JPH10242105A - ウェット処理装置 - Google Patents
ウェット処理装置Info
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- JPH10242105A JPH10242105A JP4579697A JP4579697A JPH10242105A JP H10242105 A JPH10242105 A JP H10242105A JP 4579697 A JP4579697 A JP 4579697A JP 4579697 A JP4579697 A JP 4579697A JP H10242105 A JPH10242105 A JP H10242105A
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- Japan
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- wet processing
- wet
- processing tank
- semiconductor wafer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 洗浄効果の大きいウェット処理槽を有するウ
ェット処理装置を提供する。 【解決手段】 洗浄装置のウェット処理槽の整流板３０
を、テフロン製平板に処理液の流入口３１より流出口３
２の方が広い略円錐台状の噴出孔３０ａを稠密状配列に
より多数配設した構造とする。 【効果】 この洗浄装置を半導体製造装置として用いる
ことで、半導体装置の製造歩留が向上する。
ェット処理装置を提供する。 【解決手段】 洗浄装置のウェット処理槽の整流板３０
を、テフロン製平板に処理液の流入口３１より流出口３
２の方が広い略円錐台状の噴出孔３０ａを稠密状配列に
より多数配設した構造とする。 【効果】 この洗浄装置を半導体製造装置として用いる
ことで、半導体装置の製造歩留が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウェット処理装置に
関し、さらに詳しくは、半導体装置の製造装置で、半導
体ウェハの薬液処理と純水処理等を行う洗浄工程やウェ
ットエッチング工程等で用いられるウェット処理装置の
ウェット処理槽に関する。
関し、さらに詳しくは、半導体装置の製造装置で、半導
体ウェハの薬液処理と純水処理等を行う洗浄工程やウェ
ットエッチング工程等で用いられるウェット処理装置の
ウェット処理槽に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造に使用される半導体製
造装置の一つとして、半導体ウェハの薬液処理と純水処
理等を行う洗浄工程で用いられる洗浄装置や、半導体ウ
ェハのウェットエッチング工程で用いられるウェットエ
ッチング装置等のウェット処理装置がある。この洗浄装
置やウェットエッチング装置には、ウェット処理槽内の
処理液に半導体ウェハを浸漬して、半導体ウェハの洗浄
やエッチングを行う方法をとる装置と、処理液を半導体
ウェハに噴射させながら半導体ウェハの洗浄やエッチン
グを行う方法等を採るウェット処理装置がある。ここで
は、ウェット処理装置として、ウェット処理槽内の処理
液に半導体ウェハを浸漬して、半導体ウェハの洗浄をす
る洗浄装置を例に上げ、図３〜図６を参照して説明す
る。
造装置の一つとして、半導体ウェハの薬液処理と純水処
理等を行う洗浄工程で用いられる洗浄装置や、半導体ウ
ェハのウェットエッチング工程で用いられるウェットエ
ッチング装置等のウェット処理装置がある。この洗浄装
置やウェットエッチング装置には、ウェット処理槽内の
処理液に半導体ウェハを浸漬して、半導体ウェハの洗浄
やエッチングを行う方法をとる装置と、処理液を半導体
ウェハに噴射させながら半導体ウェハの洗浄やエッチン
グを行う方法等を採るウェット処理装置がある。ここで
は、ウェット処理装置として、ウェット処理槽内の処理
液に半導体ウェハを浸漬して、半導体ウェハの洗浄をす
る洗浄装置を例に上げ、図３〜図６を参照して説明す
る。
【０００３】まず、洗浄装置１は、図３に示すように、
ローダ部２、アンローダ部３、搬送用ロボット４、複数
のウェット処理槽５およびスピンドライヤ６等で概略構
成されている。ローダ部２は、洗浄前の半導体ウェハが
設置される場所で、このローダ部２に設置された半導体
ウェハは、搬送用ロボット４で取り出し、ウェット処理
槽５に搬送される。ウェット処理槽５には、洗浄プロセ
スに応じた薬液や純水がそれぞれ供給されており、この
各々のウェット処理槽５間の半導体ウェハの搬送も搬送
用ロボット４により行われる。半導体ウェハのウェット
処理槽５による洗浄プロセスが終了すると、半導体ウェ
ハは搬送用ロボット４によりスピンドライヤ６に搬送さ
れ、ここで半導体ウェハの乾燥処理が行われる。乾燥処
理が終了した半導体ウェハは、搬送用ロボット４により
アンローダ部３に搬送され、このアンローダ部３の半導
体ウェハ設置部に載置される。
ローダ部２、アンローダ部３、搬送用ロボット４、複数
のウェット処理槽５およびスピンドライヤ６等で概略構
成されている。ローダ部２は、洗浄前の半導体ウェハが
設置される場所で、このローダ部２に設置された半導体
ウェハは、搬送用ロボット４で取り出し、ウェット処理
槽５に搬送される。ウェット処理槽５には、洗浄プロセ
スに応じた薬液や純水がそれぞれ供給されており、この
各々のウェット処理槽５間の半導体ウェハの搬送も搬送
用ロボット４により行われる。半導体ウェハのウェット
処理槽５による洗浄プロセスが終了すると、半導体ウェ
ハは搬送用ロボット４によりスピンドライヤ６に搬送さ
れ、ここで半導体ウェハの乾燥処理が行われる。乾燥処
理が終了した半導体ウェハは、搬送用ロボット４により
アンローダ部３に搬送され、このアンローダ部３の半導
体ウェハ設置部に載置される。
【０００４】この洗浄装置１のウェット処理槽５の構造
は、図４に示すように、処理槽部１０と排液受け部２０
とで概略構成されている。処理槽部１０の底部には処理
液を供給する供給配管１１が設けられ、処理槽部１０底
部の上方には、処理槽部１０内での処理液の流れを層流
とするための整流板１２が設けられている。整流板１２
は、処理液を噴出させる噴出孔１２ａが多数設けられた
平板で、この整流板１２の詳細構造を図５に示す。ここ
で、図５（ａ）は整流板１２の概略平面図で、図５
（ｂ）は図５（ａ）のＣ−Ｃ部を拡大した概略断面図で
ある。整流板１２は、図５（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、例えば平坦なテフロン製平板に円筒状の噴出孔１２
ａを等間隔に多数配設した構造となっている。なお、こ
の整流板１２上には、搬送用ロボット４で搬送された半
導体ウェハを載置する半導体ウェハ載置部（図示省略）
が設けられている。
は、図４に示すように、処理槽部１０と排液受け部２０
とで概略構成されている。処理槽部１０の底部には処理
液を供給する供給配管１１が設けられ、処理槽部１０底
部の上方には、処理槽部１０内での処理液の流れを層流
とするための整流板１２が設けられている。整流板１２
は、処理液を噴出させる噴出孔１２ａが多数設けられた
平板で、この整流板１２の詳細構造を図５に示す。ここ
で、図５（ａ）は整流板１２の概略平面図で、図５
（ｂ）は図５（ａ）のＣ−Ｃ部を拡大した概略断面図で
ある。整流板１２は、図５（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、例えば平坦なテフロン製平板に円筒状の噴出孔１２
ａを等間隔に多数配設した構造となっている。なお、こ
の整流板１２上には、搬送用ロボット４で搬送された半
導体ウェハを載置する半導体ウェハ載置部（図示省略）
が設けられている。
【０００５】処理液を供給する供給配管１１より処理液
が処理槽部１０底部より導入されると、この処理液は整
流板１２の噴出孔１２ａより噴出して層流状となって、
処理槽部１０の上方へと流れ、処理槽部１０上部に達し
た処理液は処理槽部１０側壁上端より溢れて、排液受け
部２０に流れ、排液受け部２０底部に設けられた処理液
の排液管２１より排出される。
が処理槽部１０底部より導入されると、この処理液は整
流板１２の噴出孔１２ａより噴出して層流状となって、
処理槽部１０の上方へと流れ、処理槽部１０上部に達し
た処理液は処理槽部１０側壁上端より溢れて、排液受け
部２０に流れ、排液受け部２０底部に設けられた処理液
の排液管２１より排出される。
【０００６】上述したようなウェット処理槽５を有して
構成された洗浄装置１における最も重要なことは洗浄能
力である。この洗浄能力を決めている大きな要因は、ウ
ェット処理槽５における洗浄とスピンドライヤ６におけ
る乾燥である。ウェット処理槽５における洗浄効果を上
げるためには、使用する薬液や純水の純度やこれら処理
液をどのような手順で処理するかという洗浄プロセス等
にもよるが、半導体ウェハ表面に接する処理液の停滞を
無くして、半導体ウェハ表面上方で処理液が均一に置換
される処理液の流れを作ることが重要で、このために多
数の噴出孔１２ａを設けた整流板１２による処理液の層
流を形成している。
構成された洗浄装置１における最も重要なことは洗浄能
力である。この洗浄能力を決めている大きな要因は、ウ
ェット処理槽５における洗浄とスピンドライヤ６におけ
る乾燥である。ウェット処理槽５における洗浄効果を上
げるためには、使用する薬液や純水の純度やこれら処理
液をどのような手順で処理するかという洗浄プロセス等
にもよるが、半導体ウェハ表面に接する処理液の停滞を
無くして、半導体ウェハ表面上方で処理液が均一に置換
される処理液の流れを作ることが重要で、このために多
数の噴出孔１２ａを設けた整流板１２による処理液の層
流を形成している。
【０００７】ウェット処理槽５内の処理液の流れは、半
導体ウェハが半導体ウェハ載置部（図示省略）に載置さ
れた状態で、ウェット処理槽５内の半導体ウェハのある
中央部とウェット処理槽５内の周辺部とでは流速が異な
り、層流状態が悪くなる。そのため、図５に示すような
同一径の噴出孔１２ａを等間隔で配置した整流板１２で
はなく、整流板１２の中央部と周辺部とで噴出孔１２ａ
径を変化させたり、整流板１２の中央部と周辺部とで噴
出孔１２ａの配置間隔を変化させたり、更には整流板１
２の噴出孔１２ａを半導体ウェハに平行するスリット状
に変え、このスリット幅や間隔を変えたりした種々の工
夫も行われている。
導体ウェハが半導体ウェハ載置部（図示省略）に載置さ
れた状態で、ウェット処理槽５内の半導体ウェハのある
中央部とウェット処理槽５内の周辺部とでは流速が異な
り、層流状態が悪くなる。そのため、図５に示すような
同一径の噴出孔１２ａを等間隔で配置した整流板１２で
はなく、整流板１２の中央部と周辺部とで噴出孔１２ａ
径を変化させたり、整流板１２の中央部と周辺部とで噴
出孔１２ａの配置間隔を変化させたり、更には整流板１
２の噴出孔１２ａを半導体ウェハに平行するスリット状
に変え、このスリット幅や間隔を変えたりした種々の工
夫も行われている。
【０００８】しかしながら、上述した円筒状の噴出孔１
２ａの整流板１２を用いたウェット処理槽５による半導
体ウェハの洗浄処理時は、図６に示すように、整流板１
２の噴出孔１２ａ周辺部に処理液の乱流を生じ、この乱
流の影響が整流板１２を通った処理液の層流を乱し、洗
浄する半導体ウェハ面上での均一な層流が得られず、半
導体ウェハの洗浄効果が不充分であるという問題があっ
た。このため、金属汚染や、付着ダストによるパターニ
ング不良等で半導体装置の製造歩留が低下するという問
題が発生する虞があった。
２ａの整流板１２を用いたウェット処理槽５による半導
体ウェハの洗浄処理時は、図６に示すように、整流板１
２の噴出孔１２ａ周辺部に処理液の乱流を生じ、この乱
流の影響が整流板１２を通った処理液の層流を乱し、洗
浄する半導体ウェハ面上での均一な層流が得られず、半
導体ウェハの洗浄効果が不充分であるという問題があっ
た。このため、金属汚染や、付着ダストによるパターニ
ング不良等で半導体装置の製造歩留が低下するという問
題が発生する虞があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したウ
ェット処理槽における問題点を解決することをその目的
とする。即ち本発明の課題は、洗浄効果の大きいウェッ
ト処理槽を有するウェット処理装置を提供することを目
的とする。
ェット処理槽における問題点を解決することをその目的
とする。即ち本発明の課題は、洗浄効果の大きいウェッ
ト処理槽を有するウェット処理装置を提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のウェット処理装
置は、上述の課題を解決するために提案するものであ
り、ウェット処理槽を有するウェット処理装置におい
て、ウェット処理槽内の下方に、流入口より流出口を広
くした噴出孔を多数配設した整流板を設けたことを特徴
とするものである。
置は、上述の課題を解決するために提案するものであ
り、ウェット処理槽を有するウェット処理装置におい
て、ウェット処理槽内の下方に、流入口より流出口を広
くした噴出孔を多数配設した整流板を設けたことを特徴
とするものである。
【００１１】本発明によれば、ウェット処理槽内の下方
に、流入口より流出口を広くした噴出孔を多数配設した
整流板を設けたことで、噴出孔周辺部での処理液の乱流
を大幅に低減させられるので、ウェット処理槽内の処理
液は層流となって被処理基板を処理するため、洗浄効果
が向上する。
に、流入口より流出口を広くした噴出孔を多数配設した
整流板を設けたことで、噴出孔周辺部での処理液の乱流
を大幅に低減させられるので、ウェット処理槽内の処理
液は層流となって被処理基板を処理するため、洗浄効果
が向上する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的実施の形態
例につき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術
の説明で参照した図３、図４、図６中の構成部分と同様
の構成部分には、同一の参照符号を付すものとする。
例につき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術
の説明で参照した図３、図４、図６中の構成部分と同様
の構成部分には、同一の参照符号を付すものとする。
【００１３】実施の形態例１ 本実施の形態例はウェット処理槽を有するウェット処理
装置の一つである洗浄装置に本発明を適用した例であ
り、これを従来例で使用した図３、図４および図６と、
図１を参照して説明する。まず、洗浄装置１の基本構成
は、図３に示す従来例の洗浄装置１とほぼ同様なので、
洗浄装置１の基本構成部の説明は省略する。また、洗浄
装置１内のウェット処理槽５の基本構成も、図４に示す
従来例のウェット処理槽５とほぼ同様なので、ウェット
処理槽５の基本構成部の説明も省略する。
装置の一つである洗浄装置に本発明を適用した例であ
り、これを従来例で使用した図３、図４および図６と、
図１を参照して説明する。まず、洗浄装置１の基本構成
は、図３に示す従来例の洗浄装置１とほぼ同様なので、
洗浄装置１の基本構成部の説明は省略する。また、洗浄
装置１内のウェット処理槽５の基本構成も、図４に示す
従来例のウェット処理槽５とほぼ同様なので、ウェット
処理槽５の基本構成部の説明も省略する。
【００１４】次に、本実施の形態例のウェット処理槽５
の整流板３０は、図１に示すような構造となっている。
ここで、図１（ａ）は整流板３０の概略平面図で、図５
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ部を拡大した概略断面図で
ある。整流板３０は、図１（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、例えばテフロン製平板に処理液の流入口３１より流
出口３２の方が広い噴出孔３０ａ、例えば略円錐台状の
噴出孔３０ａを、例えば稠密状配列により多数配設した
構造となっている。この略円錐台状の噴出孔３０ａの中
心を通る概略断面は図１（ｂ）に示すようになってい
て、噴出孔３０ａ側壁の傾斜が円弧状となっている。な
お、図１に示す整流板３０の噴出孔３０ａ形状の代わり
に、噴出孔の中心を通る概略断面図で噴出孔側壁が直線
となる、所謂円錐台状の噴出孔であってもよい。
の整流板３０は、図１に示すような構造となっている。
ここで、図１（ａ）は整流板３０の概略平面図で、図５
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ部を拡大した概略断面図で
ある。整流板３０は、図１（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、例えばテフロン製平板に処理液の流入口３１より流
出口３２の方が広い噴出孔３０ａ、例えば略円錐台状の
噴出孔３０ａを、例えば稠密状配列により多数配設した
構造となっている。この略円錐台状の噴出孔３０ａの中
心を通る概略断面は図１（ｂ）に示すようになってい
て、噴出孔３０ａ側壁の傾斜が円弧状となっている。な
お、図１に示す整流板３０の噴出孔３０ａ形状の代わり
に、噴出孔の中心を通る概略断面図で噴出孔側壁が直線
となる、所謂円錐台状の噴出孔であってもよい。
【００１５】上述した整流板３０を用いたウェット処理
槽５により半導体ウェハを洗浄すると、図６に示す従来
例のような整流板１２の噴出孔１２ａ周辺部での処理液
の乱流の発生が大幅に少なくなり、洗浄する半導体ウェ
ハ面上での均一な層流が得られ、半導体ウェハの洗浄効
果が向上する。
槽５により半導体ウェハを洗浄すると、図６に示す従来
例のような整流板１２の噴出孔１２ａ周辺部での処理液
の乱流の発生が大幅に少なくなり、洗浄する半導体ウェ
ハ面上での均一な層流が得られ、半導体ウェハの洗浄効
果が向上する。
【００１６】実施の形態例２ 本実施の形態例はウェット処理槽を有するウェット処理
装置の一つである洗浄装置に本発明を適用した例であ
り、これを従来例で使用した図３、図４および図６と、
図２を参照して説明する。まず、洗浄装置の基本構成
は、図３に示す従来例の洗浄装置１とほぼ同様なので、
洗浄装置の基本構成部の説明は省略する。また、洗浄装
置内のウェット処理槽５の基本構成も、図４に示す従来
例のウェット処理槽５とほぼ同様なので、ウェット処理
槽５の基本構成部の説明も省略する。次に、本実施の形
態例のウェット処理槽５の整流板４０は、図２に示すよ
うな構造となっている。ここで、図２（ａ）は整流板４
０の概略平面図で、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ部
を拡大した概略断面図である。
装置の一つである洗浄装置に本発明を適用した例であ
り、これを従来例で使用した図３、図４および図６と、
図２を参照して説明する。まず、洗浄装置の基本構成
は、図３に示す従来例の洗浄装置１とほぼ同様なので、
洗浄装置の基本構成部の説明は省略する。また、洗浄装
置内のウェット処理槽５の基本構成も、図４に示す従来
例のウェット処理槽５とほぼ同様なので、ウェット処理
槽５の基本構成部の説明も省略する。次に、本実施の形
態例のウェット処理槽５の整流板４０は、図２に示すよ
うな構造となっている。ここで、図２（ａ）は整流板４
０の概略平面図で、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ部
を拡大した概略断面図である。
【００１７】整流板４０は、図２（ａ）、（ｂ）に示す
ように、例えば平坦なテフロン製平板に処理液の流入口
４１より流出口４２の方が広い噴出孔４０ａ、例えばウ
ェット処理槽５で処理される半導体ウェハ面に平行な長
辺を持つ略四角錐台状、例えば四角錐台状の噴出孔４０
ａを、例えば縦、横ともに等間隔となる構成で多数配設
した構造となっている。なお、上述した整流板４０の噴
出孔４０ａは、四角錐台状の噴出孔４０ａとしたが、四
角錐台状の噴出孔４０ａの代わりに、噴出孔側壁が円弧
状となる略四角錐台状の噴出孔としてもよい。
ように、例えば平坦なテフロン製平板に処理液の流入口
４１より流出口４２の方が広い噴出孔４０ａ、例えばウ
ェット処理槽５で処理される半導体ウェハ面に平行な長
辺を持つ略四角錐台状、例えば四角錐台状の噴出孔４０
ａを、例えば縦、横ともに等間隔となる構成で多数配設
した構造となっている。なお、上述した整流板４０の噴
出孔４０ａは、四角錐台状の噴出孔４０ａとしたが、四
角錐台状の噴出孔４０ａの代わりに、噴出孔側壁が円弧
状となる略四角錐台状の噴出孔としてもよい。
【００１８】上述した整流板４０を用いたウェット処理
槽５により半導体ウェハを洗浄すると、図６に示す従来
例のような整流板１２の噴出孔１２ａ周辺部での処理液
の乱流の発生が大幅に少なくなり、洗浄する半導体ウェ
ハ面上での均一な層流が得られ、半導体ウェハの洗浄効
果が向上する。
槽５により半導体ウェハを洗浄すると、図６に示す従来
例のような整流板１２の噴出孔１２ａ周辺部での処理液
の乱流の発生が大幅に少なくなり、洗浄する半導体ウェ
ハ面上での均一な層流が得られ、半導体ウェハの洗浄効
果が向上する。
【００１９】以上、本発明を２例の実施の形態例により
説明したが、本発明はこれらの実施の形態例に何ら限定
されるものではない。例えば、本発明の実施の形態例で
は、ウェット処理槽を有するウェット処理装置を洗浄装
置として説明したが、ウェット処理槽を有するウェット
エッチング装置にも適応してもよい。また、本発明の実
施の形態例では、テフロン製の整流板としたが、石英製
やエンビ製の整流板でもよい。更に、本発明の実施の形
態例では、同じ形状の噴出孔を等間隔に多数配設した整
流板を用いて説明したが、整流板上の半導体ウェハ載置
部のある整流板中央部と整流板周辺部とで、噴出孔の大
きさや間隔等を変化させてもよい。
説明したが、本発明はこれらの実施の形態例に何ら限定
されるものではない。例えば、本発明の実施の形態例で
は、ウェット処理槽を有するウェット処理装置を洗浄装
置として説明したが、ウェット処理槽を有するウェット
エッチング装置にも適応してもよい。また、本発明の実
施の形態例では、テフロン製の整流板としたが、石英製
やエンビ製の整流板でもよい。更に、本発明の実施の形
態例では、同じ形状の噴出孔を等間隔に多数配設した整
流板を用いて説明したが、整流板上の半導体ウェハ載置
部のある整流板中央部と整流板周辺部とで、噴出孔の大
きさや間隔等を変化させてもよい。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のウェット処理槽を有するウェット処理装置は、流入口
より流出口を広くした噴出孔を多数配設した整流板を用
いたウェット処理槽で半導体ウェハの洗浄を行うため
に、洗浄効果が大きい。従って、このウェット処理装置
を使用すれば、半導体装置の製造歩留が向上する。
のウェット処理槽を有するウェット処理装置は、流入口
より流出口を広くした噴出孔を多数配設した整流板を用
いたウェット処理槽で半導体ウェハの洗浄を行うため
に、洗浄効果が大きい。従って、このウェット処理装置
を使用すれば、半導体装置の製造歩留が向上する。
【図１】本発明の実施の形態例１のウェット処理槽の整
流板で、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は図１（ａ）のＡ
−Ａ部を拡大した概略断面図である。
流板で、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は図１（ａ）のＡ
−Ａ部を拡大した概略断面図である。
【図２】本発明の実施の形態例２のウェット処理槽の整
流板で、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は図２（ａ）のＢ
−Ｂ部を拡大した概略断面図である。
流板で、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は図２（ａ）のＢ
−Ｂ部を拡大した概略断面図である。
【図３】従来例の洗浄装置の概略図である。
【図４】従来例の洗浄装置のウェット処理槽の概略図で
ある。
ある。
【図５】従来例のウェット処理槽の整流板で、（ａ）は
概略平面図、（ｂ）は図５（ａ）のＣ−Ｃ部を拡大した
概略断面図である。
概略平面図、（ｂ）は図５（ａ）のＣ−Ｃ部を拡大した
概略断面図である。
【図６】従来例のウェット処理槽の整流板の噴出孔から
の処理液の流れを説明する図である。
の処理液の流れを説明する図である。
１…洗浄装置、２…ローダ部、３…アンローダ部、４…
搬送用ロボット、５…ウェット処理槽、６…スピンドラ
イヤ、１０…処理槽部、１１…供給配管、１２，３０，
４０…整流板、１２ａ…噴出孔、２０…排液受け部、２
１…排液管、３１，４１…流入口、３２，４２…流出口
搬送用ロボット、５…ウェット処理槽、６…スピンドラ
イヤ、１０…処理槽部、１１…供給配管、１２，３０，
４０…整流板、１２ａ…噴出孔、２０…排液受け部、２
１…排液管、３１，４１…流入口、３２，４２…流出口
Claims (4)
- 【請求項１】 ウェット処理槽を有するウェット処理装
置において、 前記ウェット処理槽内の下方に、流入口より流出口を広
くした噴出孔を多数配設した整流板を設けたことを特徴
とするウェット処理装置。 - 【請求項２】 前記噴出孔は、略円錐台状であることを
特徴とする、請求項１に記載のウェット処理装置。 - 【請求項３】 前記噴出孔は、稠密状配列にしたことを
特徴とする請求項２に記載のウェット処理装置。 - 【請求項４】 前記噴出孔は、前記ウェット処理槽で処
理される被処理基板面に平行な長辺を持つ略四角錐台状
であることを特徴とする、請求項１に記載のウェット処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4579697A JPH10242105A (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | ウェット処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4579697A JPH10242105A (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | ウェット処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242105A true JPH10242105A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12729249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4579697A Pending JPH10242105A (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | ウェット処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242105A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010070779A (ko) * | 2001-06-07 | 2001-07-27 | 박용석 | 엘씨디기판 세정용 장방형 노즐장치 |
| KR100489654B1 (ko) * | 1998-05-25 | 2005-08-01 | 삼성전자주식회사 | 케미컬 분사노즐용 세정 장치 |
| US7651952B2 (en) | 2007-12-19 | 2010-01-26 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Aerodynamic shapes for wafer structures to reduce damage caused by cleaning processes |
| WO2016009482A1 (ja) * | 2014-07-14 | 2016-01-21 | 細田工業株式会社 | 食材洗浄装置 |
| JP2019030290A (ja) * | 2018-07-24 | 2019-02-28 | 細田工業株式会社 | 食材洗浄装置 |
-
1997
- 1997-02-28 JP JP4579697A patent/JPH10242105A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100489654B1 (ko) * | 1998-05-25 | 2005-08-01 | 삼성전자주식회사 | 케미컬 분사노즐용 세정 장치 |
| KR20010070779A (ko) * | 2001-06-07 | 2001-07-27 | 박용석 | 엘씨디기판 세정용 장방형 노즐장치 |
| US7651952B2 (en) | 2007-12-19 | 2010-01-26 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Aerodynamic shapes for wafer structures to reduce damage caused by cleaning processes |
| WO2016009482A1 (ja) * | 2014-07-14 | 2016-01-21 | 細田工業株式会社 | 食材洗浄装置 |
| CN106535666A (zh) * | 2014-07-14 | 2017-03-22 | 细田工业株式会社 | 食材清洗装置 |
| CN106535666B (zh) * | 2014-07-14 | 2019-11-19 | 细田工业株式会社 | 食材清洗装置 |
| JP2019030290A (ja) * | 2018-07-24 | 2019-02-28 | 細田工業株式会社 | 食材洗浄装置 |
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