JPH10242719A

JPH10242719A - マイクロ波回路

Info

Publication number: JPH10242719A
Application number: JP9043404A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Hosoya; 健一細谷
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1997-02-27
Filing date: 1997-02-27
Publication date: 1998-09-11
Anticipated expiration: 2017-02-27
Also published as: JP3033704B2

Abstract

(57)【要約】【課題】誘電体基板の厚さの増大や結合線路間隔の縮
小を来すこと無く、結合用線路間の結合を強め得るマイ
クロ波回路を提供すること。【解決手段】このランゲカップラタイプのマイクロ波
回路は、裏面に接地導体１を備えた厚みｈの誘電体基板
２の表面上に寸法ｌの範囲において複数本（ここでは３
本）の１／４波長結合用線路４，２本の１／８波長結合
用線路５，及び複数本（ここでは４本）のボンディング
ワイヤ７が形成されると共に、寸法ｌの範囲外において
４本の引き出し用線路６ａ〜６ｄが形成され、引き出し
用線路６ａ〜６ｄはそれぞれ端子８ａ〜８ｄに接続さ
れ、この他に誘電体基板２の接地導体１側の裏面におけ
る結合用線路が形成された領域が部分的に厚膜化されて
裏面突起部３が形成されて構成されている。裏面突起部
３により、誘電体基板２全体の厚さの増大や結合線路間
隔の縮小を来さずに結合用線路間の結合を強め得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主として複数本の
結合用線路の電磁気的な結合を利用したマイクロ波回路
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のマイクロ波回路におい
て、複数本の結合用線路の電磁気的な結合を利用した構
成のタイプのものとして、複数本の結合用線路，引き出
し用線路，及びボンディングワイヤから成るランゲカッ
プラや、複数本の結合用線路及び引き出し用線路から成
るインターディジタルキャパシタ、或いは複数本の結合
用線路，引き出し用線路，及び接地用バイアホールから
成るマーチャントバラン等が知られている。

【０００３】図１８は、従来のランゲカップラタイプの
マイクロ波回路の基本構成を示したもので、同図（ａ）
はその平面図に関するもの，同図（ｂ）は同図（ａ）の
Ａ−Ａ′線における断面側面図に関するものである。

【０００４】このマイクロ波回路は、裏面に接地導体１
を備えた厚みｈの誘電体基板２上に寸法ｌの範囲におい
て複数本（ここでは３本）の１／４波長結合用線路４，
２本の１／８波長結合用線路５，及び複数本（ここでは
４本）ボンディングワイヤ７とがそれぞれ形成されると
共に、寸法ｌの範囲外において４本の引き出し用線路６
ａ〜６ｄが形成され、引き出し用線路６ａ〜６ｄはそれ
ぞれ端子８ａ〜８ｄに接続されて成っている。

【０００５】即ち、このランゲカップラタイプのマイク
ロ波回路では、一様な厚みｈを有する誘電体基板２上に
結合線路４，５及び引き出し用線路６ａ〜６ｄが形成さ
れ、端子８ｄを５０Ωの抵抗で終端して端子８ａから電
力を入力する際、直接端子である端子８ｂ及び結合端子
である端子８ｃへ出力は９０度の位相差を持って分配さ
れる。これら２方向への透過係数の絶対値は、誘電体基
板２の厚さｈと波長の結合線路間隔ｓに依存する。従っ
て、誘電体基板２の厚さｈが大きい程、或いは結合線路
間隔ｓが小さい程、結合端子への透過係数の絶対値は大
きくなり、逆に直接端子への透過係数の絶対値は小さく
なる。そこで、誘電体基板２の厚さｈや結合用線路間隔
ｓは、直接端子への透過係数と結合端子への透過係数の
絶対値とが等しくなるように設計される。

【０００６】図１９は、従来のインターディジタルキャ
パシタタイプのマイクロ波回路の基本構成を示したもの
で、同図（ａ）はその平面図に関するもの，同図（ｂ）
は同図（ａ）のＡ−Ａ′線における断面側面図に関する
ものである。

【０００７】このマイクロ波回路では、裏面に接地導体
１を備えた厚みｈの誘電体基板２上に寸法ｌの範囲にお
いて複数本（ここでは４本）の１／４波長結合用線路４
が形成されると共に、寸法ｌの範囲外において２本の引
き出し用線路６ａ，６ｂが形成され、引き出し用線路６
ａ，６ｂはそれぞれ端子８ａ，８ｂに接続されて成って
いる。

【０００８】即ち、このインターディジタルキャパシタ
タイプのマイクロ波回路では、一様な厚みを有する誘電
体基板２上に１／４波長結合用線路４及び引き出し用線
路６が形成される。端子８ａから端子８ｂへの透過係数
の絶対値は、誘電体基板２の厚さｈと、１／４波長結合
用線路４同士の結合用線路間隔ｓとに依存し、誘電体基
板２の厚さｈが大きい程、又結合用線路間隔ｓが小さい
程、透過係数が大きくなる。

【０００９】図２０は、従来のマーチャントバランタイ
プのマイクロ波回路の基本構成を示したもので、同図
（ａ）はその平面図に関するもの，同図（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ′線における断面側面図に関するもので
ある。

【００１０】このマイクロ波回路は、裏面に接地導体１
を備えた厚みｈの誘電体基板２上に同一直線上における
２つの寸法ｌの範囲においてそれぞれ２つの１／４波長
結合用線路４及び２本の引き出し用線路６ｂ，６ｃが形
成されると共に、寸法ｌに沿った向きに１／２波長結合
用線路１０及び引き出し用線路６ａが形成され、２つの
１／４波長結合用線路４の端部にはそれぞれ接地のため
のバイアホール１１を有する接地用パッド１２が接続さ
れ、引き出し用線路６ａ〜６ｃはそれぞれ端子８ａ〜８
ｃに接続されて成っている。ここで、１／２波長結合用
線路１０と２つの１／４波長結合用線路４とはそれぞれ
１／４波長の長さの部分で電磁気的に結合されている。

【００１１】即ち、このマーチャントバランタイプのマ
イクロ波回路では、一様な厚みを有する誘電体基板２上
に１／２波長結合用線路１０及び１／４波長結合用線路
４が形成され、１／２波長結合用線路１０の片側は引き
出し用線路６ａによって端子８ａに接続されて逆側は開
放され、１／４波長結合用線路４の片側は引き出し用線
路６ｂ，６ｃによって引き出され端子８ｂ，８ｃに接続
されて逆側はバイアホール１１等によって接地される。
端子８ａから入力された電力は端子８ｂ及び端子８ｃに
１８０度の位相差を持って出力される。これら２端子へ
の透過係数の絶対値は、誘電体基板２の厚さｈと、１／
２波長結合用線路１０及び１／４波長結合用線路４の間
隔ｓとに依存し、誘電体基板２の厚さｈが大きい程、又
結合線路間隔ｓが小さい程、端子８ａから端子８ｂ，８
ｃへの透過係数の絶対値が大きくなる。

【００１２】因みに、こうしたマイクロ波回路に関連す
る周知技術としては、例えば実公昭６０−１６０８３号
公報に開示されたインターデイジタル型フィルタ，特開
昭６０−２２０６０９号公報に開示されたマイクロ波半
導体増幅器，実開昭６２−５２９２４号公報に開示され
たインターデイジタルキヤパシタ，特開昭６３−５４０
０１号公報に開示されたマイクロ波分配器，特開平２−
４３８０１号公報に開示されたインターデイジタル型フ
ィルタの構造，特公平２−２２５６１号公報に開示され
たマイクロ波１８０度ハイブリツト，或いは実開平２−
９５９０２号公報に開示されたインターデイジタル型帯
域通過濾波器等が挙げられる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上述した図１８に示す
ランゲカップラタイプのマイクロ波回路の場合、誘電体
基板の厚さや結合用線路間隔は直接端子への透過係数と
結合端子への透過係数の絶対値とが等しくなるように設
計されるが、誘電体基板の厚さｈや結合用線路間隔ｓの
選択には制限が加わる場合が多くなっている。こうした
制限としては、誘電体基板の厚さを整合回路の大きさ等
の点から余り大きくできない点（特にモノリシック集積
回路の場合には放熱性の確保やバイアホール径の縮小の
ためにも誘電体基板の厚さを小さく抑える必要がある）
や、結合用線路間隔ｓを加工精度により或る一定値より
小さくできない点等が挙げられる。

【００１４】従って、ランゲカップラタイプのマイクロ
波回路の場合、こうした制限によってしばしば直接端子
への透過係数の絶対値に比べて結合端子への透過係数の
絶対値が小さくなる事態が生じるという問題がある。

【００１５】具体的に云えば、例えば誘電体基板厚を４
０μｍに固定したときの直接端子への透過係数Ｓ₂₁（ｄ
Ｂ）及び間接端子への透過係数Ｓ₃₁（ｄＢ）の結合用線
路間隔ｓ（μｍ）依存性の計算値は図２１（ａ）に示さ
れるようになり、結合用線路間隔ｓを５μｍとしたとき
の透過係数Ｓ₂₁（ｄＢ）及び透過係数Ｓ₃₁（ｄＢ）の誘
電体基板厚ｈ（μｍ）依存性は同図（ｂ）に示されるよ
うになる。但し、ここでは誘電体基板の材料をＧａＡｓ
とし、１／４波長結合用線路に関する長さｌをｌ＝４５
０μｍ並びに幅ｗをｗ＝５μｍとし、引き出し用線路の
幅を３０μｍとしている。結合用線路を金メッキ工程に
より形成する場合、結合用線路間隔ｓの下限は５μｍ程
度であるので、バイアホール径等の制限から誘電体基板
厚ｈを４０μｍ程度としたい場合、図２１（ａ），
（ｂ）に示したように透過係数Ｓ₂₁に比べて透過係数Ｓ
₃₁が小さくなるという不均衡が生じてしまう。

【００１６】又、図１９に示すインターディジタルキャ
パシタタイプのマイクロ波回路の場合や、図２０に示す
マーチャントバランタイプのマイクロ波回路の場合にお
いても、上記した場合と同じ理由で誘電体基板厚ｈをむ
やみに大きくすることができず、しかも結合用線路間隔
ｓにも下限が存在するため、十分な透過係数の絶対値を
確保できない場合が生じるという問題がある。

【００１７】本発明は、このような問題点を解決すべく
なされたもので、その技術的課題は、誘電体基板の厚さ
の増大や結合用線路間隔の縮小を来すこと無く結合用線
路間の結合を強め得るマイクロ波回路を提供することに
ある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、裏面に
接地導体を備えた誘電体基板上に複数本の結合用線路を
形成し、該結合用線路同士を電磁気的に結合させたマイ
クロ波回路において、誘電体基板の表面，裏面，或いは
両面の何れかに突起部を形成し、且つ結合用線路が形成
された領域を部分的に厚膜化して成るマイクロ波回路が
得られる。

【００１９】一方、本発明によれば、裏面に接地導体を
備えた誘電体基板上に複数本の結合用線路，引き出し用
線路，及びボンディングワイヤから成るランゲカップラ
を形成したマイクロ波回路において、誘電体基板の表
面，裏面，或いは両面の何れかに突起部を形成し、且つ
結合用線路が形成された領域を部分的に厚膜化して成る
マイクロ波回路が得られる。

【００２０】他方、本発明によれば、裏面に接地導体を
備えた誘電体基板上に複数本の結合用線路，及び引き出
し用線路から成るインターディジタルキャパシタを形成
したマイクロ波回路において、誘電体基板の表面，裏
面，或いは両面の何れかに突起部を形成し、且つ結合用
線路が形成された領域を部分的に厚膜化して成るマイク
ロ波回路が得られる。

【００２１】加えて、本発明によれば、裏面に接地導体
を備えた誘電体基板上に形成された複数本の結合用線
路，引き出し用線路，及び接地用バイアホールから成る
マーチャントバランを形成したマイクロ波回路におい
て、誘電体基板の表面，裏面，或いは両面の何れかに突
起部を形成し、且つ結合用線路が形成された領域を部分
的に厚膜化して成るマイクロ波回路が得られる。

【００２２】これらのマイクロ波回路において、突起部
は、誘電体基板と同じ材料で形成されていることや、或
いは誘電体基板の表面又は裏面に堆積された絶縁膜によ
り形成されていることは好ましい。又、これらのうちの
一つのマイクロ波回路において、突起部は誘電体基板の
裏面に形成されており、突起部の形成に応じて形成され
る接地導体の凹凸を平坦化して成ることは好ましい。

【００２３】

【作用】本発明のマイクロ波回路は、誘電体基板上に複
数本の結合用線路を形成し、これらの結合用線路同士を
電磁気的に結合させたものにおいて、誘電体基板の表
面，裏面，或いは両面の何れかに突起部を形成した上、
結合用線路が形成される領域を部分的に厚膜化してい
る。このように、誘電体基板を部分的に厚膜化すること
によって、誘電体基板全体の基板厚を増大させたり、結
合線路間隔を縮小させること無く、結合用線路間の結合
を強めることができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下に幾つかの実施例を挙げ、本
発明のマイクロ波回路について、図面を参照して詳細に
説明する。

【００２５】図１は、本発明の実施例１に係る中心周波
数６０ＧＨｚのランゲカップラタイプのマイクロ波回路
の基本構成を示したものであり、同図（ａ）はその平面
図に関するもの，同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ′線
における断面側面図に関するものである。

【００２６】このマイクロ波回路は、裏面に接地導体１
を備えた厚みｈの誘電体基板２の表面上に寸法ｌの範囲
において複数本（ここでは３本）の１／４波長結合用線
路４，２本の１／８波長結合用線路５，及び複数本（こ
こでは４本）のボンディングワイヤ７が形成されると共
に、寸法ｌの範囲外において４本の引き出し用線路６ａ
〜６ｄが形成され、引き出し用線路６ａ〜６ｄはそれぞ
れ端子８ａ〜８ｄに接続され、この他に誘電体基板２の
接地導体１側の裏面における結合用線路が形成された領
域が部分的に厚膜化されて裏面突起部３が形成されて構
成されている。

【００２７】このランゲカップラタイプのマイクロ波回
路において、接地導体１は厚さ２０μｍの金から成り、
誘電体基板２は厚さｈがｈ＝４０μｍのＧａＡｓから成
り、裏面突起部３は厚さ２０μｍのＧａＡｓから成って
いる。又、１／４波長結合用線路４は長さｌ（寸法ｌ）
＝４５０μｍ，幅ｗ＝１０μｍ，厚み２μｍの金から成
り、１／８波長結合用線路５は長さ２２５μｍ，幅ｗ＝
１０μｍ，厚み２μｍの金から成り、引き出し用線路６
ａ〜６ｄは幅３０μｍ，厚み２μｍの金から成る。更
に、ボンディングワイヤ７は直径５μｍの金線から成
り、結合用線路間隔ｓは５μｍとなっている。

【００２８】図２は、本発明の実施例２に係る中心周波
数６０ＧＨｚのランゲカップラタイプのマイクロ波回路
の基本構成を示したものであり、同図（ａ）はその平面
図に関するもの，同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ′線
における断面側面図に関するものである。

【００２９】このマイクロ波回路は、裏面に接地導体１
を備えた厚みｈの誘電体基板２の表面上に寸法ｌの範囲
において複数本（ここでは３本）の１／４波長結合用線
路４，２本の１／８波長結合用線路５，及び複数本（こ
こでは４本）のボンディングワイヤ７が形成されると共
に、寸法ｌの範囲外において４本の引き出し用線路６ａ
〜６ｄが形成され、引き出し用線路６ａ〜６ｄはそれぞ
れ端子８ａ〜８ｄに接続され、この他に誘電体基板２の
表面における結合用線路が形成された領域が部分的に厚
膜化されて表面突起部９が形成されて構成されている。

【００３０】このランゲカップラタイプのマイクロ波回
路において、接地導体１は厚さ２０μｍの金から成り、
誘電体基板２は厚さ４０μｍのＧａＡｓから成り、表面
突起部９は厚さ１０μｍのＧａＡｓから成る。又、１／
４波長結合用線路４は長さｌ（寸法ｌ）＝４５０μｍ，
幅ｗ＝１０μｍ，厚み２μｍの金から成り、１／８波長
結合用線路５は長さ２２５μｍ，幅ｗ＝１０μｍ，厚み
２μｍの金から成り、引き出し用線路６ａ〜６ｄは幅３
０μｍ，厚み２μｍの金から成る。更に、ボンディング
ワイヤ７は直径５μｍの金線から成り、結合用線路間隔
ｓは５μｍとなっている。

【００３１】図３は、本発明の実施例３に係る中心周波
数６０ＧＨｚのランゲカップラタイプのマイクロ波回路
の基本構成を示したものであり、同図（ａ）はその平面
図に関するもの，同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ′線
における断面側面図に関するものである。

【００３２】このマイクロ波回路は、裏面に接地導体１
を備えた厚みｈの誘電体基板２の表面上に寸法ｌの範囲
において複数本（ここでは３本）の１／４波長結合用線
路４，２本の１／８波長結合用線路５，及び複数本（こ
こでは４本）のボンディングワイヤ７が形成されると共
に、寸法ｌの範囲外において４本の引き出し用線路６ａ
〜６ｄが形成され、引き出し用線路６ａ〜６ｄはそれぞ
れ端子８ａ〜８ｄに接続され、この他に誘電体基板２の
表面における結合用線路が形成された領域が部分的に厚
膜化されて表面突起部９が形成されると共に、誘電体基
板２の接地導体１側の裏面における結合用線路が形成さ
れた領域も部分的に厚膜化されて裏面突起部３が形成さ
れて構成されている。

【００３３】このランゲカップラタイプのマイクロ波回
路において、接地導体１は厚さ２０μｍの金から成り、
誘電体基板２は厚さ４０μｍのＧａＡｓから成り、裏面
突起部は厚さ３２０μｍのＧａＡｓから成り、表面突起
部９は１０μｍ厚さのＧａＡｓから成る。又、１／４波
長結合用線路４は長さｌ（寸法ｌ）＝４５０μｍ，幅ｗ
＝１０μｍ，厚み２μｍの金から成り、１／８波長結合
用線路５は長さ２２５μｍ，幅ｗ＝１０μｍ，厚み２μ
ｍの金から成り、引き出し用線路６ａ〜６ｄは幅３０μ
ｍ、厚み２μｍの金から成る。更に、ボンディングワイ
ヤ７は直径５μｍの金線から成り、結合用線路間隔ｓは
５μｍとなっている。

【００３４】図４は、本発明の実施例４に係るインター
ディジタルキャパシタタイプのマイクロ波回路の基本構
成を示したものであり、同図（ａ）はその平面図に関す
るもの，同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ′線における
断面側面図に関するものである。

【００３５】このマイクロ波回路は、裏面に接地導体１
を備えた厚みｈの誘電体基板２の表面上に寸法ｌの範囲
において複数本（ここでは４本）の１／４波長結合用線
路４が形成されると共に、寸法ｌの範囲外において２本
の引き出し用線路６ａ，６ｂが形成され、引き出し用線
路６ａ，６ｂはそれぞれ端子８ａ，８ｂに接続され、こ
の他に誘電体基板２の接地導体１側の裏面における結合
用線路が形成された領域が部分的に厚膜化されて裏面突
起部３が形成されて構成されている。

【００３６】このインターディジタルキャパシタタイプ
のマイクロ波回路において、接地導体１は厚さ２０μｍ
の金から成り、誘電体基板２は厚さ４０μｍのＧａＡｓ
から成り、裏面突起部３は厚さ２０μｍのＧａＡｓから
成る。又、１／４波長結合用線路４は長さｌ（寸法ｌ）
＝４５０μｍ，幅ｗ＝１２．５μｍ，厚み２μｍの金か
ら成り、引き出し用線路６ａ〜６ｂは幅３０μｍ，厚み
２μｍの金から成る。更に、結合線路間隔ｓは５μｍと
なっている。

【００３７】図５は、本発明の実施例５に係るインター
ディジタルキャパシタタイプのマイクロ波回路の基本構
成を示したものであり、同図（ａ）はその平面図に関す
るもの，同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ′線における
断面側面図に関するものである。

【００３８】このマイクロ波回路は、裏面に接地導体１
を備えた厚みｈの誘電体基板２の表面上に寸法ｌの範囲
において複数本（ここでは４本）の１／４波長結合用線
路４が形成されると共に、寸法ｌの範囲外において２本
の引き出し用線路６ａ，６ｂが形成され、引き出し用線
路６ａ，６ｂはそれぞれ端子８ａ，８ｂに接続され、こ
の他に誘電体基板２の表面における結合用線路が形成さ
れた領域が部分的に厚膜化されて表面突起部９が形成さ
れて構成されている。

【００３９】このインターディジタルキャパシタタイプ
のマイクロ波回路において、接地導体１は厚さ２０μｍ
の金から成り、誘電体基板２は厚さ４０μｍのＧａＡｓ
から成り、表面突起部９は厚さ１０μｍのＧａＡｓから
成る。又、１／４波長結合用線路４は長さｌ（寸法ｌ）
＝４５０μｍ，幅ｗ＝１２．５μｍ，厚み２μｍの金か
ら成り、引き出し用線路６ａ〜６ｂは幅３０μｍ，厚み
２μｍの金から成る。更に、結合線路間隔ｓは５μｍと
なっている。

【００４０】図６は、本発明の実施例６に係るマーチャ
ントバランタイプのマイクロ波回路の基本構成を示した
ものであり、同図（ａ）はその平面図に関するもの，同
図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ′線における断面側面図
に関するものである。

【００４１】このマイクロ波回路は、裏面に接地導体１
を備えた厚みｈの誘電体基板２の表面上に同一直線上に
位置される２つの寸法ｌの範囲においてそれぞれ２本の
１／４波長結合用線路４及び２本の引き出し用線路６
ｂ，６ｃが形成されると共に、２つの寸法ｌに沿った向
きに１／２波長結合用線路１０及び引き出し用線路６が
形成され、２本の１／４波長結合用線路４の端部にはそ
れぞれ接地のためのバイアホール１１を有する接地用パ
ッド１２が接続され、引き出し用線路６ａ〜６ｃはそれ
ぞれ端子８ａ〜８ｃに接続され、この他に誘電体基板２
の接地導体１側の裏面における結合用線路が形成された
領域が部分的に厚膜化されて裏面突起部３が形成されて
構成されている。

【００４２】このマーチャントバランタイプのマイクロ
波回路において、接地導体１は厚さ２０μｍの金から成
り、誘電体基板２は厚さ４０μｍのＧａＡｓから成り、
裏面突起部３は厚さ２０μｍのＧａＡｓから成る。又、
１／２波長結合用線路１０は長さ９５０μｍ，幅ｗ＝３
０μｍ，厚み２μｍの金から成り、１／４波長結合用線
路４は長さｌ（寸法ｌ）＝４５０μｍ，幅ｗ＝３０μ
ｍ，厚み２μｍの金から成り、引き出し用線路６ａ〜６
ｃは幅３０μｍ，厚み２μｍの金から成る。更に、バイ
アホール１１は一辺３０μｍ，深さ４０μｍであり、接
地用パッド１２は一辺５０μｍ，厚み２μｍの金から成
る。加えて、結合線路間隔ｓは５μｍとなっている。

【００４３】図７は、本発明の実施例７に係るマーチャ
ントバランタイプのマイクロ波回路の基本構成を示した
ものであり、同図（ａ）はその平面図に関するもの，同
図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ′線における断面側面図
に関するものである。

【００４４】このマイクロ波回路は、裏面に接地導体１
を備えた厚みｈの誘電体基板２の表面上に同一直線上に
位置される２つの寸法ｌの範囲においてそれぞれ２本の
１／４波長結合用線路４及び２本の引き出し用線路６
ｂ，６ｃが形成されると共に、２つの寸法ｌに沿った向
きに１／２波長結合用線路１０及び引き出し用線路６が
形成され、２本の１／４波長結合用線路４の端部にはそ
れぞれ接地のためのバイアホール１１を有する接地用パ
ッド１２が接続され、引き出し用線路６ａ〜６ｃはそれ
ぞれ端子８ａ〜８ｃに接続され、この他に誘電体基板２
の表面における結合用線路が形成された領域が部分的に
厚膜化されて表面突起部９が形成されて構成されてい
る。

【００４５】このマーチャントバランタイプのマイクロ
波回路において、接地導体１は厚さ２０μｍの金から成
り、誘電体基板２は厚さ４０μｍのＧａＡｓから成り、
表面突起部９は厚さ１０μｍのＧａＡｓから成る。又、
１／２波長結合用線路１０は長さ９５０μｍ，幅ｗ＝３
０μｍ，厚み２μｍの金から成り、１／４波長結合用線
路４は長さｌ（寸法ｌ）＝４５０μｍ，幅ｗ＝３０μ
ｍ，厚み２μｍの金から成り、引き出し用線路６ａ〜６
ｃは幅３０μｍ，厚み２μｍの金から成る。更に、バイ
アホール１１は一辺３０μｍ，深さ４０μｍであり、接
地用パッド１２は一辺５０μｍ，厚み２μｍの金から成
る。加えて、結合線路間隔ｓは５μｍとなっている。

【００４６】図８は、実施例１に係るマイクロ波回路を
製造するための一製造方法に係る各工程を簡略的に説明
するために示した側面断面図であり、同図（ａ）は線路
形成工程に関するもの，同図（ｂ）はフォトレジストパ
ターニング工程に関するもの，同図（ｃ）は裏面突起部
形成工程に関するもの，同図（ｄ）は接地導体形成工程
に関するものである。

【００４７】先ず、図８（ａ）に示すように、線路形成
工程として、誘電体基板２上に結合用線路１３及び引き
出し用線路を形成する。例えば厚さ６００μｍのＧａＡ
ｓから成る誘電体基板２上に厚さ２μｍの金から成る結
合用線路１３を形成し、このときに引き出し用線路も同
時に形成する。この工程はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ等から成る
０．５μｍ程度の金属薄膜をスパッタにより形成する工
程と、結合線路のパターニングのためのリソグラフィー
工程と、結合線路となる金をメッキする工程と、フォト
レジストを有機溶剤により除去する工程と、金属薄膜を
ミリングにより除去する工程とから構成される。

【００４８】次に、フォトレジストパターニング工程と
して、必要であれば研磨やエッチング等により誘電体基
板２の厚さを調整して例えば６０μｍとした後、図８
（ｂ）に示すように、誘電体基板２の裏面にリソグラフ
ィー技術を用いてフォトレジスト１４をパターニングす
る。

【００４９】引き続き、裏面突起部形成工程として、図
８（ｃ）に示すように、硫酸系エッチャント等を用いて
誘電体基板２をエッチングすることにより、２０μｍ厚
の裏面突起部３を形成する。

【００５０】最後に、接地導体形成工程として、有機溶
剤によりフォトレジスト１４を除去した後、図８（ｄ）
に示すように厚さ２０μｍの金から成る接地導体１をメ
ッキ等により形成する。

【００５１】図９は、実施例１に係るマイクロ波回路を
製造するための他の製造方法に係る各工程を簡略的に説
明するために示した側面断面図であり、同図（ａ）は線
路形成工程に関するもの，同図（ｂ）はフォトレジスト
パターニング工程に関するもの，同図（ｃ）は裏面突起
部形成工程に関するもの，同図（ｄ）は接地導体形成工
程に関するものである。

【００５２】先ず、図９（ａ）に示すように、線路形成
工程として、誘電体基板２上に結合用線路１３及び引き
出し用線路を形成する。例えば厚さ６００μｍのＧａＡ
ｓから成る誘電体基板２上に厚さ２μｍの金から成る結
合用線路１３を形成し、このときに引き出し用線路も同
時に形成する。この工程はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ等から成る
０．５μｍ程度の金属薄膜をスパッタにより形成する工
程と、結合線路のパターニングのためのリソグラフィー
工程と、結合線路となる金をメッキする工程と、フォト
レジストを有機溶剤により除去する工程と、金属薄膜を
ミリングにより除去する工程とから構成される。

【００５３】次に、フォトレジストパターニング工程と
して、必要であれば研磨やエッチング等により等により
誘電体基板２の厚さを調整して例えば４０μｍとした
後、図９（ｂ）に示すように、誘電体基板２の裏面にＳ
ｉＯ₂等から成る絶縁膜１５をプラズマＣＶＤ法等によ
り１０μｍ程度堆積し、その表面上にリソグラフィー技
術を用いてフォトレジスト１４をパターニングする。

【００５４】引き続き、裏面突起部形成工程として、図
９（ｃ）に示すようにバッファド弗酸等をエッチャント
とした絶縁膜１５のエッチングにより厚さ１０μｍの裏
面突起部３を形成する。

【００５５】最後に、接地導体形成工程として、有機溶
剤によりフォトレジスト１４を除去した後、図９（ｄ）
に示すように厚さ２０μｍの金から成る接地導体１をメ
ッキ等により形成する。

【００５６】図１０は、実施例２に係るマイクロ波回路
を製造するための一製造方法に係る各工程を簡略的に説
明するために示した側面断面図であり、同図（ａ）はフ
ォトレジストパターニング工程に関するもの，同図
（ｂ）は表面突起部形成工程に関するもの，同図（ｃ）
は線路形成工程に関するもの，同図（ｄ）は接地導体形
成工程に関するものである。

【００５７】先ず、図１０（ａ）に示すように、フォト
レジストパターニング工程として、厚さ６００μｍのＧ
ａＡｓから成る誘電体基板２上にリソグラフィー技術を
用いてフォトレジスト１４をパターニングする。

【００５８】次に、表面突起部形成工程として、図１０
（ｂ）に示すように、硫酸系エッチャント等を用いて誘
電体基板２をエッチングすることにより、厚さ１０μｍ
の表面突起部９を形成する。

【００５９】引き続き、線路形成工程として、図１０
（ｃ）に示すように表面突起部９上に結合用線路１３及
び引き出し用線路を形成する。例えば有機溶剤によりフ
ォトレジスト１４を除去した後、厚さ２μｍの金から成
る結合線路１３を表面突起部９上に形成し、このときに
引き出し用線路も同時に形成する。この工程はＴｉ／Ｐ
ｔ／Ａｕ等から成る０．５μｍ程度の金属薄膜をスパッ
タにより形成する工程と、結合線路のパターニングのた
めのリソグラフィー工程と、結合線路となる金をメッキ
する工程と、フォトレジスト１４を有機溶剤により除去
する工程と、金属薄膜をミリングにより除去する工程と
から構成される。

【００６０】最後に、接地導体形成工程として、必要で
あれば研磨やエッチング等により誘電体基板２の厚さを
調整して例えば４０μｍとした後、図１０（ｄ）に示す
ように厚さ２０μｍの金から成る接地導体１をメッキ等
により形成する。

【００６１】図１１は、実施例２に係るマイクロ波回路
を製造するための他の製造方法に係る各工程を簡略的に
説明するために示した側面断面図であり、同図（ａ）は
絶縁膜堆積及びフォトレジストパターニング工程に関す
るもの，同図（ｂ）は表面突起部形成工程に関するも
の，同図（ｃ）は線路形成工程に関するもの，同図
（ｄ）は接地導体形成工程に関するものである。

【００６２】先ず、図１１（ａ）に示すように、絶縁膜
堆積及びフォトレジストパターニング工程として、厚さ
６００μｍのＧａＡｓから成る誘電体基板２上にプラズ
マＣＶＤ法等により絶縁膜１５を１０μｍ程度堆積し、
その上にリソグラフィー技術を用いてフォトレジスト１
４をパターニングする。

【００６３】次に、表面突起部形成工程として、図１１
（ｂ）に示すように、バッファド弗酸等をエッチャント
とした絶縁膜１５のエッチングにより表面突起部９を形
成する。

【００６４】引き続き、線路形成工程として、図１０
（ｃ）に示すように表面突起部９上に結合用線路１３及
び引き出し用線路を形成する。例えば有機溶剤によりフ
ォトレジスト１４を除去した後、厚さ２μｍの金から成
る結合線路１３を表面突起部９上に形成し、このときに
引き出し用線路も同時に形成する。この工程はＴｉ／Ｐ
ｔ／Ａｕ等から成る０．５μｍ程度の金属薄膜をスパッ
タにより形成する工程と、結合線路のパターニングのた
めのリソグラフィー工程と、結合線路となる金をメッキ
する工程と、フォトレジスト１４を有機溶剤により除去
する工程と、金属薄膜をミリングにより除去する工程と
から構成される。

【００６５】最後に、接地導体形成工程として、必要で
あれば研磨やエッチング等により誘電体基板２の厚さを
調整して例えば４０μｍとした後、図１１（ｄ）に示す
ように厚さ２０μｍの金から成る接地導体１をメッキ等
により形成する。

【００６６】因みに、上述した図８〜図１１で説明した
何れの製造方法に関しても、モノリシック集積回路を製
造する場合には図示した工程の前後或いはその間にトラ
ンジスタや受動素子の製造工程が挿入されることにな
る。

【００６７】図１２は、実施例１に係るマイクロ波回路
を更に変形した一形態のものを製造するための製造方法
に係る各工程を簡略的に説明するために示した側面断面
図であり、同図（ａ）はフォトレジストパターニング工
程に関するもの，同図（ｂ）は接地導体形成工程に関す
るもの，同図（ｃ）はフォトレジスト除去工程に関する
ものである。尚、ここでの各工程は図８（ｄ）に示した
接地導体形成工程の以降に継続した形態で行われる。

【００６８】先ず、図１２（ａ）に示すように、フォト
レジストパターニング工程として、リソグラフィー技術
を用いてフォトレジスト１４を接地導体１の凸部分にパ
ターニングする。次に、図１２（ｂ）に示すように、接
地導体形成工程として、フォトレジスト１４をマスクに
して２回目の接地導体１の形成をメッキ等により行う。
最後に、図１２（ｃ）に示すように、フォトレジスト除
去工程として、有機溶剤によりフォトレジスト１４を除
去する。このようにして、裏面突起部３の形成に伴って
生じる接地導体１の凹凸を平坦化する。

【００６９】図１３は、実施例１に係るマイクロ波回路
を更に変形した他の形態のものを製造するための製造方
法に係る各工程を簡略的に説明するために示した側面断
面図であり、同図（ａ）は接地導体形成工程に関するも
の，同図（ｂ）は接地導体成形工程に関するものであ
る。尚、ここでの各工程は図８（ｄ）に示した接地導体
形成工程の以降に継続した形態で行われる。

【００７０】先ず、図１３（ａ）に示すように、接地導
体形成工程として、メッキ等により接地導体１を厚めに
形成し、この後に接地導体成形工程として、図１３
（ｂ）に示すように、接地導体１の凸部を研磨により平
坦化する。このようにして、裏面突起部３の形成に伴っ
て生じる接地導体１の凹凸を平坦化する。

【００７１】図１４は、本発明の各実施例に係るマイク
ロ波回路をランゲカップラ及びインターディジタルキャ
パシタを有するＭＭＩＣ（ＭｉｃｒｏｗａｖｅＭｏｎ
ｏｌｉｔｈｉｃＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉ
ｔ）バランス型アップコンバータミキサに適用した場合
の基本構成を示した平面図である。

【００７２】このＭＭＩＣバランス型アップコンバータ
ミキサは、裏面に厚さ２０μｍの金から成る接地導体１
を有する厚さ４０μｍのＧａＡｓから成る誘電体基板
２，厚さ２０μｍのＧａＡｓから成る裏面突起部３，３
０μｍ角のバイアホール１１，電界効果トランジスタ１
６，ランゲカップラ１７，インターディジタルキャパシ
タ１８，エピタキシャル層及びＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕ
オーミック金属から成る抵抗体１９，ＳｉＮ_xを誘電膜
に用いたＭＩＭキャパシタ２０，厚さ２μｍの金から成
る接地用パッド１２，バイアスパッド２１，局発信号入
力パッド２２，中間周波数信号入力パッド２３，送信信
号出力パッド２４，入力整合スタブ２５，出力整合スタ
ブ２６，及び各構成要素を接続する伝送線路から構成さ
れる。

【００７３】このうち、電界効果トランジスタ１６は、
活性層２７上に形成されたＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕオー
ミック金属から成るソース電極２８，ドレイン電極３０
とＴｉ／Ａｌから成るゲート電極２９と共に、ソース電
極２８及び接地導体１を接続するバイアホール１１から
構成される。ランゲカップラ１７は、長さ４５０μｍ，
幅１０μｍ，厚み２μｍの金から成る１／４波長結合用
線路４と、長さ２２５μｍ，幅１０μｍ，厚み２μｍの
金から成る１／８波長結合用線路５と、幅３０μｍ，厚
み２μｍの金から成る引き出し用線路６とから構成され
る。インターディジタルキャパシタ１６は、１／４波長
結合用線路４、引き出し用線路６から構成される。イン
ターディジタルキャパシタ１８は、長さ４５０μｍ，幅
１２．５μｍ，厚み２μｍの金から成る１／４波長結合
線路４と、長さ２２５μｍ，幅１０μｍ，厚み２μｍの
金から成る１／４波長結合線路４と、幅３０μｍ，厚み
２μｍの金から成る引き出し用線路６とから構成され
る。

【００７４】このＭＭＩＣバランス型アップコンバータ
ミキサでは、局発信入力パッド２２から入力された局発
信号は、入力側のランゲカップラ１７を介して９０度の
位相差で並列に接続された各単位ミキサに入力される。

【００７５】一方、中間周波数信号は２つの中間周波数
信号入力パッド２３から逆相で入力される。局発信号と
中間周波数信号とが各単位ミキサ内で混合され、両者の
周波数の和或いは差の周波数を持つ送信信号が生成され
る。この送信信号は、出力側のランゲカップラ１７にお
いて同相で合成され、送信信号出力パッド２３から外部
に取り出される。

【００７６】他方、不要波である局発信号は、出力側の
ランゲカップラ１７において逆相で合成されることにな
りキャンセルされる。

【００７７】上述したように、従来の場合のように一様
な厚さの誘電体基板２上にランゲカップラ１７を形成し
た場合、誘電体基板２の厚さｈ及び結合線路間隔ｓに制
限があるため、直接端子への出力に比べて間接端子が小
さくなってしまう事態を生じていたが、この場合には２
つの単位ミキサへの入力レベルに不均衡が生じ、従って
出力側のランゲカップラ１７において、逆相で合成され
る局発信号レベルも等しくなくなる。この結果、不要波
である局発信号の抑圧比が不十分になる。このような場
合、ここでの場合のようにランゲカップラ１７の形成さ
れる部分を突起部の形成によって部分的に厚膜化するこ
とにより、直接端子及び間接端子への出力レベルを均等
にして、十分な局発信号の抑圧比を確保できる。

【００７８】又、従来のように一様な厚さの誘電体基板
２上にインターディジタルキャパシタ１８を形成した場
合、誘電体基板２の厚さｈ及び結合線路間隔ｓに制限が
あるため、十分な大きさの透過係数を得られず、ミキサ
の変換利得を劣化させてしまう事態を生じていたが、こ
こでの場合のようにインターディジタルキャパシタ１８
の形成される部分を突起部の形成により部分的に厚膜化
することにより、十分な大きさの透過係数を確保し、変
換利得の劣化を抑制することができる。

【００７９】図１５は、図１に示した実施例１のランゲ
カップラタイプのマイクロ波回路と従来構造のマイクロ
波回路とに関する透過係数Ｓ₂₁，Ｓ₃₁（ｄＢ）の周波数
（ＧＨｚ）特性を示したものである。但し、ここでは端
子８ｃを無反射終端である５０Ωの抵抗で終端したとき
の端子８ａから直接端子８ｂへの透過係数Ｓ₂₁及び結合
端子８ｃへの透過係数Ｓ₃₁の周波数特性を示している。
又、誘電体基板２は厚さ４０μｍのＧａＡｓから成り、
裏面突起部３は厚さ２０μｍのＧａＡｓから成り、１／
４波長結合用線路４は長さｌ＝４５０μｍ，幅ｗ＝５μ
ｍであり、結合用線路間隔ｓ＝５μｍ、引き出し用線路
６ａ〜６ｄを幅３０μｍとしている。

【００８０】図１５からは、従来構造では中心周波数６
０ＧＨｚにおいて透過係数Ｓ₂₁，Ｓ₃₁の間に１ｄＢ以上
の不均衡があるのに対し、本発明の誘電体基板２を部分
的に厚膜化した構造ではほぼ同一レベルに改善されてい
ることが判る。

【００８１】図１６は、図４に示した実施例４のインタ
ーディジタルキャパシタタイプのマイクロ波回路と従来
構造のマイクロ波回路とに関する透過係数（ｄＢ）の周
波数（ＧＨｚ）特性を示したものである。但し、ここで
は誘電体基板２は厚さ４０μｍのＧａＡｓから成り、裏
面突起部３は厚さ２０μｍのＧａＡｓから成り、１／４
波長結合用線路４は長さｌ＝４５０μｍ，幅ｗ＝７．５
μｍであり、結合用線路間隔ｓ＝７．５μｍ、引き出し
用線路６ａ，６ｂを幅３０μｍとしている。

【００８２】図１６からは、従来構造では中心周波数６
０ＧＨｚにおいて透過係数が０．３ｄＢ程度であるのに
対し、本発明の誘電体基板２を部分的に厚膜化した構造
では０．１ｄＢ以下に改善されていることが判る。

【００８３】図１７は、図６に示した実施例６のマーチ
ャントバランタイプのマイクロ波回路と従来構造のマイ
クロ波回路とに関する透過係数（ｄＢ）の周波数（ＧＨ
ｚ）特性を示したもので、同図（ａ）は端子８ａから直
接端子８ｂへの透過係数Ｓ₂₁ の周波数特性に関するも
の，同図（ｂ）は端子８ａから結合端子８ｃへの透過係
数Ｓ₃₁の周波数特性を示したものである。又、誘電体基
板２は厚さ４０μｍのＧａＡｓから成り、裏面突起部３
は厚さ２０μｍのＧａＡｓから成り、１／４波長結合用
線路４は長さｌ＝４５０μｍであり、１／２波長結合用
線路４は長さｌ＝９５０μｍ，幅ｗ＝３０μｍであり、
結合用線路間隔ｓ＝５μｍ、引き出し用線路６ａ〜６ｃ
を幅３０μｍとしている。

【００８４】図１７からは、従来構造のものに対し、本
発明の誘電体基板２を部分的に厚膜化した構造では透過
係数Ｓ₂₁，Ｓ₃₁共に中心周波数６０ＧＨｚにおいて０．
３ｄＢ程度改善されていることが判る。

【００８５】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明のマイク
ロ波回路によれば、誘電体基板上に形成した複数本の結
合用線路同士を電磁気的に結合させた基本構成におい
て、誘電体基板の表面，裏面，或いは両面の何れかに突
起部を形成した上、結合用線路が形成される領域の誘電
体基板を部分的に厚膜化しており、これによって誘電体
基板全体の厚さの増大や結合線路間隔の縮小を来すこと
無く、結合用線路間の結合を強められるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１に係るランゲカップラタイプ
のマイクロ波回路の基本構成を示したもので、（ａ）は
その平面図に関するもの，（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線
における断面側面図に関するものである。

【図２】本発明の実施例２に係るランゲカップラタイプ
のマイクロ波回路の基本構成を示したもので、（ａ）は
その平面図に関するもの，（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線
における断面側面図に関するものである。

【図３】本発明の実施例３に係るランゲカップラタイプ
のマイクロ波回路の基本構成を示したもので、（ａ）は
その平面図に関するもの，（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線
における断面側面図に関するものである。

【図４】本発明の実施例４に係るインターディジタルキ
ャパシタタイプのマイクロ波回路の基本構成を示したも
ので、（ａ）はその平面図に関するもの，（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ′線における断面側面図に関するもので
ある。

【図５】本発明の実施例５に係るインターディジタルキ
ャパシタタイプのマイクロ波回路の基本構成を示したも
ので、（ａ）はその平面図に関するもの，（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ′線における断面側面図に関するもので
ある。

【図６】本発明の実施例６に係るマーチャントバランタ
イプのマイクロ波回路の基本構成を示したもので、
（ａ）はその平面図に関するもの，（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ′線における断面側面図に関するものである。

【図７】本発明の実施例７に係るマーチャントバランタ
イプのマイクロ波回路の基本構成を示したもので、
（ａ）はその平面図に関するもの，（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ′線における断面側面図に関するものである。

【図８】図１に示す実施例１に係るマイクロ波回路を製
造するための一製造方法に係る各工程を簡略的に説明す
るために示した側面断面図であり、（ａ）は線路形成工
程に関するもの，（ｂ）はフォトレジストパターニング
工程に関するもの，（ｃ）は裏面突起部形成工程に関す
るもの，（ｄ）は接地導体形成工程に関するものであ
る。

【図９】図１に示す実施例１に係るマイクロ波回路を製
造するための他の製造方法に係る各工程を簡略的に説明
するために示した側面断面図であり、（ａ）は線路形成
工程に関するもの，（ｂ）はフォトレジストパターニン
グ工程に関するもの，（ｃ）は裏面突起部形成工程に関
するもの，（ｄ）は接地導体形成工程に関するものであ
る。

【図１０】図２に示す実施例２に係るマイクロ波回路を
製造するための一製造方法に係る各工程を簡略的に説明
するために示した側面断面図であり、（ａ）はフォトレ
ジストパターニング工程に関するもの，（ｂ）は表面突
起部形成工程に関するもの，（ｃ）は線路形成工程に関
するもの，（ｄ）は接地導体形成工程に関するものであ
る。

【図１１】図２に示す実施例２に係るマイクロ波回路を
製造するための他の製造方法に係る各工程を簡略的に説
明するために示した側面断面図であり、（ａ）は絶縁膜
堆積及びフォトレジストパターニング工程に関するも
の，（ｂ）は表面突起部形成工程に関するもの，（ｃ）
は線路形成工程に関するもの，（ｄ）は接地導体形成工
程に関するものである。

【図１２】図１に示す実施例１に係るマイクロ波回路を
更に変形した一形態のものの製造方法に係る各工程を簡
略的に説明するために示した側面断面図であり、（ａ）
はフォトレジストパターニング工程に関するもの，
（ｂ）は接地導体形成工程に関するもの，（ｃ）はフォ
トレジスト除去工程に関するものである。

【図１３】図１に示す実施例１に係るマイクロ波回路を
更に変形した他の形態のものの製造方法に係る各工程を
簡略的に説明するために示した側面断面図であり、
（ａ）は接地導体形成工程に関するもの，（ｂ）は接地
導体成形工程に関するものである。

【図１４】本発明の各実施例に係るマイクロ波回路をラ
ンゲカップラ及びインターディジタルキャパシタを有す
るＭＭＩＣバランス型アップコンバータミキサに適用し
た場合の基本構成を示した平面図である。

【図１５】図１に示した実施例１のランゲカップラタイ
プのマイクロ波回路と従来構造のマイクロ波回路とに関
する透過係数の周波数特性を示したものである。

【図１６】図４に示した実施例４のインターディジタル
キャパシタタイプのマイクロ波回路と従来構造のマイク
ロ波回路とに関する透過係数の周波数特性を示したもの
である。

【図１７】図６に示した実施例６のマーチャントバラン
タイプのマイクロ波回路と従来構造のマイクロ波回路と
に関する透過係数の周波数特性を示したもので、（ａ）
は一端子から直接端子への透過係数の周波数特性に関す
るもの，（ｂ）は一端子から結合端子への透過係数の周
波数特性を示したものである。

【図１８】従来のランゲカップラタイプのマイクロ波回
路の基本構成を示したもので、（ａ）はその平面図に関
するもの，（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線における断面側
面図に関するものである。

【図１９】従来のインターディジタルキャパシタタイプ
のマイクロ波回路の基本構成を示したもので、（ａ）は
その平面図に関するもの，（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線
における断面側面図に関するものである。

【図２０】従来のマーチャントバランタイプのマイクロ
波回路の基本構成を示したもので、（ａ）はその平面図
に関するもの，（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線における断
面側面図に関するものである。

【図２１】図１８に示すランゲカップラタイプのマイク
ロ波回路における透過係数の特性を示したもので、
（ａ）は透過係数の結合用線路間隔依存性に関するも
の，（ｂ）は透過係数の誘電体基板厚依存性に関するも
のである。

【符号の説明】１接地導体２誘電体基板３裏面突起部４１／４波長結合用線路５１／８波長結合用線路６ａ〜６ｄ引き出し用線路７ボンディングワイヤ８ａ〜８ｄ端子９表面突起部１０１／２波長結合用線路１１バイアホール１２接地用パッド１３結合用線路１４フォトレジスト１５絶縁膜１６電界効果トランジスタ１７ランゲカップラ１８インターディジタルキャパシタ１９抵抗体２０ＭＩＭキャパシタ２１バイアスパッド２２局発信号入力パッド２３中間周波数信号入力パッド２４送信信号出力パッド２５入力整合用スタブ２６出力整合用スタブ２７活性層２８ソース電極２９ゲート電極３０ドレイン電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】裏面に接地導体を備えた誘電体基板上に
複数本の結合用線路を形成し、該結合用線路同士を電磁
気的に結合させたマイクロ波回路において、前記誘電体
基板の表面，裏面，或いは両面の何れかに突起部を形成
し、且つ前記結合用線路が形成された領域を部分的に厚
膜化して成ることを特徴とするマイクロ波回路。
【請求項２】裏面に接地導体を備えた誘電体基板上に
複数本の結合用線路，引き出し用線路，及びボンディン
グワイヤから成るランゲカップラを形成したマイクロ波
回路において、前記誘電体基板の表面，裏面，或いは両
面の何れかに突起部を形成し、且つ前記結合用線路が形
成された領域を部分的に厚膜化して成ることを特徴とす
るマイクロ波回路。
【請求項３】裏面に接地導体を備えた誘電体基板上に
複数本の結合用線路，及び引き出し用線路から成るイン
ターディジタルキャパシタを形成したマイクロ波回路に
おいて、前記誘電体基板の表面，裏面，或いは両面の何
れかに突起部を形成し、且つ前記結合用線路が形成され
た領域を部分的に厚膜化して成ることを特徴とするマイ
クロ波回路。
【請求項４】裏面に接地導体を備えた誘電体基板上に
形成された複数本の結合用線路，引き出し用線路，及び
接地用バイアホールから成るマーチャントバランを形成
したマイクロ波回路において、前記誘電体基板の表面，
裏面，或いは両面の何れかに突起部を形成し、且つ前記
結合用線路が形成された領域を部分的に厚膜化して成る
ことを特徴とするマイクロ波回路。
【請求項５】請求項１〜４の何れか一つに記載のマイ
クロ波回路において、前記突起部は、前記誘電体基板と
同じ材料で形成されていることを特徴とするマイクロ波
回路。
【請求項６】請求項１〜４の何れか一つに記載のマイ
クロ波回路において、前記突起部は、前記誘電体基板の
表面又は裏面に堆積された絶縁膜により形成されている
ことを特徴とするマイクロ波回路。
【請求項７】請求項１〜６の何れか一つに記載のマイ
クロ波回路において、前記突起部は、前記誘電体基板の
裏面に形成されており、前記突起部の形成に応じて形成
される前記接地導体の凹凸を平坦化して成ることを特徴
とするマイクロ波回路。