JPH10242252A - ウエハ加熱装置 - Google Patents
ウエハ加熱装置Info
- Publication number
- JPH10242252A JPH10242252A JP4557497A JP4557497A JPH10242252A JP H10242252 A JPH10242252 A JP H10242252A JP 4557497 A JP4557497 A JP 4557497A JP 4557497 A JP4557497 A JP 4557497A JP H10242252 A JPH10242252 A JP H10242252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- wafer holding
- holding plate
- aluminum nitride
- sintered body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ウエハ支持盤と支持筒とが強固に接合され、優
れた気密性を有するとともに、パーティクル汚染の少な
いウエハ加熱装置を提供する。 【解決手段】ウエハ保持装置１を構成する抵抗発熱体４
を内蔵したウエハ保持盤２と、該ウエハ保持盤２を処理
室３０内に設置する支持筒７の両者を窒化アルミニウム
質焼結体により形成するとともに、これらを窒化アルミ
ニウムを主成分とし、希土類酸化物を含んでなる接合層
９を介して焼成し、上記接合層９の希土類成分をウエハ
保持盤２及び支持筒７を構成する窒化アルミニウム質焼
結体に拡散させた状態で接合一体化する。
れた気密性を有するとともに、パーティクル汚染の少な
いウエハ加熱装置を提供する。 【解決手段】ウエハ保持装置１を構成する抵抗発熱体４
を内蔵したウエハ保持盤２と、該ウエハ保持盤２を処理
室３０内に設置する支持筒７の両者を窒化アルミニウム
質焼結体により形成するとともに、これらを窒化アルミ
ニウムを主成分とし、希土類酸化物を含んでなる接合層
９を介して焼成し、上記接合層９の希土類成分をウエハ
保持盤２及び支持筒７を構成する窒化アルミニウム質焼
結体に拡散させた状態で接合一体化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置や液晶
ガラス基板などの製造工程におけるエッチング装置や成
膜装置等に用いるウエハ加熱装置に関するものである。
ガラス基板などの製造工程におけるエッチング装置や成
膜装置等に用いるウエハ加熱装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程で使用され
るＣＶＤ装置やスパッタリング装置などの成膜装置、あ
るいは微細加工を施すためのエッチング装置などにおい
ては、半導体ウエハを保持しながら加熱するために、抵
抗発熱体を埋設した静電チャックやサセプタなどのウエ
ハ保持盤が用いられ、これらのウエハ保持盤は支持筒を
介して処理室内に設置されていた。
るＣＶＤ装置やスパッタリング装置などの成膜装置、あ
るいは微細加工を施すためのエッチング装置などにおい
ては、半導体ウエハを保持しながら加熱するために、抵
抗発熱体を埋設した静電チャックやサセプタなどのウエ
ハ保持盤が用いられ、これらのウエハ保持盤は支持筒を
介して処理室内に設置されていた。
【０００３】図２にＣＶＤ装置における処理室３０の概
略図を示すように、半導体ウエハ３５を保持するための
ウエハ保持盤２２と、該ウエハ保持盤２２の裏面に接合
された支持筒２７とからなるウエハ加熱装置２１をＯリ
ングなどのシール材２８を介して処理室３０に設置し、
ウエハ保持盤２２を処理室３０内に配置するようになっ
ていた。また、上記ウエハ保持盤２２の内部には抵抗発
熱体２４を埋設してあり、支持筒２７の内側からウエハ
保持盤２２の裏面に接合された給電端子２５を介して上
記抵抗発熱体２４に通電し、ウエハ保持盤２２を発熱さ
せるとともに、支持筒２７の内側からウエハ保持盤２２
の裏面に接合された熱電対２６でもってその温度を測定
するようになっていた。
略図を示すように、半導体ウエハ３５を保持するための
ウエハ保持盤２２と、該ウエハ保持盤２２の裏面に接合
された支持筒２７とからなるウエハ加熱装置２１をＯリ
ングなどのシール材２８を介して処理室３０に設置し、
ウエハ保持盤２２を処理室３０内に配置するようになっ
ていた。また、上記ウエハ保持盤２２の内部には抵抗発
熱体２４を埋設してあり、支持筒２７の内側からウエハ
保持盤２２の裏面に接合された給電端子２５を介して上
記抵抗発熱体２４に通電し、ウエハ保持盤２２を発熱さ
せるとともに、支持筒２７の内側からウエハ保持盤２２
の裏面に接合された熱電対２６でもってその温度を測定
するようになっていた。
【０００４】また、このようなウエハ加熱装置２１を構
成するウエハ保持盤２２は、ハロゲン系腐食性ガス雰囲
気下で耐プラズマ性に優れるとともに、ウエハ３５の着
脱に伴う支持面２３の摩耗が少ない耐摩耗性に優れた材
質により形成する必要があることから、このような材質
としてアルミナ焼結体、窒化アルミニウム焼結体などの
セラミック焼結体を用いるとともに、上記ウエハ保持盤
２２の裏面に、ステンレス等の金属体、あるいはアルミ
ナ焼結体、窒化珪素焼結体、窒化アルミニウム焼結体な
どのセラミック焼結体からなる支持筒２７をガラス接合
やロウ付け接合でもって接合一体化してウエハ加熱装置
２１を構成したものがあった（特公平６−２８２５８号
公報参照）。
成するウエハ保持盤２２は、ハロゲン系腐食性ガス雰囲
気下で耐プラズマ性に優れるとともに、ウエハ３５の着
脱に伴う支持面２３の摩耗が少ない耐摩耗性に優れた材
質により形成する必要があることから、このような材質
としてアルミナ焼結体、窒化アルミニウム焼結体などの
セラミック焼結体を用いるとともに、上記ウエハ保持盤
２２の裏面に、ステンレス等の金属体、あるいはアルミ
ナ焼結体、窒化珪素焼結体、窒化アルミニウム焼結体な
どのセラミック焼結体からなる支持筒２７をガラス接合
やロウ付け接合でもって接合一体化してウエハ加熱装置
２１を構成したものがあった（特公平６−２８２５８号
公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ウエハ加熱
装置２１を構成するウエハ保持盤２２と支持筒２７とを
異なった材質で形成し、ウエハ保持盤２２を高温に発熱
させると、両部材の熱膨張係数が異なるために接合部に
熱膨張差に起因する応力が発生する。しかも、高温に発
熱するウエハ保持盤２２に対し、支持筒２７は処理室３
０に設置され冷却されていることから、ウエハ保持盤２
２と支持筒２７との接合部には大きな熱衝撃が加わるこ
とになる。その為、これらの応力集中によって接合部に
クラックが発生し、ガスリークを生じるといった課題が
あった。
装置２１を構成するウエハ保持盤２２と支持筒２７とを
異なった材質で形成し、ウエハ保持盤２２を高温に発熱
させると、両部材の熱膨張係数が異なるために接合部に
熱膨張差に起因する応力が発生する。しかも、高温に発
熱するウエハ保持盤２２に対し、支持筒２７は処理室３
０に設置され冷却されていることから、ウエハ保持盤２
２と支持筒２７との接合部には大きな熱衝撃が加わるこ
とになる。その為、これらの応力集中によって接合部に
クラックが発生し、ガスリークを生じるといった課題が
あった。
【０００６】また、ウエハ保持盤２２と支持筒２７とを
ガラス接合したウエハ加熱装置２１においても接合材で
あるガラスとの熱膨張差が大きいために強固に接合する
ことができず、さらに接合材のガラスはハロゲン系腐食
性ガスとプラズマの回り込みによって腐食を受け易いこ
とから短期間でガスリークが発生するとともに、パーテ
ィクル汚染を生じるといった課題もあった。
ガラス接合したウエハ加熱装置２１においても接合材で
あるガラスとの熱膨張差が大きいために強固に接合する
ことができず、さらに接合材のガラスはハロゲン系腐食
性ガスとプラズマの回り込みによって腐食を受け易いこ
とから短期間でガスリークが発生するとともに、パーテ
ィクル汚染を生じるといった課題もあった。
【０００７】一方、ウエハ保持盤２２と支持筒２７とを
ロウ付け接合したウエハ加熱装置２１では、ロウ材がハ
ロゲン系腐食性ガスとプラズマの回り込みによって腐食
することから気密性が低下し、ガスリークを生じるとと
もに、パーティクル汚染を生じるといった課題があっ
た。
ロウ付け接合したウエハ加熱装置２１では、ロウ材がハ
ロゲン系腐食性ガスとプラズマの回り込みによって腐食
することから気密性が低下し、ガスリークを生じるとと
もに、パーティクル汚染を生じるといった課題があっ
た。
【０００８】そこで、図３に示すように、ウエハ保持盤
２２と円柱状支持部２７’とを一体的に成形したあと焼
成することにより、抵抗発熱体２４に通電するための給
電端子２５や熱電対２６を円柱状支持部２７’の内部に
埋設したウエハ加熱装置２１が提案されている。
２２と円柱状支持部２７’とを一体的に成形したあと焼
成することにより、抵抗発熱体２４に通電するための給
電端子２５や熱電対２６を円柱状支持部２７’の内部に
埋設したウエハ加熱装置２１が提案されている。
【０００９】このウエハ加熱装置２１はウエハ保持盤２
２と円柱状支持部２７’とが一体焼結により形成されて
いることから、気密性の点では優れているものの、その
形状が複雑であるとともに、円柱状支持部２７’の内部
には給電端子２５や熱電対２６を所定の位置に埋設させ
る必要があるなど製作が難しく、実用的ではなかった。
２と円柱状支持部２７’とが一体焼結により形成されて
いることから、気密性の点では優れているものの、その
形状が複雑であるとともに、円柱状支持部２７’の内部
には給電端子２５や熱電対２６を所定の位置に埋設させ
る必要があるなど製作が難しく、実用的ではなかった。
【００１０】また、ウエハ保持盤２２や支持筒２７をア
ルミナ焼結体で形成したものでは、窒化アルミニウム焼
結体に比べて熱伝導率が悪いことから、支持面２３に保
持したウエハ３５を所定の温度に加熱するのに時間がか
かるとともに、均熱性が得難く、さらには耐熱衝撃性が
低いことから、急冷・急加熱の繰り返しにより破損する
恐れもあった。
ルミナ焼結体で形成したものでは、窒化アルミニウム焼
結体に比べて熱伝導率が悪いことから、支持面２３に保
持したウエハ３５を所定の温度に加熱するのに時間がか
かるとともに、均熱性が得難く、さらには耐熱衝撃性が
低いことから、急冷・急加熱の繰り返しにより破損する
恐れもあった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は上記課
題に鑑み、抵抗発熱体を内蔵してなるウエハ保持盤と、
該ウエハ保持盤を処理室内に設置する支持筒の両者を窒
化アルミニウム質焼結体により形成するとともに、これ
らウエハ保持盤と支持筒とを、窒化アルミニウムを主成
分とし、希土類酸化物を含んでなる接合層を介して焼成
し、上記接合層の希土類成分がウエハ保持盤及び支持筒
を構成する窒化アルミニウム質焼結体に拡散した状態で
接合一体化してウエハ加熱装置を構成したものである。
題に鑑み、抵抗発熱体を内蔵してなるウエハ保持盤と、
該ウエハ保持盤を処理室内に設置する支持筒の両者を窒
化アルミニウム質焼結体により形成するとともに、これ
らウエハ保持盤と支持筒とを、窒化アルミニウムを主成
分とし、希土類酸化物を含んでなる接合層を介して焼成
し、上記接合層の希土類成分がウエハ保持盤及び支持筒
を構成する窒化アルミニウム質焼結体に拡散した状態で
接合一体化してウエハ加熱装置を構成したものである。
【００１２】
【作用】本発明は、ウエハ加熱装置を構成するウエハ保
持盤と支持筒とを同種の窒化アルミニウム質焼結体によ
り形成するとともに、これらを窒化アルミニウムを主成
分とし、希土類酸化物を含んでなる接合層を介して焼成
し、接合一体化したことから、ウエハ保持盤、支持筒、
及び接合層の熱膨張係数を同一または近似させることが
でき、熱膨張差に起因する応力を大幅に緩和することが
できる。
持盤と支持筒とを同種の窒化アルミニウム質焼結体によ
り形成するとともに、これらを窒化アルミニウムを主成
分とし、希土類酸化物を含んでなる接合層を介して焼成
し、接合一体化したことから、ウエハ保持盤、支持筒、
及び接合層の熱膨張係数を同一または近似させることが
でき、熱膨張差に起因する応力を大幅に緩和することが
できる。
【００１３】また、ウエハ保持盤及び支持筒を構成する
窒化アルミニウム質焼結体には、上記接合層の希土類成
分を拡散させるようにしてあることから、ウエハ保持盤
と支持筒との接合強度をより強固なものとすることがで
きるとともに、接合層付近における熱伝導特性を高め、
放熱性に優れたものとすることができる。しかも、窒化
アルミニウム質焼結体自体は優れた耐熱衝撃性を有する
ことから、高温になるウエハ保持盤と冷却される支持筒
との間に生じる熱応力を緩和し、熱衝撃に伴う破損を防
ぐことができる。
窒化アルミニウム質焼結体には、上記接合層の希土類成
分を拡散させるようにしてあることから、ウエハ保持盤
と支持筒との接合強度をより強固なものとすることがで
きるとともに、接合層付近における熱伝導特性を高め、
放熱性に優れたものとすることができる。しかも、窒化
アルミニウム質焼結体自体は優れた耐熱衝撃性を有する
ことから、高温になるウエハ保持盤と冷却される支持筒
との間に生じる熱応力を緩和し、熱衝撃に伴う破損を防
ぐことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。図１はＣＶＤ装置の処理室に本発明に係るウ
エハ加熱装置１を設置した状態を示す断面図である。
説明する。図１はＣＶＤ装置の処理室に本発明に係るウ
エハ加熱装置１を設置した状態を示す断面図である。
【００１５】このＣＶＤ装置は処理室３０内に成膜ガス
と雰囲気ガスとしてハロゲン系腐食性ガスを供給するた
めの供給孔３１と、処理室３０内を真空状態とするため
の排気孔３２を備えている。
と雰囲気ガスとしてハロゲン系腐食性ガスを供給するた
めの供給孔３１と、処理室３０内を真空状態とするため
の排気孔３２を備えている。
【００１６】ウエハ加熱装置１は、窒化アルミニウム質
焼結体からなるウエハ保持盤２と、該ウエハ保持盤２と
同種の窒化アルミニウム質焼結体からなる円筒状をした
支持筒７とからなり、上記支持筒７をＯリングなどのシ
ール材８を介して処理室３０に設置することでウエハ保
持盤２を処理室３０内に配置してある。
焼結体からなるウエハ保持盤２と、該ウエハ保持盤２と
同種の窒化アルミニウム質焼結体からなる円筒状をした
支持筒７とからなり、上記支持筒７をＯリングなどのシ
ール材８を介して処理室３０に設置することでウエハ保
持盤２を処理室３０内に配置してある。
【００１７】上記ウエハ保持盤２の内部にはタングステ
ン、モリブデン、コバールなどの金属、あるいはこれら
の合金からなる抵抗発熱体４を内蔵してあり、上記支持
筒７の内側からウエハ保持盤２の裏面に接合した給電端
子５を介して抵抗発熱体４に通電するとともに、上記給
電端子５と同様に支持筒７の内側からウエハ保持盤２の
裏面に接合した熱電対６によってウエハ保持盤２の発熱
温度を測定するようになっている。
ン、モリブデン、コバールなどの金属、あるいはこれら
の合金からなる抵抗発熱体４を内蔵してあり、上記支持
筒７の内側からウエハ保持盤２の裏面に接合した給電端
子５を介して抵抗発熱体４に通電するとともに、上記給
電端子５と同様に支持筒７の内側からウエハ保持盤２の
裏面に接合した熱電対６によってウエハ保持盤２の発熱
温度を測定するようになっている。
【００１８】また、上記ウエハ加熱装置１を構成するウ
エハ保持盤２と支持筒７は、窒化アルミニウムを主成分
とし、Ｙ2 Ｏ3 、ＣｅＯ2 、Ｅｒ2 Ｏ3 などの希土類酸
化物を含んだ結合層９を介して焼成し、接合一体化して
あり、ウエハ保持盤２及び支持筒７を構成する窒化アル
ミニウム質焼結体には上記接合層９の希土類成分を拡散
させてある。
エハ保持盤２と支持筒７は、窒化アルミニウムを主成分
とし、Ｙ2 Ｏ3 、ＣｅＯ2 、Ｅｒ2 Ｏ3 などの希土類酸
化物を含んだ結合層９を介して焼成し、接合一体化して
あり、ウエハ保持盤２及び支持筒７を構成する窒化アル
ミニウム質焼結体には上記接合層９の希土類成分を拡散
させてある。
【００１９】本発明のウエハ加熱装置１によれば、ウエ
ハ保持盤２と支持筒７が同種の窒化アルミニウム質焼結
体からなり、これらを窒化アルミニウムを主成分とし、
Ｙ2Ｏ3 、ＣｅＯ2 、Ｅｒ2 Ｏ3 などの希土類酸化物を
含有した接合層９を介して焼結させ、接合一体化してあ
ることから、熱膨張係数を同一または近似させることが
でき、熱膨張差に起因する応力を大幅に緩和することが
できる。
ハ保持盤２と支持筒７が同種の窒化アルミニウム質焼結
体からなり、これらを窒化アルミニウムを主成分とし、
Ｙ2Ｏ3 、ＣｅＯ2 、Ｅｒ2 Ｏ3 などの希土類酸化物を
含有した接合層９を介して焼結させ、接合一体化してあ
ることから、熱膨張係数を同一または近似させることが
でき、熱膨張差に起因する応力を大幅に緩和することが
できる。
【００２０】また、接合層９の希土類成分をウエハ保持
盤２及び支持筒７を構成する窒化アルミニウム質焼結体
に拡散させてあることから、接合強度を高めることがで
きるとともに、接合層９付近の熱伝導特性を高めること
ができる。しかも、窒化アルミニウム質焼結体は優れた
耐熱衝撃性を有することから、高温になるウエハ保持盤
２に対し、支持筒７が処理室３０によって冷却されてい
たとしても接合層９付近に発生する熱応力集中を緩和
し、熱衝撃に対する破損を防ぐことができる。
盤２及び支持筒７を構成する窒化アルミニウム質焼結体
に拡散させてあることから、接合強度を高めることがで
きるとともに、接合層９付近の熱伝導特性を高めること
ができる。しかも、窒化アルミニウム質焼結体は優れた
耐熱衝撃性を有することから、高温になるウエハ保持盤
２に対し、支持筒７が処理室３０によって冷却されてい
たとしても接合層９付近に発生する熱応力集中を緩和
し、熱衝撃に対する破損を防ぐことができる。
【００２１】しかも、ウエハ保持盤２、支持筒７、及び
接合層９は優れた耐プラズマ性を持った窒化アルミニウ
ム質焼結体からなるため、腐食性ガス雰囲気下でプラズ
マに曝されたとしても大きく腐食することがない。
接合層９は優れた耐プラズマ性を持った窒化アルミニウ
ム質焼結体からなるため、腐食性ガス雰囲気下でプラズ
マに曝されたとしても大きく腐食することがない。
【００２２】その為、ウエハ保持盤２の急冷・急加熱を
繰り返したとしてもガスリークがなく、充分な気密性を
持った信頼性の高いウエハ加熱装置１とすることができ
るため、支持筒７の内側よりウエハ保持盤２の裏面に接
合する給電端子５や熱電対６の周囲に特別なシール構造
を設ける必要がなく、ＣＶＤ装置の構造を簡略化するこ
とができるとともに、パーティクル汚染を低減すること
ができる。
繰り返したとしてもガスリークがなく、充分な気密性を
持った信頼性の高いウエハ加熱装置１とすることができ
るため、支持筒７の内側よりウエハ保持盤２の裏面に接
合する給電端子５や熱電対６の周囲に特別なシール構造
を設ける必要がなく、ＣＶＤ装置の構造を簡略化するこ
とができるとともに、パーティクル汚染を低減すること
ができる。
【００２３】なお、ウエハ保持盤２を６００℃以上の高
温に発熱させる場合には、接合層９付近における接合強
度を高める観点から支持筒７をウエハ保持盤２と同一の
窒化アルミニウム質焼結体により形成することが好まし
い。
温に発熱させる場合には、接合層９付近における接合強
度を高める観点から支持筒７をウエハ保持盤２と同一の
窒化アルミニウム質焼結体により形成することが好まし
い。
【００２４】次に、ウエハ加熱装置１の製造方法を説明
する。
する。
【００２５】まず、ウエハ保持盤２を製作するには、純
度９９．８％以上のＡｌＮ粉末に溶媒とバインダーを加
えて泥漿を作製するか、あるいは上記ＡｌＮ粉末にＹ2
Ｏ3、ＣｅＯ2 、Ｅｒ2 Ｏ3 などの希土類酸化物を合計
で２０重量％以下の範囲で添加して泥漿を作製する。希
土類酸化物を添加した系においてその含有量を２０重量
％以下とするのは、これより多くなると熱伝導特性や耐
プラズマ性が低下するとともに、熱膨張係数が変化する
といった問題があるからである。
度９９．８％以上のＡｌＮ粉末に溶媒とバインダーを加
えて泥漿を作製するか、あるいは上記ＡｌＮ粉末にＹ2
Ｏ3、ＣｅＯ2 、Ｅｒ2 Ｏ3 などの希土類酸化物を合計
で２０重量％以下の範囲で添加して泥漿を作製する。希
土類酸化物を添加した系においてその含有量を２０重量
％以下とするのは、これより多くなると熱伝導特性や耐
プラズマ性が低下するとともに、熱膨張係数が変化する
といった問題があるからである。
【００２６】次に、これらの泥漿をドクターブレード法
などのテープ成形法により複数枚のグリーンシートを製
作し、これらのうち数枚のグリーンシートを積み重ねて
グリーンシート積層体を形成し、この表面に抵抗発熱体
４をなすタングステン、モリブデン、コバールなどの金
属、またはこれらの合金からなる金属ペーストをスクリ
ーン印刷法でもって形成し、この金属ペーストの表面に
残りのグリーンシートを積層圧着したあと、切削加工を
施して円板状をした板状体に成形する。そして、この板
状体がＡｌＮ粉末のみからなる場合、窒素雰囲気中にて
１９００〜２１００℃の焼成温度で１〜数時間程度焼成
することにより焼結させ、ＡｌＮ粉末に希土類酸化物を
添加したものからなる場合、窒素雰囲気中にて１７００
〜１９００℃の焼成温度で１〜数時間程度焼成すること
により焼結させて、抵抗発熱体４を埋設した円板状の焼
結体を形成する。そして、この焼結体の一方の表面に研
摩加工を施して中心線平均粗さ（Ｒａ）０．８μｍ以下
とした支持面３を形成することでウエハ保持盤２を製作
する。
などのテープ成形法により複数枚のグリーンシートを製
作し、これらのうち数枚のグリーンシートを積み重ねて
グリーンシート積層体を形成し、この表面に抵抗発熱体
４をなすタングステン、モリブデン、コバールなどの金
属、またはこれらの合金からなる金属ペーストをスクリ
ーン印刷法でもって形成し、この金属ペーストの表面に
残りのグリーンシートを積層圧着したあと、切削加工を
施して円板状をした板状体に成形する。そして、この板
状体がＡｌＮ粉末のみからなる場合、窒素雰囲気中にて
１９００〜２１００℃の焼成温度で１〜数時間程度焼成
することにより焼結させ、ＡｌＮ粉末に希土類酸化物を
添加したものからなる場合、窒素雰囲気中にて１７００
〜１９００℃の焼成温度で１〜数時間程度焼成すること
により焼結させて、抵抗発熱体４を埋設した円板状の焼
結体を形成する。そして、この焼結体の一方の表面に研
摩加工を施して中心線平均粗さ（Ｒａ）０．８μｍ以下
とした支持面３を形成することでウエハ保持盤２を製作
する。
【００２７】一方、支持筒７を製作するにはウエハ保持
盤２と同様、純度９９．８％以上のＡｌＮ粉末に溶媒と
バインダーを加えて泥漿を作製するか、あるいは上記Ａ
ｌＮ粉末にＹ2 Ｏ3 、ＣｅＯ2 、Ｅｒ2 Ｏ3 などの希土
類酸化物を合計で２０重量％以下の範囲で添加して泥漿
を作製し、これらの泥漿を押出成形法や鋳物成形法によ
り円筒状をした成形体を形成するか、あるいは上記泥漿
をスプレードライヤーで乾燥させて造粒体を製作し、こ
の造粒体を型内に充填してラバープレス成形法により円
筒状をした成形体を形成する。
盤２と同様、純度９９．８％以上のＡｌＮ粉末に溶媒と
バインダーを加えて泥漿を作製するか、あるいは上記Ａ
ｌＮ粉末にＹ2 Ｏ3 、ＣｅＯ2 、Ｅｒ2 Ｏ3 などの希土
類酸化物を合計で２０重量％以下の範囲で添加して泥漿
を作製し、これらの泥漿を押出成形法や鋳物成形法によ
り円筒状をした成形体を形成するか、あるいは上記泥漿
をスプレードライヤーで乾燥させて造粒体を製作し、こ
の造粒体を型内に充填してラバープレス成形法により円
筒状をした成形体を形成する。
【００２８】そして、この成形体がＡｌＮ粉末のみから
なる場合、窒素雰囲気中にて１９００〜２１００℃の焼
成温度で１〜数時間程度焼成することにより焼結させ、
ＡｌＮ粉末に希土類酸化物を添加したものからなる場
合、窒素雰囲気中にて１７００〜１９００℃の焼成温度
で１〜数時間程度焼成することにより焼結させて円筒状
の支持筒７を製作する。
なる場合、窒素雰囲気中にて１９００〜２１００℃の焼
成温度で１〜数時間程度焼成することにより焼結させ、
ＡｌＮ粉末に希土類酸化物を添加したものからなる場
合、窒素雰囲気中にて１７００〜１９００℃の焼成温度
で１〜数時間程度焼成することにより焼結させて円筒状
の支持筒７を製作する。
【００２９】さらに、上記ウエハ保持盤２と支持筒７と
を接合するために、接合層９として主成分が窒化アルミ
ニウムからなり、Ｙ2 Ｏ3 、ＣｅＯ2 、Ｅｒ2 Ｏ3 など
の希土類酸化物を合計で３〜２０重量％添加したものに
溶媒を加えて泥漿を作製する。
を接合するために、接合層９として主成分が窒化アルミ
ニウムからなり、Ｙ2 Ｏ3 、ＣｅＯ2 、Ｅｒ2 Ｏ3 など
の希土類酸化物を合計で３〜２０重量％添加したものに
溶媒を加えて泥漿を作製する。
【００３０】ここで、希土類酸化物の含有量を３〜２０
重量％とするのは、２０重量％より多くなると前述した
ように窒アルミニウム質焼結体の持つ熱伝導特性や耐プ
ラズマ性が低下するからであり、逆に３重量％より少な
くなると、接合層９付近の熱伝導特性を高めることがで
きないために熱応力集中が起き易くなるためである。
重量％とするのは、２０重量％より多くなると前述した
ように窒アルミニウム質焼結体の持つ熱伝導特性や耐プ
ラズマ性が低下するからであり、逆に３重量％より少な
くなると、接合層９付近の熱伝導特性を高めることがで
きないために熱応力集中が起き易くなるためである。
【００３１】次に、ウエハ保持盤２及び支持筒７の接合
面に研摩加工を施して中心線平均粗さ（Ｒａ）１．６μ
ｍ以下、好ましくは１．０μｍ以下とし、支持筒７の接
合面に上記接合層９をなす泥漿を塗布したあと、ウエハ
保持盤２の接合面と当接させる。そして、この組立体を
乾燥させたあと、窒素雰囲気下にて１７００〜１９００
℃の焼成温度で１〜数時間焼成する。
面に研摩加工を施して中心線平均粗さ（Ｒａ）１．６μ
ｍ以下、好ましくは１．０μｍ以下とし、支持筒７の接
合面に上記接合層９をなす泥漿を塗布したあと、ウエハ
保持盤２の接合面と当接させる。そして、この組立体を
乾燥させたあと、窒素雰囲気下にて１７００〜１９００
℃の焼成温度で１〜数時間焼成する。
【００３２】ここで、接合時の焼成温度を１７００〜１
９００℃とするのは、１７００℃以下では焼結性が悪い
ために接合層９をウエハ保持盤２及び支持筒７を構成す
る窒化アルミニウム焼結体と完全に焼結させることがで
きないからであり、１９００℃より高くなると、拡散が
進むために接合層９中の希土類成分が少なくなり過ぎ、
接合層９の熱伝導特性が低下するとともに、ウエハ保持
盤２や支持筒７が熱変形を生じ、強固な接合強度が得ら
れなくなるからである。
９００℃とするのは、１７００℃以下では焼結性が悪い
ために接合層９をウエハ保持盤２及び支持筒７を構成す
る窒化アルミニウム焼結体と完全に焼結させることがで
きないからであり、１９００℃より高くなると、拡散が
進むために接合層９中の希土類成分が少なくなり過ぎ、
接合層９の熱伝導特性が低下するとともに、ウエハ保持
盤２や支持筒７が熱変形を生じ、強固な接合強度が得ら
れなくなるからである。
【００３３】以上のように作製することで、窒化アルミ
ニウム質焼結体からなるウエハ保持盤２と支持筒７と
を、同種の窒化アルミニウム質焼結体からなる接合層９
を介して焼結一体化したウエハ加熱装置１を製造するこ
とができ、ウエハ保持盤２及び支持筒７を構成する窒化
アルミニウム質焼結体の接合界面近傍には接合層９の希
土類成分を拡散させることができる。
ニウム質焼結体からなるウエハ保持盤２と支持筒７と
を、同種の窒化アルミニウム質焼結体からなる接合層９
を介して焼結一体化したウエハ加熱装置１を製造するこ
とができ、ウエハ保持盤２及び支持筒７を構成する窒化
アルミニウム質焼結体の接合界面近傍には接合層９の希
土類成分を拡散させることができる。
【００３４】なお、上記ウエハ保持盤２と支持筒７とは
接合層９を介して一体的に焼結されているが、これらの
接合界面は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により接合部に
おける切断面の写真を撮り、結晶粒子の大きさ等から判
断することができ、希土類成分の拡散度合いは、接合部
の切断面をＸ線アナライザー（ＥＰＭＡ）等により測定
することで確認することができる。
接合層９を介して一体的に焼結されているが、これらの
接合界面は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により接合部に
おける切断面の写真を撮り、結晶粒子の大きさ等から判
断することができ、希土類成分の拡散度合いは、接合部
の切断面をＸ線アナライザー（ＥＰＭＡ）等により測定
することで確認することができる。
【００３５】このように、図１ではウエハ加熱装置１を
構成するウエハ保持盤２として抵抗発熱体４のみを内蔵
したサセプタについて説明したが、抵抗発熱体４を内蔵
した静電チャックにも適用できることは言うまでもな
い。
構成するウエハ保持盤２として抵抗発熱体４のみを内蔵
したサセプタについて説明したが、抵抗発熱体４を内蔵
した静電チャックにも適用できることは言うまでもな
い。
【００３６】
【実施例】図１に示す本発明のウエハ加熱装置１と、比
較例として図２に示すウエハ保持盤２２と支持筒２７と
をガラス接合したウエハ加熱装置２１、及びウエハ保持
盤２２と支持筒２７とをロウ付け接合したウエハ加熱装
置２１をそれぞれ用意し、接合部の気密性とパーティク
ル量について比較実験を行った。
較例として図２に示すウエハ保持盤２２と支持筒２７と
をガラス接合したウエハ加熱装置２１、及びウエハ保持
盤２２と支持筒２７とをロウ付け接合したウエハ加熱装
置２１をそれぞれ用意し、接合部の気密性とパーティク
ル量について比較実験を行った。
【００３７】本実験ではウエハ保持盤２，２２及び支持
筒７，２７をいずれも純度９９．９％の高純度窒化アル
ミニウム焼結体により形成し、ウエハ保持盤２，２２に
埋設する抵抗発熱体４，２４の材質としてタングステン
を使用した。また、比較例のロウ付け固定においては、
ロウ材にＡｇ−Ｃｕ材を用いて接合した。
筒７，２７をいずれも純度９９．９％の高純度窒化アル
ミニウム焼結体により形成し、ウエハ保持盤２，２２に
埋設する抵抗発熱体４，２４の材質としてタングステン
を使用した。また、比較例のロウ付け固定においては、
ロウ材にＡｇ−Ｃｕ材を用いて接合した。
【００３８】そして、上記ウエハ保持盤２，２２を６０
０℃に加熱してウエハ３５に薄膜を形成し、１０００枚
処理したあとのウエハ３５に付着するパーティクル数を
パーティクルカウンターにて測定するとともに、ウエハ
加熱装置１，２１の支持筒７，２７内を減圧して真空と
し、Ｈｅリークディテクターにて気密性を測定した。
０℃に加熱してウエハ３５に薄膜を形成し、１０００枚
処理したあとのウエハ３５に付着するパーティクル数を
パーティクルカウンターにて測定するとともに、ウエハ
加熱装置１，２１の支持筒７，２７内を減圧して真空と
し、Ｈｅリークディテクターにて気密性を測定した。
【００３９】なお、気密性については、支持筒７，２７
内の真空度が１０-9ｔｏｒｒ以上のものを気密性有りと
し、１０-9ｔｏｒｒ未満となったものを気密性無しとし
て評価した。
内の真空度が１０-9ｔｏｒｒ以上のものを気密性有りと
し、１０-9ｔｏｒｒ未満となったものを気密性無しとし
て評価した。
【００４０】この結果、比較例のガラス接合したウエハ
加熱装置２１及びロウ付け固定したウエハ加熱装置２１
はいずれも１０００枚処理する前に支持筒２７内が１０
-9ｔｏｒｒ未満となり、ガスリークが発生した。
加熱装置２１及びロウ付け固定したウエハ加熱装置２１
はいずれも１０００枚処理する前に支持筒２７内が１０
-9ｔｏｒｒ未満となり、ガスリークが発生した。
【００４１】そこで、ガラス接合したウエハ加熱装置２
１を切断して接合界面を観察したところ、ウエハ保持盤
２２及び支持筒２７と接合材であるガラスとの間の熱膨
張差に起因する応力により接合界面からガスリークが発
生したことが判った。しかも、接合材であるガラスはプ
ラズマにより腐食し、２００個ものパーティクルがウエ
ハ３５に付着していた。また、ロウ付け固定したウエハ
加熱装置２１を切断して接合面界面を観察したところ、
ロウ材がプラズマにより腐食し、接合界面からガスリー
クが発生したことが判った。また、ロウ材の腐食により
ウエハ３５には１２０個のパーティクルが付着してい
た。
１を切断して接合界面を観察したところ、ウエハ保持盤
２２及び支持筒２７と接合材であるガラスとの間の熱膨
張差に起因する応力により接合界面からガスリークが発
生したことが判った。しかも、接合材であるガラスはプ
ラズマにより腐食し、２００個ものパーティクルがウエ
ハ３５に付着していた。また、ロウ付け固定したウエハ
加熱装置２１を切断して接合面界面を観察したところ、
ロウ材がプラズマにより腐食し、接合界面からガスリー
クが発生したことが判った。また、ロウ材の腐食により
ウエハ３５には１２０個のパーティクルが付着してい
た。
【００４２】これに対し、本発明のウエハ加熱装置１に
はガスリークが全く見られず、支持筒７内の真空度を１
０-9ｔｏｒｒ以上に保つことができ、十分な気密性を有
するとともに、ウエハ３５の付着するパーティクル数も
１０個を少ないものであった。
はガスリークが全く見られず、支持筒７内の真空度を１
０-9ｔｏｒｒ以上に保つことができ、十分な気密性を有
するとともに、ウエハ３５の付着するパーティクル数も
１０個を少ないものであった。
【００４３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、抵抗発
熱体を内蔵してなるウエハ保持盤と、該ウエハ保持盤を
処理室内に設置する支持筒の両者を窒化アルミニウム質
焼結体により形成するとともに、これらウエハ保持盤と
支持筒とを、窒化アルミニウムを主成分とし、希土類酸
化物を含んでなる接合層を介して焼成し、上記接合層の
希土類成分がウエハ保持盤及び支持筒を構成する窒化ア
ルミニウム質焼結体に拡散した状態で接合一体化してウ
エハ加熱装置を構成したことにより、ウエハ保持盤と支
持筒とを強固に接合することができるとともに、急冷・
急加熱の繰り返しにおいても優れた耐久性を有すること
から、大きな熱衝撃が加わる状態で使用しても破損する
ことがない。しかも、ウエハ加熱装置全体が耐プラズマ
性に優れることから腐食を受け難く、パーティクルの発
生を大幅に低減することができる。
熱体を内蔵してなるウエハ保持盤と、該ウエハ保持盤を
処理室内に設置する支持筒の両者を窒化アルミニウム質
焼結体により形成するとともに、これらウエハ保持盤と
支持筒とを、窒化アルミニウムを主成分とし、希土類酸
化物を含んでなる接合層を介して焼成し、上記接合層の
希土類成分がウエハ保持盤及び支持筒を構成する窒化ア
ルミニウム質焼結体に拡散した状態で接合一体化してウ
エハ加熱装置を構成したことにより、ウエハ保持盤と支
持筒とを強固に接合することができるとともに、急冷・
急加熱の繰り返しにおいても優れた耐久性を有すること
から、大きな熱衝撃が加わる状態で使用しても破損する
ことがない。しかも、ウエハ加熱装置全体が耐プラズマ
性に優れることから腐食を受け難く、パーティクルの発
生を大幅に低減することができる。
【図１】ＣＶＤ装置の処理室に本発明に係るウエハ加熱
装置を設置した状態を示す断面図である。
装置を設置した状態を示す断面図である。
【図２】ＣＶＤ装置の処理室に従来のウエハ加熱装置を
設置した状態を示す断面図である。
設置した状態を示す断面図である。
【図３】従来における他のウエハ加熱装置を示す断面図
である。
である。
１・・・ウエハ加熱装置、 ２・・・ウエハ保持盤、３
・・・支持面、４・・・抵抗発熱体、 ５・・・給電端
子、 ６・・・熱電対、７・・・支持筒、 ８・・・シ
ール材、 ９・・・接合層、３０・・・処理室、 ３１
・・・供給孔、 ３２・・・排出孔、３５・・・半導体
ウエハ
・・・支持面、４・・・抵抗発熱体、 ５・・・給電端
子、 ６・・・熱電対、７・・・支持筒、 ８・・・シ
ール材、 ９・・・接合層、３０・・・処理室、 ３１
・・・供給孔、 ３２・・・排出孔、３５・・・半導体
ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 // Ｈ０１Ｌ 21/3065 21/302 Ｂ
Claims (1)
- 【請求項１】抵抗発熱体を内蔵してなるウエハ保持盤
と、該ウエハ保持盤を処理室内に設置する支持筒の両者
を窒化アルミニウム質焼結体により形成するとともに、
これらウエハ保持盤と支持筒とを、窒化アルミニウムを
主成分とし、希土類酸化物を含んでなる接合層を介して
焼成し、上記接合層の希土類成分がウエハ保持盤及び支
持筒を構成する窒化アルミニウム質焼結体に拡散した状
態で接合一体化せしめたことを特徴とするウエハ加熱装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4557497A JPH10242252A (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | ウエハ加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4557497A JPH10242252A (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | ウエハ加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242252A true JPH10242252A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12723129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4557497A Pending JPH10242252A (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | ウエハ加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242252A (ja) |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002057207A (ja) * | 2000-01-20 | 2002-02-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用ウェハ保持体およびその製造方法ならびに半導体製造装置 |
| JP2002299432A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Ngk Insulators Ltd | セラミックサセプターの支持構造 |
| WO2003015157A1 (en) * | 2001-08-10 | 2003-02-20 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic joint body |
| JP2003257596A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | セラミックスヒータ及び該ヒータを用いた半導体／液晶製造装置 |
| US6653604B2 (en) | 2001-04-11 | 2003-11-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Heater member for mounting heating object and substrate processing apparatus using the same |
| JP2004056084A (ja) * | 2002-03-13 | 2004-02-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用保持体 |
| JP2005191581A (ja) * | 2000-01-20 | 2005-07-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用ウェハ保持体およびその製造方法ならびに半導体製造装置 |
| JP2006245610A (ja) * | 2002-03-13 | 2006-09-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用保持体 |
| JP2006290662A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | アルミニウム系ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法並びに製造装置 |
| US7211153B2 (en) | 2001-04-13 | 2007-05-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Ceramic joined body, substrate holding structure and substrate processing apparatus |
| JP2007254205A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Kyocera Corp | 窒化珪素接合体とその製造方法およびこれを用いた半導体製造装置用部材 |
| JP2007287377A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 加熱素子 |
| JP2007287379A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 加熱素子 |
| JP2007287378A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 加熱素子 |
| JP2008019130A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | アルミニウム系ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法 |
| CN106252245A (zh) * | 2016-09-29 | 2016-12-21 | 黄山市七七七电子有限公司 | 高可靠性高压功率半导体模块芯片的制造工艺 |
| KR20190019172A (ko) | 2016-07-20 | 2019-02-26 | 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 | 반도체 제조장치용 부품 |
| WO2019088203A1 (ja) * | 2017-11-02 | 2019-05-09 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材、その製法及び成形型 |
| US10615060B2 (en) | 2016-09-29 | 2020-04-07 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Heating device |
| JP2020155571A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 株式会社フェローテックマテリアルテクノロジーズ | ウエハ支持体およびウエハ支持体の製造方法 |
| JP2020161589A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材、その製法及び成形型 |
| US10945312B2 (en) | 2016-09-29 | 2021-03-09 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Heating device |
| US11142484B2 (en) | 2016-07-20 | 2021-10-12 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Component for semiconductor production device, and production method of component for semiconductor production device |
| US11560336B2 (en) | 2016-07-20 | 2023-01-24 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Method for producing semiconductor production device component, and semiconductor production device component |
-
1997
- 1997-02-28 JP JP4557497A patent/JPH10242252A/ja active Pending
Cited By (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002057207A (ja) * | 2000-01-20 | 2002-02-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用ウェハ保持体およびその製造方法ならびに半導体製造装置 |
| JP2005191581A (ja) * | 2000-01-20 | 2005-07-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用ウェハ保持体およびその製造方法ならびに半導体製造装置 |
| JP2002299432A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Ngk Insulators Ltd | セラミックサセプターの支持構造 |
| US6653604B2 (en) | 2001-04-11 | 2003-11-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Heater member for mounting heating object and substrate processing apparatus using the same |
| KR100773211B1 (ko) * | 2001-04-11 | 2007-11-02 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 피가열물 탑재용 히터 부재 및 그를 이용한 기판 처리 장치 |
| KR100752888B1 (ko) | 2001-04-11 | 2007-08-28 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 피가열물 탑재용 히터 부재, 그를 이용한 기판 처리 장치 및 히터 장치 |
| US7211153B2 (en) | 2001-04-13 | 2007-05-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Ceramic joined body, substrate holding structure and substrate processing apparatus |
| WO2003015157A1 (en) * | 2001-08-10 | 2003-02-20 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic joint body |
| US6921881B2 (en) | 2001-08-10 | 2005-07-26 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic joint body |
| JP2003257596A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | セラミックスヒータ及び該ヒータを用いた半導体／液晶製造装置 |
| JP2004056084A (ja) * | 2002-03-13 | 2004-02-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用保持体 |
| JP2006245610A (ja) * | 2002-03-13 | 2006-09-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用保持体 |
| JP2006290662A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | アルミニウム系ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法並びに製造装置 |
| JP2007254205A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Kyocera Corp | 窒化珪素接合体とその製造方法およびこれを用いた半導体製造装置用部材 |
| JP2007287377A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 加熱素子 |
| JP2007287379A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 加熱素子 |
| JP2007287378A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 加熱素子 |
| JP2008019130A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | アルミニウム系ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法 |
| US11142484B2 (en) | 2016-07-20 | 2021-10-12 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Component for semiconductor production device, and production method of component for semiconductor production device |
| KR20190019172A (ko) | 2016-07-20 | 2019-02-26 | 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 | 반도체 제조장치용 부품 |
| US11560336B2 (en) | 2016-07-20 | 2023-01-24 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Method for producing semiconductor production device component, and semiconductor production device component |
| CN106252245A (zh) * | 2016-09-29 | 2016-12-21 | 黄山市七七七电子有限公司 | 高可靠性高压功率半导体模块芯片的制造工艺 |
| US10945312B2 (en) | 2016-09-29 | 2021-03-09 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Heating device |
| US10615060B2 (en) | 2016-09-29 | 2020-04-07 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Heating device |
| JPWO2019088203A1 (ja) * | 2017-11-02 | 2020-11-19 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材、その製法及び成形型 |
| KR20200061395A (ko) * | 2017-11-02 | 2020-06-02 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 반도체 제조 장치용 부재, 그 제조법 및 성형형 |
| TWI726253B (zh) * | 2017-11-02 | 2021-05-01 | 日商日本碍子股份有限公司 | 半導體製造裝置用構件、其製法及成形模具 |
| CN111316418A (zh) * | 2017-11-02 | 2020-06-19 | 日本碍子株式会社 | 半导体制造装置用构件、其制法及成型模具 |
| WO2019088203A1 (ja) * | 2017-11-02 | 2019-05-09 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材、その製法及び成形型 |
| CN111316418B (zh) * | 2017-11-02 | 2024-01-30 | 日本碍子株式会社 | 半导体制造装置用构件、其制法及成型模具 |
| JP2020155571A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 株式会社フェローテックマテリアルテクノロジーズ | ウエハ支持体およびウエハ支持体の製造方法 |
| JP2020161589A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材、その製法及び成形型 |
| KR20200115234A (ko) | 2019-03-26 | 2020-10-07 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 반도체 제조 장치용 부재, 그 제조법 및 성형형 |
| CN111755361A (zh) * | 2019-03-26 | 2020-10-09 | 日本碍子株式会社 | 半导体制造装置用部件及其制造方法、成形模具 |
| TWI745899B (zh) * | 2019-03-26 | 2021-11-11 | 日商日本碍子股份有限公司 | 半導體製造裝置用構件、其製法及成形模具 |
| CN111755361B (zh) * | 2019-03-26 | 2024-07-26 | 日本碍子株式会社 | 半导体制造装置用部件及其制造方法、成形模具 |
| US12198965B2 (en) | 2019-03-26 | 2025-01-14 | Ngk Insulators, Ltd. | Member for semiconductor manufacturing apparatus, method for manufacturing the same, and mold |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10242252A (ja) | ウエハ加熱装置 | |
| JP3975944B2 (ja) | 半導体あるいは液晶製造装置用保持体およびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置 | |
| US7547407B2 (en) | Manufacturing method for sintered body with buried metallic member | |
| US7211153B2 (en) | Ceramic joined body, substrate holding structure and substrate processing apparatus | |
| US7361230B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| EP1801961A2 (en) | Electrostatic chuck | |
| JP3758979B2 (ja) | 静電チャック及び処理装置 | |
| US7837798B2 (en) | Semiconductor processing apparatus with a heat resistant hermetically sealed substrate support | |
| US7414823B2 (en) | Holder for use in semiconductor or liquid-crystal manufacturing device and semiconductor or liquid-crystal manufacturing device in which the holder is installed | |
| JP2005317749A (ja) | 半導体製造装置用保持体及びそれを搭載した半導体製造装置 | |
| JP2001237051A (ja) | 筒状体を有するセラミックヒーター及びこれを用いた加熱装置 | |
| JP2003142564A (ja) | 支持装置 | |
| JPH0750736B2 (ja) | ウエハー加熱装置及びその製造方法 | |
| JP3389484B2 (ja) | 窒化アルミニウム接合構造体とその製造方法 | |
| US7999210B2 (en) | Heating device for manufacturing semiconductor | |
| JPH09270454A (ja) | ウエハ保持装置 | |
| JP3426845B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP3909248B2 (ja) | 試料加熱装置 | |
| JP2001085505A (ja) | サセプタ及びその製造方法 | |
| JP2003152064A (ja) | 電極内蔵型サセプタ及びその製造方法 | |
| JP2000143349A (ja) | 窒化アルミニウム質焼結体およびそれを用いた静電チャック | |
| JP2836986B2 (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
| JP3662909B2 (ja) | ウエハー吸着加熱装置及びウエハー吸着装置 | |
| JP2002313900A (ja) | 基板保持構造体および基板処理装置 | |
| JP2004363335A (ja) | 半導体あるいは液晶製造装置用保持体およびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040922 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041012 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041213 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050920 |