JPH10242020A - Ｘ線露光装置及びｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光装置及びｘ線露光用マスクInfo
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- JPH10242020A JPH10242020A JP3906897A JP3906897A JPH10242020A JP H10242020 A JPH10242020 A JP H10242020A JP 3906897 A JP3906897 A JP 3906897A JP 3906897 A JP3906897 A JP 3906897A JP H10242020 A JPH10242020 A JP H10242020A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハの変形が生じてもマスクとウェハのア
ライメントを精度良く行うことができ、露光精度の向上
をはかる。 【解決手段】 微小ギャップを介してＸ線露光用マスク
１０とウェハ２０を対峙させ、マスク１０のパターンを
ウェハ２０上に転写するＸ線露光装置において、マスク
１０のフレーム１３に導電性を有する材料を使用し、マ
スクフレーム１３を通電加熱できるように構成し、さら
にウェハ２０も通電加熱できるように構成し、ウェハ２
０とマスクフレーム１３に温度差を付与することによ
り、ウェハ２０上の下層パターンにマスク１０上のパタ
ーンを高精度で位置合わせする。
ライメントを精度良く行うことができ、露光精度の向上
をはかる。 【解決手段】 微小ギャップを介してＸ線露光用マスク
１０とウェハ２０を対峙させ、マスク１０のパターンを
ウェハ２０上に転写するＸ線露光装置において、マスク
１０のフレーム１３に導電性を有する材料を使用し、マ
スクフレーム１３を通電加熱できるように構成し、さら
にウェハ２０も通電加熱できるように構成し、ウェハ２
０とマスクフレーム１３に温度差を付与することによ
り、ウェハ２０上の下層パターンにマスク１０上のパタ
ーンを高精度で位置合わせする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線露光技術に係
わり、特にマスク・ウェハのアライメント手法の改良を
はかったＸ線露光装置及びＸ線露光用マスクに関する。
わり、特にマスク・ウェハのアライメント手法の改良を
はかったＸ線露光装置及びＸ線露光用マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩパターンを転写する技術として
は、従来より可視領域の光を利用する縮小露光装置が用
いられてきた。この装置では、ガラスマスク基板上にＣ
ｒ薄膜を形成し、レジストを塗布後、電子ビーム描画装
置などでウェハ上の実パターンの４〜５倍体の原画を描
画した後、現像，エッチング工程を経てマスクパターン
を形成する。縮小露光装置は、レンズ，反射鏡などの要
素を用いて縮小光学系を構成し、マスク上のパターンを
ウェハ上に転写する。このとき、ウェハ上の下層パター
ンにマスク上のパターンを高精度で位置合わせすること
が、露光装置に要求される重要な性能である。
は、従来より可視領域の光を利用する縮小露光装置が用
いられてきた。この装置では、ガラスマスク基板上にＣ
ｒ薄膜を形成し、レジストを塗布後、電子ビーム描画装
置などでウェハ上の実パターンの４〜５倍体の原画を描
画した後、現像，エッチング工程を経てマスクパターン
を形成する。縮小露光装置は、レンズ，反射鏡などの要
素を用いて縮小光学系を構成し、マスク上のパターンを
ウェハ上に転写する。このとき、ウェハ上の下層パター
ンにマスク上のパターンを高精度で位置合わせすること
が、露光装置に要求される重要な性能である。
【０００３】ウェハ上のパターンには、ＬＳＩの機能を
付与するための各種の加工プロセスで微妙な変形が生じ
ることがある。縮小露光装置では、必要に応じてその縮
小率を調整することにより、マスクとウェハ下層パター
ンとの位置合わせを改善している。
付与するための各種の加工プロセスで微妙な変形が生じ
ることがある。縮小露光装置では、必要に応じてその縮
小率を調整することにより、マスクとウェハ下層パター
ンとの位置合わせを改善している。
【０００４】ＬＳＩの微細化に伴い、露光装置にはより
高い解像度が必要となる。従来の縮小露光装置では、用
いる光を短波長化すること、及びマスクを透過する光に
位相情報を与えること（いわゆる位相シフトマスクの使
用）で高精度化を実現してきた。しかし、このような手
段を用いても、０．１５μｍ以下の微細パターンが対象
になると、十分な焦点深度や照射量裕度の下にパターン
を解像することは極めて困難な状況である。
高い解像度が必要となる。従来の縮小露光装置では、用
いる光を短波長化すること、及びマスクを透過する光に
位相情報を与えること（いわゆる位相シフトマスクの使
用）で高精度化を実現してきた。しかし、このような手
段を用いても、０．１５μｍ以下の微細パターンが対象
になると、十分な焦点深度や照射量裕度の下にパターン
を解像することは極めて困難な状況である。
【０００５】この状況を乗り越える手段に、Ｘ線露光装
置がある。Ｘ線露光に用いるマスクは、Ｘ線透過薄膜
（１〜２μｍ程度のＳｉＮ，ＳｉＣ膜等が使用される）
上に、Ｘ線吸収材である重金属膜（０．３〜０．５μｍ
のＷ，Ｔａ等）を配置し、光露出光用のマスクと同様に
電子ビーム描画装置などを用いてパターンを形成する。
Ｘ線透過薄膜はＳｉ等の基板枠に保持され、さらにその
基板枠は強固なフレームに固定されるのが通例である。
置がある。Ｘ線露光に用いるマスクは、Ｘ線透過薄膜
（１〜２μｍ程度のＳｉＮ，ＳｉＣ膜等が使用される）
上に、Ｘ線吸収材である重金属膜（０．３〜０．５μｍ
のＷ，Ｔａ等）を配置し、光露出光用のマスクと同様に
電子ビーム描画装置などを用いてパターンを形成する。
Ｘ線透過薄膜はＳｉ等の基板枠に保持され、さらにその
基板枠は強固なフレームに固定されるのが通例である。
【０００６】Ｘ線はいわゆるレンズ作用を利用すること
ができないため、露光に際してはマスクとウェハを極め
て狭い間隔（１０〜３０μｍ程度）で対峙させて１：１
の露光を行うのが通例である。即ち、マスク上のパター
ンをウェハ上に転写するに際し、縮小光学系を介するこ
とがない。従って、ウェハ上のパターンに、ＬＳＩの機
能を付与するための加工プロセスで微妙な変形が生じた
時には、マスク自身のパターンに修正を加える必要があ
る。
ができないため、露光に際してはマスクとウェハを極め
て狭い間隔（１０〜３０μｍ程度）で対峙させて１：１
の露光を行うのが通例である。即ち、マスク上のパター
ンをウェハ上に転写するに際し、縮小光学系を介するこ
とがない。従って、ウェハ上のパターンに、ＬＳＩの機
能を付与するための加工プロセスで微妙な変形が生じた
時には、マスク自身のパターンに修正を加える必要があ
る。
【０００７】ウェハの変形の程度が一定で、予め分って
いれば、Ｘ線吸収体上でパターンを描画する時に修正が
可能であるが、特にプロセスの開発段階では状況把握に
時間を要し、困難が伴う。必要な修正量は１ｐｐｍのオ
ーダであるため、マスクフレームに対し拡張力或いは締
め付け力を作用させることにより、パターンの変形を与
え得ることが分っている。しかし、膜構造のＸ線マスク
を無歪に近い状態で露光装置に装着し、かつそのマスク
に力を作用させて望みの変形を与えるということは極め
て困難な課題である。
いれば、Ｘ線吸収体上でパターンを描画する時に修正が
可能であるが、特にプロセスの開発段階では状況把握に
時間を要し、困難が伴う。必要な修正量は１ｐｐｍのオ
ーダであるため、マスクフレームに対し拡張力或いは締
め付け力を作用させることにより、パターンの変形を与
え得ることが分っている。しかし、膜構造のＸ線マスク
を無歪に近い状態で露光装置に装着し、かつそのマスク
に力を作用させて望みの変形を与えるということは極め
て困難な課題である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、Ｘ線
露光装置においては、光学系を用いないでマスクとウェ
ハを対峙させた１：１の露光であるため、ウェハに変形
が生じマスクとのアライメントがずれた場合、これを補
正することは困難であった。
露光装置においては、光学系を用いないでマスクとウェ
ハを対峙させた１：１の露光であるため、ウェハに変形
が生じマスクとのアライメントがずれた場合、これを補
正することは困難であった。
【０００９】本発明は、上記の事情を考慮して成された
もので、その目的とするところは、ウェハの変形が生じ
てもマスクとウェハのアライメントを精度良く行うこと
ができ、露光精度の向上に寄与し得るＸ線露光装置及び
Ｘ線露光用マスクを提供することにある。
もので、その目的とするところは、ウェハの変形が生じ
てもマスクとウェハのアライメントを精度良く行うこと
ができ、露光精度の向上に寄与し得るＸ線露光装置及び
Ｘ線露光用マスクを提供することにある。
【００１０】
（構成）上記課題を解決するために本発明は、次のよう
な構成を採用している。 （１）薄膜マスク体をフレームで保持したＸ線露光用マ
スクとウェハを微小ギャップを介して対峙させ、マスク
に形成されたパターンをウェハ上に転写するＸ線露光装
置において、前記マスクのフレームに導電性を有する材
料を使用し、該マスクフレームを通電加熱することによ
り、前記ウェハとマスクフレームに温度差を付与するこ
とを特徴とする。
な構成を採用している。 （１）薄膜マスク体をフレームで保持したＸ線露光用マ
スクとウェハを微小ギャップを介して対峙させ、マスク
に形成されたパターンをウェハ上に転写するＸ線露光装
置において、前記マスクのフレームに導電性を有する材
料を使用し、該マスクフレームを通電加熱することによ
り、前記ウェハとマスクフレームに温度差を付与するこ
とを特徴とする。
【００１１】(1-1) 必要に応じてウェハを通電加熱する
こと。 (1-2) マスクとウェハが対峙する空間に温度制御された
ガスを流すこと。 (1-3) 薄膜マスク体の一部を、Ｘ線透過部近傍を除いて
対峙するウェハ面から後退する構成としたこと。 (1-4) マスクとウェハの１方向の２箇所で両者のアライ
メント信号を検出する手段を有し、該２箇所の一方で両
者のアライメントを行った上で、他方のアライメント信
号が所定の寸法精度を満たすように、マスクフレームに
流す電流を制御すること。
こと。 (1-2) マスクとウェハが対峙する空間に温度制御された
ガスを流すこと。 (1-3) 薄膜マスク体の一部を、Ｘ線透過部近傍を除いて
対峙するウェハ面から後退する構成としたこと。 (1-4) マスクとウェハの１方向の２箇所で両者のアライ
メント信号を検出する手段を有し、該２箇所の一方で両
者のアライメントを行った上で、他方のアライメント信
号が所定の寸法精度を満たすように、マスクフレームに
流す電流を制御すること。
【００１２】（２）Ｘ線吸収体で形成されたデバイスパ
ターンを有するＸ線透過薄膜を薄膜支持枠で支持した薄
膜マスク体とウェハを微小ギャップを介して対峙させ、
マスクに形成されたパターンをウェハ上に転写するＸ線
露光装置において、前記薄膜支持枠を通電加熱すること
により、前記ウェハと薄膜支持枠に温度差を付与するこ
とを特徴とする。
ターンを有するＸ線透過薄膜を薄膜支持枠で支持した薄
膜マスク体とウェハを微小ギャップを介して対峙させ、
マスクに形成されたパターンをウェハ上に転写するＸ線
露光装置において、前記薄膜支持枠を通電加熱すること
により、前記ウェハと薄膜支持枠に温度差を付与するこ
とを特徴とする。
【００１３】(2-1) 必要に応じてウェハを通電加熱する
こと。 (2-2) マスクとウェハが対峙する空間に温度制御された
ガスを流すこと。 (2-3) 薄膜支持枠を、Ｘ線透過部近傍を除いて対峙する
ウェハ面から後退する構成としたこと。 (2-4) マスクとウェハの１方向の２箇所で両者のアライ
メント信号を検出する手段を有し、該２箇所の一方で両
者のアライメントを行った上で、他方のアライメント信
号が所定の寸法精度を満たすように、薄膜支持枠に流す
電流を制御すること。
こと。 (2-2) マスクとウェハが対峙する空間に温度制御された
ガスを流すこと。 (2-3) 薄膜支持枠を、Ｘ線透過部近傍を除いて対峙する
ウェハ面から後退する構成としたこと。 (2-4) マスクとウェハの１方向の２箇所で両者のアライ
メント信号を検出する手段を有し、該２箇所の一方で両
者のアライメントを行った上で、他方のアライメント信
号が所定の寸法精度を満たすように、薄膜支持枠に流す
電流を制御すること。
【００１４】（３）薄膜マスク体をフレームで保持した
Ｘ線露光用マスクとウェハを微小ギャップを介して対峙
させ、マスクに形成されたパターンをウェハ上に転写す
るＸ線露光装置において、前記マスクのフレームとウェ
ハに所定の温度差を付与する手段と、前記マスクとウェ
ハが対峙する空間に温度制御されたガスを流す手段とを
具備してなることを特徴とする。
Ｘ線露光用マスクとウェハを微小ギャップを介して対峙
させ、マスクに形成されたパターンをウェハ上に転写す
るＸ線露光装置において、前記マスクのフレームとウェ
ハに所定の温度差を付与する手段と、前記マスクとウェ
ハが対峙する空間に温度制御されたガスを流す手段とを
具備してなることを特徴とする。
【００１５】(3-1) 薄膜マスク体の一部を、Ｘ線透過部
近傍を除いて対峙するウェハ面から後退する構成とした
こと。 (3-2) マスクフレームとウェハに所定の温度差を付与す
るために、マスクフレーム及びウェハの少なくとも一方
を通電加熱すること。 (3-3) マスクフレームとウェハに所定の温度差を付与す
るために、マスクに対してウェハと反対側に、マスクフ
レームを加熱するための加熱用ランプを設けること。 (3-4) マスクとウェハの１方向の２箇所で両者のアライ
メント信号を検出する手段を有し、該２箇所の一方で両
者のアライメントを行った上で、他方のアライメント信
号が所定の寸法精度を満たすように、マスクフレームと
ウェハ間の温度差を制御すること。 (3-5) マスクとウェハの１方向の２箇所で両者のアライ
メント信号を検出する手段を有し、該２箇所の一方で両
者のアライメントを行った上で、他方のアライメント信
号が所定の寸法精度を満たすように、加熱用ランプのパ
ワーを制御すること。
近傍を除いて対峙するウェハ面から後退する構成とした
こと。 (3-2) マスクフレームとウェハに所定の温度差を付与す
るために、マスクフレーム及びウェハの少なくとも一方
を通電加熱すること。 (3-3) マスクフレームとウェハに所定の温度差を付与す
るために、マスクに対してウェハと反対側に、マスクフ
レームを加熱するための加熱用ランプを設けること。 (3-4) マスクとウェハの１方向の２箇所で両者のアライ
メント信号を検出する手段を有し、該２箇所の一方で両
者のアライメントを行った上で、他方のアライメント信
号が所定の寸法精度を満たすように、マスクフレームと
ウェハ間の温度差を制御すること。 (3-5) マスクとウェハの１方向の２箇所で両者のアライ
メント信号を検出する手段を有し、該２箇所の一方で両
者のアライメントを行った上で、他方のアライメント信
号が所定の寸法精度を満たすように、加熱用ランプのパ
ワーを制御すること。
【００１６】（４）薄膜マスク体をマスクフレームで保
持したＸ線露光用マスクとウェハを微小ギャップを介し
て対峙させ、マスクに形成されたパターンをウェハ上に
転写するＸ線露光装置において、前記マスクのウェハと
非対峙側に加熱用ランプを設けてなることを特徴とす
る。
持したＸ線露光用マスクとウェハを微小ギャップを介し
て対峙させ、マスクに形成されたパターンをウェハ上に
転写するＸ線露光装置において、前記マスクのウェハと
非対峙側に加熱用ランプを設けてなることを特徴とす
る。
【００１７】（５）Ｘ線透過薄膜上にＸ線吸収体のパタ
ーンを形成した薄膜マスク体と、この薄膜マスク体を保
持するフレームとを具備したＸ線露光用マスクにおい
て、前記フレームを導電性を有する材料で形成し、通電
加熱可能に構成したことを特徴とする。
ーンを形成した薄膜マスク体と、この薄膜マスク体を保
持するフレームとを具備したＸ線露光用マスクにおい
て、前記フレームを導電性を有する材料で形成し、通電
加熱可能に構成したことを特徴とする。
【００１８】（６）薄膜マスク体をフレームで保持した
Ｘ線露光用マスクとウェハを微小ギャップを介して対峙
させ、マスクに形成されたパターンをウェハ上に転写す
るＸ線露光装置において、前記マスクのフレームとウェ
ハに所定の温度差を付与する手段と、前記マスクのステ
ージ及び前記ウェハのステージの少なくとも一方に温度
制御された媒体を流す流路を設けてなることを特徴とす
る。
Ｘ線露光用マスクとウェハを微小ギャップを介して対峙
させ、マスクに形成されたパターンをウェハ上に転写す
るＸ線露光装置において、前記マスクのフレームとウェ
ハに所定の温度差を付与する手段と、前記マスクのステ
ージ及び前記ウェハのステージの少なくとも一方に温度
制御された媒体を流す流路を設けてなることを特徴とす
る。
【００１９】(6-1) マスクとウェハが対峙する空間に温
度制御されたガスを流すこと。 (6-2) 薄膜マスク体の一部を、Ｘ線透過部近傍を除いて
対峙するウェハ面から後退する構成としたこと。 (6-3) 必要に応じてマスクのウェハに非対峙空間で温度
制御されたガスを流すこと。 (6-4) マスクフレームとウェハに所定の温度差を付与す
るために、マスクフレーム及びウェハの少なくとも一方
を通電加熱すること。 (6-5) マスクフレームとウェハに所定の温度差を付与す
るために、マスクに対してウェハと反対側に、マスクフ
レームを加熱するための加熱用ランプを設けること。 (6-6) マスクとウェハの１方向の２箇所で両者のアライ
メント信号を検出する手段を有し、該２箇所の一方で両
者のアライメントを行った上で、他方のアライメント信
号が所定の寸法精度を満たすように、マスクフレームと
ウェハ間の温度差を制御すること。 (6-7) マスクとウェハの１方向の２箇所で両者のアライ
メント信号を検出する手段を有し、該２箇所の一方で両
者のアライメントを行った上で、他方のアライメント信
号が所定の寸法精度を満たすように、加熱用ランプのパ
ワーを制御すること。
度制御されたガスを流すこと。 (6-2) 薄膜マスク体の一部を、Ｘ線透過部近傍を除いて
対峙するウェハ面から後退する構成としたこと。 (6-3) 必要に応じてマスクのウェハに非対峙空間で温度
制御されたガスを流すこと。 (6-4) マスクフレームとウェハに所定の温度差を付与す
るために、マスクフレーム及びウェハの少なくとも一方
を通電加熱すること。 (6-5) マスクフレームとウェハに所定の温度差を付与す
るために、マスクに対してウェハと反対側に、マスクフ
レームを加熱するための加熱用ランプを設けること。 (6-6) マスクとウェハの１方向の２箇所で両者のアライ
メント信号を検出する手段を有し、該２箇所の一方で両
者のアライメントを行った上で、他方のアライメント信
号が所定の寸法精度を満たすように、マスクフレームと
ウェハ間の温度差を制御すること。 (6-7) マスクとウェハの１方向の２箇所で両者のアライ
メント信号を検出する手段を有し、該２箇所の一方で両
者のアライメントを行った上で、他方のアライメント信
号が所定の寸法精度を満たすように、加熱用ランプのパ
ワーを制御すること。
【００２０】（作用）本発明の基本は、Ｘ線露光用マス
クが薄膜構造体であることから、Ｘ線透過薄膜上に形成
されたマスクパターンが、マスク構成体の中で最も剛性
の高いマスクフレームの変形にならうことに着目し、マ
スクパターンに拡大方向の変形が必要な場合にはマスク
フレームの温度上昇により、またウェハ上の下層パター
ンに拡大方向の変形が必要な場合にはウェハの温度上昇
により、必要な変形量を与えることである。
クが薄膜構造体であることから、Ｘ線透過薄膜上に形成
されたマスクパターンが、マスク構成体の中で最も剛性
の高いマスクフレームの変形にならうことに着目し、マ
スクパターンに拡大方向の変形が必要な場合にはマスク
フレームの温度上昇により、またウェハ上の下層パター
ンに拡大方向の変形が必要な場合にはウェハの温度上昇
により、必要な変形量を与えることである。
【００２１】本発明によれば、マスクフレーム及びウェ
ハの通電加熱等によりマスクフレームとウェハの温度を
独立に制御することによって、マスクとウェハを独立に
変形させることができる。このため、ウェハ上の下層パ
ターンとマスクパターンの座標のきざみを必要程度に一
致させることができ、高精度アライメントが可能とな
る。
ハの通電加熱等によりマスクフレームとウェハの温度を
独立に制御することによって、マスクとウェハを独立に
変形させることができる。このため、ウェハ上の下層パ
ターンとマスクパターンの座標のきざみを必要程度に一
致させることができ、高精度アライメントが可能とな
る。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によって説明する。図１〜図３は本発明の一実施形
態に係わるＸ線露光装置を説明するためのもので、図１
はマスク及びウェハステージの断面該略図、図２はマス
クとウェハが微小ギャップで対峙する部分の断面図、図
３はマスクとウェハを位置合わせするアライメントマー
クの配置を示す模式図である。
形態によって説明する。図１〜図３は本発明の一実施形
態に係わるＸ線露光装置を説明するためのもので、図１
はマスク及びウェハステージの断面該略図、図２はマス
クとウェハが微小ギャップで対峙する部分の断面図、図
３はマスクとウェハを位置合わせするアライメントマー
クの配置を示す模式図である。
【００２３】Ｘ線吸収体で形成されたデバイスパターン
を有するＸ線透過薄膜１１はＳｉ基板枠（薄膜支持枠）
１２により保持され、そのＳｉ基板枠１２は更にＳｉの
補強フレーム１３に固定されている。ここで、Ｘ線透過
薄膜１１及び基板枠１２から薄膜マスク体が構成され、
薄膜マスク体及びフレーム１３からＸ線露光用マスク１
０が構成されている。マスクフレーム１３は３点支持に
より無歪の状態でマスクステージ１４に固定される。こ
の支点は電極を兼ね、３支点間にほぼ等しい電流が流れ
るように電圧を印加することができるようになってい
る。
を有するＸ線透過薄膜１１はＳｉ基板枠（薄膜支持枠）
１２により保持され、そのＳｉ基板枠１２は更にＳｉの
補強フレーム１３に固定されている。ここで、Ｘ線透過
薄膜１１及び基板枠１２から薄膜マスク体が構成され、
薄膜マスク体及びフレーム１３からＸ線露光用マスク１
０が構成されている。マスクフレーム１３は３点支持に
より無歪の状態でマスクステージ１４に固定される。こ
の支点は電極を兼ね、３支点間にほぼ等しい電流が流れ
るように電圧を印加することができるようになってい
る。
【００２４】マスクステージ４には、必要に応じてマス
クの温度の基点を取るために、入り口部で定められた温
度の媒体を流すことができる流路１５が備えられてい
る。さらに、温度の基点を確保するために、必要に応じ
て吹き出し部１６で定められた温度のガスを循環させる
ようになっている。なお、この循環ガスはウェハ２０が
置かれる空間には殆ど漏れないように工夫されている。
クの温度の基点を取るために、入り口部で定められた温
度の媒体を流すことができる流路１５が備えられてい
る。さらに、温度の基点を確保するために、必要に応じ
て吹き出し部１６で定められた温度のガスを循環させる
ようになっている。なお、この循環ガスはウェハ２０が
置かれる空間には殆ど漏れないように工夫されている。
【００２５】Ｘ線透過薄膜１１を支持するＳｉ基板枠１
２は、図２に示す如く、Ｘ線透過部のごく近傍を除いて
対峙するウェハ面から後退するように加工され、かつ必
要に応じてウェハとマスクが対峙する空間に、吹き出し
部１８で定められた温度のガスを流すことができるよう
になっている。なお、この定められた温度のガスは、ウ
ェハとマスク間の熱絶縁として機能する。
２は、図２に示す如く、Ｘ線透過部のごく近傍を除いて
対峙するウェハ面から後退するように加工され、かつ必
要に応じてウェハとマスクが対峙する空間に、吹き出し
部１８で定められた温度のガスを流すことができるよう
になっている。なお、この定められた温度のガスは、ウ
ェハとマスク間の熱絶縁として機能する。
【００２６】ウェハ２０はウェハステージ２１に真空チ
ャックにより固定される。ウェハステージ２１には電極
２２が、また必要に応じてウェハ２０の温度の基点を取
るために、入口部で定められた温度の媒体を流すことが
できる流路２３が備えられている。そして、ウェハ２０
には電極２２を介して必要な電圧を印加することができ
るようになっている。
ャックにより固定される。ウェハステージ２１には電極
２２が、また必要に応じてウェハ２０の温度の基点を取
るために、入口部で定められた温度の媒体を流すことが
できる流路２３が備えられている。そして、ウェハ２０
には電極２２を介して必要な電圧を印加することができ
るようになっている。
【００２７】マスク１０及びウェハ２０には、図３に示
すように、露光領域の周辺部に沿って１方向の２箇所に
アライメントマーク３１が設けられている。マスク１０
のパターンとウェハ２０上の下層パターンの座標情報が
未知の場合には、まずアライメントマーク３１の一方で
位置合わせを行った後、他方のマーク位置で所望の合わ
せ精度が得られるようにマスクフレーム１３或いはウェ
ハに印加する電圧を調整する。
すように、露光領域の周辺部に沿って１方向の２箇所に
アライメントマーク３１が設けられている。マスク１０
のパターンとウェハ２０上の下層パターンの座標情報が
未知の場合には、まずアライメントマーク３１の一方で
位置合わせを行った後、他方のマーク位置で所望の合わ
せ精度が得られるようにマスクフレーム１３或いはウェ
ハに印加する電圧を調整する。
【００２８】より具体的には、マスク１０とウェハ２０
の１方向の２箇所で両者のアライメント信号を検出する
手段を設け、該２箇所の一方で両者のアライメントを行
った上で、他方のアライメント信号が所定の寸法精度を
満たすように、マスクフレーム１３或いはウェハ２０に
流す電流値を制御することにより、マスク１０とウェハ
２０との正確なアライメントが可能となる。
の１方向の２箇所で両者のアライメント信号を検出する
手段を設け、該２箇所の一方で両者のアライメントを行
った上で、他方のアライメント信号が所定の寸法精度を
満たすように、マスクフレーム１３或いはウェハ２０に
流す電流値を制御することにより、マスク１０とウェハ
２０との正確なアライメントが可能となる。
【００２９】また、マスクフレーム１３を加熱する手段
として、マスク１０に対してウェハ２０と反対側に加熱
用ランプ２４を設けてもよい。この場合も、アライメン
ト信号検出手段の出力を基に、２箇所のアライメント信
号が基準値以下の合致信号を与えるようにランプパワー
を制御すればよい。
として、マスク１０に対してウェハ２０と反対側に加熱
用ランプ２４を設けてもよい。この場合も、アライメン
ト信号検出手段の出力を基に、２箇所のアライメント信
号が基準値以下の合致信号を与えるようにランプパワー
を制御すればよい。
【００３０】このように本実施形態によれば、マスク１
０上のパターンとウェハ２０上のパターンの位置座標の
きざみに微小な不一致がある場合に、マスクフレーム１
３とウェハ２０に適度の温度差を与えることにより、両
者の位置座標系を必要な範囲で一致させることができ
る。このため、ウェハ２０の変形が生じてもマスク１０
とウェハ２０のアライメントを精度良く行うことがで
き、露光精度の向上に寄与することができる。
０上のパターンとウェハ２０上のパターンの位置座標の
きざみに微小な不一致がある場合に、マスクフレーム１
３とウェハ２０に適度の温度差を与えることにより、両
者の位置座標系を必要な範囲で一致させることができ
る。このため、ウェハ２０の変形が生じてもマスク１０
とウェハ２０のアライメントを精度良く行うことがで
き、露光精度の向上に寄与することができる。
【００３１】なお、本発明は上述した実施形態に限定さ
れるものではない。実施形態では、マスクフレーム及び
ウェハの双方を通電加熱となるように構成したが、これ
らの一方のみを通電加熱可能となるように構成しても良
い。また、マスクとウェハとの間或いはマスクの裏面側
に流す温度制御されたガスは、必要に応じて省略するこ
ともできる。
れるものではない。実施形態では、マスクフレーム及び
ウェハの双方を通電加熱となるように構成したが、これ
らの一方のみを通電加熱可能となるように構成しても良
い。また、マスクとウェハとの間或いはマスクの裏面側
に流す温度制御されたガスは、必要に応じて省略するこ
ともできる。
【００３２】また、Ｘ線等か薄膜を支持した基板枠がＳ
ｉウェハ等の導電性を有する材料であれば、マスクフレ
ームを通電加熱する代わりに基板枠を通電加熱する構成
としてもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。
ｉウェハ等の導電性を有する材料であれば、マスクフレ
ームを通電加熱する代わりに基板枠を通電加熱する構成
としてもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、マ
スクフレームの通電加熱等によりマスクフレームとウェ
ハの温度を独立に制御することによって、マスクとウェ
ハを独立に変形させることができ、ウェハの変形が生じ
てもマスクとウェハのアライメントを精度良く行うこと
ができ、Ｘ線露光装置による露光精度の向上に寄与する
ことが可能となる。
スクフレームの通電加熱等によりマスクフレームとウェ
ハの温度を独立に制御することによって、マスクとウェ
ハを独立に変形させることができ、ウェハの変形が生じ
てもマスクとウェハのアライメントを精度良く行うこと
ができ、Ｘ線露光装置による露光精度の向上に寄与する
ことが可能となる。
【図１】本発明の一実施形態に係わるＸ線露光装置を示
す概略断面図。
す概略断面図。
【図２】同実施形態におけるマスクとウェハが対峙する
部分の断面図。
部分の断面図。
【図３】同実施形態におけるアライメントマークの配置
を示す模式図。
を示す模式図。
１０…Ｘ線露光用マスク １１…Ｘ線透過薄膜 １２…Ｓｉ基板枠 １３…マスクフレーム １４…マスクステージ １５，２３…媒体流路 １６，１８…恒温ガス吹き出し部 ２０…ウェハ ２１…ウェハステージ ２２…電極 ３０…露光領域 ３１…マーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１Ｍ
Claims (5)
- 【請求項１】薄膜マスク体をマスクフレームで保持した
Ｘ線露光用マスクとウェハを微小ギャップを介して対峙
させ、マスクに形成されたパターンをウェハ上に転写す
るＸ線露光装置において、 前記マスクフレームに導電性を有する材料を使用し、該
マスクフレームを通電加熱することにより、前記ウェハ
とマスクフレームに温度差を付与することを特徴とする
Ｘ線露光装置。 - 【請求項２】Ｘ線吸収体で形成されたデバイスパターン
を有するＸ線透過薄膜を薄膜支持枠で支持した薄膜マス
ク体とウェハを微小ギャップを介して対峙させ、マスク
に形成されたパターンをウェハ上に転写するＸ線露光装
置において、 前記薄膜支持枠を通電加熱することにより、前記ウェハ
と薄膜支持枠に温度差を付与することを特徴とするＸ線
露光装置。 - 【請求項３】薄膜マスク体をフレームで保持したＸ線露
光用マスクとウェハを微小ギャップを介して対峙させ、
マスクに形成されたパターンをウェハ上に転写するＸ線
露光装置において、 前記マスクのフレームとウェハに所定の温度差を付与す
る手段と、前記マスクとウェハが対峙する空間に温度制
御されたガスを流す手段とを具備してなることを特徴と
するＸ線露光装置。 - 【請求項４】薄膜マスク体をマスクフレームで保持した
Ｘ線露光用マスクとウェハを微小ギャップを介して対峙
させ、マスクに形成されたパターンをウェハ上に転写す
るＸ線露光装置において、 前記マスクのウェハと非対峙側に加熱用ランプを設けて
なることを特徴とするＸ線露光装置。 - 【請求項５】Ｘ線透過薄膜上にＸ線吸収体のパターンを
形成した薄膜マスク体と、この薄膜マスク体を保持する
フレームとを具備してなり、 前記フレームは導電性を有する材料で形成され、通電可
能に構成されていることを特徴とするＸ線露光用マス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3906897A JPH10242020A (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | Ｘ線露光装置及びｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3906897A JPH10242020A (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | Ｘ線露光装置及びｘ線露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242020A true JPH10242020A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12542820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3906897A Pending JPH10242020A (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | Ｘ線露光装置及びｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242020A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10451983B2 (en) | 2018-02-23 | 2019-10-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Exposure apparatus and method of fabricating semiconductor device using the same |
-
1997
- 1997-02-24 JP JP3906897A patent/JPH10242020A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10451983B2 (en) | 2018-02-23 | 2019-10-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Exposure apparatus and method of fabricating semiconductor device using the same |
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