JPH1024686A - Ｉｃモジュールパッケージ及びｉｃカード - Google Patents
Ｉｃモジュールパッケージ及びｉｃカードInfo
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- JPH1024686A JPH1024686A JP8180804A JP18080496A JPH1024686A JP H1024686 A JPH1024686 A JP H1024686A JP 8180804 A JP8180804 A JP 8180804A JP 18080496 A JP18080496 A JP 18080496A JP H1024686 A JPH1024686 A JP H1024686A
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- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】捻りを可及的に防止することができるＩＣモジ
ュールパッケージ及びそれを組み込んだＩＣカードを提
供する。 【解決手段】ＩＣチップ１２などを基板１１に装着した
ＩＣモジュール１０を樹脂３２で封止してなるＩＣモジ
ュールパッケージにおいて、封止樹脂３２内に線膨張率
の低い補強材３、４を配置するか、又は封止樹脂中に配
合する。
ュールパッケージ及びそれを組み込んだＩＣカードを提
供する。 【解決手段】ＩＣチップ１２などを基板１１に装着した
ＩＣモジュール１０を樹脂３２で封止してなるＩＣモジ
ュールパッケージにおいて、封止樹脂３２内に線膨張率
の低い補強材３、４を配置するか、又は封止樹脂中に配
合する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、捻れなどの変形を
防止したＩＣモジュールパッケージ及びそれを組み込ん
だＩＣカードに関する。
防止したＩＣモジュールパッケージ及びそれを組み込ん
だＩＣカードに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、外部装置とカード本体内に設けた
ループアンテナを介して送受信などを行う非接触型ＩＣ
カードがＩＣカードの主流になってきている。この非接
触型ＩＣカードは、例えば図４の断面図に示すように、
ＩＣチップ１２、コンデンサ１３、１４、ループアンテ
ナ等を基板１１に組み込んだＩＣモジュール１０をエポ
キシ樹脂などで封止したＩＣモジュールパッケージ４０
を、ＩＣモジュールパッケージと同厚の中間シート４１
の打ち抜き孔に装着し、そのシート４１の両面をコアシ
ート４２ａ，４２ｂやオーバーシート４３ａ，４３ｂ等
で熱プレスラミネート加工してＩＣカード化されたもの
が一般的である。
ループアンテナを介して送受信などを行う非接触型ＩＣ
カードがＩＣカードの主流になってきている。この非接
触型ＩＣカードは、例えば図４の断面図に示すように、
ＩＣチップ１２、コンデンサ１３、１４、ループアンテ
ナ等を基板１１に組み込んだＩＣモジュール１０をエポ
キシ樹脂などで封止したＩＣモジュールパッケージ４０
を、ＩＣモジュールパッケージと同厚の中間シート４１
の打ち抜き孔に装着し、そのシート４１の両面をコアシ
ート４２ａ，４２ｂやオーバーシート４３ａ，４３ｂ等
で熱プレスラミネート加工してＩＣカード化されたもの
が一般的である。
【０００３】ＩＣモジュールパッケージを製造する工程
と、このＩＣモジュールパッケージをカード化する工程
について簡単に説明する。まず、図５（ａ−１）の斜視
図、同図のＡ−Ａ’線に沿った断面図の（ａ−２）に示
すようなＩＣモジュールを用意する。このＩＣモジュー
ル１０は、例えば、ガラス布基材エポキシ樹脂板で構成
される基板１１にＩＣチップ１２、コンデンサ１３、１
４が装着され、基板にリソグラフィとエッチングにより
形成されたループアンテナ１５が設けられている構造を
有する。基板１１の寸法は、例えば８０×４８×０．２
ｍｍであり、ＩＣチップの厚さは約０．７ｍｍ程度であ
る。従って、ＩＣモジュールの全体の厚さは約０．９ｍ
ｍである。
と、このＩＣモジュールパッケージをカード化する工程
について簡単に説明する。まず、図５（ａ−１）の斜視
図、同図のＡ−Ａ’線に沿った断面図の（ａ−２）に示
すようなＩＣモジュールを用意する。このＩＣモジュー
ル１０は、例えば、ガラス布基材エポキシ樹脂板で構成
される基板１１にＩＣチップ１２、コンデンサ１３、１
４が装着され、基板にリソグラフィとエッチングにより
形成されたループアンテナ１５が設けられている構造を
有する。基板１１の寸法は、例えば８０×４８×０．２
ｍｍであり、ＩＣチップの厚さは約０．７ｍｍ程度であ
る。従って、ＩＣモジュールの全体の厚さは約０．９ｍ
ｍである。
【０００４】このようなＩＣモジュール１０を、図５
（ｂ）に示すように、スペーサー２２で一定の間隔に保
たれた上板２３と底板２１とで構成される型２０に入れ
て液状エポキシ樹脂３１で封止加工する。次に、上板２
３と底板２１、スペーサー２２を取り除いてエポキシ樹
脂で埋め込まれた図５（ｃ）に示すような薄板状の非接
触ＩＣモジュールパッケージ４０を取り出す。このＩＣ
モジュールパッケージの寸法は、例えば８２×５０×
１．０ｍｍである。
（ｂ）に示すように、スペーサー２２で一定の間隔に保
たれた上板２３と底板２１とで構成される型２０に入れ
て液状エポキシ樹脂３１で封止加工する。次に、上板２
３と底板２１、スペーサー２２を取り除いてエポキシ樹
脂で埋め込まれた図５（ｃ）に示すような薄板状の非接
触ＩＣモジュールパッケージ４０を取り出す。このＩＣ
モジュールパッケージの寸法は、例えば８２×５０×
１．０ｍｍである。
【０００５】一方、図５（ｄ）に示すように、非接触Ｉ
Ｃモジュールパッケージ４０と同じ厚さの樹脂シートを
非接触ＩＣモジュールと略同寸法で打ち抜き、打ち抜き
部４１ａを設けた中間シート４１を用意する。そして、
図６（ｅ）に示すように、中間シート４１の打ち抜き部
４１ａにＩＣモジュールパッケージ４０を装着し、ＩＣ
モジュールパッケージ４０を装着した中間シートの上下
両面にポリ塩化ビニル製のコアシート４２ａ，４２ｂと
オーバーシート４３ａ，４３ｂとをそれぞれ重ね、ヒー
トプレスを行い、これらを熱融着する。
Ｃモジュールパッケージ４０と同じ厚さの樹脂シートを
非接触ＩＣモジュールと略同寸法で打ち抜き、打ち抜き
部４１ａを設けた中間シート４１を用意する。そして、
図６（ｅ）に示すように、中間シート４１の打ち抜き部
４１ａにＩＣモジュールパッケージ４０を装着し、ＩＣ
モジュールパッケージ４０を装着した中間シートの上下
両面にポリ塩化ビニル製のコアシート４２ａ，４２ｂと
オーバーシート４３ａ，４３ｂとをそれぞれ重ね、ヒー
トプレスを行い、これらを熱融着する。
【０００６】次いで、図６（ｆ）に示すように、カード
サイズに打ち抜き加工を行って、図４に示したようなＩ
Ｃカードを製造することができる。
サイズに打ち抜き加工を行って、図４に示したようなＩ
Ｃカードを製造することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｉ
Ｃモジュールパッケージの寸法は、例えば８２×５０×
１．０ｍｍの薄板状であり、内部に複雑な形状の非接触
ＩＣモジュール１０が封入されている構造を有する。非
接触ＩＣモジュールの線膨張率は１６（ｐｐｍ／℃）程
度であるのに対し、これを封止するエポキシ樹脂の線膨
張率は６０（／℃）程度である。このようにパッケージ
で使用するエポキシ樹脂と非接触モジュールの線膨張率
の差が大きいため、型から取りだしたＩＣモジュールパ
ッケージには、捻れが生じることが認められる。捻れが
生じたＩＣモジュールパッケージを使用して製造した非
接触型ＩＣカードにも同様な捻れが生じることが認めら
れる。
Ｃモジュールパッケージの寸法は、例えば８２×５０×
１．０ｍｍの薄板状であり、内部に複雑な形状の非接触
ＩＣモジュール１０が封入されている構造を有する。非
接触ＩＣモジュールの線膨張率は１６（ｐｐｍ／℃）程
度であるのに対し、これを封止するエポキシ樹脂の線膨
張率は６０（／℃）程度である。このようにパッケージ
で使用するエポキシ樹脂と非接触モジュールの線膨張率
の差が大きいため、型から取りだしたＩＣモジュールパ
ッケージには、捻れが生じることが認められる。捻れが
生じたＩＣモジュールパッケージを使用して製造した非
接触型ＩＣカードにも同様な捻れが生じることが認めら
れる。
【０００８】捻れが生じたＩＣカードは、外観が悪く、
商品価値が著しく低下してしまう。そのため、捻れが生
じないＩＣモジュールパッケージが要望されていた。本
発明は、上記要望に鑑みなされたもので、捻りを可及的
に防止することができるＩＣモジュールパッケージ及び
それを組み込んだＩＣカードを提供することを目的とす
る。
商品価値が著しく低下してしまう。そのため、捻れが生
じないＩＣモジュールパッケージが要望されていた。本
発明は、上記要望に鑑みなされたもので、捻りを可及的
に防止することができるＩＣモジュールパッケージ及び
それを組み込んだＩＣカードを提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、ＩＣチップなどを基板に装着したＩＣモジ
ュールを樹脂で封止してなるＩＣモジュールパッケージ
において、該封止樹脂内に線膨張率の低い補強材を配置
又は配合してなることを特徴とするＩＣモジュールパッ
ケージを提供する。
成するため、ＩＣチップなどを基板に装着したＩＣモジ
ュールを樹脂で封止してなるＩＣモジュールパッケージ
において、該封止樹脂内に線膨張率の低い補強材を配置
又は配合してなることを特徴とするＩＣモジュールパッ
ケージを提供する。
【００１０】また、本発明は、上記目的を達成するた
め、かかるＩＣモジュールパッケージを組み込んだＩＣ
カードを提供する。本発明のＩＣモジュールパッケージ
は、ＩＣモジュールを封止する一般に線膨張率が大きい
封止樹脂中に、線膨張率の低い補強材が、例えばＩＣモ
ジュールに積層されるように配置されている。又は封止
樹脂中に補強材が配合されている。そのため、封止樹脂
の線膨張率を低くでき、ＩＣモジュールとこれを埋める
封止樹脂との線膨張率の差が少なくなり、線膨張率の差
に起因する捻れが生じ難くなる。
め、かかるＩＣモジュールパッケージを組み込んだＩＣ
カードを提供する。本発明のＩＣモジュールパッケージ
は、ＩＣモジュールを封止する一般に線膨張率が大きい
封止樹脂中に、線膨張率の低い補強材が、例えばＩＣモ
ジュールに積層されるように配置されている。又は封止
樹脂中に補強材が配合されている。そのため、封止樹脂
の線膨張率を低くでき、ＩＣモジュールとこれを埋める
封止樹脂との線膨張率の差が少なくなり、線膨張率の差
に起因する捻れが生じ難くなる。
【００１１】かかるＩＣモジュールパッケージを内蔵す
るＩＣカードは、捻れが生じがたいＩＣモジュールパッ
ケージを有するので、ＩＣモジュールパッケージに起因
する捻れが生じず、外観が良好である。
るＩＣカードは、捻れが生じがたいＩＣモジュールパッ
ケージを有するので、ＩＣモジュールパッケージに起因
する捻れが生じず、外観が良好である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明するが、本発明は下記の実施の形態に限定される
ものではない。本発明のＩＣモジュールパッケージは、
ＩＣモジュールを封止する樹脂中に線膨張率の低い補強
材を配置又は配合したものである。補強材として繊維材
を用いて配置した例を図１に示す。
て説明するが、本発明は下記の実施の形態に限定される
ものではない。本発明のＩＣモジュールパッケージは、
ＩＣモジュールを封止する樹脂中に線膨張率の低い補強
材を配置又は配合したものである。補強材として繊維材
を用いて配置した例を図１に示す。
【００１３】このＩＣモジュールパッケージ１は、全体
に薄板状で、その寸法は、ＩＣカードに用いる場合は、
例えば８２×５０×１ｍｍの略直方体である。ＩＣモジ
ュールパッケージ１は、封止樹脂３２で被覆され、その
内部に、ＩＣモジュール１０と、補強材として２枚の第
１補強繊維３と第２補強繊維４が配置されている。
に薄板状で、その寸法は、ＩＣカードに用いる場合は、
例えば８２×５０×１ｍｍの略直方体である。ＩＣモジ
ュールパッケージ１は、封止樹脂３２で被覆され、その
内部に、ＩＣモジュール１０と、補強材として２枚の第
１補強繊維３と第２補強繊維４が配置されている。
【００１４】ＩＣモジュール１０は、図５に示したよう
に、例えばガラス布基材エポキシ樹脂で構成される基板
１１にＩＣチップ１２、コンデンサ１３、１４が装着さ
れ、フォトリソグラフィによりアンテナコイル１５が形
成されている。また、繊維材は、基板１１の裏側（ＩＣ
チップなどが装着されている面の反対面）に、第１補強
繊維として、例えば厚さ０．１ｍｍで幅と長さが基板１
１とほぼ等しいガラスクロス３が基板１１に積層されて
いるような状態で樹脂３２中に埋め込まれている。基板
１１の表側には、第２補強繊維として、ＩＣチップ１２
やコンデンサ１３、１４等の基板から突出した凸部を通
す孔があけられた例えば厚さが０．２ｍｍで幅と長さが
基板とほぼ等しいガラスクロス４が、基板１１と積層さ
れているような状態で樹脂３２中に埋め込まれている。
に、例えばガラス布基材エポキシ樹脂で構成される基板
１１にＩＣチップ１２、コンデンサ１３、１４が装着さ
れ、フォトリソグラフィによりアンテナコイル１５が形
成されている。また、繊維材は、基板１１の裏側（ＩＣ
チップなどが装着されている面の反対面）に、第１補強
繊維として、例えば厚さ０．１ｍｍで幅と長さが基板１
１とほぼ等しいガラスクロス３が基板１１に積層されて
いるような状態で樹脂３２中に埋め込まれている。基板
１１の表側には、第２補強繊維として、ＩＣチップ１２
やコンデンサ１３、１４等の基板から突出した凸部を通
す孔があけられた例えば厚さが０．２ｍｍで幅と長さが
基板とほぼ等しいガラスクロス４が、基板１１と積層さ
れているような状態で樹脂３２中に埋め込まれている。
【００１５】この場合、封止樹脂としては、一般的なエ
ポキシ樹脂の他、シリコン系樹脂、ウレタン樹脂、ポリ
イミド、液晶ポリマー等の熱硬化性又は常温硬化性の樹
脂、あるいは塩化ビニル樹脂などの熱可塑性樹脂の樹脂
等を用いることができるが、これに限られるものではな
い。また、非接触型ＩＣカードに用いるＩＣモジュール
１０としては、ＩＣチップ、コンデンサ、コイル等を基
板１１に装着したものが一般的である。ＩＣモジュール
に用いる基板としては、例えばエポキシ樹脂をガラスク
ロスやパラアミド系不織布等に含浸したものが挙げら
れ、これらの線膨張率は８〜１６ｐｐｍ／℃程度であ
る。これに対してエポキシ樹脂の線膨張率は６０／℃程
度である。
ポキシ樹脂の他、シリコン系樹脂、ウレタン樹脂、ポリ
イミド、液晶ポリマー等の熱硬化性又は常温硬化性の樹
脂、あるいは塩化ビニル樹脂などの熱可塑性樹脂の樹脂
等を用いることができるが、これに限られるものではな
い。また、非接触型ＩＣカードに用いるＩＣモジュール
１０としては、ＩＣチップ、コンデンサ、コイル等を基
板１１に装着したものが一般的である。ＩＣモジュール
に用いる基板としては、例えばエポキシ樹脂をガラスク
ロスやパラアミド系不織布等に含浸したものが挙げら
れ、これらの線膨張率は８〜１６ｐｐｍ／℃程度であ
る。これに対してエポキシ樹脂の線膨張率は６０／℃程
度である。
【００１６】また、本発明の特徴である補強材として
は、例えばガラス繊維、カーボン繊維、多孔質セラミッ
ク等の無機系のもの、パラアミド系不織布、アラミド繊
維等の有機系繊維等の繊維状の補強剤で、ＩＣモジュー
ルに積層する形態で補強するものが例示できる。あるい
は、カーボンファイバー、ガラスファイバー、各種のウ
イスカー、鱗片状のマイカ等のＩＣモジュールを埋め込
む樹脂中に配合して封止樹脂を補強するものが挙げられ
る。本発明では、これらの何れでも良い。補強剤の線膨
張率は、低いことが必要であり、具体的には、封止樹脂
３２の線膨張率よりも、基板１１を構成する基材（例え
ば、ガラス繊維）やＩＣチップなどの線膨張率と近似し
ているものが好ましく、線膨張率は、０．１〜２０（ｐ
ｐｍ／℃）程度が好ましいが、これに限られるものでは
ない。例えば、好ましい補強材であるガラスクロスの線
膨張率は約６ｐｐｍ／℃である。
は、例えばガラス繊維、カーボン繊維、多孔質セラミッ
ク等の無機系のもの、パラアミド系不織布、アラミド繊
維等の有機系繊維等の繊維状の補強剤で、ＩＣモジュー
ルに積層する形態で補強するものが例示できる。あるい
は、カーボンファイバー、ガラスファイバー、各種のウ
イスカー、鱗片状のマイカ等のＩＣモジュールを埋め込
む樹脂中に配合して封止樹脂を補強するものが挙げられ
る。本発明では、これらの何れでも良い。補強剤の線膨
張率は、低いことが必要であり、具体的には、封止樹脂
３２の線膨張率よりも、基板１１を構成する基材（例え
ば、ガラス繊維）やＩＣチップなどの線膨張率と近似し
ているものが好ましく、線膨張率は、０．１〜２０（ｐ
ｐｍ／℃）程度が好ましいが、これに限られるものでは
ない。例えば、好ましい補強材であるガラスクロスの線
膨張率は約６ｐｐｍ／℃である。
【００１７】補強材の補強形態としては、上記のように
繊維状のものの場合、ＩＣモジュール１０に積層する状
態で封止樹脂３２中に埋設する。この場合の繊維状補強
材の厚さは、図１の第１補強繊維３のように単にＩＣモ
ジュールパッケージの中に埋設する場合は、厚み方向に
おけるＩＣモジュール１０の厚さとＩＣモジュールパッ
ケージ１の厚さの差に制限されるが、例えば０．１〜
０．５ｍｍ程度である。また、図１の第２補強繊維４の
ように、ＩＣモジュール１０の表面に装着されているＩ
Ｃチップ１２等の凸部分をくり抜いて基板に密着できる
ような加工をすれば、例えばＩＣチップの厚さの０．７
ｍｍ程度の厚さの補強繊維を用いることも可能である。
補強繊維の大きさは、ＩＣモジュールパッケージの基板
とほぼ同じ大きさとすることが好ましい。
繊維状のものの場合、ＩＣモジュール１０に積層する状
態で封止樹脂３２中に埋設する。この場合の繊維状補強
材の厚さは、図１の第１補強繊維３のように単にＩＣモ
ジュールパッケージの中に埋設する場合は、厚み方向に
おけるＩＣモジュール１０の厚さとＩＣモジュールパッ
ケージ１の厚さの差に制限されるが、例えば０．１〜
０．５ｍｍ程度である。また、図１の第２補強繊維４の
ように、ＩＣモジュール１０の表面に装着されているＩ
Ｃチップ１２等の凸部分をくり抜いて基板に密着できる
ような加工をすれば、例えばＩＣチップの厚さの０．７
ｍｍ程度の厚さの補強繊維を用いることも可能である。
補強繊維の大きさは、ＩＣモジュールパッケージの基板
とほぼ同じ大きさとすることが好ましい。
【００１８】また、封止樹脂中に補強材を配合する場
合、硬化性の液状樹脂中に予め混合してＩＣモジュール
を封止することにより、封止樹脂中に補強剤を配合する
ことができる。この場合、補強材の配合量は、例えば１
０〜５０容量％程度である。図１に示したようなＩＣモ
ジュールパッケージ１は、通常のＩＣモジュールパッケ
ージに第１補強繊維３と第２補強繊維４が、ＩＣモジュ
ール１０の基板１１に積層されたような状態で配置され
て封止樹脂３２中に埋設されているので、封止樹脂３２
の線膨張率が、補強繊維３、４で補強されて補強繊維の
線膨張率に近くなるため、封止樹脂３２とＩＣモジュー
ル１０の線膨張率の差が少なくなって、線膨張率の差に
起因する捻れが生じ難くなる。
合、硬化性の液状樹脂中に予め混合してＩＣモジュール
を封止することにより、封止樹脂中に補強剤を配合する
ことができる。この場合、補強材の配合量は、例えば１
０〜５０容量％程度である。図１に示したようなＩＣモ
ジュールパッケージ１は、通常のＩＣモジュールパッケ
ージに第１補強繊維３と第２補強繊維４が、ＩＣモジュ
ール１０の基板１１に積層されたような状態で配置され
て封止樹脂３２中に埋設されているので、封止樹脂３２
の線膨張率が、補強繊維３、４で補強されて補強繊維の
線膨張率に近くなるため、封止樹脂３２とＩＣモジュー
ル１０の線膨張率の差が少なくなって、線膨張率の差に
起因する捻れが生じ難くなる。
【００１９】図１に示したようなＩＣモジュールパッケ
ージ１は、補強剤を配置又は配合する工程を除いて、上
述した従来のＩＣモジュールパッケージの製造工程と同
様の工程で製造することができる。即ち、まず、図５
（ａ−１）、（ａ−２）に示すような例えば非接触型Ｉ
Ｃカードに用いるＩＣモジュール１０を用意する。この
ＩＣモジュール１０は、例えば、ガラス布基材エポキシ
樹脂板で構成される基板１１にＩＣチップ１２、コンデ
ンサ１３、１４が装着され、基板１１にリソグラフィと
エッチングにより形成されたループアンテナ１５が設け
られている構造を有する。基板１１の寸法は、例えば８
０×４８×０．２ｍｍであり、ＩＣチップ１２の厚さは
約０．７ｍｍ程度である。従って、ＩＣモジュール１０
の全体の厚さは約０．９ｍｍである。
ージ１は、補強剤を配置又は配合する工程を除いて、上
述した従来のＩＣモジュールパッケージの製造工程と同
様の工程で製造することができる。即ち、まず、図５
（ａ−１）、（ａ−２）に示すような例えば非接触型Ｉ
Ｃカードに用いるＩＣモジュール１０を用意する。この
ＩＣモジュール１０は、例えば、ガラス布基材エポキシ
樹脂板で構成される基板１１にＩＣチップ１２、コンデ
ンサ１３、１４が装着され、基板１１にリソグラフィと
エッチングにより形成されたループアンテナ１５が設け
られている構造を有する。基板１１の寸法は、例えば８
０×４８×０．２ｍｍであり、ＩＣチップ１２の厚さは
約０．７ｍｍ程度である。従って、ＩＣモジュール１０
の全体の厚さは約０．９ｍｍである。
【００２０】このようなＩＣモジュール１０を、図３に
示すように、スペーサーで一定の間隔に保たれた上板と
底板とで構成される型２０に入れて樹脂で封止する。ま
ず、表面が平滑な金属などの底板２１の上に所定寸法の
スペーサー２２を置き、その内部に例えばエポキシ樹脂
３０を薄く塗布する。その上に、例えば厚さが０．１ｍ
ｍの第１のガラスクロス（例えば日東防（株）製のサー
フェスマットＭＦ３０Ｐ）を敷き、更にその上に非接触
ＩＣモジュール１０を載置する。そして、予めＩＣモジ
ュールの凸部に対応する部分を打ち抜きなどの方法で孔
を開けた例えば厚さが０．２ｍｍの第２のガラスクロス
（例えば日東防（株）製のサーフェスマットＭＦ３０
Ｐ）をＩＣモジュール１０の基板１１に積層するような
状態でＩＣモジュールにはめ込む。その後、例えば液状
エポキシ樹脂（例えば、長瀬チバ（株）製のＮｏ．５）
３１を注入してスペーサー内の空隙部を埋め、その上に
表面が平滑な金属などの上板２３を置いて加圧し、スペ
ーサー内の余分なエポキシ樹脂を除く。上板２３と底板
２１間に荷重をかけた状態で加熱室に入れて加圧する
か、又は常温で放置してエポキシ樹脂３１を硬化させ
る。加熱硬化条件は、例えば１５０℃で３分である。
示すように、スペーサーで一定の間隔に保たれた上板と
底板とで構成される型２０に入れて樹脂で封止する。ま
ず、表面が平滑な金属などの底板２１の上に所定寸法の
スペーサー２２を置き、その内部に例えばエポキシ樹脂
３０を薄く塗布する。その上に、例えば厚さが０．１ｍ
ｍの第１のガラスクロス（例えば日東防（株）製のサー
フェスマットＭＦ３０Ｐ）を敷き、更にその上に非接触
ＩＣモジュール１０を載置する。そして、予めＩＣモジ
ュールの凸部に対応する部分を打ち抜きなどの方法で孔
を開けた例えば厚さが０．２ｍｍの第２のガラスクロス
（例えば日東防（株）製のサーフェスマットＭＦ３０
Ｐ）をＩＣモジュール１０の基板１１に積層するような
状態でＩＣモジュールにはめ込む。その後、例えば液状
エポキシ樹脂（例えば、長瀬チバ（株）製のＮｏ．５）
３１を注入してスペーサー内の空隙部を埋め、その上に
表面が平滑な金属などの上板２３を置いて加圧し、スペ
ーサー内の余分なエポキシ樹脂を除く。上板２３と底板
２１間に荷重をかけた状態で加熱室に入れて加圧する
か、又は常温で放置してエポキシ樹脂３１を硬化させ
る。加熱硬化条件は、例えば１５０℃で３分である。
【００２１】次に、上板２３と底板２１、スペーサー２
２を取り除き、図１に示したような硬化したエポキシ樹
脂３２で埋め込まれた薄板状の非接触ＩＣモジュールパ
ッケージ１を取り出す。このＩＣモジュールの寸法は、
例えば８２×５０×１．０ｍｍであり、縦横寸法は、カ
ードサイズより小さい。
２を取り除き、図１に示したような硬化したエポキシ樹
脂３２で埋め込まれた薄板状の非接触ＩＣモジュールパ
ッケージ１を取り出す。このＩＣモジュールの寸法は、
例えば８２×５０×１．０ｍｍであり、縦横寸法は、カ
ードサイズより小さい。
【００２２】以上の工程では、本発明のＩＣモジュール
パッケージを製造する場合、注型加工を行う際に、２枚
の補強繊維を配置するだけでよいので、製造工程が複雑
になることはない。また、上記例では、補強繊維を２枚
使用しているが、いずれか一方のみでも良く、あるいは
３枚以上の補強繊維を用いても良い。補強剤を封止樹脂
中に配合する場合は、上記図３に示した注型加工を行う
液状樹脂に変えて所定の補強材を配合した例えば液状エ
ポキシ樹脂を用いるだけでよい。
パッケージを製造する場合、注型加工を行う際に、２枚
の補強繊維を配置するだけでよいので、製造工程が複雑
になることはない。また、上記例では、補強繊維を２枚
使用しているが、いずれか一方のみでも良く、あるいは
３枚以上の補強繊維を用いても良い。補強剤を封止樹脂
中に配合する場合は、上記図３に示した注型加工を行う
液状樹脂に変えて所定の補強材を配合した例えば液状エ
ポキシ樹脂を用いるだけでよい。
【００２３】図１に示すようなＩＣモジュールパッケー
ジは、例えば図２に示すように、カード基材の中に組み
込んで非接触型ＩＣカードを構成することができる。即
ち、図５（ｄ）に示したように、非接触ＩＣモジュール
パッケージ１と同じ厚さで、縦横寸法がカードサイズよ
り大きな、例えば塩化ビニル樹脂製の樹脂シートに、非
接触ＩＣモジュールパッケージ１と略同寸法の打ち抜き
孔を穿設し、打ち抜き部４１ａを設けた中間シート４１
を用意する。
ジは、例えば図２に示すように、カード基材の中に組み
込んで非接触型ＩＣカードを構成することができる。即
ち、図５（ｄ）に示したように、非接触ＩＣモジュール
パッケージ１と同じ厚さで、縦横寸法がカードサイズよ
り大きな、例えば塩化ビニル樹脂製の樹脂シートに、非
接触ＩＣモジュールパッケージ１と略同寸法の打ち抜き
孔を穿設し、打ち抜き部４１ａを設けた中間シート４１
を用意する。
【００２４】そして、図６（ｅ）に示すように、中間シ
ート４１の打ち抜き部４１ａにＩＣモジュールパッケー
ジ１を装着し、ＩＣモジュールパッケージ１を装着した
中間シート４１の上下両面に中間シート４１と同寸法の
ポリ塩化ビニル製のコアシート（例えば、太平化学製品
（株）製の耐熱コアＴＮ８２８）４２ａ，４２ｂと塩化
ビニル樹脂製のオーバーシート（例えば、太平化学製品
（株）製のＭ１０６５）４３ａ、４３ｂとをそれぞれ重
ね、ヒートプレスを行い、これらを熱融着する。ヒート
プレスの条件は、例えば１５０℃で１０分、２５ｋｇ／
ｃｍ2 である。
ート４１の打ち抜き部４１ａにＩＣモジュールパッケー
ジ１を装着し、ＩＣモジュールパッケージ１を装着した
中間シート４１の上下両面に中間シート４１と同寸法の
ポリ塩化ビニル製のコアシート（例えば、太平化学製品
（株）製の耐熱コアＴＮ８２８）４２ａ，４２ｂと塩化
ビニル樹脂製のオーバーシート（例えば、太平化学製品
（株）製のＭ１０６５）４３ａ、４３ｂとをそれぞれ重
ね、ヒートプレスを行い、これらを熱融着する。ヒート
プレスの条件は、例えば１５０℃で１０分、２５ｋｇ／
ｃｍ2 である。
【００２５】次いで、図６（ｆ）に示すように、カード
サイズに打ち抜き加工を行って、図２に示したようなＩ
Ｃカード２を製造することができる。カードの寸法は、
例えば８５．６×５４×１．４ｍｍである。このＩＣカ
ード２は、内蔵するＩＣモジュールパッケージが図１に
示したものと異なり、第２補強繊維４がＩＣモジュール
１０の上に乗った状態で封止樹脂３２中に埋設されてい
る。注型加工する際に、ＩＣモジュール１０と上型２３
との間に余裕があれば、かかる形態も可能である。
サイズに打ち抜き加工を行って、図２に示したようなＩ
Ｃカード２を製造することができる。カードの寸法は、
例えば８５．６×５４×１．４ｍｍである。このＩＣカ
ード２は、内蔵するＩＣモジュールパッケージが図１に
示したものと異なり、第２補強繊維４がＩＣモジュール
１０の上に乗った状態で封止樹脂３２中に埋設されてい
る。注型加工する際に、ＩＣモジュール１０と上型２３
との間に余裕があれば、かかる形態も可能である。
【００２６】このようなＩＣカード２は、捻りが生じが
たいＩＣモジュールパッケージ１を内蔵しているから、
捻り等の外観不良がなく、外観品質に優れ、商品価値が
高いＩＣカードである。
たいＩＣモジュールパッケージ１を内蔵しているから、
捻り等の外観不良がなく、外観品質に優れ、商品価値が
高いＩＣカードである。
【００２７】
【発明の効果】本発明のＩＣモジュールパッケージは、
補強材を封止樹脂中に配置又は混合しているから捻りが
生じ難い。本発明のＩＣカードは、かかるＩＣモジュー
ルパッケージを内蔵しているので、捻りの外観不良が生
じ難く、高品質である。
補強材を封止樹脂中に配置又は混合しているから捻りが
生じ難い。本発明のＩＣカードは、かかるＩＣモジュー
ルパッケージを内蔵しているので、捻りの外観不良が生
じ難く、高品質である。
【図１】本発明のＩＣモジュールパッケージの一形態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明のＩＣカードの一形態を示す断面図であ
る。
る。
【図３】ＩＣモジュールを樹脂で封止する工程を示す断
面図である。
面図である。
【図４】従来のＩＣカードの一形態を示す断面図であ
る。
る。
【図５】（ａ−１）〜（ｄ）は、従来のＩＣカードの製
造工程を示すもので、（ａ−１）が斜視図であるのを除
き、その他は断面図である。
造工程を示すもので、（ａ−１）が斜視図であるのを除
き、その他は断面図である。
【図６】（ｅ）は、ＩＣモジュールパッケージに樹脂シ
ートを積層してＩＣカードを製造する工程を示す断面図
である。
ートを積層してＩＣカードを製造する工程を示す断面図
である。
１…ＩＣモジュールパッケージ、２…ＩＣカード、３…
第１補強繊維、４…第２補強繊維、１０…ＩＣモジュー
ル、１１…基板、１２…ＩＣチップ、１３，１４…コン
デンサ、３２…封止樹脂、４１…中間シート、４２ａ，
４２ｂ…コアシート、４３ａ，４３ｂ…オーバーシート
第１補強繊維、４…第２補強繊維、１０…ＩＣモジュー
ル、１１…基板、１２…ＩＣチップ、１３，１４…コン
デンサ、３２…封止樹脂、４１…中間シート、４２ａ，
４２ｂ…コアシート、４３ａ，４３ｂ…オーバーシート
Claims (4)
- 【請求項１】ＩＣチップなどを基板に装着したＩＣモジ
ュールを樹脂で封止してなるＩＣモジュールパッケージ
において、 該封止樹脂内に線膨張率の低い補強材を配置又は配合し
てなることを特徴とするＩＣモジュールパッケージ。 - 【請求項２】繊維状の補強材をＩＣモジュールに積層配
置した請求項１記載のＩＣモジュールパッケージ。 - 【請求項３】上記補強材の線膨張率が上記基板を構成す
る基材の線膨張率と近接している請求項１又は２記載の
ＩＣモジュールパッケージ。 - 【請求項４】請求項１乃至３いずれか記載のＩＣモジュ
ールパッケージを組み込んだＩＣカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8180804A JPH1024686A (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | Ｉｃモジュールパッケージ及びｉｃカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8180804A JPH1024686A (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | Ｉｃモジュールパッケージ及びｉｃカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1024686A true JPH1024686A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=16089643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8180804A Pending JPH1024686A (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | Ｉｃモジュールパッケージ及びｉｃカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1024686A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001319211A (ja) * | 2000-05-11 | 2001-11-16 | Kyodo Printing Co Ltd | Ｉｃカードおよびその製造方法 |
| JP2005502939A (ja) * | 2001-06-05 | 2005-01-27 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 文書管理における無線周波数識別 |
| US7511601B2 (en) | 2001-06-05 | 2009-03-31 | 3M Innovative Properties Company | Radio frequency identification in document management |
| US7588185B2 (en) | 2001-06-07 | 2009-09-15 | 3M Innovative Properties Company | RFID data collection and use |
| JP2009283777A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2013206122A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Toppan Printing Co Ltd | Ｉｃモジュールとこれを搭載したｉｃカード |
| JP2020150277A (ja) * | 2007-03-13 | 2020-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| CN114645976A (zh) * | 2020-12-21 | 2022-06-21 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种纤维预浸带增强复合管及其加工方法 |
-
1996
- 1996-07-10 JP JP8180804A patent/JPH1024686A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001319211A (ja) * | 2000-05-11 | 2001-11-16 | Kyodo Printing Co Ltd | Ｉｃカードおよびその製造方法 |
| JP2005502939A (ja) * | 2001-06-05 | 2005-01-27 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 文書管理における無線周波数識別 |
| US7511601B2 (en) | 2001-06-05 | 2009-03-31 | 3M Innovative Properties Company | Radio frequency identification in document management |
| US7588185B2 (en) | 2001-06-07 | 2009-09-15 | 3M Innovative Properties Company | RFID data collection and use |
| JP2020150277A (ja) * | 2007-03-13 | 2020-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2009283777A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2013206122A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Toppan Printing Co Ltd | Ｉｃモジュールとこれを搭載したｉｃカード |
| CN114645976A (zh) * | 2020-12-21 | 2022-06-21 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种纤维预浸带增强复合管及其加工方法 |
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