JPH1025178A - イオン注入装置用カーボン材料 - Google Patents
イオン注入装置用カーボン材料Info
- Publication number
- JPH1025178A JPH1025178A JP8175247A JP17524796A JPH1025178A JP H1025178 A JPH1025178 A JP H1025178A JP 8175247 A JP8175247 A JP 8175247A JP 17524796 A JP17524796 A JP 17524796A JP H1025178 A JPH1025178 A JP H1025178A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon
- coating film
- ion implantation
- implantation apparatus
- carbon fiber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims description 38
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 title claims description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 41
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims abstract description 30
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims abstract description 30
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000002296 pyrolytic carbon Substances 0.000 claims description 15
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 14
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000010439 graphite Substances 0.000 abstract description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 9
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 abstract description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 3
- 239000007849 furan resin Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 19
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011269 tar Substances 0.000 description 6
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 5
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009730 filament winding Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000005087 graphitization Methods 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 239000011301 petroleum pitch Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 239000002964 rayon Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229920001059 synthetic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009941 weaving Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5001—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with carbon or carbonisable materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
- C04B2111/00844—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐衝撃性や加工性に優れ、不純物や黒鉛粒子
の飛散がなくて耐久性にも優れ、コストが安いイオン注
入装置用カーボン材料を提供すること。 【解決手段】 炭素結合炭素繊維複合材料からなる基材
部11と、該基材部11の表面に被覆された炭素からな
るコーティング膜12とにより構成したこと。
の飛散がなくて耐久性にも優れ、コストが安いイオン注
入装置用カーボン材料を提供すること。 【解決手段】 炭素結合炭素繊維複合材料からなる基材
部11と、該基材部11の表面に被覆された炭素からな
るコーティング膜12とにより構成したこと。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、イオン注入装置のイオ
ンガイド用のスリット部材やウエハー保持治具等を構成
するに際して使用される、イオン注入装置用カーボン材
料に関する。
ンガイド用のスリット部材やウエハー保持治具等を構成
するに際して使用される、イオン注入装置用カーボン材
料に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造時には、性能確保
の面から、不純物の混入が抑止されねばならない。この
ため、原材料はもとより、製造装置についても不純物の
発生しないことが重要である。従って、半導体デバイス
を製造するための装置における構成部品は、半導体デバ
イスに対して悪影響を与える成分を含まない材料からな
ることが要求される。
の面から、不純物の混入が抑止されねばならない。この
ため、原材料はもとより、製造装置についても不純物の
発生しないことが重要である。従って、半導体デバイス
を製造するための装置における構成部品は、半導体デバ
イスに対して悪影響を与える成分を含まない材料からな
ることが要求される。
【0003】ところで、半導体デバイスの製造工程にお
いては、イオン注入という工程がある。上記イオン注入
は、上記半導体デバイスの材料となる、例えばシリコン
ウエハー中に、目的となる元素をイオン化して注入する
ことである。この時、上記イオン化した元素は、静電気
に加速されイオンビームとなっている。
いては、イオン注入という工程がある。上記イオン注入
は、上記半導体デバイスの材料となる、例えばシリコン
ウエハー中に、目的となる元素をイオン化して注入する
ことである。この時、上記イオン化した元素は、静電気
に加速されイオンビームとなっている。
【0004】上記イオン注入を行うイオン注入装置は、
図3に概略を示すように、注入する元素のイオンを生成
するためのイオン源と、生成したイオンをイオン膜から
引き出すのに必要なエネルギーを与える引出し部と、引
出したイオンから必要なものを選別する質量分析部と、
イオンを加速しイオンビームを生成するための加速部
と、上記イオンビームをシリコンウエハー上に均一に走
査するための走査部と、シリコンウエハーにイオンを注
入する注入室とから構成されている。また、上記イオン
ビームが通過する経路には、イオンビームの誘導のため
に、スリット部材が設けられている。
図3に概略を示すように、注入する元素のイオンを生成
するためのイオン源と、生成したイオンをイオン膜から
引き出すのに必要なエネルギーを与える引出し部と、引
出したイオンから必要なものを選別する質量分析部と、
イオンを加速しイオンビームを生成するための加速部
と、上記イオンビームをシリコンウエハー上に均一に走
査するための走査部と、シリコンウエハーにイオンを注
入する注入室とから構成されている。また、上記イオン
ビームが通過する経路には、イオンビームの誘導のため
に、スリット部材が設けられている。
【0005】しかし、上記イオン注入工程においてイオ
ンビームに不純物が混入すると、シリコンウエハー中に
目的としない元素も注入されてしまう。不純物を含むシ
リコンウエハーを用いて製造された半導体デバイスは、
性能が劣悪となるおそれがあることは当然である。特
に、鉄、バナジウム等の金属元素、硫黄のような陰性元
素の混入が悪影響を及ぼしやすい。そこで、上記イオン
注入装置の各部品は、上記不純物質がイオンビームに混
入しないよう材質上の配慮がなされている。
ンビームに不純物が混入すると、シリコンウエハー中に
目的としない元素も注入されてしまう。不純物を含むシ
リコンウエハーを用いて製造された半導体デバイスは、
性能が劣悪となるおそれがあることは当然である。特
に、鉄、バナジウム等の金属元素、硫黄のような陰性元
素の混入が悪影響を及ぼしやすい。そこで、上記イオン
注入装置の各部品は、上記不純物質がイオンビームに混
入しないよう材質上の配慮がなされている。
【0006】このため、従来、イオン注入装置のスリッ
ト部材、シリコンウエハーを支持するクランプ等の、イ
オンビームに対して直接または間接的に晒される部分の
部品には、シリコンウエハーの品質に悪影響を及ぼしに
くい物質で、かつ容易に高純度材質の確保が可能な黒鉛
材料が利用されている。
ト部材、シリコンウエハーを支持するクランプ等の、イ
オンビームに対して直接または間接的に晒される部分の
部品には、シリコンウエハーの品質に悪影響を及ぼしに
くい物質で、かつ容易に高純度材質の確保が可能な黒鉛
材料が利用されている。
【0007】しかし、黒鉛材料は微細な黒鉛の粒子が集
合することにより構成された柔らかい組織を有する。こ
のため、上記黒鉛材料はイオンビームに晒されることに
より表面が削られ、削られた黒鉛が微細な粒子となって
装置内に飛散するおそれがある。上記現象が発生する
と、黒鉛材料が極微量ながら含有する鉄、バナジウム等
がイオンに混入してしまう。従って、上記装置によって
製造されたシリコンウエハーを使用した半導体デバイス
の性能を低下させる。
合することにより構成された柔らかい組織を有する。こ
のため、上記黒鉛材料はイオンビームに晒されることに
より表面が削られ、削られた黒鉛が微細な粒子となって
装置内に飛散するおそれがある。上記現象が発生する
と、黒鉛材料が極微量ながら含有する鉄、バナジウム等
がイオンに混入してしまう。従って、上記装置によって
製造されたシリコンウエハーを使用した半導体デバイス
の性能を低下させる。
【0008】上記問題点に対応するために、イオン注入
装置における部品用の黒鉛材料として、無定形の均質な
連続調密組織を有するガラス状カーボンを使用すること
が提案されている(特開平5−246703号公報)。
このガラス状カーボンによるイオン注入装置の部品は以
下のようにして製造される。
装置における部品用の黒鉛材料として、無定形の均質な
連続調密組織を有するガラス状カーボンを使用すること
が提案されている(特開平5−246703号公報)。
このガラス状カーボンによるイオン注入装置の部品は以
下のようにして製造される。
【0009】まず、原料となるフェノール樹脂を成形
し、板状体となす。しかる後、上記板状体を高純度黒鉛
粉で被包する。次に、電気炉を昇温し上記黒鉛板等に炭
化焼成処理を施す。続いて、上記電気炉内に塩素ガスを
導入し、炭素焼成処理の時よりも温度を上げる。上記過
程は不要な不純物を燃焼させる後純化工程であり、この
工程を経て、不純物を殆ど含まないガラス状カーボンが
完成する。
し、板状体となす。しかる後、上記板状体を高純度黒鉛
粉で被包する。次に、電気炉を昇温し上記黒鉛板等に炭
化焼成処理を施す。続いて、上記電気炉内に塩素ガスを
導入し、炭素焼成処理の時よりも温度を上げる。上記過
程は不要な不純物を燃焼させる後純化工程であり、この
工程を経て、不純物を殆ど含まないガラス状カーボンが
完成する。
【0010】最後に上記ガラス状カーボンを所望の形状
に加工してイオン注入装置の部品とする。上記ガラス状
カーボンはイオンビームに晒されても表面から黒鉛の微
粒子が殆ど飛散しないという利点がある。
に加工してイオン注入装置の部品とする。上記ガラス状
カーボンはイオンビームに晒されても表面から黒鉛の微
粒子が殆ど飛散しないという利点がある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ガ
ラス状カーボンは硬く、加工が困難で所望の形状の部品
を得ることが困難である。例えば、上記スリット部材
は、板状材料の中央をくり抜く必要があり、切削加工が
困難である。また、上記ガラス状カーボンは製造加工が
複雑で製造コストが高くなり、製造工程中には後純化工
程も必要であって、一層ガラス状カーボンの製造を複雑
にしている。さらには、上記ガラス状カーボンは硬いも
のであるため、その取付・交換作業時、あるいは運搬時
等において破損や亀裂(クラック)が生じ易く、耐衝撃
性に劣るものとなっている。
ラス状カーボンは硬く、加工が困難で所望の形状の部品
を得ることが困難である。例えば、上記スリット部材
は、板状材料の中央をくり抜く必要があり、切削加工が
困難である。また、上記ガラス状カーボンは製造加工が
複雑で製造コストが高くなり、製造工程中には後純化工
程も必要であって、一層ガラス状カーボンの製造を複雑
にしている。さらには、上記ガラス状カーボンは硬いも
のであるため、その取付・交換作業時、あるいは運搬時
等において破損や亀裂(クラック)が生じ易く、耐衝撃
性に劣るものとなっている。
【0012】本発明は、かかる問題に鑑み、耐衝撃性や
加工性に優れ、不純物や黒鉛粒子の飛散がなくて耐久性
にも優れ、コストが安いイオン注入装置用カーボン材料
を提供しようとするものである。
加工性に優れ、不純物や黒鉛粒子の飛散がなくて耐久性
にも優れ、コストが安いイオン注入装置用カーボン材料
を提供しようとするものである。
【0013】
【課題の解決手段】本発明は、炭素結合炭素繊維複合材
料(所謂C/Cコンポジット)からなる基材部11と、
該基材部11の表面に被覆された炭素からなるコーティ
ング膜12とにより構成した、特にイオン注入装置を構
成するイオン注入スリットやウエハー保持治具等の部品
を形成するのに適したカーボン材料にある。
料(所謂C/Cコンポジット)からなる基材部11と、
該基材部11の表面に被覆された炭素からなるコーティ
ング膜12とにより構成した、特にイオン注入装置を構
成するイオン注入スリットやウエハー保持治具等の部品
を形成するのに適したカーボン材料にある。
【0014】基材部11となる炭素結合炭素繊維複合材
料は、炭素繊維をフィラメントワインディング法等によ
って一方向を強化したもの、炭素繊維で編んだ布、不織
布を重ね合わせて二方向を強化したもの、あるいは多方
向に編み込むことによって多方向に強化したものなどが
あり、一次元構造、二次元構造あるいは三次元構造に組
み立てられ、必要に応じて黒鉛化して作成されるもので
ある。
料は、炭素繊維をフィラメントワインディング法等によ
って一方向を強化したもの、炭素繊維で編んだ布、不織
布を重ね合わせて二方向を強化したもの、あるいは多方
向に編み込むことによって多方向に強化したものなどが
あり、一次元構造、二次元構造あるいは三次元構造に組
み立てられ、必要に応じて黒鉛化して作成されるもので
ある。
【0015】すなわち、この炭素結合炭素繊維複合材料
の出発材料である炭素繊維は、ポリアクリルニトリル、
レーヨン、フェノール樹脂等の合成高分子材料、あるい
は石油ピッチ、石炭等の高分子材料を原料として形成さ
れるものであり、この炭素繊維によって、例えば図1及
び図2に示したスリット部材10のような、イオン注入
装置の部品を形成するためのプレ構造体を形成しておく
ものである。そして、この炭素繊維によって形成したプ
レ構造体に、フェノール樹脂やフラン樹脂等の熱硬化性
樹脂、あるいはタール、ピッチ等を含浸して、これらの
硬化後に焼成、黒鉛化して、スリット部材10等の基材
部11として作製するものである。
の出発材料である炭素繊維は、ポリアクリルニトリル、
レーヨン、フェノール樹脂等の合成高分子材料、あるい
は石油ピッチ、石炭等の高分子材料を原料として形成さ
れるものであり、この炭素繊維によって、例えば図1及
び図2に示したスリット部材10のような、イオン注入
装置の部品を形成するためのプレ構造体を形成しておく
ものである。そして、この炭素繊維によって形成したプ
レ構造体に、フェノール樹脂やフラン樹脂等の熱硬化性
樹脂、あるいはタール、ピッチ等を含浸して、これらの
硬化後に焼成、黒鉛化して、スリット部材10等の基材
部11として作製するものである。
【0016】また、この基材部11としては、黒鉛材料
の表面に炭素繊維をフィラメントワインディング法によ
って巻回したり、炭素繊維からなる布や不織布を巻き付
けておき、これに前述した熱硬化性合成樹脂、タール、
あるいはピッチを含浸して黒鉛化することにより形成し
てもよい。さらには、炭素繊維の巻回等と、これに含浸
された熱硬化性合成樹脂、タール、またはピッチの焼成
あるいは黒鉛化を複数回繰り返して基材部11としても
よいものである。
の表面に炭素繊維をフィラメントワインディング法によ
って巻回したり、炭素繊維からなる布や不織布を巻き付
けておき、これに前述した熱硬化性合成樹脂、タール、
あるいはピッチを含浸して黒鉛化することにより形成し
てもよい。さらには、炭素繊維の巻回等と、これに含浸
された熱硬化性合成樹脂、タール、またはピッチの焼成
あるいは黒鉛化を複数回繰り返して基材部11としても
よいものである。
【0017】以上のように形成した基材部11の表面に
形成されるべきコーティング膜12は、高純度炭素から
なるものであることが必要である。その理由は、本発明
のカーボン材料がイオン注入装置の部品を構成するもの
である以上、イオンビームの照射によって、シリコンウ
エハー内に注入すべきイオン以外の金属イオン等が当該
カーボン材料からはじき出されてはならないからであ
り、そのために、基材部11を覆うコーティング膜12
中にはイオン注入に悪影響を及ぼす炭素以外の元素が含
まれていてはならないからである。
形成されるべきコーティング膜12は、高純度炭素から
なるものであることが必要である。その理由は、本発明
のカーボン材料がイオン注入装置の部品を構成するもの
である以上、イオンビームの照射によって、シリコンウ
エハー内に注入すべきイオン以外の金属イオン等が当該
カーボン材料からはじき出されてはならないからであ
り、そのために、基材部11を覆うコーティング膜12
中にはイオン注入に悪影響を及ぼす炭素以外の元素が含
まれていてはならないからである。
【0018】このコーティング膜12としては、請求項
2に係る発明におけるように、基材部11の表面に塗布
した熱硬化性合成樹脂、タール、あるいはピッチを黒鉛
化したものと、請求項3の発明におけるように、基材部
11の表面に形成した熱分解炭素からなる膜との2種類
のものがある。
2に係る発明におけるように、基材部11の表面に塗布
した熱硬化性合成樹脂、タール、あるいはピッチを黒鉛
化したものと、請求項3の発明におけるように、基材部
11の表面に形成した熱分解炭素からなる膜との2種類
のものがある。
【0019】コーティング膜12を、熱硬化性合成樹
脂、タール、あるいはピッチを黒鉛化することにより形
成するには、前述した基材部11の形成時における熱硬
化性合成樹脂、タール、あるいはピッチをそのまま利用
するか、あるいは基材部11の形成の最終段階におい
て、炭素繊維の巻回等を省略して熱硬化性合成樹脂、タ
ール、あるいはピッチの含浸または塗布のみを行い、こ
れを黒鉛化することによりコーティング膜12としても
よいのである。
脂、タール、あるいはピッチを黒鉛化することにより形
成するには、前述した基材部11の形成時における熱硬
化性合成樹脂、タール、あるいはピッチをそのまま利用
するか、あるいは基材部11の形成の最終段階におい
て、炭素繊維の巻回等を省略して熱硬化性合成樹脂、タ
ール、あるいはピッチの含浸または塗布のみを行い、こ
れを黒鉛化することによりコーティング膜12としても
よいのである。
【0020】このコーティング膜12を熱分解炭素によ
り形成したイオン注入装置用カーボン材料では、この熱
分解炭素からなるコーティング膜12を基材部11に形
成させる方法としては、例えばCVD法がある。このC
VD法による一例としては、まず基材部11を前述した
ような方法によって準備し、これを反応炉に封入して加
熱する。その後、上記反応炉中に炭化水素ガスを導入す
る。上記炭化水素ガスは熱によりガスを構成する分子の
結合が解かれ、炭素及び低分子量の炭素化合物よりなる
「熱分解炭素」を発生する。この熱分解炭素は、上記基
材部11と接触反応し、基材部11表面において膜状の
構造を形成するので、上記基材部11の表面上に熱分解
炭素のコーティング膜12が形成されることになるので
ある。
り形成したイオン注入装置用カーボン材料では、この熱
分解炭素からなるコーティング膜12を基材部11に形
成させる方法としては、例えばCVD法がある。このC
VD法による一例としては、まず基材部11を前述した
ような方法によって準備し、これを反応炉に封入して加
熱する。その後、上記反応炉中に炭化水素ガスを導入す
る。上記炭化水素ガスは熱によりガスを構成する分子の
結合が解かれ、炭素及び低分子量の炭素化合物よりなる
「熱分解炭素」を発生する。この熱分解炭素は、上記基
材部11と接触反応し、基材部11表面において膜状の
構造を形成するので、上記基材部11の表面上に熱分解
炭素のコーティング膜12が形成されることになるので
ある。
【0021】上記反応炉内の圧力は300Torr以下
であることが好ましい。反応炉内の圧力が300Tor
rよりも大きい場合には、基材部11に形成されたコー
ティング膜12の平滑性が不良となるおそれがあるため
である。また、上記炭化水素ガスとしてはメタン、プロ
パン等が好ましい。更に、上記炭化水素ガスは、濃度調
整及び反応炉内に炭化水素ガスを導入し易くするため
に、キャリアガスとともに容器内に注入される。上記キ
ャリアガスとしては水素ガスが好ましい。
であることが好ましい。反応炉内の圧力が300Tor
rよりも大きい場合には、基材部11に形成されたコー
ティング膜12の平滑性が不良となるおそれがあるため
である。また、上記炭化水素ガスとしてはメタン、プロ
パン等が好ましい。更に、上記炭化水素ガスは、濃度調
整及び反応炉内に炭化水素ガスを導入し易くするため
に、キャリアガスとともに容器内に注入される。上記キ
ャリアガスとしては水素ガスが好ましい。
【0022】また、コーティング膜12の厚みは1〜5
00μmであることが好ましい。このコーティング膜1
2の厚みが1μmよりも薄い場合には、イオン注入装置
に用いた場合、コーティング膜12の耐消耗性が低く、
膜寿命が短くなるおそれがある。また、厚みが500μ
mよりも厚くなると、コーティング膜12が基材部11
から剥離するおそれがある。
00μmであることが好ましい。このコーティング膜1
2の厚みが1μmよりも薄い場合には、イオン注入装置
に用いた場合、コーティング膜12の耐消耗性が低く、
膜寿命が短くなるおそれがある。また、厚みが500μ
mよりも厚くなると、コーティング膜12が基材部11
から剥離するおそれがある。
【0023】次に、コーティング膜12は総灰分量が5
ppm以下であることが好ましい。この場合の総灰分量
とは、コーティング膜12の純度特性を示す数値、例え
ば、鉄、ニッケル、コバルト、バナジウム等の不純物の
含有量を示している。総灰分量が5ppmよりも多い場
合には、コーティング膜12中の無機不純物が多く、コ
ーティング膜12の脱落等が発生した場合に、シリコン
ウエハーを汚染する物質が飛散するおそれがある。
ppm以下であることが好ましい。この場合の総灰分量
とは、コーティング膜12の純度特性を示す数値、例え
ば、鉄、ニッケル、コバルト、バナジウム等の不純物の
含有量を示している。総灰分量が5ppmよりも多い場
合には、コーティング膜12中の無機不純物が多く、コ
ーティング膜12の脱落等が発生した場合に、シリコン
ウエハーを汚染する物質が飛散するおそれがある。
【0024】
【作用及び効果】本発明に係るカーボン材料は、その基
材部11を炭素結合炭素繊維複合材料によって形成した
ものであるから、機械的強度が非常に高まっており、例
えばこのカーボン材料によって形成したスリット部材1
0のイオン注入装置に対する取付・交換時は勿論のこ
と、使用中又は運搬時の衝撃等によるクラックが発生し
にくくなっているということは、このカーボン材料にイ
オン注入装置中において余剰のイオンビームが照射され
ても、これを確実に捕集するということを意味すると同
時に、イオンビームによっては不純物を打ち出さないも
のとすることができることを意味している。
材部11を炭素結合炭素繊維複合材料によって形成した
ものであるから、機械的強度が非常に高まっており、例
えばこのカーボン材料によって形成したスリット部材1
0のイオン注入装置に対する取付・交換時は勿論のこ
と、使用中又は運搬時の衝撃等によるクラックが発生し
にくくなっているということは、このカーボン材料にイ
オン注入装置中において余剰のイオンビームが照射され
ても、これを確実に捕集するということを意味すると同
時に、イオンビームによっては不純物を打ち出さないも
のとすることができることを意味している。
【0025】また、このカーボン材料の基材部11が機
械的強度に優れていることは、その表面に形成してある
コーティング膜12が仮に薄いものであったとしても、
このコーティング膜12自体にクラックや剥離が生ずる
ことを完全に防止している、すなわちコーティング膜1
2の保護を行っていることを意味している。
械的強度に優れていることは、その表面に形成してある
コーティング膜12が仮に薄いものであったとしても、
このコーティング膜12自体にクラックや剥離が生ずる
ことを完全に防止している、すなわちコーティング膜1
2の保護を行っていることを意味している。
【0026】さらに、本発明のカーボン材料は、イオン
注入装置におけるウエハー保持治具を構成するものとし
ても使用されるものであるが、このウエハー保持治具
は、ウエハーの交換毎に機械的衝撃をうけるものであ
り、かつそれ程大きなものではない、しかしながら、本
発明のカーボン材料は、その基材部11を炭素結合炭素
繊維複合材料によって形成することにより、その機械的
強度が非常に高いものとなっているのであるから、形状
が小さくて機械的衝撃を受けるものであっても、これに
十分耐え得るものである。
注入装置におけるウエハー保持治具を構成するものとし
ても使用されるものであるが、このウエハー保持治具
は、ウエハーの交換毎に機械的衝撃をうけるものであ
り、かつそれ程大きなものではない、しかしながら、本
発明のカーボン材料は、その基材部11を炭素結合炭素
繊維複合材料によって形成することにより、その機械的
強度が非常に高いものとなっているのであるから、形状
が小さくて機械的衝撃を受けるものであっても、これに
十分耐え得るものである。
【0027】特に、請求項3のイオン注入装置用カーボ
ン材料は、炭素結合炭素繊維複合材料からなる基材部1
1の表面に熱分解炭素よりなるコーティング膜12が設
けられたものであるから、その熱分解炭素の表面は従来
使用されている黒鉛材料の如き粒子集合系とは異質の、
非常に緻密な組織となっている。このため、イオンビー
ムに晒される場合においても、材料表面から黒鉛粒子の
脱落が発生することはない。また、この熱分解炭素から
なるコーティング膜12の形成にあたって、例えばCV
D法等の安価で、大量生産に向いた製造工程をとること
が可能である。また、基材部11を構成する材料を安価
なものとすることが可能で、材料全体のコストを安くす
ることが十分可能である。
ン材料は、炭素結合炭素繊維複合材料からなる基材部1
1の表面に熱分解炭素よりなるコーティング膜12が設
けられたものであるから、その熱分解炭素の表面は従来
使用されている黒鉛材料の如き粒子集合系とは異質の、
非常に緻密な組織となっている。このため、イオンビー
ムに晒される場合においても、材料表面から黒鉛粒子の
脱落が発生することはない。また、この熱分解炭素から
なるコーティング膜12の形成にあたって、例えばCV
D法等の安価で、大量生産に向いた製造工程をとること
が可能である。また、基材部11を構成する材料を安価
なものとすることが可能で、材料全体のコストを安くす
ることが十分可能である。
【0028】以上のことにより、本発明によれば、耐衝
撃性が高く加工性に優れ、黒鉛粒子の飛散がなく、コス
トが安いイオン注入装置用カーボン材料を提供すること
ができることになるのである。
撃性が高く加工性に優れ、黒鉛粒子の飛散がなく、コス
トが安いイオン注入装置用カーボン材料を提供すること
ができることになるのである。
【0029】
【実施例】本発明の実施例にかかるイオン注入装置用カ
ーボン材料につき、図1、図2を用いて、説明する。こ
の本例の場合、カーボン材料は、イオン注入装置のイオ
ン源から提供されたイオンビームを、シリコンウエハー
までの通過経路において誘導するために設けられた、ス
リット部材10として使用されるものである。
ーボン材料につき、図1、図2を用いて、説明する。こ
の本例の場合、カーボン材料は、イオン注入装置のイオ
ン源から提供されたイオンビームを、シリコンウエハー
までの通過経路において誘導するために設けられた、ス
リット部材10として使用されるものである。
【0030】図1に示すごとく、本例のスリット部材1
0は、炭素結合炭素繊維複合材料からなる基材部11
と、この基材部11の表面に被覆された炭素からなるコ
ーティング膜12とよりなる。このコーティング膜12
は、焼成熱分解した、あるいは黒鉛化した熱硬化性合成
樹脂、タール、あるいはピッチ、または熱分解炭素によ
り形成されている。
0は、炭素結合炭素繊維複合材料からなる基材部11
と、この基材部11の表面に被覆された炭素からなるコ
ーティング膜12とよりなる。このコーティング膜12
は、焼成熱分解した、あるいは黒鉛化した熱硬化性合成
樹脂、タール、あるいはピッチ、または熱分解炭素によ
り形成されている。
【0031】まず、このカーボン材料の基材部11を形
成しなければならないが、この基材部11の形成は次の
2通りの方法によって行った。第1の方法は、炭素繊維
フィラメントを用いて枠状体を作成し、これにフェノー
ル樹脂含浸、硬化、焼成を2回繰り返して全体を黒鉛化
し、炭素結合炭素繊維複合材料からなる枠状体、すなわ
ち基材部11を得た。
成しなければならないが、この基材部11の形成は次の
2通りの方法によって行った。第1の方法は、炭素繊維
フィラメントを用いて枠状体を作成し、これにフェノー
ル樹脂含浸、硬化、焼成を2回繰り返して全体を黒鉛化
し、炭素結合炭素繊維複合材料からなる枠状体、すなわ
ち基材部11を得た。
【0032】第2の方法は、炭素繊維で編んだ布を用い
てスリット部材10となるべき枠状体を作成し、これに
フェノール樹脂を含浸して硬化後、900℃で焼成し
た。さらに、フェノール樹脂含浸、硬化、焼成を2回繰
り返し、これを黒鉛化して、炭素結合炭素繊維複合材料
からなる基材部11を得た。
てスリット部材10となるべき枠状体を作成し、これに
フェノール樹脂を含浸して硬化後、900℃で焼成し
た。さらに、フェノール樹脂含浸、硬化、焼成を2回繰
り返し、これを黒鉛化して、炭素結合炭素繊維複合材料
からなる基材部11を得た。
【0033】以上のいずれかの方法によっても、得られ
た基材部11の曲げ強度は4000kg/cm2 であっ
た。また、上記コーティング膜12の厚みは50μm、
総灰分量は3ppmである。なお、スリット部材10
は、図1、図2に示すごとく、中央部にイオンビーム誘
導用の窓20を設けたもので、縦3cm、横7cmの大
きさである。
た基材部11の曲げ強度は4000kg/cm2 であっ
た。また、上記コーティング膜12の厚みは50μm、
総灰分量は3ppmである。なお、スリット部材10
は、図1、図2に示すごとく、中央部にイオンビーム誘
導用の窓20を設けたもので、縦3cm、横7cmの大
きさである。
【0034】次に、上記スリット部材10をCVD法に
より製造する方法につき説明する。まず、基材部11と
しては、炭素結合炭素繊維複合材料を所定の形状に加工
した後、ハロゲンガス等による純化処理を行ない、作製
したものが採用される。
より製造する方法につき説明する。まず、基材部11と
しては、炭素結合炭素繊維複合材料を所定の形状に加工
した後、ハロゲンガス等による純化処理を行ない、作製
したものが採用される。
【0035】次に、この基材部11を、20Torrに
減圧されて2000℃に加熱された反応炉内に封入す
る。この炉内にキャリアガスとして水素ガスを使用し、
プロパンを供給する。炉内の熱により、プロパンから熱
分解炭素が発生し、これが基材部11の表面に膜を形成
する。これにより、炭素結合炭素繊維複合材料からなる
基材部11の全面が熱分解炭素のコーティング膜12で
覆われた、スリット部材10を得る。
減圧されて2000℃に加熱された反応炉内に封入す
る。この炉内にキャリアガスとして水素ガスを使用し、
プロパンを供給する。炉内の熱により、プロパンから熱
分解炭素が発生し、これが基材部11の表面に膜を形成
する。これにより、炭素結合炭素繊維複合材料からなる
基材部11の全面が熱分解炭素のコーティング膜12で
覆われた、スリット部材10を得る。
【0036】次に、本例における作用効果につき説明す
る。本例のイオン注入装置用カーボン材料は、CVD法
により、炭素結合炭素繊維複合材料からなる基材部11
の表面に熱分解炭素よりなるコーティング膜12を設け
られたものである。このために、基材部11である炭素
結合炭素繊維複合材料を所望の部品形状に予め加工して
おいて、その表面にコーティング膜12を設けることに
より、容易にイオン注入装置の部品を創造することがで
きる。
る。本例のイオン注入装置用カーボン材料は、CVD法
により、炭素結合炭素繊維複合材料からなる基材部11
の表面に熱分解炭素よりなるコーティング膜12を設け
られたものである。このために、基材部11である炭素
結合炭素繊維複合材料を所望の部品形状に予め加工して
おいて、その表面にコーティング膜12を設けることに
より、容易にイオン注入装置の部品を創造することがで
きる。
【0037】本例のカーボン材料は、その基材部11を
炭素結合炭素繊維複合材料によって形成したものである
から、全体の機械的強度が非常に高まっており、例えば
このカーボン材料によって形成したスリット部材10の
イオン注入装置に対する取付・交換時は勿論のこと、使
用中又は運搬時の衝撃等によるクラックが発生しにくく
なっているということは、このカーボン材料にイオン注
入装置中において余剰のイオンビームが照射されても、
これを確実に捕集するということを意味すると同時に、
イオンビームによっては不純物を打ち出さないものとす
ることができることを意味している。
炭素結合炭素繊維複合材料によって形成したものである
から、全体の機械的強度が非常に高まっており、例えば
このカーボン材料によって形成したスリット部材10の
イオン注入装置に対する取付・交換時は勿論のこと、使
用中又は運搬時の衝撃等によるクラックが発生しにくく
なっているということは、このカーボン材料にイオン注
入装置中において余剰のイオンビームが照射されても、
これを確実に捕集するということを意味すると同時に、
イオンビームによっては不純物を打ち出さないものとす
ることができることを意味している。
【0038】勿論、このカーボン材料の表面、及び内部
は、熱分解炭素からなる硬いコーティング膜12によっ
て被覆されているため、材料表面は緻密な組織を構成
し、例えば従来一般に採用されている黒鉛等の粒体集合
系とは異なる。このため、イオンビームに晒される場合
においても、材料表面から黒鉛粒子の脱落が発生するこ
ともない。
は、熱分解炭素からなる硬いコーティング膜12によっ
て被覆されているため、材料表面は緻密な組織を構成
し、例えば従来一般に採用されている黒鉛等の粒体集合
系とは異なる。このため、イオンビームに晒される場合
においても、材料表面から黒鉛粒子の脱落が発生するこ
ともない。
【0039】さらに、本例のカーボン材料のコーティン
グ膜12は、その総灰分量の値が低いので、シリコンウ
エハーの品質低下を引き起こすほどの量の無機不純物が
飛散することもない。また、コーティング膜12の厚み
も適切であり、薄いために耐久性に劣ったり、また厚す
ぎて基材部11からの剥離が発生するということもな
い。
グ膜12は、その総灰分量の値が低いので、シリコンウ
エハーの品質低下を引き起こすほどの量の無機不純物が
飛散することもない。また、コーティング膜12の厚み
も適切であり、薄いために耐久性に劣ったり、また厚す
ぎて基材部11からの剥離が発生するということもな
い。
【0040】このごとく、本発明によれば、耐衝撃性及
び加工性に優れ、黒鉛粒子の飛散がなく、製造コストが
安いイオン注入装置用カーボン材料を提供することがで
きるのである。
び加工性に優れ、黒鉛粒子の飛散がなく、製造コストが
安いイオン注入装置用カーボン材料を提供することがで
きるのである。
【図1】 本発明に係るカーボン材料によって形成した
イオン注入装置のためのスリット部材の断面図である。
イオン注入装置のためのスリット部材の断面図である。
【図2】 同スリット部材の斜視図である。
【図3】 イオン注入装置の構成を概略的に示した断面
図である。
図である。
10 スリット部材 11 基材部 12 コーティング膜 20 窓
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/265 H01L 21/265 E D
Claims (5)
- 【請求項1】炭素結合炭素繊維複合材料からなる基材部
と、該基材部の表面に被覆された炭素からなるコーティ
ング膜とにより構成したことを特徴とするイオン注入装
置用カーボン材料。 - 【請求項2】請求項1において、上記コーティング膜
は、上記基材部に含浸した熱硬化性合成樹脂、タール、
あるいはピッチを炭素化したものであることを特徴とす
るイオン注入装置用カーボン材料。 - 【請求項3】請求項1において、上記コーティング膜は
熱分解炭素により形成されていることを特徴とするイオ
ン注入装置用カーボン材料。 - 【請求項4】請求項1〜3のいずれかにおいて、上記コ
ーティング膜の厚みは1〜500μmであることを特徴
とするイオン注入装置用カーボン材料。 - 【請求項5】請求項1〜4のいずれかにおいて、上記コ
ーティング膜は総灰分量が5ppm以下であることを特
徴とするイオン注入装置用カーボン材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8175247A JPH1025178A (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | イオン注入装置用カーボン材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8175247A JPH1025178A (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | イオン注入装置用カーボン材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1025178A true JPH1025178A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=15992841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8175247A Pending JPH1025178A (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | イオン注入装置用カーボン材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1025178A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258154A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-10-04 | Nec Electronics Corp | イオン注入装置 |
| JP2009048877A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Nec Electronics Corp | イオン注入装置 |
| JP2013109865A (ja) * | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Asphericon Gmbh | イオンビームにより基板を加工するための方法、及び基板を加工するためのイオンビーム装置 |
-
1996
- 1996-07-04 JP JP8175247A patent/JPH1025178A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258154A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-10-04 | Nec Electronics Corp | イオン注入装置 |
| US7732790B2 (en) | 2006-02-23 | 2010-06-08 | Nec Electronics Corporation | Ion implanting apparatus for forming ion beam geometry |
| JP2009048877A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Nec Electronics Corp | イオン注入装置 |
| US7791040B2 (en) | 2007-08-21 | 2010-09-07 | Nec Electronics Corporation | Ion implanting apparatus for forming ion beam shape |
| JP2013109865A (ja) * | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Asphericon Gmbh | イオンビームにより基板を加工するための方法、及び基板を加工するためのイオンビーム装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101148897B1 (ko) | 대상물을 지지하기 위한 기판 및 이 기판의 제조방법 | |
| CN1173556A (zh) | 提拉单晶硅的装置 | |
| JPH1025178A (ja) | イオン注入装置用カーボン材料 | |
| JPH069278A (ja) | セラミックマトリックス複合材料部材の製造方法 | |
| JP2017071535A (ja) | SiC/SiC複合材の製造方法 | |
| US20090274888A1 (en) | High-purity carbon fiber-reinforced carbon composite and method for producing the same | |
| US5556608A (en) | Carbon thread and process for producing it | |
| JPH01264964A (ja) | 耐熱衝撃性に優れた炭素繊維強化炭素複合材並びにその製造方法 | |
| CA2363056C (en) | Carbon fiber woven fabric and method for production thereof | |
| US12600681B2 (en) | Thermal insulation material and method for producing thermal insulation material | |
| JPH11292647A (ja) | 炭素繊維強化複合材料及びその製造方法 | |
| JP2001192270A (ja) | 炭素繊維複合材料 | |
| JPH1050677A (ja) | プラズマエッチング用電極板 | |
| US20230101816A1 (en) | Covalent reinforcement of carbon nanotube assemblies | |
| JP2005183325A (ja) | 高分子電解質型ガス拡散層用炭素繊維シート及びその製造方法 | |
| JPH0812457A (ja) | 炭素繊維強化炭素複合材料とその製造方法 | |
| JP3433473B2 (ja) | 炭素繊維強化炭素複合材とその製造方法及びそれを用いた摺動材 | |
| CA2056779C (en) | A method and fibers for fabricating a composite material having a matrix reinforced by ceramic fibers | |
| US20100111805A1 (en) | Ceramic nanowires and a process for producing them by ion beam irradiation | |
| JPS63295476A (ja) | 炭素繊維強化炭素材料の製造方法 | |
| US494150A (en) | Gtjine | |
| JPH0949890A (ja) | プラズマ又はビーム対向板 | |
| US20050158468A1 (en) | Method for manufacturing carbon composites | |
| JP2001048664A (ja) | 炭素繊維強化炭素材の製造方法 | |
| JPH0948683A (ja) | 炭化硼素被覆炭素材料、その製造法及びプラズマ対向材 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060512 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060814 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070109 |