JPH10247308A - 薄膜磁気ヘッドのギャップ層形成方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドのギャップ層形成方法Info
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- JPH10247308A JPH10247308A JP6377397A JP6377397A JPH10247308A JP H10247308 A JPH10247308 A JP H10247308A JP 6377397 A JP6377397 A JP 6377397A JP 6377397 A JP6377397 A JP 6377397A JP H10247308 A JPH10247308 A JP H10247308A
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- alumina
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁性層上に形成するアルミナギャップ層を薄
くしても、電気的絶縁性能が劣化しないようにし、狭ギ
ャップ化に対応可能とする。 【解決手段】 セラミックス基板上に設ける複数の磁性
層の間をアルミナからなるギャップ層で離間する構造の
薄膜磁気ヘッドを製造する際のギャップ層形成方法であ
る。ＲＦバイアススパッタ法により基板４４上の磁性層
表面にギャップ層を形成する際に、アルミナターゲット
４０側にＲＦ電力を供給してＲＦスパッタ成膜を行うス
パッタモードと、ターゲット側へのＲＦ電力の供給を停
止してＲＦエッチッングを行うエッチングモードとを、
交互に複数回繰り返して、磁性層表面の凸部を平坦化し
つつギャップ層となるアルミナ膜を成膜する。
くしても、電気的絶縁性能が劣化しないようにし、狭ギ
ャップ化に対応可能とする。 【解決手段】 セラミックス基板上に設ける複数の磁性
層の間をアルミナからなるギャップ層で離間する構造の
薄膜磁気ヘッドを製造する際のギャップ層形成方法であ
る。ＲＦバイアススパッタ法により基板４４上の磁性層
表面にギャップ層を形成する際に、アルミナターゲット
４０側にＲＦ電力を供給してＲＦスパッタ成膜を行うス
パッタモードと、ターゲット側へのＲＦ電力の供給を停
止してＲＦエッチッングを行うエッチングモードとを、
交互に複数回繰り返して、磁性層表面の凸部を平坦化し
つつギャップ層となるアルミナ膜を成膜する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドの
製造工程において、磁気ギャップ層となるアルミナ膜を
ＲＦ（高周波）バイアススパッタ法により成膜する方法
に関するものである。更に詳しく述べると本発明は、ス
パッタ成膜の際に、アルミナターゲット側にＲＦ電力を
供給してＲＦスパッタ成膜を行うスパッタモードと、タ
ーゲット側へのＲＦ電力の供給を停止してＲＦエッチッ
ングを行うエッチングモードとを、交互に複数回繰り返
すことにより、アルミナギャップ層の電気的絶縁性能の
向上を図り、狭ギャップ化に対応可能とした薄膜磁気ヘ
ッドのギャップ層形成方法に関するものである。この技
術は、特にハードディスク装置用のＭＲ形薄膜磁気ヘッ
ドの製造に有用である。
製造工程において、磁気ギャップ層となるアルミナ膜を
ＲＦ（高周波）バイアススパッタ法により成膜する方法
に関するものである。更に詳しく述べると本発明は、ス
パッタ成膜の際に、アルミナターゲット側にＲＦ電力を
供給してＲＦスパッタ成膜を行うスパッタモードと、タ
ーゲット側へのＲＦ電力の供給を停止してＲＦエッチッ
ングを行うエッチングモードとを、交互に複数回繰り返
すことにより、アルミナギャップ層の電気的絶縁性能の
向上を図り、狭ギャップ化に対応可能とした薄膜磁気ヘ
ッドのギャップ層形成方法に関するものである。この技
術は、特にハードディスク装置用のＭＲ形薄膜磁気ヘッ
ドの製造に有用である。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスク装置用薄膜磁気ヘッドの
形態には各種あるが、その代表的な例としては誘導形と
ＭＲ複合形がある。誘導形は、基板上に設ける上下２層
の磁極をギャップ層で分離し、両磁極の間に磁界発生用
及び誘導電流ピックアップ用のコイル層を形成する構成
である。ＭＲ複合形は、情報の読取り（再生）にＭＲ効
果（磁気抵抗効果）を利用し、情報の書込みには誘導形
と同様の上下の磁極と磁界発生用コイル層を利用するも
のであり、基板上にＭＲ素子を有する読出し素子部を設
け、該読出し素子部の上に書込み素子部を積層する構成
である。このＭＲ複合形薄膜磁気ヘッドには、読出し素
子部の上部シールド層と書込み素子部の下部磁極とを分
離層（素子間ギャップ）を介して別々に設ける分離型
と、読出し素子部の上部シールド層と書込み素子部の下
部磁極とを兼用させる共有型がある。共有型は形成する
層数が少なく、その分工程が簡略化されることもあっ
て、現在ＭＲ形薄膜磁気ヘッドの主流となっている。
形態には各種あるが、その代表的な例としては誘導形と
ＭＲ複合形がある。誘導形は、基板上に設ける上下２層
の磁極をギャップ層で分離し、両磁極の間に磁界発生用
及び誘導電流ピックアップ用のコイル層を形成する構成
である。ＭＲ複合形は、情報の読取り（再生）にＭＲ効
果（磁気抵抗効果）を利用し、情報の書込みには誘導形
と同様の上下の磁極と磁界発生用コイル層を利用するも
のであり、基板上にＭＲ素子を有する読出し素子部を設
け、該読出し素子部の上に書込み素子部を積層する構成
である。このＭＲ複合形薄膜磁気ヘッドには、読出し素
子部の上部シールド層と書込み素子部の下部磁極とを分
離層（素子間ギャップ）を介して別々に設ける分離型
と、読出し素子部の上部シールド層と書込み素子部の下
部磁極とを兼用させる共有型がある。共有型は形成する
層数が少なく、その分工程が簡略化されることもあっ
て、現在ＭＲ形薄膜磁気ヘッドの主流となっている。
【０００３】共有型のＭＲ薄膜磁気ヘッドの要部の一例
を図４に示す。Ａは浮上面に平行な断面を表し、Ｂはそ
れに垂直なｘ−ｘ断面を表している。前述のように、セ
ラミックス基板１０上に読出し素子部１２を設け、その
上に書込み素子部１４を設ける。読出し素子部１２は、
ＭＲ素子１６と該ＭＲ素子１６の両端に設けたリード１
８を有し、それらが下部シールド層２０と上部シールド
層兼下部磁極２２の間に位置し、間にギャップ層２４が
介在する構成である。書込み素子部１４は、前記上部シ
ールド層兼下部磁極２２、書込み用のギャップ層２６、
上部磁極２８を有し、浮上面から奥まった位置で、上部
シールド層兼下部磁極２２と上部磁極２８との間に絶縁
層３０を介して単層あるいは複数層のコイル層３２を配
置した構成である。
を図４に示す。Ａは浮上面に平行な断面を表し、Ｂはそ
れに垂直なｘ−ｘ断面を表している。前述のように、セ
ラミックス基板１０上に読出し素子部１２を設け、その
上に書込み素子部１４を設ける。読出し素子部１２は、
ＭＲ素子１６と該ＭＲ素子１６の両端に設けたリード１
８を有し、それらが下部シールド層２０と上部シールド
層兼下部磁極２２の間に位置し、間にギャップ層２４が
介在する構成である。書込み素子部１４は、前記上部シ
ールド層兼下部磁極２２、書込み用のギャップ層２６、
上部磁極２８を有し、浮上面から奥まった位置で、上部
シールド層兼下部磁極２２と上部磁極２８との間に絶縁
層３０を介して単層あるいは複数層のコイル層３２を配
置した構成である。
【０００４】図４に示すような薄膜磁気ヘッドのギャッ
プ層２４，２６は、通常、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）膜か
らなり、アルミナターゲットを用いてＲＦ（高周波）ス
パッタ法により所望の膜厚となるように成膜している。
プ層２４，２６は、通常、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）膜か
らなり、アルミナターゲットを用いてＲＦ（高周波）ス
パッタ法により所望の膜厚となるように成膜している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】最近のハードディスク
装置の高記録密度化に伴い、ＭＲ薄膜磁気ヘッドにおい
ても狭ギャップ化が進んでおり、ギャップ層となるアル
ミナ膜の膜厚は非常に薄くなっている。例えば、読出し
素子部側のギャップ長は、現在約３０００Å程度である
が、ＭＲ素子１６をギャップ内に配置することから、下
部シールド層２０とＭＲ素子１６との間のギャップ長は
約１０００Å程度となる。
装置の高記録密度化に伴い、ＭＲ薄膜磁気ヘッドにおい
ても狭ギャップ化が進んでおり、ギャップ層となるアル
ミナ膜の膜厚は非常に薄くなっている。例えば、読出し
素子部側のギャップ長は、現在約３０００Å程度である
が、ＭＲ素子１６をギャップ内に配置することから、下
部シールド層２０とＭＲ素子１６との間のギャップ長は
約１０００Å程度となる。
【０００６】ところでＭＲ薄膜磁気ヘッドでは、ギャッ
プ層を下部シールド層上に形成するが、この下部シール
ド層は、Ｆｅ系金属（例えばＮｉ−ＦｅあるいはＦｅ−
Ａｌ−Ｓｉ等）のメッキ層であるために、表面性状が悪
い（凹凸が大きい）欠点がある。このように表面性状が
悪い下部シールド層上に、薄いギャップ層（アルミナ
膜）を形成しようとすると、下部シールド層の凸部でア
ルミナ膜が非常に薄くなり、電気的絶縁性能が低下する
問題が生じる。そこで十分な電気的絶縁性能を確保する
ために、基板（ウエハー）側にもＲＦ電力を供給するＲ
Ｆバイアススパッタ法が採用されているが、下部シール
ド層の凹凸の程度によっては必ずしも十分な効果が得ら
れない（成膜速度とエッチング速度の関係から十分な平
坦化効果が得られない）。
プ層を下部シールド層上に形成するが、この下部シール
ド層は、Ｆｅ系金属（例えばＮｉ−ＦｅあるいはＦｅ−
Ａｌ−Ｓｉ等）のメッキ層であるために、表面性状が悪
い（凹凸が大きい）欠点がある。このように表面性状が
悪い下部シールド層上に、薄いギャップ層（アルミナ
膜）を形成しようとすると、下部シールド層の凸部でア
ルミナ膜が非常に薄くなり、電気的絶縁性能が低下する
問題が生じる。そこで十分な電気的絶縁性能を確保する
ために、基板（ウエハー）側にもＲＦ電力を供給するＲ
Ｆバイアススパッタ法が採用されているが、下部シール
ド層の凹凸の程度によっては必ずしも十分な効果が得ら
れない（成膜速度とエッチング速度の関係から十分な平
坦化効果が得られない）。
【０００７】このような不具合を解消するためには、予
め基板表面に対してＲＦエッチングを施して下部シール
ド層の凸部の平坦化を図り、その後、ギャップ層となる
アルミナ膜をスパッタ成膜することが考えられる。しか
し、アルミナ膜を成膜する前にＲＦエッチングを施す
と、パターン形成のためのレジストをエッチングしてし
まい、スパッタ装置内部の汚染が生じる。そのためアル
ミナ膜の成膜状態が悪くなり、電気的絶縁性能の劣化が
引き起こされる。
め基板表面に対してＲＦエッチングを施して下部シール
ド層の凸部の平坦化を図り、その後、ギャップ層となる
アルミナ膜をスパッタ成膜することが考えられる。しか
し、アルミナ膜を成膜する前にＲＦエッチングを施す
と、パターン形成のためのレジストをエッチングしてし
まい、スパッタ装置内部の汚染が生じる。そのためアル
ミナ膜の成膜状態が悪くなり、電気的絶縁性能の劣化が
引き起こされる。
【０００８】本発明の目的は、ＲＦバイアススパッタ法
によるギャップ層形成時に、アルミナ成膜と共に磁性層
表面の微小凸部の平坦化を図り、薄いアルミナ膜からな
るギャップ層でも電気的絶縁性能の低下を防止できるよ
うにし、それによって狭ギャップ化に対応可能とした薄
膜磁気ヘッドのギャップ層形成方法を提供することであ
る。
によるギャップ層形成時に、アルミナ成膜と共に磁性層
表面の微小凸部の平坦化を図り、薄いアルミナ膜からな
るギャップ層でも電気的絶縁性能の低下を防止できるよ
うにし、それによって狭ギャップ化に対応可能とした薄
膜磁気ヘッドのギャップ層形成方法を提供することであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、セラミックス
基板上に設ける複数の磁性層の間をアルミナからなるギ
ャップ層で離間する構造の薄膜磁気ヘッドを製造する際
のギャップ層形成方法である。ここで本発明の特徴は、
ＲＦバイアススパッタ法によりギャップ層を成膜する際
に、アルミナターゲット側にＲＦ電力を供給してＲＦス
パッタ成膜を行うスパッタモードと、ターゲット側への
ＲＦ電力の供給を停止してＲＦエッチッングを行うエッ
チングモードとを、交互に複数回繰り返してギャップ層
となるアルミナ膜を成膜する点である。
基板上に設ける複数の磁性層の間をアルミナからなるギ
ャップ層で離間する構造の薄膜磁気ヘッドを製造する際
のギャップ層形成方法である。ここで本発明の特徴は、
ＲＦバイアススパッタ法によりギャップ層を成膜する際
に、アルミナターゲット側にＲＦ電力を供給してＲＦス
パッタ成膜を行うスパッタモードと、ターゲット側への
ＲＦ電力の供給を停止してＲＦエッチッングを行うエッ
チングモードとを、交互に複数回繰り返してギャップ層
となるアルミナ膜を成膜する点である。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明は、例えば図１に示すよう
なＲＦバイアススパッタ成膜装置を用いて行う。アルミ
ナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）ターゲット４０にＲＦ（高周波）電源
４２からＲＦ電力を供給し、基板（ウエハー）４４側に
ＲＦ（高周波）バイアス電源４６を接続してＲＦ電力を
供給する。なおアルミナターゲット４０とＲＦ電源４２
との間には、スイッチ装置４８を介装してＲＦ電力の供
給・停止を制御できるように構成する。ＲＦ周波数は一
般に１３．５６ＭHzが用いられる。なおスパッタ装置の
内部にはアルゴンガス（Ａｒ）を供給する。
なＲＦバイアススパッタ成膜装置を用いて行う。アルミ
ナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）ターゲット４０にＲＦ（高周波）電源
４２からＲＦ電力を供給し、基板（ウエハー）４４側に
ＲＦ（高周波）バイアス電源４６を接続してＲＦ電力を
供給する。なおアルミナターゲット４０とＲＦ電源４２
との間には、スイッチ装置４８を介装してＲＦ電力の供
給・停止を制御できるように構成する。ＲＦ周波数は一
般に１３．５６ＭHzが用いられる。なおスパッタ装置の
内部にはアルゴンガス（Ａｒ）を供給する。
【００１１】スイッチ装置４８をオンにしてアルミナタ
ーゲット４０にＲＦ電力を供給することで、基板４４上
の下部シールド層表面にＲＦバイアススパッタ法でアル
ミナを成膜する。このスパッタモードで極く薄く（本来
必要な膜厚の数分の１程度の膜厚）アルミナ膜を形成し
た後、スイッチ装置４８をオフにしてアルミナターゲッ
ト４０へのＲＦ電力の供給を停止し、ＲＦエッチングを
行う。これらスパッタモードとエッチングモードを交互
に複数回にわたって繰り返す。表面に微小な凸部のある
下部シールド層にＲＦエッチングを施すと、エッジ効果
により凸部先端に電荷の収束が起こり、選択的にエッチ
ングされる。その際、表面のレジストはアルミナ膜で覆
われているためにエッチングされず、スパッタ装置内部
を汚染することはない。選択的なエッチングによって、
突出している下部シールド層の凸部先端が平坦化され
る。これによって下部シールド層の凸部は平坦化され、
その上にアルミナ膜が形成され易くなり、最終的に必要
な膜厚まで成膜される。
ーゲット４０にＲＦ電力を供給することで、基板４４上
の下部シールド層表面にＲＦバイアススパッタ法でアル
ミナを成膜する。このスパッタモードで極く薄く（本来
必要な膜厚の数分の１程度の膜厚）アルミナ膜を形成し
た後、スイッチ装置４８をオフにしてアルミナターゲッ
ト４０へのＲＦ電力の供給を停止し、ＲＦエッチングを
行う。これらスパッタモードとエッチングモードを交互
に複数回にわたって繰り返す。表面に微小な凸部のある
下部シールド層にＲＦエッチングを施すと、エッジ効果
により凸部先端に電荷の収束が起こり、選択的にエッチ
ングされる。その際、表面のレジストはアルミナ膜で覆
われているためにエッチングされず、スパッタ装置内部
を汚染することはない。選択的なエッチングによって、
突出している下部シールド層の凸部先端が平坦化され
る。これによって下部シールド層の凸部は平坦化され、
その上にアルミナ膜が形成され易くなり、最終的に必要
な膜厚まで成膜される。
【００１２】図２に本発明方法によるアルミナ膜の成膜
状態を示し、図３に従来方法によるアルミナ膜の成膜状
態を示す。アルミナ保護膜５０を形成した基板（ウエハ
ー）４４上に下部シールド層５２を形成すると、下部シ
ールド層５２がＦｅ系金属のメッキ層であるために、表
面性状が悪い。これを模式的に描くと、図３に示すよう
に、先端が尖った微小な凸部５２ａが多数分散存在する
ような表面状態になっている。従来方法では、このまま
ＲＦスパッタ法でアルミナ膜５４を成膜するため、凸部
の尖った先端では膜厚が薄くなり、電気的絶縁性能はど
うしても低下する。それに対して本発明方法では、スパ
ッタモードとエッチングモードを交互に複数回行うこと
により、下部シールド層５２の凸部の先端は選択的にエ
ッチングされて、図２に示すように凸部５２ｂの先端は
平坦化され、その結果、凸部５２ｂの上にも十分な膜厚
のアルミナ膜５４を形成できることになる。
状態を示し、図３に従来方法によるアルミナ膜の成膜状
態を示す。アルミナ保護膜５０を形成した基板（ウエハ
ー）４４上に下部シールド層５２を形成すると、下部シ
ールド層５２がＦｅ系金属のメッキ層であるために、表
面性状が悪い。これを模式的に描くと、図３に示すよう
に、先端が尖った微小な凸部５２ａが多数分散存在する
ような表面状態になっている。従来方法では、このまま
ＲＦスパッタ法でアルミナ膜５４を成膜するため、凸部
の尖った先端では膜厚が薄くなり、電気的絶縁性能はど
うしても低下する。それに対して本発明方法では、スパ
ッタモードとエッチングモードを交互に複数回行うこと
により、下部シールド層５２の凸部の先端は選択的にエ
ッチングされて、図２に示すように凸部５２ｂの先端は
平坦化され、その結果、凸部５２ｂの上にも十分な膜厚
のアルミナ膜５４を形成できることになる。
【００１３】本発明において、ＲＦバイアススパッタモ
ードとＲＦエッチングモードを繰り返す回数は、３〜７
回程度とするのが好ましく、特に５回程度とするのが好
ましい。回数が少ないと凸部の平坦化の効果が少ないた
めに電気的絶縁性能は向上し難く、逆に回数が多過ぎる
と、成膜用治具などのエッチングが甚だしくなって生じ
た金属粉がアルミナ膜中に混入し、それによって電気的
絶縁性能の低下が見られるためである。
ードとＲＦエッチングモードを繰り返す回数は、３〜７
回程度とするのが好ましく、特に５回程度とするのが好
ましい。回数が少ないと凸部の平坦化の効果が少ないた
めに電気的絶縁性能は向上し難く、逆に回数が多過ぎる
と、成膜用治具などのエッチングが甚だしくなって生じ
た金属粉がアルミナ膜中に混入し、それによって電気的
絶縁性能の低下が見られるためである。
【００１４】本発明は、特にＭＲ複合形薄膜磁気ヘッド
の読出し素子部側のギャップ層のように、下地の表面に
凹凸があるなど表面性状が悪く、その上に非常に薄いア
ルミナ膜を形成したい場合に特に有効である。書込み素
子部側のギャップ層形成や、誘導型薄膜磁気ヘッドのギ
ャップ層形成にも適用できるが、それらの場合には比較
的膜厚を厚くできるために、本発明方法を採用しなくて
も十分な電気的絶縁性能を確保することが可能である。
の読出し素子部側のギャップ層のように、下地の表面に
凹凸があるなど表面性状が悪く、その上に非常に薄いア
ルミナ膜を形成したい場合に特に有効である。書込み素
子部側のギャップ層形成や、誘導型薄膜磁気ヘッドのギ
ャップ層形成にも適用できるが、それらの場合には比較
的膜厚を厚くできるために、本発明方法を採用しなくて
も十分な電気的絶縁性能を確保することが可能である。
【００１５】
【実施例】アルミナ保護膜を形成した基板（ウエハー）
にＦｅ系金属をメッキすることで下部シールド層を形成
し、ギャップ層となるアルミナ膜を成膜するＲＦバイア
ススパッタモードと、下部シールド層の凸部のエッチン
グを施して平坦化を図るＲＦエッチングモードを交互に
行った。方法としては、図１に示す装置を用い、ＲＦバ
イアススパッタ法にてアルミナ膜を成膜し、成膜途中で
ターゲット側のＲＦ電力を切断してＲＦエッチングモー
ドに移行し、ある程度のＲＦエッチングを行い、再びＲ
Ｆバイアススパッタモードに移行する。これを繰り返す
ことで、必要な膜厚までアルミナ膜を形成した。繰り返
し回数と電気的絶縁性能の関係を表１に示す。最終的な
アルミナ膜厚は約１０００Åとし、スパッタモードから
エッチングモードへの移行は、各スパッタモード時の膜
厚が一定となるよう時間調整した。なお表１において、
繰り返し回数０回とはスパッタのみを行いエッチングを
行わなかった場合（従来方法）のことである。
にＦｅ系金属をメッキすることで下部シールド層を形成
し、ギャップ層となるアルミナ膜を成膜するＲＦバイア
ススパッタモードと、下部シールド層の凸部のエッチン
グを施して平坦化を図るＲＦエッチングモードを交互に
行った。方法としては、図１に示す装置を用い、ＲＦバ
イアススパッタ法にてアルミナ膜を成膜し、成膜途中で
ターゲット側のＲＦ電力を切断してＲＦエッチングモー
ドに移行し、ある程度のＲＦエッチングを行い、再びＲ
Ｆバイアススパッタモードに移行する。これを繰り返す
ことで、必要な膜厚までアルミナ膜を形成した。繰り返
し回数と電気的絶縁性能の関係を表１に示す。最終的な
アルミナ膜厚は約１０００Åとし、スパッタモードから
エッチングモードへの移行は、各スパッタモード時の膜
厚が一定となるよう時間調整した。なお表１において、
繰り返し回数０回とはスパッタのみを行いエッチングを
行わなかった場合（従来方法）のことである。
【００１６】
【表１】
【００１７】この結果から、繰り返し回数を５回程度と
したときに最も効果があることが分かった。繰り返し回
数が多過ぎたとき（例えば１０回）に逆に電気的絶縁性
能が低下する理由は、成膜用治具などがエッチングされ
て、それにより生じた金属粉などがアルミナ膜中に混入
するためと考えられる。それ故、繰り返し回数が多過ぎ
ても好ましくない結果となる。
したときに最も効果があることが分かった。繰り返し回
数が多過ぎたとき（例えば１０回）に逆に電気的絶縁性
能が低下する理由は、成膜用治具などがエッチングされ
て、それにより生じた金属粉などがアルミナ膜中に混入
するためと考えられる。それ故、繰り返し回数が多過ぎ
ても好ましくない結果となる。
【００１８】
【発明の効果】本発明は上記のように、ＲＦバイアス成
膜を行うスパッタモードと、ＲＦエッチング工程とを交
互に複数回行い、ギャップ層となるアルミナ膜を成膜す
る方法であるから、磁性層表面の凸部が平坦化され、ア
ルミナ膜が薄くても電気的絶縁性能が劣化するのを防止
できる。これによってＭＲ薄膜磁気ヘッドの狭ギャップ
化に対応可能となる。
膜を行うスパッタモードと、ＲＦエッチング工程とを交
互に複数回行い、ギャップ層となるアルミナ膜を成膜す
る方法であるから、磁性層表面の凸部が平坦化され、ア
ルミナ膜が薄くても電気的絶縁性能が劣化するのを防止
できる。これによってＭＲ薄膜磁気ヘッドの狭ギャップ
化に対応可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法で用いるスパッタ成膜装置の一例を
示す概略図。
示す概略図。
【図２】本発明方法によるアルミナ膜形成状態の説明
図。
図。
【図３】従来方法によるアルミナ膜形成状態の説明図。
【図４】ＭＲ複合形薄膜磁気ヘッドの要部の一例を示す
説明図。
説明図。
４０ アルミナターゲット ４２ ＲＦ電源 ４４ 基板 ４６ ＲＦバイアス電源 ４８ スイッチ装置 ５２ 下部シールド層 ５２ａ，５２ｂ 凸部 ５４ アルミナ膜
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミックス基板上に設ける複数の磁性
層の間をアルミナからなるギャップ層で離間する構造の
薄膜磁気ヘッドを製造する際のギャップ層形成方法にお
いて、 ＲＦバイアススパッタ法によりギャップ層を形成する際
に、アルミナターゲット側にＲＦ電力を供給してＲＦス
パッタ成膜を行うスパッタモードと、ターゲット側への
ＲＦ電力の供給を停止してＲＦエッチッングを行うエッ
チングモードとを、交互に複数回繰り返してギャップ層
となるアルミナ膜を成膜することを特徴とする薄膜磁気
ヘッドのギャップ層形成方法。 - 【請求項２】 スパッタモードとエッチングモードを交
互に３〜５回繰り返す請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの
ギャップ層形成方法。 - 【請求項３】 形成するギャップ層が、ＭＲ複合形薄膜
磁気ヘッドの読出し素子部側のギャップ層である請求項
１又は２記載の薄膜磁気ヘッドのギャップ層形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6377397A JPH10247308A (ja) | 1997-03-03 | 1997-03-03 | 薄膜磁気ヘッドのギャップ層形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6377397A JPH10247308A (ja) | 1997-03-03 | 1997-03-03 | 薄膜磁気ヘッドのギャップ層形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10247308A true JPH10247308A (ja) | 1998-09-14 |
Family
ID=13239036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6377397A Pending JPH10247308A (ja) | 1997-03-03 | 1997-03-03 | 薄膜磁気ヘッドのギャップ層形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10247308A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7247343B2 (en) | 2003-08-27 | 2007-07-24 | Tdk Corporation | Method for manufacturing magnetic recording medium |
| KR20200110814A (ko) * | 2018-02-19 | 2020-09-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 두꺼운 막들에서 결정화의 개시를 중단하기 위해 스퍼터 식각을 사용하는 pvd 이산화티타늄 형성 |
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1997
- 1997-03-03 JP JP6377397A patent/JPH10247308A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7247343B2 (en) | 2003-08-27 | 2007-07-24 | Tdk Corporation | Method for manufacturing magnetic recording medium |
| KR20200110814A (ko) * | 2018-02-19 | 2020-09-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 두꺼운 막들에서 결정화의 개시를 중단하기 위해 스퍼터 식각을 사용하는 pvd 이산화티타늄 형성 |
| US11008647B2 (en) * | 2018-02-19 | 2021-05-18 | Applied Materials, Inc. | PVD titanium dioxide formation using sputter etch to halt onset of crystalinity in thick films |
| JP2021515095A (ja) * | 2018-02-19 | 2021-06-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 厚膜内の結晶化の開始を停めるためのスパッタエッチングを使用したｐｖｄ二酸化チタン形成 |
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