JPH10242354A - 熱伝導部材およびそれを用いた電子装置 - Google Patents
熱伝導部材およびそれを用いた電子装置Info
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- JPH10242354A JPH10242354A JP9038716A JP3871697A JPH10242354A JP H10242354 A JPH10242354 A JP H10242354A JP 9038716 A JP9038716 A JP 9038716A JP 3871697 A JP3871697 A JP 3871697A JP H10242354 A JPH10242354 A JP H10242354A
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- Japan
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- elastic body
- electronic device
- heat sink
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W40/20—Arrangements for cooling
- H10W40/25—Arrangements for cooling characterised by their materials
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 取扱いが容易で、高熱伝導性であり、かつ、
発熱素子とヒートシンクとに対する密着性が高く、半導
体パッケージへのストレスが低い熱伝導部材およびそれ
を用いた電子装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 発熱素子と発熱素子の発生熱を放熱する
ためのヒートシンクとを接続する熱伝導部材であって、
弾性体1と、弾性体を密着包囲する高熱伝導性箔2とを
有する。
発熱素子とヒートシンクとに対する密着性が高く、半導
体パッケージへのストレスが低い熱伝導部材およびそれ
を用いた電子装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 発熱素子と発熱素子の発生熱を放熱する
ためのヒートシンクとを接続する熱伝導部材であって、
弾性体1と、弾性体を密着包囲する高熱伝導性箔2とを
有する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発熱素子と発熱素
子の発生熱を放熱するためのヒートシンクとを接続する
熱伝導部材およびその熱伝導部材を用いた電子装置に関
する。
子の発生熱を放熱するためのヒートシンクとを接続する
熱伝導部材およびその熱伝導部材を用いた電子装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】パワートランジスタ等のディスクリート
素子やMPU等の集積回路素子など高発熱量の半導体素
子を冷却するため、これらの発熱素子にヒートシンクを
取り付けることが一般に行われている。従来から、発熱
素子とヒートシンクとの密着を良くするため、シリコン
グリス等のペースト状の熱伝導部材やシリコンラバー等
の熱伝導性が良く弾性を有するシート状の熱伝導部材な
どを発熱素子とヒートシンクとの間に挟み込んでいる。
以下、従来の熱伝導部材について説明する。
素子やMPU等の集積回路素子など高発熱量の半導体素
子を冷却するため、これらの発熱素子にヒートシンクを
取り付けることが一般に行われている。従来から、発熱
素子とヒートシンクとの密着を良くするため、シリコン
グリス等のペースト状の熱伝導部材やシリコンラバー等
の熱伝導性が良く弾性を有するシート状の熱伝導部材な
どを発熱素子とヒートシンクとの間に挟み込んでいる。
以下、従来の熱伝導部材について説明する。
【0003】図3は従来の熱伝導部材を用いた電子装置
を示す断面図である。図3において、5は発熱素子とし
ての半導体素子、6は発熱素子5からの発生熱を放熱す
るヒートシンク、7は半導体素子5とヒートシンク6と
の間に挟み込んで密着性を高める熱伝導部材である。熱
伝導部材7の性能として、発熱素子5やヒートシンク6
への高密着性と高熱伝導性とが要求され、従来はシリコ
ングリスやシリコンラバーなどが用いられていた。
を示す断面図である。図3において、5は発熱素子とし
ての半導体素子、6は発熱素子5からの発生熱を放熱す
るヒートシンク、7は半導体素子5とヒートシンク6と
の間に挟み込んで密着性を高める熱伝導部材である。熱
伝導部材7の性能として、発熱素子5やヒートシンク6
への高密着性と高熱伝導性とが要求され、従来はシリコ
ングリスやシリコンラバーなどが用いられていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のシリコングリスやシリコンラバーなどの熱伝導部材
では、次のような問題点があった。
来のシリコングリスやシリコンラバーなどの熱伝導部材
では、次のような問題点があった。
【0005】すなわち、シリコングリス等のペースト状
の熱伝導部材は細かい隙間を埋めることができるため熱
伝導性は高いが、液体状であるため、塗布の定量管理を
行う必要があり、また取り外して再取り付けする場合に
追加塗布が必要であり、取扱いが煩雑であるという問題
点を有していた。また、シリコンラバー等の弾性を有す
るシート状熱伝導部材は取扱いは容易で、かつTCPパ
ッケージの半導体素子などのように低強度のパッケージ
へヒートシンクを取り付ける場合でも半導体素子に集中
応力がかからずストレスを与えないというメリットがあ
るが、熱伝導性はシリコングリスなどと比較して低いと
いう問題点を有していた。
の熱伝導部材は細かい隙間を埋めることができるため熱
伝導性は高いが、液体状であるため、塗布の定量管理を
行う必要があり、また取り外して再取り付けする場合に
追加塗布が必要であり、取扱いが煩雑であるという問題
点を有していた。また、シリコンラバー等の弾性を有す
るシート状熱伝導部材は取扱いは容易で、かつTCPパ
ッケージの半導体素子などのように低強度のパッケージ
へヒートシンクを取り付ける場合でも半導体素子に集中
応力がかからずストレスを与えないというメリットがあ
るが、熱伝導性はシリコングリスなどと比較して低いと
いう問題点を有していた。
【0006】この熱伝導部材および電子装置では、取扱
いが容易で、高熱伝導性であり、かつ、発熱素子とヒー
トシンクとに対する密着性が高く、半導体パッケージへ
のストレスが低いことが要求されている。
いが容易で、高熱伝導性であり、かつ、発熱素子とヒー
トシンクとに対する密着性が高く、半導体パッケージへ
のストレスが低いことが要求されている。
【0007】本発明は、取扱いが容易で、高熱伝導性で
あり、かつ、発熱素子とヒートシンクとに対する密着性
が高く、半導体パッケージへのストレスが低い熱伝導部
材およびその熱伝導部材を用い冷却性能に優れた電子装
置を提供することを目的とする。
あり、かつ、発熱素子とヒートシンクとに対する密着性
が高く、半導体パッケージへのストレスが低い熱伝導部
材およびその熱伝導部材を用い冷却性能に優れた電子装
置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の熱伝導部材は、発熱素子と発熱素子の発生熱
を放熱するためのヒートシンクとを接続する熱伝導部材
であって、弾性体と、弾性体を密着包囲する高熱伝導性
箔とを有する構成を備えている。
に本発明の熱伝導部材は、発熱素子と発熱素子の発生熱
を放熱するためのヒートシンクとを接続する熱伝導部材
であって、弾性体と、弾性体を密着包囲する高熱伝導性
箔とを有する構成を備えている。
【0009】これにより、取扱いが容易で、高熱伝導性
であり、かつ、発熱素子とヒートシンクとに対する密着
性が高く、半導体パッケージへのストレスが低い熱伝導
部材が得られる。
であり、かつ、発熱素子とヒートシンクとに対する密着
性が高く、半導体パッケージへのストレスが低い熱伝導
部材が得られる。
【0010】この課題を解決するための本発明の電子装
置は、半導体素子等の発熱素子と発熱素子の発生熱を放
熱するためのヒートシンクとを有する電子装置であっ
て、発熱素子とヒートシンクとの間に上記熱伝導部材を
挿入した構成を備えている。
置は、半導体素子等の発熱素子と発熱素子の発生熱を放
熱するためのヒートシンクとを有する電子装置であっ
て、発熱素子とヒートシンクとの間に上記熱伝導部材を
挿入した構成を備えている。
【0011】これにより、上記熱伝導部材を用い冷却性
能に優れた電子装置が得られる。
能に優れた電子装置が得られる。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、発熱素子と発熱素子の発生熱を放熱するためのヒー
トシンクとを接続する熱伝導部材であって、弾性体と、
弾性体を密着包囲する高熱伝導性箔とを有することとし
たものであり、発熱素子からの発生熱は弾性体を介して
ヒートシンクに伝達されると共に高熱伝導性箔を介して
も伝達されるという作用を有する。
は、発熱素子と発熱素子の発生熱を放熱するためのヒー
トシンクとを接続する熱伝導部材であって、弾性体と、
弾性体を密着包囲する高熱伝導性箔とを有することとし
たものであり、発熱素子からの発生熱は弾性体を介して
ヒートシンクに伝達されると共に高熱伝導性箔を介して
も伝達されるという作用を有する。
【0013】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の発明において、弾性体はニトリルゴム又はシリコンゴ
ムであり、高熱伝導性箔はグラファイト、銅又はアルミ
ニウムの箔であることとしたものであり、熱伝達が弾性
体および高熱伝導性箔を介して良好に行われるという作
用を有する。
の発明において、弾性体はニトリルゴム又はシリコンゴ
ムであり、高熱伝導性箔はグラファイト、銅又はアルミ
ニウムの箔であることとしたものであり、熱伝達が弾性
体および高熱伝導性箔を介して良好に行われるという作
用を有する。
【0014】請求項3に記載の発明は、半導体素子等の
発熱素子と発熱素子の発生熱を放熱するためのヒートシ
ンクとを有する電子装置であって、発熱素子とヒートシ
ンクとの間に請求項1又は2に記載の熱伝導部材を挿入
することとしたものであり、発熱素子からの発生熱は弾
性体を介してヒートシンクに伝達されると共に高熱伝導
性箔を介しても伝達されるという作用を有する。
発熱素子と発熱素子の発生熱を放熱するためのヒートシ
ンクとを有する電子装置であって、発熱素子とヒートシ
ンクとの間に請求項1又は2に記載の熱伝導部材を挿入
することとしたものであり、発熱素子からの発生熱は弾
性体を介してヒートシンクに伝達されると共に高熱伝導
性箔を介しても伝達されるという作用を有する。
【0015】以下、本発明の実施の形態について、図
1、図2を用いて説明する。 (実施の形態1)図1は本発明の実施の形態1による熱
伝導部材を示す構成図であり、図2は図1の熱伝導部材
を用いた電子装置を示す断面図である。図1、図2にお
いて、1はシート状の弾性体、2は弾性体1の周りを包
み込んだ高熱伝導性箔、3はMPU等の発熱素子である
半導体素子、4はヒートシンクである。
1、図2を用いて説明する。 (実施の形態1)図1は本発明の実施の形態1による熱
伝導部材を示す構成図であり、図2は図1の熱伝導部材
を用いた電子装置を示す断面図である。図1、図2にお
いて、1はシート状の弾性体、2は弾性体1の周りを包
み込んだ高熱伝導性箔、3はMPU等の発熱素子である
半導体素子、4はヒートシンクである。
【0016】以上のように構成された熱伝導部材および
電子装置について、その具体例等を説明する。
電子装置について、その具体例等を説明する。
【0017】弾性体1は、ヒートシンク4を半導体素子
3に取り付ける際に半導体素子3にダメージを与えない
ように、半導体素子3とヒートシンク4との間のクッシ
ョンの役割と、隙間を埋めて熱伝導を良くする役割とを
有する。弾性体1としては熱に強いニトリルゴムやシリ
コンゴムなどの材料が望ましい。また、弾性体1は、熱
伝導は高熱伝導性箔2が担うため、必ずしもシリコンゴ
ム等の高熱伝導性を有するものでなくてもよい。
3に取り付ける際に半導体素子3にダメージを与えない
ように、半導体素子3とヒートシンク4との間のクッシ
ョンの役割と、隙間を埋めて熱伝導を良くする役割とを
有する。弾性体1としては熱に強いニトリルゴムやシリ
コンゴムなどの材料が望ましい。また、弾性体1は、熱
伝導は高熱伝導性箔2が担うため、必ずしもシリコンゴ
ム等の高熱伝導性を有するものでなくてもよい。
【0018】高熱伝導性箔2としては、熱伝導異方性を
持つグラファイトシートで、面内方向の熱伝導係数TK
が400W/mK≦TK<2000W/mKであり、厚
さ方向が面内方向よりも熱伝導係数が低いものを用い
る。厚さは0.1mm程度である。また、面方向の熱伝
導を生かすため、図1に示すように、高熱伝導性箔2を
オーバーラップさせて巻き付ける。高熱伝導性箔2とし
ては、弾性体1のクッション性を損なわないような柔軟
性と高い熱伝導性をそなえていれば、銅箔またはアルミ
ニウム箔を用いることも可能である。高熱伝導性箔2は
熱伝導性を考慮した接着剤、両面テープ等で弾性体1に
固定する。
持つグラファイトシートで、面内方向の熱伝導係数TK
が400W/mK≦TK<2000W/mKであり、厚
さ方向が面内方向よりも熱伝導係数が低いものを用い
る。厚さは0.1mm程度である。また、面方向の熱伝
導を生かすため、図1に示すように、高熱伝導性箔2を
オーバーラップさせて巻き付ける。高熱伝導性箔2とし
ては、弾性体1のクッション性を損なわないような柔軟
性と高い熱伝導性をそなえていれば、銅箔またはアルミ
ニウム箔を用いることも可能である。高熱伝導性箔2は
熱伝導性を考慮した接着剤、両面テープ等で弾性体1に
固定する。
【0019】MPU等の半導体素子3で発生した熱は、
弾性体1を通り、ヒートシンク4に矢印Aのように伝わ
って放熱されるとともに、高熱伝導性箔2を通して側面
からも矢印Bのように伝導される。半導体素子3と弾性
体1との間および弾性体1とヒートシンク4との間に高
熱伝導性箔2があるが、箔状で極めて薄いため密着性は
阻害されず、かつ、高熱伝導性であるため、矢印A方向
の熱伝導は高熱伝導性箔2がないときと殆ど同じであ
る。矢印Bの経路による熱伝導においては、高熱伝導性
箔2が弾性体1よりも熱伝導が良いため、矢印Aの弾性
体1を経由する熱伝導よりも多くの熱が伝導される。
弾性体1を通り、ヒートシンク4に矢印Aのように伝わ
って放熱されるとともに、高熱伝導性箔2を通して側面
からも矢印Bのように伝導される。半導体素子3と弾性
体1との間および弾性体1とヒートシンク4との間に高
熱伝導性箔2があるが、箔状で極めて薄いため密着性は
阻害されず、かつ、高熱伝導性であるため、矢印A方向
の熱伝導は高熱伝導性箔2がないときと殆ど同じであ
る。矢印Bの経路による熱伝導においては、高熱伝導性
箔2が弾性体1よりも熱伝導が良いため、矢印Aの弾性
体1を経由する熱伝導よりも多くの熱が伝導される。
【0020】このように、発熱素子としての半導体素子
3とヒートシンク4との接続に柔軟性のある弾性体1を
用いることにより、密着接続および効率的な熱伝導が可
能であり、また、高熱伝導性箔2を用いることにより、
弾性体1だけの場合に比較して高い熱伝導性が実現さ
れ、半導体素子3の効率的な発熱が可能となる。
3とヒートシンク4との接続に柔軟性のある弾性体1を
用いることにより、密着接続および効率的な熱伝導が可
能であり、また、高熱伝導性箔2を用いることにより、
弾性体1だけの場合に比較して高い熱伝導性が実現さ
れ、半導体素子3の効率的な発熱が可能となる。
【0021】次に、本実施の形態による熱伝導部材を用
いた電子装置と従来の熱伝導部材を用いた電子装置との
比較実験について説明する。(表1)に、半導体素子3
および半導体素子5としてMPUダミーを用いて半導体
パッケージ表面の温度上昇を計測した結果を示す。
いた電子装置と従来の熱伝導部材を用いた電子装置との
比較実験について説明する。(表1)に、半導体素子3
および半導体素子5としてMPUダミーを用いて半導体
パッケージ表面の温度上昇を計測した結果を示す。
【0022】
【表1】
【0023】(表1)において、上欄(1)は熱伝導異
方性を持つグラファイトシート(厚さ0.1mm)でニ
トリルゴム(厚さ2mm、熱伝導率0.2W/mK)を
密着して包む込んだ場合の結果を示し、中欄(2)はシ
リコングリス(熱伝導率0.93W/mK)を熱伝導部
材とした電子装置の場合の結果を、下欄(3)はシリコ
ンゴム(厚さ1mm、熱伝導率1.3W/mK)を熱伝
導部材とした電子装置の場合の結果を示す。
方性を持つグラファイトシート(厚さ0.1mm)でニ
トリルゴム(厚さ2mm、熱伝導率0.2W/mK)を
密着して包む込んだ場合の結果を示し、中欄(2)はシ
リコングリス(熱伝導率0.93W/mK)を熱伝導部
材とした電子装置の場合の結果を、下欄(3)はシリコ
ンゴム(厚さ1mm、熱伝導率1.3W/mK)を熱伝
導部材とした電子装置の場合の結果を示す。
【0024】(表1)の上欄(1)から、熱伝導率がシ
リコンラバーよりも低く厚さが2倍のニトリルゴムを使
用したにもかかわらず、熱伝導異方性を持つグラファイ
トでニトリルゴムを包み込んだことにより、下欄(3)
のシリコンラバーよりも温度上昇は低く、中欄(2)の
シリコングリスを用いた場合とほぼ同等の温度上昇であ
ることがわかる。熱伝導部材に半導体素子3およびヒー
トシンク4を固着する方法は、例えば、半導体素子3上
に熱伝導部材を置き、ヒートシンク4をP板(図示せ
ず)にねじ止めし、半導体素子3と熱伝導部材とをヒー
トシンク4とP板とで挟み込んで固定する。
リコンラバーよりも低く厚さが2倍のニトリルゴムを使
用したにもかかわらず、熱伝導異方性を持つグラファイ
トでニトリルゴムを包み込んだことにより、下欄(3)
のシリコンラバーよりも温度上昇は低く、中欄(2)の
シリコングリスを用いた場合とほぼ同等の温度上昇であ
ることがわかる。熱伝導部材に半導体素子3およびヒー
トシンク4を固着する方法は、例えば、半導体素子3上
に熱伝導部材を置き、ヒートシンク4をP板(図示せ
ず)にねじ止めし、半導体素子3と熱伝導部材とをヒー
トシンク4とP板とで挟み込んで固定する。
【0025】なお、本実施の形態では、弾性体1として
ニトリルゴムを示したが、弾性体1としてはシリコンゴ
ムでも良い。
ニトリルゴムを示したが、弾性体1としてはシリコンゴ
ムでも良い。
【0026】以上のように本実施の形態によれば、シリ
コングリスを用いないことにより塗布の定量管理や追加
塗布が不要で取扱いが容易であり、高熱伝導性箔2を用
いたことにより高熱伝導性であると共に発熱素子3とヒ
ートシンク4とに対する密着性が高く、また、弾性体1
を用いたことにより半導体パッケージへのストレスが低
くくなる。
コングリスを用いないことにより塗布の定量管理や追加
塗布が不要で取扱いが容易であり、高熱伝導性箔2を用
いたことにより高熱伝導性であると共に発熱素子3とヒ
ートシンク4とに対する密着性が高く、また、弾性体1
を用いたことにより半導体パッケージへのストレスが低
くくなる。
【0027】
【発明の効果】以上のように本発明の熱伝導部材によれ
ば、塗布の定量管理や追加塗布が不要で取扱いが容易で
あると共に、発熱素子からの発生熱が弾性体および高熱
伝導性箔を介してヒートシンクに伝達されることにより
高熱伝導性であり、また、高熱伝導性箔を用いたことに
より発熱素子とヒートシンクとに対する密着性が高く、
さらに、弾性体を用いたことにより半導体パッケージへ
のストレスが低いという有利な効果が得られる。
ば、塗布の定量管理や追加塗布が不要で取扱いが容易で
あると共に、発熱素子からの発生熱が弾性体および高熱
伝導性箔を介してヒートシンクに伝達されることにより
高熱伝導性であり、また、高熱伝導性箔を用いたことに
より発熱素子とヒートシンクとに対する密着性が高く、
さらに、弾性体を用いたことにより半導体パッケージへ
のストレスが低いという有利な効果が得られる。
【0028】また、弾性体はニトリルゴム又はシリコン
ゴムであり、高熱伝導性箔はグラファイト、銅又はアル
ミニウムの箔であることにより、熱伝達を弾性体および
高熱伝導性箔を介して良好かつ確実に行うことができる
という有利な効果が得られる。
ゴムであり、高熱伝導性箔はグラファイト、銅又はアル
ミニウムの箔であることにより、熱伝達を弾性体および
高熱伝導性箔を介して良好かつ確実に行うことができる
という有利な効果が得られる。
【0029】さらに、発熱素子とヒートシンクとの間に
上記熱伝導部材を挿入したことにより、上記熱伝導部材
を使用した電子装置を容易に製造することができるとい
う有利な効果が得られる。
上記熱伝導部材を挿入したことにより、上記熱伝導部材
を使用した電子装置を容易に製造することができるとい
う有利な効果が得られる。
【図1】本発明の実施の形態1による熱伝導部材を示す
構成図
構成図
【図2】図1の熱伝導部材を用いた電子装置を示す断面
図
図
【図3】従来の熱伝導部材を用いた電子装置を示す断面
図
図
1 弾性体 2 高熱伝導性箔 3 半導体素子(発熱素子) 4 ヒートシンク
Claims (3)
- 【請求項1】発熱素子と前記発熱素子の発生熱を放熱す
るためのヒートシンクとを接続する熱伝導部材であっ
て、弾性体と、前記弾性体を密着包囲する高熱伝導性箔
とを有することを特徴とする熱伝導部材。 - 【請求項2】前記弾性体はニトリルゴム又はシリコンゴ
ムであり、前記高熱伝導性箔はグラファイト、銅又はア
ルミニウムの箔であることを特徴とする請求項1に記載
の熱伝導部材。 - 【請求項3】半導体素子等の発熱素子と前記発熱素子の
発生熱を放熱するためのヒートシンクとを有することを
特徴とする電子装置であって、前記発熱素子と前記ヒー
トシンクとの間に請求項1又は2に記載の熱伝導部材を
挿入した電子装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9038716A JPH10242354A (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | 熱伝導部材およびそれを用いた電子装置 |
| US09/022,624 US6097598A (en) | 1997-02-24 | 1998-02-12 | Thermal conductive member and electronic device using same |
| TW087102035A TW410539B (en) | 1997-02-24 | 1998-02-13 | Thermal conductive member and electronic device using same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9038716A JPH10242354A (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | 熱伝導部材およびそれを用いた電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242354A true JPH10242354A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12533056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9038716A Pending JPH10242354A (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | 熱伝導部材およびそれを用いた電子装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
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