JPH10247740A - 受光モジュール用回路基板 - Google Patents
受光モジュール用回路基板Info
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- JPH10247740A JPH10247740A JP9048804A JP4880497A JPH10247740A JP H10247740 A JPH10247740 A JP H10247740A JP 9048804 A JP9048804 A JP 9048804A JP 4880497 A JP4880497 A JP 4880497A JP H10247740 A JPH10247740 A JP H10247740A
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- Japan
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- ceramic substrate
- light receiving
- circuit board
- wiring pattern
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/753—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips
Landscapes
- Optical Communication System (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 受光素子を実装する基板と他の基板との間の
寄生インピーダンスを最小限に抑えて接続することがで
きる受光モジュール用回路基板を実現する。 【解決手段】 粉体成形された基板の第１面にフォトダ
イオードまたはフォトダイオードと電気回路を取り付け
る配線パターンを形成し、基板の第１面に対向する第２
面に接地電極を形成し、基板の第１面と第２面に垂直な
第３面に他の基板との接続を行う配線パターンを形成
し、基板の第１面と第２面の距離に相当する板厚は、他
の基板とインピーダンス整合がとれるように設定する。
寄生インピーダンスを最小限に抑えて接続することがで
きる受光モジュール用回路基板を実現する。 【解決手段】 粉体成形された基板の第１面にフォトダ
イオードまたはフォトダイオードと電気回路を取り付け
る配線パターンを形成し、基板の第１面に対向する第２
面に接地電極を形成し、基板の第１面と第２面に垂直な
第３面に他の基板との接続を行う配線パターンを形成
し、基板の第１面と第２面の距離に相当する板厚は、他
の基板とインピーダンス整合がとれるように設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、超高速光伝送シス
テム用の光受信器として用いられるフロントエンド回路
を内蔵した受光モジュールに用いられる回路基板に関す
る。
テム用の光受信器として用いられるフロントエンド回路
を内蔵した受光モジュールに用いられる回路基板に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】信号速度がギガビット／秒程度以上の高
速信号を光・電気変換する受光モジュールでは、高速特
性を満足するために素子間の寄生インピーダンスを可能
な限り低減することが要求される。そのためには、バン
プ接続（フリップチップ接続）を用いたフロントエンド
回路が有効である。
速信号を光・電気変換する受光モジュールでは、高速特
性を満足するために素子間の寄生インピーダンスを可能
な限り低減することが要求される。そのためには、バン
プ接続（フリップチップ接続）を用いたフロントエンド
回路が有効である。
【０００３】図５は、フロントエンド回路を内蔵した従
来の受光モジュールの断面構成を示す（特開平２−２９
７５１１号公報）。図において、フロントエンド回路５
１は、バンプ接続されるフォトダイオード５２と電子回
路素子５３により構成される。フロントエンド回路５１
は、フォトダイオード（ＰＤ）５２が回路基板５４の孔
５５に入るようにして、半田バンプ５６により回路基板
５４にバンプ接続される。光ファイバ５７はファイバ支
持部品５８により固定され、光ファイバ５７から出射さ
れた光信号は球レンズ５９および孔５５を介してフォト
ダイオード５２に集光される。フォトダイオード５２か
ら出力される電気信号は、電子回路素子５３から半田バ
ンプ５６，回路基板５４の配線，高周波ピン６０を介し
て外部に出力される。回路基板５４，球レンズ５９，フ
ァイバ支持部品５８は、台／光結合部品ホルダー６１に
保持される。
来の受光モジュールの断面構成を示す（特開平２−２９
７５１１号公報）。図において、フロントエンド回路５
１は、バンプ接続されるフォトダイオード５２と電子回
路素子５３により構成される。フロントエンド回路５１
は、フォトダイオード（ＰＤ）５２が回路基板５４の孔
５５に入るようにして、半田バンプ５６により回路基板
５４にバンプ接続される。光ファイバ５７はファイバ支
持部品５８により固定され、光ファイバ５７から出射さ
れた光信号は球レンズ５９および孔５５を介してフォト
ダイオード５２に集光される。フォトダイオード５２か
ら出力される電気信号は、電子回路素子５３から半田バ
ンプ５６，回路基板５４の配線，高周波ピン６０を介し
て外部に出力される。回路基板５４，球レンズ５９，フ
ァイバ支持部品５８は、台／光結合部品ホルダー６１に
保持される。
【０００４】この構成の特徴は、フォトダイオード５２
がバンプ接続されたフロントエンド回路５１が、さらに
回路基板５４にバンプ接続されているところにある。こ
れにより、両接続に伴う寄生インピーダンスを従来のワ
イヤボンディング等より大きく削減でき、10Ｇbit/s 程
度の超高速動作が可能になった。
がバンプ接続されたフロントエンド回路５１が、さらに
回路基板５４にバンプ接続されているところにある。こ
れにより、両接続に伴う寄生インピーダンスを従来のワ
イヤボンディング等より大きく削減でき、10Ｇbit/s 程
度の超高速動作が可能になった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図５に示す
フロントエンド回路５１の電子回路素子５３はプリアン
プＩＣであり、その後段（モジュール外）に主増幅ＩＣ
（リミッタ増幅ＩＣ，等化増幅ＩＣ，利得可変増幅Ｉ
Ｃ，その他）、識別タイミングＩＣ（識別ＰＬＬＩＣ，
速度変換ＩＣ，その他）等が接続される。したがって、
プリアンプＩＣから主増幅ＩＣまでの接続で、回路基板
５４の配線、高周波ピン６０、主増幅ＩＣ側における寄
生インピーダンスが大きくなり、超高速領域で動作が不
安定になる問題点があった。なお、主増幅ＩＣがパッケ
ージ実装であれば、パッケージのピン、パッケージ内基
板配線、ワイヤボンディング等の寄生インピーダンスが
問題になる。
フロントエンド回路５１の電子回路素子５３はプリアン
プＩＣであり、その後段（モジュール外）に主増幅ＩＣ
（リミッタ増幅ＩＣ，等化増幅ＩＣ，利得可変増幅Ｉ
Ｃ，その他）、識別タイミングＩＣ（識別ＰＬＬＩＣ，
速度変換ＩＣ，その他）等が接続される。したがって、
プリアンプＩＣから主増幅ＩＣまでの接続で、回路基板
５４の配線、高周波ピン６０、主増幅ＩＣ側における寄
生インピーダンスが大きくなり、超高速領域で動作が不
安定になる問題点があった。なお、主増幅ＩＣがパッケ
ージ実装であれば、パッケージのピン、パッケージ内基
板配線、ワイヤボンディング等の寄生インピーダンスが
問題になる。
【０００６】一方、主増幅ＩＣや識別タイミングＩＣ等
を図５に示す光通信用受光モジュール内に実装しようと
すると、回路基板５４の上に実装せざるを得ない。これ
では、台／光結合部品ホルダー６１の形状が大きくな
り、熱変形等が生じれば光軸ずれを引き起こす可能性が
高くなる。本発明は、受光素子を実装する基板と他の基
板との間の寄生インピーダンスを最小限に抑えて接続す
ることができる受光モジュール用回路基板を提供するこ
とを目的とする。
を図５に示す光通信用受光モジュール内に実装しようと
すると、回路基板５４の上に実装せざるを得ない。これ
では、台／光結合部品ホルダー６１の形状が大きくな
り、熱変形等が生じれば光軸ずれを引き起こす可能性が
高くなる。本発明は、受光素子を実装する基板と他の基
板との間の寄生インピーダンスを最小限に抑えて接続す
ることができる受光モジュール用回路基板を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の受光モジュール
用回路基板は、粉体成形された基板の第１面にフォトダ
イオードまたはフォトダイオードと電気回路を取り付け
る配線パターンを形成し、基板の第１面に対向する第２
面に接地電極を形成し、基板の第１面と第２面に垂直な
第３面に他の基板との接続を行う配線パターンを形成
し、基板の第１面と第２面の距離に相当する板厚は、他
の基板とインピーダンス整合がとれるように設定する。
用回路基板は、粉体成形された基板の第１面にフォトダ
イオードまたはフォトダイオードと電気回路を取り付け
る配線パターンを形成し、基板の第１面に対向する第２
面に接地電極を形成し、基板の第１面と第２面に垂直な
第３面に他の基板との接続を行う配線パターンを形成
し、基板の第１面と第２面の距離に相当する板厚は、他
の基板とインピーダンス整合がとれるように設定する。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の受光モジュール
用回路基板が用いられる受光モジュールの実施形態（断
面構成）を示す。図において、レセプタクルユニット
は、アダプタ１、樹脂製ケース２、スリーブ３、ファイ
バスタブ４、金属レンズホルダ５、レンズ６により構成
される。受光ユニットは、光路調整用石英板７、本発明
による受光回路系セラミック基板８、フォトダイオード
（ＰＤ）９、受動素子１０、プリアンプＩＣ１１、バン
プ１２、受動素子１３、主増幅ＩＣ１４、バンプ１５、
主増幅回路系セラミック基板１６により構成される。識
別タイミング回路ユニットは、識別タイミング回路系セ
ラミック基板１７、識別タイミングＩＣ１８、配線ワイ
ヤ１９、受動素子２０、リード２１により構成される。
このレセプタクルユニットと受光ユニットによりレセプ
タクル受光ユニットが構成され、さらに識別タイミング
回路ユニットと外形ケース２２を加えて受光モジュール
が構成される。
用回路基板が用いられる受光モジュールの実施形態（断
面構成）を示す。図において、レセプタクルユニット
は、アダプタ１、樹脂製ケース２、スリーブ３、ファイ
バスタブ４、金属レンズホルダ５、レンズ６により構成
される。受光ユニットは、光路調整用石英板７、本発明
による受光回路系セラミック基板８、フォトダイオード
（ＰＤ）９、受動素子１０、プリアンプＩＣ１１、バン
プ１２、受動素子１３、主増幅ＩＣ１４、バンプ１５、
主増幅回路系セラミック基板１６により構成される。識
別タイミング回路ユニットは、識別タイミング回路系セ
ラミック基板１７、識別タイミングＩＣ１８、配線ワイ
ヤ１９、受動素子２０、リード２１により構成される。
このレセプタクルユニットと受光ユニットによりレセプ
タクル受光ユニットが構成され、さらに識別タイミング
回路ユニットと外形ケース２２を加えて受光モジュール
が構成される。
【０００９】裏面入射型のＰＤ９がプリアンプＩＣ１１
にバンプ接続され、このプリアンプＩＣ１１が受光回路
系セラミック基板８にバンプ接続される。また、主増幅
ＩＣ１４は主増幅回路系セラミック基板１６にバンプ接
続される。受光回路系セラミック基板８と主増幅回路系
セラミック基板１６は接続される。プリアンプＩＣ１
１、主増幅ＩＣ１４、受動素子１０，１３は、両基板上
でインピーダンス制御された短い伝送線路を介して接続
され、超高速動作が可能になっている。
にバンプ接続され、このプリアンプＩＣ１１が受光回路
系セラミック基板８にバンプ接続される。また、主増幅
ＩＣ１４は主増幅回路系セラミック基板１６にバンプ接
続される。受光回路系セラミック基板８と主増幅回路系
セラミック基板１６は接続される。プリアンプＩＣ１
１、主増幅ＩＣ１４、受動素子１０，１３は、両基板上
でインピーダンス制御された短い伝送線路を介して接続
され、超高速動作が可能になっている。
【００１０】また、主増幅ＩＣ１４と識別タイミングＩ
Ｃ１８はワイヤボンディングされる。なお、主増幅回路
系セラミック基板１６と識別タイミング回路系セラミッ
ク基板１７は、接してはいるが接着されていないので、
識別タイミングＩＣ１８等の発熱による変形は主増幅回
路系セラミック基板１６および受光回路系セラミック基
板８に伝わらない。
Ｃ１８はワイヤボンディングされる。なお、主増幅回路
系セラミック基板１６と識別タイミング回路系セラミッ
ク基板１７は、接してはいるが接着されていないので、
識別タイミングＩＣ１８等の発熱による変形は主増幅回
路系セラミック基板１６および受光回路系セラミック基
板８に伝わらない。
【００１１】ここで、本発明の特徴とする受光回路系セ
ラミック基板８について説明する。光路調整用石英板７
および受光回路系セラミック基板８と樹脂製ケース２と
の寸法精度は、調芯時の調整範囲から± 200μｍ程度が
限界である。このうち、樹脂製ケース２（金属レンズホ
ルダ５）に取り付けられるレンズ６の性能に伴う光軸ず
れにより± 150μｍの精度が要求されるので、±50μｍ
以内の精度で受光回路系セラミック基板８を形成する必
要がある。ところが、従来の製造方法によるセラミック
基板は± 150μｍ程度の誤差を有しており、精度を向上
させるには研磨による補正が必要となる。本発明による
受光回路系セラミック基板８は、この精度が簡単に得ら
れる構造になっている。
ラミック基板８について説明する。光路調整用石英板７
および受光回路系セラミック基板８と樹脂製ケース２と
の寸法精度は、調芯時の調整範囲から± 200μｍ程度が
限界である。このうち、樹脂製ケース２（金属レンズホ
ルダ５）に取り付けられるレンズ６の性能に伴う光軸ず
れにより± 150μｍの精度が要求されるので、±50μｍ
以内の精度で受光回路系セラミック基板８を形成する必
要がある。ところが、従来の製造方法によるセラミック
基板は± 150μｍ程度の誤差を有しており、精度を向上
させるには研磨による補正が必要となる。本発明による
受光回路系セラミック基板８は、この精度が簡単に得ら
れる構造になっている。
【００１２】受光回路系セラミック基板８は、図２に示
すセラミック基板Ａと、図３に示すセラミック基板Ｂが
接合された構成である。図４は、セラミック基板Ａとセ
ラミック基板Ｂが接着剤で接合された状態を示す。以
下、受光回路系セラミック基板８をセラミック基板Ａと
セラミック基板Ｂに分けている理由について説明する。
図２の斜線部は、セラミック基板Ａのメタライズ部分を
示す。(a) はプリアンプＩＣ１１がバンプ接続される面
を示し、(b) は主増幅回路系セラミック基板１６に接続
されるセラミック基板Ａの底部を示し、(c) はセラミッ
ク基板Ｂに接合される面を示す。
すセラミック基板Ａと、図３に示すセラミック基板Ｂが
接合された構成である。図４は、セラミック基板Ａとセ
ラミック基板Ｂが接着剤で接合された状態を示す。以
下、受光回路系セラミック基板８をセラミック基板Ａと
セラミック基板Ｂに分けている理由について説明する。
図２の斜線部は、セラミック基板Ａのメタライズ部分を
示す。(a) はプリアンプＩＣ１１がバンプ接続される面
を示し、(b) は主増幅回路系セラミック基板１６に接続
されるセラミック基板Ａの底部を示し、(c) はセラミッ
ク基板Ｂに接合される面を示す。
【００１３】セラミック基板Ａと主増幅回路系セラミッ
ク基板１６は、セラミック基板Ａの底部に形成されたメ
タライズを介して電気的および機械的に接続されるが、
その信号配線パターンはインピーダンス整合がとられた
マイクロストリップラインを形成している必要がある。
主増幅回路系セラミック基板１６の信号配線パターン幅
は、その配線パターン面とグランドパターン面との厚
み、その誘電率、および目的とするインピーダンスの値
で一義的に決定される。そして、インピーダンス整合を
とる目的において、セラミック基板Ａ上の信号配線パタ
ーン幅についても、主増幅回路系セラミック基板１６の
信号配線パターン幅に合わせる必要がある。しかし、セ
ラミック基板Ａの誘電率が決まっているので、インピー
ダンスの値調整にはセラミック基板Ａのグランドパター
ン面との厚みを調整せざるをえない。一方、光学設計に
より決まる焦点位置にＰＤ９を配置する必要があり、そ
の光路長調整にセラミック基板Ｂをセラミック基板Ａに
接合させ、所定の厚さを確保している。
ク基板１６は、セラミック基板Ａの底部に形成されたメ
タライズを介して電気的および機械的に接続されるが、
その信号配線パターンはインピーダンス整合がとられた
マイクロストリップラインを形成している必要がある。
主増幅回路系セラミック基板１６の信号配線パターン幅
は、その配線パターン面とグランドパターン面との厚
み、その誘電率、および目的とするインピーダンスの値
で一義的に決定される。そして、インピーダンス整合を
とる目的において、セラミック基板Ａ上の信号配線パタ
ーン幅についても、主増幅回路系セラミック基板１６の
信号配線パターン幅に合わせる必要がある。しかし、セ
ラミック基板Ａの誘電率が決まっているので、インピー
ダンスの値調整にはセラミック基板Ａのグランドパター
ン面との厚みを調整せざるをえない。一方、光学設計に
より決まる焦点位置にＰＤ９を配置する必要があり、そ
の光路長調整にセラミック基板Ｂをセラミック基板Ａに
接合させ、所定の厚さを確保している。
【００１４】セラミック基板Ａおよびセラミック基板Ｂ
に設けられた孔は、裏面入射型のＰＤ９にレセプタクル
を通してファイバからの光を入射させるためである。ま
た、セラミック基板Ａの底部に凹凸の段差溝を設け、厚
膜印刷技術によりメタライズを施す。このとき、凸部に
メタライズされ、凹部にメタライズされないので、セラ
ミック基板Ａとメタライズとの位置が絶対精度で自己整
合させることができる。一方、セラミック基板Ａを粉体
成形技術で形成することにより、±10μｍ程度の高精度
を達成することができる。したがって、メタライズも同
程度の精度で形成することができる。
に設けられた孔は、裏面入射型のＰＤ９にレセプタクル
を通してファイバからの光を入射させるためである。ま
た、セラミック基板Ａの底部に凹凸の段差溝を設け、厚
膜印刷技術によりメタライズを施す。このとき、凸部に
メタライズされ、凹部にメタライズされないので、セラ
ミック基板Ａとメタライズとの位置が絶対精度で自己整
合させることができる。一方、セラミック基板Ａを粉体
成形技術で形成することにより、±10μｍ程度の高精度
を達成することができる。したがって、メタライズも同
程度の精度で形成することができる。
【００１５】また、主増幅回路系セラミック基板１６が
接続されるセラミック基板Ａの底部の両端は、図４に示
すように数μｍ〜数十μｍ程度突出させ、両者を接続す
る際の導電性樹脂または半田の厚みを吸収するようにし
ている。その突出部は、両者の接続部における寸法精度
の不確定を解消する上で重要である。また、接続時に使
用する接続治具の精度にもよるが、導電性樹脂または半
田の厚みが不均一になると、セラミック基板Ａと主増幅
回路系セラミック基板１６が傾いて接続される可能性が
ある。一方、主増幅回路系セラミック基板１６と識別タ
イミング回路系セラミック基板１７との間で図１に示す
ようにワイヤリングを行う場合には、両者を底面全体で
接触させる必要があり、セラミック基板Ａと主増幅回路
系セラミック基板１６の接続後の寸法精度は重要とな
る。セラミック基板Ａの底部の両端にある突出部は、位
置決めに供するとともに、その間にできる隙間で導電性
樹脂または半田の厚みを吸収することができ、接続後の
寸法精度を各セラミック基板の寸法精度のみに依存させ
ることができる。これにより、後段回路との機械的およ
び電気的接続を要する部分の設計を容易にすることがで
きる。
接続されるセラミック基板Ａの底部の両端は、図４に示
すように数μｍ〜数十μｍ程度突出させ、両者を接続す
る際の導電性樹脂または半田の厚みを吸収するようにし
ている。その突出部は、両者の接続部における寸法精度
の不確定を解消する上で重要である。また、接続時に使
用する接続治具の精度にもよるが、導電性樹脂または半
田の厚みが不均一になると、セラミック基板Ａと主増幅
回路系セラミック基板１６が傾いて接続される可能性が
ある。一方、主増幅回路系セラミック基板１６と識別タ
イミング回路系セラミック基板１７との間で図１に示す
ようにワイヤリングを行う場合には、両者を底面全体で
接触させる必要があり、セラミック基板Ａと主増幅回路
系セラミック基板１６の接続後の寸法精度は重要とな
る。セラミック基板Ａの底部の両端にある突出部は、位
置決めに供するとともに、その間にできる隙間で導電性
樹脂または半田の厚みを吸収することができ、接続後の
寸法精度を各セラミック基板の寸法精度のみに依存させ
ることができる。これにより、後段回路との機械的およ
び電気的接続を要する部分の設計を容易にすることがで
きる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の受光モジ
ュール用回路基板は、寸法精度および配線パターンの絶
対精度を容易に得ることができる。したがって、この受
光モジュール用回路基板を用いた受光モジュールの高性
能／高機能化、品質向上、信頼性向上を図ることができ
る。
ュール用回路基板は、寸法精度および配線パターンの絶
対精度を容易に得ることができる。したがって、この受
光モジュール用回路基板を用いた受光モジュールの高性
能／高機能化、品質向上、信頼性向上を図ることができ
る。
【図１】本発明の受光モジュール用回路基板が用いられ
る受光モジュールの実施形態（断面構成）を示す図。
る受光モジュールの実施形態（断面構成）を示す図。
【図２】受光回路系セラミック基板８を形成するセラミ
ック基板Ａの構成を示す図。
ック基板Ａの構成を示す図。
【図３】受光回路系セラミック基板８を形成するセラミ
ック基板Ｂの構成を示す図。
ック基板Ｂの構成を示す図。
【図４】受光回路系セラミック基板８の構成を示す図。
【図５】フロントエンド回路を内蔵した従来の受光モジ
ュールの断面構成を示す図。
ュールの断面構成を示す図。
１ アダプタ ２ 樹脂製ケース ３ スリーブ ４ ファイバスタブ ５ 金属レンズホルダ ６ レンズ ７ 光路調整用石英板 ８ 受光回路系セラミック基板（セラミック基板Ａ，セ
ラミック基板Ｂ） ９ フォトダイオード（ＰＤ） １０，１３，２０ 受動素子 １１ プリアンプＩＣ １２，１５ バンプ １４ 主増幅ＩＣ １６ 主増幅回路系セラミック基板 １７ 識別タイミング回路系セラミック基板 １８ 識別タイミングＩＣ １９ 配線ワイヤ ２１ リード ２２ 外形ケース
ラミック基板Ｂ） ９ フォトダイオード（ＰＤ） １０，１３，２０ 受動素子 １１ プリアンプＩＣ １２，１５ バンプ １４ 主増幅ＩＣ １６ 主増幅回路系セラミック基板 １７ 識別タイミング回路系セラミック基板 １８ 識別タイミングＩＣ １９ 配線ワイヤ ２１ リード ２２ 外形ケース
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年３月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藁科 禎久 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 京増 幹雄 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 粉体成形された基板の第１面にフォトダ
イオードまたはフォトダイオードと電気回路を取り付け
る配線パターンが形成され、 前記基板の第１面に対向する第２面に接地電極が形成さ
れ、 前記基板の第１面と第２面に垂直な第３面に他の基板と
の接続を行う配線パターンが形成され、 前記基板の第１面と第２面の距離に相当する板厚は、前
記他の基板とインピーダンス整合がとれるように設定さ
れたことを特徴とする受光モジュール用回路基板。 - 【請求項２】 請求項１に記載の受光モジュール用回路
基板において、 基板の第３面に配線パターンを凸部とする凹凸を設け、
その凸部のみにメタライズを行い、かつ第３面の両端部
をメタライズ面より突出させた構成であることを特徴と
する受光モジュール用回路基板。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の基板を
主基板とし、この主基板と光路長を調整する厚さを有す
る副基板とを接合して構成されたことを特徴とする受光
モジュール用回路基板。 - 【請求項４】 請求項３に記載の受光モジュール用回路
基板において、 主基板および副基板に、フォトダイオードに入射する光
を通す孔が設けられた構成であることを特徴とする受光
モジュール用回路基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9048804A JPH10247740A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 受光モジュール用回路基板 |
| US09/034,366 US6071016A (en) | 1997-03-04 | 1998-03-04 | Light receiving module for optical communication and light receiving unit thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9048804A JPH10247740A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 受光モジュール用回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10247740A true JPH10247740A (ja) | 1998-09-14 |
Family
ID=12813405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9048804A Pending JPH10247740A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 受光モジュール用回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10247740A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001156303A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Opnext Japan Inc | 凹レンズ付き裏面入射型受光素子、およびそれを用いた受光素子モジュール、光受信モジュール |
| WO2001043245A1 (en) * | 1999-12-10 | 2001-06-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical semiconductor module |
| US8107823B2 (en) | 2005-12-13 | 2012-01-31 | Opnext Japan, Inc. | Optical transmission module |
-
1997
- 1997-03-04 JP JP9048804A patent/JPH10247740A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001156303A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Opnext Japan Inc | 凹レンズ付き裏面入射型受光素子、およびそれを用いた受光素子モジュール、光受信モジュール |
| WO2001043245A1 (en) * | 1999-12-10 | 2001-06-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical semiconductor module |
| US6799901B2 (en) | 1999-12-10 | 2004-10-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical semiconductor module |
| US8107823B2 (en) | 2005-12-13 | 2012-01-31 | Opnext Japan, Inc. | Optical transmission module |
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