JPH10242494A - 光起電力装置 - Google Patents
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- JPH10242494A JPH10242494A JP9047816A JP4781697A JPH10242494A JP H10242494 A JPH10242494 A JP H10242494A JP 9047816 A JP9047816 A JP 9047816A JP 4781697 A JP4781697 A JP 4781697A JP H10242494 A JPH10242494 A JP H10242494A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、低抵抗率で且つ光入射ロスを低
減させた透光性電極を有する光起電力装置を提供するこ
とをその目的とする。 【解決手段】 この発明は、光電変換層３の光入射側に
透光性電極２を備えた光起電力装置であって、前記透光
性電極２は、光入射側の領域を非晶質状態の層２１、光
電変換層側の領域を多結晶状態の層２２に形成してい
る。
減させた透光性電極を有する光起電力装置を提供するこ
とをその目的とする。 【解決手段】 この発明は、光電変換層３の光入射側に
透光性電極２を備えた光起電力装置であって、前記透光
性電極２は、光入射側の領域を非晶質状態の層２１、光
電変換層側の領域を多結晶状態の層２２に形成してい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、太陽電池装置な
どの光起電力装置に係り、特に、低抵抗率で光入射ロス
の少ない透光性電極に関する。
どの光起電力装置に係り、特に、低抵抗率で光入射ロス
の少ない透光性電極に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、太陽電池装置の構造としては、ガ
ラス、プラスチック等の絶縁性を有する透光性基板上
に、ＳｎＯ2、ＩＴＯ、ＺｎＯ等からなる透光性電極、
光電変換機能を有する光電変換層、及びＡｇ、Ａｌ等か
らなる金属がこの順序で積層された構造のもの（以下、
この構造を順タイプ構造という。）が知られている。
ラス、プラスチック等の絶縁性を有する透光性基板上
に、ＳｎＯ2、ＩＴＯ、ＺｎＯ等からなる透光性電極、
光電変換機能を有する光電変換層、及びＡｇ、Ａｌ等か
らなる金属がこの順序で積層された構造のもの（以下、
この構造を順タイプ構造という。）が知られている。
【０００３】また、ステンレス、Ａｌ等の金属基板上に
絶縁膜を介してＡｇ、Ａｌ等の金属電極、光電変換機能
を有する光電変換層、及びＳｎＯ2、ＩＴＯ、ＺｎＯ等
からなる透光性電極がこの順序で積層された構造のもの
（以下、この構造を逆タイプ構造という。）も知られて
いる。
絶縁膜を介してＡｇ、Ａｌ等の金属電極、光電変換機能
を有する光電変換層、及びＳｎＯ2、ＩＴＯ、ＺｎＯ等
からなる透光性電極がこの順序で積層された構造のもの
（以下、この構造を逆タイプ構造という。）も知られて
いる。
【０００４】これら従来の構造の光起電力装置において
は、いずれも透光性電極の側から光が入射するため、透
光性電極としては低い抵抗率を有すること及び光の透過
率が高いことが要求される。
は、いずれも透光性電極の側から光が入射するため、透
光性電極としては低い抵抗率を有すること及び光の透過
率が高いことが要求される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
順タイプ構造の光起電力装置の場合、透光性電極として
用いられるＳｎＯ2、ＩＴＯ或いはＺｎＯは膜厚が薄い
と抵抗率が大きく、電極として使用するためには膜厚を
厚くして抵抗値を低減する必要があり、このため透光性
電極により光の吸収が増大し、光入射ロスが増加すると
いう問題があった。
順タイプ構造の光起電力装置の場合、透光性電極として
用いられるＳｎＯ2、ＩＴＯ或いはＺｎＯは膜厚が薄い
と抵抗率が大きく、電極として使用するためには膜厚を
厚くして抵抗値を低減する必要があり、このため透光性
電極により光の吸収が増大し、光入射ロスが増加すると
いう問題があった。
【０００６】これは、通常ＳｎＯ2、ＩＴＯ或いはＺｎ
Ｏは多結晶状態とすることで、その抵抗率を低減するこ
とはできるが、ガラスやプラスチック等の異種材料上に
ＳｎＯ2、ＩＴＯ或いはＺｎＯを形成する場合、原子間
の結合長が異なるため形成界面において構造歪みが発生
してしまい、このため十分な大きさの結晶粒径が得られ
ないことが一因であると推察される。
Ｏは多結晶状態とすることで、その抵抗率を低減するこ
とはできるが、ガラスやプラスチック等の異種材料上に
ＳｎＯ2、ＩＴＯ或いはＺｎＯを形成する場合、原子間
の結合長が異なるため形成界面において構造歪みが発生
してしまい、このため十分な大きさの結晶粒径が得られ
ないことが一因であると推察される。
【０００７】加えて、多結晶状態のＳｎＯ2、ＩＴＯ或
いはＺｎＯの屈折率は約１．９〜２．０であるために、
屈折率が１の空気と透光性電極界面、或いは透光性電極
と光電変換層（例えば、非晶質シリコンの場合屈折率は
約３．４）との界面において入射光が反射し、入射光の
ロスが生じるという問題もあった。
いはＺｎＯの屈折率は約１．９〜２．０であるために、
屈折率が１の空気と透光性電極界面、或いは透光性電極
と光電変換層（例えば、非晶質シリコンの場合屈折率は
約３．４）との界面において入射光が反射し、入射光の
ロスが生じるという問題もあった。
【０００８】この発明は、上述した従来の問題点を解決
するためになされたものにして、低抵抗率で且つ光入射
ロスを低減させた透光性電極を有する光起電力装置を提
供することをその目的とする。
するためになされたものにして、低抵抗率で且つ光入射
ロスを低減させた透光性電極を有する光起電力装置を提
供することをその目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、光電変換層
の光入射側に透光性電極を備えた光起電力装置であっ
て、前記透光性電極は、光入射側の領域を非晶質状態の
層、光電変換層側の領域を多結晶状態の層に形成してい
ることを特徴とする。
の光入射側に透光性電極を備えた光起電力装置であっ
て、前記透光性電極は、光入射側の領域を非晶質状態の
層、光電変換層側の領域を多結晶状態の層に形成してい
ることを特徴とする。
【００１０】上記構成によれば、透光性電極の光入射側
の領域を非晶質状態としたことで、この部分の構造柔軟
性が増大し、形成界面における構造歪みを吸収すること
ができる。従って、この後に形成するＳｎＯ2、ＩＴＯ
或いはＺｎＯ等の透光性電極材料は粒径の大きなものが
得られ、従来よりも薄い膜厚で抵抗率の低い透光性電極
を得ることができる。
の領域を非晶質状態としたことで、この部分の構造柔軟
性が増大し、形成界面における構造歪みを吸収すること
ができる。従って、この後に形成するＳｎＯ2、ＩＴＯ
或いはＺｎＯ等の透光性電極材料は粒径の大きなものが
得られ、従来よりも薄い膜厚で抵抗率の低い透光性電極
を得ることができる。
【００１１】また、非晶質状態の領域は多結晶状態の領
域よりも屈折率が小さく、このため透光性基板又は空気
側から光電変換層へ向かって透光性電極の屈折率が順次
大きくなり、多層の反射防止膜と同様の機能を有するこ
ととなり、入射する光の反射率を低減させることができ
る。
域よりも屈折率が小さく、このため透光性基板又は空気
側から光電変換層へ向かって透光性電極の屈折率が順次
大きくなり、多層の反射防止膜と同様の機能を有するこ
ととなり、入射する光の反射率を低減させることができ
る。
【００１２】また、この発明は、前記多結晶状態の層の
膜厚より非晶質状態の層の膜厚を薄くし、前記非晶質状
態の層の膜厚を５０〜１０００オングストロームに設定
するとよい。
膜厚より非晶質状態の層の膜厚を薄くし、前記非晶質状
態の層の膜厚を５０〜１０００オングストロームに設定
するとよい。
【００１３】上記のように構成することにより、多結晶
状態よりも吸収係数の大きい非晶質状態領域の膜厚を薄
くしたので、透光性電極における光の吸収が低減でき
る。
状態よりも吸収係数の大きい非晶質状態領域の膜厚を薄
くしたので、透光性電極における光の吸収が低減でき
る。
【００１４】さらに、この発明は、前記透光性電極が、
光入射側から光電変換層側に向かって膜厚方向に非晶質
状態から多結晶状態に漸次変化するように構成すればよ
い。
光入射側から光電変換層側に向かって膜厚方向に非晶質
状態から多結晶状態に漸次変化するように構成すればよ
い。
【００１５】上記のように構成することで、反射防止膜
としての機能がより向上する。
としての機能がより向上する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
き図面に従い説明する。図１はこの発明の第１の実施の
形態を示す断面図であり、順タイプ構造の光起電力装置
において、基板側から非晶質状態、多結晶状態の透光性
電極を形成したものである。
き図面に従い説明する。図１はこの発明の第１の実施の
形態を示す断面図であり、順タイプ構造の光起電力装置
において、基板側から非晶質状態、多結晶状態の透光性
電極を形成したものである。
【００１７】図１に示すように、ガラス基板１上にＺｎ
Ｏを原料とする透光性電極２が設けられている。この発
明の透光性電極２は光入射側であるガラス基板１上に非
晶質透光性電極層２１が設けられ、その上に多結晶透光
性電極層２２が形成される。尚、透光性電極２表面は微
少な凹凸が形成されたいわゆるテクスチャ構造に形成す
るとよい。
Ｏを原料とする透光性電極２が設けられている。この発
明の透光性電極２は光入射側であるガラス基板１上に非
晶質透光性電極層２１が設けられ、その上に多結晶透光
性電極層２２が形成される。尚、透光性電極２表面は微
少な凹凸が形成されたいわゆるテクスチャ構造に形成す
るとよい。
【００１８】この透光性電極層２１、２２は、ＺｎＯを
ターゲット材料として用いた公知の反応性スパッタ法を
用いて、表１に示す条件で作成した。
ターゲット材料として用いた公知の反応性スパッタ法を
用いて、表１に示す条件で作成した。
【００１９】
【表１】
【００２０】そして、多結晶透光性電極層２２の上に内
部にｐｉｎ接合を有する非晶質シリコンからなる光電変
換層３が形成される。この実施の形態においては、ｐ型
非晶質シリコンカーバイト層、ｉ型非晶質シリコン層、
ｎ型非晶質シリコン層を公知の平行平板のプラズマＣＶ
Ｄ装置を用いて、ｐ、ｉ、ｎ層の順に表２に示す条件で
形成した。
部にｐｉｎ接合を有する非晶質シリコンからなる光電変
換層３が形成される。この実施の形態においては、ｐ型
非晶質シリコンカーバイト層、ｉ型非晶質シリコン層、
ｎ型非晶質シリコン層を公知の平行平板のプラズマＣＶ
Ｄ装置を用いて、ｐ、ｉ、ｎ層の順に表２に示す条件で
形成した。
【００２１】
【表２】
【００２２】この光電変換層３の上に公知の反応性スパ
ッタ法を用いてＺｎＯ及びＡｇの２層からなる裏面金属
層４が設けられている。
ッタ法を用いてＺｎＯ及びＡｇの２層からなる裏面金属
層４が設けられている。
【００２３】尚、裏面金属層４は、上記の表１に示す多
結晶透光性電極層２２と同じ形成条件でＺｎＯを１００
０オングストローム、Ａｇを５０００オングストローム
形成した。
結晶透光性電極層２２と同じ形成条件でＺｎＯを１００
０オングストローム、Ａｇを５０００オングストローム
形成した。
【００２４】次に、上記の表１及び表２に示す条件で多
結晶ＺｎＯからなる多結晶透光性電極層２２の膜厚を８
００オングストロームで一定とし、ガラス基板１との間
に介在させる非晶質ＺｎＯからなる非晶質透光性電極層
２１の膜厚を変化させた太陽電池装置を作成し、その光
電変換効率を測定した。その結果を図２に示す。
結晶ＺｎＯからなる多結晶透光性電極層２２の膜厚を８
００オングストロームで一定とし、ガラス基板１との間
に介在させる非晶質ＺｎＯからなる非晶質透光性電極層
２１の膜厚を変化させた太陽電池装置を作成し、その光
電変換効率を測定した。その結果を図２に示す。
【００２５】また、同様に上記の表１及び表２に示す条
件で、ガラス基板１と多結晶透光性電極層２２との間に
介在させる非晶質ＺｎＯからなる非晶質透光性電極層２
１の膜厚を２００オングストロームで一定とし、光電変
換層３と非晶質透光性電極層２１との間に介在させる多
結晶ＺｎＯからなる多結晶透光性電極層２２の膜厚を変
化させた太陽電池装置を作成し、その光電変換効率を測
定した。その結果を図３に示す。
件で、ガラス基板１と多結晶透光性電極層２２との間に
介在させる非晶質ＺｎＯからなる非晶質透光性電極層２
１の膜厚を２００オングストロームで一定とし、光電変
換層３と非晶質透光性電極層２１との間に介在させる多
結晶ＺｎＯからなる多結晶透光性電極層２２の膜厚を変
化させた太陽電池装置を作成し、その光電変換効率を測
定した。その結果を図３に示す。
【００２６】図２及び図３に示す特性は、すべてＡＭ−
１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2、２５℃の条件で測定した
光電変換効率である。また、図２及び図３において、従
来レベルとあるのは、透光性電極として、表１の多結晶
透光性電極層２２の形成条件で膜厚８０００オングスト
ロームの膜厚の多結晶透光性電極層を用いた以外はこの
発明のものと同様に形成したものである。
１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2、２５℃の条件で測定した
光電変換効率である。また、図２及び図３において、従
来レベルとあるのは、透光性電極として、表１の多結晶
透光性電極層２２の形成条件で膜厚８０００オングスト
ロームの膜厚の多結晶透光性電極層を用いた以外はこの
発明のものと同様に形成したものである。
【００２７】図２から明らかなように、非晶質透光性電
極層２１の膜厚が１０００オングストローム以下の場合
には、この発明の変換効率が従来レベルより向上してい
ることが分かる。尚、非晶質透光性電極層２１の膜厚が
１０００オングストロームを越えると従来レベルより低
下するのは、この領域の光吸収ロスによるからである。
極層２１の膜厚が１０００オングストローム以下の場合
には、この発明の変換効率が従来レベルより向上してい
ることが分かる。尚、非晶質透光性電極層２１の膜厚が
１０００オングストロームを越えると従来レベルより低
下するのは、この領域の光吸収ロスによるからである。
【００２８】また、図３から明らかなように、多結晶透
光性電極層２２の膜厚が３０００オングストローム以上
２００００オングストローム以下での発明の変換効率が
従来レベルより向上していることが分かる。また、多結
晶透光性電極層２２の膜厚が３０００オングストローム
未満で特性が従来のものより低下するのは、従来構造の
透光性電極がいわゆるテクスチャ構造となっており、光
閉じこめ効果があるのに対して、本発明では膜厚が薄す
ぎて十分なテクスチャが形成されないからである。更
に、同図において、膜厚が２００００オングストローム
を越えると従来レベルより低下するのは、膜厚の増加に
伴う光吸収ロスによるからである。
光性電極層２２の膜厚が３０００オングストローム以上
２００００オングストローム以下での発明の変換効率が
従来レベルより向上していることが分かる。また、多結
晶透光性電極層２２の膜厚が３０００オングストローム
未満で特性が従来のものより低下するのは、従来構造の
透光性電極がいわゆるテクスチャ構造となっており、光
閉じこめ効果があるのに対して、本発明では膜厚が薄す
ぎて十分なテクスチャが形成されないからである。更
に、同図において、膜厚が２００００オングストローム
を越えると従来レベルより低下するのは、膜厚の増加に
伴う光吸収ロスによるからである。
【００２９】尚、非晶質透光性電極層２１の屈折率は約
１．６〜１．７、多結晶透光性電極層２２の屈折率は約
１．９〜２．０であり、この透光性電極２によれば、ガ
ラス基板１から光電変換層３へ向かって透光性電極２の
屈折率が順次大きくなり、多層の反射防止膜と同様の機
能を有する。このため、入射する光の反射率を低減させ
ることができる。
１．６〜１．７、多結晶透光性電極層２２の屈折率は約
１．９〜２．０であり、この透光性電極２によれば、ガ
ラス基板１から光電変換層３へ向かって透光性電極２の
屈折率が順次大きくなり、多層の反射防止膜と同様の機
能を有する。このため、入射する光の反射率を低減させ
ることができる。
【００３０】次に、透光性電極が、光入射側から光電変
換層側に向かって膜厚方向に非晶質状態から多結晶状態
に漸次変化させたこの発明の第２の実施の形態につき図
４及び図５に従い説明する。
換層側に向かって膜厚方向に非晶質状態から多結晶状態
に漸次変化させたこの発明の第２の実施の形態につき図
４及び図５に従い説明する。
【００３１】図４に示すように、ガラス基板１上に基板
から光電変換層３まで非晶質状態から多結晶状態に漸次
変化させたＩＴＯからなるグレーディッド膜の透明電極
２０が設けられる。このグレーディッド膜の透明電極１
０は、図５に示すような回転式マグネトロンＲＦ（若し
くはＤＣ）スパッタ装置にＩＴＯのターゲットを配置
し、ＲＦ又はＤＣ放電のパワー、スパッタガス、基板温
度を変化させて基板１から光電変換領域３まで非晶質状
態から多結晶状態に漸次変化するグレーディッド膜を形
成する。即ち、基板加熱ヒータ３５を内蔵した回転体３
６にガラス基板１が取り付けられる。マグネトロン３４
の上に透光性導電膜のターゲットとしてＩＴＯターゲッ
ト３２が配置される。ＲＦ電源３４に所望の電圧を印加
し、回転体３６を回転させて基板１上に非晶質状態から
多結晶状態に漸次変化させたＩＴＯからなるグレーディ
ッド膜の透光性電極２０を形成する。
から光電変換層３まで非晶質状態から多結晶状態に漸次
変化させたＩＴＯからなるグレーディッド膜の透明電極
２０が設けられる。このグレーディッド膜の透明電極１
０は、図５に示すような回転式マグネトロンＲＦ（若し
くはＤＣ）スパッタ装置にＩＴＯのターゲットを配置
し、ＲＦ又はＤＣ放電のパワー、スパッタガス、基板温
度を変化させて基板１から光電変換領域３まで非晶質状
態から多結晶状態に漸次変化するグレーディッド膜を形
成する。即ち、基板加熱ヒータ３５を内蔵した回転体３
６にガラス基板１が取り付けられる。マグネトロン３４
の上に透光性導電膜のターゲットとしてＩＴＯターゲッ
ト３２が配置される。ＲＦ電源３４に所望の電圧を印加
し、回転体３６を回転させて基板１上に非晶質状態から
多結晶状態に漸次変化させたＩＴＯからなるグレーディ
ッド膜の透光性電極２０を形成する。
【００３２】このように形成されたグレーディッド膜の
透光性電極２０上に上記した第１の実施の形態と同様
に、内部にｐｉｎ接合を有する非晶質シリコンからなる
光電変換層３が形成される。この実施の形態において
は、ｐ型非晶質シリコンカーバイト層、ｉ型非晶質シリ
コン層、ｎ型非晶質シリコン層を公知の平行平板のプラ
ズマＣＶＤ装置を用いて、ｐ、ｉ、ｎ層の順に上記した
表２に示す条件で形成した。この光電変換層３の上に裏
面金属電極４が形成される。
透光性電極２０上に上記した第１の実施の形態と同様
に、内部にｐｉｎ接合を有する非晶質シリコンからなる
光電変換層３が形成される。この実施の形態において
は、ｐ型非晶質シリコンカーバイト層、ｉ型非晶質シリ
コン層、ｎ型非晶質シリコン層を公知の平行平板のプラ
ズマＣＶＤ装置を用いて、ｐ、ｉ、ｎ層の順に上記した
表２に示す条件で形成した。この光電変換層３の上に裏
面金属電極４が形成される。
【００３３】さて、この実施の形態では、グレーディッ
ド膜の透光性電極２０をＲＦスパッタによりＩＴＯ膜を
Ａｒガスを用いて基板温度を変化させて形成した。表３
にその形成条件を示す。もちろんグレーディッド膜の膜
質調整に応じてガスを他の希ガスを用いたりしてもよ
い。また、従来より透光性電極のスパッタ形成に用いら
れるように、これら希ガスに酸素を添加してもよい。ま
た、放電のパワー及び圧力を変化させてもよい。
ド膜の透光性電極２０をＲＦスパッタによりＩＴＯ膜を
Ａｒガスを用いて基板温度を変化させて形成した。表３
にその形成条件を示す。もちろんグレーディッド膜の膜
質調整に応じてガスを他の希ガスを用いたりしてもよ
い。また、従来より透光性電極のスパッタ形成に用いら
れるように、これら希ガスに酸素を添加してもよい。ま
た、放電のパワー及び圧力を変化させてもよい。
【００３４】
【表３】 尚、ターゲットはＩＴＯ（ＳｎＯ2５ｗｔ％）のものを
用いた。
用いた。
【００３５】表４に上記したこの発明の太陽電池装置と
従来の太陽電池装置を作成し、太陽電池特性を測定した
結果を示す。測定条件はＡＭ−１．５、１００ｍＷ／ｃ
ｍ2、２５℃の条件である。
従来の太陽電池装置を作成し、太陽電池特性を測定した
結果を示す。測定条件はＡＭ−１．５、１００ｍＷ／ｃ
ｍ2、２５℃の条件である。
【００３６】
【表４】
【００３７】表４から明らかなように、この発明による
太陽電池装置は、電流値において従来例に比べ勝ってい
ることが分かる。
太陽電池装置は、電流値において従来例に比べ勝ってい
ることが分かる。
【００３８】さらに、この第２の実施の形態において
は、ガラス基板１から光電変換層３まで透光性電極２０
が非結晶状態から多結晶状態に漸次変化しているので、
屈折率が順次大きくなり、反射防止膜としての機能がよ
り向上し、入射する光の反射率を更に低減できる。
は、ガラス基板１から光電変換層３まで透光性電極２０
が非結晶状態から多結晶状態に漸次変化しているので、
屈折率が順次大きくなり、反射防止膜としての機能がよ
り向上し、入射する光の反射率を更に低減できる。
【００３９】尚、上記第２の実施の形態として透光性電
極としてＩＴＯを用いたが、ＺｎＯなどの他の透光性電
極を用いてもよい。
極としてＩＴＯを用いたが、ＺｎＯなどの他の透光性電
極を用いてもよい。
【００４０】また、上記した各実施の形態は、順タイプ
構造の太陽電池について説明したが、逆タイプ構造の太
陽電池の透光性電極に用いても同様の効果が得られる。
構造の太陽電池について説明したが、逆タイプ構造の太
陽電池の透光性電極に用いても同様の効果が得られる。
【００４１】また、光電変換層として、上記した実施の
形態においては、非晶質シリコン系半導体層を用いた
が、これに限らず、単結晶シリコンや多結晶シリコン等
の結晶系半導体材料や、ＧａＡＳやＩｎＰ等の化合物半
導体材料を光電変換層に用いることができる。
形態においては、非晶質シリコン系半導体層を用いた
が、これに限らず、単結晶シリコンや多結晶シリコン等
の結晶系半導体材料や、ＧａＡＳやＩｎＰ等の化合物半
導体材料を光電変換層に用いることができる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、透光性電極の光入射側の領域を非晶質状態としたこ
とで、この部分の構造柔軟性が増大し、形成界面におけ
る構造歪みを吸収することができる。従って、この後に
形成するＳｎＯ2、ＩＴＯ或いはＺｎＯ等の透光性電極
材料は粒径の大きなものが得られ、従来よりも薄い膜厚
で抵抗率の低い透光性電極を得ることができる。
ば、透光性電極の光入射側の領域を非晶質状態としたこ
とで、この部分の構造柔軟性が増大し、形成界面におけ
る構造歪みを吸収することができる。従って、この後に
形成するＳｎＯ2、ＩＴＯ或いはＺｎＯ等の透光性電極
材料は粒径の大きなものが得られ、従来よりも薄い膜厚
で抵抗率の低い透光性電極を得ることができる。
【図１】この発明の第１の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図２】この発明の第１の実施の形態における太陽電池
装置の非晶質透光性電極の膜厚を変化させた場合の変換
効率を示す特性図である。
装置の非晶質透光性電極の膜厚を変化させた場合の変換
効率を示す特性図である。
【図３】この発明の第１の実施の形態における太陽電池
装置の多結晶透光性電極の膜厚を変化させた場合の変換
効率を示す特性図である。
装置の多結晶透光性電極の膜厚を変化させた場合の変換
効率を示す特性図である。
【図４】この発明の第２の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図５】この発明に用いられる透光性電極の形成装置を
示す構成図である。
示す構成図である。
１ ガラス基板 ２ 透光性電極 ２１ 非晶質透光性電極層 ２２ 多結晶透光性電極層 ３ 光電変換層 ４ 裏面金属電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐山 勝信 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 光電変換層の光入射側に透光性電極を備
えた光起電力装置であって、前記透光性電極は、光入射
側の領域を非晶質状態の層、光電変換層側の領域を多結
晶状態の層に形成していることを特徴とする光起電力装
置。 - 【請求項２】 前記多結晶状態の層の膜厚より非晶質状
態の層の膜厚を薄くし、前記非晶質状態の層の膜厚が５
０〜１０００オングストロームであることを特徴とする
請求項１に記載の光起電力装置。 - 【請求項３】 前記透光性電極が、光入射側から光電変
換層側に向かって膜厚方向に非晶質状態から多結晶状態
に漸次変化することを特徴とする請求項１又は２に記載
の光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04781697A JP3196155B2 (ja) | 1997-03-03 | 1997-03-03 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04781697A JP3196155B2 (ja) | 1997-03-03 | 1997-03-03 | 光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242494A true JPH10242494A (ja) | 1998-09-11 |
| JP3196155B2 JP3196155B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=12785889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04781697A Expired - Lifetime JP3196155B2 (ja) | 1997-03-03 | 1997-03-03 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3196155B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013111498A1 (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-01 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
| WO2019188716A1 (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-03 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法 |
| KR20190124605A (ko) * | 2018-04-26 | 2019-11-05 | 세종대학교산학협력단 | 태양전지 제조방법 |
| JP2022181466A (ja) * | 2021-05-26 | 2022-12-08 | 国立大学法人京都大学 | 透明導電性積層体，太陽電池及びそれらの製造方法 |
| JP2024143151A (ja) * | 2023-03-30 | 2024-10-11 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
| JP2024143150A (ja) * | 2023-03-30 | 2024-10-11 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8658887B2 (en) * | 2006-11-20 | 2014-02-25 | Kaneka Corporation | Substrate provided with transparent conductive film for photoelectric conversion device, method for manufacturing the substrate, and photoelectric conversion device using the substrate |
-
1997
- 1997-03-03 JP JP04781697A patent/JP3196155B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
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| WO2013111498A1 (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-01 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
| JPWO2013111498A1 (ja) * | 2012-01-25 | 2015-05-11 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
| WO2019188716A1 (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-03 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法 |
| JPWO2019188716A1 (ja) * | 2018-03-29 | 2020-12-17 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法 |
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| JP2022181466A (ja) * | 2021-05-26 | 2022-12-08 | 国立大学法人京都大学 | 透明導電性積層体，太陽電池及びそれらの製造方法 |
| JP2024143151A (ja) * | 2023-03-30 | 2024-10-11 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
| JP2024143150A (ja) * | 2023-03-30 | 2024-10-11 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3196155B2 (ja) | 2001-08-06 |
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