JPH10247672A - Optical receiving module - Google Patents
Optical receiving moduleInfo
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- JPH10247672A JPH10247672A JP9050303A JP5030397A JPH10247672A JP H10247672 A JPH10247672 A JP H10247672A JP 9050303 A JP9050303 A JP 9050303A JP 5030397 A JP5030397 A JP 5030397A JP H10247672 A JPH10247672 A JP H10247672A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造工程の途中でも、検査を行うことができ
る構造を有する光受信モジュールを提供する。
【解決手段】 リードフレームの搭載部102上に平行
平板コンデンサ22が固着され、この平行平板コンデン
サ22の表面側電極層22b上に、光信号を受光して光
電変換する光電変換素子2が搭載される。製造工程の途
中で検査する場合には、リードフレームの電源ラインに
はボンディングワイヤBW’を配線せず、光電変換素子
2と他の電子デバイス6間を他のボンディングワイヤB
Wで配線する。表面電極層22bに適正電圧の探針を接
触し、搭載部102をグランド電位に設定することによ
り光電変換素子2及び電子デバイスに適正なバイアスを
設定し、所望の箇所に計測用探針を接触することにより
検査が行われる。
(57) [Problem] To provide an optical receiving module having a structure capable of performing an inspection even during a manufacturing process. SOLUTION: A parallel plate capacitor 22 is fixed on a mounting portion 102 of a lead frame, and a photoelectric conversion element 2 for receiving an optical signal and performing photoelectric conversion is mounted on a surface side electrode layer 22b of the parallel plate capacitor 22. You. When the inspection is performed during the manufacturing process, the bonding wire BW ′ is not wired to the power supply line of the lead frame, and another bonding wire B is connected between the photoelectric conversion element 2 and another electronic device 6.
Wire with W. A probe of an appropriate voltage is brought into contact with the surface electrode layer 22b, an appropriate bias is set on the photoelectric conversion element 2 and the electronic device by setting the mounting portion 102 to the ground potential, and a measurement probe is brought into contact with a desired portion. Inspection is carried out.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信用の光受信
モジュールに関し、特に、電子デバイスをリードフレー
ムに搭載して樹脂封止する構造を有する光受信モジュー
ルに関するものである。The present invention relates to an optical receiving module for optical communication, and more particularly to an optical receiving module having a structure in which an electronic device is mounted on a lead frame and sealed with a resin.
【0002】[0002]
【従来の技術】初期の光受信モジュールは、小型化を主
たる目的としていたため、同軸型のものが主流であっ
た。これは、通常のTO型パッケージ内に、光ファイバ
より出射される光信号を集光するためのレンズが配置さ
れ、更に、集光された光信号を受光するために前記集光
レンズに光軸合わせされたフォトダイオード等の光電変
換素子と、光電変換素子より出力される微弱な電気信号
を信号処理可能な電圧レベルまで増幅する前置増幅器、
電源バイパスコンデンサ等を内蔵した構造を有してい
た。しかし、この光受信モジュールは、光信号を電気信
号に変換しその電気信号を増幅して出力するという比較
的単純な機能を備えるにすぎなかった。2. Description of the Related Art In the early days of optical receiving modules, the main purpose was to reduce the size, so that the coaxial type was mainly used. This is because a lens for condensing an optical signal emitted from an optical fiber is arranged in a normal TO type package, and further, an optical axis is provided on the condensing lens for receiving the condensed optical signal. A combined photoelectric conversion element such as a photodiode, and a preamplifier that amplifies a weak electric signal output from the photoelectric conversion element to a voltage level capable of signal processing;
It had a structure with a built-in power supply bypass capacitor and the like. However, this optical receiving module merely has a relatively simple function of converting an optical signal into an electric signal, amplifying and outputting the electric signal.
【0003】近年になって、より高度の信号処理機能を
備え且つ小型化の要請にも対応し得る光受信モジュール
の開発が望まれるにようになった。かかる要請に対応し
得る光受信モジュールとしては、光電変換素子と電源バ
イパスコンデンサ及び前置増幅器に加えて、コンパレー
タとクロック信号復元回路等の信号処理回路を樹脂封止
することにより全体的に一体化されたユニットを形成
し、このユニットをモジュール匡体に組み付けることに
よって、高機能で小型且つ機械的強度にも優れた構造を
実現したものが知られている。[0003] In recent years, it has been desired to develop an optical receiving module having a more advanced signal processing function and capable of responding to a demand for miniaturization. As an optical receiving module that can meet such demands, in addition to the photoelectric conversion element, power supply bypass capacitor, and preamplifier, a comparator and a signal processing circuit such as a clock signal restoration circuit are entirely integrated by resin sealing. It is known that a unit having a high function, a small size and an excellent mechanical strength is realized by forming a unit formed and assembling the unit into a module housing.
【0004】例えば、この高機能の光受信モジュール
は、製造工程において所定形状のリードフレームを用意
し、このリードフレームの所定の搭載部上に、ベアチッ
プの状態の光電変換素子と前置増幅器及び種々の信号処
理回路等の電子デバイスを搭載し、これらの電子デバイ
ス同士及びリードフレームのリードピンとの間をボンデ
ィングワイヤにて配線し、光信号が透過し得る樹脂にて
全体を封止した後、リードフレームの不要な部分を裁断
して除去することによりユニットが形成されている。そ
して、光ファイバのフェルールを受納するためのスリー
ブに対して、集光レンズを介して前記ユニット中の光電
変換素子の受光面を光軸合わせし、その状態でモジュー
ル匡体に組み付けることにより高機能で小型且つ機械的
強度の優れた光受信モジュールが形成されていた。For example, in this high-performance optical receiving module, a lead frame of a predetermined shape is prepared in a manufacturing process, and a photoelectric conversion element, a preamplifier, and various types of bare chips are mounted on a predetermined mounting portion of the lead frame. After mounting electronic devices such as a signal processing circuit, wiring these electronic devices with each other and between lead pins of a lead frame with a bonding wire, and sealing the whole with a resin through which an optical signal can be transmitted, and then reading the lead. A unit is formed by cutting and removing unnecessary portions of the frame. Then, by aligning the light receiving surface of the photoelectric conversion element in the unit with the optical axis of the sleeve for receiving the ferrule of the optical fiber through the condenser lens, and assembling the module in this state, the height is increased. An optical receiving module that is small in function and excellent in mechanical strength has been formed.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなリ
ードフレーム上に光電変換素子及びその他の電子デバイ
スを搭載して樹脂封止した光受信モジュールにあって
は、前記製造工程の途中で、組立て不備等に起因する電
子デバイスの不良の有無などを検査することができず、
たとえ不良品になるものであっても全ての製造工程を経
た後でなければその発見のための検査をすることができ
ないという問題があった。また、当然に、製造工程の途
中で、電子デバイスの特性評価等を行うこともできなか
った。However, in a light receiving module in which a photoelectric conversion element and other electronic devices are mounted on such a lead frame and sealed with a resin, the light receiving module is assembled during the manufacturing process. It is not possible to inspect the electronic device for defects due to defects etc.,
Even if it becomes a defective product, there is a problem that an inspection for finding the defective product can be performed only after all the manufacturing processes. Also, naturally, it was not possible to evaluate the characteristics of the electronic device during the manufacturing process.
【0006】即ち、図10に示すように、製造工程途中
のリードフレームは、複数のリードピンを分離させない
ために所謂バリ(補強部)で連結したり、光電変換素子
を搭載するための搭載部や他の電子デバイスを搭載する
ための搭載部も同様に他の補強部(図示せず)で連結す
ることによって、これらの各部分が一体化された状態に
ある。このため、たとえボンディングワイヤによる配線
が施された後であっても、未だ補強部が除去されていな
いリードピンに電源を接続すれば電気的短絡を招来する
ので、製造工程途中での検査を行うことができなかっ
た。That is, as shown in FIG. 10, a lead frame in the course of the manufacturing process is connected with a so-called burr (reinforcing portion) in order to prevent a plurality of lead pins from being separated, or a mounting portion for mounting a photoelectric conversion element. A mounting portion for mounting another electronic device is similarly connected by another reinforcing portion (not shown), so that these portions are integrated. For this reason, even after wiring using bonding wires, connecting a power supply to a lead pin from which the reinforcing portion has not yet been removed may cause an electrical short circuit. Could not.
【0007】特に、光電変換素子及び他の電子デバイス
を各搭載部と共に樹脂封止した後、樹脂封止の対象外で
ある前記補強部を裁断して除去するので、樹脂封止の前
に補強部を除去して光電変換素子及び他の電子デバイス
を検査することは、実質的にできなかった。In particular, since the photoelectric conversion element and other electronic devices are sealed with a resin together with each mounting portion, and the reinforcing portion, which is not an object of the resin sealing, is cut and removed, the reinforcing portion is reinforced before the resin sealing. Inspection of the photoelectric conversion element and other electronic devices by removing the portion was substantially impossible.
【0008】また、同図において、フォトダイオード等
の光電変換素子の裏面(受光面とは反対側の面)が半導
体の電極を兼ねているので前記リードフレームの所定の
搭載部上にその裏面を直接半田付けし、この搭載部に一
体接続している所定の電源電圧印加用リードピンに電源
電圧Vccを印加することによって光電変換素子のバイア
スを設定するようにし、一方、MOSやバイポーラ、G
aAs等の半導体プロセスにて製造された他の電子デバ
イス(例えば、信号処理回路)の裏面を他の搭載部に直
接半田付けし、この搭載部はグランド用リードピンを通
じてグランド電位に設定することにより他の電子デバイ
スを作動させる場合がある。しかし、製造工程の途中で
は、これらの搭載部が未だ補強部によって電気的に連結
されているため、光電変換素子と他の電子デバイスを同
時に正規のバイアスに設定することが不可能であるた
め、製造工程の途中でこれらの電子デバイスを検査する
ことができなかった。In FIG. 1, the back surface (the surface opposite to the light receiving surface) of a photoelectric conversion element such as a photodiode also serves as a semiconductor electrode, so that the back surface is mounted on a predetermined mounting portion of the lead frame. The bias of the photoelectric conversion element is set by directly soldering and applying the power supply voltage Vcc to a predetermined power supply voltage application lead pin which is integrally connected to the mounting portion. On the other hand, MOS, bipolar, G
The back surface of another electronic device (for example, a signal processing circuit) manufactured by a semiconductor process such as aAs is directly soldered to another mounting portion, and this mounting portion is set to a ground potential through a ground lead pin. May be operated. However, during the manufacturing process, since these mounting portions are still electrically connected by the reinforcing portion, it is impossible to simultaneously set the photoelectric conversion element and the other electronic device to the normal bias, These electronic devices could not be inspected during the manufacturing process.
【0009】そして、最終的に不良品になるものであっ
ても全ての製造工程に通さなければならないため、製造
コストの低減化を阻む要因ともなっていた。[0009] Even if the final product becomes defective, it must be passed through all the manufacturing steps, which is a factor that hinders a reduction in manufacturing cost.
【0010】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
ものであり、製造工程の途中でも、検査を行うことがで
きる構造を有する光受信モジュールを提供することを目
的よする。[0010] The present invention has been made in view of such problems, and has as its object to provide an optical receiving module having a structure capable of performing inspection even during a manufacturing process.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに本発明は、光信号を受信し電気信号に変換する光電
変換素子をリードフレーム上に備える光受信モジュール
であって、前記光電変換素子を、平行平板コンデンサを
介して前記リードフレーム上に搭載する構造を備えるこ
ととした。According to the present invention, there is provided an optical receiving module comprising a photoelectric conversion element for receiving an optical signal and converting the signal into an electric signal on a lead frame. Is mounted on the lead frame via a parallel plate capacitor.
【0012】[0012]
【作用】平行平板コンデンサの介在により光電変換素子
とリードフレームが電気的に分離される。リードフレー
ムの補強部が除去される前であっても、光電変換素子を
適正なバイアスに設定して検査等が行われる。The photoelectric conversion element and the lead frame are electrically separated by the interposition of the parallel plate capacitor. Even before the reinforcement portion of the lead frame is removed, inspection and the like are performed with the photoelectric conversion element set to an appropriate bias.
【0013】[0013]
【実施の形態】以下、本発明の光受信モジュールの実施
の形態を図面と共に説明する。図1は、光受信モジュー
ルの回路例、図2ないし図6はこの回路が組込まれたユ
ニットの製造工程及び要部構造を示す。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the optical receiving module according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an example of a circuit of an optical receiving module, and FIGS. 2 to 6 show a manufacturing process and a main part structure of a unit in which this circuit is incorporated.
【0014】図1において、光信号hνを受光するため
のフォトダイオード2のカソードが電源ラインVccに接
続され、そのアノードが前置増幅器6の入力接点に接続
され、更にカソードとグランドラインGND間に電源バ
イパスコンデンサ4が接続される。前置増幅器6は、入
力接点と反転出力接点間に電流/電圧変換(I−V変
換)用の抵抗10が接続され、その電源供給用接点が電
源ラインVccに、グランド接点がグランドラインGND
に接続される。前置増幅器6の反転出力接点と非反転出
力点が夫々カップリングコンデンサ12,14を通じて
コンパレータ16の反転入力接点と非反転入力点に接続
され、更にコンパレータ16の電源供給用接点が電源ラ
インVccに、グランド接点がグランドラインGNDに接
続される。また、コンパレータ16の電源供給用接点と
グランドラインGND間に電源バイパスコンデンサ18
が接続される。コンパレータ16の反転出力接点と非反
転出力点がクロック信号復元回路等の信号処理回路20
の入力接点に接続され、この信号処理回路20の出力接
点が所定のリードピンに接続されたり、次段の信号処理
回路(図示せず)に接続されるようになっている。ま
た、信号処理回路20の電源供給用接点が電源ラインV
ccに、グランド接点がグランドラインGNDに接続され
ると共に、この電源供給用接点とグランドラインGND
間に他の電源バイパスコンデンサが接続される。In FIG. 1, a cathode of a photodiode 2 for receiving an optical signal hν is connected to a power supply line Vcc, an anode thereof is connected to an input contact of a preamplifier 6, and further between a cathode and a ground line GND. The power supply bypass capacitor 4 is connected. In the preamplifier 6, a resistor 10 for current / voltage conversion (IV conversion) is connected between the input contact and the inverted output contact. The power supply contact is connected to the power supply line Vcc, and the ground contact is connected to the ground line GND.
Connected to. The inverting output contact and the non-inverting output point of the preamplifier 6 are connected to the inverting input contact and the non-inverting input point of the comparator 16 through the coupling capacitors 12 and 14, respectively, and the power supply contact of the comparator 16 is connected to the power supply line Vcc. , The ground contact is connected to the ground line GND. A power supply bypass capacitor 18 is provided between the power supply contact of the comparator 16 and the ground line GND.
Is connected. The inverted output contact and the non-inverted output point of the comparator 16 are connected to a signal processing circuit 20 such as a clock signal restoring circuit.
The output contact of the signal processing circuit 20 is connected to a predetermined lead pin, or is connected to a signal processing circuit (not shown) at the next stage. The power supply contact of the signal processing circuit 20 is connected to the power supply line V.
cc, a ground contact is connected to the ground line GND, and the power supply contact and the ground line GND
Another power supply bypass capacitor is connected therebetween.
【0015】ここで、フォトダイオード2、電源バイパ
スコンデンサ4,8、前置増幅器6及び抵抗10、コン
パレータ16、信号処理回路20の夫々は、図1中の点
線にて示す如く、個別の半導体チップ(ベアチップ)の
ままでリードフレームに搭載され、各ベアチップに形成
されている所定のボンディングパッド(図中、□で示
す)BPにボンディングワイヤBW,BW’を接続する
ことにより配線がなされる。また、前置増幅器6及び抵
抗10はGaAs半導体にてIC化されたベアチップ、
コンパレータ16と信号処理回路20は夫々シリコン半
導体にてIC化されたベアチップである。Here, each of the photodiode 2, the power supply bypass capacitors 4 and 8, the preamplifier 6 and the resistor 10, the comparator 16, and the signal processing circuit 20 is a separate semiconductor chip as shown by a dotted line in FIG. (Bear chips) are mounted on a lead frame as they are, and wiring is performed by connecting bonding wires BW and BW ′ to predetermined bonding pads (indicated by □ in the figure) BP formed on each bare chip. In addition, the preamplifier 6 and the resistor 10 are a bare chip made of GaAs semiconductor IC,
Each of the comparator 16 and the signal processing circuit 20 is a bare chip that is made into an IC with a silicon semiconductor.
【0016】そして、光信号hνがフォトダイオード2
で電気信号に変換され、前置増幅器6で信号処理可能な
電圧レベルに増幅されて、コンパレータ16に入力する
ことにより、コンパレータ16の各出力接点から光信号
hνに相当する反転信号QBと非反転信号Qが出力さ
れ、信号処理回路20がこれらの信号QB,Qに基づい
て信号処理を行う。Then, the optical signal hν is
In is converted into an electric signal is amplified by the preamplifier 6 a signal processable voltage level, by inputting to the comparator 16, the inverted signal Q B and non from the output contacts of the comparator 16 corresponds to the optical signal hν The inverted signal Q is output, and the signal processing circuit 20 performs signal processing based on these signals Q B and Q.
【0017】次に、かかる回路を組み込んだユニットの
構造を製造工程に沿って説明する。図2に示すように、
各ユニットに対応する所定形状のパターンが連続形成さ
れたリードフレーム100が用意され、製造ラインで自
動組立が行われる。このリードフレーム100は銅板に
錫メッキ等を施した導電性平板にて形成され、フォトダ
イオード2等の複数のベアチップを搭載するための比較
的大面積の搭載部102と複数のリードピン104が補
強部によって一体化されている。Next, the structure of a unit incorporating such a circuit will be described along the manufacturing steps. As shown in FIG.
A lead frame 100 in which a pattern of a predetermined shape corresponding to each unit is continuously formed is prepared, and automatic assembly is performed on a production line. The lead frame 100 is formed of a conductive plate made of a copper plate plated with tin or the like, and a relatively large area mounting portion 102 for mounting a plurality of bare chips such as the photodiode 2 and a plurality of lead pins 104 are reinforced. Are integrated.
【0018】搭載部102の中央部分に、電源バイパス
コンデンサ4,8となるダイキャップ等の平行平板コン
デンサ22を共晶半田などで固着し、その平行平板コン
デンサ22上にフォトダイオード2を共晶半田などで固
着したり、予め平行平板コンデンサ22上にフォトダイ
オード2を固着しておき平行平板コンデンサ22を搭載
部102の中央部分に共晶半田などで固着する。更に、
フォトダイオード2の近傍に前置増幅器6、他の部分に
コンパレータ16及び信号処理回路20、リードフレー
ム100の他の所定部分にコンデンサ12,14,18
その他の受動素子(マイクロチップ)を共晶半田などで
固着する。A parallel plate capacitor 22 such as a die cap to be the power supply bypass capacitors 4 and 8 is fixed to the center portion of the mounting portion 102 with eutectic solder or the like, and the photodiode 2 is mounted on the parallel plate capacitor 22 with eutectic solder. The photodiode 2 is fixed on the parallel plate capacitor 22 in advance, and the parallel plate capacitor 22 is fixed to the center of the mounting portion 102 by eutectic solder or the like. Furthermore,
The preamplifier 6 is provided near the photodiode 2, the comparator 16 and the signal processing circuit 20 are provided in other portions, and the capacitors 12, 14, and 18 are provided in other predetermined portions of the lead frame 100.
Other passive elements (microchips) are fixed with eutectic solder or the like.
【0019】フォトダイオード2は、図3に示すよう
に、n+半導体基板上にn,i,p+層が積層され、p+
層の所定部分に直径が数十μmないし数百μmの円形受
光面を確保するようにしてp電極及びSiO2絶縁層が
積層され、n+半導体基板の裏面に電源電圧Vccを印加
するためのn電極層が形成されて成るpin型光電変換
素子が用いられている。平行平板コンデンサ22は、図
4に示す如く、厚さ約150μmで長さ及び幅が夫々数
百μmに形成された高誘電体材料からなる薄板の裏面全
体に金属電極層22aがコーティングされ、表面には相
互に分離された一対の金属電極層22b,22cがコー
テングされることにより、夫々数pFないし数十pFの
2個のコンデンサ4,8が形成されている。As shown in FIG. 3, the photodiode 2 has n, i, and p + layers laminated on an n + semiconductor substrate, and p +
P electrode and SiO 2 insulating layer is laminated diameter in a predetermined portion of the layer so as to ensure a circular light receiving surface of the tens [mu] m to several hundreds [mu] m, for applying a power supply voltage Vcc to the back surface of the n + semiconductor substrate A pin-type photoelectric conversion element formed with an n-electrode layer is used. As shown in FIG. 4, the parallel plate capacitor 22 has a metal electrode layer 22a coated on the entire back surface of a thin plate made of a high dielectric material having a thickness of about 150 μm and a length and width of several hundred μm, respectively. Are formed by coating a pair of metal electrode layers 22b and 22c separated from each other, thereby forming two capacitors 4 and 8 having several pF to several tens pF, respectively.
【0020】そして、平行平板コンデンサ22の金属電
極層22aを搭載部102に直接固着し、コンデンサ4
を形成している表面側の金属電極層22bにフォトダイ
オード2のn電極層を直接固着することにより、図1に
示すフォトダイオード2と電源バイパスコンデンサ4の
接続を実現している。Then, the metal electrode layer 22a of the parallel plate capacitor 22 is directly fixed to the mounting portion 102,
The photodiode 2 and the power supply bypass capacitor 4 shown in FIG. 1 are connected by directly fixing the n-electrode layer of the photodiode 2 to the metal electrode layer 22b on the surface side on which is formed.
【0021】このように各電子デバイスをリードフレー
ム100の所定部分に搭載した後、ボンディングワイヤ
による配線処理を行う。但し、各電子デバイスに設けら
れている電源電圧供給用のボンディングパッドとリード
フレーム100の電源ラインVccとの間を接続すべきボ
ンディングワイヤBW’は配線せず(電気的に開放状態
のままにする)、各電子デバイス間を接続するためのボ
ンディングパッド間とグランドラインGNDについての
ボンディングワイヤBWだけを配線することによって、
製造工程途中での検査を行う。After each electronic device is mounted on a predetermined portion of the lead frame 100, a wiring process using a bonding wire is performed. However, the bonding wire BW ′ to be connected between the power supply voltage supply bonding pad provided in each electronic device and the power supply line Vcc of the lead frame 100 is not wired (is kept electrically open). By arranging only the bonding wires BW for the bonding pads for connecting the electronic devices and for the ground line GND,
An inspection is performed during the manufacturing process.
【0022】即ち、リードフレーム100の電位を計測
用電源のグランド電位に設定し、計測用電源の電源電圧
Vccに設定された探針(プローブ)の先端を各電子デバ
イスの電源電圧供給用のボンディングパッドに接触させ
ることで、図1に示した回路と等価なバイアスを設定
し、計測器に接続された計測用短針を各電子デバイスの
所望の部分に接触させることにより検査を行う。That is, the potential of the lead frame 100 is set to the ground potential of the power supply for measurement, and the tip of the probe set to the power supply voltage Vcc of the power supply for measurement is bonded to the power supply voltage of each electronic device. By making contact with the pad, a bias equivalent to the circuit shown in FIG. 1 is set, and the inspection is performed by bringing the short hand for measurement connected to the measuring instrument into contact with a desired portion of each electronic device.
【0023】より具体的に述べれば、平行平板コンデン
サ22の金属電極層22bと22cに電源電圧Vccに設
定された短針を接触させることにより、フォトダイオー
ド2の裏面側(アノード側)へ直接電源電圧Vccを印加
すると共に、前置増幅器6にはボンディングワイヤBW
を介して電源電圧Vccを印加する。このとき、平行平板
コンデンササ22によりフォトダイオード2とリードフ
レーム100間が電気的に分離されるので、リードフレ
ーム100がグランド電位であってもフォトダイオード
2に適正な電源電圧Vccを印加することができる。More specifically, when a short hand set to the power supply voltage Vcc is brought into contact with the metal electrode layers 22b and 22c of the parallel plate capacitor 22, the power supply voltage is directly applied to the back side (anode side) of the photodiode 2. Vcc is applied, and the preamplifier 6 has a bonding wire BW
The power supply voltage Vcc is applied through the switch. At this time, since the photodiode 2 and the lead frame 100 are electrically separated by the parallel plate capacitor 22, it is possible to apply an appropriate power supply voltage Vcc to the photodiode 2 even when the lead frame 100 is at the ground potential. it can.
【0024】したがって、従来の技術では、かかるフォ
トダイオードがリードフレームに直付されていることか
ら、このリードフレームの補強部を除去してフォトダイ
オード搭載部と他の電子デバイスの搭載部を電気的に分
離した後でなければ検査することができなかったのに対
し、この実施の形態では、フォトダイオード2と他の電
子デバイス6,16,20が同一の搭載部102上に搭
載され、且つフォトダイオード2と他の電子デバイス
6,16,20を動作させるためのバイアス設定条件が
相違する場合であっても、これらの電子デバイスを適正
なバイアスに設定することができるので、製造工程の途
中での検査を実施することができる。Therefore, in the prior art, since the photodiode is directly attached to the lead frame, the reinforcing portion of the lead frame is removed to electrically connect the photodiode mounting portion and other electronic device mounting portions. In this embodiment, the photodiode 2 and other electronic devices 6, 16, and 20 are mounted on the same mounting portion 102, and the inspection can be performed only after the separation. Even if the bias setting conditions for operating the diode 2 and the other electronic devices 6, 16, and 20 are different, these electronic devices can be set to an appropriate bias. Inspection can be performed.
【0025】次に、この製造工程途中の検査が終了する
と、前記の短針を取り外し、電源電圧印加用のボンディ
ングパッドBPとリードフレーム100の電源印加用リ
ードピン間をボンディングワイヤBW’で接続した後に
金型の中へ搬送して、図2中の点線で示す範囲内の部分
を樹脂封止し、更にリードフレーム100の補強部や不
要部分を裁断して除去することにより、個々のユニット
を完成する。尚、樹脂は光信号hνに対して透明な硬化
樹脂が使用される。また、前記検査で不良箇所が発見さ
れた場合には、該当するユニットについてのその後の製
造工程が省略され、正常なユニットについての製造だけ
を継続する等の選別処理が行われる。Next, when the inspection during the manufacturing process is completed, the short hand is removed, and the bonding pad BP for applying the power supply voltage and the lead pin for applying the power supply of the lead frame 100 are connected with the bonding wire BW '. The individual units are completed by carrying the resin into a mold, sealing the portion within the range shown by the dotted line in FIG. 2 with a resin, and cutting and removing the reinforcing portion and unnecessary portions of the lead frame 100. . The resin used is a cured resin transparent to the optical signal hν. Further, when a defective portion is found in the inspection, a subsequent manufacturing process for the corresponding unit is omitted, and a sorting process such as continuing only manufacturing for a normal unit is performed.
【0026】そして、完成された正常なユニットについ
てのみ、光ファイバのフェルールを受納するためのスリ
ーブに対して、集光レンズを介してフォトダイオード2
の受光面を光軸合わせし、その状態でモジュール筐体に
組み付けることにより、高性能で小型且つ機械的強度に
優れた光受信モジュールを完成する。Then, only for the completed normal unit, the photodiode 2 is connected to the sleeve for receiving the ferrule of the optical fiber via the condenser lens.
By aligning the light receiving surfaces of the light receiving surfaces with the optical axis and assembling the light receiving surfaces in the module housing in that state, a light receiving module having high performance, small size and excellent mechanical strength is completed.
【0027】尚、リードフレーム100と各電子デバイ
スを前記の金型によって単に樹脂封止する場合を述べた
が、樹脂封止の際に、前記スリーブと集光レンズをもフ
ォトダイオード2の受光面に対向させて一体に樹脂形成
することもできる。Although the case in which the lead frame 100 and each electronic device are simply sealed with a resin using the above-described mold has been described, when the resin is sealed, the sleeve and the condenser lens are also attached to the light receiving surface of the photodiode 2. , And can be integrally formed of resin.
【0028】また、フォトダイオード2の裏面と平行平
板コンデンサ22の表面側電極層22bの接続、平行平
板コンデンサ22の裏面22aとリードフレーム100
の接続、前置増幅器6とコンパレータ16及び信号処理
回路20をリードフレーム100に接続するために共晶
半田を用いる場合を説明したが、かかる接続構造に限ら
ず、導電性の樹脂(接着材)や導電性の接着シートなど
によって接続してもよい。The connection between the back surface of the photodiode 2 and the front side electrode layer 22b of the parallel plate capacitor 22, the back surface 22a of the parallel plate capacitor 22 and the lead frame 100
Although the case where eutectic solder is used to connect the preamplifier 6, the comparator 16, and the signal processing circuit 20 to the lead frame 100 has been described, the present invention is not limited to such a connection structure, and a conductive resin (adhesive) may be used. Or by a conductive adhesive sheet.
【0029】また、図3に示すpin型光電変換素子を
用いる場合を述べたが、本発明は、かかる構造の光電変
換素子に限定されるものではない。例えば、図5に示す
ように半絶縁性基板を用いた光電変換素子にあっては、
図6に示すように、その光電変換素子を平行平板コンデ
ンサ22の一方の表面側金属層22bに直接搭載し、そ
の光電変換素子の表面側に設けられたp電極をワイヤボ
ンディングにて表面側金属層22bに接続し、出力接点
と前置増幅器の入力接点間を他のボディングワイヤB
W”で接続することにより、製造工程途中での検査が可
能な構造を実現することができる。Although the case where the pin type photoelectric conversion element shown in FIG. 3 is used has been described, the present invention is not limited to the photoelectric conversion element having such a structure. For example, in a photoelectric conversion element using a semi-insulating substrate as shown in FIG.
As shown in FIG. 6, the photoelectric conversion element is directly mounted on one surface side metal layer 22b of the parallel plate capacitor 22, and the p-side electrode provided on the surface side of the photoelectric conversion element is bonded to the surface side metal layer by wire bonding. Layer 22b and another boding wire B between the output contact and the input contact of the preamplifier.
By connecting with W ", it is possible to realize a structure that can be inspected during the manufacturing process.
【0030】また、一個の搭載部102上にフォトダイ
オード2と平行平板コンデンサ22、前置増幅器6、コ
ンパレータ16及び信号処理回路20を搭載して樹脂封
止する構造を説明したが、かかる構造に限定されるもの
ではなく、例えば、フォトダイオード2と平行平板コン
デンサ22及び前置増幅器6を搭載するための第1の搭
載部と、コンパレータ16及び信号処理回路20を搭載
するための第2の搭載部とに分離した形状のリードフレ
ームを使用し、夫々の搭載部に上記各構成要素を搭載し
た後、一括して樹脂封止するようにしてもよい。尚、フ
ォトダイオード2と前置増幅器6を別個の搭載部に振り
分けて搭載することは、雑音成分の増加を招来する等の
点で好ましくない。The structure in which the photodiode 2, the parallel plate capacitor 22, the preamplifier 6, the comparator 16, and the signal processing circuit 20 are mounted on one mounting portion 102 and sealed with resin has been described. The present invention is not limited to this. For example, a first mounting unit for mounting the photodiode 2, the parallel plate capacitor 22, and the preamplifier 6, and a second mounting unit for mounting the comparator 16 and the signal processing circuit 20 Alternatively, the above components may be mounted on the respective mounting portions by using a lead frame having a shape separated from the other portions, and then resin-sealed collectively. It is not preferable that the photodiode 2 and the preamplifier 6 are separately mounted on separate mounting portions, because this may increase noise components.
【0031】次に、他の実施の形態を図7ないし図9と
共に説明する。尚、図7は光受信モジュールに搭載され
る他の回路例、図8はこの回路動作を説明するための波
形図、図9はこの回路が組み込まれたユニットの要部構
造を示す。また、図7において図1と同一又は相当する
部分を同一符号にて示している。Next, another embodiment will be described with reference to FIGS. 7 shows another example of a circuit mounted on the optical receiving module, FIG. 8 shows a waveform diagram for explaining the operation of the circuit, and FIG. 9 shows a main structure of a unit in which this circuit is incorporated. In FIG. 7, the same or corresponding parts as those in FIG. 1 are indicated by the same reference numerals.
【0032】図7において、図1の回路との相違点を述
べると、I−V変換用の抵抗10a,10bが設けられ
た同一特性の反転増幅器からなる2個の前置増幅器6
a,6bが備えられ、これらの前置増幅器6a,6b及
び抵抗10a,10bはGaAs半導体にてIC化され
たベアチップのままでリードフレームに搭載される。ま
た、フォトダイオード2のアノード・カソード間の接合
容量と等しい値のダミーコンデンサ24が、アノードと
前置増幅器6aの入力接点間に接続され、カソードと前
置増幅器6bの入力接点間に接続され、夫々の前置増幅
器6a,6bの出力接点がカップリングコンデンサ4
2,44を通じてコンパレータ16の入力接点に接続さ
れる。FIG. 7 is different from the circuit of FIG. 1 in that two preamplifiers 6 composed of inverting amplifiers having the same characteristics and provided with resistances 10a and 10b for IV conversion are provided.
a, 6b, and these preamplifiers 6a, 6b and resistors 10a, 10b are mounted on a lead frame as bare ICs made of GaAs semiconductors. A dummy capacitor 24 having a value equal to the junction capacitance between the anode and the cathode of the photodiode 2 is connected between the anode and the input contact of the preamplifier 6a, connected between the cathode and the input contact of the preamplifier 6b, The output contact of each preamplifier 6a, 6b is a coupling capacitor 4
2 and 44 are connected to the input contact of the comparator 16.
【0033】そして、光信号hνがフォトダイオード2
で電気信号に変換され、前置増幅器6bで信号処理可能
な電圧レベルに増幅され、その交流成分がカップリング
コンデンサ44を介してコンパレータ16の非反転入力
接点に入力する。また、前置増幅器6aは、ダミーコン
デンサ24に生じる電圧を増幅し、その交流成分をコン
パレータ16の反転入力接点に入力する。ここで、ダミ
ーコンデンサ24はフォトダイオード2の接合容量と等
しい値に設定されているので、電源ラインVccに電圧変
動が発生した場合、前置増幅器6bにはこの電圧変動成
分に光信号成分が重畳した信号が入力することになり、
一方の前置増幅器6aには、フォトダイオード2と等し
い電圧変動成分が入力することになり、夫々の前置増幅
器6a,6bからは図8(a)に示すような電圧変動成
分を含む信号が出力される。これらの出力信号の交流成
分がカップリングコンデンサ42,44を通じてコンパ
レータ16に入力され、夫々の交流成分の電圧レベルを
比較することにより、電圧変動成分が実質的に相殺さ
れ、図8(b)に示すような光信号hνのみに相当する
非反転信号Qと反転信号QBが出力される。このよう
に、この回路は、フォトダイオード2の接合容量と等し
い値のダミーコンデンサ24を設けることによって、電
源ラインVccに対する雑音抑制効果を発揮する構成とな
っている。Then, the optical signal hν is
, And is amplified to a voltage level that can be processed by the preamplifier 6b. The AC component is input to the non-inverting input terminal of the comparator 16 via the coupling capacitor 44. The preamplifier 6a amplifies the voltage generated in the dummy capacitor 24, and inputs the AC component to the inverting input contact of the comparator 16. Here, since the dummy capacitor 24 is set to a value equal to the junction capacitance of the photodiode 2, when a voltage fluctuation occurs in the power supply line Vcc, an optical signal component is superimposed on this voltage fluctuation component in the preamplifier 6b. Signal will be input,
A voltage variation component equal to that of the photodiode 2 is input to one preamplifier 6a, and a signal including a voltage variation component as shown in FIG. 8A is output from each of the preamplifiers 6a and 6b. Is output. The AC components of these output signals are input to the comparator 16 through the coupling capacitors 42 and 44, and by comparing the voltage levels of the respective AC components, the voltage fluctuation components are substantially canceled, and FIG. non-inverted signal Q and an inverted signal Q B corresponding only to the optical signal hν shown is output. As described above, this circuit is configured to exhibit a noise suppressing effect on the power supply line Vcc by providing the dummy capacitor 24 having a value equal to the junction capacitance of the photodiode 2.
【0034】かかる回路を組み込んだユニットの製造工
程では、図2に示したのと同様のリードフレーム100
が用意され、図9に示すように、搭載部102の中央部
分に平行平板コンデンサ22を共晶半田などにより固着
し、平行平板コンデンサ22の一方のコンデンサ4の金
属電極層22b上に、フォトダイオード2のn電極層と
ダミーコンデンサ24の一方の端子24aが共晶半田な
どにより固着する。更に、フォトダイオード2の近傍に
前置増幅器6a,6b及び抵抗10a,10bが形成さ
れたベアチップ、他の部分にコンパレータ16及び信号
処理回路20の各ベアチップ、リードフレームの他の所
定部分にコンデンサ12,14,18その他の受動素子
(マイクロチップ)を共晶半田などにより固着する。In the manufacturing process of a unit incorporating such a circuit, a lead frame 100 similar to that shown in FIG.
As shown in FIG. 9, a parallel plate capacitor 22 is fixed to the center of the mounting portion 102 by eutectic solder or the like, and a photodiode is provided on the metal electrode layer 22b of one capacitor 4 of the parallel plate capacitor 22. The second n-electrode layer and one terminal 24a of the dummy capacitor 24 are fixed by eutectic solder or the like. Further, a bare chip having preamplifiers 6a and 6b and resistors 10a and 10b formed near the photodiode 2, a bare chip of the comparator 16 and the signal processing circuit 20 in another part, and a capacitor 12 in another predetermined part of the lead frame. , 14, 18 and other passive elements (microchips) are fixed by eutectic solder or the like.
【0035】そして、これらの電子デバイスに設けられ
ている電源電圧供給用のボンディングパッドとリードフ
レーム100の電源ラインVccとの間を接続すべきボン
ディングワイヤBW’は配線せず、各電子デバイス間を
接続するためのボンディングパッド間とグランドライン
GNDについてのボンディングワイヤBWだけを配線す
ることによって、製造工程途中での検査を行う。A bonding wire BW 'for connecting a power supply voltage supply bonding pad provided on these electronic devices to a power supply line Vcc of the lead frame 100 is not provided, but a connection between each electronic device is made. By laying only the bonding wires BW between the bonding pads for connection and the ground line GND, an inspection is performed during the manufacturing process.
【0036】即ち、平行平板コンデンサ22の金属電極
層22bと22cに電源電圧Vccに設定された短針を接
触させることにより、フォトダイオード2の裏面側(ア
ノード側)とダミーコンデンサ24の一端24aに適正
な電源電圧Vccを印加すると共に、前置増幅器6a,6
bにはボンディングワイヤBWを介して適正な電源電圧
Vccを印加し、ダミーコンデンサ24の他端24bと前
置増幅器6aの入力接点、フォトダイオード2のカソー
ドと前置増幅器6bの入力接点をボンディングワイヤB
Wで接続する。このとき、平行平板コンデンサ22によ
りフォトダイオード2及びダミーコンデンサ24がリー
ドフレーム100とは電気的に分離されるため、リード
フレーム100がグランド電位であっても、フォトダイ
オード2及びダミーコンデンサ24に適正な電源電圧V
ccを印加することができ、製造工程の途中に検査を実施
することができる。That is, a short hand set to the power supply voltage Vcc is brought into contact with the metal electrode layers 22b and 22c of the parallel plate capacitor 22 so that the back side (anode side) of the photodiode 2 and one end 24a of the dummy capacitor 24 can be properly fitted. And the pre-amplifiers 6a, 6a
b, an appropriate power supply voltage Vcc is applied via a bonding wire BW, and the other end 24b of the dummy capacitor 24 and the input contact of the preamplifier 6a, the cathode of the photodiode 2 and the input contact of the preamplifier 6b are bonded to the bonding wire. B
Connect with W. At this time, the photodiode 2 and the dummy capacitor 24 are electrically separated from the lead frame 100 by the parallel plate capacitor 22, so that even if the lead frame 100 is at the ground potential, the photodiode 2 and the dummy capacitor Power supply voltage V
cc can be applied, and an inspection can be performed during the manufacturing process.
【0037】次に、この製造工程途中の検査が終了する
と、前記の短針を取り外し、電源電圧印加用のボンディ
ングパッドBPとリードフレーム100の電源印加用リ
ードピン間をボンディングワイヤBW’で接続した後に
金型の中へ搬送して樹脂封止し、更に、リードフレーム
100の補強部や不要部分を裁断して除去することによ
り、個々のユニットを完成する。尚、樹脂は光信号hν
に対して透明な硬化樹脂が使用される。また、前記検査
で不良箇所が発見された場合には、該当するユニットに
ついてのその後の製造工程が省略され、正常なユニット
についての製造だけを継続する等の選別処理が行われ
る。そして、完成された正常なユニットだけについて、
光ファイバのフェルールを受納するためのスリーブに対
して、集光レンズを介してフォトダイオード2の受光面
を光軸合わせし、その状態でモジュール筐体に組み付け
ることにより、高性能で小型且つ機械的強度に優れた光
受信モジュールを完成する。Next, when the inspection in the middle of the manufacturing process is completed, the short hand is removed and the bonding pad BP for applying the power supply voltage and the lead pin for applying the power supply of the lead frame 100 are connected with the bonding wire BW '. Each unit is completed by transporting it into a mold and sealing it with a resin, and further cutting and removing a reinforcing portion and an unnecessary portion of the lead frame 100. The resin is the optical signal hν
, A transparent cured resin is used. Further, when a defective portion is found in the inspection, a subsequent manufacturing process for the corresponding unit is omitted, and a sorting process such as continuing only manufacturing for a normal unit is performed. And only about the completed normal unit,
By aligning the light receiving surface of the photodiode 2 with the optical axis via the condenser lens with respect to the sleeve for receiving the ferrule of the optical fiber, and assembling the module with the module in that state, a high-performance, compact and mechanical To complete an optical receiving module with excellent mechanical strength.
【0038】このように、これらの実施の形態によれ
ば、リードフレーム上に平行平板コンデンサを介して光
電変換素子を搭載するようにしたので、製造工程の途中
で、リードフレームに対して電気的に分離した状態で光
電変換素子を適正なバイアスに設定して検査を行うこと
ができる。また、この平行平板コンデンサは、単に光電
変換素子とリードフレームとの間を電気的に分離するだ
けでなく、ボンディングワイヤにて所定の配線を行うこ
とにより、光電変換素子と前置増幅器の電源バイパスコ
ンデンサに利用することができるという効果が得られ
る。As described above, according to these embodiments, since the photoelectric conversion element is mounted on the lead frame via the parallel plate capacitor, the electrical connection to the lead frame is made during the manufacturing process. In this state, the inspection can be performed by setting the photoelectric conversion element to an appropriate bias. In addition, this parallel plate capacitor not only electrically separates the photoelectric conversion element from the lead frame, but also performs a predetermined wiring with a bonding wire so that a power supply bypass between the photoelectric conversion element and the preamplifier can be achieved. The effect that it can be used for a capacitor is obtained.
【0039】[0039]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、リ
ードフレームの補強部が裁断されて分離される以前の製
造工程の途中であっても、光電変換素子に適正な電源電
圧を印加して検査を行うことができる。そして、不良の
検出されたものについての製造工程を省略し、正常なも
のについての製造だけを継続する等の選別処理を行うこ
とにより、製造コストの低減化を図ることができる。As described above, according to the present invention, an appropriate power supply voltage is applied to the photoelectric conversion element even during the manufacturing process before the reinforcing portion of the lead frame is cut and separated. Inspection can be performed. The manufacturing cost can be reduced by performing a sorting process such as omitting a manufacturing process for a defective product and continuing to manufacture only a normal product.
【0040】また、光電変換素子を搭載するための平行
平板コンデンサをその光電変換素子や他の電子デバイス
の電源バイパスコンデンサとして使用することができる
等の効果が得られる。Further, there can be obtained such an effect that a parallel plate capacitor for mounting the photoelectric conversion element can be used as a power supply bypass capacitor of the photoelectric conversion element and other electronic devices.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】光受信モジュールに搭載される回路例を示す回
路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of a circuit mounted on an optical receiving module.
【図2】リードフレームの形状を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory view showing a shape of a lead frame.
【図3】光電変換素子の一例の構造を示す説明図であ
る。FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating a structure of an example of a photoelectric conversion element.
【図4】平行平板コンデンサと光電変換素子とリードフ
レームの接続構造を説明するための説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining a connection structure of a parallel plate capacitor, a photoelectric conversion element, and a lead frame.
【図5】他の光電変換素子の構造を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a structure of another photoelectric conversion element.
【図6】平行平板コンデンサと他の光電変換素子とリー
ドフレームの接続構造を説明するための説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining a connection structure between a parallel plate capacitor, another photoelectric conversion element, and a lead frame.
【図7】光受信モジュールに搭載される他の回路例を示
す回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram showing another example of a circuit mounted on the optical receiving module.
【図8】他の回路の動作を説明するための波形図であ
る。FIG. 8 is a waveform chart for explaining the operation of another circuit.
【図9】他の回路における平行平板コンデンサと光電変
換素子とリードフレームの接続構造を説明するための説
明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram for explaining a connection structure of a parallel plate capacitor, a photoelectric conversion element, and a lead frame in another circuit.
【図10】従来の光受信モジュールの構造を示す説明図
である。FIG. 10 is an explanatory diagram showing a structure of a conventional optical receiving module.
2…光電変換素子、4,8,18…電源バイパスコンデ
ンサ、6,6a,6b…前置増幅器、10,10a,1
0b…抵抗、12,14,42,44…カップリングコ
ンデンサ、16…コンパレータ、20…信号処理回路、
24…ダミーコンデンサ、100…リードフレーム、1
02…搭載部、104…リードピン、BP…ボンディン
グパッド、BW,BW’,BW”…ボンディングワイ
ヤ。2: photoelectric conversion element, 4, 8, 18: power supply bypass capacitor, 6, 6a, 6b: preamplifier, 10, 10a, 1
0b: resistor, 12, 14, 42, 44: coupling capacitor, 16: comparator, 20: signal processing circuit,
24: dummy capacitor, 100: lead frame, 1
02 mounting part, 104 lead pin, BP bonding pad, BW, BW ', BW "bonding wire.
Claims (4)
変換素子をリードフレーム上に備える光受信モジュール
であって、 前記光電変換素子は、平行平板コンデンサーを介して前
記リードフレーム上に搭載されることを特徴とする光受
信モジュール。1. A light receiving module comprising a photoelectric conversion element for receiving an optical signal and converting it into an electric signal on a lead frame, wherein the photoelectric conversion element is mounted on the lead frame via a parallel plate capacitor. An optical receiving module, comprising:
変換素子の電源バイパスコンデンサであることを特徴と
する請求項1に記載の光受信モジュール。2. The optical receiving module according to claim 1, wherein the parallel plate capacitor is a power supply bypass capacitor of the photoelectric conversion element.
信号を増幅する前置増幅器を備え、前記光電変換素子の
出力と前記前置増幅器の入力がボンディングワイヤによ
り接続されることを特徴とする請求項1に記載の光受信
モジュール。3. A preamplifier for amplifying an electric signal converted by the photoelectric conversion element, wherein an output of the photoelectric conversion element and an input of the preamplifier are connected by a bonding wire. Item 2. The optical receiving module according to item 1.
信号を増幅する前置増幅器を備え、前記光電変換素子の
出力と前記前置増幅器の入力がボンディングワイヤによ
り接続され、前記平行平板コンデンサーは、前記前置増
幅器の電源バイパスコンデンサであることを特徴とする
請求項1に記載の光受信モジュール。4. A preamplifier for amplifying an electric signal converted by the photoelectric conversion element, wherein an output of the photoelectric conversion element and an input of the preamplifier are connected by a bonding wire, and the parallel plate capacitor comprises: The optical receiving module according to claim 1, wherein the optical receiving module is a power supply bypass capacitor of the preamplifier.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05030397A JP3713872B2 (en) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | Optical receiver module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05030397A JP3713872B2 (en) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | Optical receiver module |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10247672A true JPH10247672A (en) | 1998-09-14 |
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ID=12855139
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3713872B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012019202A (en) * | 2010-06-11 | 2012-01-26 | Casio Comput Co Ltd | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US8531013B2 (en) | 2010-06-11 | 2013-09-10 | Casio Computer Co., Ltd. | Semiconductor device equipped with bonding wires and manufacturing method of semiconductor device equipped with bonding wires |
-
1997
- 1997-03-05 JP JP05030397A patent/JP3713872B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012019202A (en) * | 2010-06-11 | 2012-01-26 | Casio Comput Co Ltd | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US8531013B2 (en) | 2010-06-11 | 2013-09-10 | Casio Computer Co., Ltd. | Semiconductor device equipped with bonding wires and manufacturing method of semiconductor device equipped with bonding wires |
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| JP3713872B2 (en) | 2005-11-09 |
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