JPH10247672A

JPH10247672A - 光受信モジュール

Info

Publication number: JPH10247672A
Application number: JP9050303A
Authority: JP
Inventors: Sosaku Sawada; 宗作澤田
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1997-03-05
Filing date: 1997-03-05
Publication date: 1998-09-14
Anticipated expiration: 2017-03-05
Also published as: JP3713872B2

Abstract

(57)【要約】【課題】製造工程の途中でも、検査を行うことができ
る構造を有する光受信モジュールを提供する。【解決手段】リードフレームの搭載部１０２上に平行
平板コンデンサ２２が固着され、この平行平板コンデン
サ２２の表面側電極層２２ｂ上に、光信号を受光して光
電変換する光電変換素子２が搭載される。製造工程の途
中で検査する場合には、リードフレームの電源ラインに
はボンディングワイヤＢＷ’を配線せず、光電変換素子
２と他の電子デバイス６間を他のボンディングワイヤＢ
Ｗで配線する。表面電極層２２ｂに適正電圧の探針を接
触し、搭載部１０２をグランド電位に設定することによ
り光電変換素子２及び電子デバイスに適正なバイアスを
設定し、所望の箇所に計測用探針を接触することにより
検査が行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信用の光受信
モジュールに関し、特に、電子デバイスをリードフレー
ムに搭載して樹脂封止する構造を有する光受信モジュー
ルに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】初期の光受信モジュールは、小型化を主
たる目的としていたため、同軸型のものが主流であっ
た。これは、通常のＴＯ型パッケージ内に、光ファイバ
より出射される光信号を集光するためのレンズが配置さ
れ、更に、集光された光信号を受光するために前記集光
レンズに光軸合わせされたフォトダイオード等の光電変
換素子と、光電変換素子より出力される微弱な電気信号
を信号処理可能な電圧レベルまで増幅する前置増幅器、
電源バイパスコンデンサ等を内蔵した構造を有してい
た。しかし、この光受信モジュールは、光信号を電気信
号に変換しその電気信号を増幅して出力するという比較
的単純な機能を備えるにすぎなかった。

【０００３】近年になって、より高度の信号処理機能を
備え且つ小型化の要請にも対応し得る光受信モジュール
の開発が望まれるにようになった。かかる要請に対応し
得る光受信モジュールとしては、光電変換素子と電源バ
イパスコンデンサ及び前置増幅器に加えて、コンパレー
タとクロック信号復元回路等の信号処理回路を樹脂封止
することにより全体的に一体化されたユニットを形成
し、このユニットをモジュール匡体に組み付けることに
よって、高機能で小型且つ機械的強度にも優れた構造を
実現したものが知られている。

【０００４】例えば、この高機能の光受信モジュール
は、製造工程において所定形状のリードフレームを用意
し、このリードフレームの所定の搭載部上に、ベアチッ
プの状態の光電変換素子と前置増幅器及び種々の信号処
理回路等の電子デバイスを搭載し、これらの電子デバイ
ス同士及びリードフレームのリードピンとの間をボンデ
ィングワイヤにて配線し、光信号が透過し得る樹脂にて
全体を封止した後、リードフレームの不要な部分を裁断
して除去することによりユニットが形成されている。そ
して、光ファイバのフェルールを受納するためのスリー
ブに対して、集光レンズを介して前記ユニット中の光電
変換素子の受光面を光軸合わせし、その状態でモジュー
ル匡体に組み付けることにより高機能で小型且つ機械的
強度の優れた光受信モジュールが形成されていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなリ
ードフレーム上に光電変換素子及びその他の電子デバイ
スを搭載して樹脂封止した光受信モジュールにあって
は、前記製造工程の途中で、組立て不備等に起因する電
子デバイスの不良の有無などを検査することができず、
たとえ不良品になるものであっても全ての製造工程を経
た後でなければその発見のための検査をすることができ
ないという問題があった。また、当然に、製造工程の途
中で、電子デバイスの特性評価等を行うこともできなか
った。

【０００６】即ち、図１０に示すように、製造工程途中
のリードフレームは、複数のリードピンを分離させない
ために所謂バリ（補強部）で連結したり、光電変換素子
を搭載するための搭載部や他の電子デバイスを搭載する
ための搭載部も同様に他の補強部（図示せず）で連結す
ることによって、これらの各部分が一体化された状態に
ある。このため、たとえボンディングワイヤによる配線
が施された後であっても、未だ補強部が除去されていな
いリードピンに電源を接続すれば電気的短絡を招来する
ので、製造工程途中での検査を行うことができなかっ
た。

【０００７】特に、光電変換素子及び他の電子デバイス
を各搭載部と共に樹脂封止した後、樹脂封止の対象外で
ある前記補強部を裁断して除去するので、樹脂封止の前
に補強部を除去して光電変換素子及び他の電子デバイス
を検査することは、実質的にできなかった。

【０００８】また、同図において、フォトダイオード等
の光電変換素子の裏面（受光面とは反対側の面）が半導
体の電極を兼ねているので前記リードフレームの所定の
搭載部上にその裏面を直接半田付けし、この搭載部に一
体接続している所定の電源電圧印加用リードピンに電源
電圧Ｖccを印加することによって光電変換素子のバイア
スを設定するようにし、一方、ＭＯＳやバイポーラ、Ｇ
ａＡｓ等の半導体プロセスにて製造された他の電子デバ
イス（例えば、信号処理回路）の裏面を他の搭載部に直
接半田付けし、この搭載部はグランド用リードピンを通
じてグランド電位に設定することにより他の電子デバイ
スを作動させる場合がある。しかし、製造工程の途中で
は、これらの搭載部が未だ補強部によって電気的に連結
されているため、光電変換素子と他の電子デバイスを同
時に正規のバイアスに設定することが不可能であるた
め、製造工程の途中でこれらの電子デバイスを検査する
ことができなかった。

【０００９】そして、最終的に不良品になるものであっ
ても全ての製造工程に通さなければならないため、製造
コストの低減化を阻む要因ともなっていた。

【００１０】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
ものであり、製造工程の途中でも、検査を行うことがで
きる構造を有する光受信モジュールを提供することを目
的よする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに本発明は、光信号を受信し電気信号に変換する光電
変換素子をリードフレーム上に備える光受信モジュール
であって、前記光電変換素子を、平行平板コンデンサを
介して前記リードフレーム上に搭載する構造を備えるこ
ととした。

【００１２】

【作用】平行平板コンデンサの介在により光電変換素子
とリードフレームが電気的に分離される。リードフレー
ムの補強部が除去される前であっても、光電変換素子を
適正なバイアスに設定して検査等が行われる。

【００１３】

【実施の形態】以下、本発明の光受信モジュールの実施
の形態を図面と共に説明する。図１は、光受信モジュー
ルの回路例、図２ないし図６はこの回路が組込まれたユ
ニットの製造工程及び要部構造を示す。

【００１４】図１において、光信号ｈνを受光するため
のフォトダイオード２のカソードが電源ラインＶccに接
続され、そのアノードが前置増幅器６の入力接点に接続
され、更にカソードとグランドラインＧＮＤ間に電源バ
イパスコンデンサ４が接続される。前置増幅器６は、入
力接点と反転出力接点間に電流／電圧変換（Ｉ−Ｖ変
換）用の抵抗１０が接続され、その電源供給用接点が電
源ラインＶccに、グランド接点がグランドラインＧＮＤ
に接続される。前置増幅器６の反転出力接点と非反転出
力点が夫々カップリングコンデンサ１２，１４を通じて
コンパレータ１６の反転入力接点と非反転入力点に接続
され、更にコンパレータ１６の電源供給用接点が電源ラ
インＶccに、グランド接点がグランドラインＧＮＤに接
続される。また、コンパレータ１６の電源供給用接点と
グランドラインＧＮＤ間に電源バイパスコンデンサ１８
が接続される。コンパレータ１６の反転出力接点と非反
転出力点がクロック信号復元回路等の信号処理回路２０
の入力接点に接続され、この信号処理回路２０の出力接
点が所定のリードピンに接続されたり、次段の信号処理
回路（図示せず）に接続されるようになっている。ま
た、信号処理回路２０の電源供給用接点が電源ラインＶ
ccに、グランド接点がグランドラインＧＮＤに接続され
ると共に、この電源供給用接点とグランドラインＧＮＤ
間に他の電源バイパスコンデンサが接続される。

【００１５】ここで、フォトダイオード２、電源バイパ
スコンデンサ４，８、前置増幅器６及び抵抗１０、コン
パレータ１６、信号処理回路２０の夫々は、図１中の点
線にて示す如く、個別の半導体チップ（ベアチップ）の
ままでリードフレームに搭載され、各ベアチップに形成
されている所定のボンディングパッド（図中、□で示
す）ＢＰにボンディングワイヤＢＷ，ＢＷ’を接続する
ことにより配線がなされる。また、前置増幅器６及び抵
抗１０はＧａＡｓ半導体にてＩＣ化されたベアチップ、
コンパレータ１６と信号処理回路２０は夫々シリコン半
導体にてＩＣ化されたベアチップである。

【００１６】そして、光信号ｈνがフォトダイオード２
で電気信号に変換され、前置増幅器６で信号処理可能な
電圧レベルに増幅されて、コンパレータ１６に入力する
ことにより、コンパレータ１６の各出力接点から光信号
ｈνに相当する反転信号Ｑ_Bと非反転信号Ｑが出力さ
れ、信号処理回路２０がこれらの信号Ｑ_B，Ｑに基づい
て信号処理を行う。

【００１７】次に、かかる回路を組み込んだユニットの
構造を製造工程に沿って説明する。図２に示すように、
各ユニットに対応する所定形状のパターンが連続形成さ
れたリードフレーム１００が用意され、製造ラインで自
動組立が行われる。このリードフレーム１００は銅板に
錫メッキ等を施した導電性平板にて形成され、フォトダ
イオード２等の複数のベアチップを搭載するための比較
的大面積の搭載部１０２と複数のリードピン１０４が補
強部によって一体化されている。

【００１８】搭載部１０２の中央部分に、電源バイパス
コンデンサ４，８となるダイキャップ等の平行平板コン
デンサ２２を共晶半田などで固着し、その平行平板コン
デンサ２２上にフォトダイオード２を共晶半田などで固
着したり、予め平行平板コンデンサ２２上にフォトダイ
オード２を固着しておき平行平板コンデンサ２２を搭載
部１０２の中央部分に共晶半田などで固着する。更に、
フォトダイオード２の近傍に前置増幅器６、他の部分に
コンパレータ１６及び信号処理回路２０、リードフレー
ム１００の他の所定部分にコンデンサ１２，１４，１８
その他の受動素子（マイクロチップ）を共晶半田などで
固着する。

【００１９】フォトダイオード２は、図３に示すよう
に、ｎ⁺半導体基板上にｎ，ｉ，ｐ⁺層が積層され、ｐ⁺
層の所定部分に直径が数十μｍないし数百μｍの円形受
光面を確保するようにしてｐ電極及びＳｉＯ₂絶縁層が
積層され、ｎ⁺半導体基板の裏面に電源電圧Ｖccを印加
するためのｎ電極層が形成されて成るｐｉｎ型光電変換
素子が用いられている。平行平板コンデンサ２２は、図
４に示す如く、厚さ約１５０μｍで長さ及び幅が夫々数
百μｍに形成された高誘電体材料からなる薄板の裏面全
体に金属電極層２２ａがコーティングされ、表面には相
互に分離された一対の金属電極層２２ｂ，２２ｃがコー
テングされることにより、夫々数ｐＦないし数十ｐＦの
２個のコンデンサ４，８が形成されている。

【００２０】そして、平行平板コンデンサ２２の金属電
極層２２ａを搭載部１０２に直接固着し、コンデンサ４
を形成している表面側の金属電極層２２ｂにフォトダイ
オード２のｎ電極層を直接固着することにより、図１に
示すフォトダイオード２と電源バイパスコンデンサ４の
接続を実現している。

【００２１】このように各電子デバイスをリードフレー
ム１００の所定部分に搭載した後、ボンディングワイヤ
による配線処理を行う。但し、各電子デバイスに設けら
れている電源電圧供給用のボンディングパッドとリード
フレーム１００の電源ラインＶccとの間を接続すべきボ
ンディングワイヤＢＷ’は配線せず（電気的に開放状態
のままにする）、各電子デバイス間を接続するためのボ
ンディングパッド間とグランドラインＧＮＤについての
ボンディングワイヤＢＷだけを配線することによって、
製造工程途中での検査を行う。

【００２２】即ち、リードフレーム１００の電位を計測
用電源のグランド電位に設定し、計測用電源の電源電圧
Ｖccに設定された探針（プローブ）の先端を各電子デバ
イスの電源電圧供給用のボンディングパッドに接触させ
ることで、図１に示した回路と等価なバイアスを設定
し、計測器に接続された計測用短針を各電子デバイスの
所望の部分に接触させることにより検査を行う。

【００２３】より具体的に述べれば、平行平板コンデン
サ２２の金属電極層２２ｂと２２ｃに電源電圧Ｖccに設
定された短針を接触させることにより、フォトダイオー
ド２の裏面側（アノード側）へ直接電源電圧Ｖccを印加
すると共に、前置増幅器６にはボンディングワイヤＢＷ
を介して電源電圧Ｖccを印加する。このとき、平行平板
コンデンササ２２によりフォトダイオード２とリードフ
レーム１００間が電気的に分離されるので、リードフレ
ーム１００がグランド電位であってもフォトダイオード
２に適正な電源電圧Ｖccを印加することができる。

【００２４】したがって、従来の技術では、かかるフォ
トダイオードがリードフレームに直付されていることか
ら、このリードフレームの補強部を除去してフォトダイ
オード搭載部と他の電子デバイスの搭載部を電気的に分
離した後でなければ検査することができなかったのに対
し、この実施の形態では、フォトダイオード２と他の電
子デバイス６，１６，２０が同一の搭載部１０２上に搭
載され、且つフォトダイオード２と他の電子デバイス
６，１６，２０を動作させるためのバイアス設定条件が
相違する場合であっても、これらの電子デバイスを適正
なバイアスに設定することができるので、製造工程の途
中での検査を実施することができる。

【００２５】次に、この製造工程途中の検査が終了する
と、前記の短針を取り外し、電源電圧印加用のボンディ
ングパッドＢＰとリードフレーム１００の電源印加用リ
ードピン間をボンディングワイヤＢＷ’で接続した後に
金型の中へ搬送して、図２中の点線で示す範囲内の部分
を樹脂封止し、更にリードフレーム１００の補強部や不
要部分を裁断して除去することにより、個々のユニット
を完成する。尚、樹脂は光信号ｈνに対して透明な硬化
樹脂が使用される。また、前記検査で不良箇所が発見さ
れた場合には、該当するユニットについてのその後の製
造工程が省略され、正常なユニットについての製造だけ
を継続する等の選別処理が行われる。

【００２６】そして、完成された正常なユニットについ
てのみ、光ファイバのフェルールを受納するためのスリ
ーブに対して、集光レンズを介してフォトダイオード２
の受光面を光軸合わせし、その状態でモジュール筐体に
組み付けることにより、高性能で小型且つ機械的強度に
優れた光受信モジュールを完成する。

【００２７】尚、リードフレーム１００と各電子デバイ
スを前記の金型によって単に樹脂封止する場合を述べた
が、樹脂封止の際に、前記スリーブと集光レンズをもフ
ォトダイオード２の受光面に対向させて一体に樹脂形成
することもできる。

【００２８】また、フォトダイオード２の裏面と平行平
板コンデンサ２２の表面側電極層２２ｂの接続、平行平
板コンデンサ２２の裏面２２ａとリードフレーム１００
の接続、前置増幅器６とコンパレータ１６及び信号処理
回路２０をリードフレーム１００に接続するために共晶
半田を用いる場合を説明したが、かかる接続構造に限ら
ず、導電性の樹脂（接着材）や導電性の接着シートなど
によって接続してもよい。

【００２９】また、図３に示すｐｉｎ型光電変換素子を
用いる場合を述べたが、本発明は、かかる構造の光電変
換素子に限定されるものではない。例えば、図５に示す
ように半絶縁性基板を用いた光電変換素子にあっては、
図６に示すように、その光電変換素子を平行平板コンデ
ンサ２２の一方の表面側金属層２２ｂに直接搭載し、そ
の光電変換素子の表面側に設けられたｐ電極をワイヤボ
ンディングにて表面側金属層２２ｂに接続し、出力接点
と前置増幅器の入力接点間を他のボディングワイヤＢ
Ｗ”で接続することにより、製造工程途中での検査が可
能な構造を実現することができる。

【００３０】また、一個の搭載部１０２上にフォトダイ
オード２と平行平板コンデンサ２２、前置増幅器６、コ
ンパレータ１６及び信号処理回路２０を搭載して樹脂封
止する構造を説明したが、かかる構造に限定されるもの
ではなく、例えば、フォトダイオード２と平行平板コン
デンサ２２及び前置増幅器６を搭載するための第１の搭
載部と、コンパレータ１６及び信号処理回路２０を搭載
するための第２の搭載部とに分離した形状のリードフレ
ームを使用し、夫々の搭載部に上記各構成要素を搭載し
た後、一括して樹脂封止するようにしてもよい。尚、フ
ォトダイオード２と前置増幅器６を別個の搭載部に振り
分けて搭載することは、雑音成分の増加を招来する等の
点で好ましくない。

【００３１】次に、他の実施の形態を図７ないし図９と
共に説明する。尚、図７は光受信モジュールに搭載され
る他の回路例、図８はこの回路動作を説明するための波
形図、図９はこの回路が組み込まれたユニットの要部構
造を示す。また、図７において図１と同一又は相当する
部分を同一符号にて示している。

【００３２】図７において、図１の回路との相違点を述
べると、Ｉ−Ｖ変換用の抵抗１０ａ，１０ｂが設けられ
た同一特性の反転増幅器からなる２個の前置増幅器６
ａ，６ｂが備えられ、これらの前置増幅器６ａ，６ｂ及
び抵抗１０ａ，１０ｂはＧａＡｓ半導体にてＩＣ化され
たベアチップのままでリードフレームに搭載される。ま
た、フォトダイオード２のアノード・カソード間の接合
容量と等しい値のダミーコンデンサ２４が、アノードと
前置増幅器６ａの入力接点間に接続され、カソードと前
置増幅器６ｂの入力接点間に接続され、夫々の前置増幅
器６ａ，６ｂの出力接点がカップリングコンデンサ４
２，４４を通じてコンパレータ１６の入力接点に接続さ
れる。

【００３３】そして、光信号ｈνがフォトダイオード２
で電気信号に変換され、前置増幅器６ｂで信号処理可能
な電圧レベルに増幅され、その交流成分がカップリング
コンデンサ４４を介してコンパレータ１６の非反転入力
接点に入力する。また、前置増幅器６ａは、ダミーコン
デンサ２４に生じる電圧を増幅し、その交流成分をコン
パレータ１６の反転入力接点に入力する。ここで、ダミ
ーコンデンサ２４はフォトダイオード２の接合容量と等
しい値に設定されているので、電源ラインＶccに電圧変
動が発生した場合、前置増幅器６ｂにはこの電圧変動成
分に光信号成分が重畳した信号が入力することになり、
一方の前置増幅器６ａには、フォトダイオード２と等し
い電圧変動成分が入力することになり、夫々の前置増幅
器６ａ，６ｂからは図８（ａ）に示すような電圧変動成
分を含む信号が出力される。これらの出力信号の交流成
分がカップリングコンデンサ４２，４４を通じてコンパ
レータ１６に入力され、夫々の交流成分の電圧レベルを
比較することにより、電圧変動成分が実質的に相殺さ
れ、図８（ｂ）に示すような光信号ｈνのみに相当する
非反転信号Ｑと反転信号Ｑ_Bが出力される。このよう
に、この回路は、フォトダイオード２の接合容量と等し
い値のダミーコンデンサ２４を設けることによって、電
源ラインＶccに対する雑音抑制効果を発揮する構成とな
っている。

【００３４】かかる回路を組み込んだユニットの製造工
程では、図２に示したのと同様のリードフレーム１００
が用意され、図９に示すように、搭載部１０２の中央部
分に平行平板コンデンサ２２を共晶半田などにより固着
し、平行平板コンデンサ２２の一方のコンデンサ４の金
属電極層２２ｂ上に、フォトダイオード２のｎ電極層と
ダミーコンデンサ２４の一方の端子２４ａが共晶半田な
どにより固着する。更に、フォトダイオード２の近傍に
前置増幅器６ａ，６ｂ及び抵抗１０ａ，１０ｂが形成さ
れたベアチップ、他の部分にコンパレータ１６及び信号
処理回路２０の各ベアチップ、リードフレームの他の所
定部分にコンデンサ１２，１４，１８その他の受動素子
（マイクロチップ）を共晶半田などにより固着する。

【００３５】そして、これらの電子デバイスに設けられ
ている電源電圧供給用のボンディングパッドとリードフ
レーム１００の電源ラインＶccとの間を接続すべきボン
ディングワイヤＢＷ’は配線せず、各電子デバイス間を
接続するためのボンディングパッド間とグランドライン
ＧＮＤについてのボンディングワイヤＢＷだけを配線す
ることによって、製造工程途中での検査を行う。

【００３６】即ち、平行平板コンデンサ２２の金属電極
層２２ｂと２２ｃに電源電圧Ｖccに設定された短針を接
触させることにより、フォトダイオード２の裏面側（ア
ノード側）とダミーコンデンサ２４の一端２４ａに適正
な電源電圧Ｖccを印加すると共に、前置増幅器６ａ，６
ｂにはボンディングワイヤＢＷを介して適正な電源電圧
Ｖccを印加し、ダミーコンデンサ２４の他端２４ｂと前
置増幅器６ａの入力接点、フォトダイオード２のカソー
ドと前置増幅器６ｂの入力接点をボンディングワイヤＢ
Ｗで接続する。このとき、平行平板コンデンサ２２によ
りフォトダイオード２及びダミーコンデンサ２４がリー
ドフレーム１００とは電気的に分離されるため、リード
フレーム１００がグランド電位であっても、フォトダイ
オード２及びダミーコンデンサ２４に適正な電源電圧Ｖ
ccを印加することができ、製造工程の途中に検査を実施
することができる。

【００３７】次に、この製造工程途中の検査が終了する
と、前記の短針を取り外し、電源電圧印加用のボンディ
ングパッドＢＰとリードフレーム１００の電源印加用リ
ードピン間をボンディングワイヤＢＷ’で接続した後に
金型の中へ搬送して樹脂封止し、更に、リードフレーム
１００の補強部や不要部分を裁断して除去することによ
り、個々のユニットを完成する。尚、樹脂は光信号ｈν
に対して透明な硬化樹脂が使用される。また、前記検査
で不良箇所が発見された場合には、該当するユニットに
ついてのその後の製造工程が省略され、正常なユニット
についての製造だけを継続する等の選別処理が行われ
る。そして、完成された正常なユニットだけについて、
光ファイバのフェルールを受納するためのスリーブに対
して、集光レンズを介してフォトダイオード２の受光面
を光軸合わせし、その状態でモジュール筐体に組み付け
ることにより、高性能で小型且つ機械的強度に優れた光
受信モジュールを完成する。

【００３８】このように、これらの実施の形態によれ
ば、リードフレーム上に平行平板コンデンサを介して光
電変換素子を搭載するようにしたので、製造工程の途中
で、リードフレームに対して電気的に分離した状態で光
電変換素子を適正なバイアスに設定して検査を行うこと
ができる。また、この平行平板コンデンサは、単に光電
変換素子とリードフレームとの間を電気的に分離するだ
けでなく、ボンディングワイヤにて所定の配線を行うこ
とにより、光電変換素子と前置増幅器の電源バイパスコ
ンデンサに利用することができるという効果が得られ
る。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、リ
ードフレームの補強部が裁断されて分離される以前の製
造工程の途中であっても、光電変換素子に適正な電源電
圧を印加して検査を行うことができる。そして、不良の
検出されたものについての製造工程を省略し、正常なも
のについての製造だけを継続する等の選別処理を行うこ
とにより、製造コストの低減化を図ることができる。

【００４０】また、光電変換素子を搭載するための平行
平板コンデンサをその光電変換素子や他の電子デバイス
の電源バイパスコンデンサとして使用することができる
等の効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光受信モジュールに搭載される回路例を示す回
路図である。

【図２】リードフレームの形状を示す説明図である。

【図３】光電変換素子の一例の構造を示す説明図であ
る。

【図４】平行平板コンデンサと光電変換素子とリードフ
レームの接続構造を説明するための説明図である。

【図５】他の光電変換素子の構造を示す説明図である。

【図６】平行平板コンデンサと他の光電変換素子とリー
ドフレームの接続構造を説明するための説明図である。

【図７】光受信モジュールに搭載される他の回路例を示
す回路図である。

【図８】他の回路の動作を説明するための波形図であ
る。

【図９】他の回路における平行平板コンデンサと光電変
換素子とリードフレームの接続構造を説明するための説
明図である。

【図１０】従来の光受信モジュールの構造を示す説明図
である。

【符号の説明】

２…光電変換素子、４，８，１８…電源バイパスコンデ
ンサ、６，６ａ，６ｂ…前置増幅器、１０，１０ａ，１
０ｂ…抵抗、１２，１４，４２，４４…カップリングコ
ンデンサ、１６…コンパレータ、２０…信号処理回路、
２４…ダミーコンデンサ、１００…リードフレーム、１
０２…搭載部、１０４…リードピン、ＢＰ…ボンディン
グパッド、ＢＷ，ＢＷ’，ＢＷ”…ボンディングワイ
ヤ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光信号を受信し電気信号に変換する光電
変換素子をリードフレーム上に備える光受信モジュール
であって、前記光電変換素子は、平行平板コンデンサーを介して前
記リードフレーム上に搭載されることを特徴とする光受
信モジュール。
【請求項２】前記平行平板コンデンサーは、前記光電
変換素子の電源バイパスコンデンサであることを特徴と
する請求項１に記載の光受信モジュール。
【請求項３】前記光電変換素子により変換された電気
信号を増幅する前置増幅器を備え、前記光電変換素子の
出力と前記前置増幅器の入力がボンディングワイヤによ
り接続されることを特徴とする請求項１に記載の光受信
モジュール。
【請求項４】前記光電変換素子により変換された電気
信号を増幅する前置増幅器を備え、前記光電変換素子の
出力と前記前置増幅器の入力がボンディングワイヤによ
り接続され、前記平行平板コンデンサーは、前記前置増
幅器の電源バイパスコンデンサであることを特徴とする
請求項１に記載の光受信モジュール。