JPH10251890A

JPH10251890A - 電気化学的成膜方法およびその装置

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Publication number: JPH10251890A
Application number: JP6065297A
Authority: JP
Inventors: Toshio Oboshi; 敏夫大星
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-03-14
Filing date: 1997-03-14
Publication date: 1998-09-22

Abstract

(57)【要約】【課題】均質な膜を均一な膜厚でしかも必要に応じて
選択的に成膜することができる電気化学的成膜方法およ
びその装置を提供する。【解決手段】ガラスパネル１上のＮｉ膜２と、電解槽
３を満たしている電解液６とを接触させて接触液界面７
を形成し、陰極４と陽極８との間に電流を流しながら所
望の領域内で接触液界面７を掃引することによりＮｉ膜
２上の必要とする部分にＮｉを析出させて、Ｎｉ膜を成
膜する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、電気化学的成膜
方法およびその装置に関し、例えば、大面積の金属薄膜
または透明導電薄膜上への金属皮膜、複合金属皮膜、無
機物皮膜または有機物皮膜の成膜に適用して好適なもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来、大面積の金属薄膜または透明導電
薄膜上への薄膜の成膜には、主として電気めっき法が用
いられている。この電気めっき法による成膜方法を、金
属薄膜上に成膜を行う場合を例にとって具体的に説明す
る。すなわち、図１４に示すように、電解液１０１で満
たされた電解槽１０２中に、陽極１０３と、陰極を構成
する金属薄膜１０４が蒸着されているガラスパネル１０
５とを互いに対向して設け、これらの陽極１０３および
陰極を構成する金属薄膜１０４の間に所定の電圧を印加
して電解を行うことにより、金属薄膜１０４上に金属薄
膜（図示せず）を成膜する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、大面積
のガラスパネル１０５の表面に成膜された金属薄膜１０
４には、その長さ方向に電気抵抗が存在するので、成膜
時にその方向に電圧降下が起こる。そのため、電解液１
０１に浸けられている金属薄膜１０４上に、長さ方向に
均質な金属皮膜を均一の膜厚で成膜することは困難であ
った。

【０００４】上述の電圧降下による金属皮膜の均質性お
よび膜厚均一性の劣化は、図１５に示すような等価回路
モデルによって説明することができる。すなわち、図１
５に示すように、電解液１０１は、等価的に抵抗成分Ｒ
_iおよび容量成分Ｃで表される。また、金属薄膜１０４
の、端子部１０４ａから電解液１０１中のＡ点までの抵
抗は等価的にＲ_aで表され、金属薄膜１０４の端子部１
０４ａから電解液１０１中のＢ点までの抵抗は等価的に
Ｒ_a＋Ｒ_bで表されるので、金属薄膜１０４のＡ点とＢ
点との間の抵抗はＲ_bとなる。陽極１０３と陰極を構成
する金属薄膜１０４との間に流れる電流は一定である
が、この抵抗Ｒ_bによって、Ｂ点の電位に比べてＡ点の
電位は、抵抗Ｒ_bによる電圧降下の分だけ低くなる。そ
のため、Ｂ点に流入する電流はＡ点に流入する電流に比
べて小さくなる。そして、この電流の減少は、金属薄膜
１０４上への金属皮膜の成膜の際に、金属薄膜１０４上
の場所に応じた析出ムラとなって現れ、金属皮膜の均質
性および膜厚均一性の劣化をもたらしていた。

【０００５】また、図１６に示すように、ガラスパネル
１０５上に短冊状の金属薄膜１０４を形成した場合にお
いては、よく知られているように、上述のようなガラス
パネル１０５上の全面に成膜された金属薄膜１０４に比
べ、短冊状の金属薄膜１０４の線抵抗は増大する。その
ため、上述と同様の理由により、従来の方法により短冊
状の金属薄膜１０４上に金属皮膜を成膜しようとする
と、金属薄膜１０４にはその線抵抗に応じた電圧降下が
生じて、この金属皮膜に短冊状の金属薄膜１０４の長さ
の方向に析出ムラが生じ、金属皮膜の均質性および膜厚
均一性の劣化をもたらす。

【０００６】以上のような問題を回避するため、大面積
の金属薄膜または透明導電薄膜上への金属皮膜の成膜に
は、多くの場合無電解めっき法が採用されていた。しか
しながら、この無電解めっき法は、めっき可能な金属が
限定されている上に、非選択的なめっきであるという問
題がある。

【０００７】一方、帯電した微粒子の分散液中からの微
粒子の析出により、所望の膜を成膜する電着法において
も、大面積の金属薄膜または透明導電薄膜上に均質な膜
を均一な膜厚で成膜することは極めて困難であった。

【０００８】したがって、この発明の目的は、大面積の
金属薄膜または透明導電薄膜上に均質な薄膜を均一な膜
厚でしかも必要に応じて選択的に成膜することができる
電気化学的成膜方法およびその装置を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上述の諸問
題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、大面積の金属薄
膜または透明導電薄膜上に電気化学的に薄膜を成膜する
場合に、その金属薄膜または透明導電薄膜が有する電気
抵抗の大きさに関わらず、この電気抵抗による電圧降下
を大幅に抑制し、薄膜の析出ムラを低減する方法を見い
出した。すなわち、本発明者は、金属薄膜または透明導
電薄膜が有する電気抵抗による電圧降下を低減させるた
めに、金属薄膜または透明導電薄膜に対し、電解液との
接触面積を限定し、この接触液界面を、その限定された
面積のままで金属薄膜または透明導電薄膜上で掃引する
ようにすれば、金属薄膜または透明導電薄膜が有する電
気抵抗の大きさは薄膜の成膜に無関係となり、接触液界
面の部分に析出する物質の析出ムラが生じることなく、
均質な膜を均一な膜厚でしかも必要に応じて選択的に成
膜することができることを見い出した。この発明は以上
の検討に基づいて案出されたものである。

【００１０】すなわち、上記目的を達成するために、こ
の発明の第１の発明は、導電性の基体上に、電気化学的
に膜を成膜するようにした電気化学的成膜方法におい
て、電解液を、膜の面積より小さい面積で基体の表面に
接触させ、電解液と基体との界面を掃引することにより
膜を成膜するようにしたことを特徴とするものである。

【００１１】この第１の発明において、例えば、成膜を
行うべき膜は金属からなり、この膜を電気めっき法によ
り成膜する。また、例えば、電解液は、帯電した有機物
または無機物の微粒子が分散媒中に分散されたものであ
り、膜を電着法により成膜する。

【００１２】この第１の発明において、導電性の基体
は、具体的には、例えば、基板上に金属膜が設けられた
もの、基板上に短冊状の膜が設けられたもの、基板上に
短冊状の第１の導電膜、絶縁膜および短冊状の第２の導
電膜が順次設けられ、これらの第１の導電膜と第２の導
電膜とが互いに交差しているものである。

【００１３】この第１の発明において、電解液と基体と
の界面を掃引するとき、好適には、界面における電流密
度を一定にするために、界面の面積または掃引速度の変
化に応じて、電解液に流す電流の値を制御する。

【００１４】この発明の第２の発明は、電解液を、成膜
を行うべき膜の面積より小さい面積で成膜が行われる基
体の表面に接触させ、電解液と基体との界面を掃引する
ことにより膜を成膜する手段を有することを特徴とする
電気化学的成膜装置である。

【００１５】この第２の発明において、典型的には、一
方の電極が基体の表面に接触することができるように設
けられているとともに、他方の電極が電解液と基体との
界面の掃引中に電解液と接触することができるように設
けられている。

【００１６】この第２の発明において、電解液と基体と
の界面における電流密度を一定にするために、好適に
は、その界面の面積または掃引速度の変化に応じて、一
方の電極と他方の電極との間に流す電流を制御する電流
制御手段を有する。

【００１７】上述のように構成されたこの発明によれ
ば、電解液を、成膜を行うべき膜の面積より小さい面積
で成膜が行われる基体の表面に接触させ、電解液と基体
との界面を掃引することで膜を成膜するので、基体に生
じる電圧降下による膜の析出ムラを大幅に低減すること
ができ、基体上に均質な膜を均一な膜厚で良好に成膜す
ることができる。また、必要に応じて、掃引を基板上で
選択的に行うことにより、選択的に成膜することができ
る。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態
の全図においては、同一または対応する部分には同一の
符号を付す。

【００１９】まず、この発明の第１の実施形態による金
属薄膜の電気化学的成膜方法について説明する。

【００２０】この第１の実施形態においては、図１に示
すように、ガラスパネル１上に例えば真空蒸着法により
成膜されたＮｉ膜２上にＮｉ膜を成膜する場合について
説明する。図２は、この第１の実施形態において用いら
れる電気化学的成膜装置を示す。

【００２１】この第１の実施形態においては、まず、図
２に示すように、ガラスパネル１を、電解槽３の上方で
Ｎｉ膜２の表面を下方に向けて保持し、このＮｉ膜２に
円柱形の陰極４を部分的に接触させる。この陰極４はガ
ラスパネル１に固定されており、さらに陰極リード線５
を通じて外部電源（図示せず）の−端子と電気的に接続
されている。電解槽３は、成膜を行うべきＮｉ膜の１辺
の幅より十分小さい幅を有し、その内部が電解液６で満
たされている。また、この電解槽３の開口端、すなわち
ノズル部は上方に向けられており、電解液６の盛り上が
り部分でＮｉ膜２の表面と接触するようにガラスパネル
１が電解槽３と近接して保持されている。ここで、電解
液６とＮｉ膜２とが接触することで、成膜を行う膜より
も小さい面積の接触液界面７が形成される。また、この
電解槽３の底部には陽極８が陽極リード線９を通じて外
部電源（図示せず）の＋端子と電気的に接続されて設け
られている。これらの陽極８および陽極リード線９は成
膜を行うべきＮｉ膜と同じＮｉで形成されている。

【００２２】ここで、電解液６の組成は例えば、スルフ
ァミン酸ニッケル（Ｎｉ（ＳＯ₃（ＮＨ）₂））が１
部、塩化ニッケル（ＮｉＣｌ₂）が０．０５〜０．１
部、硼酸（Ｈ₃ＢＯ₃）が０．１〜０．１５部、純水
（Ｈ₂Ｏ）が４部である。

【００２３】電解液６とＮｉ膜２との接触液界面７が形
成された後、陽極８と陰極４との間に所定の電流を流す
ことにより、Ｎｉ膜２上にＮｉを析出させ、電気めっき
を行う。ここで、電流の供給方法は、直流電流法、パル
ス定電流法または定電位法のいずれの方法を採用しても
よい。そして、この電流を流しながら、接触液界面７を
維持しつつガラスパネル１を、成膜を行うべき膜の面積
分だけ移動して、接触液界面７を掃引する。これによっ
て、例えば、図３に示すように、Ｎｉ膜２上にＮｉ膜１
０が選択的に成膜される。

【００２４】以上説明したように、この第１の実施形態
によれば、電解液６を、成膜を行う膜の面積より小さな
面積でＮｉ膜２の表面に接触させて接触液界面７を形成
し、この接触液界面７を所望の面積分だけ掃引するよう
にしていることにより、必要な面積のＮｉ膜１０を成膜
することができるとともに、Ｎｉ膜２の長さ方向に生じ
る電圧降下によって引き起こされるＮｉの析出ムラを大
幅に減少させることができるので、均質なＮｉ膜１０を
均一な膜厚でしかも選択的に成膜することができる。

【００２５】次に、この発明の第２の実施形態による金
属薄膜の電気化学的成膜方法について説明する。図４
は、この第２の実施形態において用いられる電気化学的
成膜装置を示す。

【００２６】この第２の実施形態においては、図４に示
すように、電解槽３は、そのノズル部が下方に向けら
れ、その下方に、ガラスパネル１がＮｉ膜２の表面を上
方に向けて近接して設置されている。また、電解液６の
全体を管理された減圧下において、接触液界面７の均一
性を保持しつつ重力による液漏れを防ぐために、電解槽
３に接触液界面７の幅を良好に制御することのできる液
面保持用減圧弁１１が設けられている。これによって、
接触液界面７の掃引動作中においても、その幅を管理、
制御することができる。その他の構成は第１の実施形態
と同様である。

【００２７】この第２の実施形態においては、接触液界
面７の形成後、陽極８と陰極４との間に所定の電流を流
すことにより、Ｎｉ膜２上にＮｉを析出させ、電気めっ
きを行う。そして、電流を流しながら、接触液界面７を
維持しつつ電解槽３を成膜を行うべき膜の面積分だけ移
動して、接触液界面７を掃引し、Ｎｉ膜１０を成膜す
る。その他のことは第１の実施形態と同様である。

【００２８】この第２の実施形態によれば、第１の実施
形態と同様の効果を得ることができる。

【００２９】次に、この発明の第３の実施形態による金
属薄膜の電気化学的成膜方法について説明する。この第
３の実施形態において用いられる電気化学的成膜装置
は、第２の実施形態において用いられた電気化学的成膜
装置と同様であり、図６において、電解槽３はそのノズ
ル部だけが示されている。

【００３０】この第３の実施形態においては、図５に示
すように、ガラスパネル１上に真空蒸着法により成膜さ
れ、エッチングにより複数の互いに平行な短冊状にパタ
ーニングされたＮｉ膜２上にＮｉ膜を成膜する場合につ
いて説明する。

【００３１】この第３の実施形態においては、まず、図
６に示すように、陰極４を、その長手方向が短冊状のＮ
ｉ膜２の長手方向と直交し、かつ、Ｎｉ膜２と部分的に
接触してガラスパネル１に固定されるように設置する。
一方、電解槽３を、そのノズル部と短冊状のＮｉ膜２の
長手方向とが直交するように設置する。次に、図６およ
び図７に示すように、接触液界面７を短冊状のＮｉ膜２
の長手方向と直交するように形成した後、その接触液界
面７を維持しつつＮｉ膜２の長手方向と平行な方向（図
６および図７において、矢印で示す方向）に掃引する。
これによって、短冊状のＮｉ膜２上にＮｉ膜１０が成膜
される。その他のことは第２の実施形態と同様である。

【００３２】この第３の実施形態によれば、第２の実施
形態と同様の効果を得ることができる。

【００３３】次に、この発明の第４の実施形態による電
気化学的成膜方法について説明する。この第４の実施形
態においては、図８に示すような、ＸＹマトリクス構成
のディスプレイのＸＹマトリクス電極におけるＸ電極を
構成するＮｉ膜上に電界放出型エミッタのカソードを形
成する場合について説明する。図８において、ガラスパ
ネル１上にＸ電極（Ｘ₁、Ｘ₂、・・・、Ｘ_n）を構成
する複数の短冊状のＮｉ膜１２が互いに平行に形成さ
れ、その上に絶縁膜１３を介して、Ｙ電極（Ｙ₁、
Ｙ₂、・・・、Ｙ_n）を構成する複数の短冊状のＮｉ膜
１４がＮｉ膜１２と直交するように形成されている。ま
た、Ｎｉ膜１２と交差する部分のＮｉ膜１４に孔１５が
形成されており、この孔１５の下部の絶縁膜１３に空洞
１３ａが形成されている。この第４の実施形態において
用いられる電気化学的成膜装置は、陰極および陰極リー
ド線がそれぞれ２つ設けられていること以外は第２の実
施形態において用いられた電気化学的成膜装置と同様で
ある。

【００３４】この第４の実施形態においては、図９に示
すように、まず、図８に示すＸＹマトリクス電極のＮｉ
膜１２およびＮｉ膜１４のそれぞれの一端に、それぞれ
陰極リード線１６と接続された陰極１７および陰極リー
ド線１８と接続された陰極１９を接触させる。ここで、
これらの陰極１７および陰極１９はガラスパネル１に固
定する。次に、陰極リード線１６および陰極リード線１
８を外部電源（図示せず）の−端子と電気的に接続さ
せ、陰極１７および陰極１９をそれぞれ独立に所定の電
位に設定する。これによって、Ｎｉ膜１２およびＮｉ膜
１４に電気化学的な成膜に最適な電流および電圧を供給
することができる。一方、電解槽３のノズル部を、短冊
状のＮｉ膜１２およびＮｉ膜１４の長手方向と例えば４
５度の角度をなすように設置する。

【００３５】次に、図１０に示すように、接触液界面７
を、その幅Ｐ_aがＸＹマトリクス電極の対角線方向の電
極ピッチＰ_eよりも小さくなり、かつ、短冊状のＮｉ膜
１２およびＮｉ膜１４のそれぞれと４５度の角度をなす
ように形成する。次に、陽極８と陰極１７および陰極１
９との間に独立に電流を流し、接触液界面７を維持しつ
つ、電解槽３をＮｉ膜１２およびＮｉ膜１４の長手方向
と４５度の角度をなす方向（図１０において、矢印で示
す方向）に移動させる。すなわち、接触液界面７をその
方向に掃引する。ここで、この電流の供給方法は、直流
電流法、パルス定電流法または定電位法のいずれの方法
を採用してもよい。これによって、図１１に示すよう
に、ＸＹマトリクス電極の絶縁膜１３における空洞１３
ａの内部のＮｉ膜１２上にＮｉが選択的に析出して、カ
ソード２０が形成され、電界放出型エミッタが形成され
る。また、このカソード２０の形成と同時に、Ｎｉ膜１
４上にＮｉ膜２１が成膜される。

【００３６】以上説明したように、この第４の実施形態
によれば、第２の実施形態と同様の効果を得ることがで
きるとともに、ＸＹマトリクス電極の絶縁膜１３におけ
る空洞１３ａの内部のＮｉ膜１２上にのみ選択的にカソ
ード２０を形成することができる。そのため、大面積の
ＸＹマトリクス電極に電界放出型エミッタを安価に形成
することができ、例えばフラットディスプレイなどの大
画面化を低コストで実現することができる。

【００３７】次に、この発明の第５の実施形態による電
気化学的成膜方法について説明する。

【００３８】この第５の実施形態においては、第４の実
施形態と同様にして、ＸＹマトリクス電極におけるＸ電
極を構成するＮｉ膜１２上に電界放出型エミッタのカソ
ードを形成する。このカソードの形成において、接触液
界面７の掃引動作中における面積は、接触液界面７の移
動距離により図１２に示すように変化する。そこで、こ
の変化に応じて、陽極８と陰極１７および陰極１９との
間に流す電流を図１３に示すように変化させることによ
って、接触液界面７における電流密度を一定にする。そ
の他のことは第４の実施形態と同様である。

【００３９】この第５の実施形態によれば、接触液界面
７における電流密度を常に一定にしていることにより、
第４の実施形態に比べ、Ｎｉ膜１２上に析出されるＮｉ
の析出ムラを低減することができ、カソード２０をより
均質に、かつ均一に形成することができる。

【００４０】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。

【００４１】例えば、上述の実施形態において挙げた数
値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる
数値を用いてもよい。

【００４２】また、例えば上述の第１の実施形態におい
ては、ガラスパネル１を移動することにより接触液界面
７を掃引するようにしているが、ガラスパネル１を移動
する代わりに、電解槽３を移動するようにしてもよい。
また、例えば上述の第２の実施形態においては、電解槽
３を移動することにより接触液界面７を掃引するように
しているが、電解槽３を移動する代わりに、ガラスパネ
ル１を移動するようにしてもよい。

【００４３】また、例えば上述の第１〜第５の実施形態
においては、陰極４、１７、１９をガラスパネル１に固
定しているが、ガラスパネル１に固定する代わりに、必
要に応じて、電解槽３に固定するようにしてもよく、ま
た、ガラスパネル１および電解槽３のどちらとも固定し
ないようにしてもよい。

【００４４】また、例えば上述の第１〜第５の実施形態
においては、成膜が行われる膜としてＮｉ膜２、１２が
用いられているが、Ｎｉ膜２、１２の代わりに、例えば
酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜などの透明導電薄膜を
用いてもよい。また、例えば上述の第１〜第５の実施形
態においては、Ｎｉ膜２上にＮｉ膜を成膜するようにし
ているが、Ｎｉ膜の代わりに、例えばＣｒ、Ｍｏ、Ｗな
どの他の金属からなる膜、または例えばＮｉ合金、Ｃｒ
合金、Ｍｏ合金、Ｗ合金などの合金からなる膜、さらに
は金属化合物膜などを成膜するようにしてもよい。

【００４５】また、例えば上述の第４の実施形態におい
ては、接触液界面７を、短冊状のＮｉ膜１２およびＮｉ
膜１４と４５度の角度をなす方向に掃引するようにして
いるが、必要に応じて、接触液界面７を、４５度以外の
角度をなす方向に掃引するようにしてもよい。また、例
えば、第４および第５の実施形態においては、接触液界
面７の幅Ｐ_aをＸＹマトリクス電極の対角線方向の電極
ピッチＰ_eよりも小さくしたが、必要に応じて、許容さ
れる範囲内で、接触液界面７の幅Ｐ_aを電極ピッチＰ_e
よりも大きくなるようにしてもよい。また、例えば上述
の第４の実施形態においては、ＮｉをＮｉ膜１２および
Ｎｉ膜１４上に同時に析出させているが、必要に応じ
て、ＮｉをＮｉ膜１２またはＮｉ膜１４上にのみ析出さ
せるようにしてもよい。

【００４６】また、例えば上述の第５の実施形態におい
ては、接触液界面７の面積の変化に応じて、陽極８と陰
極１７および陰極１９との間に流す電流の値を制御する
ことにより、接触液界面７における電流密度を一定にす
るようにしているが、接触液界面７の面積の変化に応じ
て電流の値を制御する代わりに、掃引時間による掃引速
度の変化に応じて、陽極８と陰極１７および陰極１９と
の間に流す電流の値を制御することにより、接触液界面
７における電流密度を一定にするようにしてもよい。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、基体上に、電解液を、成膜を行うべき膜の面積より
小さな面積で接触させ、電解液と基体との界面を掃引す
るようにしていることにより、大面積の金属薄膜または
透明導電薄膜上に均質な膜を均一な膜厚でしかも必要に
応じて選択的に成膜することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施形態による電気化学的成
膜方法を説明するための斜視図である。

【図２】この発明の第１の実施形態において用いられる
電気化学的成膜装置を示す略線図である。

【図３】この発明の第１の実施形態による電気化学的成
膜方法を説明するための斜視図である。

【図４】この発明の第２の実施形態において用いられる
電気化学的成膜装置を示す略線図である。

【図５】この発明の第３の実施形態による電気化学的成
膜方法を説明するための斜視図である。

【図６】この発明の第３の実施形態による電気化学的成
膜方法を説明するための斜視図である。

【図７】この発明の第３の実施形態による電気化学的成
膜方法を説明するための略線図である。

【図８】この発明の第４の実施形態において成膜が行わ
れるＸＹマトリクス電極を示す斜視図およびその要部を
示す拡大断面図である。

【図９】この発明の第４の実施形態による電気化学的成
膜方法を説明するための斜視図である。

【図１０】この発明の第４の実施形態による電気化学的
成膜方法を説明するための略線図である。

【図１１】この発明の第４の実施形態による電気化学的
成膜方法を説明するための断面図である。

【図１２】この発明の第５の実施形態における接触液界
面の移動距離と接触液界面の面積との関係を示すグラフ
である。

【図１３】この発明の第５の実施形態における接触液界
面の移動距離と接触液界面における電流との関係を示す
グラフである。

【図１４】従来の技術における電気めっき装置の略線図
である。

【図１５】従来の技術における電気めっき装置の等価回
路図である。

【図１６】従来の技術における電気めっき法の問題点を
説明するための斜視図である。

【符号の説明】

１・・・ガラスパネル、２、１０、１２、１４・・・Ｎ
ｉ膜、３・・・電解槽、４、１７、１９・・・陰極、６
・・・電解液、７・・・接触液界面、８・・・陽極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性の基体上に、電気化学的に膜を成
膜するようにした電気化学的成膜方法において、電解液を、上記膜の面積より小さい面積で上記基体の表
面に接触させ、上記電解液と上記基体との界面を掃引す
ることにより上記膜を成膜するようにしたことを特徴と
する電気化学的成膜方法。
【請求項２】上記膜が金属からなり、上記膜を電気め
っき法により成膜するようにしたことを特徴とする請求
項１記載の電気化学的成膜方法。
【請求項３】上記電解液は帯電した有機物または無機
物の微粒子が分散媒中に分散されたものであり、上記膜
を電着法により成膜するようにしたことを特徴とする請
求項１記載の電気化学的成膜方法。
【請求項４】上記基体が基板上に金属膜が設けられた
ものであることを特徴とする請求項１記載の電気化学的
成膜方法。
【請求項５】上記基体が基板上に短冊状の形状を有す
る膜が設けられたものであることを特徴とする請求項１
記載の電気化学的成膜方法。
【請求項６】上記基体が、基板上に第１の導電膜、絶
縁膜および第２の導電膜が順次設けられたものであるこ
とを特徴とする請求項１記載の電気化学的成膜方法。
【請求項７】上記第１の導電膜および上記第２の導電
膜が短冊状の形状を有し、それらが互いに交差している
ことを特徴とする請求項６記載の電気化学的成膜方法。
【請求項８】上記界面を掃引するとき、上記界面の面
積の変化に応じて、上記電解液に流す電流の値を制御す
ることを特徴とする請求項１記載の電気化学的成膜方
法。
【請求項９】上記界面を掃引するとき、上記界面の掃
引速度の変化に応じて、上記電解液に流す電流の値を制
御することを特徴とする請求項１記載の電気化学的成膜
方法。
【請求項１０】電解液を、成膜を行うべき膜の面積よ
り小さい面積で成膜が行われる基体の表面に接触させ、
上記電解液と上記基体との界面を掃引することにより上
記膜を成膜する手段を有することを特徴とする電気化学
的成膜装置。
【請求項１１】一方の電極が上記基体の表面に接触す
ることができるように設けられているとともに、他方の
電極が上記界面の掃引中に上記電解液と接触することが
できるように設けられていることを特徴とする請求項１
０記載の電気化学的成膜装置。
【請求項１２】電解槽の内部の圧力を制御する圧力制
御手段を有することを特徴とする請求項１０記載の電気
化学的成膜装置。
【請求項１３】上記界面の面積の変化に応じて、上記
一方の電極と上記他方の電極との間に流す電流を制御す
る電流制御手段を有することを特徴とする請求項１０記
載の電気化学的成膜装置。
【請求項１４】上記界面の掃引速度の変化に応じて、
上記一方の電極と上記他方の電極との間に流す電流を制
御する電流制御手段を有することを特徴とする請求項１
０記載の電気化学的成膜装置。