JPH10247380A - 高速および高密度システム用のメモリ・モジュール - Google Patents

高速および高密度システム用のメモリ・モジュール

Info

Publication number
JPH10247380A
JPH10247380A JP9351068A JP35106897A JPH10247380A JP H10247380 A JPH10247380 A JP H10247380A JP 9351068 A JP9351068 A JP 9351068A JP 35106897 A JP35106897 A JP 35106897A JP H10247380 A JPH10247380 A JP H10247380A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
board
memory
interface
memory module
interface connection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9351068A
Other languages
English (en)
Inventor
Wilbur C Vogley
シー.ボグリィ ウィルバー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of JPH10247380A publication Critical patent/JPH10247380A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Memory System (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高性能のシステムが必要とする高い帯域幅で
しかも低い物理的レイテンシでデータを供給するメモリ
・モジュールを提供する。 【解決手段】 メモリ・モジュール10に、外側シール
ド12とボード14と複数のメモリ・デバイス16とイ
ンターフェース接続部22と第1および第2のインター
フェース・ドライバ18, 20とを設ける。ボード14
はメモリ・デバイス16との間で情報を通信し、インタ
ーフェース接続部22はメモリ・モジュール10との間
で情報を通信する。第1のインターフェース・ドライバ
18はインターフェース接続部22からの情報をボード
14に通信し、第2のインターフェース・ドライバ20
はボード14からの情報をインターフェース接続部22
に通信する。電力分配ストリップ24を設けて、電力を
ボード14に供給する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的には、電子
システムの分野に関し、特に、高速および高密度のシス
テム用のメモリ・モジュールに関するものである。
【0002】
【従来の技術】コンピュータおよびその他の電子システ
ムは、システム・メモリに対しますます大きな要求をも
っている。このことは、高性能のプロセッサおよび並列
処理システム・アーキテクチャには特に当てはまる。電
子システムは、それらのプロセッサおよびソフトウェア
・アプリケーションをサポートするために、数ギガバイ
トを超えるメイン・メモリ(例えば、DRAMメモリ)
を備えることが予期されている。このようなシステムに
その要求されているメモリ空間を設けることは、アドレ
ス指定速度、密度、電力消費、電力分配、相互接続、イ
ンターフェースおよび物理的空間に関する問題を生み出
す。大きなメモリ空間により発生する問題に対処するあ
る従来の方法には、RAMBUSがあり、これは多くの
数のメモリ・デバイス間の通信を提供する単一バス・ア
ーキテクチャである。しかし、このRAMBUS法は、
帯域幅が制限され、また高いオーバーヘッドをもってい
て、これにより、RAMBUSがそのピークの利用可能
なバスデータ転送レートを使うことをできなくしてい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明によれば、高速
および高密度のシステム用のメモリ・モジュールを提供
し、これは、従来技術のメモリ・モジュールの問題およ
び欠点を低減あるいは取り除くものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の一実施例によれ
ば、メモリ・モジュールを設け、このメモリ・モジュー
ルは、その外側周囲を形成する外側シールドを有する。
ボードを外側シールドの内側に配置しかつ前記外側シー
ルドと同延(coextensive)として、前記メモリ・モジュ
ールの外側部分と内側部分を定める。前記ボードには複
数のメモリ・デバイスを接続し、かつこれらを前記外側
シールドと前記ボードとの間の前記外側部分内に配置す
る。前記ボードは、前記メモリ・デバイスとの間で情報
を通信するように動作可能である。前記内側部分内には
インターフェース接続部を配置し、これは、前記メモリ
・モジュールとの間で情報を通信するよう動作可能であ
る。前記インターフェース接続部と前記ボードとの間に
は第1のインターフェース・ドライバを接続して、前記
インターフェース接続部からの情報を前記ボードに通信
する。前記インターフェース接続部と前記ボードとの間
には第2のインターフェース・ドライバを接続して、前
記ボードからの情報を前記インターフェース接続部に通
信する。電力分配ストリップを前記内側部分内に配置
し、前記ボードに接続して電力を前記ボードに供給す
る。本発明の1つの側面によれば、複数の前記メモリ・
モジュールは互いにスタックされてメモリ・タワーを形
成することができる。
【0005】本発明の技術的利点は、高性能のシステム
が必要とする高い帯域幅でしかも低い物理的レイテンシ
(latency) でデータを供給するメモリ・モジュール・サ
ブシステムを提供できることである。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明のより完全な理解並びにそ
の利点については、添付図面と共に以下の説明を参照す
ることにより得られる。尚、図面においては、同じ参照
符号で同じ要素を示す。図1は、本発明の教示内容によ
り構成された、全体を符号10で示すメモリ・モジュー
ルの一実施例のブロック図である。メモリ・モジュール
10は、外側シールド12とフレックス・ボード14と
を備え、これらは複数のメモリ・デバイス16の容器を
形成している。外側シールド12はまた、冷却容器の境
界を形成しており、この冷却容器内において空気または
液体をメモリ・デバイス16の間に通す。図示のよう
に、複数のメモリ・デバイス16はフレックス・ボード
14に接続されており、このフレックス・ボード14は
さらにインターフェース(I/F)ドライバ18および
インターフェース・ドライバ20に接続されている。イ
ンターフェース・ドライバ18とインターフェース・ド
ライバ20とはインターフェース接続部22に接続され
ている。本発明の一実施例においては、インターフェー
ス接続部22は、メモリ・モジュール10との間で情報
を運ぶための光ファイバを含む。インターフェース・ド
ライバ18は、インターフェース接続部22からの情報
をフレックス・ボード14へそして適当なメモリ・デバ
イス16へ通信するように動作する。逆に、インターフ
ェース・ドライバ20は、メモリ・デバイス16からの
情報をフレックス・ボード14へそしてインターフェー
ス接続部22へと通信するように動作する。メモリ・モ
ジュール10はさらに、電力をフレックス・ボード14
に供給する電力分配ストリップ24を含む。
【0007】動作において、メモリ・モジュール10
は、フレックス・ボード14とインターフェース・ドラ
イバ18とインターフェース・ドライバ20とインター
フェース接続部22とを介してメモリ・デバイス16へ
のインターフェースを提供する。高い動作速度において
は、種々のメモリ・デバイスへの信号およびクロックの
分配には、位相ロック・ループまたはその他の適当な同
期法を利用することができる。
【0008】一般的には、本発明では、フレキシブルな
光ケーブルを用いてインターフェース・ドライバの周囲
にSDRAMのようなメモリ・デバイスを搭載する。1
00MHzでは、各メモリ・デバイス間のベース・シフ
トはおよそ400ピコ秒以下とすることができ、そのた
め、クロックまたはデータシフトに対するニーズは存在
しない。500MHzの速度では、位相ロック・ループ
のクロック分配が使用できる。例えば、データはインタ
ーフェース・ドライバで多重化できる。このとき、例え
ばスモール・コンピュータ・インターフェース(SC
I)スタンダードにより指定された光インターフェース
にガリウム砒素(GaAs) レーザ・ドライブを使用する
と、データを1つのメモリ・モジュールから次のものへ
と単一方向インターフェースで渡すことができる。この
メモリ・モジュール内の各メモリ・デバイスの場所は、
複数のメモリ・デバイスを単一のインターフェース・ド
ライバの周りに置くことを可能にすることができる。次
に、このメモリ・モジュールは、三次元パッケージング
・コンセプトと同様、図4に示すように、タワー内にス
タックすることができる。これらスタックは、多数のメ
モリ・モジュールの深さ(memory module deep) のもの
とできる。これらメモリ・モジュールは、例えば、端と
端をつないで装着することができ、その際、タワー内の
最後のメモリ・モジュールは終端器(terminator)をも
つ。ここで、終端器は、単に、それらメモリ・モジュー
ルを通過する第2のファイバを通るように光経路を向け
直す。上述したように、メモリ・モジュールには、電力
消費表面の一部としても作用するメモリ・モジュールの
内側に沿ってラミネート形のフラットな電力バスをもた
せることができる。これらメモリ・タワーはまた、強制
の空冷または液冷を容易にするようにように囲うことが
できる。これらのメモリ・タワーは、単一のあるいは別
個のコントーラで、互いに直列にあるいは並列に結合す
るようにできる。本発明のこれらメモリ・モジュール
は、速度、密度、電力消費、電力分配、相互接続、イン
ターフェースおよび物理的空間に関する問題の対処にお
いて、利点を提供する。
【0009】図2は、本発明の教示内容にしたがって構
成された、全体を符号26で示すメモリ・モジュールの
別の実施例のブロック図である。図示のように、メモリ
・モジュール26は図1のものと類似していて、外側シ
ールド12、フレックス・ボード14および複数のメモ
リ・デバイス16を備えている。メモリ・モジュール2
6はまた、インターフェース・ドライバ18、インター
フェース・ドライバ20およびインターフェース接続部
22を備えている。加えて、メモリ・モジュール26
は、電力分配ストリップ24を含んでいる。これら部分
は、図1の実施例と同じ方法でメモリ・デバイス16に
対するアクセスを提供するように動作する。図2のメモ
リ・モジュール26と図1のメモリ・モジュール10と
の違いは、メモリ・モジュール26がより多くの数のメ
モリ・デバイス16を有していることである。しかし、
メモリ・モジュールは、所望の用途に適切な様々な数の
メモリ・デバイス16をもつように、本発明に従って構
成することができる。
【0010】図3は、本発明の教示内容により構成され
た、全体を符号30で示すメモリ・モジュールのさらに
別の実施例のブロック図である。メモリ・モジュール3
0は、矩形形状をもち、ある種の環境においては、図1
および図2に示した円形形状よりは低コストで生産する
ことができる。メモリ・モジュール30は、外側シール
ド32をもち、これは、部分的に、このメモリ・モジュ
ール30のコーナーにおいて複数の冷却領域を定める。
ボード36は、複数のメモリ・デバイス38が接続され
る内側表面を定めている。上記の実施例と同様に、空気
またはその他の流体をメモリ・デバイス38の間並びに
冷却領域34に通して、この構造により熱を放散させる
ようにする。インターフェース・ドライバ40とインタ
ーフェース・ドライバ42とは、ボード36に接続さ
れ、また、インターフェース接続部44にも接続されて
いる。本発明の一実施例においては、インターフェース
接続部44は、メモリ・モジュール30との間で情報を
通信するための光ファイバを含む。インターフェース・
ドライバ40は、インターフェース接続部44からの情
報のボード36へのまた適当なメモリ・デバイス38へ
の通信を提供する。インターフェース・ドライバ42
は、メモリ・デバイス38およびメモリ・ボード36か
らの情報のインターフェース接続部44への通信を提供
する。メモリ・モジュール30はさらに、ボード36お
よびメモリ・デバイス38へ電力を供給するための電力
分配ストリップ46を備えている。
【0011】図4Aは、本発明の教示内容による、全体
を符号50で示したメモリ・モジュールのメモリ・タワ
ー・アセンブリの一実施例のブロック図である。図4B
は、図4Aの一部の拡大図である。メモリ・タワー・ア
センブリ50は、スタックされかつ互いに接続された複
数の別個のメモリ・モジュール52を備えている。各メ
モリ・モジュール52は、光ファイバとの単一方向の内
部メモリ通信インターフェースを有するように構成され
ている。その光ファイバは、全てのメモリ・モジュール
52に通されており、信号をメモリ・モジュール52を
通して戻すことにより終端されている。メモリ・モジュ
ール52は、メモリ・バスに沿ってコンピュータ・シス
テムの残りの部分と通信する。本発明のこのメモリ・タ
ワー・モジュール・アセンブリ50により、比較的小さ
な物理的領域が大量のメイン・メモリを包含することを
可能とする。例えば、22インチ×22インチ×4イン
チ(約56cm×約56cm×約10cm)の領域に、
512ギガバイトのメイン・メモリを含めることができ
る。
【0012】以上、本発明について詳細に説明したが、
特許請求の範囲により定めた本発明の精神および範囲か
ら逸脱せずに、種々の変形、置換、変更が行えることは
理解されるべきである。
【0013】以上の説明に関してさらに以下の項を開示
する。 (1) メモリ・モジュールであって、該メモリ・モジ
ュールの外側周囲を形成する外側シールドと、該外側シ
ールドの内側に配置された、該外側シールドと同延であ
りかつ前記メモリ・モジュールの外側部分および内側部
分を定めるボードと、該ボードに接続されかつ前記外側
シールドと前記ボードとの間の前記外側部分内に配置さ
れた複数のメモリ・デバイスであって、前記ボードが該
メモリ・デバイスとの間で情報を通信するように動作可
能である、前記複数のメモリ・デバイスと、前記内側部
分内に配置された、前記メモリ・モジュールとの間で情
報を通信するよう動作可能なインターフェース接続部
と、該インターフェース接続部と前記ボードとの間に接
続された、前記インターフェース接続部からの情報を前
記ボードに通信するよう動作可能な第1のインターフェ
ース・ドライバと、前記インターフェース接続部と前記
ボードとの間に接続された、前記ボードからの情報を前
記インターフェース接続部に通信するよう動作可能な第
2のインターフェース・ドライバと、前記内側部分内に
配置されかつ前記ボードに接続された電力を前記ボード
に供給するよう動作可能な電力分配ストリップと、を含
むメモリ・モジュール。
【0014】(2) 前記インターフェース接続部は光
ファイバを含む、第1項記載のメモリ・モジュール。 (3) 前記外側シールドは形状が円筒状であり、前記
ボードは円筒形状をもつフレックス・ボードを含む、第
1項記載のメモリ・モジュール。 (4) 前記外側シールドと前記ボードとは形状が矩形
である、第1項記載のメモリ・モジュール。 (5) 前記インターフェース接続部は第2のメモリ・
モジュールに接続されてメモリ・タワーを形成する、第
1項記載のメモリ・モジュール。 (6) 前記メモリ・モジュールの前記外側部分中に空
気を循環させて前記メモリ・モジュールを冷却する、第
1項記載のメモリ・モジュール。 (7) 前記メモリ・モジュールの前記外側部分中に冷
却用流体を循環させて前記メモリ・モジュールを冷却す
る、第1項記載のメモリ・モジュール。 (8) 前記複数のメモリ・モジュールはDRAMモジ
ュールを含む、第1項記載のメモリ・モジュール。 (9) 前記複数のメモリ・モジュールはSDRAMモ
ジュールを含む、第1項記載のメモリ・モジュール。
【0015】(10) メモリ・タワーであって、複数
の相互接続されたメモリ・モジュールであって、各メモ
リ・モジュールが、該メモリ・モジュールの外側周囲を
形成する外側シールドと、該外側シールドの内側に配置
された、該外側シールドと同延でありかつ前記メモリ・
モジュールの外側部分および内側部分を定めるボード
と、該ボードに接続されかつ前記外側シールドと前記ボ
ードとの間の前記外側部分内に配置された複数のメモリ
・デバイスであって、前記ボードが該メモリ・デバイス
との間で情報を通信するように動作可能である、前記複
数のメモリ・デバイスと、前記内側部分内に配置され
た、前記メモリ・モジュールとの間で情報を通信するよ
う動作可能なインターフェース接続部と、前記インター
フェース接続部と前記ボードとの間に接続された、前記
インターフェース接続部からの情報を前記ボードに通信
するよう動作可能な第1のインターフェース・ドライバ
と、前記インターフェース接続部と前記ボードとの間に
接続された、前記ボードからの情報を前記インターフェ
ース接続部に通信するよう動作可能な第2のインターフ
ェース・ドライバと、前記内側部分内に配置されかつ前
記ボードに接続された、電力を前記ボードに供給するよ
う動作可能な電力分配ストリップと、を含む前記のメモ
リ・モジュールと、隣接したメモリ・モジュールの前記
インターフェース接続部に接続された、トップのメモリ
・モジュールをそれ自身にループバックさせて前記メモ
リ・タワーのボトムからトップへそして次にトップから
ボトムへの単一方向である前記メモリ・タワーを通る通
信経路を形成する、各メモリ・モジュールのインターフ
ェース接続部と、を含むメモリ・タワー。 (11) 各メモリ・モジュールの前記インターフェー
ス接続部は光ファイバを含む、第10項記載のメモリ・
タワー。
【0016】(12) メモリ・モジュールを構成する
方法であって、外側シールドの内側に該外側シールドと
同延のボードを配置することによりメモリ・デバイス用
の容器を形成するステップであって、前記容器は内側部
分と外側部分とを有する、前記ステップと、複数のメモ
リ・デバイスを前記ボードに接続しかつ前記メモリ・デ
バイスを前記外側部分内に配置するステップであって、
前記ボードは前記メモリ・デバイスとの間で情報を通信
するように動作可能である、前記ステップと、前記内側
部分内にインターフェース接続部を配置するステップで
あって、前記インターフェース接続部は前記メモリ・モ
ジュールとの間で情報を通信するよう動作可能である、
前記ステップと、前記インターフェース接続部と前記ボ
ードとの間に第1のインターフェース・ドライバを接続
するステップであって、前記第1のインターフェース・
ドライバは前記インターフェース接続部からの情報を前
記ボードに通信するよう動作可能である、前記ステップ
と、前記インターフェース接続部と前記ボードとの間に
第2のインターフェース・ドライバを接続するステップ
であって、前記第2のインターフェース・ドライバは前
記ボードからの情報を前記インターフェース接続部に通
信するよう動作可能である、前記ステップと、前記内側
部分内に電力分配ストリップを配置するステップであっ
て、前記電力分配ストリップは前記ボードに接続されか
つ電力を前記ボードに供給するよう動作可能である、前
記ステップと、を含む方法。
【0017】(13) 前記インターフェース接続部は
光ファイバを含む、第12項記載の方法。 (14) 前記容器を形成するステップは、円筒形状で
前記外側シールドを形成するステップと、フレックス・
ボードから円筒形状で前記ボードを形成するステップと
を含む、第12項記載の方法。 (15) 前記容器を形成するステップは前記外側シー
ルドと前記ボードとを矩形形状で形成するステップを含
む、第12項記載の方法。 (16) 前記インターフェース接続部を第2のメモリ
・モジュールに接続してメモリ・タワーを形成するステ
ップをさらに含む、第12項記載の方法。 (17) 前記メモリ・モジュールの前記外側部分に空
気を循環させて前記メモリ・モジュールを冷却するステ
ップをさらに含む、第12項記載の方法。 (18) 前記メモリ・モジュールの前記外側部分に冷
却用流体を循環させて前記メモリ・モジュールを冷却す
るステップをさらに含む、第12項記載の方法。 (19) 前記複数のメモリ・モジュールはDRAMモ
ジュールを含む、第12項記載の方法。 (20) 前記複数のメモリ・モジュールはSDRAM
モジュールを含む、第12項記載の方法。
【0018】(21) メモリ・モジュール10を設
け、このメモリ・モジュール10は、これの外側周囲を
形成する外側シールド12を有する。ボード14を外側
シールド12の内側に配置しかつ外側シールド12と同
延として、メモリ・モジュール10の外側部分および内
側部分を定める。複数のメモリ・デバイス16をボード
14に接続しかつ外側シールド12とボード14との間
の外側部分内に配置する。ボード14は、メモリ・デバ
イス16との間で情報を通信するように動作可能であ
る。内側部分内にはインターフェース接続部22を配置
し、これは、メモリ・モジュール10との間で情報を通
信するよう動作可能である。インターフェース接続部と
ボードとの間には第1のインターフェース・ドライバ1
8を接続して、インターフェース接続部22からの情報
をボード14に通信する。インターフェース接続部22
とボード14との間には第2のインターフェース・ドラ
イバ20を接続して、ボード14からの情報をインター
フェース接続部22に通信する。内側部分内に電力分配
ストリップ24を配置しかつボード14に接続して、電
力をボード14に供給する。複数のメモリ・モジュール
10は互いにスタックされてメモリ・タワー50を形成
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の教示内容により構成したメモリ・モジ
ュールの一実施例のブロック図。
【図2】本発明の教示内容により構成したメモリ・モジ
ュールの別の実施例のブロック図。
【図3】本発明の教示内容により構成したメモリ・モジ
ュールのさらに別の実施例のブロック図。
【図4】Aは本発明の教示内容により構成した複数のメ
モリ・モジュールのタワー・アセンブリの実施例のブロ
ック図、BはAの一部の拡大図。
【符号の説明】
10,26,30,52 メモリ・モジュール 12,32 外側シールド 14,36 ボード 16,38 メモリ・デバイス 18,20,40,42 インターフェース・ドライバ 22,44 インターフェース接続部 24,46 電力分配ストリップ 50 メモリ・タワー

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 メモリ・モジュールであって、 該メモリ・モジュールの外側周囲を形成する外側シール
    ドと、 該外側シールドの内側に配置された、該外側シールドと
    同延でありかつ前記メモリ・モジュールの外側部分およ
    び内側部分を定めるボードと、 該ボードに接続されかつ前記外側シールドと前記ボード
    との間の前記外側部分内に配置された複数のメモリ・デ
    バイスであって、前記ボードが該メモリ・デバイスとの
    間で情報を通信するように動作可能である、前記複数の
    メモリ・デバイスと、 前記内側部分内に配置された、前記メモリ・モジュール
    との間で情報を通信するよう動作可能なインターフェー
    ス接続部と、 該インターフェース接続部と前記ボードとの間に接続さ
    れた、前記インターフェース接続部からの情報を前記ボ
    ードに通信するよう動作可能な第1のインターフェース
    ・ドライバと、 前記インターフェース接続部と前記ボードとの間に接続
    された、前記ボードからの情報を前記インターフェース
    接続部に通信するよう動作可能な第2のインターフェー
    ス・ドライバと、 前記内側部分内に配置されかつ前記ボードに接続され
    た、電力を前記ボードに供給するよう動作可能な電力分
    配ストリップと、を含むメモリ・モジュール。
  2. 【請求項2】 メモリ・モジュールを構成する方法であ
    って、 外側シールドの内側に該外側シールドと同延のボードを
    配置することによりメモリ・デバイス用の容器を形成す
    るステップであって、前記容器は内側部分と外側部分と
    を有する、前記ステップと、 複数のメモリ・デバイスを前記ボードに接続しかつ前記
    メモリ・デバイスを前記外側部分内に配置するステップ
    であって、前記ボードは前記メモリ・デバイスとの間で
    情報を通信するように動作可能である、前記ステップ
    と、 前記内側部分内にインターフェース接続部を配置するス
    テップであって、前記インターフェース接続部は前記メ
    モリ・モジュールとの間で情報を通信するよう動作可能
    である、前記ステップと、 前記インターフェース接続部と前記ボードとの間に第1
    のインターフェース・ドライバを接続するステップであ
    って、前記第1のインターフェース・ドライバは前記イ
    ンターフェース接続部からの情報を前記ボードに通信す
    るよう動作可能である、前記ステップと、 前記インターフェース接続部と前記ボードとの間に第2
    のインターフェース・ドライバを接続するステップであ
    って、前記第2のインターフェース・ドライバは前記ボ
    ードからの情報を前記インターフェース接続部に通信す
    るよう動作可能である、前記ステップと、 前記内側部分内に電力分配ストリップを配置するステッ
    プであって、前記電力分配ストリップは前記ボードに接
    続されかつ電力を前記ボードに供給するよう動作可能で
    ある、前記ステップと、を含む方法。
JP9351068A 1996-12-19 1997-12-19 高速および高密度システム用のメモリ・モジュール Pending JPH10247380A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US3351096P 1996-12-19 1996-12-19
US033510 1996-12-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10247380A true JPH10247380A (ja) 1998-09-14

Family

ID=21870811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9351068A Pending JPH10247380A (ja) 1996-12-19 1997-12-19 高速および高密度システム用のメモリ・モジュール

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0849738A3 (ja)
JP (1) JPH10247380A (ja)
KR (1) KR19980064369A (ja)
TW (1) TW386199B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100688515B1 (ko) * 2005-01-06 2007-03-02 삼성전자주식회사 메모리 모듈 및 시스템
US9343449B2 (en) 2012-07-06 2016-05-17 Nvidia Corporation Alternative 3D stacking scheme for DRAMs atop GPUs

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3908155A (en) * 1974-04-19 1975-09-23 Ibm Wafer circuit package
KR960012649B1 (en) * 1987-04-22 1996-09-23 Hitachi Ltd Wafer scale or full wafer memory system, package, method thereof and wafer processing method employed therein

Also Published As

Publication number Publication date
EP0849738A3 (en) 1999-04-21
EP0849738A2 (en) 1998-06-24
KR19980064369A (ko) 1998-10-07
TW386199B (en) 2000-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5150279A (en) High performance computer system with platters and unidirectional storage modules therebetween
US10681846B2 (en) Cooling electronic devices in a data center
US7568115B2 (en) Power delivery and power management of many-core processors
EP1826765B1 (en) Methods and systems for reducing heat flux in memory systems
EP1516339B1 (en) Memory buffer arrangement
US20180027687A1 (en) Technologies for sled architecture
JP2543312B2 (ja) コンピュ―タ・アセンブリ
JP7311647B2 (ja) 浸漬環境での局所的な流体の加速
US6874014B2 (en) Chip multiprocessor with multiple operating systems
US11659685B2 (en) Liquid manifold for replacing air mover module in hybrid cooling applications
US20210345519A1 (en) Technologies for reconfigurable heat sinks
US20240098935A1 (en) Compliant counter-flow cold plate
JPH10247380A (ja) 高速および高密度システム用のメモリ・モジュール
US12424513B2 (en) Technologies for isolated heat dissipating devices
US6952352B2 (en) Integrated circuit chip package with formable intermediate 3D wiring structure
US12443248B2 (en) Graphics card expansion device and mobile terminal
US12225693B2 (en) Server packaging for immersion cooling with local acceleration
US10068886B2 (en) Implementing inverted master-slave 3D semiconductor stack
US20220078940A1 (en) Electronic device and heat sink
EP0506224A2 (en) Computer system package
CN223296339U (zh) 沉浸式液冷服务器及液冷系统
JP3196692B2 (ja) データ出力同期クロック発生装置
Rajan et al. Modular Design Architecture of a HPEC System
CN121743246A (zh) 三维堆叠的近存计算架构、芯片和数据访问方法
JPH02191057A (ja) 多重プロセッサシステム