそれか
ら形成したスタンパ−を用いて情報記録用基板を作る段
階でも、樹脂層を均一に形成しなければならないこと、
特に複屈折等の影響を小さくして光学的に均一な層を形
成しなければならないことや、この樹脂層にスタンパ−
上の微小な凹凸を正確に転写しなければならないことな
ど製造上程々の困難があった。
ら形成したスタンパ−を用いて情報記録用基板を作る段
階でも、樹脂層を均一に形成しなければならないこと、
特に複屈折等の影響を小さくして光学的に均一な層を形
成しなければならないことや、この樹脂層にスタンパ−
上の微小な凹凸を正確に転写しなければならないことな
ど製造上程々の困難があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その
目的は、情報原盤や情報記録用基板として用いられる均
一性の高い凹凸情報層を有し、耐湿・耐候性にすぐれ機
械的強度の高い情報ガラス基板およびその製造方法を提
供することにある。
目的は、情報原盤や情報記録用基板として用いられる均
一性の高い凹凸情報層を有し、耐湿・耐候性にすぐれ機
械的強度の高い情報ガラス基板およびその製造方法を提
供することにある。
このような目的を達成するために、本発明による情報ガ
ラス基板は、ディスク状のガラス基板の一主面上にシリ
コン窒化物からなる凹凸状の情報層を設けたものである
。
ラス基板は、ディスク状のガラス基板の一主面上にシリ
コン窒化物からなる凹凸状の情報層を設けたものである
。
また、このような情報ガラス基板を得るために、本発明
による情報ガラス基板の製造方法は、ガラス基板上にシ
リコン窒化物層を形成した後、ドライエツチング法によ
って所望の凹凸を形成するものである。以下、実施例を
用いて本発明の詳細な説明する。
による情報ガラス基板の製造方法は、ガラス基板上にシ
リコン窒化物層を形成した後、ドライエツチング法によ
って所望の凹凸を形成するものである。以下、実施例を
用いて本発明の詳細な説明する。
第1図〜第4図は本発明の一実施例を示す工程断面図で
ある。まず、外径200yrm を内径15 II r
厚さ10+mのディスク状のソーダライムガラス基板1
に、真空蒸着法またはスパッタリング法によって200
OAの一定の膜厚を有するシリコン窒化物層2を形成す
る。その後、シラザン処理を施してレジストとの付着力
を強めた上で、この基板上にフォトレジスト、例えばA
Z1350(米国Hoechst社製)3を0.4〜4
μm塗布し、プリベークを行なう(第1図)。
ある。まず、外径200yrm を内径15 II r
厚さ10+mのディスク状のソーダライムガラス基板1
に、真空蒸着法またはスパッタリング法によって200
OAの一定の膜厚を有するシリコン窒化物層2を形成す
る。その後、シラザン処理を施してレジストとの付着力
を強めた上で、この基板上にフォトレジスト、例えばA
Z1350(米国Hoechst社製)3を0.4〜4
μm塗布し、プリベークを行なう(第1図)。
次に、この基板を回転させながら、0.6〜1μmの径
に集光したレーザ光を情報信号に従って照射してフォト
レジストを感光し、次いで現像を行なって、レジストパ
ターン4を形成する(第2図)。
に集光したレーザ光を情報信号に従って照射してフォト
レジストを感光し、次いで現像を行なって、レジストパ
ターン4を形成する(第2図)。
さらに乾燥およびボストベークを行なった後、上記レジ
ストパターン4をマスクとしてプラズマエツチングを行
ない、シリコン窒化物層2に凹凸を形成して情報層5と
する(第3図)。
ストパターン4をマスクとしてプラズマエツチングを行
ない、シリコン窒化物層2に凹凸を形成して情報層5と
する(第3図)。
プラズマエツチングは、平行平板形プラズマエツチング
装置を用い、分圧0.27orrの酸素ガスと分圧0.
ITorrのCF4ガスとの混合ガス中、高周波出力
200W(o、44W/d)の条件で行なった。エツチ
ング深さは、後にメモリディスクの情報記録用トラック
への情報の記録およびその再生に用いられるレーザ光の
波長をλ、メモリディスク基板の屈折率をnとすると、
およそλ/41またはλ/8nとする必要があシ、本実
施例では1300〜1400 Aとした。シリコン酸化
物と異なシシリコン窒化物中にはガラス基板1からのナ
トリウムイオンが拡散しないため、フォトレジストパタ
ーンに従って正確な凹凸を再現性良く形成することがで
きる。
装置を用い、分圧0.27orrの酸素ガスと分圧0.
ITorrのCF4ガスとの混合ガス中、高周波出力
200W(o、44W/d)の条件で行なった。エツチ
ング深さは、後にメモリディスクの情報記録用トラック
への情報の記録およびその再生に用いられるレーザ光の
波長をλ、メモリディスク基板の屈折率をnとすると、
およそλ/41またはλ/8nとする必要があシ、本実
施例では1300〜1400 Aとした。シリコン酸化
物と異なシシリコン窒化物中にはガラス基板1からのナ
トリウムイオンが拡散しないため、フォトレジストパタ
ーンに従って正確な凹凸を再現性良く形成することがで
きる。
ここで、はじめシリコン窒化物層2を厚く形成し、凹部
が所定の深さに達した時点でエツチングを終了するよう
に、つまシハーフエッチングを行なうようにしたため、
上記凹部の深さをエツチング時間等によシ所望の値に制
御する必要がある。
が所定の深さに達した時点でエツチングを終了するよう
に、つまシハーフエッチングを行なうようにしたため、
上記凹部の深さをエツチング時間等によシ所望の値に制
御する必要がある。
エツチング深さを制御する他の方法としては、はじめか
ら、シリコン窒化物層2の厚さを必要なエツチング深さ
と同等の値に制御しておき、下地が露出するまでエツチ
ングを行なう方法があシ、この方法では下地に含まれる
ナトリウムイオンのために下地のエツチング速度がきわ
めて小さくなり、下地は実質的にエツチングされないた
め、ドライエツチング装置の性能上シリコン窒化物層の
エツチング速度に部分的な差異が生ずるような場合には
、それに影響されずに均一な深さが得られる利点がある
。
ら、シリコン窒化物層2の厚さを必要なエツチング深さ
と同等の値に制御しておき、下地が露出するまでエツチ
ングを行なう方法があシ、この方法では下地に含まれる
ナトリウムイオンのために下地のエツチング速度がきわ
めて小さくなり、下地は実質的にエツチングされないた
め、ドライエツチング装置の性能上シリコン窒化物層の
エツチング速度に部分的な差異が生ずるような場合には
、それに影響されずに均一な深さが得られる利点がある
。
このようにして凹凸状の情報層5を形成した後、アセト
ンなどの有機溶剤あるいは濃硫酸で残ったレジストパタ
ーン4を除去して情報原盤が完成する(第4図)。
ンなどの有機溶剤あるいは濃硫酸で残ったレジストパタ
ーン4を除去して情報原盤が完成する(第4図)。
上記工程中、フォトレジスト3の付着力を高めるために
、シリコン窒化物層2を形成したガラス基板1をシラザ
ン処理したが、同様の目的のためにはクロム等の薄膜を
形成し、その上にレジストをコートする方法も有効であ
る。また、フォトレジスト3をレーザー光で直接感光さ
せてパターニングする方法を用いたが、もちろん、フォ
トマスクを用いて露光を行なってもよい。
、シリコン窒化物層2を形成したガラス基板1をシラザ
ン処理したが、同様の目的のためにはクロム等の薄膜を
形成し、その上にレジストをコートする方法も有効であ
る。また、フォトレジスト3をレーザー光で直接感光さ
せてパターニングする方法を用いたが、もちろん、フォ
トマスクを用いて露光を行なってもよい。
さらに、シリコン窒化物層2の形成方法としては、上述
した真空蒸着法やスパッタリング法の他に、イオンブレ
ーティング法やCVD法等も用いることができる。
した真空蒸着法やスパッタリング法の他に、イオンブレ
ーティング法やCVD法等も用いることができる。
また、シリコン窒化物層2をエツチングするために平行
平板形プラズマエツチング装置を用いたが、円筒形プラ
ズマエツチング装置等を用いてもよいと、とは言うまで
もない。また、エツチングガスとしてエツチング条件を
安定にするために酸素とCH4との混合ガスを用いたが
、CF4単独のガスでもよく、さらにCF、の代シにc
HF:l 、 C2F、等の他のフッ素系のガスでもよ
い。また、酸素の代シに窒素、水素等を安定化のために
混合してもよい。
平板形プラズマエツチング装置を用いたが、円筒形プラ
ズマエツチング装置等を用いてもよいと、とは言うまで
もない。また、エツチングガスとしてエツチング条件を
安定にするために酸素とCH4との混合ガスを用いたが
、CF4単独のガスでもよく、さらにCF、の代シにc
HF:l 、 C2F、等の他のフッ素系のガスでもよ
い。また、酸素の代シに窒素、水素等を安定化のために
混合してもよい。
また、レジスト除去方法としては、上述したような湿式
法の他に、酸素ガスを主成分とするプラズマアッシング
法を用いてもよい。
法の他に、酸素ガスを主成分とするプラズマアッシング
法を用いてもよい。
上述した実施例は、本発明を情報原盤に適用した例であ
シ、このようにして形成した情報原盤を用いて従来と同
様にスタンバ−を形成し、樹脂層に凹凸を転写して情報
記録用基板を形成することができる。
シ、このようにして形成した情報原盤を用いて従来と同
様にスタンバ−を形成し、樹脂層に凹凸を転写して情報
記録用基板を形成することができる。
この際、本発明による情報原盤は、凹凸情報層が従来の
ような軟らかいレジストではなく緻密で硬いシリコン窒
化物でできているため、傷つきに<<、かつ洗浄によっ
て凹凸情報層が剥離することもないので、情報層の欠陥
の原因となるほこシ等を容易に除去することができ、高
品質のスタンパ−を作ることができる。
ような軟らかいレジストではなく緻密で硬いシリコン窒
化物でできているため、傷つきに<<、かつ洗浄によっ
て凹凸情報層が剥離することもないので、情報層の欠陥
の原因となるほこシ等を容易に除去することができ、高
品質のスタンパ−を作ることができる。
報記録用基板自体に適用することによシ、容易に、きわ
めて均一性の高い凹凸情報層を有する情報記録用基板を
形成することができる。すなわち、例えば外径2001
1I++内径15M、厚さ1.2mのソーダライムガラ
ス基板を出発材料として、シリコン窒化物を成膜した後
ドライエツチング法によシブレグループ用の凹凸層を形
成する工程によシ情報記録用基板を形成することができ
る。
めて均一性の高い凹凸情報層を有する情報記録用基板を
形成することができる。すなわち、例えば外径2001
1I++内径15M、厚さ1.2mのソーダライムガラ
ス基板を出発材料として、シリコン窒化物を成膜した後
ドライエツチング法によシブレグループ用の凹凸層を形
成する工程によシ情報記録用基板を形成することができ
る。
この場合、凹凸状の情報層は、従来のような有樹樹脂か
らなる凹凸情報層に比較して耐湿性の高い無機材料によ
って形成されることとなシ、はるかに耐候性にすぐれた
情報記録用基板を得ることができる。
らなる凹凸情報層に比較して耐湿性の高い無機材料によ
って形成されることとなシ、はるかに耐候性にすぐれた
情報記録用基板を得ることができる。
なお、このように直接情報記録用基板として製造する場
合には、シリコン窒化物層のエツチングを下地のソーダ
ライムガラス基板が露出するまで行なう場合には、例え
ば凹凸を設けた情報層とその上に形成される記録媒体と
の間にアルミニウム酸化物、シリコン化合物などを介在
させて記録媒体中へのナトリウムイオンの拡散を防コト
−1−,2ととによシ、情報記録用基板の長寿命化が容
易に達成できる。
合には、シリコン窒化物層のエツチングを下地のソーダ
ライムガラス基板が露出するまで行なう場合には、例え
ば凹凸を設けた情報層とその上に形成される記録媒体と
の間にアルミニウム酸化物、シリコン化合物などを介在
させて記録媒体中へのナトリウムイオンの拡散を防コト
−1−,2ととによシ、情報記録用基板の長寿命化が容
易に達成できる。
また、エツチング方法としてプラズマエツチング法を用
いた場合について説明したが、リアクティブエツチング
法、スパッタエツチング法、あるいはイオンビームエツ
チング法など他のドライエツチング法を用いても、容易
に、かつ再現性良く凹凸を形成することができる。
いた場合について説明したが、リアクティブエツチング
法、スパッタエツチング法、あるいはイオンビームエツ
チング法など他のドライエツチング法を用いても、容易
に、かつ再現性良く凹凸を形成することができる。
以上説明したように、本発明によれば、ガラス基板の一
生面上にしてシリコン窒化物からなる凹凸状の情報層を
設けたことによシ、安価なソーダライムガラスを用いな
がら、しかもナトリウムイオンの拡散を防いでプラズマ
エツチングによシ、均一性の高い凹凸情報層を有ししか
も機械的強度の高い情報原盤や、同じく均一性の高い凹
凸情報層を有ししかも耐久性にすぐれた情報記録用基板
を容易に得ることができる。特に後者については、スタ
ンパ−等が不要となシ製造工程が簡略化されるとともに
、その後メモリディスクとしで完成した後も、ガラス基
板からのナトリウムイオンによる記録媒体の劣化を防止
することが可能であるという利点を有する。
生面上にしてシリコン窒化物からなる凹凸状の情報層を
設けたことによシ、安価なソーダライムガラスを用いな
がら、しかもナトリウムイオンの拡散を防いでプラズマ
エツチングによシ、均一性の高い凹凸情報層を有ししか
も機械的強度の高い情報原盤や、同じく均一性の高い凹
凸情報層を有ししかも耐久性にすぐれた情報記録用基板
を容易に得ることができる。特に後者については、スタ
ンパ−等が不要となシ製造工程が簡略化されるとともに
、その後メモリディスクとしで完成した後も、ガラス基
板からのナトリウムイオンによる記録媒体の劣化を防止
することが可能であるという利点を有する。
第1図ないし第4図は本発明の一実施例を示す工程断面
図である。 1・拳−・ソーダライムガラス基板、2・・ψ・シリコ
ン窒化物層、3・・・・フォトレジスト、4・・・・レ
ジストパターン、5・・・・情報層。 特許出願人 株式会社 保 谷 硝 子代理人 山川政
樹(ほか2名)
図である。 1・拳−・ソーダライムガラス基板、2・・ψ・シリコ
ン窒化物層、3・・・・フォトレジスト、4・・・・レ
ジストパターン、5・・・・情報層。 特許出願人 株式会社 保 谷 硝 子代理人 山川政
樹(ほか2名)
Claims (2)
- (1)ディスク状のガラス基板と、このガラス基板の−
主面上に設けたシリコン窒化物からなる凹凸状の情報層
とを備えたことを特徴とする情報ガラス基板。 - (2)ディスク状のガラス基板の一主面上にシリコン化
合物層を形成する工程と、ドライエツチング法を用いて
上記シリコン窒化物層に所望の凹凸を設けて情報層を形
成する工程とを含む情報ガラス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59082007A JPS60226042A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 情報ガラス基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59082007A JPS60226042A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 情報ガラス基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60226042A true JPS60226042A (ja) | 1985-11-11 |
Family
ID=13762465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59082007A Pending JPS60226042A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 情報ガラス基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60226042A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6166242A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録原盤 |
| JPS61162844A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-23 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS63230889A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-27 | Toshiba Corp | 基板の製造方法 |
| JPH01307035A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ディスクの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54107705A (en) * | 1978-02-10 | 1979-08-23 | Pioneer Electronic Corp | Method of fabricating information recording carrier |
-
1984
- 1984-04-25 JP JP59082007A patent/JPS60226042A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54107705A (en) * | 1978-02-10 | 1979-08-23 | Pioneer Electronic Corp | Method of fabricating information recording carrier |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6166242A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録原盤 |
| JPS61162844A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-23 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS63230889A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-27 | Toshiba Corp | 基板の製造方法 |
| JPH01307035A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ディスクの製造方法 |
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