JPH10253991A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH10253991A JPH10253991A JP9060627A JP6062797A JPH10253991A JP H10253991 A JPH10253991 A JP H10253991A JP 9060627 A JP9060627 A JP 9060627A JP 6062797 A JP6062797 A JP 6062797A JP H10253991 A JPH10253991 A JP H10253991A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ギャップムラ不良が生じることを防止するこ
とができる液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 第１の透明基板表面に、複数のゲート電
極線と、ゲート絶縁膜と、複数のソース電極線と、複数
のＴＦＴと、複数の画素電極とが形成されかつ表面が上
部絶縁膜で覆われてなるＴＦＴ基板、第２の透明基板表
面に、カラーフィルタが形成されたのち、透明電極が形
成されてなるカラーフィルタ基板、および前記ＴＦＴ基
板および前記カラーフィルタ基板が所定の間隔を保って
シール材によって貼り合わされたのち、封入される液晶
材料からなる液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ基板の
うち、該ＴＦＴ基板の厚さがより均一であることが必要
とされる箇所において、前記ゲート絶縁膜および前記上
部絶縁膜のうちの少なくとも１つが除去されることを特
徴とする液晶表示装置。
とができる液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 第１の透明基板表面に、複数のゲート電
極線と、ゲート絶縁膜と、複数のソース電極線と、複数
のＴＦＴと、複数の画素電極とが形成されかつ表面が上
部絶縁膜で覆われてなるＴＦＴ基板、第２の透明基板表
面に、カラーフィルタが形成されたのち、透明電極が形
成されてなるカラーフィルタ基板、および前記ＴＦＴ基
板および前記カラーフィルタ基板が所定の間隔を保って
シール材によって貼り合わされたのち、封入される液晶
材料からなる液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ基板の
うち、該ＴＦＴ基板の厚さがより均一であることが必要
とされる箇所において、前記ゲート絶縁膜および前記上
部絶縁膜のうちの少なくとも１つが除去されることを特
徴とする液晶表示装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（以下、「ＴＦＴ」という）が画素電極とともに複数配
列されてなるアクティブ型液晶表示装置に関する。
（以下、「ＴＦＴ」という）が画素電極とともに複数配
列されてなるアクティブ型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置について説明する。
一般的に、液晶表示装置は、薄膜トランジスタ基板（以
下、「ＴＦＴ基板」という）と、カラーフィルタ基板
と、前記ＴＦＴ基板および前記カラーフィルタ基板間に
封入される液晶材料とからなる。前記ＴＦＴ基板は、第
１の透明基板表面に、互いに平行な複数のゲート電極線
と、該複数のゲート電極線を覆うゲート絶縁膜と、前記
複数のゲート電極線に直交する複数のソース電極線と、
前記複数のゲート電極線および前記複数のソース電極線
の各交差部に形成される複数のＴＦＴと、該複数のＴＦ
Ｔの各ドレイン電極に接続され透明導電膜からなる複数
の画素電極とが形成されてなる。また、前記カラーフィ
ルタ基板は、第２の透明基板表面に、前記複数の画素電
極に対応する３原色からなるカラーフィルタが形成され
たのち、当該第２の透明基板表面上に透明電極が形成さ
れてなる。液晶材料は、ＴＦＴ基板およびカラーフィル
タ基板が所定の間隔を保ってシール材によって貼り合わ
されたのち、前記ＴＦＴ基板および前記カラーフィルタ
基板間に封入される。前記シール材は、ＴＦＴ基板の表
示領域の周囲、すなわちＴＦＴ基板の端部付近に設けら
れる。
一般的に、液晶表示装置は、薄膜トランジスタ基板（以
下、「ＴＦＴ基板」という）と、カラーフィルタ基板
と、前記ＴＦＴ基板および前記カラーフィルタ基板間に
封入される液晶材料とからなる。前記ＴＦＴ基板は、第
１の透明基板表面に、互いに平行な複数のゲート電極線
と、該複数のゲート電極線を覆うゲート絶縁膜と、前記
複数のゲート電極線に直交する複数のソース電極線と、
前記複数のゲート電極線および前記複数のソース電極線
の各交差部に形成される複数のＴＦＴと、該複数のＴＦ
Ｔの各ドレイン電極に接続され透明導電膜からなる複数
の画素電極とが形成されてなる。また、前記カラーフィ
ルタ基板は、第２の透明基板表面に、前記複数の画素電
極に対応する３原色からなるカラーフィルタが形成され
たのち、当該第２の透明基板表面上に透明電極が形成さ
れてなる。液晶材料は、ＴＦＴ基板およびカラーフィル
タ基板が所定の間隔を保ってシール材によって貼り合わ
されたのち、前記ＴＦＴ基板および前記カラーフィルタ
基板間に封入される。前記シール材は、ＴＦＴ基板の表
示領域の周囲、すなわちＴＦＴ基板の端部付近に設けら
れる。
【０００３】前記ＴＦＴは、前記複数のゲート電極線の
うちの１つのゲート電極線に接続されるゲート電極と、
該ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート電極上
にゲート絶縁膜を介して形成される半導体層と、該半導
体層上の一部を含む領域に形成されるソース電極および
ドレイン電極とからなる。なお、ソース電極は、前記複
数のソース電極線のうちの１つのソース電極線に接続さ
れ、ドレイン電極は、前記複数の画素電極のうちの１つ
の画素電極に接続される。
うちの１つのゲート電極線に接続されるゲート電極と、
該ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート電極上
にゲート絶縁膜を介して形成される半導体層と、該半導
体層上の一部を含む領域に形成されるソース電極および
ドレイン電極とからなる。なお、ソース電極は、前記複
数のソース電極線のうちの１つのソース電極線に接続さ
れ、ドレイン電極は、前記複数の画素電極のうちの１つ
の画素電極に接続される。
【０００４】図４は、従来の液晶表示装置のＴＦＴ基板
の一例を示す部分説明図である。図４には、ＴＦＴ基板
のうちシール材に接する部分の一部が、シール材ととも
に示されている。図５は、図４に示されるＢ−Ｂ線断面
を示す断面説明図である。図４および図５において、１
はシール材、２は、ゲート電極線を形成する際に用いら
れる金属からなり、ゲート電極線またはソース電極線に
接続される端子、４は絶縁性を有する第１の透明基板、
５は、ゲート電極線を形成する際に同時に形成される第
１の金属膜、６はゲート絶縁膜、７は、画素電極を形成
する際に同時に形成されるトランスファーパッド、８
は、ソース電極線およびドレイン電極を形成する際に同
時に形成される第２の金属膜、９はＴＦＴ基板表面を覆
う上部絶縁膜を示す。なお、図４には、第１の透明基板
４、ゲート絶縁膜６および上部絶縁膜９は図示されてい
ない。また、端子２は、液晶表示装置の外部に設けられ
る駆動部からの制御信号をゲート電極線またはソース電
極線に入力するために露出すべき箇所を避けてゲート絶
縁膜６に覆われる。図４には、ゲート絶縁膜６に覆われ
た部分が示されている。前記上部絶縁膜９はトランスフ
ァーパッド７の一部表面上には形成されず、ＴＦＴ基板
とカラーフィルタ基板とを貼り合わせたのちに、トラン
スファーパッド７の露出した箇所に導電性樹脂を注入す
ることにより、トランスファーパッド７とカラーフィル
タ基板の透明電極とが電気的に接続される。なお、図４
には示されていないが、表示領域はシール材１よりも上
側にある。
の一例を示す部分説明図である。図４には、ＴＦＴ基板
のうちシール材に接する部分の一部が、シール材ととも
に示されている。図５は、図４に示されるＢ−Ｂ線断面
を示す断面説明図である。図４および図５において、１
はシール材、２は、ゲート電極線を形成する際に用いら
れる金属からなり、ゲート電極線またはソース電極線に
接続される端子、４は絶縁性を有する第１の透明基板、
５は、ゲート電極線を形成する際に同時に形成される第
１の金属膜、６はゲート絶縁膜、７は、画素電極を形成
する際に同時に形成されるトランスファーパッド、８
は、ソース電極線およびドレイン電極を形成する際に同
時に形成される第２の金属膜、９はＴＦＴ基板表面を覆
う上部絶縁膜を示す。なお、図４には、第１の透明基板
４、ゲート絶縁膜６および上部絶縁膜９は図示されてい
ない。また、端子２は、液晶表示装置の外部に設けられ
る駆動部からの制御信号をゲート電極線またはソース電
極線に入力するために露出すべき箇所を避けてゲート絶
縁膜６に覆われる。図４には、ゲート絶縁膜６に覆われ
た部分が示されている。前記上部絶縁膜９はトランスフ
ァーパッド７の一部表面上には形成されず、ＴＦＴ基板
とカラーフィルタ基板とを貼り合わせたのちに、トラン
スファーパッド７の露出した箇所に導電性樹脂を注入す
ることにより、トランスファーパッド７とカラーフィル
タ基板の透明電極とが電気的に接続される。なお、図４
には示されていないが、表示領域はシール材１よりも上
側にある。
【０００５】また、前記トランスファーパッド７は、カ
ラーフィルタ基板表面上に形成される透明電極に一定の
電位を与えるために上部絶縁膜９上に設けられる。引き
込み配線を第１の金属膜５および第２の金属膜８とのい
ずれか一方で形成しても引き込み配線の役目は果せる
が、より低抵抗化を実現するために、引き込み配線は第
１の金属膜および第２の金属膜が多重に積層化されてな
る積層構造体とされる。また、ゲート絶縁膜６に形成さ
れたコンタクトホールによって、第１の金属膜５とトラ
ンスファパッド７とは電気的に接続される。トランスフ
ァーパッド７には、引き込み配線を介して液晶表示装置
の外部に設けられる駆動部からの制御信号が入力され
る。
ラーフィルタ基板表面上に形成される透明電極に一定の
電位を与えるために上部絶縁膜９上に設けられる。引き
込み配線を第１の金属膜５および第２の金属膜８とのい
ずれか一方で形成しても引き込み配線の役目は果せる
が、より低抵抗化を実現するために、引き込み配線は第
１の金属膜および第２の金属膜が多重に積層化されてな
る積層構造体とされる。また、ゲート絶縁膜６に形成さ
れたコンタクトホールによって、第１の金属膜５とトラ
ンスファパッド７とは電気的に接続される。トランスフ
ァーパッド７には、引き込み配線を介して液晶表示装置
の外部に設けられる駆動部からの制御信号が入力され
る。
【０００６】前記積層構造体は、低抵抗化を実現するた
めには必須なものであるが、その反面、ＴＦＴ基板を部
分的に厚くする。したがって、図５に示されるように、
ＴＦＴ基板の厚さが、トランスファーパッド７が形成さ
れる部分と、端子２が形成される部分とで異なり、符号
「ｄ２」で示される差が生じる。その結果、ＴＦＴ基板
とカラーフィルタ基板との間隔が場所によって変化し液
晶表示装置においてギャップムラ不良が生じ、液晶表示
装置の表示特性に悪影響を及ぼすという問題がある。か
かる問題を解決する手段としては、（１）ＴＦＴ基板の
厚さが薄い部分に形成される膜または層を厚くし、ＴＦ
Ｔ基板全体の厚さの均一性を向上させること、（２）ト
ランスファーパッドとなる金属性の膜の低抵抗化を図り
積層構造体を不要にすること、または（３）積層構造体
が形成される部分周辺に同様の積層構造体を形成し、Ｔ
ＦＴ基板全体の厚さの均一性を向上させることの３点が
考えられる。しかし、（１）については、製造工程にお
いて用いられる装置の処理能力の低下を招く。また、
（２）については、新しい材料または新しい製造技術の
開発によって低抵抗化を実現することを必要とするため
容易ではない。さらに、（３）については、液晶表示装
置を駆動させるのに不要な構造体を形成することによ
り、液晶表示装置を製造する際の歩留まりを低下させる
原因となる短絡パターンを形成する可能性を増やすこと
になり望ましくない。
めには必須なものであるが、その反面、ＴＦＴ基板を部
分的に厚くする。したがって、図５に示されるように、
ＴＦＴ基板の厚さが、トランスファーパッド７が形成さ
れる部分と、端子２が形成される部分とで異なり、符号
「ｄ２」で示される差が生じる。その結果、ＴＦＴ基板
とカラーフィルタ基板との間隔が場所によって変化し液
晶表示装置においてギャップムラ不良が生じ、液晶表示
装置の表示特性に悪影響を及ぼすという問題がある。か
かる問題を解決する手段としては、（１）ＴＦＴ基板の
厚さが薄い部分に形成される膜または層を厚くし、ＴＦ
Ｔ基板全体の厚さの均一性を向上させること、（２）ト
ランスファーパッドとなる金属性の膜の低抵抗化を図り
積層構造体を不要にすること、または（３）積層構造体
が形成される部分周辺に同様の積層構造体を形成し、Ｔ
ＦＴ基板全体の厚さの均一性を向上させることの３点が
考えられる。しかし、（１）については、製造工程にお
いて用いられる装置の処理能力の低下を招く。また、
（２）については、新しい材料または新しい製造技術の
開発によって低抵抗化を実現することを必要とするため
容易ではない。さらに、（３）については、液晶表示装
置を駆動させるのに不要な構造体を形成することによ
り、液晶表示装置を製造する際の歩留まりを低下させる
原因となる短絡パターンを形成する可能性を増やすこと
になり望ましくない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の液晶表示装置に
おいては、前述のように、ＴＦＴ基板の厚さの均一性が
低いため液晶表示装置においてギャップムラ不良が生
じ、液晶表示装置の表示特性が低下するという問題があ
る。
おいては、前述のように、ＴＦＴ基板の厚さの均一性が
低いため液晶表示装置においてギャップムラ不良が生
じ、液晶表示装置の表示特性が低下するという問題があ
る。
【０００８】本発明はかかる問題を解決し、液晶表示装
置にギャップムラ不良が生じないように、さらに、製造
工程において用いられる装置の処理能力および歩留まり
に対して負荷を与えないような手段によって、ＴＦＴ基
板の厚さの均一性向上を図ることにある。
置にギャップムラ不良が生じないように、さらに、製造
工程において用いられる装置の処理能力および歩留まり
に対して負荷を与えないような手段によって、ＴＦＴ基
板の厚さの均一性向上を図ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、第１の透明基板表面に、互いに平行な複数のゲート
電極線と、該複数のゲート電極線を覆うゲート絶縁膜
と、前記複数のゲート電極線に直交する複数のソース電
極線と、前記複数のゲート電極線および前記複数のソー
ス電極線の各交差部に形成される複数の薄膜トランジス
タと、該複数の薄膜トランジスタの各ドレイン電極に接
続され透明導電膜からなる複数の画素電極とが形成さ
れ、かつ、表面が上部絶縁膜で覆われてなる薄膜トラン
ジスタ基板、第２の透明基板表面に、前記複数の画素電
極に対応する３原色からなるカラーフィルタが形成され
たのち、当該第２の透明基板表面上に透明電極が形成さ
れてなるカラーフィルタ基板、および前記薄膜トランジ
スタ基板および前記カラーフィルタ基板が所定の間隔を
保ってシール材によって貼り合わされたのち、前記薄膜
トランジスタ基板および前記カラーフィルタ基板間に封
入される液晶材料からなる液晶表示装置であって、前記
薄膜トランジスタ基板のうち、該薄膜トランジスタ基板
の厚さがより均一であることが必要とされる箇所におい
て、前記ゲート絶縁膜および前記上部絶縁膜のうちの少
なくとも１つが除去されることを特徴とする。
は、第１の透明基板表面に、互いに平行な複数のゲート
電極線と、該複数のゲート電極線を覆うゲート絶縁膜
と、前記複数のゲート電極線に直交する複数のソース電
極線と、前記複数のゲート電極線および前記複数のソー
ス電極線の各交差部に形成される複数の薄膜トランジス
タと、該複数の薄膜トランジスタの各ドレイン電極に接
続され透明導電膜からなる複数の画素電極とが形成さ
れ、かつ、表面が上部絶縁膜で覆われてなる薄膜トラン
ジスタ基板、第２の透明基板表面に、前記複数の画素電
極に対応する３原色からなるカラーフィルタが形成され
たのち、当該第２の透明基板表面上に透明電極が形成さ
れてなるカラーフィルタ基板、および前記薄膜トランジ
スタ基板および前記カラーフィルタ基板が所定の間隔を
保ってシール材によって貼り合わされたのち、前記薄膜
トランジスタ基板および前記カラーフィルタ基板間に封
入される液晶材料からなる液晶表示装置であって、前記
薄膜トランジスタ基板のうち、該薄膜トランジスタ基板
の厚さがより均一であることが必要とされる箇所におい
て、前記ゲート絶縁膜および前記上部絶縁膜のうちの少
なくとも１つが除去されることを特徴とする。
【００１０】また、前記薄膜トランジスタ基板の厚さが
より均一であることが必要とされる箇所が、前記薄膜ト
ランジスタ基板とシール材とが接する箇所である。
より均一であることが必要とされる箇所が、前記薄膜ト
ランジスタ基板とシール材とが接する箇所である。
【００１１】また、前記薄膜トランジスタ基板のシール
材と接する箇所のうち、最も厚い箇所の厚さと最も薄い
箇所の厚さとの差が大きくとも２０００Åである。
材と接する箇所のうち、最も厚い箇所の厚さと最も薄い
箇所の厚さとの差が大きくとも２０００Åである。
【００１２】また、前記ゲート絶縁膜および前記上部絶
縁膜のうちの上部絶縁膜が除去される。
縁膜のうちの上部絶縁膜が除去される。
【００１３】また、前記薄膜トランジスタ基板の厚さが
より均一であることが必要とされる箇所が、前記薄膜ト
ランジスタ基板とシール材とが接する箇所であり、前記
薄膜トランジスタ基板のシール材と接する箇所のうち、
最も厚い箇所の厚さと最も薄い箇所の厚さとの差が大き
くとも１０００Åである。
より均一であることが必要とされる箇所が、前記薄膜ト
ランジスタ基板とシール材とが接する箇所であり、前記
薄膜トランジスタ基板のシール材と接する箇所のうち、
最も厚い箇所の厚さと最も薄い箇所の厚さとの差が大き
くとも１０００Åである。
【００１４】また、前記シール材がエポキシ樹脂からな
る。
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】つぎに図面を参照しながら本発明
の液晶表示装置について説明する。
の液晶表示装置について説明する。
【００１６】実施の形態１．図１は、本発明の液晶表示
装置のＴＦＴ基板の一実施の形態を示す部分説明図であ
る。図１には、ＴＦＴ基板のうちシール材に接する部分
の一部が、シール材とともに示されている。図２は、図
１に示されるＡ−Ａ線断面を示す断面説明図である。図
１および図２において、図４および図５と同一または対
応する部分は同じ符号を用いて示した。図１および図２
に示される層および膜は、ＴＦＴ基板の表示領域を形成
するための工程に準じて形成される。まず、第１の透明
基板４上に、端子２と第１の金属膜５とが形成される。
さらに、のちにトランスファーパッド７が形成される部
分およびその周辺を除いてゲート絶縁膜６を形成する
（または、端子２および第１の金属膜５とが形成された
第１の透明基板４の全表面に対してゲート絶縁膜６を形
成したのち、のちにトランスファーパッド７が形成され
る部分およびその周辺のゲート絶縁膜６を除去する）。
つぎに、第１の金属膜５上にトランスファーパッド７を
形成し、さらに、低抵抗化のために第１の金属５および
トランスファーパッド７上の少なくとも一部に第２の金
属膜８を形成する。最後に、ＴＦＴ基板表面を覆う上部
絶縁膜９を形成する。なお、ＴＦＴ基板とカラーフィル
タ基板とを貼り合わせたのちに、トランスファーパッド
７とカラーフィルタ基板の透明電極とを電気的に接続し
うるように、トランスファーパッド７の一部表面には上
部絶縁膜９は形成されない。
装置のＴＦＴ基板の一実施の形態を示す部分説明図であ
る。図１には、ＴＦＴ基板のうちシール材に接する部分
の一部が、シール材とともに示されている。図２は、図
１に示されるＡ−Ａ線断面を示す断面説明図である。図
１および図２において、図４および図５と同一または対
応する部分は同じ符号を用いて示した。図１および図２
に示される層および膜は、ＴＦＴ基板の表示領域を形成
するための工程に準じて形成される。まず、第１の透明
基板４上に、端子２と第１の金属膜５とが形成される。
さらに、のちにトランスファーパッド７が形成される部
分およびその周辺を除いてゲート絶縁膜６を形成する
（または、端子２および第１の金属膜５とが形成された
第１の透明基板４の全表面に対してゲート絶縁膜６を形
成したのち、のちにトランスファーパッド７が形成され
る部分およびその周辺のゲート絶縁膜６を除去する）。
つぎに、第１の金属膜５上にトランスファーパッド７を
形成し、さらに、低抵抗化のために第１の金属５および
トランスファーパッド７上の少なくとも一部に第２の金
属膜８を形成する。最後に、ＴＦＴ基板表面を覆う上部
絶縁膜９を形成する。なお、ＴＦＴ基板とカラーフィル
タ基板とを貼り合わせたのちに、トランスファーパッド
７とカラーフィルタ基板の透明電極とを電気的に接続し
うるように、トランスファーパッド７の一部表面には上
部絶縁膜９は形成されない。
【００１７】つぎに本実施の形態の液晶表示装置によっ
てえられる効果について述べる。たとえば、端子２およ
び第１の金属膜５の厚さを４０００Å、ゲート絶縁膜６
の厚さを４０００Å、トランスファーパッド７の厚さを
１０００Å、第２の金属膜８の厚さを５０００Å、上部
絶縁膜９の厚さを５０００Åと仮定したばあい、ＴＦＴ
基板のトランスファーパッド７が形成される部分の厚さ
と端子２が形成される部分の厚さの差は、図５に示され
る従来の液晶表示装置のばあい、 ｄ２＝（４０００＋４０００＋１０００＋５０００＋５
０００）−（４０００＋４０００＋５０００）＝６００
０Å となるのに対し、図２に示される本実施の形態の液晶表
示装置のばあい、 ｄ１＝（４０００＋１０００＋５０００＋５０００）−
（４０００＋４０００＋５０００）＝２０００Å となり、差ｄ２に対し差ｄ１は１／３になる。したがっ
て、前記ＴＦＴ基板のシール材と接する箇所の厚さがよ
り均一化される。
てえられる効果について述べる。たとえば、端子２およ
び第１の金属膜５の厚さを４０００Å、ゲート絶縁膜６
の厚さを４０００Å、トランスファーパッド７の厚さを
１０００Å、第２の金属膜８の厚さを５０００Å、上部
絶縁膜９の厚さを５０００Åと仮定したばあい、ＴＦＴ
基板のトランスファーパッド７が形成される部分の厚さ
と端子２が形成される部分の厚さの差は、図５に示され
る従来の液晶表示装置のばあい、 ｄ２＝（４０００＋４０００＋１０００＋５０００＋５
０００）−（４０００＋４０００＋５０００）＝６００
０Å となるのに対し、図２に示される本実施の形態の液晶表
示装置のばあい、 ｄ１＝（４０００＋１０００＋５０００＋５０００）−
（４０００＋４０００＋５０００）＝２０００Å となり、差ｄ２に対し差ｄ１は１／３になる。したがっ
て、前記ＴＦＴ基板のシール材と接する箇所の厚さがよ
り均一化される。
【００１８】本実施の形態においては、ゲート絶縁膜を
部分的に除去することにより、前記ＴＦＴ基板のシール
材と接する箇所の厚さを均一化しているが、電気的に問
題がなければ上部絶縁膜を部分的に除去したばあいにお
いても同様の効果がえられる。かかるばあい、前記ＴＦ
Ｔ基板のシール材と接する箇所のうち、最も厚い箇所の
厚さと最も薄い箇所の厚さとの差を大きくとも１０００
Åとすることができる。
部分的に除去することにより、前記ＴＦＴ基板のシール
材と接する箇所の厚さを均一化しているが、電気的に問
題がなければ上部絶縁膜を部分的に除去したばあいにお
いても同様の効果がえられる。かかるばあい、前記ＴＦ
Ｔ基板のシール材と接する箇所のうち、最も厚い箇所の
厚さと最も薄い箇所の厚さとの差を大きくとも１０００
Åとすることができる。
【００１９】実施の形態２．図３は、本発明の液晶表示
装置のＴＦＴ基板の他の実施の形態を示す断面説明図で
ある。図３において、図２と同一または対応する部分は
同じ符号を用いて示した。実施の形態１と本実施の形態
との違いは、実施の形態１では、引き込み配線を第１の
金属膜と第２の金属膜とを用いて形成し、引き込み配線
の膜厚の均一化を図り低抵抗化を実現したのに対し、本
実施の形態では、第１の金属膜（すなわち端子）の膜厚
が第２の金属膜の膜厚に比べて薄いので、引き込み配線
を第２の金属膜のみを用いて形成する点である。
装置のＴＦＴ基板の他の実施の形態を示す断面説明図で
ある。図３において、図２と同一または対応する部分は
同じ符号を用いて示した。実施の形態１と本実施の形態
との違いは、実施の形態１では、引き込み配線を第１の
金属膜と第２の金属膜とを用いて形成し、引き込み配線
の膜厚の均一化を図り低抵抗化を実現したのに対し、本
実施の形態では、第１の金属膜（すなわち端子）の膜厚
が第２の金属膜の膜厚に比べて薄いので、引き込み配線
を第２の金属膜のみを用いて形成する点である。
【００２０】たとえば、端子２の厚さを２０００Å、ゲ
ート絶縁膜６の厚さを４０００Å、トランスファーパッ
ド７の厚さを１０００Å、第２の金属膜８の厚さを５０
００Å、上部絶縁膜９の厚さを５０００Åと仮定したば
あい、ＴＦＴ基板のトランスファーパッド７が形成され
る部分の厚さと端子２が形成される部分の厚さの差は、
図５に示される従来の液晶表示装置のばあい、 ｄ２＝（４０００＋１０００＋５０００＋５０００）−
（２０００＋４０００＋５０００）＝４０００Å となるのに対し、図３に示される本実施の形態の液晶表
示装置のばあい、 （トランスファーパッド７が形成される部分の厚さ）−
（端子２が形成される部分の厚さ）＝（１０００＋５０
００＋５０００）−（２０００＋４０００＋５０００）
＝０Å となり、前記ＴＦＴ基板のシール材と接する箇所の厚さ
は均一化される。
ート絶縁膜６の厚さを４０００Å、トランスファーパッ
ド７の厚さを１０００Å、第２の金属膜８の厚さを５０
００Å、上部絶縁膜９の厚さを５０００Åと仮定したば
あい、ＴＦＴ基板のトランスファーパッド７が形成され
る部分の厚さと端子２が形成される部分の厚さの差は、
図５に示される従来の液晶表示装置のばあい、 ｄ２＝（４０００＋１０００＋５０００＋５０００）−
（２０００＋４０００＋５０００）＝４０００Å となるのに対し、図３に示される本実施の形態の液晶表
示装置のばあい、 （トランスファーパッド７が形成される部分の厚さ）−
（端子２が形成される部分の厚さ）＝（１０００＋５０
００＋５０００）−（２０００＋４０００＋５０００）
＝０Å となり、前記ＴＦＴ基板のシール材と接する箇所の厚さ
は均一化される。
【００２１】なお、実施の形態１および実施の形態２で
は、いずれもＴＦＴ基板のシール材が接する位置につい
て述べたが、電気的に問題がなければ、ＴＦＴ基板のう
ち該ＴＦＴ基板の厚さがより均一であることが必要とさ
れる他の箇所に本発明を適用することは可能である。
は、いずれもＴＦＴ基板のシール材が接する位置につい
て述べたが、電気的に問題がなければ、ＴＦＴ基板のう
ち該ＴＦＴ基板の厚さがより均一であることが必要とさ
れる他の箇所に本発明を適用することは可能である。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、ＴＦＴ基板のうち該Ｔ
ＦＴ基板の厚さがより均一であることが必要とされる箇
所のＴＦＴ基板の厚さの均一性を容易に向上させること
ができる。したがって、液晶表示装置においてギャップ
ムラ不良が生じることを防止することができる。
ＦＴ基板の厚さがより均一であることが必要とされる箇
所のＴＦＴ基板の厚さの均一性を容易に向上させること
ができる。したがって、液晶表示装置においてギャップ
ムラ不良が生じることを防止することができる。
【図１】本発明の液晶表示装置のＴＦＴ基板の一実施の
形態を示す部分説明図である。
形態を示す部分説明図である。
【図２】図１に示されるＡ−Ａ線断面を示す断面説明図
である。
である。
【図３】本発明の液晶表示装置のＴＦＴ基板の他の実施
の形態を示す断面説明図である。
の形態を示す断面説明図である。
【図４】従来の液晶表示装置のＴＦＴ基板の一例を示す
部分説明図である。
部分説明図である。
【図５】図４に示されるＢ−Ｂ線断面を示す断面説明図
である。
である。
１ シール材 ２ 端子 ４ 第１の透明基板 ５ 第１の金属膜 ６ ゲート絶縁膜 ７ トランスファーパッド ８ 第２の金属膜 ９ 上部絶縁膜
Claims (6)
- 【請求項１】 第１の透明基板表面に、互いに平行な複
数のゲート電極線と、該複数のゲート電極線を覆うゲー
ト絶縁膜と、前記複数のゲート電極線に直交する複数の
ソース電極線と、前記複数のゲート電極線および前記複
数のソース電極線の各交差部に形成される複数の薄膜ト
ランジスタと、該複数の薄膜トランジスタの各ドレイン
電極に接続され透明導電膜からなる複数の画素電極とが
形成され、かつ、表面が上部絶縁膜で覆われてなる薄膜
トランジスタ基板、第２の透明基板表面に、前記複数の
画素電極に対応する３原色からなるカラーフィルタが形
成されたのち、当該第２の透明基板表面上に透明電極が
形成されてなるカラーフィルタ基板、および前記薄膜ト
ランジスタ基板および前記カラーフィルタ基板が所定の
間隔を保ってシール材によって貼り合わされたのち、前
記薄膜トランジスタ基板および前記カラーフィルタ基板
間に封入される液晶材料からなる液晶表示装置であっ
て、前記薄膜トランジスタ基板のうち、該薄膜トランジ
スタ基板の厚さがより均一であることが必要とされる箇
所において、前記ゲート絶縁膜および前記上部絶縁膜の
うちの少なくとも１つが除去されることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項２】 前記薄膜トランジスタ基板の厚さがより
均一であることが必要とされる箇所が、前記薄膜トラン
ジスタ基板とシール材とが接する箇所である請求項１記
載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記薄膜トランジスタ基板のシール材と
接する箇所のうち、最も厚い箇所の厚さと最も薄い箇所
の厚さとの差が大きくとも２０００Åである請求項２記
載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記ゲート絶縁膜および前記上部絶縁膜
のうちの上部絶縁膜が除去される請求項１記載の液晶表
示装置。 - 【請求項５】 前記薄膜トランジスタ基板の厚さがより
均一であることが必要とされる箇所が、前記薄膜トラン
ジスタ基板とシール材とが接する箇所であり、前記薄膜
トランジスタ基板のシール材と接する箇所のうち、最も
厚い箇所の厚さと最も薄い箇所の厚さとの差が大きくと
も１０００Åである請求項４記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記シール材がエポキシ樹脂からなる請
求項１記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9060627A JPH10253991A (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9060627A JPH10253991A (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10253991A true JPH10253991A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13147740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9060627A Pending JPH10253991A (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10253991A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003255381A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-09-10 | Advanced Display Inc | 画像表示装置およびその製造方法 |
| KR100603336B1 (ko) | 2004-04-07 | 2006-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR100625996B1 (ko) | 2004-04-02 | 2006-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 발광 디스플레이 장치 |
| US7889306B1 (en) | 1999-05-21 | 2011-02-15 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and fabrication method thereof |
-
1997
- 1997-03-14 JP JP9060627A patent/JPH10253991A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7889306B1 (en) | 1999-05-21 | 2011-02-15 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and fabrication method thereof |
| US8184254B2 (en) | 1999-05-21 | 2012-05-22 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and fabrication method thereof |
| JP2003255381A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-09-10 | Advanced Display Inc | 画像表示装置およびその製造方法 |
| US7286202B2 (en) | 2001-12-28 | 2007-10-23 | Kabushiki Kaisha Advanced Display | Image display and manufacturing method thereof having particular internal wiring structure |
| KR100625996B1 (ko) | 2004-04-02 | 2006-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 발광 디스플레이 장치 |
| KR100603336B1 (ko) | 2004-04-07 | 2006-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
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