JPH10254124A - 位相シフトマスクの検査方法およびその装置 - Google Patents
位相シフトマスクの検査方法およびその装置Info
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- JPH10254124A JPH10254124A JP9058787A JP5878797A JPH10254124A JP H10254124 A JPH10254124 A JP H10254124A JP 9058787 A JP9058787 A JP 9058787A JP 5878797 A JP5878797 A JP 5878797A JP H10254124 A JPH10254124 A JP H10254124A
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- shift mask
- phase shift
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- mask
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】位相シフタの位相量を短時間で非接触で正確に
求める検査方法を提供する。 【解決手段】可干渉性のある光を二分割し、一方を位相
シフトマスクに照射し、その透過光を位相シフトマスク
と共役な位置で他方の光と角度をつけて干渉させ、位相
シフタ部と非位相シフタ部の干渉縞信号から位相シフト
の位相量を測定する。
求める検査方法を提供する。 【解決手段】可干渉性のある光を二分割し、一方を位相
シフトマスクに照射し、その透過光を位相シフトマスク
と共役な位置で他方の光と角度をつけて干渉させ、位相
シフタ部と非位相シフタ部の干渉縞信号から位相シフト
の位相量を測定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＵＬＳＩ等の高集
積回路の製造に用いられる位相シフトマスクの検査方法
に関し、特に、位相シフトマスクの位相シフタの位相差
を正確に測定する位相シフトマスクの検査方法及び検査
方式に関する。
積回路の製造に用いられる位相シフトマスクの検査方法
に関し、特に、位相シフトマスクの位相シフタの位相差
を正確に測定する位相シフトマスクの検査方法及び検査
方式に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路は、シリコンウェハ等の
非加工基板上にレジストを塗布し、ステッパ等の投影露
光装置により所望のパターンを露光した後、現像、エッ
チング、成膜等を繰り返すことによって製造される。
非加工基板上にレジストを塗布し、ステッパ等の投影露
光装置により所望のパターンを露光した後、現像、エッ
チング、成膜等を繰り返すことによって製造される。
【０００３】この中のパターンを形成する露光工程に使
用されるマスクと呼ばれるマスクは、半導体集積回路の
高性能化、高集積化に伴ってますます高精度なものが要
求される傾向にある。例えば、６４ＭＤＲＡＭ用の５倍
マスクにおける寸法ずれは、０．０７μｍ（３σ）の寸
法精度が要求されている。
用されるマスクと呼ばれるマスクは、半導体集積回路の
高性能化、高集積化に伴ってますます高精度なものが要
求される傾向にある。例えば、６４ＭＤＲＡＭ用の５倍
マスクにおける寸法ずれは、０．０７μｍ（３σ）の寸
法精度が要求されている。
【０００４】さらに、これらのマスクを使用して形成さ
れるデバイスパターンは６４ＭＤＲＡＭでは０．３５μ
ｍと、高集積化に伴いますます微細化が要求されてお
り、このような要求に応えるために様々な露光方法が研
究、提案されている。
れるデバイスパターンは６４ＭＤＲＡＭでは０．３５μ
ｍと、高集積化に伴いますます微細化が要求されてお
り、このような要求に応えるために様々な露光方法が研
究、提案されている。
【０００５】ところが、６４ＭＤＲＡＭ以降のデバイス
パターンはこれまでのマスクを用いた露光方式では、光
学的解像度の限界となり、この限界を乗り越えるものと
して、例えば特開昭５８−１７３７４４号公報、特公昭
６２−５９２９６号公報等に示されているように、位相
シフトマスクという新しい考え方のマスクが提案されて
きている。位相シフトマスクは、マスクを透過する光の
位相を操作することによって、投影像の分解能及びコン
トラストを向上させる技術である。
パターンはこれまでのマスクを用いた露光方式では、光
学的解像度の限界となり、この限界を乗り越えるものと
して、例えば特開昭５８−１７３７４４号公報、特公昭
６２−５９２９６号公報等に示されているように、位相
シフトマスクという新しい考え方のマスクが提案されて
きている。位相シフトマスクは、マスクを透過する光の
位相を操作することによって、投影像の分解能及びコン
トラストを向上させる技術である。
【０００６】位相シフトマスクを用いた投影方式を次に
説明する。図９は位相シフトの原理を示す説明図であ
る。図１０は従来法であり、（ａ）はマスクの断面、
（ｂ）はマスク上の光の振幅、（ｃ）はウェハ上の光の
振幅、（ｄ）はウェハ上の光強度を示す。
説明する。図９は位相シフトの原理を示す説明図であ
る。図１０は従来法であり、（ａ）はマスクの断面、
（ｂ）はマスク上の光の振幅、（ｃ）はウェハ上の光の
振幅、（ｄ）はウェハ上の光強度を示す。
【０００７】従来法では、図１０（ａ）に示すように、
ガラス等からなる基板７０にクロム等からなる遮光膜７
１が形成されて、所定のパターンの光透過部が形成され
ている。位相シフトマスクは図９（ａ）に示すようにマ
スク上の隣接する光透過部の一方に位相を反転（位相差
１８０°）させるための透過膜ならなる位相シフタ７２
が設けられている。従って、従来法では、マスク上の光
の振幅は図１０（ｂ）に示すように同相となり、ウェハ
上の光の振幅も図１０（ｃ）に示すように同相となるの
で、その結果、図１０（ｄ）のようにウェハ上のパター
ンを分離することができないのに対して、位相シフトを
用いると、これを透過した光は図９（ｂ）に示すように
隣接するパターンの間で互いに逆位相になるため、パタ
ーンの境界部で光強度が零になり、図９（ｄ）に示すよ
うに隣接するパターンを明瞭に分離することができる。
このように、位相シフタを用いると、従来は分離できな
かったパターンが分離可能となり、解像度を向上させる
ことができる。
ガラス等からなる基板７０にクロム等からなる遮光膜７
１が形成されて、所定のパターンの光透過部が形成され
ている。位相シフトマスクは図９（ａ）に示すようにマ
スク上の隣接する光透過部の一方に位相を反転（位相差
１８０°）させるための透過膜ならなる位相シフタ７２
が設けられている。従って、従来法では、マスク上の光
の振幅は図１０（ｂ）に示すように同相となり、ウェハ
上の光の振幅も図１０（ｃ）に示すように同相となるの
で、その結果、図１０（ｄ）のようにウェハ上のパター
ンを分離することができないのに対して、位相シフトを
用いると、これを透過した光は図９（ｂ）に示すように
隣接するパターンの間で互いに逆位相になるため、パタ
ーンの境界部で光強度が零になり、図９（ｄ）に示すよ
うに隣接するパターンを明瞭に分離することができる。
このように、位相シフタを用いると、従来は分離できな
かったパターンが分離可能となり、解像度を向上させる
ことができる。
【０００８】また、別な方法としてハーフトーン位相シ
フトマスクがある。このハーフトーン位相シフトマスク
の原理を図１１に示す。従来は遮光部は１００％遮光膜
で形成れているが、ハーフトーン位相マスクは遮光膜を
数％の透過率を有するハーフトーン遮光膜で形成されて
いる。ハーフトーン遮光膜の上または下に位相を反転
（位相差１８０°）させるための透過膜からなる位相シ
フトが設けられている。従って、マスク上の光の振幅
は、従来法では図１１（ｂ）に示すようになり、マスク
の開口部から外側へ裾広がりに分布するので、その結
果、図１１（ｄ）のようにウェハ上の光強度分布はマス
クパターンに対応した形状にはならないで、マスク開口
部から外側への裾広がりの分布になる。これに対して、
ハーフトーン位相シフトマスクでは、ハーフトーン遮光
膜７３から漏れた光に位相シフト層７４で位相差を与
え、図１１（ｂ）に示すように、開口部を透過した光と
逆位相にするので、図１１（ｃ）に示すような振幅にな
るため、図１１（ｃ）に示すようにパターンの境界部で
光振幅が零になり、光強度分布の裾広がりを抑えること
ができる。このようにハーフトーン位相シフトマスクを
用いると、従来は分解できなかったパターンも分解可能
となり、解像度を向上させることができる。
フトマスクがある。このハーフトーン位相シフトマスク
の原理を図１１に示す。従来は遮光部は１００％遮光膜
で形成れているが、ハーフトーン位相マスクは遮光膜を
数％の透過率を有するハーフトーン遮光膜で形成されて
いる。ハーフトーン遮光膜の上または下に位相を反転
（位相差１８０°）させるための透過膜からなる位相シ
フトが設けられている。従って、マスク上の光の振幅
は、従来法では図１１（ｂ）に示すようになり、マスク
の開口部から外側へ裾広がりに分布するので、その結
果、図１１（ｄ）のようにウェハ上の光強度分布はマス
クパターンに対応した形状にはならないで、マスク開口
部から外側への裾広がりの分布になる。これに対して、
ハーフトーン位相シフトマスクでは、ハーフトーン遮光
膜７３から漏れた光に位相シフト層７４で位相差を与
え、図１１（ｂ）に示すように、開口部を透過した光と
逆位相にするので、図１１（ｃ）に示すような振幅にな
るため、図１１（ｃ）に示すようにパターンの境界部で
光振幅が零になり、光強度分布の裾広がりを抑えること
ができる。このようにハーフトーン位相シフトマスクを
用いると、従来は分解できなかったパターンも分解可能
となり、解像度を向上させることができる。
【０００９】従来は、位相シフタの位相量は、位相シフ
タに用いる透明薄膜材料の屈折率をエリプソメータ等に
より予め測定し、次に、位相シフトマスク上に形成され
た位相シフタパターンの段差を接触式あるいは非接触式
表面形状測定装置により測定して求めていた。
タに用いる透明薄膜材料の屈折率をエリプソメータ等に
より予め測定し、次に、位相シフトマスク上に形成され
た位相シフタパターンの段差を接触式あるいは非接触式
表面形状測定装置により測定して求めていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
位相差測定法法では、厳密な位相差の測定に際し、屈折
率と厚さの２種類の物理量を測定する必要があるが、位
相シフタパターンのような微細なパターンでは、この２
種類の物理量のマスク上での測定は測定領域が狭いため
極めて困難であり、現実できでない。
位相差測定法法では、厳密な位相差の測定に際し、屈折
率と厚さの２種類の物理量を測定する必要があるが、位
相シフタパターンのような微細なパターンでは、この２
種類の物理量のマスク上での測定は測定領域が狭いため
極めて困難であり、現実できでない。
【００１１】実際の測定では、位相シフトに用いる透明
薄膜材料の屈折率をダミーマスクを用いエリプソメータ
等により予め測定し、その測定値は、すべての被測定サ
ンプルのすべての被測定点において変化がないとの仮定
の下に、位相シフタの膜厚の測定値によって位相差を保
証しており、厳密さを欠いている。
薄膜材料の屈折率をダミーマスクを用いエリプソメータ
等により予め測定し、その測定値は、すべての被測定サ
ンプルのすべての被測定点において変化がないとの仮定
の下に、位相シフタの膜厚の測定値によって位相差を保
証しており、厳密さを欠いている。
【００１２】位相シフタ膜厚の測定により位相差を保証
する際、測定法法が接触式の表面形状測定装置による場
合、接触針によることが多く、測定時に位相シフタパタ
ーンに損傷を与える可能性が高く、好ましくない。
する際、測定法法が接触式の表面形状測定装置による場
合、接触針によることが多く、測定時に位相シフタパタ
ーンに損傷を与える可能性が高く、好ましくない。
【００１３】また、位相シフタ膜厚測定により位相差を
保証する際、表面形状測定装置の測定時間は、測定法法
が接触式あるいは非接触式いずれにおいても、１測定点
あたり数秒から数十秒の時間を要するため、効率が極め
て悪い。
保証する際、表面形状測定装置の測定時間は、測定法法
が接触式あるいは非接触式いずれにおいても、１測定点
あたり数秒から数十秒の時間を要するため、効率が極め
て悪い。
【００１４】本発明の目的は、位相シフトマスクの位相
シフタの位相差を簡単になんら損傷を与えずに、短時間
で、かつ実際に使用する波長とおなじ波長で直接的に、
正確に測定する位相シフトマスクの検査方法および方式
を提供することにある。
シフタの位相差を簡単になんら損傷を与えずに、短時間
で、かつ実際に使用する波長とおなじ波長で直接的に、
正確に測定する位相シフトマスクの検査方法および方式
を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、部分的に透明あるいはハーフトーンの
位相シフタパターンを有する位相シフトマスクの位相シ
フタ配置部と位相シフタ非配置部の間の位相差を検査す
る方法において、位相シフトマスクに所定波長の光を照
明し、この光と参照光とを傾けて干渉させて干渉縞を発
生させて、この干渉縞の位相シフタ部と非位相シフタ部
の位相情報より位相シフタの位相量を算出する。
に、本発明では、部分的に透明あるいはハーフトーンの
位相シフタパターンを有する位相シフトマスクの位相シ
フタ配置部と位相シフタ非配置部の間の位相差を検査す
る方法において、位相シフトマスクに所定波長の光を照
明し、この光と参照光とを傾けて干渉させて干渉縞を発
生させて、この干渉縞の位相シフタ部と非位相シフタ部
の位相情報より位相シフタの位相量を算出する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図を用いて本発明の実施例
を説明する。図１は本発明の第１の実施例の位相シフト
マスク検査装置の説明図である。検査装置は光源１、光
源１から発せられた光を物体光と参照光に２分割するビ
ームスプリッタ２、参照光の角度を変えるミラー３、位
相シフトマスク５のステージ４、ステージ４のコントロ
ーラ６、対物レンズ７、参照光のシャッタ８とそのコン
トローラ９、参照光の角度を変えるミラー１０とそのコ
ントローラ１４、この光を拡大するレンズ１１、１２、
対物レンズを透過した光を結像するレンズ１３、位相シ
フトマスク５と共役で物体光と参照光が干渉する位置に
あるセンサ１５、センサ１５から得られる画像を処理す
る画像処理部１６、画像処理部１６から得られるデータ
から位相量を算出する位相量算出部１７、位相シフトマ
スク測定点への指令と物体光と参照光のなす角、シャッ
タのオン，オフの指令を出す指令部１８からなる。
を説明する。図１は本発明の第１の実施例の位相シフト
マスク検査装置の説明図である。検査装置は光源１、光
源１から発せられた光を物体光と参照光に２分割するビ
ームスプリッタ２、参照光の角度を変えるミラー３、位
相シフトマスク５のステージ４、ステージ４のコントロ
ーラ６、対物レンズ７、参照光のシャッタ８とそのコン
トローラ９、参照光の角度を変えるミラー１０とそのコ
ントローラ１４、この光を拡大するレンズ１１、１２、
対物レンズを透過した光を結像するレンズ１３、位相シ
フトマスク５と共役で物体光と参照光が干渉する位置に
あるセンサ１５、センサ１５から得られる画像を処理す
る画像処理部１６、画像処理部１６から得られるデータ
から位相量を算出する位相量算出部１７、位相シフトマ
スク測定点への指令と物体光と参照光のなす角、シャッ
タのオン，オフの指令を出す指令部１８からなる。
【００１７】以下に動作を説明する。可干渉性のある光
源１から発せられた光はビームスプリッタ２により参照
光と物体光に分割される。物体光は位相シフトマスクに
照射され対物レンズ７、結像レンズ１３によりセンサ１
５上に位相シフトマスク像が結像する。一方、参照光は
ミラー３、１０、レンズ１１、１２により、例えば、２
次元ＣＣＤであるセンサ１５上に物体光と干渉する大き
さに拡大して、平行光束として照明される。この物体光
と参照光はセンサ１５上で干渉し、パターンとしてライ
ンアンドスペースを用いるのならば、図２に示す干渉縞
画像が画像処理部１６で得られる。画像処理部１６では
得られた画像を用いて位相量算出部１７で位相シフト量
を求める。画像処理部１６で得られたの画像の非位相シ
フタ部５０のＡ−Ａ’断面の信号は図３の実線５４のよ
うに正弦波となる。また、クロムパターン部５１に隣接
した位相シフタ部５２のＢ−Ｂ’断面の信号は図３の破
線５５のように正弦波となる。この二つの信号の位相差
は、２π×ｄ／Ｌで求められ、これはＡ−Ａ’断面の非
位相シフタとＢ−Ｂ’断面の位相シフタの位相量の差と
なるので、Ａ−Ａ’断面の非位相シフタを基準とする
と、Ｂ−Ｂ’断面の位相シフタの位相ずれ量が測定され
る。図２のようなラインアンドスペースパターンでは位
相シフタは、０、π、０、πの順に並んでいるため、５
０と５０‘の断面の信号の平均信号を基準としてこれに
対するＢ−Ｂ’断面の位相シフタの位相ずれ量を測定す
れば、位相量測定の高精度化をはかることができる。こ
のようにして、位相差が０の場所の非位相シフタを基準
として、１画像内の位相シフタの分布が求められる。こ
のデータはすべての位相シフタの分布を求めることがで
きる。この分布結果をもとに、位相シフタ分布が許容値
以内に入っているかの良否を判定し、位相シフトマスク
の良否検査を行うことができる。また、、図４のように
断面で得られた干渉縞信号をＦＦＴし、干渉縞ピッチか
ら決まる周波数の位相を求めれば、これがこの干渉縞信
号の位相情報となるため、Ａ−Ａ’断面の干渉縞信号と
Ｂ−Ｂ’断面の干渉縞信号を各々ＦＦＴし、干渉縞ピッ
チから決まる周波数の位相の差から位相シフタの位相ず
れ量を求めることもできる。さらに、干渉縞ピッチから
決まる周波数成分を周波数０の位置に一致するようにス
ペクトルをシフトして逆ＦＦＴすると、図１２に示す位
相シフタ部５２のＣ−Ｃ’断面の設計値６０に対する局
所的位相分布６１を求めることができる。
源１から発せられた光はビームスプリッタ２により参照
光と物体光に分割される。物体光は位相シフトマスクに
照射され対物レンズ７、結像レンズ１３によりセンサ１
５上に位相シフトマスク像が結像する。一方、参照光は
ミラー３、１０、レンズ１１、１２により、例えば、２
次元ＣＣＤであるセンサ１５上に物体光と干渉する大き
さに拡大して、平行光束として照明される。この物体光
と参照光はセンサ１５上で干渉し、パターンとしてライ
ンアンドスペースを用いるのならば、図２に示す干渉縞
画像が画像処理部１６で得られる。画像処理部１６では
得られた画像を用いて位相量算出部１７で位相シフト量
を求める。画像処理部１６で得られたの画像の非位相シ
フタ部５０のＡ−Ａ’断面の信号は図３の実線５４のよ
うに正弦波となる。また、クロムパターン部５１に隣接
した位相シフタ部５２のＢ−Ｂ’断面の信号は図３の破
線５５のように正弦波となる。この二つの信号の位相差
は、２π×ｄ／Ｌで求められ、これはＡ−Ａ’断面の非
位相シフタとＢ−Ｂ’断面の位相シフタの位相量の差と
なるので、Ａ−Ａ’断面の非位相シフタを基準とする
と、Ｂ−Ｂ’断面の位相シフタの位相ずれ量が測定され
る。図２のようなラインアンドスペースパターンでは位
相シフタは、０、π、０、πの順に並んでいるため、５
０と５０‘の断面の信号の平均信号を基準としてこれに
対するＢ−Ｂ’断面の位相シフタの位相ずれ量を測定す
れば、位相量測定の高精度化をはかることができる。こ
のようにして、位相差が０の場所の非位相シフタを基準
として、１画像内の位相シフタの分布が求められる。こ
のデータはすべての位相シフタの分布を求めることがで
きる。この分布結果をもとに、位相シフタ分布が許容値
以内に入っているかの良否を判定し、位相シフトマスク
の良否検査を行うことができる。また、、図４のように
断面で得られた干渉縞信号をＦＦＴし、干渉縞ピッチか
ら決まる周波数の位相を求めれば、これがこの干渉縞信
号の位相情報となるため、Ａ−Ａ’断面の干渉縞信号と
Ｂ−Ｂ’断面の干渉縞信号を各々ＦＦＴし、干渉縞ピッ
チから決まる周波数の位相の差から位相シフタの位相ず
れ量を求めることもできる。さらに、干渉縞ピッチから
決まる周波数成分を周波数０の位置に一致するようにス
ペクトルをシフトして逆ＦＦＴすると、図１２に示す位
相シフタ部５２のＣ−Ｃ’断面の設計値６０に対する局
所的位相分布６１を求めることができる。
【００１８】また、指令部１８からに信号によりシャッ
タ８で参照光を遮光すると、センサ１５には干渉縞のな
い位相シフトマスク像が結像するため、この画像と設計
データを比較することにより位相シフトマスクのパター
ン検査も行うことができる。
タ８で参照光を遮光すると、センサ１５には干渉縞のな
い位相シフトマスク像が結像するため、この画像と設計
データを比較することにより位相シフトマスクのパター
ン検査も行うことができる。
【００１９】このようにして位相シフト量とパターンの
検査を画像処理により逐次行うことにより、マスク全面
の検査が可能となる。
検査を画像処理により逐次行うことにより、マスク全面
の検査が可能となる。
【００２０】また、光源に異なる２波長の光を用いて上
記位相を測定すれば、これを用いて任意の波長における
位相差を求めることもできる。
記位相を測定すれば、これを用いて任意の波長における
位相差を求めることもできる。
【００２１】図６は実施例の光源１からの光をファイバ
により２分割した実施例である。ファイバを用いること
により参照光を導くスペースを小さくすることができ
る。
により２分割した実施例である。ファイバを用いること
により参照光を導くスペースを小さくすることができ
る。
【００２２】図７は、第２の実施例であるＡＯ変調器に
より周波数の若干異なる二つの光を用いたときの検査装
置の構成である。光源１より発した光は、ＡＯ変調器に
より、第１の波長λとこれと若干波長の異なる第２の波
長λ’の光となる。この光をミラー２７とビームスプリ
ッタ２８により合成し、ミラー２９、レンズ３１を介し
て位相シフトマスク５に照射する。位相シフトマスク５
を透過した光は対物レンズ７、結像レンズ１３により、
ビームスプリッタ３１、３７を介して光電変換素子３
９、３９‘の全面にあるピンホール３８、３８’上に位
相シフトマスク像が結像する。このピンホールを通過し
た光は光電変換素子３９、３９‘でビート信号として検
出される。この二つのビート信号のうち、観察用カメラ
３２に結像した位相シフトマスク像データから指令部３
６より一方を非位相シフト部からの光のみを検出するよ
うに光電変換素子部４０を微動し、他方を位相シフト部
からの光のみを検出するように光電変換素子部４０’を
微動すれば、非位相シフト部及び位相シフト部のビート
信号が得られる。この二つのビート信号は位相測定部３
４に送られ、各々の位相が求められる。二つのビート信
号の位相から位相差測定部３５で位相差が求められる。
この位相差よりすなわち位相シフトの非位相シフトに対
する位相量が求めることができる。
より周波数の若干異なる二つの光を用いたときの検査装
置の構成である。光源１より発した光は、ＡＯ変調器に
より、第１の波長λとこれと若干波長の異なる第２の波
長λ’の光となる。この光をミラー２７とビームスプリ
ッタ２８により合成し、ミラー２９、レンズ３１を介し
て位相シフトマスク５に照射する。位相シフトマスク５
を透過した光は対物レンズ７、結像レンズ１３により、
ビームスプリッタ３１、３７を介して光電変換素子３
９、３９‘の全面にあるピンホール３８、３８’上に位
相シフトマスク像が結像する。このピンホールを通過し
た光は光電変換素子３９、３９‘でビート信号として検
出される。この二つのビート信号のうち、観察用カメラ
３２に結像した位相シフトマスク像データから指令部３
６より一方を非位相シフト部からの光のみを検出するよ
うに光電変換素子部４０を微動し、他方を位相シフト部
からの光のみを検出するように光電変換素子部４０’を
微動すれば、非位相シフト部及び位相シフト部のビート
信号が得られる。この二つのビート信号は位相測定部３
４に送られ、各々の位相が求められる。二つのビート信
号の位相から位相差測定部３５で位相差が求められる。
この位相差よりすなわち位相シフトの非位相シフトに対
する位相量が求めることができる。
【００２３】図８は非位相シフト部でのビート信号に相
当する参照ビート信号を検出する部分を位相シフトマス
クに照射しない箇所に設けた実施例である。本実施例を
用いれば、参照ビート信号を検出するための光電変換素
子部を固定できる。
当する参照ビート信号を検出する部分を位相シフトマス
クに照射しない箇所に設けた実施例である。本実施例を
用いれば、参照ビート信号を検出するための光電変換素
子部を固定できる。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、位相差を求めるために
必要な干渉縞を可動部無しに得ることができるため、高
精度に位相シフトマスクのシフト量を測定することがで
きる。
必要な干渉縞を可動部無しに得ることができるため、高
精度に位相シフトマスクのシフト量を測定することがで
きる。
【図１】本発明の位相シフトマスクの検査装置のブロッ
ク図。
ク図。
【図２】センサ上で得られる画像の例の説明図。
【図３】センサ上で得られる画像の断面の信号の説明
図。
図。
【図４】センサ上で得られる画像の断面の信号をＦＦＴ
したときの例の説明図。
したときの例の説明図。
【図５】センサ上で得られる画像の断面の信号をＦＦＴ
したのち逆ＦＦＴすることで位相差分布を求めた例の説
明図。
したのち逆ＦＦＴすることで位相差分布を求めた例の説
明図。
【図６】光ファイバを用いて光を２分割したときの位相
シフトマスクの検査装置の説明図。
シフトマスクの検査装置の説明図。
【図７】本発明の第２の実施例の位相シフトマスクの検
査装置の説明図。
査装置の説明図。
【図８】本発明の第２の実施例の参照部を別途設けたと
きの位相シフトマスクの検査装置の説明図。
きの位相シフトマスクの検査装置の説明図。
【図９】位相シフトマスクを用いたときのパターンコン
トラストを示す説明図。
トラストを示す説明図。
【図１０】従来のマスクを用いたときのパターンコント
ラストを示す説明図。
ラストを示す説明図。
【図１１】ハーフトーン位相シフトマスクを用いたとき
のパターンコントラストを示す説明図。
のパターンコントラストを示す説明図。
【図１２】位相シフタの局所的分布の測定例の説明図。
１…光源、 ２…ビームスプリッタ、 ３…ミラー、 ４…位相シフタマスクステージ、 ５…位相シフタマスク、 ６…位相シフタマスクステージコントローラ、 ７…対物レンズ、 ８…シャッタ、 ９…シャッタコントローラ、 １０…角度可変ミラー、 １１、１２…レンズ、 １３…結像レンズ、 １４…角度可変ミラーコントローラ、 １５…センサ、 １６…画像処理部、 １７…位相量算出部、 １８…指令部。
Claims (14)
- 【請求項１】位相シフタパターンを有する位相シフトマ
スクにおいて、可干渉性のある光を分岐し、一方の光を
上記位相シフトマスクに照射し、上記位相シフトマスク
からの透過光を結像レンズにより上記位相シフトマスク
と共役な位置で位相シフトマスク像を結像させ、他方の
光を上記位相シフトマスクと共役な位置に角度をつけて
照明し、干渉させ、位相シフタの位相差が異なる複数点
の干渉縞信号の位相差より位相シフタの位相量を測定
し、位相シフトマスクの良否を判定することを特徴とす
る位相シフトマスクの検査方法。 - 【請求項２】可干渉性のある光を分岐する手段と、位相
シフタパターンを有する位相シフトマスクに、一方の光
を照射する手段と、上記位相シフトマスクからの透過光
を結像レンズにより上記位相シフトマスクと共役な位置
で位相シフトマスク像を結像させる手段と、他方の光を
上記位相シフトマスクと共役な位置に角度をつけて照明
する手段と、上記位置で干渉させ干渉縞信号を検出する
手段と、位相シフタの位相差が異なる複数点の干渉縞信
号の位相差より位相シフタの位相量を測定する手段と、
上記検出された位相量から位相シフトマスクの良否を判
定する手段からなることを特徴とする位相シフトマスク
の検査装置。 - 【請求項３】位相シフタパターンを有する位相シフトマ
スクにおいて、可干渉性のある光を分岐し、一方の光を
上記位相シフトマスクに照射し、上記位相シフトマスク
からの透過光を結像レンズにより上記位相シフトマスク
と共役な位置で位相シフトマスク像を結像させ、他方の
光を上記位相シフトマスクと共役な位置に角度をつけて
照明し、干渉させ、位相シフタの位相差が異なる複数点
の干渉縞信号の位相差より位相シフタの位相量を測定す
ることを特徴とする位相シフトマスクの測定方法。 - 【請求項４】可干渉性のある光を分岐する手段と、位相
シフタパターンを有する位相シフトマスクに、一方の光
を照射する手段と、上記位相シフトマスクからの透過光
を結像レンズにより上記位相シフトマスクと共役な位置
で位相シフトマスク像を結像させる手段と、他方の光を
上記位相シフトマスクと共役な位置に角度をつけて照明
する手段と、上記位置で干渉させ干渉縞信号を検出する
手段と、位相シフタの位相差が異なる複数点の干渉縞信
号の位相差より位相シフタの位相量を測定する手段から
なる位相シフトマスクの測定装置。 - 【請求項５】請求項１において、上記干渉縞信号から平
均的な上記位相シフタの位相量を測定する位相シフトマ
スク検査方法。 - 【請求項６】請求項１において、上記干渉縞信号から局
所的な上記位相シフタの位相量を測定する位相シフトマ
スク検査方法。 - 【請求項７】請求項２において、上記干渉縞信号から平
均的な上記位相シフタの位相量を測定する手段を有する
位相シフトマスク検査装置。 - 【請求項８】請求項２において、上記干渉縞信号から局
所的な上記位相シフタの位相量を測定す手段を有する位
相シフトマスク検査装置。 - 【請求項９】請求項１において、上記干渉縞信号から平
均的な上記位相シフタの位相量を測定する位相シフトマ
スク測定方法。 - 【請求項１０】請求項１において、上記干渉縞信号から
局所的な位相シフタの位相量を測定する位相シフトマス
ク測定方法。 - 【請求項１１】請求項２において、上記干渉縞信号から
平均的な位相シフタの位相量を測定する手段を有する位
相シフトマスク測定装置。 - 【請求項１２】請求項２において、上記干渉縞信号から
局所的な位相シフタの位相量を測定す手段を有する位相
シフトマスク測定装置。 - 【請求項１３】位相シフタパターンを有するマスクにお
いて、可干渉性のある光と上記光と波長がわずかに異な
る光を合成してマスクに照射し、マスクからの透過光を
マスクと共役な位置で位相シフタの位相差が異なる複数
点での光を光電変換し、光電変換された信号の位相差よ
り位相シフタの位相量を測定し、位相シフトマスクの良
否を判定することを特徴とする位相シフトマスクの検査
方法。 - 【請求項１４】請求項１３において、可干渉性のある光
と上記光と波長がわずかに異なる光を合成した後に２つ
に分割し、一方をマスクに照射し、マスクからの透過光
をマスクと共役な位置で位相シフタ部の光を光電変換
し、他方の光を光電変換し、光電変換された信号の位相
差より位相シフタの位相量を測定し、位相シフトマスク
の良否を判定する位相シフトマスクの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9058787A JPH10254124A (ja) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | 位相シフトマスクの検査方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9058787A JPH10254124A (ja) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | 位相シフトマスクの検査方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10254124A true JPH10254124A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13094294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9058787A Pending JPH10254124A (ja) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | 位相シフトマスクの検査方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10254124A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003015270A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-15 | Raitoron Kk | 位相シフトマスク検査装置及び位相シフトマスク検査方法 |
| US7406198B2 (en) | 2003-03-25 | 2008-07-29 | Fujitsu Limited | Image capture apparatus |
| KR20220043339A (ko) | 2020-09-29 | 2022-04-05 | (주)엘립소테크놀러지 | 블랭크 위상변위 마스크 시료의 위상변위 측정장치 |
-
1997
- 1997-03-13 JP JP9058787A patent/JPH10254124A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003015270A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-15 | Raitoron Kk | 位相シフトマスク検査装置及び位相シフトマスク検査方法 |
| US7406198B2 (en) | 2003-03-25 | 2008-07-29 | Fujitsu Limited | Image capture apparatus |
| KR20220043339A (ko) | 2020-09-29 | 2022-04-05 | (주)엘립소테크놀러지 | 블랭크 위상변위 마스크 시료의 위상변위 측정장치 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |