JPH10247612A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPH10247612A JPH10247612A JP9065522A JP6552297A JPH10247612A JP H10247612 A JPH10247612 A JP H10247612A JP 9065522 A JP9065522 A JP 9065522A JP 6552297 A JP6552297 A JP 6552297A JP H10247612 A JPH10247612 A JP H10247612A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 導電性高分子化合物の特徴である優れた高周
波特性を維持したまま、実装時の熱応力によって漏れ電
流が増大することがない固体電解コンデンサを提供する
こと。 【解決手段】 誘電体酸化皮膜層２が形成された陽極体
１上に導電性高分子化合物層４、導電体層であるグラフ
ァイト層５及び銀ペースト層６が順次積層形成され、該
導電体層が一方の電極（陰極）７とされ、陽極体１が他
方の電極（陽極）８とされてなる固体電解コンデンサに
おいて、前記誘電体酸化皮膜層２の絶縁欠陥部に絶縁性
薄膜層（ポリイミド薄膜層）３が電着法により選択的に
形成され、該絶縁性薄膜層（ポリイミド薄膜層）３によ
り誘電体酸化皮膜層２の絶縁欠陥部が補修されて実装時
の熱応力による漏れ電流の増大が防止される。
波特性を維持したまま、実装時の熱応力によって漏れ電
流が増大することがない固体電解コンデンサを提供する
こと。 【解決手段】 誘電体酸化皮膜層２が形成された陽極体
１上に導電性高分子化合物層４、導電体層であるグラフ
ァイト層５及び銀ペースト層６が順次積層形成され、該
導電体層が一方の電極（陰極）７とされ、陽極体１が他
方の電極（陽極）８とされてなる固体電解コンデンサに
おいて、前記誘電体酸化皮膜層２の絶縁欠陥部に絶縁性
薄膜層（ポリイミド薄膜層）３が電着法により選択的に
形成され、該絶縁性薄膜層（ポリイミド薄膜層）３によ
り誘電体酸化皮膜層２の絶縁欠陥部が補修されて実装時
の熱応力による漏れ電流の増大が防止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、共役系高分子化合
物の導電性高分子化合物を固体電解質とする固体電解コ
ンデンサの改良に関し、更に詳しくは、実装時の熱応力
による漏れ電流の増大防止手段が施された固体電解コン
デンサに係るものである。
物の導電性高分子化合物を固体電解質とする固体電解コ
ンデンサの改良に関し、更に詳しくは、実装時の熱応力
による漏れ電流の増大防止手段が施された固体電解コン
デンサに係るものである。
【０００２】
【従来の技術】通常、固体電解コンデンサは、タンタル
或いはアルミニウム等の弁作用金属の多孔質成形体を陽
極とし、その酸化皮膜を誘電体とし、そして二酸化マン
ガンや７、７、８、８−テトラシアノキノジメタン（Ｔ
ＣＮＱ）錯塩等の固体電解質を陰極の一部とする構造を
有している。この場合、固体電解質には多孔質成形体内
部の誘電体全面と電極リードとの間を電気的に接続する
機能を有するが、その上に誘電体酸化皮膜の絶縁欠陥に
起因する電気的短絡を修復する機能を有することが望ま
しい。そのような要請から、導電率は高いが誘電体修復
機能がない金属は固体電解質としては不適当であり、従
来、短絡電流による熱等によって絶縁体に移転する二酸
化マンガン等が固体電解質として用いられてきた。しか
しながら、二酸化マンガンを電極の一部とするものは、
その導電率が充分低くないので、高周波域でのインピー
ダンスが大きい。一方、ＴＣＮＱ錯塩を電極の一部とす
るものは、ＴＣＮＱ錯塩が熱分解し易いので、耐熱性に
劣っている等、これらを用いた固体電解コンデンサには
種々の解決課題が残っていた。そこで、近年、高分子の
分野において、新しい固体電解質材料の開発が進めら
れ、その結果、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリア
ニリン等の共役系高分子化合物に電子供与性や電子吸引
性化合物（ドーパント）をドーピングした導電性高分子
化合物を固体電解質として用いた固体電解コンデンサが
提案されている。更に説明すれば、該固体電解コンデン
サは、図２に示されているように、タンタル粉末の焼結
体の表面に誘電体酸化皮膜層２が形成されて構成された
陽極体１上に共役系高分子化合物の導電性高分子化合物
層４、陰極となる導電体層としてのグラファイト層５及
び銀ペースト層６が順次積層形成され、該導電体層から
は陰極導出線７が、陽極体１からは陽極導出線８がそれ
ぞれ引き出されて、陽極体１の全周面が外装樹脂材９に
てモールド外装されてなるものである。そして、該固体
電解コンデンサにおいては、その導電性高分子化合物層
４は、例えば、アニリンモノマーを誘電体酸化皮膜層２
上で酸化剤を用いて重合させ導電性高分子化合物層とし
てのポリアニリンを形成させていた。
或いはアルミニウム等の弁作用金属の多孔質成形体を陽
極とし、その酸化皮膜を誘電体とし、そして二酸化マン
ガンや７、７、８、８−テトラシアノキノジメタン（Ｔ
ＣＮＱ）錯塩等の固体電解質を陰極の一部とする構造を
有している。この場合、固体電解質には多孔質成形体内
部の誘電体全面と電極リードとの間を電気的に接続する
機能を有するが、その上に誘電体酸化皮膜の絶縁欠陥に
起因する電気的短絡を修復する機能を有することが望ま
しい。そのような要請から、導電率は高いが誘電体修復
機能がない金属は固体電解質としては不適当であり、従
来、短絡電流による熱等によって絶縁体に移転する二酸
化マンガン等が固体電解質として用いられてきた。しか
しながら、二酸化マンガンを電極の一部とするものは、
その導電率が充分低くないので、高周波域でのインピー
ダンスが大きい。一方、ＴＣＮＱ錯塩を電極の一部とす
るものは、ＴＣＮＱ錯塩が熱分解し易いので、耐熱性に
劣っている等、これらを用いた固体電解コンデンサには
種々の解決課題が残っていた。そこで、近年、高分子の
分野において、新しい固体電解質材料の開発が進めら
れ、その結果、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリア
ニリン等の共役系高分子化合物に電子供与性や電子吸引
性化合物（ドーパント）をドーピングした導電性高分子
化合物を固体電解質として用いた固体電解コンデンサが
提案されている。更に説明すれば、該固体電解コンデン
サは、図２に示されているように、タンタル粉末の焼結
体の表面に誘電体酸化皮膜層２が形成されて構成された
陽極体１上に共役系高分子化合物の導電性高分子化合物
層４、陰極となる導電体層としてのグラファイト層５及
び銀ペースト層６が順次積層形成され、該導電体層から
は陰極導出線７が、陽極体１からは陽極導出線８がそれ
ぞれ引き出されて、陽極体１の全周面が外装樹脂材９に
てモールド外装されてなるものである。そして、該固体
電解コンデンサにおいては、その導電性高分子化合物層
４は、例えば、アニリンモノマーを誘電体酸化皮膜層２
上で酸化剤を用いて重合させ導電性高分子化合物層とし
てのポリアニリンを形成させていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述したよ
うに、誘電体酸化皮膜層上で酸化剤を用いて重合させた
導電性高分子化合物を固体電解質とする従来の固体電解
コンデンサは、固体電解質層であるポリアニリン膜が薄
くしか形成されないところから、実装時に加わる熱応力
等によってポリアニリン膜と誘電体酸化皮膜とが剥離す
ることがあり、このとき誘電体酸化皮膜層に損傷が生じ
てコンデンサの漏れ電流が増大するという問題点があつ
た。
うに、誘電体酸化皮膜層上で酸化剤を用いて重合させた
導電性高分子化合物を固体電解質とする従来の固体電解
コンデンサは、固体電解質層であるポリアニリン膜が薄
くしか形成されないところから、実装時に加わる熱応力
等によってポリアニリン膜と誘電体酸化皮膜とが剥離す
ることがあり、このとき誘電体酸化皮膜層に損傷が生じ
てコンデンサの漏れ電流が増大するという問題点があつ
た。
【０００４】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
なされたもので、その目的とするところは、導電性高分
子化合物の特徴である優れた高周波特性を維持したま
ま、実装時の熱応力によって漏れ電流が増大することが
ない、共役系高分子化合物を固体電解質とした固体電解
コンデンサを提供することにある。
なされたもので、その目的とするところは、導電性高分
子化合物の特徴である優れた高周波特性を維持したま
ま、実装時の熱応力によって漏れ電流が増大することが
ない、共役系高分子化合物を固体電解質とした固体電解
コンデンサを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、表面に誘電体酸化皮膜層が形成された陽
極体上に共役系高分子化合物の導電性高分子化合物層、
導電体層が順次積層形成され、該導電体層が一方の電極
とされ、前記陽極体が他方の電極とされてなる固体電解
コンデンサにおいて、前記誘電体酸化皮膜層の絶縁欠陥
部に絶縁性薄膜層が電着法により形成され、該絶縁性薄
膜層により前記誘電体酸化皮膜層の絶縁欠陥部が補修さ
れて実装時の熱応力による漏れ電流の増大が防止される
構成を特徴とするものである。
め、本発明は、表面に誘電体酸化皮膜層が形成された陽
極体上に共役系高分子化合物の導電性高分子化合物層、
導電体層が順次積層形成され、該導電体層が一方の電極
とされ、前記陽極体が他方の電極とされてなる固体電解
コンデンサにおいて、前記誘電体酸化皮膜層の絶縁欠陥
部に絶縁性薄膜層が電着法により形成され、該絶縁性薄
膜層により前記誘電体酸化皮膜層の絶縁欠陥部が補修さ
れて実装時の熱応力による漏れ電流の増大が防止される
構成を特徴とするものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態につき、図２と
の対応部分に同一数字を附して示す図１を参照して説明
すると、本発明に係る固体電解コンデンサは、図１に示
されているように、図２に示された従来構造の固体電解
コンデンサにおいて、電着法により誘電体酸化皮膜層２
の絶縁欠陥部に選択的に絶縁性薄膜層（ポリイミド薄膜
層）３が形成された構成にある。更に説明すると、チタ
ン、タンタル及びアルミニウムのような誘電体酸化皮膜
を形成できる金属粉末の焼結体にして、かつ表面積が大
きくされている焼結体の細孔壁面にコ字形に沿って誘電
体酸化皮膜層２が形成されて陽極となる陽極体１が構成
されるとともに、該陽極体１における誘電体酸化皮膜層
２の表面の補修を要する絶縁欠陥部には、電着法により
絶縁性薄膜層（ポリイミド薄膜層）３が選択的に形成さ
れ、次いで、該絶縁性薄膜層（ポリイミド薄膜層）３上
に共役系高分子化合物の導電性高分子化合物層４、導電
体層としてのグラファイト層５及び銀ペースト層６が順
次積層形成され、該導電体層からは陰極導出線７が、陽
極体１からは陽極導出線８がそれぞれ引き出されて陽極
体１の全周面が外装樹脂材９にてモールド外装されてな
るものである。
の対応部分に同一数字を附して示す図１を参照して説明
すると、本発明に係る固体電解コンデンサは、図１に示
されているように、図２に示された従来構造の固体電解
コンデンサにおいて、電着法により誘電体酸化皮膜層２
の絶縁欠陥部に選択的に絶縁性薄膜層（ポリイミド薄膜
層）３が形成された構成にある。更に説明すると、チタ
ン、タンタル及びアルミニウムのような誘電体酸化皮膜
を形成できる金属粉末の焼結体にして、かつ表面積が大
きくされている焼結体の細孔壁面にコ字形に沿って誘電
体酸化皮膜層２が形成されて陽極となる陽極体１が構成
されるとともに、該陽極体１における誘電体酸化皮膜層
２の表面の補修を要する絶縁欠陥部には、電着法により
絶縁性薄膜層（ポリイミド薄膜層）３が選択的に形成さ
れ、次いで、該絶縁性薄膜層（ポリイミド薄膜層）３上
に共役系高分子化合物の導電性高分子化合物層４、導電
体層としてのグラファイト層５及び銀ペースト層６が順
次積層形成され、該導電体層からは陰極導出線７が、陽
極体１からは陽極導出線８がそれぞれ引き出されて陽極
体１の全周面が外装樹脂材９にてモールド外装されてな
るものである。
【０００７】なお、絶縁性薄膜層３としてのポリイミド
薄膜を形成する方法としてはスピンコート法、真空蒸着
重合法、電着法等が知られているが、スピンコート法や
真空蒸着重合法では、多孔質化した細孔内部への薄膜形
成は困難であるため、本固体電解コンデンサにおいて
は、ポリアミック酸塩を含む溶液を電着液とし、ポリア
ミック酸を電着した後、加熱イミド化してポリイミド薄
膜を形成する電着法を採用した。また、導電性高分子化
合物層４の形成方法は、化学重合法で合成した導電性高
分子層をプレコート層とし、その上に電解重合すること
により形成される。なお、電解重合により形成される導
電性高分子は特に限定されないが、重合反応の容易さか
らピロール、チオフェン、アニリン或いはそれらの誘導
体を繰り返し単位とするものが好ましく、また、酸化剤
を用いて化学酸化重合したポリピロール或いはポリアニ
リン、ポリチオフェンのいずれか、或いはそれらの誘導
体のいずれかが望ましく、更には、ポリアニリン、ポリ
チオフェン、ポリピロールのいずれかを組み合わせても
良い。
薄膜を形成する方法としてはスピンコート法、真空蒸着
重合法、電着法等が知られているが、スピンコート法や
真空蒸着重合法では、多孔質化した細孔内部への薄膜形
成は困難であるため、本固体電解コンデンサにおいて
は、ポリアミック酸塩を含む溶液を電着液とし、ポリア
ミック酸を電着した後、加熱イミド化してポリイミド薄
膜を形成する電着法を採用した。また、導電性高分子化
合物層４の形成方法は、化学重合法で合成した導電性高
分子層をプレコート層とし、その上に電解重合すること
により形成される。なお、電解重合により形成される導
電性高分子は特に限定されないが、重合反応の容易さか
らピロール、チオフェン、アニリン或いはそれらの誘導
体を繰り返し単位とするものが好ましく、また、酸化剤
を用いて化学酸化重合したポリピロール或いはポリアニ
リン、ポリチオフェンのいずれか、或いはそれらの誘導
体のいずれかが望ましく、更には、ポリアニリン、ポリ
チオフェン、ポリピロールのいずれかを組み合わせても
良い。
【０００８】上記のようにして、製造構成された本固体
電解コンデンサは、誘電体酸化皮膜層２の絶縁欠陥部が
絶縁性薄膜層であるポリイミド薄膜層３で補修されるこ
とになり、実装時の熱応力によって漏れ電流が増大する
ことがない固体電解コンデンサとなる。
電解コンデンサは、誘電体酸化皮膜層２の絶縁欠陥部が
絶縁性薄膜層であるポリイミド薄膜層３で補修されるこ
とになり、実装時の熱応力によって漏れ電流が増大する
ことがない固体電解コンデンサとなる。
【０００９】
【実施例】以下に具体的実施例について説明する。 実施例１ タンタル粉末の角形焼結体（２．１×１．０×１．２m
m）をリン酸水溶液中で陽極酸化（５０Ｖ）し、焼結体
表面に誘電体酸化皮膜層としてのタンタル酸化皮膜層２
を形成して陽極体１を構成し、該陽極体１をポリアミッ
ク酸塩を含む溶液に浸漬し、４０Ｖで１時間電着し、メ
タノール洗浄後２５０℃で１時間加熱し、タンタル酸化
皮膜層２上に絶縁性薄膜層としてのイミド化したポリイ
ミド薄膜層３を形成した。なお、電着液の調製は、ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物１．２ｇ及びＰ−フェ
ニレンジアミン０．４４ｇをＮ−メチルピロリドン２
１．８ｇ中で反応させポリアミック酸溶液を調製した。
このポリアミック酸溶液２．１ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド３３．５ｇで希釈した後、良く撹拌しながら
トリエチルアミン０．０３４ｇを加えポリアミック酸塩
溶液とし、更にこのポリアミック酸塩溶液に撹拌しなが
らメタノール６４．４ｇを加え、ポリアミック酸塩０．
１４５％の電着液とした。ポリイミド薄膜層３を形成
後、ピロールとエタノールとを重量比で３０：７０の割
合で含有するピロール液に浸漬した。次いで、ドデシル
ヘンゼンスルホン第二鉄とエタノールとを重量比で４
０：６０の割合で含有する温度１５℃の酸化剤溶液に浸
漬し、導電性高分子化合物層４を重合させた。反応終了
後、未反応の酸化剤と過剰の酸とを水洗によって洗浄
し、５０℃で１時間、真空中で乾燥した。次いで、生成
した導電性高分子化合物層４上に導電体層としてのグラ
ファイト層５及び銀ペースト層６を順次積層形成し、銀
ペースト層６からは陰極導出線７を、陽極体１からは陽
極導出線８をそれぞれ引き出した後、陽極体１の全周面
を外装エポキシ樹脂材９にてモールド外装して固体電解
コンデンサを完成させた。
m）をリン酸水溶液中で陽極酸化（５０Ｖ）し、焼結体
表面に誘電体酸化皮膜層としてのタンタル酸化皮膜層２
を形成して陽極体１を構成し、該陽極体１をポリアミッ
ク酸塩を含む溶液に浸漬し、４０Ｖで１時間電着し、メ
タノール洗浄後２５０℃で１時間加熱し、タンタル酸化
皮膜層２上に絶縁性薄膜層としてのイミド化したポリイ
ミド薄膜層３を形成した。なお、電着液の調製は、ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物１．２ｇ及びＰ−フェ
ニレンジアミン０．４４ｇをＮ−メチルピロリドン２
１．８ｇ中で反応させポリアミック酸溶液を調製した。
このポリアミック酸溶液２．１ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド３３．５ｇで希釈した後、良く撹拌しながら
トリエチルアミン０．０３４ｇを加えポリアミック酸塩
溶液とし、更にこのポリアミック酸塩溶液に撹拌しなが
らメタノール６４．４ｇを加え、ポリアミック酸塩０．
１４５％の電着液とした。ポリイミド薄膜層３を形成
後、ピロールとエタノールとを重量比で３０：７０の割
合で含有するピロール液に浸漬した。次いで、ドデシル
ヘンゼンスルホン第二鉄とエタノールとを重量比で４
０：６０の割合で含有する温度１５℃の酸化剤溶液に浸
漬し、導電性高分子化合物層４を重合させた。反応終了
後、未反応の酸化剤と過剰の酸とを水洗によって洗浄
し、５０℃で１時間、真空中で乾燥した。次いで、生成
した導電性高分子化合物層４上に導電体層としてのグラ
ファイト層５及び銀ペースト層６を順次積層形成し、銀
ペースト層６からは陰極導出線７を、陽極体１からは陽
極導出線８をそれぞれ引き出した後、陽極体１の全周面
を外装エポキシ樹脂材９にてモールド外装して固体電解
コンデンサを完成させた。
【００１０】実施例２ 実施例１と同じ陽極体１における誘電体酸化皮膜層２上
に、実施例１と同様な方法でポリイミド薄膜層３を形成
した。ポリイミド薄膜層３を形成後、アニリンとエタノ
ールとを重量比３０：７０の割合で含有するアニリン溶
液に浸漬し、次いで、過硫酸アンモニウム、トルエンス
ルホン酸及びエタノールを重量比で２０：２０：６０の
割合で含有する温度１５℃の酸化剤溶液に浸漬し、導電
性高分子化合物層４を重合させた。反応終了後、実施例
１と同様な方法で洗浄、乾燥等して固体電解コンデンサ
を完成させた。
に、実施例１と同様な方法でポリイミド薄膜層３を形成
した。ポリイミド薄膜層３を形成後、アニリンとエタノ
ールとを重量比３０：７０の割合で含有するアニリン溶
液に浸漬し、次いで、過硫酸アンモニウム、トルエンス
ルホン酸及びエタノールを重量比で２０：２０：６０の
割合で含有する温度１５℃の酸化剤溶液に浸漬し、導電
性高分子化合物層４を重合させた。反応終了後、実施例
１と同様な方法で洗浄、乾燥等して固体電解コンデンサ
を完成させた。
【００１１】実施例３ 実施例１と同じ陽極体１における誘電体酸化皮膜層２上
に、実施例１と同様な方法でポリイミド薄膜層３を形成
した。ポリイミド薄膜層３を形成後、４ｇのイソプロパ
ノール中の１．５ｇのＰ−トルエンスルホン酸鉄（II
I）と０．５ｇの３，４−エチレンジオキシーチオフェ
ンの溶液中に浸漬し、導電性高分子化合物層４を重合さ
せた。反応終了後、実施例１と同様な方法で洗浄、乾燥
等して固体電解コンデンサを完成させた。
に、実施例１と同様な方法でポリイミド薄膜層３を形成
した。ポリイミド薄膜層３を形成後、４ｇのイソプロパ
ノール中の１．５ｇのＰ−トルエンスルホン酸鉄（II
I）と０．５ｇの３，４−エチレンジオキシーチオフェ
ンの溶液中に浸漬し、導電性高分子化合物層４を重合さ
せた。反応終了後、実施例１と同様な方法で洗浄、乾燥
等して固体電解コンデンサを完成させた。
【００１２】実施例４ 実施例１と同じ陽極体１における誘電体酸化皮膜層２上
に、実施例１と同様な方法でポリイミド薄膜層３を形成
した。ポリイミド薄膜層３を形成後、ドデシルベンゼン
スルホン酸鉄（III）とピロールとの混合溶液に浸漬
し、プレコート層を形成し、次いで、ピロール濃度０．
０５モル／Ｌ、支持電解質として０．１モル／Ｌのテト
ラブチルアンモニウムパークロレートを含むアセトニト
リル溶液中で、作用電極であるステンレス線をプレコー
ト層に軽く接触させ、白金を対電極として定電圧３．５
Ｖを印加して３０分間電解重合を行い、導電性高分子化
合物層４を重合させた。反応終了後、実施例１と同様な
方法で洗浄、乾燥等して固体電解コンデンサを完成させ
た。
に、実施例１と同様な方法でポリイミド薄膜層３を形成
した。ポリイミド薄膜層３を形成後、ドデシルベンゼン
スルホン酸鉄（III）とピロールとの混合溶液に浸漬
し、プレコート層を形成し、次いで、ピロール濃度０．
０５モル／Ｌ、支持電解質として０．１モル／Ｌのテト
ラブチルアンモニウムパークロレートを含むアセトニト
リル溶液中で、作用電極であるステンレス線をプレコー
ト層に軽く接触させ、白金を対電極として定電圧３．５
Ｖを印加して３０分間電解重合を行い、導電性高分子化
合物層４を重合させた。反応終了後、実施例１と同様な
方法で洗浄、乾燥等して固体電解コンデンサを完成させ
た。
【００１３】実施例５ エッチングによって拡面した（２５μＦ／cm2）膜厚９
５μｍ、面積５×３mmのアルミニウム箔（陽極）をホウ
酸アンモニウム中、５０Ｖで陽極酸化して誘電体酸化皮
膜層２を形成した後、実施例１と同様な方法でポリイミ
ド薄膜層３を形成した。ポリイミド薄膜層３を形成後、
アセトンとイソプロパノールの１：２混合物５ｇ中の１
ｇのメタスルホン酸鉄（III）と０．５ｇの３，４−エ
チレンジオキシーチオフェンの溶液中に浸漬し、導電性
高分子化合物層４を重合させた。反応終了後、実施例１
と同様な方法で洗浄、乾燥等して固体電解コンデンサを
完成させた。
５μｍ、面積５×３mmのアルミニウム箔（陽極）をホウ
酸アンモニウム中、５０Ｖで陽極酸化して誘電体酸化皮
膜層２を形成した後、実施例１と同様な方法でポリイミ
ド薄膜層３を形成した。ポリイミド薄膜層３を形成後、
アセトンとイソプロパノールの１：２混合物５ｇ中の１
ｇのメタスルホン酸鉄（III）と０．５ｇの３，４−エ
チレンジオキシーチオフェンの溶液中に浸漬し、導電性
高分子化合物層４を重合させた。反応終了後、実施例１
と同様な方法で洗浄、乾燥等して固体電解コンデンサを
完成させた。
【００１４】以上の実施例１、実施例２、実施例３、実
施例４、実施例５のそれぞれにおいて、ポリイミド薄膜
層３を形成させないこと以外は各実施例におけると同様
の手順で完成させた固体電解コンデンサ（比較例１、比
較例２、比較例３、比較例４、比較例５）と比較した。
施例４、実施例５のそれぞれにおいて、ポリイミド薄膜
層３を形成させないこと以外は各実施例におけると同様
の手順で完成させた固体電解コンデンサ（比較例１、比
較例２、比較例３、比較例４、比較例５）と比較した。
【００１５】実施例１〜実施例５と比較例１〜比較例５
の各固体電解コンデンサにつき、その容量出現率、１０
０ＫＨｚにおけるインピーダンス及びはんだ耐熱試験
（２７０℃−１０秒浸漬）前後の漏れ電流を表１に示
す。
の各固体電解コンデンサにつき、その容量出現率、１０
０ＫＨｚにおけるインピーダンス及びはんだ耐熱試験
（２７０℃−１０秒浸漬）前後の漏れ電流を表１に示
す。
【００１６】
【表１】
【００１７】この表１から明らかなように、本発明に係
る各実施例の固体電解コンデンサは、いずれも、高周波
域におけるインピーダンス特性に優れ、かつ実装時の熱
応力によって漏れ電流が増大することがないことが判
る。
る各実施例の固体電解コンデンサは、いずれも、高周波
域におけるインピーダンス特性に優れ、かつ実装時の熱
応力によって漏れ電流が増大することがないことが判
る。
【００１８】
【発明の効果】しかして、本発明によれば、誘電体酸化
皮膜層の絶縁欠陥部に、電着法により選択的に絶縁性薄
膜層であるポリイミド薄膜層を形成しているので、誘電
体酸化皮膜層の絶縁欠陥部がこの絶縁性薄膜層（ポリイ
ミド薄膜層）で補修されることになって、実装時の熱応
力によって漏れ電流が増大することがない固体電解コン
デンサを提供し得るものである。
皮膜層の絶縁欠陥部に、電着法により選択的に絶縁性薄
膜層であるポリイミド薄膜層を形成しているので、誘電
体酸化皮膜層の絶縁欠陥部がこの絶縁性薄膜層（ポリイ
ミド薄膜層）で補修されることになって、実装時の熱応
力によって漏れ電流が増大することがない固体電解コン
デンサを提供し得るものである。
【図１】本発明に係る固体電解コンデンサの一例での断
面図である。
面図である。
【図２】従来例を示す断面図である。
１ 陽極体 ２ 誘電体酸化皮膜層 ３ 絶縁性薄膜層（ポリイミド薄膜層） ４ 導電性高分子化合物層 ５ グラファイト層 ６ 銀ペースト層 ７ 陰極導出線 ８ 陽極導出線 ９ 外装樹脂材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 美香 神奈川県横浜市港北区新横浜３丁目18番３ 号 富士通東和エレクトロン株式会社内 (72)発明者 寺尾 俊勝 神奈川県横浜市港北区新横浜３丁目18番３ 号 富士通東和エレクトロン株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 表面に誘電体酸化皮膜層が形成された陽
極体上に共役系高分子化合物の導電性高分子化合物層、
導電体層が順次積層形成され、該導電体層が一方の電極
とされ、前記陽極体が他方の電極とされてなる固体電解
コンデンサにおいて、 前記誘電体酸化皮膜層の絶縁欠陥部に絶縁性薄膜層が電
着法により形成され、該絶縁性薄膜層により前記誘電体
酸化皮膜層の絶縁欠陥部が補修されて実装時の熱応力に
よる漏れ電流の増大が防止される構成を特徴とする固体
電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9065522A JPH10247612A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9065522A JPH10247612A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10247612A true JPH10247612A (ja) | 1998-09-14 |
Family
ID=13289448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9065522A Pending JPH10247612A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10247612A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6811576B2 (en) * | 1999-10-28 | 2004-11-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
| JP2007042932A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサおよび分布定数型ノイズフィルタ |
| JP2007189199A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-07-26 | Tdk Corp | キャパシタおよびその製造方法 |
| JP2008198681A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2009194266A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2009267385A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP2013042181A (ja) * | 2005-12-12 | 2013-02-28 | Tdk Corp | キャパシタの製造方法 |
| US9564270B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-02-07 | Tdk Corporation | Thin film capacitor |
| US9818539B2 (en) | 2014-10-15 | 2017-11-14 | Tdk Corporation | Thin film capacitor with improved resistance to dielectric breakdown |
| US10014113B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-07-03 | Tdk Corporation | Electronic device sheet having insulation patch member on dielectric layer |
| WO2024128161A1 (ja) * | 2022-12-15 | 2024-06-20 | 日本ケミコン株式会社 | 電極箔、蓄電デバイスおよびその製造方法 |
-
1997
- 1997-03-04 JP JP9065522A patent/JPH10247612A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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