JPH08106151A

JPH08106151A - 位相シフト・マスクおよびその製造方法

Info

Publication number: JPH08106151A
Application number: JP23981794A
Authority: JP
Inventors: Isao Mita; 勲三田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-10-04
Filing date: 1994-10-04
Publication date: 1996-04-23

Abstract

(57)【要約】【構成】ＳＯＧ膜４と低透過性Ｃｒ膜５（膜厚２０ｎ
ｍ程度）との積層体からなるハーフトーン位相シフタ６
を有するコンタクトホール露光用のハーフトーン型位相
シフト・マスクにおいて、コンタクトホールに対応する
開口部３の周囲に正方枠状の遮光性Ｃｒ膜パターン２ｐ
（膜厚４０ｎｍ程度）を配する。これにより、遮光性Ｃ
ｒ膜パターン２ｐに対応するウェハ上の領域で光振幅分
布曲線を不連続とし、光強度分布曲線の２次ピークを消
失させる。【効果】従来、２次ピークの存在ゆえに１０％前後に
制限されていたシフタ形成部のｉ線（波長３６５ｎｍ）
の透過率を上げ、結像に寄与する１次ピークの強度と傾
きを増大させ、コントラストを改善することができる。
この光透過率を１５％程度に設定すれば、焦点深度の最
も大きい条件でコンタクトホール露光を行うことができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造分野等
においてフォトリソグラフィ用のマスク（レチクル）と
して使用される位相シフト・マスクに関し、特にいわゆ
るハーフトーン型位相シフト・マスクのハーフトーン領
域の光透過率を上昇させることによるコントラストと焦
点深度の改善に関する。また、かかる位相シフト・マス
クを容易に製造する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体産業においては、次世代ＬＳＩで
ある６４ＭＤＲＡＭの量産が目前に迫り、デザイン・ル
ール０．３５μｍレベルの安定した微細加工技術が要求
されている。

【０００３】かかる微細加工の要となってきた技術はフ
ォトリソグラフィであり、その進歩は露光波長の短波長
化、およびステッパ（縮小投影露光装置）の縮小投影レ
ンズの高開口数（ＮＡ）化に支えられてきた。このう
ち、短波長化に関しては、ＫｒＦエキシマ・レーザ光
（２４８ｎｍ）を用いる遠紫外線リソグラフィが有望で
あるが、十分な性能を有するレジスト材料の開発が遅れ
ており、直ちに量産現場へ導入することは難しい。

【０００４】これに対し、露光光の高調波成分を利用し
て解像度を上昇させるいわゆる超解像技術により、従来
の高圧水銀ランプを光源とするｉ線（３６５ｎｍ）リソ
グラフィを延命しようとする試みも数多く行われてい
る。

【０００５】超解像技術として脚光を浴びている技術の
ひとつに、位相シフト法がある。これは、ｇ線（４３６
ｎｍ）以前のフォトリソグラフィが主として光の振幅分
布情報を利用していたのに対し、振幅分布情報に加えて
位相情報を利用するものである。すなわち、ガラスや石
英等の透明材料からなる基板上に、これとは屈折率の異
なる材料からなる位相シフタを通常１８０°の位相差を
与える厚さに形成してフォトマスクの透過光に局部的な
位相差を発生させ、透過光相互の干渉を利用して解像度
の向上を図るものである。

【０００６】位相シフト法による解像度向上の原理は、
空間周波数変調とエッジ強調とに大別され、これらの原
理とマスク構造の組み合わせにより様々な種類の位相シ
フト・マスクが提案されている。このうち、後者のエッ
ジ強調は、コンタクトホールのような孤立パターンに対
して解像度の改善効果が大きい。中でも、このエッジ強
調型の一種であるハーフトーン型の位相シフト・マスク
は、基板上に光透過率の低い位相シフタを形成したもの
であり、製造が比較的容易でパターン形状依存性を持た
ない。このため、メモリ系デバイスのみならずロジック
系デバイスにも適用でき、実用化が最も有力視されてい
るものである。

【０００７】コンタクトホール露光用に従来用いられて
いるハーフトーン型位相シフト・マスクの要部を、図１
２の（ａ）図に示す。このマスクは、石英等の透明材料
からなる透明基板１１上に膜厚２０ｎｍ程度の薄い低透
過性Ｃｒ膜１２と、該透明基板１１とは屈折率の異なる
塗布ガラス（ＳＯＧ：スピン・オン・グラス）等からな
る透明材料層１４とを順次形成し、これらを共通パター
ンで加工することにより、コンタクトホールに対応する
開口部１３を有するハーフトーン位相シフタ１５が形成
されてなるものである。

【０００８】図１２の（ｂ）図は、（ａ）図のＢ−Ｂ線
断面図〔ただし、（ａ）図より縮小し、かつ倒立させて
ある。〕である。このマスクに透明基板１１側から露光
光ｈνが入射すると、開口部１３からは入射光と同位相
で強度もほぼ等しい透過光が出射するが、ハーフトーン
位相シフタ１５の形成領域からは低透過性Ｃｒ膜１２に
より強度が減衰され、かつ透明材料層１４により位相が
１８０°反転された透過光が得られる。

【０００９】このマスクにより得られるウェハ上の光振
幅分布は図１２の（ｃ）図、またウェハ上の光強度分布
は図１２の（ｄ）図にそれぞれ示されるとおりとなる。
ただし、通常用いられる縮小投影露光装置（ステッパ）
では縮小比がたとえば１／５であるため、これらの図面
の縮尺は（ｂ）図と等しくはない。実際にウェハ上のフ
ォトレジスト膜が解像する領域は、（ｄ）図中、透過光
強度が点線で表される露光しきい値を超える領域であ
り、主として１次ピークの寄与で微細なコンタクトホー
ルを優れたコントラストをもって形成できることがわか
る。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のハー
フトーン型位相シフト・マスクには、低透過性Ｃｒ膜１
２の光透過率を変化させると、結像に寄与する１次ピー
クの強度が変化する性質がある。ここで、上記マスクを
ｉ線ステッパ（露光波長３６５ｎｍ，開口数ＮＡ＝０．
５７，コヒーレンシ・ファクタσ＝０．３０）に搭載
し、フォーカスずれに対するコンタクトホール径の変動
がＣｒ膜１２の光透過率Ｔに依存する様子をシミュレー
トした結果を図１３に示す。低透過性Ｃｒ膜１２の光透
過率Ｔは、膜厚で制御した。この図より、コンタクトホ
ール径の変動がもっとも小さい場合、すなわち焦点深度
が大きくコンタクトホールを最も安定して解像できる場
合は、光透過率Ｔ＝１５％の時であることがわかる。

【００１１】しかしながら、１次ピークの強度上昇は、
位相シフタのエッジ部における回折に起因して発生する
不要な２次ピークの強度上昇も同時に招く。この様子を
図１４に示す。この図において、光透過率Ｔ＝１５％を
示す曲線の２次ピークは露光しきい値を超えており、誤
って解像される虞れがある。このような２次ピークの解
像を避けるために、一般的なハーフトーン型位相シフト
・マスクのシフタ形成領域の光透過率は１０％程度に設
定されている。つまり、解像の正確さを優先し、焦点深
度が犠牲にされているのが現状である。

【００１２】ハーフトーン型位相シフト・マスクには、
上述のように低透過性Ｃｒ膜と透明材料層（ＳＯＧ）と
を用いるものの他、アモルファス・カーボン膜、Ｃｒ含
有ＳｉＯ_x膜、ＭｏＳｉＯ膜あるいはＭｏＳｉＯＮ膜等
の材料膜を単層で用いるものも知られている。しかし、
いずれの材料膜も研究段階にあり、現有の技術で対応で
きるものではない。

【００１３】そこで本発明は、優れた解像度を維持しな
がら焦点深度を拡大し、たとえばコンタクトホール解像
の安定性も高めることが可能なハーフトーン型位相シフ
ト・マスクと、およびその実用的な製造方法を提供する
ことを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の位相シフト・マ
スクは、上述の目的に鑑みて提案されるものであり、透
明基板と、上記透明基板上に所定のパターンをもって形
成されたハーフトーン位相シフタと、上記透明基板上に
おける上記ハーフトーン位相シフタの形成領域と非形成
領域との境界近傍の光透過率を低下させる遮光材パター
ンからなるものである。

【００１５】ここで、上記ハーフトーン位相シフタの非
形成領域は接続孔パターンに対応する開口部であり、上
記遮光材パターンは該開口部のエッジに沿って該ハーフ
トーン位相シフタの厚さ方向の少なくとも一部を占める
ごとく形成されて好適である。上記遮光材パターンの最
適幅は、開口部の開口幅との関連において決まる。その
絶対値は、デザイン・ルールにより異なるので一概に数
値化することはできないが、２次ピークの発生部位を遮
光できることが必要条件である。一般的には、開口幅の
３５％程度に選択されていれば良い。遮光材パターンの
幅が狭すぎると２次ピークの発生を抑制することができ
ず、また必要以上に広すぎるとマスクが実質的にハーフ
トーン型として機能しなくなる。

【００１６】上記ハーフトーン位相シフタは、上記基板
とは光学定数の異なる透明材料層とこれより光透過率の
低い低透過率膜との積層体より構成することができる。
この透明材料層としては塗布ガラス層、また低透過率膜
としては所定の光透過率を示し得る厚さのＣｒ薄膜を用
いることができる。さらに、上記遮光材パターンは遮光
性を示し得る厚さのＣｒ薄膜より構成することができ
る。Ｃｒ薄膜の膜厚と光透過率との間には、たとえば露
光光としてｉ線（３６５ｎｍ）を用いた場合、図４のグ
ラフに示される直線関係が成り立つことが知られてお
り、膜厚４０ｎｍでほぼ完全な遮光膜となる。所定の光
透過率を示し得る膜厚は、このグラフから求めることが
できる。

【００１７】一方、かかる位相シフト・マスクを製造す
る本発明の製造方法は、透明基板上に遮光材パターンを
形成する工程と、基体の全面に上記基板とは光学定数の
異なる透明材料層とこれより光透過率の低い低透過率膜
とを順次形成する工程と、上記低透過率膜と上記透明材
料層とを上記遮光材パターンの一方のエッジに合わせて
パターニングすることによりハーフトーン型の位相シフ
タを形成する工程とを経るものである。あるいは、この
透明材料層と低透過率膜との積層順を逆にしても良い。

【００１８】上記低透過率膜としては所定の光透過率を
示し得る厚さのＣｒ薄膜、上記透明材料層としては塗布
ガラスを用いることができる。また、上記遮光材パター
ンとしては遮光性を示し得る厚さのＣｒ薄膜を用いるこ
とがでる。

【００１９】

【作用】本発明の位相シフト・マスクは、ハーフトーン
位相シフタの形成領域と非形成領域との境界近傍の光透
過率を低下させる遮光材パターンを有しているため、位
相シフタのエッジ部における露光光の回折に起因する２
次ピーク発生が防止される。このため、シフタ形成領域
の光透過率を現行の主流値よりも上昇させ、結像に寄与
する１次ピークの強度を高め、これにより１次ピークの
傾きを急峻としてコントラストを改善することができ
る。また、光透過率の最適化のマージンが広がることに
より、たとえばコンタクトホールを露光する場合のフォ
ーカスずれに対するホール径の変動の少ない条件を２次
ピークの制約を受けることなく選択することが可能とな
る。つまり、焦点深度を拡大することができる。

【００２０】かかる位相シフト・マスクは、遮光材パタ
ーンとして厚いＣｒ膜、低透過率膜として薄いＣｒ膜、
透明材料層として塗布ガラスを用いることで、ｉ線リソ
グラフィもしくはエキシマ・レーザ・リソグラフィに適
したマスクとして提供される。このマスクの製造に際し
ては、透明基板上にまず厚いＣｒ膜（遮光材パターン）
を形成し、この上に塗布ガラス層（透明材料層）と薄い
Ｃｒ膜（低透過率膜）とをこの順もしくは逆の順に積層
した積層体を形成し、この積層体を上記遮光材パターン
のエッジの一方に合わせてパターニングするので、塗布
ガラス層により表面が平坦化された位相シフト・マスク
を、既存の技術の応用で容易に精度良く作製することが
できる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。

【００２２】実施例１本実施例は、コンタクト・ホール・パターンの開口端の
周囲に遮光材パターンを配したハーフトーン型位相シフ
ト・マスクの構成例である。

【００２３】本実施例で構成したハーフトーン型位相シ
フト・マスクの要部斜視図を図１の（ａ）図に、またそ
のＡ−Ａ線断面図を（ｂ）図に示す。ただし、（ｂ）図
の縮尺は（ａ）図より小さく、かつ天地は逆転させてあ
る。このマスクは、縮小比１／５のｉ線ステッパを用い
て直径０．３５μｍのコンタクトホール・パターンをウ
ェハ上に解像させるためのものである。その構成は、た
とえば厚さ６．３ｍｍの石英基板１（屈折率ｎ＝１．４
７，消衰係数ｋ＝０．０００）上に、透明材料層として
膜厚約１８３ｎｍのＳＯＧ膜４（ｎ＝１．４４，ｋ＝
０．００３）と低透過率膜として薄い低透過性Ｃｒ膜５
を順次積層して積層体を形成し、この積層体に１辺の長
さｄ₁＝２．１μｍ（ウェハ上の寸法は０．４２μｍ）
の正方形の開口部３を形成してハーフトーン位相シフタ
６となし、該開口部３の底面の周囲に遮光材パターンと
して膜厚約４０ｎｍ，幅ｄ₂＝０．７５μｍ（ウェハ上
の寸法は０．１５μｍ）の遮光性Ｃｒ膜パターン２ｐを
配したものである。ここで、上記低透過性Ｃｒ膜５の光
透過率は、図４に示したデータにもとづき、５〜２０％
（Ｃｒ膜厚換算で３３〜１５ｎｍ）の範囲に設定した。
また、上述の遮光性Ｃｒ膜パターン２ｐの幅ｄ₂は、開
口部の１辺の長さｄ₁の３６％弱に相当している。

【００２４】このマスクに石英基板１側から露光光ｈν
が入射すると、開口部３からは入射光と同位相で強度も
ほぼ等しい透過光が出射し、ハーフトーン位相シフタ６
の形成領域からは低透過性Ｃｒ膜５により強度が減衰さ
れ、かつＳＯＧ膜４により位相が１８０°反転された透
過光が得られる。しかし、遮光性Ｃｒ膜パターン２ｐに
入射した露光光は、石英基板１の反対側へは出射しな
い。

【００２５】このマスクにより得られるウェハ上の光振
幅分布を図１の（ｃ）図、またウェハ上の光強度分布を
図１の（ｄ）図にそれぞれ示す。ただし、通常用いられ
る縮小投影露光装置（ステッパ）では縮小比が１／５で
あるため、これらの図面の縮尺は（ｂ）図と等しくはな
い。上記の光振幅分布が従来の分布〔図１２の（ｃ）図
を参照。〕と異なるところは、光の振幅がプラス（＋）
からマイナス（−）へ切り替わる部分が遮光性Ｃｒ膜パ
ターン２ｐの存在により不連続となっていることであ
る。このため、図（ｄ）の光強度分布曲線には２次ピー
クが現れていない。

【００２６】次に、このハーフトーン型位相シフト・マ
スクをｉ線ステッパ（ＮＡ＝０．５７，σ＝０．３）に
搭載し、フォトレジスト膜上に転写されるコンタクトホ
ール径がフォーカスずれに対してどの程度変動するか
を、低透過性Ｃｒ膜５の光透過率を変えながらシミュレ
ートした。低透過性Ｃｒ膜５の光透過率は、Ｔ＝５％
（Ｃｒ膜厚３３ｎｍ），Ｔ＝１０％（同２７ｎｍ），Ｔ
＝１５％（同２１ｎｍ），Ｔ＝２０％（同１５ｎｍ）の
４段階に設定した。結果を図２に示す。この図より、±
０．７５μｍのフォーカスずれに対して影響が最も少な
いのは、Ｔ＝１５％の場合であることがわかった。

【００２７】図４には、Ｔ＝１０％，Ｔ＝１５％，Ｔ＝
２０％の各場合について得られたウェハ上の光強度分布
を示す。この図をみると、Ｔ＝１５％の場合はもちろ
ん、光透過率を２０％まで上げても、開口部３以外の領
域において光強度が露光しきい値以下に抑えられている
ことがわかる。これに対して従来は、Ｔ＝１５％の条件
を利用したくても、２次ピークが露光しきい値を超えて
しまうために、コンタクトホール径の変動の大きいＴ＝
１０％の条件を使わざるを得なかった。

【００２８】コンタクトホール・パターンの転写は、あ
らゆるフォトリソグラフィの中でも最も焦点深度の確保
が困難なプロセスである。しかし、本発明の位相シフト
・マスクを用いれば、ハーフトーン位相シフタの形成領
域の光透過率Ｔを１５％としても、寸法変動の少ないコ
ンタクトホール・パターンを優れた解像度をもって形成
できることが明らかである。

【００２９】実施例２本実施例では、実施例１で上述したハーフトーン型位相
シフト・マスクの製造方法を、図５ないし図８を参照し
ながら説明する。

【００３０】まず、図５に示されるように、石英基板１
上にスパッタリング法により厚さ４０ｎｍの遮光性Ｃｒ
膜２を全面堆積させた。次に、これを図示されない電子
ビーム・レジストを用いてパターニングし、図６に示さ
れるような正方枠状の遮光性Ｃｒ膜パターン２ｐを形成
した。

【００３１】次に、図７に示されるように、基体上にＳ
ＯＧ膜４をスピンコートしてその表面を平坦化し、さら
にスパッタリングにより厚さ２１ｎｍの低透過性Ｃｒ膜
５を成膜した。さらに、図示されない電子ビーム・レジ
スト・マスクを用いて上記低透過性Ｃｒ膜５とＳＯＧ膜
４とをドライエッチングし、遮光性Ｃｒ膜パターン２ｐ
の内側のエッジに合わせた開口部３を形成した。

【００３２】なお、ＳＯＧ膜と低透過性Ｃｒ膜との積層
順は、上述の順序と逆にしても良い。この場合のプロセ
スは、図９ないし図１１に示されるとおりとなる。すな
わち、図９に示されるように遮光性Ｃｒ膜パターン２ｐ
を被覆して低透過性Ｃｒ膜７を成膜し、次に図１０に示
されるようにＳＯＧ膜４で基体の表面を平坦化する。こ
の後、図１１に示されるように、遮光性Ｃｒ膜パターン
２ｐの開口部３に合わせてＳＯＧ膜４と低透過性Ｃｒ膜
７とをエッチングしてハーフトーン位相シフタ８を形成
する。なお、このエッチングは図示されないレジスト・
マスクを用いて各膜ごとに最適条件を設定しながら行う
が、下地の石英基板１と接する膜が低透過性Ｃｒ膜７で
あるため、エッチングの終点判定が容易で選択比も確保
し易いというメリットがある。このマスクの光学性能
は、前出の図８に示されたマスクとほぼ同じである。

【００３３】以上、本発明を２例の実施例にもとづいて
説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定される
ものではない。

【００３４】たとえば、マスク基板としては石英基板の
他、ガラス基板を用いても良い。また、上述の実施例は
ｉ線露光用マスクを前提として説明したが、ＫｒＦ等の
光源を用いたエキシマ・レーザ露光用マスクも同様に構
成することができる。この他、デザイン・ルール、マス
クを構成する各膜の厚さ，光学定数，成膜方法も適宜変
更可能である。

【００３５】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の位相シフト・マスクによれば不要な２次ピークを抑
え、たとえばコンタクトホール露光において焦点深度を
拡大できる条件を２次ピークの制約を受けずに選択する
ことが可能となる。これにより、従来一般的なハーフト
ーン型位相シフト・マスクのシフタ形成領域の光透過率
１０％を１５％、あるいはそれ以上に上昇させ、結像に
寄与する１次ピークの強度を高めてその傾きを急峻とな
し、結果的にコントラストを改善することができる。ま
た、本発明の位相シフト・マスクは、現有の技術の応用
で製造することができ、この意味においても実用性は極
めて高い。

【００３６】本発明は、ｉ線リソグラフィの延命策とし
て極めて有望であり、デザイン・ルール０．３５μｍが
要求される次世代の６４ＭＤＲＡＭ，１６ＭＳＲＡＭ等
の高集積化メモリ・デバイス、あるいはロジック系デバ
イスを、高い信頼性をもって製造することが可能とな
る。もちろん、エキシマ・レーザ・リソグラフィを適用
した次々世代以降の高集積化デバイスの製造にも有効で
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用したコンタクトホール露光用のハ
ーフトーン型位相シフト・マスクの構成および光学性能
を説明する図であり、（ａ）図は要部斜視図、（ｂ）図
は要部断面図、（ｃ）図はこのマスクを用いた場合のウ
ェハ上の光振幅分布、（ｄ）図はウェハ上の光強度分布
をそれぞれ表す。

【図２】本発明のハーフトーン型位相シフト・マスクに
よるコンタクトホール露光において、フォーカスずれに
対するコンタクトホール径の変動のシミュレーション結
果を表す特性図である。

【図３】本発明のハーフトーン型位相シフト・マスクに
よるコンタクトホール露光において、ウェハ上の光強度
分布のシミュレーション結果を表す特性図である。

【図４】Ｃｒ薄膜の膜厚とｉ線透過率との関係を示す特
性図である。

【図５】図１に示したハーフトーン型位相シフト・マス
クの製造プロセスにおいて、石英基板上に遮光性Ｃｒ膜
を成膜した状態を示す模式的断面図である。

【図６】図５の遮光性Ｃｒ膜をパターニングした状態を
示す模式的断面図である。

【図７】図６の基体をＳＯＧ膜で平坦化し、さらに低透
過性Ｃｒ膜を成膜した状態を示す模式的断面図である。

【図８】図７のＳＯＧ膜と低透過性Ｃｒ膜をパターニン
グしてハーフトーン位相シフタを形成した状態を示す模
式的断面図である。

【図９】本発明を適用したコンタクトホール露光用のハ
ーフトーン型位相シフト・マスクの他の構成例を製造す
るプロセスにおいて、石英基板上でパターニングされた
遮光性Ｃｒ膜を低透過性Ｃｒ膜で被覆した状態を示す模
式的断面図である。

【図１０】図９の基体表面をＳＯＧ膜で平坦化した状態
を示す模式的断面図である。

【図１１】図１０のＳＯＧ膜と低透過性Ｃｒ膜をパター
ニングしてハーフトーン位相シフタを形成した状態を示
す模式的断面図である。

【図１２】従来のコンタクトホール露光用のハーフトー
ン型位相シフト・マスクの構成および光学性能を説明す
る図であり、（ａ）図は要部斜視図、（ｂ）図は要部断
面図、（ｃ）図はこのマスクを用いた場合のウェハ上の
光振幅分布、（ｄ）図はウェハ上の光強度分布をそれぞ
れ表す。

【図１３】本発明のハーフトーン型位相シフト・マスク
によるコンタクトホール露光において、フォーカスずれ
に対するコンタクトホール径の変動のシミュレーション
結果を表す特性図である。

【図１４】従来のハーフトーン型位相シフト・マスクに
よるコンタクトホール露光において、ウェハ上の光強度
分布のシミュレーション結果を表す特性図である。

【符号の説明】

１石英基板２遮光性Ｃｒ膜２ｐ遮光性Ｃｒ膜パターン３開口部４ＳＯＧ膜５，７低透過性Ｃｒ膜６，８ハーフトーン位相シフタ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板と、前記透明基板上に所定のパターンをもって形成されたハ
ーフトーン位相シフタと、前記透明基板上における前記ハーフトーン位相シフタの
形成領域と非形成領域との境界近傍の光透過率を低下さ
せる遮光材パターンからなる位相シフト・マスク。
【請求項２】前記ハーフトーン位相シフタの非形成領
域は接続孔パターンに対応する開口部であり、前記遮光
材パターンは該開口部のエッジに沿って該ハーフトーン
位相シフタの厚さ方向の少なくとも一部を占めるごとく
形成されてなる請求項１記載の位相シフト・マスク。
【請求項３】前記ハーフトーン位相シフタは、前記基
板とは光学定数の異なる透明材料層とこれより光透過率
の低い低透過率膜との積層体より構成される請求項１ま
たは請求項２に記載の位相シフト・マスク。
【請求項４】前記透明材料層は塗布ガラス層よりなる
請求項３記載の位相シフト・マスク。
【請求項５】前記低透過率膜は所定の光透過率を示し
得る厚さのＣｒ薄膜よりなる請求項３または請求項４に
記載の位相シフト・マスク。
【請求項６】前記遮光材パターンは遮光性を示し得る
厚さのＣｒ薄膜より構成される請求項１ないし請求項５
のいずれか１項に記載の位相シフト・マスク。
【請求項７】透明基板上に遮光材パターンを形成する
工程と、基体の全面に前記基板とは光学定数の異なる透明材料層
とこれより光透過率の低い低透過率膜とを順次形成する
工程と、前記低透過率膜と前記透明材料層とを前記遮光材パター
ンの一方のエッジに合わせてパターニングすることによ
りハーフトーン型の位相シフタを形成する工程とを有す
る位相シフト・マスクの製造方法。
【請求項８】透明基板上に遮光材パターンを形成する
工程と、基体の全面に低透過率膜とこれより光透過率が高く前記
基板とは光学定数の異なる透明材料層とを順次形成する
工程と、前記透明材料層と前記低透過率膜とを前記遮光材パター
ンの一方のエッジに合わせてパターニングすることによ
りハーフトーン位相シフタを形成する工程とを有する位
相シフト・マスクの製造方法。
【請求項９】前記低透過率膜として所定の光透過率を
示し得る厚さのＣｒ薄膜を用いる請求項７または請求項
８に記載の位相シフト・マスクの製造方法。
【請求項１０】前記透明材料層として塗布ガラス層を
用いる請求項７ないし請求項９のいずれか１項に記載の
位相シフト・マスクの製造方法。
【請求項１１】前記遮光材パターンは遮光性を示し得
る厚さのＣｒ薄膜より構成される請求項７ないし請求項
１０のいずれか１項に記載の位相シフト・マスクの製造
方法。