JPH10247586A - 高周波加熱装置 - Google Patents
高周波加熱装置Info
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- JPH10247586A JPH10247586A JP9050637A JP5063797A JPH10247586A JP H10247586 A JPH10247586 A JP H10247586A JP 9050637 A JP9050637 A JP 9050637A JP 5063797 A JP5063797 A JP 5063797A JP H10247586 A JPH10247586 A JP H10247586A
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- JP
- Japan
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- choke groove
- conductor
- choke
- admittance
- frequency heating
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/76—Prevention of microwave leakage, e.g. door sealings
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/76—Prevention of microwave leakage, e.g. door sealings
- H05B6/763—Microwave radiation seals for doors
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Electric Ovens (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、所望の電波シール性能を有し且つ
小型で耐久性に優れたチョーク構造を実現することを目
的とする。 【解決手段】 アドミッタンス素子４を、チョーク溝壁
を構成する導体接触片１の外周縁からチョーク溝１０の
内部に延びる導体片２の先端縁に取り付けた導体板もし
くは導体棒の何れかにより構成したことを特徴とする。
小型で耐久性に優れたチョーク構造を実現することを目
的とする。 【解決手段】 アドミッタンス素子４を、チョーク溝壁
を構成する導体接触片１の外周縁からチョーク溝１０の
内部に延びる導体片２の先端縁に取り付けた導体板もし
くは導体棒の何れかにより構成したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波加熱装置、
特にその電波シール構造に関するものである。
特にその電波シール構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高周波加熱装置の電波シール構造の第１
の従来技術として、例えば図１０〜図１２に示すような
チョーク溝構造がある。まず、図１０は、高周波加熱装
置の全体構成を示しており、本体２１には、被加熱物を
収納して高周波が供給されオーブン２２が設けられ、そ
の前面部に、被加熱物を出し入れするための扉２４が開
閉自在に設けられている。２３は本体２１前面の周囲部
に設けられた前板であり、この前板２３に対向した扉２
４部分にチョーク溝２５が形成されている。図１１は、
チョーク溝２５部分の拡大断面図、図１２は、チョーク
溝２５部分の拡大斜視図であり、チョーク溝２５には、
前板２３と対向しチョーク溝壁を構成する導体接触片２
６とこの導体接触片２６の外周縁からチョーク溝２５の
内部に延びる導体片２７が形成されている。２８はチョ
ーク溝２５の開口部である。このようなチョーク溝２５
の構造において電波シールとして機能するためには、そ
のチョーク溝２５の入力インピーダンスＺinが、Ｚin＝
∞の条件となる必要がある。いま、チョーク溝２５の特
性インピーダンスがＺ0 で一定のとき、終端面短絡とし
たときの入力インピーダンスＺinは、 Ｚin＝ｊＺ0 tan （β・ｌ） …（１） となる。βは位相定数、ｌはチョーク溝２２の深さであ
る。ここで、ｌ＝λ／４とすることで、β・ｌ＝（２π
／λ）・（λ／４）＝π／２、Ｚin＝ｊＺ0 tan（π／
２）＝∞となり、Ｚin＝∞となる条件を満たすことがで
きる。しかし、この第１の従来技術では、チョーク溝２
５にインピーダンス調整用のアドミッタンス素子がない
ため、チョーク溝２５の性能は、その構造寸法にそのま
ま影響される。このため、この構造でチョーク溝２５を
小型化すると電波シール性能が劣化してしまう。
の従来技術として、例えば図１０〜図１２に示すような
チョーク溝構造がある。まず、図１０は、高周波加熱装
置の全体構成を示しており、本体２１には、被加熱物を
収納して高周波が供給されオーブン２２が設けられ、そ
の前面部に、被加熱物を出し入れするための扉２４が開
閉自在に設けられている。２３は本体２１前面の周囲部
に設けられた前板であり、この前板２３に対向した扉２
４部分にチョーク溝２５が形成されている。図１１は、
チョーク溝２５部分の拡大断面図、図１２は、チョーク
溝２５部分の拡大斜視図であり、チョーク溝２５には、
前板２３と対向しチョーク溝壁を構成する導体接触片２
６とこの導体接触片２６の外周縁からチョーク溝２５の
内部に延びる導体片２７が形成されている。２８はチョ
ーク溝２５の開口部である。このようなチョーク溝２５
の構造において電波シールとして機能するためには、そ
のチョーク溝２５の入力インピーダンスＺinが、Ｚin＝
∞の条件となる必要がある。いま、チョーク溝２５の特
性インピーダンスがＺ0 で一定のとき、終端面短絡とし
たときの入力インピーダンスＺinは、 Ｚin＝ｊＺ0 tan （β・ｌ） …（１） となる。βは位相定数、ｌはチョーク溝２２の深さであ
る。ここで、ｌ＝λ／４とすることで、β・ｌ＝（２π
／λ）・（λ／４）＝π／２、Ｚin＝ｊＺ0 tan（π／
２）＝∞となり、Ｚin＝∞となる条件を満たすことがで
きる。しかし、この第１の従来技術では、チョーク溝２
５にインピーダンス調整用のアドミッタンス素子がない
ため、チョーク溝２５の性能は、その構造寸法にそのま
ま影響される。このため、この構造でチョーク溝２５を
小型化すると電波シール性能が劣化してしまう。
【０００３】これに対し、高周波加熱装置の電波シール
構造の第２の従来技術として、図１３に示すように、チ
ョーク溝２５の外壁面を周期構造体２９としたチョーク
構造がある（特公昭６２−４９７１５号公報）。このチ
ョーク構造はチョーク溝２５を構成する外壁面そのもの
に周期構造体２９を形成し、これをインピーダンス調整
素子として長手方向に配列している。この周期構造体２
５は、いわば疑似誘電体線路を構成しており、周期構造
体２５の疑似誘電体線路に電磁界が巻き付くようにし
て、電波が伝播する。この作用によって電波シール性能
を持たせているのであるが、周期構造体２５の疑似誘電
体線路に電磁界が巻き付くように分布しているため、チ
ョーク溝２５の外側にある程度の範囲にも電界が存在し
てしまう。そのため、この構造では、チョーク構造の構
造体の外側にある程度のスペースが必要となり、チョー
ク構造全体の小型化は難しい。
構造の第２の従来技術として、図１３に示すように、チ
ョーク溝２５の外壁面を周期構造体２９としたチョーク
構造がある（特公昭６２−４９７１５号公報）。このチ
ョーク構造はチョーク溝２５を構成する外壁面そのもの
に周期構造体２９を形成し、これをインピーダンス調整
素子として長手方向に配列している。この周期構造体２
５は、いわば疑似誘電体線路を構成しており、周期構造
体２５の疑似誘電体線路に電磁界が巻き付くようにし
て、電波が伝播する。この作用によって電波シール性能
を持たせているのであるが、周期構造体２５の疑似誘電
体線路に電磁界が巻き付くように分布しているため、チ
ョーク溝２５の外側にある程度の範囲にも電界が存在し
てしまう。そのため、この構造では、チョーク構造の構
造体の外側にある程度のスペースが必要となり、チョー
ク構造全体の小型化は難しい。
【０００４】また、電波シール構造の第３の従来技術と
して、図１４に示すようなチョーク溝構造がある（実公
平４−１３５２１号公報）。このチョーク構造は、前板
２３と対向する導体接触片２６そのものにスリット部３
０を形成し、これをインピーダンス調整素子とした構造
になっている。これは、導体接触片２６を周期構造体と
した構造であるが、扉を閉めた場合に、この導体接触片
２６が直接前板２３に接触するため、インピーダンス調
整素子としてのスリット部３０が剥き出しになる。この
ため、使用中に異物等の混入及び変形等により電波シー
ル性能が劣化するおそれがある。また、このスリット部
３０を覆うように誘電体等で構成したカバーを取り付け
ると、それが例え薄いカバーであっても扉隙間が広くな
り、電波シール性能を劣化させる。扉の隙間の広さは電
波シール性能に大きく影響する。
して、図１４に示すようなチョーク溝構造がある（実公
平４−１３５２１号公報）。このチョーク構造は、前板
２３と対向する導体接触片２６そのものにスリット部３
０を形成し、これをインピーダンス調整素子とした構造
になっている。これは、導体接触片２６を周期構造体と
した構造であるが、扉を閉めた場合に、この導体接触片
２６が直接前板２３に接触するため、インピーダンス調
整素子としてのスリット部３０が剥き出しになる。この
ため、使用中に異物等の混入及び変形等により電波シー
ル性能が劣化するおそれがある。また、このスリット部
３０を覆うように誘電体等で構成したカバーを取り付け
ると、それが例え薄いカバーであっても扉隙間が広くな
り、電波シール性能を劣化させる。扉の隙間の広さは電
波シール性能に大きく影響する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、高周波加熱
装置（電子レンジ）は、被加熱物を入れるオーブンの有
効体積を広くとることができ、また、オーブンの有効体
積が同じの場合は、本体の外形寸法を小さくして設置場
所の省スペース化を図ることができ、さらには外部因子
による電波シール性能の劣化を防止して連続して実使用
に耐え得るチョーク構造を持つものが切望されている。
装置（電子レンジ）は、被加熱物を入れるオーブンの有
効体積を広くとることができ、また、オーブンの有効体
積が同じの場合は、本体の外形寸法を小さくして設置場
所の省スペース化を図ることができ、さらには外部因子
による電波シール性能の劣化を防止して連続して実使用
に耐え得るチョーク構造を持つものが切望されている。
【０００６】しかしながら、第１の従来技術では、チョ
ーク溝にインピーダンス調整用のアドミッタンス素子が
ないため、チョーク溝の性能は、その構造寸法にそのま
ま影響される。このため、この構造でチョーク溝を小型
化して電波シール構造が占有していたスペースを小さく
しようとすると、電波シール性能が劣化してしまうとい
う問題点があった。第２の従来技術では、周期構造体の
疑似誘電体線路に電磁界が巻き付くように分布している
ため、チョーク溝の外側のある程度の範囲にも電界が存
在してしまう。そのため、この構造では、チョーク構造
の構造体の外側にある程度のスペースが必要となり、チ
ョーク構造全体の小型化は難しいという問題点があっ
た。また、第３の従来技術では、インピーダンス調整素
子としてのスリット部が剥き出しになっていたため、使
用中に異物等の混入及び変形等により電波シール性能が
劣化するおそれがある。また、このスリット部を覆うよ
うに誘電体等で構成したカバーを取り付けると、それが
例え薄いカバーであっても扉隙間が広くなり、電波シー
ル性能が劣化してしまうという問題点があった。
ーク溝にインピーダンス調整用のアドミッタンス素子が
ないため、チョーク溝の性能は、その構造寸法にそのま
ま影響される。このため、この構造でチョーク溝を小型
化して電波シール構造が占有していたスペースを小さく
しようとすると、電波シール性能が劣化してしまうとい
う問題点があった。第２の従来技術では、周期構造体の
疑似誘電体線路に電磁界が巻き付くように分布している
ため、チョーク溝の外側のある程度の範囲にも電界が存
在してしまう。そのため、この構造では、チョーク構造
の構造体の外側にある程度のスペースが必要となり、チ
ョーク構造全体の小型化は難しいという問題点があっ
た。また、第３の従来技術では、インピーダンス調整素
子としてのスリット部が剥き出しになっていたため、使
用中に異物等の混入及び変形等により電波シール性能が
劣化するおそれがある。また、このスリット部を覆うよ
うに誘電体等で構成したカバーを取り付けると、それが
例え薄いカバーであっても扉隙間が広くなり、電波シー
ル性能が劣化してしまうという問題点があった。
【０００７】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、
所望の電波シール性能を有し且つ小型で耐久性に優れた
チョーク構造を実現することができる高周波加熱装置を
提供することを目的とする。
所望の電波シール性能を有し且つ小型で耐久性に優れた
チョーク構造を実現することができる高周波加熱装置を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、内部に高周波が供給される
本体と該本体に開閉自在に設けられた扉との対向する部
分の少なくとも一方に、電波シール用のチョーク溝を設
け、該チョーク溝内の長手方向に当該チョーク溝の入力
インピーダンス調整用のアドミッタンス素子を配置して
なる高周波加熱装置であって、前記アドミッタンス素子
は、前記チョーク溝壁を構成する導体接触片の外周縁か
ら前記チョーク溝の内部に延びる導体片の先端縁に取り
付けた導体板もしくは導体棒の何れかにより構成してな
ることを要旨とする。この構成により、漏洩電磁波は、
チョーク溝内に取り込まれてチョーク溝内を伝播する。
このチョーク溝内を伝播する電波に対し、チョーク溝内
に配置されたアドミッタンス素子で入力インピーダンス
が効果的に調整されて良好な電波シール性能が得られ
る。
に、請求項１記載の発明は、内部に高周波が供給される
本体と該本体に開閉自在に設けられた扉との対向する部
分の少なくとも一方に、電波シール用のチョーク溝を設
け、該チョーク溝内の長手方向に当該チョーク溝の入力
インピーダンス調整用のアドミッタンス素子を配置して
なる高周波加熱装置であって、前記アドミッタンス素子
は、前記チョーク溝壁を構成する導体接触片の外周縁か
ら前記チョーク溝の内部に延びる導体片の先端縁に取り
付けた導体板もしくは導体棒の何れかにより構成してな
ることを要旨とする。この構成により、漏洩電磁波は、
チョーク溝内に取り込まれてチョーク溝内を伝播する。
このチョーク溝内を伝播する電波に対し、チョーク溝内
に配置されたアドミッタンス素子で入力インピーダンス
が効果的に調整されて良好な電波シール性能が得られ
る。
【０００９】請求項２記載の発明は、上記請求項１記載
の高周波加熱装置において、前記チョーク溝の長手方向
に複数個配列した前記アドミッタンス素子の各幅は、配
列ピッチの１／２を超えない大きさにしてなることを要
旨とする。この構成により、アドミッタンス素子が、チ
ョーク溝内を伝播する電磁波に対し、導波管におけるス
タブ構造と同等の効果を発揮して入力インピーダンスを
調整する上で非常に効果的に作用する。
の高周波加熱装置において、前記チョーク溝の長手方向
に複数個配列した前記アドミッタンス素子の各幅は、配
列ピッチの１／２を超えない大きさにしてなることを要
旨とする。この構成により、アドミッタンス素子が、チ
ョーク溝内を伝播する電磁波に対し、導波管におけるス
タブ構造と同等の効果を発揮して入力インピーダンスを
調整する上で非常に効果的に作用する。
【００１０】請求項３記載の発明は、上記請求項１記載
の高周波加熱装置において、前記チョーク溝は、開口部
以外の壁面が全て導体面で囲まれ、前記アドミッタンス
素子以外の構成部分で長手方向に導波管構造をなすこと
を要旨とする。この構成により、チョーク溝内を伝播す
る電磁波は、チョーク溝を構成する壁面の内側に閉じ込
められて確実にチョーク溝内を伝播する。
の高周波加熱装置において、前記チョーク溝は、開口部
以外の壁面が全て導体面で囲まれ、前記アドミッタンス
素子以外の構成部分で長手方向に導波管構造をなすこと
を要旨とする。この構成により、チョーク溝内を伝播す
る電磁波は、チョーク溝を構成する壁面の内側に閉じ込
められて確実にチョーク溝内を伝播する。
【００１１】請求項４記載の発明は、上記請求項１記載
の高周波加熱装置において、複数個配列した前記アドミ
ッタンス素子の長手方向の配列ピッチは、発振高周波の
自由空間波長の１／４より長くしてなることを要旨とす
る。この構成により、チョーク溝空間を伝播する電磁波
の管内波長は、一般に発振高周波の自由空間波長よりも
長くなることから、配列ピッチが最適化されて電波シー
ル性能が向上する。
の高周波加熱装置において、複数個配列した前記アドミ
ッタンス素子の長手方向の配列ピッチは、発振高周波の
自由空間波長の１／４より長くしてなることを要旨とす
る。この構成により、チョーク溝空間を伝播する電磁波
の管内波長は、一般に発振高周波の自由空間波長よりも
長くなることから、配列ピッチが最適化されて電波シー
ル性能が向上する。
【００１２】請求項５記載の発明は、上記請求項１記載
の高周波加熱装置において、複数個の前記アドミッタン
ス素子は、前記本体の周囲部に対応した各辺の中央付近
を基点として配置してなることを要旨とする。この構成
により、オーブン内には、その各辺に注目すると、辺の
長さの整数等分の長さを半波長とする定在波が励振さ
れ、各辺の中央付近に、その定在波の腹もしくは節が位
置する。このことから、漏洩電磁波も辺の中央付近が基
点となって分布するので、より効果的に入力インピーダ
ンスを調節することが可能となる。
の高周波加熱装置において、複数個の前記アドミッタン
ス素子は、前記本体の周囲部に対応した各辺の中央付近
を基点として配置してなることを要旨とする。この構成
により、オーブン内には、その各辺に注目すると、辺の
長さの整数等分の長さを半波長とする定在波が励振さ
れ、各辺の中央付近に、その定在波の腹もしくは節が位
置する。このことから、漏洩電磁波も辺の中央付近が基
点となって分布するので、より効果的に入力インピーダ
ンスを調節することが可能となる。
【００１３】請求項６記載の発明は、上記請求項１記載
の高周波加熱装置において、複数個の前記アドミッタン
ス素子は、前記本体の周囲部に対応した各辺ごとに異な
るピッチで配列してなることを要旨とする。この構成に
より、オーブン開口の横幅と縦幅は一般には等しくない
ため、辺ごとにオーブン内の定在波の波長が異なる。各
辺のアドミッタンス素子の配列ピッチを調節すること
で、電波シール性能が一層改善される。
の高周波加熱装置において、複数個の前記アドミッタン
ス素子は、前記本体の周囲部に対応した各辺ごとに異な
るピッチで配列してなることを要旨とする。この構成に
より、オーブン開口の横幅と縦幅は一般には等しくない
ため、辺ごとにオーブン内の定在波の波長が異なる。各
辺のアドミッタンス素子の配列ピッチを調節すること
で、電波シール性能が一層改善される。
【００１４】請求項７記載の発明は、上記請求項１記載
の高周波加熱装置において、前記チョーク溝の開口部に
誘電体製のカバーを設置してなることを要旨とする。こ
の構成により、アドミッタンス素子が外因から完全に保
護され、異物の混入、外因による変形等の電波シール性
能の劣化要因から完全に守られる。
の高周波加熱装置において、前記チョーク溝の開口部に
誘電体製のカバーを設置してなることを要旨とする。こ
の構成により、アドミッタンス素子が外因から完全に保
護され、異物の混入、外因による変形等の電波シール性
能の劣化要因から完全に守られる。
【００１５】請求項８記載の発明は、上記請求項１記載
の高周波加熱装置において、前記導体接触片、該導体接
触片の外周縁から前記チョーク溝の内部に延びる導体片
及び該導体片の先端縁に取り付けた導体板もしくは導体
棒の何れかからなる前記アドミッタンス素子は、折り曲
げ構造により形成してなることを要旨とする。この構成
により、チョーク構造の小型化可能に加えて容易製造性
が得られる。
の高周波加熱装置において、前記導体接触片、該導体接
触片の外周縁から前記チョーク溝の内部に延びる導体片
及び該導体片の先端縁に取り付けた導体板もしくは導体
棒の何れかからなる前記アドミッタンス素子は、折り曲
げ構造により形成してなることを要旨とする。この構成
により、チョーク構造の小型化可能に加えて容易製造性
が得られる。
【００１６】
【発明の実施の形態】まず、図９の（ａ），（ｂ）を用
いて、入力インピーダンス調整用のアドミッタンス素子
が配置されたチョーク溝の原理的な構成及び作用から説
明する。図９（ａ）において、３は本体全面の周囲部に
設けられた前板であり、この前板３に対向した扉部分に
チョーク溝１０が形成されている。そして、このチョー
ク溝１０の電気的な深さの中間位置にアドミッタンス素
子４が挿入されているとする。図では一般的に特性イン
ピーダンスをＺ01，Ｚ02と記号を違えて示してあるが、
勿論Ｚ01＝Ｚ02であってもよい。β，ｌについても同様
である。チョーク溝１０にアドミッタンス素子４を挿入
することで、任意の特性インピーダンスＺ01，Ｚ02，
β，ｌで構成された任意寸法のチョーク溝１０を、この
アドミッタンス素子４の値を調整することだけで、所望
の電波シール性能を持たせることができる。これを図９
（ｂ）の電気的等価回路図を用いて説明する。
いて、入力インピーダンス調整用のアドミッタンス素子
が配置されたチョーク溝の原理的な構成及び作用から説
明する。図９（ａ）において、３は本体全面の周囲部に
設けられた前板であり、この前板３に対向した扉部分に
チョーク溝１０が形成されている。そして、このチョー
ク溝１０の電気的な深さの中間位置にアドミッタンス素
子４が挿入されているとする。図では一般的に特性イン
ピーダンスをＺ01，Ｚ02と記号を違えて示してあるが、
勿論Ｚ01＝Ｚ02であってもよい。β，ｌについても同様
である。チョーク溝１０にアドミッタンス素子４を挿入
することで、任意の特性インピーダンスＺ01，Ｚ02，
β，ｌで構成された任意寸法のチョーク溝１０を、この
アドミッタンス素子４の値を調整することだけで、所望
の電波シール性能を持たせることができる。これを図９
（ｂ）の電気的等価回路図を用いて説明する。
【００１７】チョーク溝１０にアドミッタンス素子４を
挿入することで、電気的等価回路において伝送線路中に
並列にアドミッタンスＹを挿入したことになる。このと
きのチョーク溝１０の入力端からみた入力インピーダン
スＺinを以下に求める。
挿入することで、電気的等価回路において伝送線路中に
並列にアドミッタンスＹを挿入したことになる。このと
きのチョーク溝１０の入力端からみた入力インピーダン
スＺinを以下に求める。
【００１８】四端子網回路の考え方から、入力電圧、入
力電流、出力電圧、出力電流をそれぞれＥ1 ，Ｉ1 ，Ｅ
2 ，Ｉ2 としたとき、入力インピーダンスＺinは四端子
定数ａ，ｂ，ｃ，ｄを用いて、
力電流、出力電圧、出力電流をそれぞれＥ1 ，Ｉ1 ，Ｅ
2 ，Ｉ2 としたとき、入力インピーダンスＺinは四端子
定数ａ，ｂ，ｃ，ｄを用いて、
【数１】 となって、入力インピーダンスＺinは、Ｚin＝Ｅ1 ／Ｉ
1 ＝ｂ／ｄとなる。
1 ＝ｂ／ｄとなる。
【００１９】次に、図９（ｂ）の等価回路の四端子定数
を求める。伝送線路の中間部に並列にアドミッタンスＹ
が挿入されているので、次のような数式４となる。
を求める。伝送線路の中間部に並列にアドミッタンスＹ
が挿入されているので、次のような数式４となる。
【００２０】
【数２】 ここで、Ｚ01，Ｚ02は、線路の特性インピーダンス、β
1 ，β2 は位相定数である。いま、一般式として記述し
ているため、伝送線路の並列アドミッタンスＹの挿入位
置の前と後で、特性インピーダンス及び位相定数を違う
記号で表しているが、Ｚ01＝Ｚ02，β1 ＝β2 の場合も
当然含まれる。これより、入力インピーダンスＺinは、
1 ，β2 は位相定数である。いま、一般式として記述し
ているため、伝送線路の並列アドミッタンスＹの挿入位
置の前と後で、特性インピーダンス及び位相定数を違う
記号で表しているが、Ｚ01＝Ｚ02，β1 ＝β2 の場合も
当然含まれる。これより、入力インピーダンスＺinは、
【数３】 Ｚin＝ｂ／ｄ ＝〔−Ｙ・Ｚ01・Ｚ02tan β1 ｌ1 ・tan β2 ｌ2 ＋ｊ（Ｚ01tan β1 ｌ1 ＋Ｚ02tan β2 ｌ2 ）〕 ／〔（１−（Ｚ02／Ｚ01）・tan β1 ｌ1 ・tan β2 ｌ2 ） ＋ｊＹ・Ｚ02tan β2 ｌ2 〕 …（５） となる。この数式５においてＺin＝∞の条件とするため
には、分母が０となればよい。
には、分母が０となればよい。
【００２１】Ｙ＝０の場合；Ｙ＝０の場合は、前記第
１の従来技術の場合に相当する。即ちアドミッタンス素
子を挿入していない場合である。このとき、Ｚin＝∞の
条件とするためには、
１の従来技術の場合に相当する。即ちアドミッタンス素
子を挿入していない場合である。このとき、Ｚin＝∞の
条件とするためには、
【数４】 １−（Ｚ02／Ｚ01）・tan β1 ｌ1 ・tan β2 ｌ2 ＝０ …（６） を満たす必要があり、特性インピーダンスＺ01，Ｚ02、
位相定数β1 ，β2 等を調整しなければならず、インピ
ーダンスマッチングが比較的困難である。また、Ｙ＝０
且つＺ01＝Ｚ02，β1 ＝β2 の場合は、数式５は数式１
と同じ式となり、ｌ1 ＋ｌ2 ＝λ／４のときにのみＺin
＝∞の条件を満たす。
位相定数β1 ，β2 等を調整しなければならず、インピ
ーダンスマッチングが比較的困難である。また、Ｙ＝０
且つＺ01＝Ｚ02，β1 ＝β2 の場合は、数式５は数式１
と同じ式となり、ｌ1 ＋ｌ2 ＝λ／４のときにのみＺin
＝∞の条件を満たす。
【００２２】アドミッタンス素子４を挿入した場合Ｙ
≠０；一方、本実施の形態では、並列アドミッタンスＹ
を挿入した場合に、Ｚin＝∞の条件を導くには、数式５
の分母が０となればよいから、
≠０；一方、本実施の形態では、並列アドミッタンスＹ
を挿入した場合に、Ｚin＝∞の条件を導くには、数式５
の分母が０となればよいから、
【数５】 （１−（Ｚ02／Ｚ01）・tan β1 ｌ1 ・tan β2 ｌ2 ＋ｊＹ・Ｚ02tan β2 ｌ2 ＝０ …（７） を満たせばよい。よって、これから、
【数６】 Ｙ＝ｊ（１−（Ｚ02／Ｚ01）・tan β1 ｌ1 ・tan β2 ｌ2 ） ／Ｚ02tan β2 ｌ2 …（８） を満たす並列アドミッタンスＹを挿入すれば、任意の特
性インピーダンス、位相定数及びチョーク溝物理長をも
つチョーク溝構造に対して、そのチョーク溝１０を電波
シール性能を持つＺin＝∞の条件に導くことができる。
即ち、任意に構成されたチョーク溝１０に対して、数式
８を満たすアドミッタンス素子４を挿入することによ
り、チョーク溝１０のＺin＝∞となる条件を満たすこと
ができるのである。
性インピーダンス、位相定数及びチョーク溝物理長をも
つチョーク溝構造に対して、そのチョーク溝１０を電波
シール性能を持つＺin＝∞の条件に導くことができる。
即ち、任意に構成されたチョーク溝１０に対して、数式
８を満たすアドミッタンス素子４を挿入することによ
り、チョーク溝１０のＺin＝∞となる条件を満たすこと
ができるのである。
【００２３】いま、具体的に、並列に挿入するアドミッ
タンスＹの値を、コンダクタンスＧとサセプタンスＢ
で、 Ｙ＝Ｇ＋ｊＢ …（９） と表したとき、数式８は、
タンスＹの値を、コンダクタンスＧとサセプタンスＢ
で、 Ｙ＝Ｇ＋ｊＢ …（９） と表したとき、数式８は、
【数７】 Ｙ＝Ｇ＋ｊＢ ＝ｊ（１−（Ｚ02／Ｚ01）・tan β1 ｌ1 ・tan β2 ｌ2 ） ／Ｚ02tan β2 ｌ2 …（１０） Ｇ＝０ Ｂ＝（１−（Ｚ02／Ｚ01）・tan β1 ｌ1 ・tan β2 ｌ2 ） ／Ｚ02tan β2 ｌ2 …（１１） となる。一般的にコンダクタンスＧは小さい値であり、
Ｇは略０として無視できる。いまサセプタンスＢを、容
量性リアクタンスωＣと誘導性リアクタンス１／ωＬ
で、Ｂ＝〔ωＣ−（１／ωＬ）〕と表すと、数式１０
は、
Ｇは略０として無視できる。いまサセプタンスＢを、容
量性リアクタンスωＣと誘導性リアクタンス１／ωＬ
で、Ｂ＝〔ωＣ−（１／ωＬ）〕と表すと、数式１０
は、
【数８】 Ｙ＝ｊＢ ＝ｊ〔ωＣ−（１／ωＬ）〕 ＝ｊ〔（１−（Ｚ02／Ｚ01）・tan β1 ｌ1 ・tan β2 ｌ2 ） ／Ｚ02tan β2 ｌ2 〕 …（１２） となる。チョーク溝１０をＺin＝∞となる条件に導くに
は、数式１２を満たせばよいことになる。即ち、数式１
１を満たすアドミッタンスＹ＝ｊＢ＝ｊ〔ωＣ−（１／
ωＬ）〕を、チョーク溝１０の電気的深さ方向の中間部
に挿入することで、任意のチョーク溝１０の入力インピ
ーダンスをＺin＝∞の条件に導くことができる。
は、数式１２を満たせばよいことになる。即ち、数式１
１を満たすアドミッタンスＹ＝ｊＢ＝ｊ〔ωＣ−（１／
ωＬ）〕を、チョーク溝１０の電気的深さ方向の中間部
に挿入することで、任意のチョーク溝１０の入力インピ
ーダンスをＺin＝∞の条件に導くことができる。
【００２４】次に、本発明の実施の形態を図１乃至図８
を用いて説明する。
を用いて説明する。
【００２５】図１は、本実施の形態の電波シール構造を
示している。本件発明者は、チョーク溝の開口部以外の
構成壁面を全て連続した導体板で構成し、チョーク溝の
長手方向にチョークが導波管構造を構成する形状とし、
このチョーク溝内を伝播する電波に対してインピーダン
スを調整するためのアドミッタンス素子を挿入すること
で、シール性能を向上させることができることを見出だ
した。即ち、図１に示すように、アドミッタンス素子４
が、前板３と対向しチョーク溝壁を構成する導体接触片
１の外周縁からチョーク溝１０の内部に延びる導体片２
の先端に取り付けられた導体板もしくは導体棒により構
成されている。５はチョーク溝１０の開口部である。こ
の機構は、前記第２の従来例のチョーク構造の長手方向
の電波伝播機構とは異なる。第２の従来例ではチョーク
溝の外側壁面自体を周期構造体として、その周期構造体
の線路群が疑似誘電体線路を構成し、電波がこの周期構
造体に巻き付くようにして伝播する。したがって、導波
管の概念はない。このため、第２の従来例では、周期構
造体に巻き付いた電界がチョーク構造体の外側にも分布
しているため、チョーク溝構造の外側のある程度の範囲
にも電界が分布してしまう。これに対し、本実施の形態
では、チョーク溝１０内部の空間を導波管として電波が
伝播する構造としたため、第２の従来例のようにチョー
ク構造体の外側に電界が分布することがなく、チョーク
溝１０を構成する各壁面内において閉じた空間を構成
し、チョーク溝１０内を伝播する電波は、チョーク溝を
構成する壁面の内側に閉じ込められる。そのため、チョ
ーク溝構造体の外側にスペースが不要となり、チョーク
構造を小型化することができる。その結果、チョーク構
造に対応するオーブン開口部周辺の前板３部分の幅も小
さくすることができ、その分オーブン庫内を広くするこ
とができる。例えば、従来の高周波加熱装置（電子レン
ジ）の有効体積率（本体の外形寸法体積に対するオーブ
ン内の有効体積の割合）は、３５％程度であったが、本
実施の形態では約４５％まで向上させることができる。
これを、さらに具体的数値例で示すと、本体の外形寸法
が、横幅Ｗ＝４７０ｍｍ、高さＴ＝２９０ｍｍ、奥行き
Ｄ＝３８０ｍｍ（５１．８ liter）のとき、従来は前板
幅３７ｍｍであり、オーブン寸法は、Ｗ＝３１０ｍｍ、
Ｔ＝１８７ｍｍ、Ｄ＝３１０ｍｍ（１７．８ liter）
で、有効体積率は約３５％である。これに対し、本実施
の形態では、前板幅は２５ｍｍまで小さくすることがで
き、オーブン寸法は、Ｗ＝３３４ｍｍ、Ｔ＝２１１ｍ
ｍ、Ｄ＝３３４ｍｍ（２３．５ liter）となり、有効体
積率は約４５％まで向上する。
示している。本件発明者は、チョーク溝の開口部以外の
構成壁面を全て連続した導体板で構成し、チョーク溝の
長手方向にチョークが導波管構造を構成する形状とし、
このチョーク溝内を伝播する電波に対してインピーダン
スを調整するためのアドミッタンス素子を挿入すること
で、シール性能を向上させることができることを見出だ
した。即ち、図１に示すように、アドミッタンス素子４
が、前板３と対向しチョーク溝壁を構成する導体接触片
１の外周縁からチョーク溝１０の内部に延びる導体片２
の先端に取り付けられた導体板もしくは導体棒により構
成されている。５はチョーク溝１０の開口部である。こ
の機構は、前記第２の従来例のチョーク構造の長手方向
の電波伝播機構とは異なる。第２の従来例ではチョーク
溝の外側壁面自体を周期構造体として、その周期構造体
の線路群が疑似誘電体線路を構成し、電波がこの周期構
造体に巻き付くようにして伝播する。したがって、導波
管の概念はない。このため、第２の従来例では、周期構
造体に巻き付いた電界がチョーク構造体の外側にも分布
しているため、チョーク溝構造の外側のある程度の範囲
にも電界が分布してしまう。これに対し、本実施の形態
では、チョーク溝１０内部の空間を導波管として電波が
伝播する構造としたため、第２の従来例のようにチョー
ク構造体の外側に電界が分布することがなく、チョーク
溝１０を構成する各壁面内において閉じた空間を構成
し、チョーク溝１０内を伝播する電波は、チョーク溝を
構成する壁面の内側に閉じ込められる。そのため、チョ
ーク溝構造体の外側にスペースが不要となり、チョーク
構造を小型化することができる。その結果、チョーク構
造に対応するオーブン開口部周辺の前板３部分の幅も小
さくすることができ、その分オーブン庫内を広くするこ
とができる。例えば、従来の高周波加熱装置（電子レン
ジ）の有効体積率（本体の外形寸法体積に対するオーブ
ン内の有効体積の割合）は、３５％程度であったが、本
実施の形態では約４５％まで向上させることができる。
これを、さらに具体的数値例で示すと、本体の外形寸法
が、横幅Ｗ＝４７０ｍｍ、高さＴ＝２９０ｍｍ、奥行き
Ｄ＝３８０ｍｍ（５１．８ liter）のとき、従来は前板
幅３７ｍｍであり、オーブン寸法は、Ｗ＝３１０ｍｍ、
Ｔ＝１８７ｍｍ、Ｄ＝３１０ｍｍ（１７．８ liter）
で、有効体積率は約３５％である。これに対し、本実施
の形態では、前板幅は２５ｍｍまで小さくすることがで
き、オーブン寸法は、Ｗ＝３３４ｍｍ、Ｔ＝２１１ｍ
ｍ、Ｄ＝３３４ｍｍ（２３．５ liter）となり、有効体
積率は約４５％まで向上する。
【００２６】図２には、アドミッタンス素子４の幅と電
波シール性能の関係を示す。アドミッタンス素子４の幅
を長手方向のピッチＰの１／２よりも狭くすることで、
チョーク溝１０内を伝播する電波に対して、導波管でい
うスタブ構造と同等の効果を発揮し、インピーダンスを
調整する上で非常に効果的に作用することを見出だし
た。図２は、その実験値を示している。同図は、扉チョ
ーク構造と対向する前板３の幅を２５ｍｍまで小さくし
たときの実験値である。アドミッタンス素子４の幅を長
手方向のピッチＰの１／２よりも狭くすることで、前板
３の幅を２５ｍｍまで狭くしたときでも、ＪＩＳによっ
て定められた規定値を満足できる。さらに、好ましくは
アドミッタンス素子４の幅を７ｍｍ以下とすると、より
一層効果を発揮する。アドミッタンス素子４の幅を７ｍ
ｍ以下とすることで、ＪＩＳ規定値の１／√２までシー
ル性能を向上させることができる。また、図２のアドミ
ッタンス素子４の幅が０ｍｍのとき（即ち、アドミッタ
ンス素子を挿入しない場合→第１の従来技術図１２に相
当する）は、前板幅が２５ｍｍまで狭くなると、シール
性能がＪＩＳ規定値を満足することができなくなる。イ
ンピーダンス調整素子がないとチョーク溝の構造寸法が
そのままシール性能に影響するため、前板幅２５ｍｍま
でチョーク構造を小型化すると、チョーク溝の構造寸法
も小さくなり、シール性能が劣化してしまうのである。
アドミッタンス素子４の幅を７ｍｍよりもさらに狭くし
ていくとシール性能はさらに向上するが、幅が０ｍｍに
極近付くと急激にシール性能が劣化する。アドミッタン
ス素子４の幅の下限値は、製造性もしくは構造強度の点
から決まる。
波シール性能の関係を示す。アドミッタンス素子４の幅
を長手方向のピッチＰの１／２よりも狭くすることで、
チョーク溝１０内を伝播する電波に対して、導波管でい
うスタブ構造と同等の効果を発揮し、インピーダンスを
調整する上で非常に効果的に作用することを見出だし
た。図２は、その実験値を示している。同図は、扉チョ
ーク構造と対向する前板３の幅を２５ｍｍまで小さくし
たときの実験値である。アドミッタンス素子４の幅を長
手方向のピッチＰの１／２よりも狭くすることで、前板
３の幅を２５ｍｍまで狭くしたときでも、ＪＩＳによっ
て定められた規定値を満足できる。さらに、好ましくは
アドミッタンス素子４の幅を７ｍｍ以下とすると、より
一層効果を発揮する。アドミッタンス素子４の幅を７ｍ
ｍ以下とすることで、ＪＩＳ規定値の１／√２までシー
ル性能を向上させることができる。また、図２のアドミ
ッタンス素子４の幅が０ｍｍのとき（即ち、アドミッタ
ンス素子を挿入しない場合→第１の従来技術図１２に相
当する）は、前板幅が２５ｍｍまで狭くなると、シール
性能がＪＩＳ規定値を満足することができなくなる。イ
ンピーダンス調整素子がないとチョーク溝の構造寸法が
そのままシール性能に影響するため、前板幅２５ｍｍま
でチョーク構造を小型化すると、チョーク溝の構造寸法
も小さくなり、シール性能が劣化してしまうのである。
アドミッタンス素子４の幅を７ｍｍよりもさらに狭くし
ていくとシール性能はさらに向上するが、幅が０ｍｍに
極近付くと急激にシール性能が劣化する。アドミッタン
ス素子４の幅の下限値は、製造性もしくは構造強度の点
から決まる。
【００２７】図３には、アドミッタンス素子４の配列ピ
ッチと電波シール性能の関係を示す。チョーク溝空間を
伝播する電波の管内波長は、一般に発振電波の自由空間
波長よりも長くなるため、その伝播電波に効果的にアド
ミッタンス素子４を配置するためには、管内波長の１／
４ピッチで配置すればよいため、結果的にアドミッタン
ス素子４の長手方向の配列ピッチの最適値は、自由空間
波長の１／４よりも長くなる。図３は、その実験値を示
している。
ッチと電波シール性能の関係を示す。チョーク溝空間を
伝播する電波の管内波長は、一般に発振電波の自由空間
波長よりも長くなるため、その伝播電波に効果的にアド
ミッタンス素子４を配置するためには、管内波長の１／
４ピッチで配置すればよいため、結果的にアドミッタン
ス素子４の長手方向の配列ピッチの最適値は、自由空間
波長の１／４よりも長くなる。図３は、その実験値を示
している。
【００２８】図４は、オーブン内の定在波を説明するた
めの図である。アドミッタンス素子４の長手方向の配列
方法について、各辺の中央付近に基点となるアドミッタ
ンス素子４を設置し、それを基点として長手方向にアド
ミッタンス素子４を配列するのが効果的である。これ
は、以下のような理由から言える。電子レンジのオーブ
ン内には、マイクロ波の３次元の定在波が励振されるた
め、一辺に注目してみると、両壁面の位置では、定在波
の節もしくは腹となり、辺の長さの整数等分の長さを半
波長とする定在波が励振されている。図４は、その一例
を示している。図４の例では、オーブンの横幅方向に５
次の定在波が励振されている。辺の中央をみると、定在
波の腹の位置となっている。同様に考えると、辺の中央
付近には定在波の腹もしくは節が位置することになり、
このオーブン内の定在波がチョーク溝１０に進入するた
め、結局、漏洩電波も辺の中央付近が基点となって分布
している。これに対して、同様に、この辺の中央付近を
基点にアドミッタンス素子４を配列すれば、より効果的
に入力インピーダンスを調節することができるのであ
る。
めの図である。アドミッタンス素子４の長手方向の配列
方法について、各辺の中央付近に基点となるアドミッタ
ンス素子４を設置し、それを基点として長手方向にアド
ミッタンス素子４を配列するのが効果的である。これ
は、以下のような理由から言える。電子レンジのオーブ
ン内には、マイクロ波の３次元の定在波が励振されるた
め、一辺に注目してみると、両壁面の位置では、定在波
の節もしくは腹となり、辺の長さの整数等分の長さを半
波長とする定在波が励振されている。図４は、その一例
を示している。図４の例では、オーブンの横幅方向に５
次の定在波が励振されている。辺の中央をみると、定在
波の腹の位置となっている。同様に考えると、辺の中央
付近には定在波の腹もしくは節が位置することになり、
このオーブン内の定在波がチョーク溝１０に進入するた
め、結局、漏洩電波も辺の中央付近が基点となって分布
している。これに対して、同様に、この辺の中央付近を
基点にアドミッタンス素子４を配列すれば、より効果的
に入力インピーダンスを調節することができるのであ
る。
【００２９】図５には、アドミッタンス素子４の各辺ご
とに配列ピッチと電波シール性能の関係を示す。チョー
ク溝１０の各辺（上辺、下辺、左辺、右辺）のアドミッ
タンス素子４の配列ピッチをそれぞれ調節することで、
さらに電波シール性能の改善を図ることができることを
見いだした。図５は、その実験値を示しており、上下辺
ピッチをａ、左右辺ピッチをｂに調節した場合に電波シ
ール性能が最も良好になることを示している。全周ピッ
チａ又は全周ピッチｂとは、全周ピッチを一律にａ又は
ｂにしたときであり、この場合、電波シール性能は上記
に比べて劣化する。これは、オーブン開口の横幅と縦幅
が一般には等しくないため、辺ごとにオーブン内の定在
波の波長が異なり、それに対するチョーク構造内のアド
ミッタンス素子の最適の配列ピッチも辺ごとに異なるた
めである。
とに配列ピッチと電波シール性能の関係を示す。チョー
ク溝１０の各辺（上辺、下辺、左辺、右辺）のアドミッ
タンス素子４の配列ピッチをそれぞれ調節することで、
さらに電波シール性能の改善を図ることができることを
見いだした。図５は、その実験値を示しており、上下辺
ピッチをａ、左右辺ピッチをｂに調節した場合に電波シ
ール性能が最も良好になることを示している。全周ピッ
チａ又は全周ピッチｂとは、全周ピッチを一律にａ又は
ｂにしたときであり、この場合、電波シール性能は上記
に比べて劣化する。これは、オーブン開口の横幅と縦幅
が一般には等しくないため、辺ごとにオーブン内の定在
波の波長が異なり、それに対するチョーク構造内のアド
ミッタンス素子の最適の配列ピッチも辺ごとに異なるた
めである。
【００３０】図６、図７には、チョーク溝１０の開口部
に誘電体製のカバー６を取り付けた状態を示す。第１の
実施の形態のチョーク構造において、チョーク溝１０の
開口部５に誘電体のカバー６を取り付けることで、イン
ピーダンス調整用のアドミッタンス素子４は外因に対し
て完全に保護され、異物の混入及び外因による変形等の
シール性能を劣化させる要因から完全に守られ、耐久性
の優れたチョーク構造を実現できる。また、第１の実施
の形態のチョーク構造によれば、インピーダンス調整用
のアドミッタンス素子４の作用がチョーク溝１０内の閉
じた空間で完結しているため、チョーク溝１０を伝播す
る電波はチョーク構造を構成する壁面の内側に全て取り
込まれる。このため、チョーク構造を構成する壁面の外
側にスペースが不要となり、チョーク構造全体の省スペ
ース化が可能となる。また、図７は、この誘電体カバー
６の取り付け方法の一例を示したものである。誘電体カ
バー６がチョーク溝１０内に落ち込まないように引っ掛
け部７を設け、また逆に外側に外れないようチョーク構
造体に固定するための爪８を設けている。誘電体カバー
６がチョーク溝１０内に落ち込まないように誘電体カバ
ー６の一部を延ばしてチョーク溝１０の底部に接触させ
て固定する方法もある。
に誘電体製のカバー６を取り付けた状態を示す。第１の
実施の形態のチョーク構造において、チョーク溝１０の
開口部５に誘電体のカバー６を取り付けることで、イン
ピーダンス調整用のアドミッタンス素子４は外因に対し
て完全に保護され、異物の混入及び外因による変形等の
シール性能を劣化させる要因から完全に守られ、耐久性
の優れたチョーク構造を実現できる。また、第１の実施
の形態のチョーク構造によれば、インピーダンス調整用
のアドミッタンス素子４の作用がチョーク溝１０内の閉
じた空間で完結しているため、チョーク溝１０を伝播す
る電波はチョーク構造を構成する壁面の内側に全て取り
込まれる。このため、チョーク構造を構成する壁面の外
側にスペースが不要となり、チョーク構造全体の省スペ
ース化が可能となる。また、図７は、この誘電体カバー
６の取り付け方法の一例を示したものである。誘電体カ
バー６がチョーク溝１０内に落ち込まないように引っ掛
け部７を設け、また逆に外側に外れないようチョーク構
造体に固定するための爪８を設けている。誘電体カバー
６がチョーク溝１０内に落ち込まないように誘電体カバ
ー６の一部を延ばしてチョーク溝１０の底部に接触させ
て固定する方法もある。
【００３１】図８には、導体接触片１、導体片２及びア
ドミッタンス素子４等の製造方法例を示す。チョーク構
造の製造方法について、導体接触片１からアドミッタン
ス素子４にかけては、従来は図８（ａ）のような型か
ら、プレスによる製造方法をとっていた。これに対し、
本実施の形態では、新たに折り曲げ構造による製造方法
を採用している。図８（ｂ）は、この製造方法を示して
いる。丁度、コーナー部分９の曲げ部分を削除した形状
である。１１は折り曲げ部、１２はパンチングメタルで
ある。こうすることで、従来に比べて製造方法を簡素化
することができる。
ドミッタンス素子４等の製造方法例を示す。チョーク構
造の製造方法について、導体接触片１からアドミッタン
ス素子４にかけては、従来は図８（ａ）のような型か
ら、プレスによる製造方法をとっていた。これに対し、
本実施の形態では、新たに折り曲げ構造による製造方法
を採用している。図８（ｂ）は、この製造方法を示して
いる。丁度、コーナー部分９の曲げ部分を削除した形状
である。１１は折り曲げ部、１２はパンチングメタルで
ある。こうすることで、従来に比べて製造方法を簡素化
することができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、アドミッタンス素子は、チョーク溝壁を構
成する導体接触片の外周縁から前記チョーク溝の内部に
延びる導体片の先端縁に取り付けた導体板もしくは導体
棒の何れかにより構成したため、漏洩電磁波はチョーク
溝内に取り込まれてチョーク溝内を伝播し、入力インピ
ーダンスがアドミッタンス素子で効果的に調整されるの
で、チョーク構造体の外側に電界が分布することがな
く、チョーク構造体の外側にスペースが不要となって、
小型のチョーク構造で所望の電波シール性能を持たせる
ことができる。
明によれば、アドミッタンス素子は、チョーク溝壁を構
成する導体接触片の外周縁から前記チョーク溝の内部に
延びる導体片の先端縁に取り付けた導体板もしくは導体
棒の何れかにより構成したため、漏洩電磁波はチョーク
溝内に取り込まれてチョーク溝内を伝播し、入力インピ
ーダンスがアドミッタンス素子で効果的に調整されるの
で、チョーク構造体の外側に電界が分布することがな
く、チョーク構造体の外側にスペースが不要となって、
小型のチョーク構造で所望の電波シール性能を持たせる
ことができる。
【００３３】請求項２記載の発明によれば、前記チョー
ク溝の長手方向に複数個配列した前記アドミッタンス素
子の各幅は、配列ピッチの１／２を超えない大きさにし
たため、アドミッタンス素子が導波管におけるスタブ構
造と同等の効果を発揮して入力インピーダンスを調整す
る上で非常に効果的に作用するので、チョーク構造体の
一層の小型化が可能となる。
ク溝の長手方向に複数個配列した前記アドミッタンス素
子の各幅は、配列ピッチの１／２を超えない大きさにし
たため、アドミッタンス素子が導波管におけるスタブ構
造と同等の効果を発揮して入力インピーダンスを調整す
る上で非常に効果的に作用するので、チョーク構造体の
一層の小型化が可能となる。
【００３４】請求項３記載の発明によれば、前記チョー
ク溝は、開口部以外の壁面が全て導体面で囲まれ、前記
アドミッタンス素子以外の構成部分で長手方向に導波管
構造をなすようにしたため、チョーク溝内を伝播する電
磁波をチョーク溝を構成する壁面の内側に閉じ込めて確
実にチョーク溝内を伝播させることができる。
ク溝は、開口部以外の壁面が全て導体面で囲まれ、前記
アドミッタンス素子以外の構成部分で長手方向に導波管
構造をなすようにしたため、チョーク溝内を伝播する電
磁波をチョーク溝を構成する壁面の内側に閉じ込めて確
実にチョーク溝内を伝播させることができる。
【００３５】請求項４記載の発明によれば、複数個配列
した前記アドミッタンス素子の長手方向の配列ピッチ
は、発振高周波の自由空間波長の１／４より長くしたた
め、チョーク溝空間を伝播する電磁波の管内波長は、一
般に発振高周波の自由空間波長よりも長くなることか
ら、配列ピッチを最適化して電波シール性能を一層向上
させることができる。
した前記アドミッタンス素子の長手方向の配列ピッチ
は、発振高周波の自由空間波長の１／４より長くしたた
め、チョーク溝空間を伝播する電磁波の管内波長は、一
般に発振高周波の自由空間波長よりも長くなることか
ら、配列ピッチを最適化して電波シール性能を一層向上
させることができる。
【００３６】請求項５記載の発明によれば、複数個の前
記アドミッタンス素子は、前記本体の周囲部に対応した
各辺の中央付近を基点として配置したため、漏洩電磁波
は辺の中央付近が基点となって分布することから、より
効果的に入力インピーダンスを調節することができる。
記アドミッタンス素子は、前記本体の周囲部に対応した
各辺の中央付近を基点として配置したため、漏洩電磁波
は辺の中央付近が基点となって分布することから、より
効果的に入力インピーダンスを調節することができる。
【００３７】請求項６記載の発明によれば、複数個の前
記アドミッタンス素子は、前記本体の周囲部に対応した
各辺ごとに異なるピッチで配列したため、オーブン開口
の横幅と縦幅は一般には等しくなく、辺ごとにオーブン
内の定在波の波長が異なることから、配列ピッチを一層
最適化して電波シール性能をさらに向上させることがで
きる。
記アドミッタンス素子は、前記本体の周囲部に対応した
各辺ごとに異なるピッチで配列したため、オーブン開口
の横幅と縦幅は一般には等しくなく、辺ごとにオーブン
内の定在波の波長が異なることから、配列ピッチを一層
最適化して電波シール性能をさらに向上させることがで
きる。
【００３８】請求項７記載の発明によれば、前記チョー
ク溝の開口部に誘電体製のカバーを設置したため、アド
ミッタンス素子が外因から完全に保護されて、耐久性の
優れたチョーク構造を実現することができる。
ク溝の開口部に誘電体製のカバーを設置したため、アド
ミッタンス素子が外因から完全に保護されて、耐久性の
優れたチョーク構造を実現することができる。
【００３９】請求項８記載の発明によれば、前記導体接
触片、該導体接触片の外周縁から前記チョーク溝の内部
に延びる導体片及び該導体片の先端縁に取り付けた導体
板もしくは導体棒の何れかからなる前記アドミッタンス
素子は、折り曲げ構造により形成したため、チョーク構
造の小型化等の可能に加えて容易製造性を得ることがで
きる。
触片、該導体接触片の外周縁から前記チョーク溝の内部
に延びる導体片及び該導体片の先端縁に取り付けた導体
板もしくは導体棒の何れかからなる前記アドミッタンス
素子は、折り曲げ構造により形成したため、チョーク構
造の小型化等の可能に加えて容易製造性を得ることがで
きる。
【図１】本発明に係る高周波加熱装置の実施の形態にお
けるチョーク溝部分の構成を示す斜視図である。
けるチョーク溝部分の構成を示す斜視図である。
【図２】上記実施の形態におけるアドミッタンス素子の
幅と電波シール性能の関係を示す図である。
幅と電波シール性能の関係を示す図である。
【図３】上記実施の形態におけるアドミッタンス素子の
配列ピッチと電波シール性能の関係を示す図である。
配列ピッチと電波シール性能の関係を示す図である。
【図４】上記実施の形態におけるオーブン内の定在波を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図５】上記実施の形態におけるアドミッタンス素子の
各辺ごとの配列ピッチと電波シール性能の関係を示す図
である。
各辺ごとの配列ピッチと電波シール性能の関係を示す図
である。
【図６】上記実施の形態においてチョーク溝の開口部に
誘電体製のカバーを取り付けた状態を示す斜視図であ
る。
誘電体製のカバーを取り付けた状態を示す斜視図であ
る。
【図７】上記図６において誘電体製のカバーの他の取り
付け方法を示す斜視図である。
付け方法を示す斜視図である。
【図８】上記実施の形態におけるチョーク構造の製造方
法を説明するための図である。
法を説明するための図である。
【図９】上記実施の形態におけるチョーク溝の原理的な
構成及び作用を説明するための図である。
構成及び作用を説明するための図である。
【図１０】第１の従来技術である高周波加熱装置の扉開
放時の外観図である。
放時の外観図である。
【図１１】上記第１の従来技術におけるチョーク構造を
図１０のＡ−Ａ′の拡大断面で示す図である。
図１０のＡ−Ａ′の拡大断面で示す図である。
【図１２】上記第１の従来技術におけるチョーク溝部分
の構成を示す拡大斜視図である。
の構成を示す拡大斜視図である。
【図１３】高周波加熱装置の第２の従来技術におけるチ
ョーク溝部分の構成を示す斜視図である。
ョーク溝部分の構成を示す斜視図である。
【図１４】高周波加熱装置の第３の従来技術におけるチ
ョーク溝部分の構成を示す斜視図である。
ョーク溝部分の構成を示す斜視図である。
１ 導体接触片 ２ 導体片 ３ 前板 ４ アドミッタンス素子 ５ 開口部 ６ 誘電体製のカバー １０ チョーク溝 １１ 折り曲げ部
フロントページの続き (72)発明者 柿沢 俊夫 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝住空間システム技術研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】 内部に高周波が供給される本体と該本体
に開閉自在に設けられた扉との対向する部分の少なくと
も一方に、電波シール用のチョーク溝を設け、該チョー
ク溝内の長手方向に当該チョーク溝の入力インピーダン
ス調整用のアドミッタンス素子を配置してなる高周波加
熱装置であって、前記アドミッタンス素子は、前記チョ
ーク溝壁を構成する導体接触片の外周縁から前記チョー
ク溝の内部に延びる導体片の先端縁に取り付けた導体板
もしくは導体棒の何れかにより構成してなることを特徴
とする高周波加熱装置。 - 【請求項２】 前記チョーク溝の長手方向に複数個配列
した前記アドミッタンス素子の各幅は、配列ピッチの１
／２を超えない大きさにしてなることを特徴とする請求
項１記載の高周波加熱装置。 - 【請求項３】 前記チョーク溝は、開口部以外の壁面が
全て導体面で囲まれ、前記アドミッタンス素子以外の構
成部分で長手方向に導波管構造をなすことを特徴とする
請求項１記載の高周波加熱装置。 - 【請求項４】 複数個配列した前記アドミッタンス素子
の長手方向の配列ピッチは、発振高周波の自由空間波長
の１／４より長くしてなることを特徴とする請求項１記
載の高周波加熱装置。 - 【請求項５】 複数個の前記アドミッタンス素子は、前
記本体の周囲部に対応した各辺の中央付近を基点として
配置してなることを特徴とする請求項１記載の高周波加
熱装置。 - 【請求項６】 複数個の前記アドミッタンス素子は、前
記本体の周囲部に対応した各辺ごとに異なるピッチで配
列してなることを特徴とする請求項１記載の高周波加熱
装置。 - 【請求項７】 前記チョーク溝の開口部に誘電体製のカ
バーを設置してなることを特徴とする請求項１記載の高
周波加熱装置。 - 【請求項８】 前記導体接触片、該導体接触片の外周縁
から前記チョーク溝の内部に延びる導体片及び該導体片
の先端縁に取り付けた導体板もしくは導体棒の何れかか
らなる前記アドミッタンス素子は、折り曲げ構造により
形成してなることを特徴とする請求項１記載の高周波加
熱装置。
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|---|---|---|---|
| JP05063797A JP3492876B2 (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | 高周波加熱装置 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05063797A JP3492876B2 (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | 高周波加熱装置 |
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|---|---|
| JPH10247586A true JPH10247586A (ja) | 1998-09-14 |
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|---|---|---|---|
| JP05063797A Expired - Fee Related JP3492876B2 (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | 高周波加熱装置 |
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| KR (1) | KR100266033B1 (ja) |
| CN (1) | CN1140723C (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2007317607A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波加熱装置 |
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1997
- 1997-03-05 JP JP05063797A patent/JP3492876B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-03-04 CN CNB981060056A patent/CN1140723C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-04 KR KR1019980007004A patent/KR100266033B1/ko not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| CN1192520A (zh) | 1998-09-09 |
| KR100266033B1 (ko) | 2000-09-15 |
| CN1140723C (zh) | 2004-03-03 |
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