JPH10242502A - 光半導体素子及び光学ピックアップ装置 - Google Patents
光半導体素子及び光学ピックアップ装置Info
- Publication number
- JPH10242502A JPH10242502A JP3793097A JP3793097A JPH10242502A JP H10242502 A JPH10242502 A JP H10242502A JP 3793097 A JP3793097 A JP 3793097A JP 3793097 A JP3793097 A JP 3793097A JP H10242502 A JPH10242502 A JP H10242502A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- optical
- divided
- optical semiconductor
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 主光線を分割しなくとも、ピット深さがλ／
４の光学記録媒体のトラッキングサーボを行うことがで
き、高出力を要する書き込み可能光学記録媒体用に好適
な光半導体素子及び光学ピックアップ装置を提供する。 【解決手段】 受光部が短冊状に４分割されて、さらに
この４分割された受光部が４分割の分割線と交差する線
によりにそれぞれ２分割されて、受光部が８分割された
受光素子ＰＤ1 を備えてなる光半導体素子及びこの光半
導体素子を備えた光学ピックアップ装置１０を構成す
る。
４の光学記録媒体のトラッキングサーボを行うことがで
き、高出力を要する書き込み可能光学記録媒体用に好適
な光半導体素子及び光学ピックアップ装置を提供する。 【解決手段】 受光部が短冊状に４分割されて、さらに
この４分割された受光部が４分割の分割線と交差する線
によりにそれぞれ２分割されて、受光部が８分割された
受光素子ＰＤ1 を備えてなる光半導体素子及びこの光半
導体素子を備えた光学ピックアップ装置１０を構成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光学記録媒
体の記録や再生に用いて好適な光半導体素子及び光学ピ
ックアップ装置に係わる。
体の記録や再生に用いて好適な光半導体素子及び光学ピ
ックアップ装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】現在、光学記録媒体の記録・再生を行う
ための光学ピックアップ装置は、極めて大量に製造され
ており、その量産性の高さから、図４に示すような従来
のディスクリートな光学ピックアップ装置に対して、図
５に示すように発光素子と受光素子とをハイブリッドに
配置した構造の、いわゆるレーザカプラと呼ばれる光半
導体素子の割合が増加してきている。
ための光学ピックアップ装置は、極めて大量に製造され
ており、その量産性の高さから、図４に示すような従来
のディスクリートな光学ピックアップ装置に対して、図
５に示すように発光素子と受光素子とをハイブリッドに
配置した構造の、いわゆるレーザカプラと呼ばれる光半
導体素子の割合が増加してきている。
【０００３】図４に示す光学ピックアップ装置５０は、
半導体レーザＬＤ、フォトダイオードからなる受光素子
を形成したフォトダイオードＩＣ（ＰＤＩＣ）５１、ビ
ームスプリッタＢＳを個別に配置して成り、さらにビー
ムスプリッタＢＳと半導体レーザＬＤとの間に後述する
３スポット法を行うためにグレーティング５２が配置さ
れている。
半導体レーザＬＤ、フォトダイオードからなる受光素子
を形成したフォトダイオードＩＣ（ＰＤＩＣ）５１、ビ
ームスプリッタＢＳを個別に配置して成り、さらにビー
ムスプリッタＢＳと半導体レーザＬＤとの間に後述する
３スポット法を行うためにグレーティング５２が配置さ
れている。
【０００４】半導体レーザＬＤからの出射光ＬF は、ビ
ームスプリッタＢＳの表面で反射され、対物レンズ５３
で収束されて光学ディスク５４上に収束される。そし
て、光学ディスク５４の反射面で反射された戻り光ＬR
は、再び対物レンズ５３を通じてビームスプリッタＢＳ
に向かい、ビームスプリッタＢＳの表面で屈折してビー
ムスプリッタＢＳの内部を通過し、ＰＤＩＣ５１上に集
光される。ビームスプリッタＢＳは、レーザ光ＬF ，Ｌ
R が上述のように進むように、その位置・角度・表面に
おけるレーザ光の透過率等が設定される。
ームスプリッタＢＳの表面で反射され、対物レンズ５３
で収束されて光学ディスク５４上に収束される。そし
て、光学ディスク５４の反射面で反射された戻り光ＬR
は、再び対物レンズ５３を通じてビームスプリッタＢＳ
に向かい、ビームスプリッタＢＳの表面で屈折してビー
ムスプリッタＢＳの内部を通過し、ＰＤＩＣ５１上に集
光される。ビームスプリッタＢＳは、レーザ光ＬF ，Ｌ
R が上述のように進むように、その位置・角度・表面に
おけるレーザ光の透過率等が設定される。
【０００５】しかしながら、この様な光学ピックアップ
装置５０は、部品点数が多く、また非常に大型になるだ
けでなく、その配置に高い精度が要求され、生産性が低
いという問題がある。
装置５０は、部品点数が多く、また非常に大型になるだ
けでなく、その配置に高い精度が要求され、生産性が低
いという問題がある。
【０００６】これに対して、図５に示すレーザカプラ６
０では、ＰＤＩＣ６１からなる受光素子と半導体レーザ
ＬＤとがハイブリッドに配置されてなるレーザカプラ６
０を形成し、半導体レーザＬＤからの出射光ＬF と、光
学ディスク６３からの戻り光ＬR とが、レーザカプラ６
０と光学ディスク６３及び対物レンズ６２との間を同一
経路で進み、戻り光ＬR が再びレーザカプラ６０に入射
する構成を採る。
０では、ＰＤＩＣ６１からなる受光素子と半導体レーザ
ＬＤとがハイブリッドに配置されてなるレーザカプラ６
０を形成し、半導体レーザＬＤからの出射光ＬF と、光
学ディスク６３からの戻り光ＬR とが、レーザカプラ６
０と光学ディスク６３及び対物レンズ６２との間を同一
経路で進み、戻り光ＬR が再びレーザカプラ６０に入射
する構成を採る。
【０００７】この場合には、図４の従来の光学ピックア
ップ装置５０の場合と比較して、ビームスプリッタＢＳ
を設ける必要がなく、また半導体レーザＬＤとＰＤＩＣ
６１とを同じ側に配置するため、スペースを節約できる
利点がある。
ップ装置５０の場合と比較して、ビームスプリッタＢＳ
を設ける必要がなく、また半導体レーザＬＤとＰＤＩＣ
６１とを同じ側に配置するため、スペースを節約できる
利点がある。
【０００８】従って、図５のレーザカプラ６０のように
光学ピックアップ装置を集積素子化することで、部品点
数の削減による低コスト化、高信頼性化に加え、小型・
薄型・軽量化が可能となり、非常に大きな利点を発揮す
るものである。
光学ピックアップ装置を集積素子化することで、部品点
数の削減による低コスト化、高信頼性化に加え、小型・
薄型・軽量化が可能となり、非常に大きな利点を発揮す
るものである。
【０００９】そして、ＣＤ（コンパクトディスク）用の
光半導体素子として、図６に示す構成のレーザカプラ６
０が実現され、広く使われている。図６Ａに斜視図を示
すように、このレーザカプラ６０は、出力制御モニタ用
のフォトダイオードＰＤM が作り込まれたシリコン基板
６４上にマウントした半導体レーザＬＤを光源として、
これらの部品とマイクロプリズム６５とが基盤すなわ
ち、例えばシリコン基板（ＰＤＩＣ）６１上に配置され
てレーザカプラ６０を構成している。
光半導体素子として、図６に示す構成のレーザカプラ６
０が実現され、広く使われている。図６Ａに斜視図を示
すように、このレーザカプラ６０は、出力制御モニタ用
のフォトダイオードＰＤM が作り込まれたシリコン基板
６４上にマウントした半導体レーザＬＤを光源として、
これらの部品とマイクロプリズム６５とが基盤すなわ
ち、例えばシリコン基板（ＰＤＩＣ）６１上に配置され
てレーザカプラ６０を構成している。
【００１０】そして、マイクロプリズム６５下に２つの
４分割フォトダイオードＰＤ1 （ＰＤa 〜ＰＤd ），Ｐ
Ｄ2 （ＰＤe 〜ＰＤh ）が配置される。フォトダイオー
ドＰＤ1 ，ＰＤ2 は、シリコン基板６１の表面に拡散な
どによって形成される。
４分割フォトダイオードＰＤ1 （ＰＤa 〜ＰＤd ），Ｐ
Ｄ2 （ＰＤe 〜ＰＤh ）が配置される。フォトダイオー
ドＰＤ1 ，ＰＤ2 は、シリコン基板６１の表面に拡散な
どによって形成される。
【００１１】この４分割フォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ
2 は、図６Ｂにその拡大図を示すように、短冊状に４分
割されており、ＰＤ1 においてフォトダイオードＰ
Ｄa ，ＰＤb とフォトダイオードＰＤc ，ＰＤd が対称
であり、フォーカスおよびトラッキングが合った状態で
光量がＰＤa ＋ＰＤd ＝ＰＤb ＋ＰＤc となるように配
置形成されている。ＰＤ2 （ＰＤe 〜ＰＤh ）について
も同様である。
2 は、図６Ｂにその拡大図を示すように、短冊状に４分
割されており、ＰＤ1 においてフォトダイオードＰ
Ｄa ，ＰＤb とフォトダイオードＰＤc ，ＰＤd が対称
であり、フォーカスおよびトラッキングが合った状態で
光量がＰＤa ＋ＰＤd ＝ＰＤb ＋ＰＤc となるように配
置形成されている。ＰＤ2 （ＰＤe 〜ＰＤh ）について
も同様である。
【００１２】このレーザカプラ６０では、半導体レーザ
ＬＤからの出射光ＬF がマイクロプリズム６５の例えば
４５°のハーフミラー斜面で反射して図において垂直方
向に向かい、被照射部、例えばディスクに照射される。
ディスクで反射された戻り光ＬR はマイクロプリズム６
５のハーフミラー斜面よりマイクロプリズム６５内に入
射され、まず前段の４分割フォトダイオードＰＤ1 （Ｐ
Ｄa 〜ＰＤd ）で受光されると共に反射されて、これが
マイクロプリズム６５上面で反射された後に後段の４分
割フォトダイオードＰＤ2 （ＰＤe 〜ＰＤh ）でも受光
される。
ＬＤからの出射光ＬF がマイクロプリズム６５の例えば
４５°のハーフミラー斜面で反射して図において垂直方
向に向かい、被照射部、例えばディスクに照射される。
ディスクで反射された戻り光ＬR はマイクロプリズム６
５のハーフミラー斜面よりマイクロプリズム６５内に入
射され、まず前段の４分割フォトダイオードＰＤ1 （Ｐ
Ｄa 〜ＰＤd ）で受光されると共に反射されて、これが
マイクロプリズム６５上面で反射された後に後段の４分
割フォトダイオードＰＤ2 （ＰＤe 〜ＰＤh ）でも受光
される。
【００１３】このような構成のレーザカプラ６０では、
トラッキングエラー検出法として、通常いわゆるプッシ
ュプル法を用いている。即ち、このレーザカプラ６０で
は、４分割フォトダイオードＰＤ1 （ＰＤa 〜Ｐ
Ｄd ），ＰＤ2 （ＰＤe 〜ＰＤh ）から得られる、例え
ば［（ＰＤa ＋ＰＤb）−（ＰＤc ＋ＰＤd ）］＋
［（ＰＤg ＋ＰＤh ）−（ＰＤe ＋ＰＤf ）］の信号を
検出信号として、プッシュプル法によりトラッキングサ
ーボを行っている。
トラッキングエラー検出法として、通常いわゆるプッシ
ュプル法を用いている。即ち、このレーザカプラ６０で
は、４分割フォトダイオードＰＤ1 （ＰＤa 〜Ｐ
Ｄd ），ＰＤ2 （ＰＤe 〜ＰＤh ）から得られる、例え
ば［（ＰＤa ＋ＰＤb）−（ＰＤc ＋ＰＤd ）］＋
［（ＰＤg ＋ＰＤh ）−（ＰＤe ＋ＰＤf ）］の信号を
検出信号として、プッシュプル法によりトラッキングサ
ーボを行っている。
【００１４】また、例えば［（ＰＤa ＋ＰＤd ）−（Ｐ
Ｄb ＋ＰＤc ）］−［（ＰＤe ＋ＰＤh ）−（ＰＤf ＋
ＰＤg ）］の信号を検出信号としてフォーカスサーボを
行い、例えば（ＰＤa ＋ＰＤb ＋ＰＤc ＋ＰＤd ＋ＰＤ
e ＋ＰＤf ＋ＰＤg ＋ＰＤh）の信号すなわち全ての和
信号を検出信号としてＲＦ信号の検出を行っている。
Ｄb ＋ＰＤc ）］−［（ＰＤe ＋ＰＤh ）−（ＰＤf ＋
ＰＤg ）］の信号を検出信号としてフォーカスサーボを
行い、例えば（ＰＤa ＋ＰＤb ＋ＰＤc ＋ＰＤd ＋ＰＤ
e ＋ＰＤf ＋ＰＤg ＋ＰＤh）の信号すなわち全ての和
信号を検出信号としてＲＦ信号の検出を行っている。
【００１５】プッシュプル法においては、光学ディスク
等光学記録媒体により反射回折された光を、対称に配置
された２分割フォトダイオードＰＤ上の２つの受光部で
受光し、２つの受光部の出力差としてトラッキングエラ
ー信号を取り出す。
等光学記録媒体により反射回折された光を、対称に配置
された２分割フォトダイオードＰＤ上の２つの受光部で
受光し、２つの受光部の出力差としてトラッキングエラ
ー信号を取り出す。
【００１６】光学ディスク上でのレーザ光の照射スポッ
トのトラッキングがとれている場合には、対称な反射回
折光分布が得られ、２つの受光部で受光する光の強度が
一致する。一方、照射スポットのトラッキングがずれて
いる場合には、左右非対称の回折光分布が得られ、２つ
の受光部で受光する光強度が一致しない。このため、照
射スポットがトラックを横切ったときの２つの受光部の
出力差は、Ｓ字曲線となる。
トのトラッキングがとれている場合には、対称な反射回
折光分布が得られ、２つの受光部で受光する光の強度が
一致する。一方、照射スポットのトラッキングがずれて
いる場合には、左右非対称の回折光分布が得られ、２つ
の受光部で受光する光強度が一致しない。このため、照
射スポットがトラックを横切ったときの２つの受光部の
出力差は、Ｓ字曲線となる。
【００１７】この場合、プッシュプル信号トラッキング
エラー信号の強度は、光学ディスクのピットの深さがλ
／８ｎ（λはレーザ光の波長；ｎは正の整数）のとき最
も強くなり、λ／４ｎのとき干渉する回折光がお互いに
打ち消され強度が０となる。
エラー信号の強度は、光学ディスクのピットの深さがλ
／８ｎ（λはレーザ光の波長；ｎは正の整数）のとき最
も強くなり、λ／４ｎのとき干渉する回折光がお互いに
打ち消され強度が０となる。
【００１８】ＣＤ及びＣＤ−ＲＯＭにおいては、ディス
クのピット深さが約λ／５と規定されているため、プッ
シュプル信号が問題なく検出できる。
クのピット深さが約λ／５と規定されているため、プッ
シュプル信号が問題なく検出できる。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、最近開発さ
れてきているＤＶＤ（デジタル・ビデオ・ディスクもし
くはデジタル・バーサタイル・ディスク）、例えば読み
出し専用のＤＶＤ−ＲＯＭでは、その規格上ピット深さ
がλ／４になることも許容されている。ピット深さがλ
／４であると、プッシュプル信号が出なくなり、プッシ
ュプル信号を用いたトラッキングサーボができなくな
る。
れてきているＤＶＤ（デジタル・ビデオ・ディスクもし
くはデジタル・バーサタイル・ディスク）、例えば読み
出し専用のＤＶＤ−ＲＯＭでは、その規格上ピット深さ
がλ／４になることも許容されている。ピット深さがλ
／４であると、プッシュプル信号が出なくなり、プッシ
ュプル信号を用いたトラッキングサーボができなくな
る。
【００２０】そこで、このようにピット深さがλ／４の
場合でも、トラッキングエラー信号を得る別の手法とし
て、３スポット法が利用されている。図７Ａに示すよう
に、光源である半導体レーザＬＤと対物レンズ７１及び
光学ディスク７２を配置した光学系において、対物レン
ズ７１の手前に回折格子（グレーティング）７３を配し
て、出射光ＬF を０次回折光及びその外側の２つの１次
回折光の３本の光線に分離する。そして、光学ディスク
７２において、０次回折光スポットＳ0 と、その両側に
２つの１次回折光スポットＳ1 の合計３つの光スポット
が照射される。
場合でも、トラッキングエラー信号を得る別の手法とし
て、３スポット法が利用されている。図７Ａに示すよう
に、光源である半導体レーザＬＤと対物レンズ７１及び
光学ディスク７２を配置した光学系において、対物レン
ズ７１の手前に回折格子（グレーティング）７３を配し
て、出射光ＬF を０次回折光及びその外側の２つの１次
回折光の３本の光線に分離する。そして、光学ディスク
７２において、０次回折光スポットＳ0 と、その両側に
２つの１次回折光スポットＳ1 の合計３つの光スポット
が照射される。
【００２１】これらの３つのスポットＳ0 ，Ｓ1 ，Ｓ1
は、図７Ｂに示すように、２つの１次回折光のスポット
Ｓ1 が、０次回折光のスポットＳ0 から、それぞれ光学
ディスク７２のトラックＴの方向に対して反対側に対称
にずれるように配置されている。これら３つのスポット
Ｓ0 ，Ｓ1 ，Ｓ1 において回折光を反射して、受光素子
で受光する。図７Ｂの場合には３つのフォトダイオード
ＰＤ0 ，ＰＤ1a，ＰＤ1bを用意し、中央のフォトダイオ
ードＰＤ0 で、Ｓ0 から反射した０次回折光を受光し、
両外側のフォトダイオードＰＤa 及びＰＤb で、Ｓ1 か
ら反射した１次回折光を受光する。
は、図７Ｂに示すように、２つの１次回折光のスポット
Ｓ1 が、０次回折光のスポットＳ0 から、それぞれ光学
ディスク７２のトラックＴの方向に対して反対側に対称
にずれるように配置されている。これら３つのスポット
Ｓ0 ，Ｓ1 ，Ｓ1 において回折光を反射して、受光素子
で受光する。図７Ｂの場合には３つのフォトダイオード
ＰＤ0 ，ＰＤ1a，ＰＤ1bを用意し、中央のフォトダイオ
ードＰＤ0 で、Ｓ0 から反射した０次回折光を受光し、
両外側のフォトダイオードＰＤa 及びＰＤb で、Ｓ1 か
ら反射した１次回折光を受光する。
【００２２】そして、外側の２つのフォトダイオードＰ
Ｄ1a及びＰＤ1bで受光した光を、差分増幅器７５によ
り、差分信号例えば（ＰＤ1b−ＰＤ1a）を検出して、こ
れをトラッキングエラー信号ＴＥとすることができるも
のである。尚、図７Ｂの場合には、中央のフォトダイオ
ードＰＤ0 は４分割されており、例えばフォーカスエラ
ー信号の検出を行うことができる構成となっている。
Ｄ1a及びＰＤ1bで受光した光を、差分増幅器７５によ
り、差分信号例えば（ＰＤ1b−ＰＤ1a）を検出して、こ
れをトラッキングエラー信号ＴＥとすることができるも
のである。尚、図７Ｂの場合には、中央のフォトダイオ
ードＰＤ0 は４分割されており、例えばフォーカスエラ
ー信号の検出を行うことができる構成となっている。
【００２３】しかしながら、この３スポット法によるト
ラッキングエラー信号の検出を採用した場合には、主光
線を分割するためのグレーティング７３を必要とするた
め、部品点数が増加する短所がある。また、主光線を分
割しているため、１スポット系に比べて主光線のパワー
効率が悪くなる。これは、高出力を必要とする、ＤＶＤ
−Ｒ，ＤＶＤ−ＲＡＭ等の書き込み記録可能の媒体用の
システムにおいて短所となる。
ラッキングエラー信号の検出を採用した場合には、主光
線を分割するためのグレーティング７３を必要とするた
め、部品点数が増加する短所がある。また、主光線を分
割しているため、１スポット系に比べて主光線のパワー
効率が悪くなる。これは、高出力を必要とする、ＤＶＤ
−Ｒ，ＤＶＤ−ＲＡＭ等の書き込み記録可能の媒体用の
システムにおいて短所となる。
【００２４】また、３スポット法では、ＤＶＤ−Ｒ，Ｄ
ＶＤ−ＲＡＭ等の光学記録媒体のように、トラックの間
隔が狭く隣接するトラックにスポットがかかるような媒
体に対しては、非対称信号を生じやすく、良好なトラッ
キングエラー信号が得られにくい。
ＶＤ−ＲＡＭ等の光学記録媒体のように、トラックの間
隔が狭く隣接するトラックにスポットがかかるような媒
体に対しては、非対称信号を生じやすく、良好なトラッ
キングエラー信号が得られにくい。
【００２５】上述した問題の解決のために、本発明にお
いては、主光線を分割しなくとも、ピット深さがλ／４
の光学記録媒体のトラッキングサーボを行うことがで
き、高出力を要する書き込み可能光学記録媒体用に好適
な光半導体素子及び光学ピックアップ装置を提供するも
のである。
いては、主光線を分割しなくとも、ピット深さがλ／４
の光学記録媒体のトラッキングサーボを行うことがで
き、高出力を要する書き込み可能光学記録媒体用に好適
な光半導体素子及び光学ピックアップ装置を提供するも
のである。
【００２６】
【課題を解決するための手段】本発明の光半導体素子
は、受光部が短冊状に４分割されて、さらに４分割され
た受光部が４分割の分割線と交差する線によりにそれぞ
れ２分割されて、受光部が８分割された受光素子を備え
てなるものである。
は、受光部が短冊状に４分割されて、さらに４分割され
た受光部が４分割の分割線と交差する線によりにそれぞ
れ２分割されて、受光部が８分割された受光素子を備え
てなるものである。
【００２７】また本発明の光学ピックアップ装置は、上
記光半導体素子を備えたものである。
記光半導体素子を備えたものである。
【００２８】上述の本発明の光半導体素子及び光学ピッ
クアップ装置によれば、受光部が、短冊状に４分割され
て、さらに４分割された受光部が４分割の分割線と交差
する線によりにそれぞれ２分割されて、８分割された受
光素子を備えていることにより、例えばトラッキングエ
ラー信号の検出においては、ヘテロダイン法とプッシュ
プル法を併用することができる。従って、これを用い
て、例えば光学記録媒体のトラッキングエラー信号、フ
ォーカスエラー信号やＲＦ信号を受光検出することがで
きる。また、ピット深さや記録方式等の光学記録媒体の
規格が異なっていても、それぞれの規格に対応して、こ
れらトラッキングエラー信号、フォーカスエラー信号や
ＲＦ信号等を受光検出することができる。
クアップ装置によれば、受光部が、短冊状に４分割され
て、さらに４分割された受光部が４分割の分割線と交差
する線によりにそれぞれ２分割されて、８分割された受
光素子を備えていることにより、例えばトラッキングエ
ラー信号の検出においては、ヘテロダイン法とプッシュ
プル法を併用することができる。従って、これを用い
て、例えば光学記録媒体のトラッキングエラー信号、フ
ォーカスエラー信号やＲＦ信号を受光検出することがで
きる。また、ピット深さや記録方式等の光学記録媒体の
規格が異なっていても、それぞれの規格に対応して、こ
れらトラッキングエラー信号、フォーカスエラー信号や
ＲＦ信号等を受光検出することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】本発明は、受光部が短冊状に４分
割されて、さらに４分割された受光部が４分割の分割線
と交差する線によりにそれぞれ２分割されて、受光部が
８分割された受光素子を備えてなる光半導体素子であ
る。
割されて、さらに４分割された受光部が４分割の分割線
と交差する線によりにそれぞれ２分割されて、受光部が
８分割された受光素子を備えてなる光半導体素子であ
る。
【００３０】本発明は、上記光半導体素子を備えた光学
ピックアップ装置である。
ピックアップ装置である。
【００３１】また本発明は、上記光半導体素子におい
て、発光素子と、２つの受光素子から成る受光部と、マ
イクロプリズム手段とを有し、２つの受光素子の少なく
とも一方が上記８分割されている受光素子である構成と
する。
て、発光素子と、２つの受光素子から成る受光部と、マ
イクロプリズム手段とを有し、２つの受光素子の少なく
とも一方が上記８分割されている受光素子である構成と
する。
【００３２】また本発明は、上記光半導体素子におい
て、受光素子からヘテロダイン法でトラッキング誤差信
号を得る構成とする。
て、受光素子からヘテロダイン法でトラッキング誤差信
号を得る構成とする。
【００３３】また本発明は、上記光半導体素子におい
て、受光素子からプッシュプル法でトラッキング誤差信
号を得る構成とする。
て、受光素子からプッシュプル法でトラッキング誤差信
号を得る構成とする。
【００３４】以下、図面を参照して本発明の光半導体素
子及び光学ピックアップ装置の実施例を説明する。図１
に示す光学ピックアップ装置、いわゆるレーザカプラ１
０は、出力制御モニタ用のフォトダイオードＰＤM が作
り込まれたシリコン基板２上にマウントした半導体レー
ザＬＤを光源として、これらの部品とマイクロプリズム
３とが基盤すなわち、例えばシリコン基板（ＰＤＩＣ）
１上に配置されてレーザカプラ１０を構成している。即
ち、前出の図６に示したレーザカプラ６０の光学系と同
様の構成を有してなる。
子及び光学ピックアップ装置の実施例を説明する。図１
に示す光学ピックアップ装置、いわゆるレーザカプラ１
０は、出力制御モニタ用のフォトダイオードＰＤM が作
り込まれたシリコン基板２上にマウントした半導体レー
ザＬＤを光源として、これらの部品とマイクロプリズム
３とが基盤すなわち、例えばシリコン基板（ＰＤＩＣ）
１上に配置されてレーザカプラ１０を構成している。即
ち、前出の図６に示したレーザカプラ６０の光学系と同
様の構成を有してなる。
【００３５】そして、マイクロプリズム３下に２つのフ
ォトダイオードＰＤ1 （ＰＤa 〜ＰＤh ），ＰＤ2 （Ｐ
Ｄi 〜ＰＤl ）が配置される。フォトダイオードＰ
Ｄ1 ，ＰＤ2 は、シリコン基板５０の表面に拡散などに
よって形成される。
ォトダイオードＰＤ1 （ＰＤa 〜ＰＤh ），ＰＤ2 （Ｐ
Ｄi 〜ＰＤl ）が配置される。フォトダイオードＰ
Ｄ1 ，ＰＤ2 は、シリコン基板５０の表面に拡散などに
よって形成される。
【００３６】本例においては、前段のフォトダイオード
ＰＤ1 は、図１Ｂにその拡大図を示すように、図６の場
合と同様に中央の分割線に対して対称であり、フォーカ
スおよびトラッキングが合った状態で、外側の２区画と
内側の２区画とにおいて受光する光量が等しくなるよう
に短冊状に４分割され、更にこの４分割の分割線と交差
する分割線、この例では４分割の分割線と略直交する分
割線により、それぞれ２分割されて、８分割のフォトダ
イオードを構成している。
ＰＤ1 は、図１Ｂにその拡大図を示すように、図６の場
合と同様に中央の分割線に対して対称であり、フォーカ
スおよびトラッキングが合った状態で、外側の２区画と
内側の２区画とにおいて受光する光量が等しくなるよう
に短冊状に４分割され、更にこの４分割の分割線と交差
する分割線、この例では４分割の分割線と略直交する分
割線により、それぞれ２分割されて、８分割のフォトダ
イオードを構成している。
【００３７】一方、後段のフォトダイオードＰＤ2 は、
図６の場合と同様に、中央の分割線に対して対称であ
り、フォーカスおよびトラッキングが合った状態で、外
側の２区画と内側の２区画とにおいて受光する光量が等
しくなるように短冊状に４分割されている。
図６の場合と同様に、中央の分割線に対して対称であ
り、フォーカスおよびトラッキングが合った状態で、外
側の２区画と内側の２区画とにおいて受光する光量が等
しくなるように短冊状に４分割されている。
【００３８】このレーザカプラでは、半導体レーザＬＤ
からの出射光ＬF がマイクロプリズム３の例えば４５°
のハーフミラー斜面で反射して、図において垂直方向に
向かい、被照射部、例えばディスクに照射される。ディ
スクで反射された戻り光ＬRは、マイクロプリズム３の
ハーフミラー斜面よりマイクロプリズム３内に入射さ
れ、まず前段の８分割フォトダイオードＰＤ1 （ＰＤa
〜ＰＤh ）で受光されると共に反射されて、これがマイ
クロプリズム３上面で反射された後に後段の４分割フォ
トダイオードＰＤ2 （ＰＤi 〜ＰＤl ）でも受光され
る。
からの出射光ＬF がマイクロプリズム３の例えば４５°
のハーフミラー斜面で反射して、図において垂直方向に
向かい、被照射部、例えばディスクに照射される。ディ
スクで反射された戻り光ＬRは、マイクロプリズム３の
ハーフミラー斜面よりマイクロプリズム３内に入射さ
れ、まず前段の８分割フォトダイオードＰＤ1 （ＰＤa
〜ＰＤh ）で受光されると共に反射されて、これがマイ
クロプリズム３上面で反射された後に後段の４分割フォ
トダイオードＰＤ2 （ＰＤi 〜ＰＤl ）でも受光され
る。
【００３９】本例のレーザカプラ１０では、ヘテロダイ
ン法を用いてトラッキングエラー信号の検出を行うこと
ができる。ヘテロダイン法における信号検出回路の概略
図を図３に示す。例えば田の字形状に４分割されたフォ
トダイオードＰＤ11，ＰＤ12，ＰＤ21，ＰＤ22によって
受光した信号を、差分増幅器２１により（ＰＤ12＋ＰＤ
21）−（ＰＤ11＋ＰＤ22）という対角和の差信号をヘテ
ロダイン信号ＨＴＤとして得ることができる。
ン法を用いてトラッキングエラー信号の検出を行うこと
ができる。ヘテロダイン法における信号検出回路の概略
図を図３に示す。例えば田の字形状に４分割されたフォ
トダイオードＰＤ11，ＰＤ12，ＰＤ21，ＰＤ22によって
受光した信号を、差分増幅器２１により（ＰＤ12＋ＰＤ
21）−（ＰＤ11＋ＰＤ22）という対角和の差信号をヘテ
ロダイン信号ＨＴＤとして得ることができる。
【００４０】尚、図３に示す回路では、加算器２２によ
り、４分割フォトダイオードの和信号をＲＦ信号として
得て、このＲＦ信号をエッジ検出回路２３，２４を通し
て、これをＨＴＤ信号の後段の２つのサンプルホールド
回路２５，２６にそれぞれ送って、エッジの検出に応じ
て最終段の差分増幅器２７で差信号を得て、この差信号
からトラッキングエラー信号ＴＥを検出している。
り、４分割フォトダイオードの和信号をＲＦ信号として
得て、このＲＦ信号をエッジ検出回路２３，２４を通し
て、これをＨＴＤ信号の後段の２つのサンプルホールド
回路２５，２６にそれぞれ送って、エッジの検出に応じ
て最終段の差分増幅器２７で差信号を得て、この差信号
からトラッキングエラー信号ＴＥを検出している。
【００４１】本例のレーザカプラ１０では、次の数１に
示す対角和の差信号であるヘテロダイン信号ＨＴＤを得
て、ヘテロダイン法によってトラッキングエラー信号を
得ることができる。
示す対角和の差信号であるヘテロダイン信号ＨＴＤを得
て、ヘテロダイン法によってトラッキングエラー信号を
得ることができる。
【００４２】
【数１】ＨＴＤ＝（ＰＤa ＋ＰＤb ＋ＰＤg ＋ＰＤh ）
−（ＰＤc ＋ＰＤd ＋ＰＤe ＋ＰＤf ）
−（ＰＤc ＋ＰＤd ＋ＰＤe ＋ＰＤf ）
【００４３】上述のヘテロダイン法は、光学ディスクの
ピットの深さにあまり影響されないという特徴を持って
いるため、これによりプッシュプル信号が得られない可
能性のあるようなＤＶＤ−ＲＯＭ等の光学記録媒体に対
しても、記録・再生が可能な光半導体素子及び光学ピッ
クアップ装置を構成することができる。また、ヘテロダ
イン法は、フォトダイオードＰＤ上でレーザ光のスポッ
トが動いても、プッシュプル法で見られるようなオフセ
ットの発生が少ないという特徴を有する。従って、本例
によりレンズシフトやディスクスキュー等に強く、プッ
シュプル信号のようにオフセットキャンセルのための回
路系を必要としない、レーザカプラ１０が実現できる。
ピットの深さにあまり影響されないという特徴を持って
いるため、これによりプッシュプル信号が得られない可
能性のあるようなＤＶＤ−ＲＯＭ等の光学記録媒体に対
しても、記録・再生が可能な光半導体素子及び光学ピッ
クアップ装置を構成することができる。また、ヘテロダ
イン法は、フォトダイオードＰＤ上でレーザ光のスポッ
トが動いても、プッシュプル法で見られるようなオフセ
ットの発生が少ないという特徴を有する。従って、本例
によりレンズシフトやディスクスキュー等に強く、プッ
シュプル信号のようにオフセットキャンセルのための回
路系を必要としない、レーザカプラ１０が実現できる。
【００４４】さらに、本例のレーザカプラ１０は、図６
に示した従来のレーザカプラ６０と互換の信号も得られ
る構成になっており、ＣＤ用等の従来のレーザカプラの
光学系に用いられているプッシュプル信号ＰＰやＲＦ信
号、フォーカスエラー信号ＦＥも検出できる。これらの
信号を次の数２に示す。
に示した従来のレーザカプラ６０と互換の信号も得られ
る構成になっており、ＣＤ用等の従来のレーザカプラの
光学系に用いられているプッシュプル信号ＰＰやＲＦ信
号、フォーカスエラー信号ＦＥも検出できる。これらの
信号を次の数２に示す。
【００４５】
【数２】プッシユプル信号＝（ＰＤa ＋ＰＤb ＋ＰＤe
＋ＰＤf ）＋（ＰＤk ＋ＰＤl）〕−〔（ＰＤc ＋ＰＤ
d ＋ＰＤg ＋ＰＤh ）＋（ＰＤi ＋ＰＤj ）〕 ＲＦ信号＝ＰＤa ＋ＰＤb ＋ＰＤc ＋ＰＤd ＋ＰＤe ＋
ＰＤf ＋ＰＤg ＋ＰＤh ＋ＰＤi ＋ＰＤj ＋ＰＤk ＋Ｐ
Ｄl ＦＥ＝［（ＰＤa ＋ＰＤd ＋ＰＤe ＋ＰＤh ）−（ＰＤ
b ＋ＰＤc ＋ＰＤf ＋ＰＤg ）］−［（ＰＤi ＋Ｐ
Ｄl ）−（ＰＤj ＋ＰＤk ）］
＋ＰＤf ）＋（ＰＤk ＋ＰＤl）〕−〔（ＰＤc ＋ＰＤ
d ＋ＰＤg ＋ＰＤh ）＋（ＰＤi ＋ＰＤj ）〕 ＲＦ信号＝ＰＤa ＋ＰＤb ＋ＰＤc ＋ＰＤd ＋ＰＤe ＋
ＰＤf ＋ＰＤg ＋ＰＤh ＋ＰＤi ＋ＰＤj ＋ＰＤk ＋Ｐ
Ｄl ＦＥ＝［（ＰＤa ＋ＰＤd ＋ＰＤe ＋ＰＤh ）−（ＰＤ
b ＋ＰＤc ＋ＰＤf ＋ＰＤg ）］−［（ＰＤi ＋Ｐ
Ｄl ）−（ＰＤj ＋ＰＤk ）］
【００４６】従って、ヘテロダイン法ではトラッキング
エラー信号の検出ができないような光学記録媒体、例え
ばグルーブディスクに対しても、トラッキングエラー信
号を得ることもできる。即ち、グルーブ記録やランド記
録がなされる書き込み可能の光学記録媒体用の光学ピッ
クアップヘも適用できる。
エラー信号の検出ができないような光学記録媒体、例え
ばグルーブディスクに対しても、トラッキングエラー信
号を得ることもできる。即ち、グルーブ記録やランド記
録がなされる書き込み可能の光学記録媒体用の光学ピッ
クアップヘも適用できる。
【００４７】また、上述の例では、１スポットでトラッ
キングエラー信号の検出を行うことができるため、出射
光ＬF の分割や戻り光ＬR の分割が不要で、部品点数の
削減できる点や、隣接トラックとの間隔が狭い場合でも
トラッキングエラー信号の検出ができる点において利点
を有する。
キングエラー信号の検出を行うことができるため、出射
光ＬF の分割や戻り光ＬR の分割が不要で、部品点数の
削減できる点や、隣接トラックとの間隔が狭い場合でも
トラッキングエラー信号の検出ができる点において利点
を有する。
【００４８】図１では、前段のフォトダイオードＰＤ1
を８分割としているが、後段のフォトダイオードＰＤ2
を８分割としても同様の効果が得られる。即ち、２つの
フォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 の少なくともどちらか
一方が８分割になっていればよい。
を８分割としているが、後段のフォトダイオードＰＤ2
を８分割としても同様の効果が得られる。即ち、２つの
フォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 の少なくともどちらか
一方が８分割になっていればよい。
【００４９】より好ましくは、２つのフォトダイオード
ＰＤ1 ，ＰＤ2 を共に８分割とする。このようにすれ
ば、例えば半導体レーザＬＤの取付位置が変わった場合
等、レーザ光のスポットの位置が違っていても、ヘテロ
ダイン法によりトラッキングサーボを問題なく行うこと
ができる。
ＰＤ1 ，ＰＤ2 を共に８分割とする。このようにすれ
ば、例えば半導体レーザＬＤの取付位置が変わった場合
等、レーザ光のスポットの位置が違っていても、ヘテロ
ダイン法によりトラッキングサーボを問題なく行うこと
ができる。
【００５０】本発明は、既に量産実績のあるＣＤ用光集
積素子（レーザカプラ）の技術で実現うることが可能で
あり、それ自体が大きな利点である。即ち、充分に量産
性（特に低コスト、高信頼性）に優れたデバイスとなり
得る。
積素子（レーザカプラ）の技術で実現うることが可能で
あり、それ自体が大きな利点である。即ち、充分に量産
性（特に低コスト、高信頼性）に優れたデバイスとなり
得る。
【００５１】尚、この他のトラッキングサーボの方法と
して、ＤＰＤ法（Diffrential Phase Detection ）と呼
ばれる方法があるが、基本的にはヘテロダイン法の手法
と同一と見なされるものであるため、前述の本発明の内
容に含まれるものである。
して、ＤＰＤ法（Diffrential Phase Detection ）と呼
ばれる方法があるが、基本的にはヘテロダイン法の手法
と同一と見なされるものであるため、前述の本発明の内
容に含まれるものである。
【００５２】上述の実施例では、マイクロプリズム１０
を用いた光半導体素子に適用した例であったが、その他
の構成の光半導体素子及び光学ピックアップ装置にも本
発明を適用することができる。
を用いた光半導体素子に適用した例であったが、その他
の構成の光半導体素子及び光学ピックアップ装置にも本
発明を適用することができる。
【００５３】例えば図２に示すように、２つのフォトダ
イオードＰＤ1 ，ＰＤ2 が形成されたＰＤＩＣ１１上に
ホログラム素子１２を配して、このホログラム素子１２
により光学ディスクからの戻り光ＬR を２本の光線に分
割して、それぞれＰＤＩＣ１１の２つのフォトダイオー
ドＰＤ1 ，ＰＤ2 で受光する構成の光半導体素子２０に
も本発明を適用することができる。ＰＤＩＣ１１とホロ
グラム素子１２との間には図示しないが透明部材が配置
されて、ホログラム素子１２とフォトダイオードＰ
Ｄ1 ，ＰＤ2 との位置合わせがなされる。
イオードＰＤ1 ，ＰＤ2 が形成されたＰＤＩＣ１１上に
ホログラム素子１２を配して、このホログラム素子１２
により光学ディスクからの戻り光ＬR を２本の光線に分
割して、それぞれＰＤＩＣ１１の２つのフォトダイオー
ドＰＤ1 ，ＰＤ2 で受光する構成の光半導体素子２０に
も本発明を適用することができる。ＰＤＩＣ１１とホロ
グラム素子１２との間には図示しないが透明部材が配置
されて、ホログラム素子１２とフォトダイオードＰ
Ｄ1 ，ＰＤ2 との位置合わせがなされる。
【００５４】この例では、ＰＤＩＣ１１の２つのフォト
ダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 の少なくとも一方を、図１Ｂ
と同様の構成の８分割フォトダイオードとすることによ
り、これを用いてヘテロダイン法によるトラッキングサ
ーボを行うことができる。この場合も、光学ディスクの
ピットの深さがλ／４であっても、トラッキングエラー
信号を得ることができる等、前述の例と同様の効果を有
する。
ダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 の少なくとも一方を、図１Ｂ
と同様の構成の８分割フォトダイオードとすることによ
り、これを用いてヘテロダイン法によるトラッキングサ
ーボを行うことができる。この場合も、光学ディスクの
ピットの深さがλ／４であっても、トラッキングエラー
信号を得ることができる等、前述の例と同様の効果を有
する。
【００５５】上述の各例では、受光素子であるフォトダ
イオードＰＤを２つ形成してその少なくとも一方を８分
割フォトダイオードとして光半導体素子を構成している
が、１つの８分割フォトダイオードにより受光部を構成
した光半導体素子においても、同様に本発明を適用する
ことができる。この場合も、短冊状に４分割され、さら
に４分割の分割線と交差する分割線によりそれぞれ２分
割された、８分割のフォトダイオードを構成することに
より、ヘテロダイン法やプッシュプル法によるトラッキ
ングエラー信号の検出や、フォーカスエラー信やＲＦ信
号等各種信号の受光検出を行うことができる。
イオードＰＤを２つ形成してその少なくとも一方を８分
割フォトダイオードとして光半導体素子を構成している
が、１つの８分割フォトダイオードにより受光部を構成
した光半導体素子においても、同様に本発明を適用する
ことができる。この場合も、短冊状に４分割され、さら
に４分割の分割線と交差する分割線によりそれぞれ２分
割された、８分割のフォトダイオードを構成することに
より、ヘテロダイン法やプッシュプル法によるトラッキ
ングエラー信号の検出や、フォーカスエラー信やＲＦ信
号等各種信号の受光検出を行うことができる。
【００５６】本発明の光半導体素子及び光学ピックアッ
プ装置は、上述の例に限定されるものではなく、本発明
の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得
る。
プ装置は、上述の例に限定されるものではなく、本発明
の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得
る。
【００５７】
【発明の効果】上述の本発明によれば、ディスクピット
深さ依存の少ないトラッキングエラー信号が得られるた
め、プッシュプル信号が得られないピット深さがλ／４
の光学記録媒体に対しても、トラッキングサーボを行う
ことができる。
深さ依存の少ないトラッキングエラー信号が得られるた
め、プッシュプル信号が得られないピット深さがλ／４
の光学記録媒体に対しても、トラッキングサーボを行う
ことができる。
【００５８】受光素子上のレーザ光のスポット移動によ
るオフセットが少ないトラッキングエラー信号が得られ
るため、レンズシフトやディスクスキュー等に強く、プ
ッシュプル信号をトラッキングエラー信号とする場合の
ように、オフセットをキャンセルするための回路系を必
要としない。従って、ピックアップ装置の簡略化が図れ
る。
るオフセットが少ないトラッキングエラー信号が得られ
るため、レンズシフトやディスクスキュー等に強く、プ
ッシュプル信号をトラッキングエラー信号とする場合の
ように、オフセットをキャンセルするための回路系を必
要としない。従って、ピックアップ装置の簡略化が図れ
る。
【００５９】また、１つのスポットでトラッキングエラ
ー信号の検出ができるので、ピットディスクに対しても
グルーブディスクに対しても、トラッキングエラー信号
を検出することができ、隣接トラックとの間隔が短い光
学ディスクに対しても使用することができる。
ー信号の検出ができるので、ピットディスクに対しても
グルーブディスクに対しても、トラッキングエラー信号
を検出することができ、隣接トラックとの間隔が短い光
学ディスクに対しても使用することができる。
【００６０】また、本発明の光学ピックアップ装置は、
フォトダイオードからなる受光素子の構成を変更するだ
けで、既に量産されている光半導体素子及び光学ピック
アップ装置の製造技術がそのまま適用できるので、製造
コストが低く、信頼性が良好で、量産性に優れている。
フォトダイオードからなる受光素子の構成を変更するだ
けで、既に量産されている光半導体素子及び光学ピック
アップ装置の製造技術がそのまま適用できるので、製造
コストが低く、信頼性が良好で、量産性に優れている。
【図１】本発明による光半導体素子及び光学ピックアッ
プ装置の実施例の概略構成図である。 Ａ 光学ピックアップ装置の斜視図である。 Ｂ 図１Ａにおけるフォトダイオードの拡大図である。
プ装置の実施例の概略構成図である。 Ａ 光学ピックアップ装置の斜視図である。 Ｂ 図１Ａにおけるフォトダイオードの拡大図である。
【図２】本発明による光半導体素子の他の実施例の概略
構成図である。
構成図である。
【図３】ヘテロダイン法における信号検出回路の概略図
である。
である。
【図４】従来の光学ピックアップ装置の光学系の概略構
成図である。
成図である。
【図５】従来のレーザカプラの光学系の概略構成図であ
る。
る。
【図６】従来のレーザカプラの概略構成図である。 Ａ レーザカプラの斜視図である。 Ｂ 図６Ａにおけるフォトダイオードの拡大図である。
【図７】Ａ、Ｂ ３スポット法を説明する図である。
１ シリコン基板（ＰＤＩＣ）、２ シリコン基板、３
マイクロプリズム、１１ ＰＤＩＣ、１２ ホログラ
ム素子、２０ 光半導体素子、２１，２７ 差分増幅
器、２２ 加算器、２３，２４ エッジ検出回路、２
５，２６ サンプルホールド回路、５０ 光学ピックア
ップ装置、５１，６１ フォトダイオードＩＣ（ＰＤＩ
Ｃ）、５２ グレーティング、５３，６２ 対物レン
ズ、５４，６３光学ディスク、６０ レーザカプラ、７
１ 対物レンズ、７２ 光学ディスク、７３ 回折格子
（グレーティング）、７５ 差分増幅器、ＬＤ 半導体
レーザ、ＰＤ1 ，ＰＤ2 ，ＰＤa ，ＰＤb ，ＰＤc ，Ｐ
Ｄd ，ＰＤe ，ＰＤf ，ＰＤg ，ＰＤh ，ＰＤi ，ＰＤ
j ，ＰＤk ，ＰＤl ，ＰＤ11，ＰＤ12，ＰＤ21，Ｐ
Ｄ22，ＰＤ0 ，ＰＤ1a，ＰＤ1b フォトダイオード、Ｌ
レーザ光、ＬF 出射光、ＬR 戻り光、Ｓ0 ０次
回折光スポット、Ｓ1 １次回折光スポット、Ｐ ピッ
ト、Ｔ トラック
マイクロプリズム、１１ ＰＤＩＣ、１２ ホログラ
ム素子、２０ 光半導体素子、２１，２７ 差分増幅
器、２２ 加算器、２３，２４ エッジ検出回路、２
５，２６ サンプルホールド回路、５０ 光学ピックア
ップ装置、５１，６１ フォトダイオードＩＣ（ＰＤＩ
Ｃ）、５２ グレーティング、５３，６２ 対物レン
ズ、５４，６３光学ディスク、６０ レーザカプラ、７
１ 対物レンズ、７２ 光学ディスク、７３ 回折格子
（グレーティング）、７５ 差分増幅器、ＬＤ 半導体
レーザ、ＰＤ1 ，ＰＤ2 ，ＰＤa ，ＰＤb ，ＰＤc ，Ｐ
Ｄd ，ＰＤe ，ＰＤf ，ＰＤg ，ＰＤh ，ＰＤi ，ＰＤ
j ，ＰＤk ，ＰＤl ，ＰＤ11，ＰＤ12，ＰＤ21，Ｐ
Ｄ22，ＰＤ0 ，ＰＤ1a，ＰＤ1b フォトダイオード、Ｌ
レーザ光、ＬF 出射光、ＬR 戻り光、Ｓ0 ０次
回折光スポット、Ｓ1 １次回折光スポット、Ｐ ピッ
ト、Ｔ トラック
Claims (5)
- 【請求項１】 受光部が短冊状に４分割されて、さらに
該４分割された受光部が４分割の分割線と交差する線に
よりにそれぞれ２分割されて、受光部が８分割された受
光素子を備えてなることを特徴とする光半導体素子。 - 【請求項２】 上記請求項１に記載の光半導体素子を備
えたことを特徴とする光学ピックアップ装置。 - 【請求項３】 発光素子と、２つの受光素子から成る受
光部と、マイクロプリズム手段とを有し、上記２つの受
光素子の少なくとも一方が、請求項１に記載の８分割さ
れた受光素子であることを特徴とする光半導体素子。 - 【請求項４】 上記受光素子からヘテロダイン法でトラ
ッキング誤差信号を得ることを特徴とすることを特徴と
する請求項１に記載の光半導体素子。 - 【請求項５】 上記受光素子からプッシュプル法でトラ
ッキング誤差信号を得ることを特徴とすることを特徴と
する請求項１に記載の光半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3793097A JPH10242502A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 光半導体素子及び光学ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3793097A JPH10242502A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 光半導体素子及び光学ピックアップ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242502A true JPH10242502A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12511282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3793097A Pending JPH10242502A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 光半導体素子及び光学ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242502A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085786A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-03-30 | Sony Corp | レーザパワー制御装置、光学ヘッド及び光記録再生装置 |
| WO2001059897A1 (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser drive device, optical head, and optical information processor |
-
1997
- 1997-02-21 JP JP3793097A patent/JPH10242502A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085786A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-03-30 | Sony Corp | レーザパワー制御装置、光学ヘッド及び光記録再生装置 |
| WO2001059897A1 (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser drive device, optical head, and optical information processor |
| US6643303B2 (en) | 2000-02-10 | 2003-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser drive device, optical head, and optical information processor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7327661B2 (en) | Optical pickup and optical information recording apparatus using the same | |
| JP2001357545A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| US7706236B2 (en) | Optical pickup and optical disc apparatus including a multi-section diffractive element | |
| JP2000011422A (ja) | 集積化受発光装置 | |
| US7535814B2 (en) | Optical pickup device | |
| US7313061B2 (en) | Optical pickup having a plurality of photodetectors divided into four regions used to obtain both focus and tracking error signals | |
| JP2003162831A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JPH0772944B2 (ja) | 光ディスク装置のエラー信号生成装置 | |
| JP3630638B2 (ja) | 光ピックアップ用シーク方向検出信号の生成装置 | |
| JPH10242502A (ja) | 光半導体素子及び光学ピックアップ装置 | |
| KR100618990B1 (ko) | 광픽업용 시크방향 검출 신호 생성장치 | |
| JPH11213405A (ja) | 光学ヘッド及びトラッキングエラー信号検出方法 | |
| JPH07311947A (ja) | 光ディスク装置 | |
| KR100600297B1 (ko) | 트랙 피치가 상이한 광디스크용 광픽업 장치 | |
| US6421307B2 (en) | Optical device | |
| JP2002216368A (ja) | 光ピックアップ装置及び光学ディスク装置 | |
| JPH0240576Y2 (ja) | ||
| KR100640309B1 (ko) | 광픽업 장치 | |
| KR19990041069A (ko) | 광픽업장치 | |
| JP2001034967A (ja) | ピックアップ装置 | |
| KR20090092692A (ko) | 광 픽업 장치 | |
| KR20010033629A (ko) | 광학 픽업 및 광학 재생 장치 | |
| JPS63244418A (ja) | 光ピツクアツプ | |
| JPH06119647A (ja) | 光スポットのエラー検出方法 | |
| JP2003036557A (ja) | 光ピックアップ装置およびそれを用いた光学的情報記録再生装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20031216 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070308 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070320 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071002 |