JPH10242644A - 導体回路付グリーンシートおよびその製造法並びにこれを用いた多層配線セラミック基板 - Google Patents

導体回路付グリーンシートおよびその製造法並びにこれを用いた多層配線セラミック基板

Info

Publication number
JPH10242644A
JPH10242644A JP9041872A JP4187297A JPH10242644A JP H10242644 A JPH10242644 A JP H10242644A JP 9041872 A JP9041872 A JP 9041872A JP 4187297 A JP4187297 A JP 4187297A JP H10242644 A JPH10242644 A JP H10242644A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
green sheet
heat
metal conductor
conductor circuit
peelable adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9041872A
Other languages
English (en)
Inventor
Fusaji Shoji
房次 庄子
Nobuhito Katsumura
宣仁 勝村
Hideo Togawa
英男 外川
Masahide Okamoto
正英 岡本
Yoichi Abe
洋一 阿部
Hideaki Tanaka
秀明 田中
Norio Sengoku
則夫 千石
Kunihiro Yagi
邦博 矢木
Fumiyuki Kobayashi
二三幸 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP9041872A priority Critical patent/JPH10242644A/ja
Publication of JPH10242644A publication Critical patent/JPH10242644A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】多層配線セラミック基板の内部配線は導体ペー
ストを層間接続用バイアスルーホールに充填したグリー
ンシートにスクリーン印刷法により配線回路パターンを
形成しているため、配線の比抵抗が大きい。 【解決手段】導体回路パターンを作製した転写用基材に
熱剥離性接着シートを用い、また選択された位置でバイ
アホールに突起したパット状導体を設ける。又、得られ
た導体回路付グリーンシートを互いに整合するように重
ね合わせて加熱圧着し、重ね合わせセラミックのX及び
Y方向の収縮を制限し、Z(厚さ)方向に荷重を加えな
がら焼結する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップを搭載
して機能モジュールを構成するための導体配線が低抵抗
導体回路を有する高性能多層配線セラミック基板に関す
る。
【0002】
【従来の技術】セラミックの多層化技術は、積層セラミ
ックコンデンサ、圧電素子等の電子セラミックデバイス
の小型化、高性能化や、半導体素子等の高密度実装に必
須の多層配線セラミック基板等への技術があげられる。
【0003】従来の多層セラミック基板は、選択された
位置で層体を貫通するバイアホール中の焼結導体によっ
て相互接続された個々のの層体上の焼結金属パターンを
利用していた。これらの導体パターン製法は、1)層体
を貫通するバイアホール中の導体を有するセラミックグ
リーンシート上に導体ペーストをスクリーン印刷法で印
刷して成膜される。これらの手法によって得られた導体
パターンは焼結される。2)複数の裏打ちシートの各々
に金属導体パターンを付着し、その各々のパターンを個
々の未焼入セラミックグリーンシートに転写し、それら
のグリーンシートを互いに整合するように重ね合わせ、
その重ね合わせグリーンシートを金属導体の融点よりも
低い温度で焼結するように重ね合わせセラミックのX及
びY方向の収縮を制限することによって、電子デバイス
の搭置及び相互接続に使用される多層セラミック基板が
製造されることが知られている(特開昭63−9959
6号公報)。
【0004】多層セラミック基板の高密度化、高性能化
と高信頼性を図るためには、導体配線の微細パターン化
及び導体配線の低抵抗化と信頼性のある個々の相互接続
が必要である。しかしながら、1)従来の導体ペースト
や感光性導体ペーストを用いて形成した多層配線セラミ
ック基板では比抵抗が3.0〜4.0μΩ・cmでバル
ク銅1.7μΩ・cmよりも大きくなり、低抵抗化が図
れない。又スクリーン印刷による導体形成では、幅60
μm以上の配線パターンしか得られず、きわめて微細な
配線をパターン化しにくい。仮に出来たとしてもスクリ
ーンのコストが高くつく。約60〜100μmより狭い
配線微細化が困難である。またこれに対して、2)複数
の離型材(例えば、ポリビニルブチラール、アルファー
メチルスチレン、ポリイソブチレン、又はポリメチルメ
タクリレート)でコーテイングされた裏打ちシート(ポ
リエチレンテレフタレート、ポリイミド等)の各々に金
属導体パターンを離型材に直接付着しているためにその
各々のパターンを個々の未焼入セラミックグリーンシー
トに均一に転写されにくい。離型材と金属導体の接着性
にばらつきがあるからである。又グリーンシート面と金
属導体パターンのスタッド面が同一面であるため、層体
接続間の信頼性が十分ではない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の欠点
を解決するためになされたものである。すなわち、高密
度配線、低抵抗化、高信頼性を可能にするには、導体回
路パターンを作製した転写用基板に熱剥離性接着シート
を用いることにより、セラミッ・グリーンシートに歩留
まりよく転写できるようにし、選択された位置でバイア
ホールに突起したパット状導体を設けることによって層
間の接続信頼性を向上した。又同時にセラミッ・グリー
ンシートのパット状導体と金属導体パターンに接続する
ように位置あわせして加熱圧着して導体パターンを転写
し、得られた導体回路付グリーンシートを互いに整合す
るように重ね合わせて加熱圧着し、重ね合わせセラミッ
クのX及びY方向の収縮を制限し、Z(厚さ)方向に荷
重を加えながら焼結することにより、高強度で、電気的
特性の優れた高信頼性の多層配線セラミック基板を提供
する。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討を
重ねた結果、基材上に加熱剥離性接着層を形成し、その
加熱剥離性接着層面側に金属導体回路パターンを形成す
る工程、層間接続用バイアホールに導体回路パターンよ
り融点10℃から100℃低い導体ペースト又は金属導
体合金の突起したパット状導体部を設ける工程、セラミ
ックグリーンシートの突起部先端が上記金属導体回路パ
ターンに接続するように位置あわせして加熱圧着して導
体パターンを転写し、基材上の加熱剥離性接着層から導
体回路付グリーンシートに剥離する工程、得られた配線
付グリーンシートユニットを互いに整合するように重ね
合わせて加熱圧着し、重ね合わせセラミックのX及びY
方向の収縮を制限し、Z(厚さ)方向に荷重を加えなが
ら焼結することによって、高強度で、電気的特性の優れ
た高信頼性の多層セラミック基板が製造出来ることを見
出した。
【0007】以下に、本発明の詳細を説明する。
【0008】基材上に熱剥離接着シート(セパレータ/
熱剥離接着剤/基材(ポリエチレンテレフタレート)/
接着剤/セパレータ)の接着剤面でラミネートし、更に
熱剥離接着剤面側に銅箔をラミネートする。つぎに感光
性ドライフイルムで銅箔のパターニングを行なう。この
ようにして導体回路転写用基板が製造される。
【0009】一方、上記転写用基板から導体パターンが
転写されるグリーンシートは常法により以下の方法で形
成される。例えば、平均粒径20μm以下であるセラミ
ック粉末100重量部、分散助剤及び有機溶剤(又は水
系溶剤)とからなるセラミックスラリをボールミルで1
〜5時間湿式混合し、次に、有機バインダ、可塑剤、又
は可塑剤含有有機バインダを2から30重量部を添加
し、更に湿式混合を少なくとも5時間以上行ない、セラ
ミックスラリを製造する。これを脱泡・脱水/脱溶剤し
たのち、室温から120℃のキャスト温度でドクターフ
レード法等によってグリーンシートを形成する。製法は
特に制限されるものではない。
【0010】得られた厚さ0.05〜2mmのグリーン
シートを所定の大きさ、例えば、10〜200mm×1
0〜200mm角に切断し、必要な層、所定の位置にバ
イアホールを打ち抜く。この打ち抜かれたバイアホール
にCu(融点1083.4℃)、銅−銀合金(融点10
83.4〜961.9℃)、Au(融点1064℃)等
の導体を主成分とした導体ペースト又は銅合金ボールを
埋め込む。このようにして導体穴埋めグリーンシートが
製造される。
【0011】次に、導体回路転写用基板と導体穴埋めグ
リーンシートを位置あわせの後、所定の温度、圧力で圧
着すると、導体回路パターンがグリーンシートに転写さ
れ、150℃以上すると接着剤の中に含まれる発砲剤が
発砲し、熱剥離性接着剤と導体回路パターンとが剥が
れ、導体回路付グリーンシートが製造される。
【0012】次に導体回路付グリーンシート数層から数
十層を積層し、温度80から150℃、圧力0.98M
Pa〜29.4MPa(10〜300kgf/cm2
で熱プレス圧着する。得られた積層体を所定の形状、大
きさになるように切断する。これを、面方向の拘束力を
加えながら、即ち厚さ方向に荷重を加えながら焼成す
る。上記導体の種類によって焼成温度がことなるが、空
気中、あるいは非還元性雰囲気中で焼成することによっ
て多層配線セラミック基板が製造される。
【0013】本発明の多層配線セラミック基板の製造に
用いる熱剥離性接着フィルムのベース材料としては、例
えば、スチレン・ブタジエン・スチレンブロック共重合
体(SBS)、スチレン・イソプレン・スチレンブロッ
ク共重合体(SIS)、スチレン・エチレンブチレン・
スチレンブロック共重合体(SEBS)などの合成ゴム
をベースとしたゴム系加熱剥離性接着フィルム、天然ゴ
ムや合成ゴムをベースとしたゴム系加熱剥離性接着フィ
ルム、メチル、エチル、プロピル、ブチル、2−エチル
ヘキシル、イソオクチル、イソノニル、イソデシル、ド
デシル、ラウリル、トリデシル、ペンタデシル、ヘキサ
デシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、エ
イコシル基等の炭素数が20以下のアルキル基を有する
アクリル酸ないしメタクリル酸等のアクリル酸系エステ
ル、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、アクリル
酸ヒドロキシエチル、アクリル酸ヒドロキシプロピル、
メタクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキ
シプロピル、N−メチロールアクリルアミド、アクリロ
ニトリル、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシ
ジル、酢酸ビニル、スチレン、イソブチレン、イソプレ
ン、ブタジエン、ビニールエーテル等のを成分とするア
クリル酸エステル系加熱剥離性接着フィルム等が挙げら
れる。
【0014】粘着付与樹脂は、例えば、ロジンやその誘
導体、ポリテルペン類、石油系樹脂やその水添物類、シ
クロペンタジエン系石油樹脂類、スチレン系石油樹脂
類、クマロンインデン系樹脂類等が挙げられる。粘着付
与樹脂の配合量は、ベース樹脂100重量部あたり40
〜200重量部が適当である。
【0015】又、熱剥離するための発砲剤の例は、無機
系発砲剤の例として、水、炭酸アンモニウム、炭酸水素
アンモニウム、亜硝酸アンモニウム、水素化ホウ素ナト
リウム、アジド類等は挙げられる。また有機系発砲剤の
例として、トリクロロモノフルオロメタン、ジクロロモ
ノフルオロメタンのようなフッ化アルカン、アゾビスイ
ソブチロニトリル、アゾジカルボンアミド、バリウムア
ゾジカルボキシレートのようなアゾ系化合物、パラトル
エンスルホニルヒドラジド、ジフェニルスルホン−3,
3’−ジスルホニルヒドラジド、4.4’−オキシビス
(ベンゼンスルホニルヒドラジド)、アリルビス(スル
ホニルヒドラジド)のようなヒドラジン系化合物、ρ−
トルイレンスルホニルセミカルバジドや4,4’−オキ
シビス(ベンゼンスルホニルセミカルバジド)のような
セミカルバジド系化合物、5−モルホリル−1,2,
3,4−チアトリアゾールのようなトリアゾール系化合
物、N,N−ジニトロペンタメチレンテトラミンやN,
N−ジメチル−N,N’−ジニトロソテレフタルアミド
のようなN−ニトロソ系化合物等が挙げられる。
【0016】発砲剤の配合量は、接着層を膨脹(発砲)
させる程度や、接着力を低下させる程度に応じて適宜に
決定して良い。一般的には、ベースポリマー100重量
部当り5〜40重量部、好ましくは10〜30重量部配
合される。その接着フィルムの接着処理温度よりも高温
で膨張ないし発砲する発砲剤が用いられる。
【0017】発砲剤をマイクロカプセル化してなる熱膨
張性微粒子は、ベースポリマー等の均一混合が容易等の
点から用いられる。具体的には、例えば、マツモトマイ
クロフェア(商品名、松本油脂製薬)として市販されて
いる。
【0018】本発明に用いられるセラミック粉末の平均
粒径が20.0μ以下、好ましくは10μ以下、更に好
ましくは5μ以下である。セラミック粉末は、例えば、
Al23,SiO2,3Al23・SiO2,PbO,A
23・MgO,B23,CaO,BaO,ZrO2
ZnO,Na2O,P25,K2O,Li2O等から1種
以上より選ばれたものである。更に詳しく言えば、アル
ミナ(Al23)、アノーサイト(Anorthit
e,CaO・AlO・2SiO2)、ムライト(Mul
lite,3Al23・2SiO2)、コージェライト
(Cordierite,2MgO・2Al23・5S
iO2)、スポジューメン(Spodumene,Li2
O・Al23・SiO2)のうち少なくとも一種のセラ
ミック粉末、SiO2−B23−Na2O系、SiO2
23−K2O系、SiO2−B23−Li2O系、Si
2−B23−ZnO、系等のホウ珪酸ガラスのうち、
1種以上のガラスセラミック粉末より選ばれる。又これ
らのガラスセラミックが銅の融点より低温で焼成可能な
非結晶性又は結晶性ガラスセラミック、抗折強度が強い
ことが好ましく、さらには焼結後にクリストバライト
(Cristobalite)が生成しにくい成分が好
ましい。このセラミック微粒子は球状、粉砕状のもの等
が使用される。微細なスルーホール加工を必要とする場
合には、グリーンシート用セラミック粉末の平均粒径
は、一般的に10μ以下、更に好ましくは5μ以下が望
ましい。
【0019】又本発明に用いられるセラミック原料は、
BaTiO3等の高誘電体材料、抵抗体材料等も挙げら
れ、特に制限されるものではない。
【0020】本発明に用いられる有機バインダは、例え
ば、ポリビニルブチラール、ポリメタクリル酸エステ
ル、ポリイソブチレン、ポリ(α−メチルスチレン)等
が挙げられる。これらの有機バインダは、ブチルアルコ
ール等のアルコール系溶剤とアセトン系溶剤とからなる
混合溶剤に溶解して使われている。
【0021】これらの中で、ポリメタクリル酸エステル
は、重合用分散剤であるポリエチレンオキサイド系樹脂
をメタクリル酸エステルモノマ等のビニル単量体及び重
合開始剤の存在下懸濁重合を行ない、平均粒径5μm以
下のポリマを水系に分散してなる水系有機バインダを用
いることも出来る。
【0022】又セラミック粉末100重量部、セラミッ
ク成形用有機バインダー5から30重量部、必要に応じ
て分散剤、可塑剤とからなるセラミック前駆体組成物を
特徴とするセラミック前駆体組成物のスラリーを基材の
表面に薄膜状にコーティングすることによりグリーンシ
ートが得られ、治具にシートを固定し、穴あけ加工を施
し、導電体を穴埋めしたグリーンシート上に導体回路パ
ターンを転写し、これらの数層から数十層になるように
積層接着させ、所定の条件下で焼結する(脱バインダ工
程、ついで残留炭素を少なくする工程)ことによって多
層セラミック基板が得られ、上記の目的が達成される。
【0023】又セラミック粉末は、特に限定されるもの
ではないが、高密度化のために微細な配線や微細な穴あ
けを要するグリーンシート化する際には、セラミック粉
末の平均粒径が20.0μ以下の微粉末であることが望
ましい。
【0024】
【発明の実施の形態】以下に発明の実施例を示す。
【0025】(実施例1〜6) (導体回路付グリーンシートの作製)200mm角の熱
剥離性シートの接着剤面側を基材上に、熱剥離性接着剤
面側に12,18μmの銅箔をそれぞれラミネートし
た。銅箔面上に感光性ドライフイルムをラミネートし、
所定の導体回路パターンになるように感光性ドライフイ
ルムを露光、現像、リンス、乾燥工程を経て、液温30
〜50℃中、37%の塩化第二鉄エッチング液で配線幅
50,40,30μmになるようにそれぞれエッチング
した。このようにして導体回路パターン転写用基材を作
製した。
【0026】次に、ガラスセラミックグリーンシート用
粉末として、全体組成として硼珪酸ガラス(SiO2
4%,B23 9,K2O 4%,Al23 3%)5
0wt%、ムライト50wt%の成分を有する平均粒径
5μm以下のセラミック粉末100重量部、ブチルアル
コールとイソブチルメチルケトン溶剤150重量部、ポ
リメタクリル酸ブチル8重量部、及び可塑剤を加えてこ
れをアルミナ製内張り容器、アルミナ製ボールを用いた
ボールミルにて24時間混練した。このようにしてセラ
ミック前駆体組成物であるスラリーを作製した後、これ
から減圧で脱泡した。更に減圧濃縮によりスラリ混合液
の粘度を調整して1000〜5000cPとし、ドクタ
ーブレード型キャスト装置を用い、ポリエステルフイル
ム上に塗布して100℃で乾燥し、グリーンシートを作
製した。グリーンシートをパンチ金型を用いて、200
mm×200mm角に切断し、ガイド用の穴を施した。
その後、このガイド用の穴を利用してグリーンシートを
固定し、パンチ法により所定位置にバイアスルーホール
を打ち抜いた。銅紛末100重量部、エチルセルローズ
2重量部、2,2,4−トリメチルペンタンジオールモ
ノイソブテレート10重量部からなる銅ペーストを、グ
リーンシートのバイアスルーホールに導体がパット状に
突起するように充填した。バイアスルーホール部の導体
の突起パットと上記導体回路パターンの一部と接続する
ように位置あわせしめて加熱(120℃)圧着(圧力:
100kgf/cm2)する。この熱圧着時に銅回路パ
ターンが熱剥離性接着剤から剥がれ、グリーンシートに
接着して導体回路付グリーンシートが製造される。
【0027】(多層配線セラミック基板の製造)導体回
路付グリーンシートをガイド用の穴の位置を合わせて4
0枚を積層し、130℃,120kgf/cm2の圧力
にて熱プレス圧着を行なった。得られた積層体を必要な
形状に切断し、150mm×150mm角のグルーンシ
ート積層体とし、窒素−水蒸気の混合雰囲気焼成炉内に
て850℃、12時間の脱バインダを行ない、続いて9
50〜1000℃で2時間焼成した。これにより120
×150mm角、厚さ7mm多層配線セラミック基板を
製造した。
【0028】(評価)焼結後の基板について、配線幅、
配線厚さ(基板断面測定)、転写状況、比抵抗(4端子
法測定)、断線発生率(導通の有無)を測定した。その
結果を表1に示す。
【0029】(比較例1)実施例1で作製したガラスセ
ラミックグリーンシートをパンチ金型を用いて、200
mm×200mm角に切断し、ガイド用の穴を施した。
その後、このガイド用の穴を利用してグリーンシートを
固定し、パンチ法により所定位置にバイアスルーホール
を打ち抜いた。銅紛末100重量部、エチルセルローズ
2重量部、2,2,4−トリメチルペンタンジオールモ
ノイソブテレート10重量部からなる銅ペーストを、グ
リーンシートのバイアスルーホールに充填した。次に、
グリーンシート表面に銅ペーストを用いてスクリーン印
刷法により、回路パターンを形成した。このように配線
幅50μm、配線厚さ25μmの導体回路形成されたグ
リーンシートをガイド用の穴の位置を合わせて40枚を
積層し、130℃、120kgf/cm2の圧力にて熱
プレス圧着を行なった。得られた積層体を必要な形状に
切断し、150mm×150mm角のグルーンシート積
層体とし、窒素−水蒸気の混合雰囲気焼成炉内にて85
0℃、12時間の脱バインダを行ない、続いて950〜
1000℃で2時間焼成した。これにより120×12
0mm角、厚さ7mm多層配線セラミック基板を製造し
た。焼結後の基板について、配線幅、配線厚さ(基板断
面測定)、転写状況、比抵抗(4端子法測定)、断線発
生率(導通の有無)を測定した。その結果を表1に示
す。
【0030】
【表1】
【0031】(比較例2) (導体回路付グリーンシートの作製)ポリエチレンテレ
フタレート基材上に、10wt%ポリビニルブチラール
溶液をコーテイングし、膜厚18μmの銅箔をラミネー
トした。銅箔面上に感光性ドライフイルムをラミネート
し、所定の導体回路パターンになるように感光性ドライ
フイルムを露光、現像、リンス、乾燥工程を経て、液温
30〜50℃中、37%の塩化第二鉄エッチング液で配
線幅40μmになるようにエッチングした。このように
して導体回路パターン転写用基材を作製した。
【0032】次に、ガラスセラミックグリーンシート用
粉末として、全体組成として硼珪酸ガラス(SiO2
4%,B23 9,K2O 4%,Al23 3%)5
0wt%、ムライト50wt%の成分を有する平均粒径
5μm以下のセラミック粉末100重量部、ブチルアル
コールとイソブチルメチルケトン溶剤150重量部、ポ
リメタクリル酸ブチル8重量部、及び可塑剤を加えてこ
れをアルミナ製内張り容器、アルミナ製ボールを用いた
ボールミルにて24時間混練した。このようにしてセラ
ミック前駆体組成物であるスラリーを作製した後、これ
から減圧で脱泡した。更に減圧濃縮によりスラリ混合液
の粘度を調整して1000〜5000cPとし、ドクタ
ーブレード型キャスト装置を用い、ポリエステルフイル
ム上に塗布して100℃で乾燥し、グリーンシートを作
製した。グリーンシートをパンチ金型を用いて、200
mm×200mm角に切断し、ガイド用の穴を施した。
その後、このガイド用の穴を利用してグリーンシートを
固定し、パンチ法により所定位置にバイアスルーホール
を打ち抜いた。銅紛末100重量部、エチルセルローズ
2重量部、2,2,4−トリメチルペンタンジオールモ
ノイソブテレート10重量部からなる銅ペーストを、グ
リーンシートのバイアスルーホールに充填した。バイア
スルーホール部の導体と上記導体回路パターンの一部と
接続するように位置あわせしめて加熱(120℃)圧着
(圧力:100kgf/cm2)する。この熱圧着時に
銅回路パターンが熱剥離性接着剤から剥がれ、グリーン
シートに接着して導体回路付グリーンシートが製造され
る。
【0033】(多層配線セラミック基板の製造)導体回
路付グリーンシートをガイド用の穴の位置を合わせて4
0枚を積層し、130℃、120kgf/cm2の圧力
にて熱プレス圧着を行なった。得られた積層体を必要な
形状に切断し、150mm×150mm角のグルーンシ
ート積層体とし、窒素−水蒸気の混合雰囲気焼成炉内に
て850℃、12時間の脱バインダを行ない、続いて9
50〜1000℃で2時間焼成した。これにより120
×150mm角、厚さ7mm多層配線セラミック基板を
製造した。
【0034】焼結後の基板について、配線幅、配線厚さ
(基板断面測定)、転写状況、比抵抗(4端子法測
定)、断線発生率(導通の有無)を測定した。その結果
を表1に示す。
【0035】
【発明の効果】本発明、すなわち導体回路パターンを作
製した転写用基材に熱剥離性接着シートを用いることに
より、導体回路パターンが熱により基材から剥離し、同
時にセラミック・グリーンシートに正確に接着するの
で、歩留りよく転写できる。また選択された位置でバイ
アホールに突起したパット状導体を設けることによって
層間の接続信頼性が大幅に向上する。又、得られた導体
回路付グリーンシートを互いに整合するように重ね合わ
せて加熱圧着し、重ね合わせセラミックのX及びY方向
の収縮を制限し、Z(厚さ)方向に荷重を加えながら焼
結しているためにX,Y方向の焼結収縮がなく、半導体
素子の基板へ接続位置のずれ、内部配線の位置ずれが全
く認められない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明実施例多層配線セラミック基板の製造プ
ロセスの説明図。
【図2】本発明実施例の多層配線セラミック基板の層構
成とその断面図。
【符号の説明】
1…ガラスセラミック焼結体、 2…銅内部配線導体、 3…多層配線ガラスセラミック基板、 4…I/Oピン、 5…はんだ、 6…半導体素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡本 正英 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 阿部 洋一 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 田中 秀明 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 千石 則夫 神奈川県秦野市堀山下1番地株式会社日立 製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 矢木 邦博 神奈川県秦野市堀山下1番地株式会社日立 製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 小林 二三幸 神奈川県秦野市堀山下1番地株式会社日立 製作所汎用コンピュータ事業部内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基材上に熱剥離性接着層を形成し、その熱
    剥離性接着層面側に導体回路パターンを形成する工程、
    層間接続用バイアスルーホールに導体回路パターンより
    融点10℃から100℃低い導導体ペースト又は金属導
    体の突起したパット部を設ける工程、ガラスセラミック
    グリーンシートの突起部先端が上記金属導体パターンに
    接続するように位置あわせして加熱圧着する工程、導体
    回路パターンが転写されたグリーンシートから熱剥離性
    接着層を剥離する工程からなることを特徴とする導体回
    路付グリーンシートの製造方法。
  2. 【請求項2】金属導体回路パターンをグリーンシートに
    転写する方法において、基材上に熱剥離性接着層を形成
    し、その熱剥離性接着層面側に金属導体層を回転ロール
    で圧着する工程、さらに金属導体層上にパターン形成用
    感光性樹脂層を形成して金属導体層をパターン化する工
    程と、ガラスセラミック粉末と易熱分解性有機バインダ
    からなるグリーンシートに層間接続用バイアホールを設
    け、そのバイアホールに導体回路パターンより融点10
    ℃から100℃低い導体ペースト又は金属導体の突起し
    たパット部を設ける工程、この突起部先端部が上記金属
    導体回路パターン部に接続するように位置あわせして加
    熱圧着する工程からなることを特徴とする導体回路付グ
    リーンシートの製造方法。
  3. 【請求項3】金属導体回路パターンをグリーンシートに
    転写する多層配線セラミック基板において、基材上に熱
    剥離性接着層を形成し、その熱剥離性接着層面側に形成
    された金属導体回路パターン部を、セラミックグリーン
    シートの層間接続用バイアホールに導体ペースト又は金
    属導体を埋め込んで形成した接続用突起部に接続するよ
    うに位置あわせして加熱圧着して導体回路付グリーンシ
    ートを製造し、複数の導体回路付グリーンシートを互い
    に位置合わせて加熱圧着して積層体を作製して面方向の
    拘束力を加えながら加熱焼結してなることを特徴とする
    多層配線セラミック基板。
  4. 【請求項4】金属導体パターンをグリーンシートに転写
    する多層配線セラミック基板において、基材上に熱剥離
    性接着層を形成し、その熱剥離性接着層面側に金属導体
    回路パターンを形成する工程、セラミック粉末および熱
    分解性有機バインダからなるグリーンシートの層間接続
    用バイアホールに導体ペースト又は金属導体を埋め込ん
    で形成した接続用突起部に接続するように位置あわせし
    て加熱圧着して導体回路付グリーンシートを製造し、複
    数の導体回路付グリーンシートを互いに位置合わせて加
    熱圧着して積層体を作製して面方向の拘束力を加えなが
    ら加熱焼結してなることを特徴とする多層配線セラミッ
    ク基板の製造方法。
JP9041872A 1997-02-26 1997-02-26 導体回路付グリーンシートおよびその製造法並びにこれを用いた多層配線セラミック基板 Pending JPH10242644A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9041872A JPH10242644A (ja) 1997-02-26 1997-02-26 導体回路付グリーンシートおよびその製造法並びにこれを用いた多層配線セラミック基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9041872A JPH10242644A (ja) 1997-02-26 1997-02-26 導体回路付グリーンシートおよびその製造法並びにこれを用いた多層配線セラミック基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10242644A true JPH10242644A (ja) 1998-09-11

Family

ID=12620365

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9041872A Pending JPH10242644A (ja) 1997-02-26 1997-02-26 導体回路付グリーンシートおよびその製造法並びにこれを用いた多層配線セラミック基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10242644A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001043961A (ja) * 1999-07-28 2001-02-16 Keihin Sokki Kk 半導体ウエハーにおけるヒータ装置およびその製造方法
JP2001156411A (ja) * 1999-11-30 2001-06-08 Kyocera Corp 多層配線基板およびその製造方法
JP2002084056A (ja) * 2000-09-11 2002-03-22 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品およびその製造方法ならびに積層型セラミック電子部品およびその製造方法
US6402866B1 (en) * 1999-09-30 2002-06-11 International Business Machines Corporation Powdered metallic sheet method for deposition of substrate conductors
US6521069B1 (en) 1999-01-27 2003-02-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Green sheet and manufacturing method thereof, manufacturing method of multi-layer wiring board, and manufacturing method of double-sided wiring board
DE112006002451T5 (de) 2005-09-16 2008-07-10 Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo Keramisches mehrlagiges Substrat und Verfahren zur Herstellung desselben
KR100887382B1 (ko) * 2007-03-28 2009-03-06 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 제조방법
EP2703159A1 (en) 2012-09-04 2014-03-05 NGK Insulators, Ltd. Bonded compact and method of producing green bonded compact

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6521069B1 (en) 1999-01-27 2003-02-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Green sheet and manufacturing method thereof, manufacturing method of multi-layer wiring board, and manufacturing method of double-sided wiring board
US6696139B2 (en) 1999-01-27 2004-02-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Green sheet and manufacturing method thereof, manufacturing method of multi-layer wiring board and manufacturing method of double-sided wiring board
JP2001043961A (ja) * 1999-07-28 2001-02-16 Keihin Sokki Kk 半導体ウエハーにおけるヒータ装置およびその製造方法
US6402866B1 (en) * 1999-09-30 2002-06-11 International Business Machines Corporation Powdered metallic sheet method for deposition of substrate conductors
JP2001156411A (ja) * 1999-11-30 2001-06-08 Kyocera Corp 多層配線基板およびその製造方法
JP2002084056A (ja) * 2000-09-11 2002-03-22 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品およびその製造方法ならびに積層型セラミック電子部品およびその製造方法
DE112006002451T5 (de) 2005-09-16 2008-07-10 Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo Keramisches mehrlagiges Substrat und Verfahren zur Herstellung desselben
US7691469B2 (en) 2005-09-16 2010-04-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic multilayer substrate and method for manufacturing the same
DE112006002451B4 (de) * 2005-09-16 2016-08-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Keramisches mehrlagiges Substrat, keramisches mehrlagiges Modul und Verfahren zum Herstellen desselben
KR100887382B1 (ko) * 2007-03-28 2009-03-06 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 제조방법
EP2703159A1 (en) 2012-09-04 2014-03-05 NGK Insulators, Ltd. Bonded compact and method of producing green bonded compact
US9474193B2 (en) 2012-09-04 2016-10-18 Ngk Insulators, Ltd. Bonded compact and method of producing green bonded compact

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4510000A (en) Method for palladium activating molybdenum metallized features on a ceramic substrate
JPH10242644A (ja) 導体回路付グリーンシートおよびその製造法並びにこれを用いた多層配線セラミック基板
JP2001158670A (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JP2000183530A (ja) 導電体回路パターン付グリーンシート及びそれを用いたセラミック多層配線基板の製造方法
JP3994795B2 (ja) 積層型セラミック電子部品およびその製造方法
JPS62206861A (ja) セラミツクス多層回路板及び半導体実装構造
JP2000216545A (ja) セラミック多層配線基板の製造方法
JP4095468B2 (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JP2001342073A (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JP2001015916A (ja) 導体回路パターン付グリーンシート及びそれを用いたセラミック多層配線基板の製造方法
JP4518634B2 (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JP3909196B2 (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JP3909186B2 (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JPH10200260A (ja) パターン付グリーンシートの製造方法及びセラミック多層配線基板の製造方法
JPH0221157B2 (ja)
JP3909209B2 (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JPH0964230A (ja) セラミック基板の製造方法
JP2004146701A (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JP2001284479A (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JP3909192B2 (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JP3811378B2 (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JP3811381B2 (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JP2002160980A (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JP3981265B2 (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JP2001308527A (ja) ガラスセラミック基板の製造方法