JPH10247444A - ガス絶縁真空遮断器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、電界緩和用電極の曲率半径を大に
せずに耐電圧を向上させ、もって、縮小化を図る。 【解決手段】 絶縁ガスを封入し、絶縁容器と絶縁容器
の両端にガスギャップＧだけ離して端部が配置された電
界緩和用電極とを有する真空バルブを備えたガス絶縁真
空遮断器において、電界緩和用電極１６ａの外周面の曲
率半径ＲとガスギャップＧとに基づいて、次式のＵ＝Ｒ
／｛０．９（Ｒ＋Ｇ）｝で得られる電界利用率ＵをＵ＝
０．３５以上の準平等電界とし、電界緩和用電極１６ａ
には絶縁容器１３に対向する部分を除いて外周面の半分
以上の領域に絶縁材料よりなる被膜２３ａを形成したガ
ス絶縁真空遮断器。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガス絶縁スイッチ
ギヤに用いられるガス絶縁真空遮断器に係り、特に、電
界緩和作用並びに耐電圧を向上させ、絶縁縮小化を図る
ガス絶縁真空遮断器に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ガス絶縁スイッチギア等の受配電
機器では、絶縁ガスにより絶縁耐圧を向上させ、設置ス
ペースの縮小化が図られている。図６はこの種のガス絶
縁スイッチギア及びその周辺構成を示す側面図である。
このガス絶縁スイッチギヤは、外周を軟鋼板で気密に囲
まれた箱体１の内部に、ＳＦ₆ ガスなどの絶縁ガス２が
密封されている。箱体１の上方の室１ａには断路器３Ａ
が収納されている。また、箱体１の下方の室１ｂには、
ガス絶縁真空遮断器４と、上方の断路器３Ａと同形の断
路器３Ｂが収納されている。また、絶縁ガス中の各収納
機器は、がいし５に固定された主回路導体６により相互
が接続されている。主回路導体６は、箱体１の側部に取
付けられた受電用のケーブルヘッド７を介して外部の電
力用ケーブル８に電気的に接続される。この電力用ケー
ブル８は、貫通形変流器９により、ガス絶縁スイッチギ
ヤへの受電および通電電流が計測される。また、箱体１
の上方の室１ａの主回路導体は、箱体１の天井部に設け
られた気中−ガスブッシング１０により、図面上下に列
盤されている隣接盤に電気的に接続されている。

【０００３】このようなガス絶縁スイッチギヤでは、各
収納機器は絶縁ガス２の破壊電圧が強い電界依存性を示
すため、適切な電界緩和がなされ耐電圧が保たれてい
る。例えばガス絶縁真空遮断器４の電界緩和構造は、図
７に示すように、真空バルブ１１の封じ切り電極１２の
電界緩和のため、絶縁筒１３とラップする位置まで大き
な曲率をもった電界緩和用電極１４がボルト１５により
取付けられている。係る電界緩和の方式は、例えば実公
平１−１５０７１号公報に開示され、真空バルブ１１の
直径よりも大きい直径の電界緩和用電極１４が用いられ
る。電界緩和用電極１４では曲率半径をもつ外周面の始
点が絶縁筒１３と接する面になる。この外周面は、極間
方向１４Ａと相間方向１４Ｂとで互いに異なる曲率半径
を有する曲面に分類され、各曲面が互いに連続的に形成
されている。これにより電界緩和用電極１４は単体で電
界緩和を図っている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら以上のよ
うなガス絶縁真空遮断器では、電界緩和用電極１４の曲
率半径を大にして電界緩和を図り、耐電圧を向上させる
一方、電界緩和用電極１４を大形化させる問題がある。

【０００５】すなわち、電界緩和の観点から電界緩和用
電極１４の曲率半径を大にしてガスギャップを短縮して
も、電界緩和用電極１４自体を大形化させることから、
３相分を配置させると結果的に大形化となる問題があ
る。すなわち、このような曲率半径を大とした電界緩和
に基づく縮小化には限界がある。また、最近の趨勢であ
る縮小化に逆行してしまう。

【０００６】本発明は上記実情を考慮してなされたもの
で、電界緩和用電極の曲率半径を大にせずに耐電圧を向
上させ、もって、縮小化を図り得るガス絶縁真空遮断器
を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に対応する発明
は、絶縁ガスを封入し、絶縁容器と前記絶縁容器の両端
にガスギャップＧだけ離して端部が配置された電界緩和
用電極とを有する真空バルブを備えたガス絶縁真空遮断
器において、前記電界緩和用電極の外周面の曲率半径Ｒ
と前記ガスギャップＧとに基づいて下記式で得られる電
界利用率ＵをＵ＝０．３５以上の準平等電界とし、前記
電界緩和用電極には前記絶縁容器に対向する部分を除い
て外周面の半分以上の領域に絶縁材料よりなる被膜を形
成したガス絶縁真空遮断器である。

【０００８】Ｕ＝Ｒ／｛０．９（Ｒ＋Ｇ）｝ また、請求項２に対応する発明は、請求項１に対応する
ガス絶縁真空遮断器において、前記被膜としては、略２
５μｍの厚さを有し、テフロン樹脂又はエポキシ樹脂よ
りなる絶縁材料で形成されたガス絶縁真空遮断器であ
る。

【０００９】さらに、請求項３に対応する発明は、絶縁
ガスを封入し、絶縁容器と前記絶縁容器の両端にガスギ
ャップＧだけ離して端部が配置された電界緩和用電極と
を有する真空バルブを備えたガス絶縁真空遮断器におい
て、前記電界緩和用電極の外周面の曲率半径Ｒと前記ガ
スギャップＧとに基づいて下記式で得られる電界利用率
ＵをＵ＝０．２６以下の不平等電界としたガス絶縁真空
遮断器である。

【００１０】Ｕ＝Ｒ／｛０．９（Ｒ＋Ｇ）｝ また、請求項４に対応する発明は、絶縁ガスを封入し、
絶縁容器と前記絶縁容器の両端にガスギャップＧだけ離
して端部が配置された電界緩和用電極とを有する真空バ
ルブを備えたガス絶縁真空遮断器において、前記真空バ
ルブの可動電極に連結され、前記真空バルブの軸方向と
は略直角方向に沿って進退可能に形成された絶縁操作捧
と、前記絶縁操作棒の軸方向に沿って対向配置され、前
記絶縁操作捧との対向部分に略Ｕ字状の凹部を有し、前
記真空バルブを固定する支持がいしとを備えたガス絶縁
真空遮断器である。

【００１１】さらに、請求項５に対応する発明は、請求
項４に対応するガス絶縁真空遮断器において、前記支持
がいしとしては、略楕円状の断面形状を有し、前記真空
バルブの軸方向に平行に埋込まれた第１及び第２の埋込
み電極と、略楕円状の断面形状を有し、前記第１及び第
２の埋込み電極を介して前記絶縁操作棒に対向するよう
に埋込まれた第３の埋込み電極とを備えたガス絶縁真空
遮断器である。

【００１２】また、請求項６に対応する発明は、請求項
４又は請求項５に対応するガス絶縁真空遮断器におい
て、前記電界緩和用電極の外径よりも大きい外径をもつ
電極が埋込まれて前記真空バルブを固定する第２の支持
がいしを備えたガス絶縁真空遮断器である。

【００１３】さらに、請求項７に対応する発明は、請求
項１に対応するガス絶縁真空遮断器において、前記絶縁
材料の比誘電率よりも高い比誘電率を有して前記真空バ
ルブを固定する支持がいしを備えたガス絶縁真空遮断器
である。 （作用）従って、請求項１に対応する発明は以上のよう
な手段を講じたことにより、電界利用率の大きい準平等
電界においては、電極表面に絶縁材料より成る被膜を形
成することにより耐電圧特性を向上できる。この被膜
は、電極表面の凸凹を滑らかにして電界強度を抑制し、
また電子放出を抑制すると推測される。

【００１４】このため、電界緩和用電極の曲率半径を大
にせずに耐電圧を向上できるので、曲率半径を小にして
電界緩和用電極を小さくできると共に、真空遮断器の相
間や対地間の絶縁距離を短くでき、もって、小型化及び
縮小化を図ることができる。

【００１５】また、請求項２に対応する発明は、被膜が
略２５μｍの厚さを有してテフロン樹脂又はエポキシ樹
脂から形成されるので、請求項１に対応する作用を容易
かつ確実に奏することができる。

【００１６】さらに、請求項３に対応する発明は、電界
利用率の小さい不平等電界においては、例えば電界緩和
用電極の端部を真空バルブの絶縁筒から数ｍｍ離すこと
により、絶縁筒に設けられた電極との相乗効果による電
界緩和作用を働かせ、耐電圧の向上を図ることができ
る。

【００１７】また、請求項４に対応する発明は、真空バ
ルブを固定する支持がいしをＵ字状とし、このＵ字状の
開口部に真空バルブを開閉する絶縁操作捧を設けること
により、Ｕ字状の開口部に同一の絶縁材料よりなる絶縁
物を位置させて電界の乱れを減少させ、耐電圧の向上を
図ることができる。更に、支持がいしと絶縁操作捧のス
ペースを縮小でき、全体形状を小型化することができ
る。

【００１８】さらに、請求項５に対応する発明は、埋込
み電極を複数に分割したことにより、埋込む金属の体積
を小さくしてモールド時に金型の温度に早急に上昇で
き、絶縁樹脂との接着性を良くしてボイドや剥離などの
欠陥を生成し難くして良好な絶縁特性を実現できる。ま
た、分割された個々の埋込み電極は、見かけ上、大きな
電極にできるので、支持がいしに固定される真空バルブ
などの被支持物の電界緩和を図ることができる。

【００１９】また、請求項６に対応する発明は、支持が
いしが電界緩和用電極の外径よりも大きい外径をもつ電
極を有するので、電界緩和用電極の近傍の等電位線を広
げて電界緩和できるため、電界緩和用電極の曲率半径を
小さくでき、電界緩和用電極の形状を縮小することがで
きる。

【００２０】さらに、請求項７に対応する発明は、支持
がいしが被膜の絶縁材料の比誘電率よりも高い比誘電率
を有するので、支持がいしに沿った領域の等電位線を広
げて電界緩和できるため、電界緩和用電極の曲率半径を
小さくでき、電界緩和用電極の形状を縮小することがで
きる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。図１は本発明の一実施
形態に係るガス絶縁真空遮断器の内部構成を示す側面図
であり、図７と同一部分には同一符号を付してその詳し
い説明は省略し、ここでは異なる部分についてのみ述べ
る。

【００２２】すなわち、本実施形態は、電界緩和用電極
の曲率半径を大にせずに電界緩和の実現を図るものであ
り、具体的には以下に述べる構造となっている。図１に
おいて、真空バルブ１１の上下には電界緩和と通電を兼
ねた電界緩和用電極１６ａ，１６ｂが設けられる。電界
緩和用電極１６ａ，１６ｂは、互いに真空バルブの軸方
向に平行な絶縁支え板１７を介して固定されると共に、
真空バルブの軸方向に垂直な各支持がいし１８ａ，１８
ｂを介してフランジ１９に支持固定されている。

【００２３】また、下部の電界緩和用電極１６ｂ内部に
は、真空バルブ１１内の可動電極（図示せず）を開閉す
るラッセル機構部２０があり、このラッセル機構部２０
に連結された絶縁操作捧２１が下部の支持がいし１８ｂ
と平行して配置されている。絶縁操作捧２１は、気中側
の操作機構部２２に連結されている。

【００２４】一方、上部の電界緩和用電極１６ａは、真
空バルブ１１との対向面側を除いた上部側の表面に例え
ばテフロン樹脂またはエポキシ樹脂などの絶縁材料から
成る被膜２３ａが形成されている。被膜の絶縁厚さは数
１０μｍであり、ここでは略２５μｍとしている。同様
に、下部の電界緩和用電極１６ｂは、真空バルブ１１と
の対向面側を除いた下部側に被膜２３ｂが形成されてい
る。すなわち、被膜２３ａ、２３ｂの形成された電界緩
和用電極は、図２に拡大して示すように、ガスギャップ
Ｇを介して絶縁筒に対向しており、曲率半径が大であ
り、電界利用率の大きい準平等電界を実現可能となって
いる。被膜の絶縁材料の比誘電率は、支持がいしの比誘
電率よりも小さい値となっている。

【００２５】具体的には、電界緩和用電極１６ａは、ボ
ルト１５により固定され、下部表面が被膜などが形成さ
れず素地である。電界緩和用電極１６ａの端部は、真空
バルブ１１の封じ切り電極１２と絶縁筒１３とを結合す
る電極部２４付近までとし、絶縁筒１３端部からギャッ
プ長Ｇが数ｍｍを保たれる上方に位置している。よっ
て、電界緩和用電極１６ａ下部単体（又は絶縁筒との対
向側）においては、端部が鋭角となる不平等電界とな
る。

【００２６】また、支持がいし１８ｂは、図３に示すよ
うに、絶縁操作捧２１に対向して同軸状にＵ字状の開口
部１８ｃが設けられている。すなわち、この開口部１８
ｃに沿って絶縁操作捧２１が平行に配置される。この絶
縁操作捧２１と開口部１８ｃとのギャップは１０数ｍｍ
とし、部分放電が発生しない適切な値としている。また
支持がいし中には、各埋込み金具２５ａ，２５ｂ，２５
ｃが開口部１８ｃを除いた各辺に夫々設けられている。

【００２７】上部の支持がいし１８ａは、図４に示すよ
うに、電界緩和用電極１６ａの端部に接続された電極２
７が埋込まれ、この電極２７により電界緩和用電極を１
６ａを固定的に支持している。ここで、支持がいし１８
ａ中の電極２７の径φ１と、電界緩和用電極１６ａの径
φ２とは、φ１＞φ２の関係にあることが等電位線２８
の拡張による電界緩和の観点から好ましい。

【００２８】次に、以上のように構成されたガス絶縁真
空遮断器の作用について述べる。なお、各構造は夫々独
立して電界緩和を実現するため、構造毎に分けて作用を
説明する。 （被膜による電界緩和）図５は破壊（インパルスフラッ
シオーバ）電圧と被膜の有無との関係を曲率半径を変え
て調査した結果を示す電圧特性図である。黒印の特性
は、曲率半径Ｒ＝４０ｍｍを有してガスギャップ１０ｍ
ｍに配置された電界緩和用電極１６ａ，１４における破
壊電圧を被膜２３ａの有無について比較している。白印
の特性は、黒印の特性における電界緩和用電極１６ａ，
１４を曲率半径Ｒ＝３ｍｍとしている。ここで、前者の
Ｒ＝４０ｍｍの場合は電界利用率Ｕ＝０．８８で準平等
電界であり、後者のＲ＝３ｍｍの場合は電界利用率Ｕ＝
０．２６で不平等電界である。なお電界利用率Ｕは、次
式で近似値が得られる。

【００２９】 電界利用率Ｕ＝Ｒ／｛０．９（Ｒ＋Ｇ）｝ 但し、Ｒ；電極の曲率半径、Ｇ；ガスギャップ長。 図より、準平等電界では、被膜２３ａ有の電極のとき、
破壊電圧が裸電極に比べて約２５％上昇している。一
方、不平等電界では、被膜２３ａ有の電極の破壊電圧が
ほとんど上昇していない。なお、図２に示す電界緩和用
電極１６ａにおいては、曲率半径Ｒ＝３０ｍｍでガスギ
ャップＧ＝６５ｍｍとして電界利用率Ｕ＝０．３５とな
るとき、破壊電圧を約１０％上昇できた。すなわち、電
界利用率Ｕに比例して（又は平等電界になるに従い）、
被膜２３ａの効果が現れるため、被膜２３ａを用いて破
壊電圧を上昇できるといえる。具体的には、被膜２３ａ
は、電極表面の凸凹を滑らかにして電界強度を抑制する
と共に電極からの電子放出を抑制する作用があると推測
される。このため、電界緩和用電極１６の曲率半径Ｒを
小さくでき、相間や対地間のガスギャップＧを短縮でき
るので、電界緩和用電極１６ａの単体形状の縮小化およ
びガス絶縁真空遮断器の全体形状の縮小化を図ることが
できる。なお、被膜２３の形成工程上、電界緩和用電極
１６の約半分に形成することが困難な場合、電界緩和用
電極１６の全面に被膜２３を設けてもよい。

【００３０】ここで、電界緩和用電極１６ａの端部は、
単体では不平等電界を形成するが、真空バルブ１１との
組合せにより、絶縁筒１３に結合させる電極２４との相
乗効果により、全体形状として電界緩和を図ることがで
きる。この電界緩和は、絶縁筒１３と電界緩和用電極１
６ａ端部とのガスギャップ長Ｇに大きく影響され、実験
によると２ｍｍ程度のガスギャップＧのとき、ガスギャ
ップ部分からの破壊はなかった。ガスギャップＧを形成
できずに絶縁筒１３とラップさせる場合が最も破壊電圧
の低下をもたらす。なお、上部の電界緩和用電極１６ａ
の構成を例に挙げて説明したが、下部の電界緩和用電極
１６ｂにおいても同様の構成でよい。 （埋込み金具等による電界緩和）支持がいし中の各埋込
み金具２５ａ〜２５ｃは開口部１８ｃを除いた各辺に設
けられるので、絶縁操作捧２１と支持がいしの開口部１
８ｃは、適切なギャップ長により電界を乱すことなく耐
電圧の向上を図ることができる。特に、絶縁操作捧２１
においては支持がいし１８ｂより電極間距離が短いので
電界集中を起こし易いが、絶縁ガスに比べて比誘電率の
低い支持がいし１８ｂの絶縁層が近接しているので、電
界強度を抑制することができる。

【００３１】また、Ｕ字状の開口部１８ｃに沿って絶縁
操作捧２１を配置するため、一般の回転対称形の支持が
いしと絶縁操作捧２１とを夫々単独で配置する構造に比
べ、スペースを小さくできる。

【００３２】また、個々の埋込み金具２５ａ、２５ｂ，
２５ｃは分割されているので、支持がいし１８ｂの絶縁
層に埋込む金属の体積を縮小できる。このため、モール
ド時に金型の温度に早急に上昇でき、絶縁樹脂との接着
性を向上させ、ボイドや剥離などの欠陥ができ難く、良
好な絶縁特性を得ることができる。

【００３３】更に、各埋込み金具２５は同電位であるの
で、個々には小さい埋込み金具（電極）であっても、見
かけ上、大きな埋込み金具（電極）となる。よって、支
持がいし１８ｂに固定される下部の電界緩和用電極１６
ｂ及び真空バルブ１１等の被支持物の電界緩和を図るこ
とができる。すなわち、被支持物としての電界緩和用電
極１６や真空バルブに対し、埋込み金具２５を見かけ
上、大きくすることにより、絶縁ガス側の電極に影響を
与え、電界強度の抑制を図ることができる。 （大径の埋込み電極による電界緩和）図４は支持がいし
による固定構造と電界緩和との関係を説明するための模
式図である。図示するように、上部の支持がいし１８ａ
において、絶縁層２６に埋込まれた電極２７の径をφ１
とし、電界緩和用電極１６ａの径をφ２としたとき、両
者をφ１＞φ２の関係とすることにより電界緩和を図る
ことができる。すなわち、電界緩和用電極１６ａ近傍の
等電位線２８が支持がいし１８ａにより広げられ、電界
緩和がされている。よって、電界緩和用電極１６ａの曲
率半径を小さくできるので、電界緩和用電極１６ａ自体
の形状の縮小化を図ることができる。 （低い比誘電率の被膜による電界緩和）電界緩和用電極
１６ａ，１６ｂの被膜２３ａ，２３ｂの比誘電率に比
べ、電界緩和用電極１６ａ，１６ｂを支持固定する支持
がいし１８ａ，１８ｂの比誘電率の方を高くすれば、被
膜２３ａ，２３ｂによる電界緩和の効果を大きく現すこ
とができる。これは、高い比誘電率の絶縁材料で支持が
いし１８ａ，１８ｂを構成することにより、沿面の等電
位線が広がるためである。また、被膜した電界緩和用電
極１６ａ，１６ｂでは、ガスギャップＧとの間で電位分
担が決まるため、低い比誘電率をもつ被膜２３ａ，２３
ｂの方がガスギャップＧの電位分担を低減できる。これ
らのことより、被膜した電界緩和用電極とそれを固定す
る支持がいしとの縮小化を図ることができる。

【００３４】上述したように本実施形態によれば、電界
利用率の大きい準平等電界においては、電極表面に絶縁
材料よりなる被膜２３ａの形成により、電界緩和用電極
１６ａ，１６ｂの曲率半径を大にせずに耐電圧特性を向
上できるので、曲率半径を小にして電界緩和用電極１６
ａ，１６ｂを小さくできると共に、真空遮断器の相間や
対地間の絶縁距離を短くでき、もって、小型化及び縮小
化を図ることができる。

【００３５】また、被膜２３ａ，２３ｂが略２５μｍの
厚さを有してテフロン樹脂又はエポキシ樹脂から形成さ
れるので、被膜２３ａ，２３ｂによる電界緩和を容易か
つ確実に奏することができる。

【００３６】さらに、電界利用率の小さい不平等電界に
おいては、電界緩和用電極の端部を真空バルブ１１の絶
縁筒１３から数ｍｍ離すことにより、絶縁筒１３に設け
られた電極２４との相乗効果による電界緩和作用を働か
せ、耐電圧の向上を図ることができる。

【００３７】また、真空バルブ１１を固定する支持がい
し１８ｂをＵ字状とし、このＵ字状の開口部１８ｃに真
空バルブ１１を開閉する絶縁操作捧２１を設けることに
より、Ｕ字状の開口部１８ｃに同一の絶縁材料よりなる
絶縁物を位置させて電界の乱れを減少させ、耐電圧の向
上を図ることができる。更に、支持がいし１８ｂと絶縁
操作捧２１のスペースを縮小でき、全体形状を小型化す
ることができる。

【００３８】さらに、埋込み電極２５ａ〜２５ｃを複数
に分割したことにより、埋込む金属の体積を小さくして
モールド時に金型の温度に早急に上昇でき、絶縁樹脂と
の接着性を良くしてボイドや剥離などの欠陥を生成し難
くして良好な絶縁特性を実現できる。また、分割された
個々の埋込み電極は、見かけ上、大きな電極にできるの
で、支持がいし１８ａ，１８ｂに固定される真空バルブ
１１などの被支持物の電界緩和を図ることができる。

【００３９】また、支持がいし１８ａが電界緩和用電極
１６ａの外径よりも大きい外径をもつ電極２７を有する
ので、電界緩和用電極１６ａの近傍の等電位線２８を広
げて電界緩和できるため、電界緩和用電極１６ａの曲率
半径を小さくでき、電界緩和用電極１６ａの形状を縮小
することができる。

【００４０】さらに、支持がいし１８ａ，１８ｂが被膜
２３ａ，２３ｂの絶縁材料の比誘電率よりも高い比誘電
率を有するので、支持がいし１８ａ，１８ｂに沿った領
域の等電位線２８を広げて電界緩和できるため、電界緩
和用電極１６ａ，１６ｂの曲率半径を小さくでき、電界
緩和用電極１６ａ，１６ｂの形状を縮小することができ
る。 （他の実施形態）なお、他の実施形態として、主回路導
体を固定する支持がいしや計器用変成器などの口出し部
において、絶縁ガスと対向する部分の電極を準平等電界
として絶縁材料を被膜し、また支持がいし等との固定側
を単独では不平等電界とし、この固定側と支持がいしと
の組合せの相乗効果による電界緩和を実現し、全体形状
の縮小化を図ってもよい。その他、本発明はその要旨を
逸脱しない範囲で種々変形して実施できる。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
界緩和用電極の曲率半径を大にせずに耐電圧を向上さ
せ、もって、縮小化を図ることができるガス絶縁真空遮
断器を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明の一実施形態に係るガス絶縁真空
遮断器の内部構成を示す側面図

【図２】同実施の形態における電界緩和用電極の一部を
拡大して示す模式図

【図３】同実施の形態における下部の支持がいしの構成
を示す斜視図

【図４】同実施の形態における支持がいしによる固定構
造と電界緩和との関係を説明するための模式図

【図５】同実施の形態における破壊電圧と被膜の有無と
の関係を曲率半径を変えて調査した結果を示す特性図

【図６】一般的なガス絶縁スイッチギア及びその周辺構
成を示す側面図

【図７】ガス絶縁真空遮断器の電界緩和構造を示す模式
図

【符号の説明】

１１…真空バルブ １２…封じきり電極 １３…絶縁筒 １６ａ，１６ｂ…電界緩和用電極 １５…ボルト １７…絶縁支え板 １８ａ，１８ｂ…支持がいし １８ｃ…開口部 １９…フランジ ２０…ラッセル機構部 ２１…絶縁操作捧 ２２…操作機構部 ２３ａ，２３ｂ…被膜 ２４、２７…電極 ２５ａ〜２５ｃ…埋込み金具 ２６…絶縁層 ２８…等電位線

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁ガスを封入し、絶縁容器と前記絶縁
   容器の両端にガスギャップＧだけ離して端部が配置され
   た電界緩和用電極とを有する真空バルブを備えたガス絶
   縁真空遮断器において、 前記電界緩和用電極の外周面の曲率半径Ｒと前記ガスギ
   ャップＧとに基づいて下記式で得られる電界利用率Ｕを
   Ｕ＝０．３５以上の準平等電界とし、前記電界緩和用電
   極には前記絶縁容器に対向する部分を除いて外周面の半
   分以上の領域に絶縁材料よりなる被膜を形成したことを
   特徴とするガス絶縁真空遮断器。 Ｕ＝Ｒ／｛０．９（Ｒ＋Ｇ）｝
2. 【請求項２】 請求項１に記載のガス絶縁真空遮断器に
   おいて、 前記被膜は、略２５μｍの厚さを有し、テフロン樹脂又
   はエポキシ樹脂よりなる絶縁材料で形成されたことを特
   徴とするガス絶縁真空遮断器。
3. 【請求項３】 絶縁ガスを封入し、絶縁容器と前記絶縁
   容器の両端にガスギャップＧだけ離して端部が配置され
   た電界緩和用電極とを有する真空バルブを備えたガス絶
   縁真空遮断器において、 前記電界緩和用電極の外周面の曲率半径Ｒと前記ガスギ
   ャップＧとに基づいて下記式で得られる電界利用率Ｕを
   Ｕ＝０．２６以下の不平等電界としたことを特徴とする
   ガス絶縁真空遮断器。 Ｕ＝Ｒ／｛０．９（Ｒ＋Ｇ）｝
4. 【請求項４】 絶縁ガスを封入し、絶縁容器と前記絶縁
   容器の両端にガスギャップＧだけ離して端部が配置され
   た電界緩和用電極とを有する真空バルブを備えたガス絶
   縁真空遮断器において、 前記真空バルブの可動電極に連結され、前記真空バルブ
   の軸方向とは略直角方向に沿って進退可能に形成された
   絶縁操作捧と、 前記絶縁操作棒の軸方向に沿って対向配置され、前記絶
   縁操作捧との対向部分に略Ｕ字状の凹部を有し、前記真
   空バルブを固定する支持がいしとを備えたことを特徴と
   するガス絶縁真空遮断器。
5. 【請求項５】 請求項４に記載のガス絶縁真空遮断器に
   おいて、 前記支持がいしは、 略楕円状の断面形状を有し、前記真空バルブの軸方向に
   平行に埋込まれた第１及び第２の埋込み電極と、 略楕円状の断面形状を有し、前記第１及び第２の埋込み
   電極を介して前記絶縁操作棒に対向するように埋込まれ
   た第３の埋込み電極とを備えたことを特徴とするガス絶
   縁真空遮断器。
6. 【請求項６】 請求項４又は請求項５に記載のガス絶縁
   真空遮断器において、 前記電界緩和用電極の外径よりも大きい外径をもつ電極
   が埋込まれて前記真空バルブを固定する第２の支持がい
   しを備えたことを特徴とするガス絶縁真空遮断器。
7. 【請求項７】 請求項１に記載のガス絶縁真空遮断器に
   おいて、 前記被膜の絶縁材料の比誘電率よりも高い比誘電率を有
   して前記真空バルブを固定する支持がいしを備えたこと
   を特徴とするガス絶縁真空遮断器。