JPH10242244A - 多基板処理装置 - Google Patents
多基板処理装置Info
- Publication number
- JPH10242244A JPH10242244A JP10040269A JP4026998A JPH10242244A JP H10242244 A JPH10242244 A JP H10242244A JP 10040269 A JP10040269 A JP 10040269A JP 4026998 A JP4026998 A JP 4026998A JP H10242244 A JPH10242244 A JP H10242244A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chuck
- substrate
- chuck surface
- chamber
- housing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/72—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理装置のフットプリントを増加させること
なく、スループットを増加させる多数枚基板処理装置 【解決手段】デュアルウエハ処理装置（４）は、内部を
画成して、上側、下側、中央部（１８、２０、１６）を
有する、チャンバハウジング（１４）を含む。静電チャ
ック（３４）は、対向する両側に静電チャック面（３
８、４０）を有する。チャックは、チャック面がチャン
バハウジングの上側と下側に面するように、チャンバハ
ウジングの内部へ回動可能に取り付けられる。ウエハ
（３６）がチャック面上に位置決めされた後、静電気力
を利用して、ウエハをチャック面に固定した状態に維持
する。次に、チャックは１８０゜回転され、第２チャッ
ク面上に第２のウエハを配置することを可能にする。２
枚のウエハ処理が同時に行われる。静電チャック面は、
機械的ウエハクランプに代わり得る。
なく、スループットを増加させる多数枚基板処理装置 【解決手段】デュアルウエハ処理装置（４）は、内部を
画成して、上側、下側、中央部（１８、２０、１６）を
有する、チャンバハウジング（１４）を含む。静電チャ
ック（３４）は、対向する両側に静電チャック面（３
８、４０）を有する。チャックは、チャック面がチャン
バハウジングの上側と下側に面するように、チャンバハ
ウジングの内部へ回動可能に取り付けられる。ウエハ
（３６）がチャック面上に位置決めされた後、静電気力
を利用して、ウエハをチャック面に固定した状態に維持
する。次に、チャックは１８０゜回転され、第２チャッ
ク面上に第２のウエハを配置することを可能にする。２
枚のウエハ処理が同時に行われる。静電チャック面は、
機械的ウエハクランプに代わり得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板を処理するた
めの設備に関し、詳細には、１つの処理チャンバ内で２
枚以上の基板の同時処理を、処理チャンバフットプリン
トの対応増加なしに行う方法と装置に関する。
めの設備に関し、詳細には、１つの処理チャンバ内で２
枚以上の基板の同時処理を、処理チャンバフットプリン
トの対応増加なしに行う方法と装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の製作のための半導体ウエハ処
理に使用する技術と装置は数多くのものが周知である。
これらのプロセスを実施するための現行技術水準の製造
施設（fabrication facilities:「fab」として知られて
いる）は、通常、床面積が何千平方フィートに及ぶ「ク
リーンルーム」を内部に有する大型の建造物である。こ
のクリーンルームは、例えば、ウエハ上に導体材料、ま
たは絶縁材料を堆積するための化学的気相推積装置、ド
ーパントをウエハに導入するためのイオン注入装置、ウ
エハを加熱するための炉、ウエハから材料を除去するた
めのプラズマエッチング装置等の設備を含み、内部で種
々の半導体製造プロセスが実行される。
理に使用する技術と装置は数多くのものが周知である。
これらのプロセスを実施するための現行技術水準の製造
施設（fabrication facilities:「fab」として知られて
いる）は、通常、床面積が何千平方フィートに及ぶ「ク
リーンルーム」を内部に有する大型の建造物である。こ
のクリーンルームは、例えば、ウエハ上に導体材料、ま
たは絶縁材料を堆積するための化学的気相推積装置、ド
ーパントをウエハに導入するためのイオン注入装置、ウ
エハを加熱するための炉、ウエハから材料を除去するた
めのプラズマエッチング装置等の設備を含み、内部で種
々の半導体製造プロセスが実行される。
【０００３】今日のクリーンルームは、近来の先駆的な
ものと比較しても、はるかにクリーンであって、クラス
１未満の粒子濃度(particle density）を有することが
しばしばである。そのような低粒子濃度を得るには、ク
リーンルーム内の空気を清浄化するための高価な装置
と、その他あらゆる面での非定常的な配慮が必要であ
る。これらの対策の結果、そのようなクリーンルームの
床面積は不経済なものとなる。一平方フィート当たりの
建設コストは、メンテナンスコストと同様に高い。
ものと比較しても、はるかにクリーンであって、クラス
１未満の粒子濃度(particle density）を有することが
しばしばである。そのような低粒子濃度を得るには、ク
リーンルーム内の空気を清浄化するための高価な装置
と、その他あらゆる面での非定常的な配慮が必要であ
る。これらの対策の結果、そのようなクリーンルームの
床面積は不経済なものとなる。一平方フィート当たりの
建設コストは、メンテナンスコストと同様に高い。
【０００４】集積回路の製造における傾向は、単一ウエ
ハ処理設備を使用することである。単一ウエハ設備にお
いては、１度にウエハを１枚づつ、その上に処理が実行
される。つまり、多数のウエハを保持するカセットから
１枚のウエハが処理チャンバへ導入される。ウエハ上で
必要なプロセスは、チャンバ内で実行され、次に、その
ウエハはチャンバから除去されて、次のウエハが導入さ
れる。通常、そのような単一ウエハ処理チャンバは、チ
ャンバに個々のウエハをロードすることができる中央ロ
ボットの周りに集められている。単一ウエハ処理を使用
することで、現在では普通の直径８インチ（２０ｃ
ｍ）、近い将来には１２インチ（３０ｃｍ）のウエハ全
体にわたり、プロセスをより制御し得るようにすること
によって、より高い歩留まりがもたらされる。単一ウエ
ハシステムによって生み出されるより高い歩留まりによ
り、半導体産業で今日使用される多くの先進的製造設備
にそれらが使用される結果となっている。
ハ処理設備を使用することである。単一ウエハ設備にお
いては、１度にウエハを１枚づつ、その上に処理が実行
される。つまり、多数のウエハを保持するカセットから
１枚のウエハが処理チャンバへ導入される。ウエハ上で
必要なプロセスは、チャンバ内で実行され、次に、その
ウエハはチャンバから除去されて、次のウエハが導入さ
れる。通常、そのような単一ウエハ処理チャンバは、チ
ャンバに個々のウエハをロードすることができる中央ロ
ボットの周りに集められている。単一ウエハ処理を使用
することで、現在では普通の直径８インチ（２０ｃ
ｍ）、近い将来には１２インチ（３０ｃｍ）のウエハ全
体にわたり、プロセスをより制御し得るようにすること
によって、より高い歩留まりがもたらされる。単一ウエ
ハシステムによって生み出されるより高い歩留まりによ
り、半導体産業で今日使用される多くの先進的製造設備
にそれらが使用される結果となっている。
【０００５】そのような単一ウエハ処理チャンバ内で所
望の操作中、ウエハは、ペデスタル、つまりサセプタ上
に維持される。ウエハを所定の位置に保持するために、
静電チャックが時々使用される。静電力を利用して、ウ
エハ(または基板)を所定の場所に保持することによっ
て、いくつかの他のシステムでは使用されている、基板
をチャックへ固定するためのクランプリングの必要性が
なくなる。
望の操作中、ウエハは、ペデスタル、つまりサセプタ上
に維持される。ウエハを所定の位置に保持するために、
静電チャックが時々使用される。静電力を利用して、ウ
エハ(または基板)を所定の場所に保持することによっ
て、いくつかの他のシステムでは使用されている、基板
をチャックへ固定するためのクランプリングの必要性が
なくなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】処理チャンバ内で使用
される静電チャックは、ユニポーラ静電チャックとバイ
ポーラ静電チャックの２つのタイプがある。ユニポーラ
静電チャックは、誘導電荷の静電引力によって、その誘
電被覆面へ、半導体ウエハまたは他の基板を吸引する。
誘導電荷は、電圧をチャックへ印加することにより発生
し、電流接地路としてのウエハ上に、荷電プラズマを発
生させる。ユニポーラ静電チャックの一例は、米国特許
第5,459,632号、発明の名称「静電チャックからのワー
ク開放」、に記載されている。バイポーラ静電チャック
は、プラズマを働かせる必要はない。しかし、これらの
設計と製造はユニポーラチャックより複雑である。バイ
ポーラ静電チャックの一例は、米国特許第5,001,594
号、発明の名称「静電ハンドリング装置」、に記載され
ている。
される静電チャックは、ユニポーラ静電チャックとバイ
ポーラ静電チャックの２つのタイプがある。ユニポーラ
静電チャックは、誘導電荷の静電引力によって、その誘
電被覆面へ、半導体ウエハまたは他の基板を吸引する。
誘導電荷は、電圧をチャックへ印加することにより発生
し、電流接地路としてのウエハ上に、荷電プラズマを発
生させる。ユニポーラ静電チャックの一例は、米国特許
第5,459,632号、発明の名称「静電チャックからのワー
ク開放」、に記載されている。バイポーラ静電チャック
は、プラズマを働かせる必要はない。しかし、これらの
設計と製造はユニポーラチャックより複雑である。バイ
ポーラ静電チャックの一例は、米国特許第5,001,594
号、発明の名称「静電ハンドリング装置」、に記載され
ている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、処理装置のフ
ットプリントを増加させることなく、スループットを増
加させる多数枚基板処理装置と、そのような装置やその
他で使用するための改良静電チャックを指向する。
ットプリントを増加させることなく、スループットを増
加させる多数枚基板処理装置と、そのような装置やその
他で使用するための改良静電チャックを指向する。
【０００８】一実施例において、処理装置は、内部を画
成して第１および第２のハウジング部分を有するチャン
バハウジングを含む。異なる側の第１と第２の静電チャ
ック面を有する静電チャックは、チャック面が第１と第
２のハウジング部分に面するように、チャンバ−ハウジ
ング内を移動可能である。ウエハまたは他の基板がチャ
ック面上に位置決めされた後、静電力を利用してウエハ
がチャック面に固定された状態を維持する。次に チャ
ックは再配向されて、第２のチャック面上への第２のウ
エハの載置を可能にする。ウエハの処理は同時に行われ
る。従来の基板処理チャンバハウジングを改造して、上
側材料プロセス領域と下側材料プロセス領域とを有する
デュアル基板チャンバを製作することは可能である。
成して第１および第２のハウジング部分を有するチャン
バハウジングを含む。異なる側の第１と第２の静電チャ
ック面を有する静電チャックは、チャック面が第１と第
２のハウジング部分に面するように、チャンバ−ハウジ
ング内を移動可能である。ウエハまたは他の基板がチャ
ック面上に位置決めされた後、静電力を利用してウエハ
がチャック面に固定された状態を維持する。次に チャ
ックは再配向されて、第２のチャック面上への第２のウ
エハの載置を可能にする。ウエハの処理は同時に行われ
る。従来の基板処理チャンバハウジングを改造して、上
側材料プロセス領域と下側材料プロセス領域とを有する
デュアル基板チャンバを製作することは可能である。
【０００９】このデュアル基板処理装置の実施例は、従
来の単一基板処理装置よりも大きな利点を提供する。本
発明によって製作されるデュアル基板処理装置は、シス
テムのフットプリント、即ちプロセスチャンバが占有す
る平面床面積を増加させることなく、例えば、７０％か
ら９０％までスループットを増加させることができる。
床面積を増加させることなくスループットを増加させる
ことにより、高価なクリーンルームの面積を、より効率
的に使用できる。ウエハ搬送チャンバ、ロボット、ウエ
ハカセット、ロードロック、ガスパネル等の基板処理シ
ステムの殆どの構成要素への大がかりな改造が不要なの
で、コスト効果は高まる。静電チャックの両側に適合す
るように、共用の電線、冷却チャネル、ヘリウム流チャ
ネルを使用できる。
来の単一基板処理装置よりも大きな利点を提供する。本
発明によって製作されるデュアル基板処理装置は、シス
テムのフットプリント、即ちプロセスチャンバが占有す
る平面床面積を増加させることなく、例えば、７０％か
ら９０％までスループットを増加させることができる。
床面積を増加させることなくスループットを増加させる
ことにより、高価なクリーンルームの面積を、より効率
的に使用できる。ウエハ搬送チャンバ、ロボット、ウエ
ハカセット、ロードロック、ガスパネル等の基板処理シ
ステムの殆どの構成要素への大がかりな改造が不要なの
で、コスト効果は高まる。静電チャックの両側に適合す
るように、共用の電線、冷却チャネル、ヘリウム流チャ
ネルを使用できる。
【００１０】重要なことは、一旦、基板が静電チャック
にチャックされると、ウエハがチャック状態にある間
は、チャックへの電圧を遮断できることである。つま
り、ウエハをチャックに保持する静電荷は、チャックの
電源( と、ユニポーラ静電チャック用プラズマを生成す
る誘導コイルの電源 )が遮断されていても残存する。こ
れにより、チャックの再配向、つまり通常は、１８０度
回転されてウエハを受け取るのに適切な配向に各チャッ
ク面を位置決めすることが可能になる。
にチャックされると、ウエハがチャック状態にある間
は、チャックへの電圧を遮断できることである。つま
り、ウエハをチャックに保持する静電荷は、チャックの
電源( と、ユニポーラ静電チャック用プラズマを生成す
る誘導コイルの電源 )が遮断されていても残存する。こ
れにより、チャックの再配向、つまり通常は、１８０度
回転されてウエハを受け取るのに適切な配向に各チャッ
ク面を位置決めすることが可能になる。
【００１１】本発明では、静電チャックを使用するのが
好ましい。しかし、機械的基板クランプアセンブリを使
用してスループットを増加させることも可能である。
好ましい。しかし、機械的基板クランプアセンブリを使
用してスループットを増加させることも可能である。
【００１２】即ち、本発明に従った複数基板処理の装置
は、空間を仕切って内部を形成し、第１のハウジング部
分と第２のハウジング部分とを備えるチャンバハウジン
グと、 第１のチャック面と、第２のチャック面と、こ
れらチャック面上に基板を保持するための基板保持手段
とを備えるチャック組立体と、を備え、チャンバハウジ
ングは、チャンバハウジングの内部へのアクセスを与え
て基板をチャンバハウジングの内部に出し入れするため
の基板アクセス部を備え、第１のハウジング部分は第１
の材料処理領域を、第２のハウジング部分は第２の材料
処理領域を、それぞれ備え、これら材料処理領域の構成
は、第１のチャック面上と第２のチャック面上とに保持
された基板を同時に処理するような構成で与えられる装
置である。ここで、第１のチャック面と第２のチャック
面が静電チャック面であり、基板保持手段が静電保持手
段を備えていてもよく、また、チャックが、第１の方向
と第２の方向の間で運動するようにチャンバ内に載置さ
れ、第１の方向とは第１のチャック面が第１のハウジン
グ部分に面する場合の方向であり、第２の方向とは第２
のチャック面が第２のハウジング部分に面する場合の方
向であってもよい。また、第１のハウジング部分が上側
のハウジング部分であり、第２のハウジング部分が下側
のハウジング部分であり、第１の材料処理領域が上側の
材料処理領域であり、第２の材料処理領域が下側の材料
処理領域であってもよく、チャック組立体が基板リフト
組立体を備え、基板リフト組立体は、基板と係合するこ
とができる基板リフト部を備えていてもよい。また、基
板リフト組立体が、第１のチャック面と第２のチャック
面を貫通する複数のリフトピンを備えていてもよい。ま
た、チャンバハウジングが堆積チャンバハウジングであ
ってもよく、第１の材料処理領域が第１の高密度プラズ
マＣＶＤ堆積チャンバ（ＨＤＰ−ＣＶＤ堆積チャンバ）
を備え、第２の材料処理領域が第２の高密度プラズマＣ
ＶＤ堆積チャンバを備えていてもよい。また、第１の材
料処理領域が第１の誘電ドームを備え、第２の材料処理
領域が第２の誘電ドームを備え、チャンバハウジングが
第１の誘電ドーム及び第２の誘電ドームと接続する中央
部分を有していてもよく、第１の方向と第２の方向の間
の軸の周りに１８０゜回転するように、チャックが載置
されてもよい。また、チャックがユニポーラ静電チャッ
クであってもよく、第１のチャック面及び第２のチャッ
ク面が誘電面であってもよい。
は、空間を仕切って内部を形成し、第１のハウジング部
分と第２のハウジング部分とを備えるチャンバハウジン
グと、 第１のチャック面と、第２のチャック面と、こ
れらチャック面上に基板を保持するための基板保持手段
とを備えるチャック組立体と、を備え、チャンバハウジ
ングは、チャンバハウジングの内部へのアクセスを与え
て基板をチャンバハウジングの内部に出し入れするため
の基板アクセス部を備え、第１のハウジング部分は第１
の材料処理領域を、第２のハウジング部分は第２の材料
処理領域を、それぞれ備え、これら材料処理領域の構成
は、第１のチャック面上と第２のチャック面上とに保持
された基板を同時に処理するような構成で与えられる装
置である。ここで、第１のチャック面と第２のチャック
面が静電チャック面であり、基板保持手段が静電保持手
段を備えていてもよく、また、チャックが、第１の方向
と第２の方向の間で運動するようにチャンバ内に載置さ
れ、第１の方向とは第１のチャック面が第１のハウジン
グ部分に面する場合の方向であり、第２の方向とは第２
のチャック面が第２のハウジング部分に面する場合の方
向であってもよい。また、第１のハウジング部分が上側
のハウジング部分であり、第２のハウジング部分が下側
のハウジング部分であり、第１の材料処理領域が上側の
材料処理領域であり、第２の材料処理領域が下側の材料
処理領域であってもよく、チャック組立体が基板リフト
組立体を備え、基板リフト組立体は、基板と係合するこ
とができる基板リフト部を備えていてもよい。また、基
板リフト組立体が、第１のチャック面と第２のチャック
面を貫通する複数のリフトピンを備えていてもよい。ま
た、チャンバハウジングが堆積チャンバハウジングであ
ってもよく、第１の材料処理領域が第１の高密度プラズ
マＣＶＤ堆積チャンバ（ＨＤＰ−ＣＶＤ堆積チャンバ）
を備え、第２の材料処理領域が第２の高密度プラズマＣ
ＶＤ堆積チャンバを備えていてもよい。また、第１の材
料処理領域が第１の誘電ドームを備え、第２の材料処理
領域が第２の誘電ドームを備え、チャンバハウジングが
第１の誘電ドーム及び第２の誘電ドームと接続する中央
部分を有していてもよく、第１の方向と第２の方向の間
の軸の周りに１８０゜回転するように、チャックが載置
されてもよい。また、チャックがユニポーラ静電チャッ
クであってもよく、第１のチャック面及び第２のチャッ
ク面が誘電面であってもよい。
【００１３】また、本発明に従った２基板静電チャック
組立体は、１つの面に第１のチャック面を、これと別の
面に第２のチャック面を有する静電チャックと、チャッ
ク面のいずれに隣接して配置された基板に対しても係合
可能な基板リフト部を備える基板リフト組立体とを備え
ている。ここで、この組立体は、チャックの角度方向を
変えて配置させるためのチャックローテータを更に備え
ていてもよい。
組立体は、１つの面に第１のチャック面を、これと別の
面に第２のチャック面を有する静電チャックと、チャッ
ク面のいずれに隣接して配置された基板に対しても係合
可能な基板リフト部を備える基板リフト組立体とを備え
ている。ここで、この組立体は、チャックの角度方向を
変えて配置させるためのチャックローテータを更に備え
ていてもよい。
【００１４】一方、本発明に従って基板を処理する方法
は、チャンバハウジングと、チャンバハウジングの中に
収容され第１のチャック面と第２のチャック面とを有す
るチャックとを備える基板処理装置を複数与える装置の
ステップと、第１のチャック面には第１の基板を、第２
のチャック面には第２の基板を、それぞれ載置する載置
のステップと、第１の基板と第２の基板を同時処理する
同時処理のステップとを有している。ここで、載置のス
テップが、第１のチャック面が上を向くようにチャック
の方向を与える第１方向付与工程と、上を向いたチャッ
クの第１のチャック面の上に、第１の基板を配置する工
程と、第２のチャック面が上を向くようにチャックの方
向を与える第２方向付与工程と、第２方向付与工程開始
の前、第２方向付与工程の最中及び付与工程の終了後、
第１のチャック面に第１の基板を静電力により保持する
第１基板保持工程と、上を向いた第２のチャック面の上
に、第２の基板を配置する工程と、第２の基板を第２の
チャック面に静電力により保持する第２基板保持工程と
を有していてもよい。また、装置のステップが、ユニポ
ーラ静電チャックを選択する工程を更に有していてもよ
く、第１基板保持工程が、チャックに電位を印加する工
程を有していてもよい。また、第２方向付与工程の前又
は第２方向付与工程の最中に、電位を除去する工程を更
に有していてもよく、同時のステップが堆積のステップ
であってもよい。また、堆積のステップが高密度プラズ
マＣＶＤ堆積のステップであってもよく、装置のステッ
プが、第１のチャック面と第２のチャック面をそれぞれ
反対側に有するチャックで行われていてもよい。
は、チャンバハウジングと、チャンバハウジングの中に
収容され第１のチャック面と第２のチャック面とを有す
るチャックとを備える基板処理装置を複数与える装置の
ステップと、第１のチャック面には第１の基板を、第２
のチャック面には第２の基板を、それぞれ載置する載置
のステップと、第１の基板と第２の基板を同時処理する
同時処理のステップとを有している。ここで、載置のス
テップが、第１のチャック面が上を向くようにチャック
の方向を与える第１方向付与工程と、上を向いたチャッ
クの第１のチャック面の上に、第１の基板を配置する工
程と、第２のチャック面が上を向くようにチャックの方
向を与える第２方向付与工程と、第２方向付与工程開始
の前、第２方向付与工程の最中及び付与工程の終了後、
第１のチャック面に第１の基板を静電力により保持する
第１基板保持工程と、上を向いた第２のチャック面の上
に、第２の基板を配置する工程と、第２の基板を第２の
チャック面に静電力により保持する第２基板保持工程と
を有していてもよい。また、装置のステップが、ユニポ
ーラ静電チャックを選択する工程を更に有していてもよ
く、第１基板保持工程が、チャックに電位を印加する工
程を有していてもよい。また、第２方向付与工程の前又
は第２方向付与工程の最中に、電位を除去する工程を更
に有していてもよく、同時のステップが堆積のステップ
であってもよい。また、堆積のステップが高密度プラズ
マＣＶＤ堆積のステップであってもよく、装置のステッ
プが、第１のチャック面と第２のチャック面をそれぞれ
反対側に有するチャックで行われていてもよい。
【００１５】本発明の他の特徴と利点は、添付図面とと
もに好ましい実施例を詳細に述べた下記説明から明らか
になるだろう
もに好ましい実施例を詳細に述べた下記説明から明らか
になるだろう
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、マルチチャンバ基板処理
システム２を示し、ここで、４基のデュアル基板処理装
置４が、共用基板操作ロボット８を格納する多角形ウエ
ハ搬送チャンバ６とともに使用される。ロボット８は、
通常は、半導体ウエハである基板７を移動させて、処理
チャンバへ搬入、搬出するとともに、ロードロック１３
に格納される上下移動可能なウエハカセット９へ搬入、
搬出するよう作動する。ロードロック１３は、扉１５と
１７を有して、ロボット８による扉１５を介したウエハ
７へアクセス、そして扉１７を介したウエハカセット９
へのアクセスが可能となる。単一ウエハ処理システムの
例は、米国特許第4,951,601号、発明の名称「マルチチ
ャンバ統合プロセスシステム」と、米国特許第5,003,11
3号、発明の名称「二酸化シリコンのサーマル化学気相
堆積のためのサーマルＣＶＤ／ＰＥＣＶＤリアクタおよ
び、そこでのマルチステップ平面化プロセス」に開示さ
れている。多数枚ウエハ処理システムの一例が、1996年
4月30日出願の、米国特許出願第08/644,636 号、発明の
名称「マルチデッキウエハ処理システム」で開示されて
いる。
システム２を示し、ここで、４基のデュアル基板処理装
置４が、共用基板操作ロボット８を格納する多角形ウエ
ハ搬送チャンバ６とともに使用される。ロボット８は、
通常は、半導体ウエハである基板７を移動させて、処理
チャンバへ搬入、搬出するとともに、ロードロック１３
に格納される上下移動可能なウエハカセット９へ搬入、
搬出するよう作動する。ロードロック１３は、扉１５と
１７を有して、ロボット８による扉１５を介したウエハ
７へアクセス、そして扉１７を介したウエハカセット９
へのアクセスが可能となる。単一ウエハ処理システムの
例は、米国特許第4,951,601号、発明の名称「マルチチ
ャンバ統合プロセスシステム」と、米国特許第5,003,11
3号、発明の名称「二酸化シリコンのサーマル化学気相
堆積のためのサーマルＣＶＤ／ＰＥＣＶＤリアクタおよ
び、そこでのマルチステップ平面化プロセス」に開示さ
れている。多数枚ウエハ処理システムの一例が、1996年
4月30日出願の、米国特許出願第08/644,636 号、発明の
名称「マルチデッキウエハ処理システム」で開示されて
いる。
【００１７】図２は、デュアル基板処理装置を、コント
ローラ10、ライン12、種々の外部ソースおよび要素とと
もに図示する。図２で示すように、処理装置４とロボッ
ト８は、コントローラ10によって制御され、このコント
ローラは、コンピュータ読取可能媒体に記憶されたコン
ピュータプログラムの制御のもとで作動する。コンピュ
ータプログラムは、特定プロセスの、タイミング、ガス
の混合、チャンバ圧力、温度、RF出力レベル、その他の
パラメータを指示する。発明者Kramandhati V.RaviとMa
ciek Orczykによる、1996年9月12日に出願された標題
「多重シール層の使用によるハロゲンドープ膜の安定化
方法と装置」の米国特許出願には、典型的なコントロー
ラ１０とコンピュータプログラムの補足的詳細が記載さ
れている。様々な処理装置４とロボット８は、通信媒
体、例えば、導体ライン、データバス、またはその他の
手段によってコントローラ１０へ結合される。
ローラ10、ライン12、種々の外部ソースおよび要素とと
もに図示する。図２で示すように、処理装置４とロボッ
ト８は、コントローラ10によって制御され、このコント
ローラは、コンピュータ読取可能媒体に記憶されたコン
ピュータプログラムの制御のもとで作動する。コンピュ
ータプログラムは、特定プロセスの、タイミング、ガス
の混合、チャンバ圧力、温度、RF出力レベル、その他の
パラメータを指示する。発明者Kramandhati V.RaviとMa
ciek Orczykによる、1996年9月12日に出願された標題
「多重シール層の使用によるハロゲンドープ膜の安定化
方法と装置」の米国特許出願には、典型的なコントロー
ラ１０とコンピュータプログラムの補足的詳細が記載さ
れている。様々な処理装置４とロボット８は、通信媒
体、例えば、導体ライン、データバス、またはその他の
手段によってコントローラ１０へ結合される。
【００１８】図３で、より詳細に示される処理装置４
は、側壁１６と、側壁１６で繋がった上側および下側ド
ーム型部分１８、２０とを含んで内部に上側と下側の材
料処理領域２２、２４とを画成するチャンバハウジング
１４を備える。部分１８、２０は、誘電ドーム構造体で
あって、通常は、Ａｌ2Ｏ3 、クォーツ、またはＡｌＮ
で造られるが、側壁はアルミニウムで造られる。処理装
置4は、側壁16から内側に向かって延在する、上側と下
側の多数のガスインレット２６と２８と、上側と下側ド
ーム型部分１８、２０から内方に延在する上側と下側の
中央ガスインレット３０、３２とを備える。ガスインレ
ット２６〜３２には、一種類またはそれ以上のプロセス
ガスが（図２に示す )プロセスガスソース３３によって
供給される。1996年5月13日に出願され、同様に譲渡さ
れた、米国特許出願第08/647,619号、発明の名称「低誘
電膜のための推積チャンバおよび堆積方法」で、ガスイ
ンレット２６〜３２の使用と配置が検討されている。
は、側壁１６と、側壁１６で繋がった上側および下側ド
ーム型部分１８、２０とを含んで内部に上側と下側の材
料処理領域２２、２４とを画成するチャンバハウジング
１４を備える。部分１８、２０は、誘電ドーム構造体で
あって、通常は、Ａｌ2Ｏ3 、クォーツ、またはＡｌＮ
で造られるが、側壁はアルミニウムで造られる。処理装
置4は、側壁16から内側に向かって延在する、上側と下
側の多数のガスインレット２６と２８と、上側と下側ド
ーム型部分１８、２０から内方に延在する上側と下側の
中央ガスインレット３０、３２とを備える。ガスインレ
ット２６〜３２には、一種類またはそれ以上のプロセス
ガスが（図２に示す )プロセスガスソース３３によって
供給される。1996年5月13日に出願され、同様に譲渡さ
れた、米国特許出願第08/647,619号、発明の名称「低誘
電膜のための推積チャンバおよび堆積方法」で、ガスイ
ンレット２６〜３２の使用と配置が検討されている。
【００１９】より詳細にわたって以下検討するように、
プロセス装置４は、チャンバハウジング１４内へ回動可
能に取り付けられて、１８０度離れた配向間を移動する
両面静電チャック３４も備える。チャック３４は、一対
の基板７、即ちその二つのチャック面３８、４０の上に
一つずつの基板を支持する。装置４は、チャンバハウジ
ング１４に取り付けられたチャック回転装置４２も含
み、この回転装置は、チャンバハウジング１４内でチャ
ック３４を支持するための支持軸４４を含んでいる。チ
ャック回転装置４２は、チャック３４を、２個所の回転
配向の何れかに位置決めするために使用される。これに
より、面３８、４０は、上側の材料プロセス領域２２、
または下側の材料プロセス領域２４の何れかに面するこ
とが可能となる。
プロセス装置４は、チャンバハウジング１４内へ回動可
能に取り付けられて、１８０度離れた配向間を移動する
両面静電チャック３４も備える。チャック３４は、一対
の基板７、即ちその二つのチャック面３８、４０の上に
一つずつの基板を支持する。装置４は、チャンバハウジ
ング１４に取り付けられたチャック回転装置４２も含
み、この回転装置は、チャンバハウジング１４内でチャ
ック３４を支持するための支持軸４４を含んでいる。チ
ャック回転装置４２は、チャック３４を、２個所の回転
配向の何れかに位置決めするために使用される。これに
より、面３８、４０は、上側の材料プロセス領域２２、
または下側の材料プロセス領域２４の何れかに面するこ
とが可能となる。
【００２０】ハウジング１４は、上側と下側のドーム型
部分１８、２０の周囲に配置されて、一つ、またはそれ
以上のソースＲＦ発生器５６（図２参照）に連結される
ＲＦ誘導コイル４８，５０５２５４も含む。コイル４
８、５０、５２、５４に印加されるＲＦパワーは、ガス
インレット２６〜３２を介して上側と下側の材料プロセ
ス領域２２、２４へ導入されるプロセスガスからプラズ
マを形成する。
部分１８、２０の周囲に配置されて、一つ、またはそれ
以上のソースＲＦ発生器５６（図２参照）に連結される
ＲＦ誘導コイル４８，５０５２５４も含む。コイル４
８、５０、５２、５４に印加されるＲＦパワーは、ガス
インレット２６〜３２を介して上側と下側の材料プロセ
ス領域２２、２４へ導入されるプロセスガスからプラズ
マを形成する。
【００２１】図４に示すように、チャンバハウジング１
４は、チャックと、その上にあって上側材料プロセス領
域３２に面する任意の基板とにアクセスできるように位
置決めされたスリットバルブ４６を含む。これにより、
従来の方法でロボット８によるマニプレーションが可能
となる。
４は、チャックと、その上にあって上側材料プロセス領
域３２に面する任意の基板とにアクセスできるように位
置決めされたスリットバルブ４６を含む。これにより、
従来の方法でロボット８によるマニプレーションが可能
となる。
【００２２】装置４は、一対のゲートバルブ６２と一対
のスロットルバルブ６４とを介して、一対のターボポン
プ６０をハウジング１４の内側に結合する一対の真空ア
ウトレット５８も含む。２組の真空発生ターボポンプ６
０の使用により、装置４を急速に真空化して、より効率
的な操作をするのに有効である。加えて、図１Ａに示す
ように、プロセス装置４は、洗浄ポート６６を含む。こ
のポートは、チャンバ内へ圧送される洗浄ガス、例え
ば、フッ素含有プラズマを遠隔的に発生する洗浄ガスソ
ース６８に連結させることができる。これは、通常、所
望回数のウエハ処理サイクルを行うことによって、チャ
ンバ内から堆積を除去した後に行う。代替として、ノズ
ル２６〜３２を介して洗浄ガスを導入することが可能で
あり、また他のタイプの洗浄ガスを使用することもでき
る。
のスロットルバルブ６４とを介して、一対のターボポン
プ６０をハウジング１４の内側に結合する一対の真空ア
ウトレット５８も含む。２組の真空発生ターボポンプ６
０の使用により、装置４を急速に真空化して、より効率
的な操作をするのに有効である。加えて、図１Ａに示す
ように、プロセス装置４は、洗浄ポート６６を含む。こ
のポートは、チャンバ内へ圧送される洗浄ガス、例え
ば、フッ素含有プラズマを遠隔的に発生する洗浄ガスソ
ース６８に連結させることができる。これは、通常、所
望回数のウエハ処理サイクルを行うことによって、チャ
ンバ内から堆積を除去した後に行う。代替として、ノズ
ル２６〜３２を介して洗浄ガスを導入することが可能で
あり、また他のタイプの洗浄ガスを使用することもでき
る。
【００２３】図５は、チャック３４を断面略図で示す。
チャック３４は、チャック本体７０を含み、このチャッ
ク本体は、その内部に形成されて支持軸４４の中空内部
に整列する中央通路７２を有する。チャック本体７０は
略円筒形状を成し、装置４に２個の静電チャックを提供
する。チャック面３８、４０は、円形であり、誘電体層
７４、７６によって生成されるが、これらの誘電体層
は、通常、厚さ約５〜１０ミルで溶射されたＡｌ2Ｏ3で
できていて、通常、アルミニウムまたはセラミックのチ
ャック本体７０の対向する両側を覆う。チャック本体７
０は、水冷チャネル７８と、ヘリウムチャネル８０とを
含む。ヘリウムチャネルは、チャック面３８、４０上で
開口し、ウエハ７とチャック面３８、４０との間の高熱
移送を確実なものにする。チャック本体７０は、支持軸
４４を通る電線８４によってバイアスＲＦソース８２
（図２）へ連結される。ヘリウムは、ヘリウムソース８
６（図２）から、ヘリウムライン８８によって支持軸４
４の内側を通って供給される。冷却水は、冷却ソース９
０から、軸４４を通る冷却液ライン９２に沿って冷却チ
ャネル７８へ送られる。
チャック３４は、チャック本体７０を含み、このチャッ
ク本体は、その内部に形成されて支持軸４４の中空内部
に整列する中央通路７２を有する。チャック本体７０は
略円筒形状を成し、装置４に２個の静電チャックを提供
する。チャック面３８、４０は、円形であり、誘電体層
７４、７６によって生成されるが、これらの誘電体層
は、通常、厚さ約５〜１０ミルで溶射されたＡｌ2Ｏ3で
できていて、通常、アルミニウムまたはセラミックのチ
ャック本体７０の対向する両側を覆う。チャック本体７
０は、水冷チャネル７８と、ヘリウムチャネル８０とを
含む。ヘリウムチャネルは、チャック面３８、４０上で
開口し、ウエハ７とチャック面３８、４０との間の高熱
移送を確実なものにする。チャック本体７０は、支持軸
４４を通る電線８４によってバイアスＲＦソース８２
（図２）へ連結される。ヘリウムは、ヘリウムソース８
６（図２）から、ヘリウムライン８８によって支持軸４
４の内側を通って供給される。冷却水は、冷却ソース９
０から、軸４４を通る冷却液ライン９２に沿って冷却チ
ャネル７８へ送られる。
【００２４】装置４は、リフトピンアクチュエータ９４
も含む。リフトピンアクチュエータ９４は、チャック本
体７０内に形成される穴１００、１０２内に格納される
リフトピン９６、９８を選択的に昇降させる。リフトピ
ン９６、９８は、図５の後退位置から上昇位置に移動さ
れて、ウエハ７を、関連するチャック面３８、４０から
持ち上げることによって、ロボットによるウエハ７のハ
ンドリングを可能にする。アクチュエータ９４は、従来
型のリフトピンアクチュエータである。
も含む。リフトピンアクチュエータ９４は、チャック本
体７０内に形成される穴１００、１０２内に格納される
リフトピン９６、９８を選択的に昇降させる。リフトピ
ン９６、９８は、図５の後退位置から上昇位置に移動さ
れて、ウエハ７を、関連するチャック面３８、４０から
持ち上げることによって、ロボットによるウエハ７のハ
ンドリングを可能にする。アクチュエータ９４は、従来
型のリフトピンアクチュエータである。
【００２５】好ましい実施例において、静電チャックは
ユニポーラチャックである。半導体ウエハ７は、チャッ
ク本体７０に電圧を印可して上側の材料プロセス領域２
２内で荷電プラズマを発生させることによって生成され
る誘導電荷の静電引力によって、チャック面３８に誘引
されて、固定される。つまり、プラズマは、ユニポーラ
チャックのための電流接地路として作用する。静電力を
利用してウエハを所定の位置に保持することにより、機
械的クランピング機構のクランプリングの必要性は無く
なるが、さもなくば、このクランプリングは、特に、下
側プロセスチャンバ内のウエハには必要であろう。誘導
静電力は、パワーがコイル５０〜５４（図３と図４）か
ら除去され、チャック本体７０への電気がバイアスＲＦ
発生器８２を切ることによって除去された後でも、ウエ
ハ７を、チャック面３８へ固定し続ける。チャック本体
７０が早まって接地されない限り、ウエハ７は、ある時
間、例えば２時間は、面３８に固定されたままである
が、この時間は、チャック本体７０からの電荷リーク速
度に依存する。これにより、チャック回転装置４２（図
２と図３）は、第１チャック面が下方に面し、第２チャ
ック面４０が上方に面するように第１チャック面３８を
再配向する。、その後、第２のウエハ７を、第２チャッ
ク面４０に取り付け可能となるが、ここでは、第２チャ
ック面は上方に面するチャック面である。
ユニポーラチャックである。半導体ウエハ７は、チャッ
ク本体７０に電圧を印可して上側の材料プロセス領域２
２内で荷電プラズマを発生させることによって生成され
る誘導電荷の静電引力によって、チャック面３８に誘引
されて、固定される。つまり、プラズマは、ユニポーラ
チャックのための電流接地路として作用する。静電力を
利用してウエハを所定の位置に保持することにより、機
械的クランピング機構のクランプリングの必要性は無く
なるが、さもなくば、このクランプリングは、特に、下
側プロセスチャンバ内のウエハには必要であろう。誘導
静電力は、パワーがコイル５０〜５４（図３と図４）か
ら除去され、チャック本体７０への電気がバイアスＲＦ
発生器８２を切ることによって除去された後でも、ウエ
ハ７を、チャック面３８へ固定し続ける。チャック本体
７０が早まって接地されない限り、ウエハ７は、ある時
間、例えば２時間は、面３８に固定されたままである
が、この時間は、チャック本体７０からの電荷リーク速
度に依存する。これにより、チャック回転装置４２（図
２と図３）は、第１チャック面が下方に面し、第２チャ
ック面４０が上方に面するように第１チャック面３８を
再配向する。、その後、第２のウエハ７を、第２チャッ
ク面４０に取り付け可能となるが、ここでは、第２チャ
ック面は上方に面するチャック面である。
【００２６】図６は、システム２の操作に伴うステップ
を図示するフローチャートである。図６におけるステッ
プは文字で表示される一方、構成要素は数字で引用され
る。
を図示するフローチャートである。図６におけるステッ
プは文字で表示される一方、構成要素は数字で引用され
る。
【００２７】面３８上へのウエハ７の位置決めは、扉１
５とスリットバルブ４６とを開くことにより、通常の方
法（ステップＡ）で行われる。次に、ロボット８は、ウ
エハカセット９からウエハ７を除去し、チャック面３８
の上方中央にウエハ７を位置決めし、リフトピン９６を
上昇させてウエハ７を上昇させ、ロボットアームから離
し、次にスリットバルブを介してロボットアームを除去
し、リフトピン９６を下げる（ステップＢ）。扉１５と
スリットバルブ４６が閉じる（ステップＣ）。次に、活
性プロセスガス、および／または不活性ガスを含むガス
を、ノズル２６〜３２を介して導入する（ステップ
Ｄ）。ウエハ７を面３８上に位置決めした状態で、バイ
アスＲＦ発生器８２は、チャック本体７０に電気を供給
し、ソースＲＦ発生器５６は、ＲＦエネルギを誘導コイ
ル４８、５２に供給して、領域２２内に所望のプラズマ
を発生させる（ステップＥ）。一旦、所望のプラズマが
発生すると、ウエハ７は、ウエハ上に誘導される電荷に
よって、面３８に固定される。チャック本体７０へのパ
ワーが除去され、コイル４８、５０へのＲＦエネルギが
除去されてプラズマが消滅する（ステップＦ）。チャッ
ク回転装置４２が作動してチャック３４を１８０度回転
させ、チャック面３８、４０の配向を逆転させる（ステ
ップＧ）。次に、プロセスガスがハウジング１４から除
去される（ステップＨ）。チャック面４０を、今度は上
側領域２２に面する状態にして、ウエハ７を位置決めす
る上記プロセスを繰り返す（ステップＩ）。
５とスリットバルブ４６とを開くことにより、通常の方
法（ステップＡ）で行われる。次に、ロボット８は、ウ
エハカセット９からウエハ７を除去し、チャック面３８
の上方中央にウエハ７を位置決めし、リフトピン９６を
上昇させてウエハ７を上昇させ、ロボットアームから離
し、次にスリットバルブを介してロボットアームを除去
し、リフトピン９６を下げる（ステップＢ）。扉１５と
スリットバルブ４６が閉じる（ステップＣ）。次に、活
性プロセスガス、および／または不活性ガスを含むガス
を、ノズル２６〜３２を介して導入する（ステップ
Ｄ）。ウエハ７を面３８上に位置決めした状態で、バイ
アスＲＦ発生器８２は、チャック本体７０に電気を供給
し、ソースＲＦ発生器５６は、ＲＦエネルギを誘導コイ
ル４８、５２に供給して、領域２２内に所望のプラズマ
を発生させる（ステップＥ）。一旦、所望のプラズマが
発生すると、ウエハ７は、ウエハ上に誘導される電荷に
よって、面３８に固定される。チャック本体７０へのパ
ワーが除去され、コイル４８、５０へのＲＦエネルギが
除去されてプラズマが消滅する（ステップＦ）。チャッ
ク回転装置４２が作動してチャック３４を１８０度回転
させ、チャック面３８、４０の配向を逆転させる（ステ
ップＧ）。次に、プロセスガスがハウジング１４から除
去される（ステップＨ）。チャック面４０を、今度は上
側領域２２に面する状態にして、ウエハ７を位置決めす
る上記プロセスを繰り返す（ステップＩ）。
【００２８】両チャック面３８、４０に取り付けられる
ウエハ７は、同時処理される（ステップＪ）。次に、プ
ロセスガスがチャンバハウジング１４から除去され（ス
テップＫ）、スリットバルブ４６が開く（ステップ
Ｌ）。残留誘導電荷により、チャック本体７０と誘導コ
イル４８〜５４へのパワーが除去されても、ウエハ７は
面３８、４０に固定されたままである。次に、一番上の
ウエハ７がリフトピン１００と接触し、それにより、ウ
エハが接地することとなり、その結果、リフトピンがウ
エハ７をチャック面４０上方に容易に上昇させることが
可能となる。これにより、ロボット８からのロボットア
ームを、持ち上げられたウエハの下に挿入することが可
能となる。次に、ピン１００が後退させられることによ
って、ウエハ７がロボットアーム上へ落とされ、その上
に載置される。次に、ウエハ７は、ロボットアームによ
ってスリットバルブ４６を介して除去され、ウエハカセ
ット９へ戻されるか、または、別のチャンバハウジング
１４内に配置される（ステップＭ）。次に、チャック回
転装置４２が操作されて、チャック３４を１８０度回転
させ、それによって、第１チャック面３８を、上方に面
するように再位置決めする（ステップＮ）。上記のプロ
セスステップＭは、繰り返され、面３８上に載置するウ
エハ７を、ハウジング１４から除去する（ステップ
Ｏ）。両方のウエハ７が除去された後、チャンバハウジ
ング１４を洗浄すべきか否かについての判断がなされ
る。答えがＮＯの場合は、プロセスステップＡへ戻る。
答えがＹＥＳの場合は、スリットバルブ４６が閉鎖され
て（ステップＰ）、ソース６８からの洗浄ガスがポート
６６を介し、チャンバハウジング１４の内部へ送られる
（ステップＱ）。洗浄が完了した後、ハウジング１４の
内部がターボポンプ６０によって排気され（ステップ
Ｒ）、プロセスステップＡへ戻ることによって、ウエハ
７の処理が続行できる。
ウエハ７は、同時処理される（ステップＪ）。次に、プ
ロセスガスがチャンバハウジング１４から除去され（ス
テップＫ）、スリットバルブ４６が開く（ステップ
Ｌ）。残留誘導電荷により、チャック本体７０と誘導コ
イル４８〜５４へのパワーが除去されても、ウエハ７は
面３８、４０に固定されたままである。次に、一番上の
ウエハ７がリフトピン１００と接触し、それにより、ウ
エハが接地することとなり、その結果、リフトピンがウ
エハ７をチャック面４０上方に容易に上昇させることが
可能となる。これにより、ロボット８からのロボットア
ームを、持ち上げられたウエハの下に挿入することが可
能となる。次に、ピン１００が後退させられることによ
って、ウエハ７がロボットアーム上へ落とされ、その上
に載置される。次に、ウエハ７は、ロボットアームによ
ってスリットバルブ４６を介して除去され、ウエハカセ
ット９へ戻されるか、または、別のチャンバハウジング
１４内に配置される（ステップＭ）。次に、チャック回
転装置４２が操作されて、チャック３４を１８０度回転
させ、それによって、第１チャック面３８を、上方に面
するように再位置決めする（ステップＮ）。上記のプロ
セスステップＭは、繰り返され、面３８上に載置するウ
エハ７を、ハウジング１４から除去する（ステップ
Ｏ）。両方のウエハ７が除去された後、チャンバハウジ
ング１４を洗浄すべきか否かについての判断がなされ
る。答えがＮＯの場合は、プロセスステップＡへ戻る。
答えがＹＥＳの場合は、スリットバルブ４６が閉鎖され
て（ステップＰ）、ソース６８からの洗浄ガスがポート
６６を介し、チャンバハウジング１４の内部へ送られる
（ステップＱ）。洗浄が完了した後、ハウジング１４の
内部がターボポンプ６０によって排気され（ステップ
Ｒ）、プロセスステップＡへ戻ることによって、ウエハ
７の処理が続行できる。
【００２９】本発明が容認している点は、一旦、ウエハ
７がチャックされると、ウエハがチャックされた状態を
維持しながら、チャックへの電圧と誘導コイルへのパワ
ーの両方を切ることができることである。つまり、チャ
ックと誘導コイルへのパワーが遮断されても、ウエハを
チャックへ保持する静電荷が残存するということであ
る。これにより、チャックが１８０度回転して、第２チ
ャック面をスリットバルブと整合させることが可能とな
る。２枚のウエハを同時に処理できるので、スループッ
トは、単一ウエハチャンバと比較して、例えば７０％か
ら９０％といった劇的な向上が期待される。これは、ウ
エハ搬送チャンバ６、ロボット８、またはガスソース３
３、６８等、従来システムの殆どの周辺構成要素に大が
かりな変更を施さずに達成できる。装置４のフットプリ
ントは、従来の単一ウエハＣＶＤチャンバの場合と本質
的には同一である。ガスインレットと誘導コイルとから
成る２組が使用されるとはいえ、それらは、同一のソー
ス３３、５６へ連結できる。バイアスＲＦ発生器８２か
らの共通のライン、冷却剤ソース９０、ヘリウムソース
８６は、チャックの両面に使用できる。チャック回転装
置４２と、別々に作動される２組のリフトピン９６、９
８が必要なので、ある程度の余分な複雑さは生じる。
７がチャックされると、ウエハがチャックされた状態を
維持しながら、チャックへの電圧と誘導コイルへのパワ
ーの両方を切ることができることである。つまり、チャ
ックと誘導コイルへのパワーが遮断されても、ウエハを
チャックへ保持する静電荷が残存するということであ
る。これにより、チャックが１８０度回転して、第２チ
ャック面をスリットバルブと整合させることが可能とな
る。２枚のウエハを同時に処理できるので、スループッ
トは、単一ウエハチャンバと比較して、例えば７０％か
ら９０％といった劇的な向上が期待される。これは、ウ
エハ搬送チャンバ６、ロボット８、またはガスソース３
３、６８等、従来システムの殆どの周辺構成要素に大が
かりな変更を施さずに達成できる。装置４のフットプリ
ントは、従来の単一ウエハＣＶＤチャンバの場合と本質
的には同一である。ガスインレットと誘導コイルとから
成る２組が使用されるとはいえ、それらは、同一のソー
ス３３、５６へ連結できる。バイアスＲＦ発生器８２か
らの共通のライン、冷却剤ソース９０、ヘリウムソース
８６は、チャックの両面に使用できる。チャック回転装
置４２と、別々に作動される２組のリフトピン９６、９
８が必要なので、ある程度の余分な複雑さは生じる。
【００３０】本発明は、両面静電チャックに関して説明
されている。これと同様の考え方が、２つを超える面を
有するチャックに使用できる。しかし、その場合はシス
テムのフットプリントが増加する可能性がある。また、
両面静電チャック３４は、チャックの対向する両側にチ
ャッキンング面３８、４０を有するので、２つの材料プ
ロセス領域２２、２４が、使用中、相互に悪影響を与え
ないことが期待されるが、チャック面が１８０度離れて
配向されていない場合にはそれが起こり得る。
されている。これと同様の考え方が、２つを超える面を
有するチャックに使用できる。しかし、その場合はシス
テムのフットプリントが増加する可能性がある。また、
両面静電チャック３４は、チャックの対向する両側にチ
ャッキンング面３８、４０を有するので、２つの材料プ
ロセス領域２２、２４が、使用中、相互に悪影響を与え
ないことが期待されるが、チャック面が１８０度離れて
配向されていない場合にはそれが起こり得る。
【００３１】上記ユニポーラチャックとは反対に、バイ
ポーラチャックを使用して本発明を実施することは可能
である。バイポーラチャックを使用することの利点は、
プラズマを衝突させて静電チャック力を生成してウエハ
をチャック面に固定させる必要がないことである。代わ
りに、バイポーラチャックを付勢して、ウエハ７内に電
場と誘導電荷を生成させる。チャックへの電気は、チャ
ックを１８０度回転させて第２のウエハ７を反対側のチ
ャック面へ位置決めする間、入れておいても切っておい
てもよい。バイポーラの持つこれら二つの特質により、
プロセス速度が改善される。バイポーラチャックに関し
ては、チャックの両側は電気的に隔離され、別々にパワ
ー供給されることが必要であることは注意する点であ
る。
ポーラチャックを使用して本発明を実施することは可能
である。バイポーラチャックを使用することの利点は、
プラズマを衝突させて静電チャック力を生成してウエハ
をチャック面に固定させる必要がないことである。代わ
りに、バイポーラチャックを付勢して、ウエハ７内に電
場と誘導電荷を生成させる。チャックへの電気は、チャ
ックを１８０度回転させて第２のウエハ７を反対側のチ
ャック面へ位置決めする間、入れておいても切っておい
てもよい。バイポーラの持つこれら二つの特質により、
プロセス速度が改善される。バイポーラチャックに関し
ては、チャックの両側は電気的に隔離され、別々にパワ
ー供給されることが必要であることは注意する点であ
る。
【００３２】本発明により、約１．７倍のスループット
増加が、約１．３倍のコスト増加で達成できると予想さ
れる。本発明の利点は、チャンバのフットプリントを増
加させることなく、既存の単一ウエハシステムの多くの
既存の構成要素を使用して達成可能である。
増加が、約１．３倍のコスト増加で達成できると予想さ
れる。本発明の利点は、チャンバのフットプリントを増
加させることなく、既存の単一ウエハシステムの多くの
既存の構成要素を使用して達成可能である。
【００３３】本発明は、半導体基板を処理するために設
計されたＨＤＰ−ＣＶＤ(high density plasma chemica
l vapor deposition)チャンバを引用しながら説明し
た。しかし、本発明は、半導体ウエハ、または他のタイ
プの基板を処理するために設計された他のタイプのチャ
ンバにも適用できる。例えば、本発明を、サブ大気圧化
学気相堆積（ＳＡＣＶＤ）チャンバ、プラズマ強化化学
気相堆積（ＰＥＣＶＤ）チャンバ、他のＣＶＤチャン
バ、エッチングチャンバに関しても使用可能である。半
導体ウエハ以外の基板でも使用に適するかもしれない基
板には、金属とガラスが含まれる可能性がある。
計されたＨＤＰ−ＣＶＤ(high density plasma chemica
l vapor deposition)チャンバを引用しながら説明し
た。しかし、本発明は、半導体ウエハ、または他のタイ
プの基板を処理するために設計された他のタイプのチャ
ンバにも適用できる。例えば、本発明を、サブ大気圧化
学気相堆積（ＳＡＣＶＤ）チャンバ、プラズマ強化化学
気相堆積（ＰＥＣＶＤ）チャンバ、他のＣＶＤチャン
バ、エッチングチャンバに関しても使用可能である。半
導体ウエハ以外の基板でも使用に適するかもしれない基
板には、金属とガラスが含まれる可能性がある。
【００３４】以下の請求項で定義される本発明の主題か
ら逸脱することなく、開示された実施例に対して、その
他の変更を行うことは可能である。例えば、本発明は、
静電チャックの使用に限定されない。機械的クランプ機
構を使用するチャックアセンブリも使用でき、それでも
スループット増加をもたらす。例えば、機械的クランプ
は、チャンバハウジングの上側領域と下側領域から、チ
ャック本体に向かって延在することが可能であろうし、
さもなければ、クランプをチャック本体に設置すること
も可能であろう。チャック本体と機械的クランプは、チ
ャック本体が垂直方向に移動するか、または回転して、
単一スリットバルブを通って延びるロボットアームに合
わせるように製作することが可能である。状況によって
は、チャック本体をチャンバハウジング内に静止させて
おくことが望ましいかもしれない。この設計に合わせる
ために、２個のスリットバルブを使用して、ロボットア
ームが垂直方向に移動してスリットバルブと整列させる
ことが可能である。代替として、プロセスハウジング全
体が垂直方向に移動して、スリットバルブがロボットア
ームと整列するようにすることも可能である。
ら逸脱することなく、開示された実施例に対して、その
他の変更を行うことは可能である。例えば、本発明は、
静電チャックの使用に限定されない。機械的クランプ機
構を使用するチャックアセンブリも使用でき、それでも
スループット増加をもたらす。例えば、機械的クランプ
は、チャンバハウジングの上側領域と下側領域から、チ
ャック本体に向かって延在することが可能であろうし、
さもなければ、クランプをチャック本体に設置すること
も可能であろう。チャック本体と機械的クランプは、チ
ャック本体が垂直方向に移動するか、または回転して、
単一スリットバルブを通って延びるロボットアームに合
わせるように製作することが可能である。状況によって
は、チャック本体をチャンバハウジング内に静止させて
おくことが望ましいかもしれない。この設計に合わせる
ために、２個のスリットバルブを使用して、ロボットア
ームが垂直方向に移動してスリットバルブと整列させる
ことが可能である。代替として、プロセスハウジング全
体が垂直方向に移動して、スリットバルブがロボットア
ームと整列するようにすることも可能である。
【図１】マルチチャンバ基板処理システムの平面略図で
あって、このシステムに、本発明によって製作されるデ
ュアル基板処理装置を組み込むことができる。図1Ａ
は、図１のマルチチャンバ基板処理システムで使用でき
る遠隔洗浄ポートを備えたデュアル基板処理装置の平面
略図である。
あって、このシステムに、本発明によって製作されるデ
ュアル基板処理装置を組み込むことができる。図1Ａ
は、図１のマルチチャンバ基板処理システムで使用でき
る遠隔洗浄ポートを備えたデュアル基板処理装置の平面
略図である。
【図２】図２は、図１Ａのデュアル基板処理装置の慨略
図であって、種々の機能要素を明確に示す。
図であって、種々の機能要素を明確に示す。
【図３】図３は、図１Ａのチャンバハウジングの側面略
図であって、両面静電チャックを含む。
図であって、両面静電チャックを含む。
【図４】図４は、図３のチャンバハウジングの正面略図
であって、各々のハウジングに関連付けられたスリット
バルブとデュアルターボポンプを示す。
であって、各々のハウジングに関連付けられたスリット
バルブとデュアルターボポンプを示す。
【図５】図５は、図３の両面静電チャックの拡大断面略
図であって、種々の構成要素を示す。
図であって、種々の構成要素を示す。
【図６】図６は、図１のシステムの操作に伴うステップ
を説明するフローチャートである。
を説明するフローチャートである。
２…マルチチャンバ基板処理システム、４…２基板処理
装置、６…ウエハ搬送チャンバ、８…ロボット、１３…
ロードロック。
装置、６…ウエハ搬送チャンバ、８…ロボット、１３…
ロードロック。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴィスウェスワレン シヴァラマクリシュ ナン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サンタ クララ， オーガスト プレイス 2223 (72)発明者 ティラネルヴェリ エス． ラヴィ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サンタ クララ， アルタミラ ドライヴ 1039ビー (72)発明者 クラマダッティ ヴイ． ラヴィ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， アサートン， フェアオークス レーン 89
Claims (22)
- 【請求項１】 複数基板処理の装置であって、 空間を仕切って内部を形成し、第１のハウジング部分と
第２のハウジング部分とを備えるチャンバハウジング
と、 第１のチャック面と、第２のチャック面と、これらチャ
ック面上に基板を保持するための基板保持手段とを備え
るチャック組立体と、を備え、 前記チャンバハウジングは、前記チャンバハウジングの
前記内部へのアクセスを与えて基板を前記チャンバハウ
ジングの前記内部に出し入れするための基板アクセス部
を備え、 前記第１のハウジング部分は第１の材料処理領域を、前
記第２のハウジング部分は第２の材料処理領域を、それ
ぞれ備え、これら材料処理領域の構成は、前記第１のチ
ャック面上と前記第２のチャック面上とに保持された基
板を同時に処理するような構成で与えられる装置。 - 【請求項２】 前記第１のチャック面と前記第２のチャ
ック面が静電チャック面であり、前記基板保持手段が静
電保持手段を備える請求項１に記載の装置。 - 【請求項３】 前記チャックが、第１の方向と第２の方
向の間で運動するように前記チャンバ内に載置され、前
記第１の方向とは前記第１のチャック面が前記第１のハ
ウジング部分に面する場合の方向であり、前記第２の方
向とは前記第２のチャック面が前記第２のハウジング部
分に面する場合の方向である請求項１に記載の装置。 - 【請求項４】 前記第１のハウジング部分が上側のハウ
ジング部分であり、前記第２のハウジング部分が下側の
ハウジング部分であり、前記第１の材料処理領域が上側
の材料処理領域であり、前記第２の材料処理領域が下側
の材料処理領域である請求項１に記載の装置。 - 【請求項５】 前記チャック組立体が基板リフト組立体
を備え、前記基板リフト組立体は、基板と係合すること
ができる基板リフト部を備える請求項１に記載の装置。 - 【請求項６】 前記基板リフト組立体が、第１のチャッ
ク面と第２のチャック面を貫通する複数のリフトピンを
備える請求項５に記載の装置。 - 【請求項７】 前記チャンバハウジングが堆積チャンバ
ハウジングである請求項１に記載の装置。 - 【請求項８】 前記第１の材料処理領域が第１の高密度
プラズマＣＶＤ堆積チャンバ（ＨＤＰ−ＣＶＤ堆積チャ
ンバ）を備え、前記第２の材料処理領域が第２の高密度
プラズマＣＶＤ堆積チャンバを備える請求項７に記載の
装置。 - 【請求項９】 前記第１の材料処理領域が第１の誘電ド
ームを備え、前記第２の材料処理領域が第２の誘電ドー
ムを備え、前記チャンバハウジングが前記第１の誘電ド
ーム及び前記第２の誘電ドームと接続する中央部分を有
する請求項１に記載の装置。 - 【請求項１０】 前記第１の方向と前記第２の方向の間
の軸の周りに１８０゜回転するように、前記チャックが
載置される請求項１又は３のいずれかに記載の装置。 - 【請求項１１】 前記チャックがユニポーラ静電チャッ
クである請求項１に記載の装置。 - 【請求項１２】 前記第１のチャック面及び前記第２の
チャック面が誘電面である請求項１に記載の装置。 - 【請求項１３】 基板処理チャンバで用いる２基板静電
チャック組立体であって、 １つの面に第１のチャック面を、これと別の面に第２の
チャック面を有する静電チャックと、 前記チャック面のいずれに隣接して配置された基板に対
しても係合可能な基板リフト部を備える基板リフト組立
体とを備える静電チャック組立体。 - 【請求項１４】 チャックの角度方向を変えて配置させ
るためのチャックローテータを更に備える請求項１３に
記載の組立体。 - 【請求項１５】 基板を処理する方法であって、 チャンバハウジングと、前記チャンバハウジングの中に
収容され第１のチャック面と第２のチャック面とを有す
るチャックとを備える基板処理装置を複数与える装置の
ステップと、 前記第１のチャック面には第１の基板を、前記第２のチ
ャック面には第２の基板を、それぞれ載置する載置のス
テップと、 前記第１の基板と前記第２の基板を同時処理する同時処
理のステップとを有する方法。 - 【請求項１６】 前記載置のステップが、 前記第１のチャック面が上を向くように前記チャックの
方向を与える第１方向付与工程と、 上を向いた前記チャックの前記第１のチャック面の上
に、第１の基板を配置する工程と、 前記第２のチャック面が上を向くように前記チャックの
方向を与える第２方向付与工程と、 前記第２方向付与工程開始の前、前記第２方向付与工程
の最中及び前記付与工程の終了後、前記第１のチャック
面に前記第１の基板を静電力により保持する第１基板保
持工程と、 上を向いた前記第２のチャック面の上に、第２の基板を
配置する工程と、前記第２の基板を前記第２のチャック
面に静電力により保持する第２基板保持工程とを有する
請求項１５に記載の方法。 - 【請求項１７】 前記装置のステップが、ユニポーラ静
電チャックを選択する工程を更に有する請求項１６に記
載の方法。 - 【請求項１８】 前記第１基板保持工程が、前記チャッ
クに電位を印加する工程を有する請求項１７に記載の方
法。 - 【請求項１９】 前記第２方向付与工程の前又は前記第
２方向付与工程の最中に、前記電位を除去する工程を更
に有する請求項１８に記載の方法。 - 【請求項２０】 前記同時のステップが堆積のステップ
である請求項１５に記載の方法。 - 【請求項２１】 前記堆積のステップが高密度プラズマ
ＣＶＤ堆積のステップである請求項２０に記載の方法。 - 【請求項２２】 前記装置のステップが、第１のチャッ
ク面と第２のチャック面をそれぞれ反対側に有するチャ
ックで行われる請求項１５に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/804505 | 1997-02-21 | ||
| US08/804,505 US6132517A (en) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | Multiple substrate processing apparatus for enhanced throughput |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242244A true JPH10242244A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=25189139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10040269A Withdrawn JPH10242244A (ja) | 1997-02-21 | 1998-02-23 | 多基板処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6132517A (ja) |
| JP (1) | JPH10242244A (ja) |
| TW (1) | TW367530B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004511901A (ja) * | 2000-10-06 | 2004-04-15 | ラム リサーチ コーポレーション | 静電気的にクランプされるプラズマ処理用エッジリング |
| US7393433B2 (en) | 2004-02-25 | 2008-07-01 | Nec Electronics Corporation | Plasma processing apparatus, semiconductor manufacturing apparatus and electrostatic chucking unit used thereof |
| JP2023088160A (ja) * | 2021-12-14 | 2023-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10134513A1 (de) * | 2001-07-16 | 2003-01-30 | Unaxis Balzers Ag | Hebe-und Stützvorichtung |
| US6908865B2 (en) * | 2001-09-28 | 2005-06-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning substrates |
| US20060137609A1 (en) * | 2004-09-13 | 2006-06-29 | Puchacz Jerzy P | Multi-single wafer processing apparatus |
| KR100743840B1 (ko) * | 2004-11-03 | 2007-07-30 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 마그네틱 코어가 내장된 플라즈마 반응 챔버 |
| US9017480B2 (en) * | 2006-04-06 | 2015-04-28 | First Solar, Inc. | System and method for transport |
| US8450193B2 (en) * | 2006-08-15 | 2013-05-28 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for temperature-controlled ion implantation |
| KR100836750B1 (ko) | 2006-11-03 | 2008-06-10 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 제조용 식각장치의 정전척 |
| US7972471B2 (en) * | 2007-06-29 | 2011-07-05 | Lam Research Corporation | Inductively coupled dual zone processing chamber with single planar antenna |
| CN101351076B (zh) * | 2008-09-16 | 2011-08-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 等离子体处理设备 |
| TWI725067B (zh) * | 2015-10-28 | 2021-04-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 可旋轉靜電夾盤 |
| US20170194174A1 (en) * | 2015-12-30 | 2017-07-06 | Applied Materials, Inc. | Quad chamber and platform having multiple quad chambers |
| US12400834B2 (en) * | 2021-05-07 | 2025-08-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Cantilever with etch chamber flow design |
| US20250210392A1 (en) * | 2023-12-22 | 2025-06-26 | Intel Corporation | Handling assembly, handling system and method |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE7710800L (sv) * | 1976-10-05 | 1978-04-06 | Western Electric Co | Forfarande for astadkommande av ett epitaxiellt skikt pa ett substrat |
| US5000113A (en) * | 1986-12-19 | 1991-03-19 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process |
| US4951601A (en) * | 1986-12-19 | 1990-08-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber integrated process system |
| US5198034A (en) * | 1987-03-31 | 1993-03-30 | Epsilon Technology, Inc. | Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment |
| EP0350752B1 (de) * | 1988-07-15 | 1993-10-13 | Balzers Aktiengesellschaft | Haltevorrichtung für eine Scheibe sowie Anwendung derselben |
| US5001594A (en) * | 1989-09-06 | 1991-03-19 | Mcnc | Electrostatic handling device |
| US5316645A (en) * | 1990-08-07 | 1994-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
| US5099571A (en) * | 1990-09-07 | 1992-03-31 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating a split-ring electrostatic chuck |
| US5166856A (en) * | 1991-01-31 | 1992-11-24 | International Business Machines Corporation | Electrostatic chuck with diamond coating |
| US5325261A (en) * | 1991-05-17 | 1994-06-28 | Unisearch Limited | Electrostatic chuck with improved release |
| US5382803A (en) * | 1991-05-28 | 1995-01-17 | Tokyo Electron Limited | Ion injection device |
| US5518644A (en) * | 1991-11-07 | 1996-05-21 | The Procter & Gamble Company | Aqueous built liquid detergents containing a sulfite salt to inhibit color alteration caused by mixture of alkanolamines and perfumes |
| US5315473A (en) * | 1992-01-21 | 1994-05-24 | Applied Materials, Inc. | Isolated electrostatic chuck and excitation method |
| US5431737A (en) * | 1992-02-04 | 1995-07-11 | Genus, Inc. | Interchangeable CVD chuck surface |
| JP3333605B2 (ja) * | 1992-11-12 | 2002-10-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 低熱膨張クランプ機構 |
| US5292554A (en) * | 1992-11-12 | 1994-03-08 | Applied Materials, Inc. | Deposition apparatus using a perforated pumping plate |
| KR100276736B1 (ko) * | 1993-10-20 | 2001-03-02 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마 처리장치 |
| US5452510A (en) * | 1993-12-20 | 1995-09-26 | International Business Machines Corporation | Method of making an electrostatic chuck with oxide insulator |
| US5463525A (en) * | 1993-12-20 | 1995-10-31 | International Business Machines Corporation | Guard ring electrostatic chuck |
| US5486975A (en) * | 1994-01-31 | 1996-01-23 | Applied Materials, Inc. | Corrosion resistant electrostatic chuck |
| US5491603A (en) * | 1994-04-28 | 1996-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method of determining a dechucking voltage which nullifies a residual electrostatic force between an electrostatic chuck and a wafer |
| US5521790A (en) * | 1994-05-12 | 1996-05-28 | International Business Machines Corporation | Electrostatic chuck having relatively thick and thin areas and means for uniformly cooling said thick and thin areas during chuck anodization |
| US5558717A (en) * | 1994-11-30 | 1996-09-24 | Applied Materials | CVD Processing chamber |
| TW334609B (en) * | 1996-09-19 | 1998-06-21 | Hitachi Ltd | Electrostatic chuck, method and device for processing sanyle use the same |
| US5855681A (en) * | 1996-11-18 | 1999-01-05 | Applied Materials, Inc. | Ultra high throughput wafer vacuum processing system |
-
1997
- 1997-02-21 US US08/804,505 patent/US6132517A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-30 TW TW086119970A patent/TW367530B/zh active
-
1998
- 1998-02-23 JP JP10040269A patent/JPH10242244A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004511901A (ja) * | 2000-10-06 | 2004-04-15 | ラム リサーチ コーポレーション | 静電気的にクランプされるプラズマ処理用エッジリング |
| JP4913313B2 (ja) * | 2000-10-06 | 2012-04-11 | ラム リサーチ コーポレーション | エッジリングクランピングアセンブリ、プラズマ反応チャンバ、及び半導体基板を処理する方法 |
| US7393433B2 (en) | 2004-02-25 | 2008-07-01 | Nec Electronics Corporation | Plasma processing apparatus, semiconductor manufacturing apparatus and electrostatic chucking unit used thereof |
| JP2023088160A (ja) * | 2021-12-14 | 2023-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW367530B (en) | 1999-08-21 |
| US6132517A (en) | 2000-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9355876B2 (en) | Process load lock apparatus, lift assemblies, electronic device processing systems, and methods of processing substrates in load lock locations | |
| JPH10242244A (ja) | 多基板処理装置 | |
| JP5159031B2 (ja) | 基板を開放する方法及び装置 | |
| US7358192B2 (en) | Method and apparatus for in-situ film stack processing | |
| KR100312046B1 (ko) | 2개이상의웨이퍼를동시에처리하기위한멀티데크식웨이퍼처리시스템및방법 | |
| US20130287529A1 (en) | Method and apparatus for independent wafer handling | |
| CN101743341B (zh) | 用于等离子体增强的化学气相沉积和斜边蚀刻的系统 | |
| US9524889B2 (en) | Processing systems and apparatus adapted to process substrates in electronic device manufacturing | |
| US20040238125A1 (en) | Plasma processing device | |
| JP7590403B2 (ja) | 同時基板移送用ロボット | |
| KR20170103672A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| TW200923126A (en) | Showerhead assembly | |
| KR101372333B1 (ko) | 기판 처리 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
| JP3258885B2 (ja) | 成膜処理装置 | |
| JPH11150071A (ja) | 処理装置及びこれを用いた処理システム | |
| TW201714806A (zh) | 真空鎖系統及其對基片的處理方法 | |
| JP3253002B2 (ja) | 処理装置 | |
| KR100758298B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
| TW200839858A (en) | Substrate treating method | |
| US11610799B2 (en) | Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities | |
| US20220068690A1 (en) | Substrate transfer devices | |
| JPH09129611A (ja) | エッチング方法 | |
| JPH08117583A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH09153540A (ja) | 処理装置 | |
| JPH09312283A (ja) | 処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050510 |