JPH10254383A - 半導体装置及び有機ｅｌディスプレイ装置 - Google Patents
半導体装置及び有機ｅｌディスプレイ装置Info
- Publication number
- JPH10254383A JPH10254383A JP9053243A JP5324397A JPH10254383A JP H10254383 A JPH10254383 A JP H10254383A JP 9053243 A JP9053243 A JP 9053243A JP 5324397 A JP5324397 A JP 5324397A JP H10254383 A JPH10254383 A JP H10254383A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- wiring
- titanium nitride
- film transistor
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
- H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
- H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
- H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】有機ＥＬディスプレイ装置の微細化、高解像度
化をはかるための半導体装置を提供すること。 【解決手段】ソース領域１０５、ドレイン領域１０７、
ゲート電極１０４を具備する薄膜トランジスタと、これ
に接続される上層配線との間に、上に窒化チタン薄膜を
積層したタングステンよりなるバリアメタル１０８を設
けることを特徴とする。
化をはかるための半導体装置を提供すること。 【解決手段】ソース領域１０５、ドレイン領域１０７、
ゲート電極１０４を具備する薄膜トランジスタと、これ
に接続される上層配線との間に、上に窒化チタン薄膜を
積層したタングステンよりなるバリアメタル１０８を設
けることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機エレクトロルミ
ネセンス（ＥＬ）ディスプレイ装置に使用される薄膜ト
ランジスタ回路の如き半導体装置に係り、特に有機ＥＬ
ディスプレイ装置の微細化、高解像度化等の性能向上を
はかる半導体装置に関する。
ネセンス（ＥＬ）ディスプレイ装置に使用される薄膜ト
ランジスタ回路の如き半導体装置に係り、特に有機ＥＬ
ディスプレイ装置の微細化、高解像度化等の性能向上を
はかる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年において、有機ＥＬ素子を用いたデ
ィスプレイ装置が開発されている。有機ＥＬ素子を多数
使用した有機ＥＬディスプレイをアクティブマトリック
ス回路により駆動する場合、各有機ＥＬのピクセル（画
素）には、このピクセルに対して供給する電流を制御す
るための薄膜トランジスタが一組ずつ接続される。
ィスプレイ装置が開発されている。有機ＥＬ素子を多数
使用した有機ＥＬディスプレイをアクティブマトリック
ス回路により駆動する場合、各有機ＥＬのピクセル（画
素）には、このピクセルに対して供給する電流を制御す
るための薄膜トランジスタが一組ずつ接続される。
【０００３】従来のアクティブマトリックス型の有機Ｅ
Ｌディスプレイ装置の回路図の一例を図６に示す（特開
平８−２３４６８３号公報）。この有機ＥＬディスプレ
イ装置は、Ｘ方向信号線３０１−１、３０１−２・・
・、Ｙ方向信号線３０２−１、３０２−２・・・、電源
（Ｖｄｄ）線３０３−１、３０３−２・・・、スイッチ
用薄膜トランジスタ３０４−１、３０４−２・・・、電
流制御用薄膜トランジスタ３０５−１、３０５−２・・
・、有機ＥＬ素子３０６−１、３０６−２・・・、コン
デンサ３０７−１、３０７−２・・・、Ｘ方向周辺駆動
回路３０８、Ｙ方向周辺駆動回路３０９等により構成さ
れる。
Ｌディスプレイ装置の回路図の一例を図６に示す（特開
平８−２３４６８３号公報）。この有機ＥＬディスプレ
イ装置は、Ｘ方向信号線３０１−１、３０１−２・・
・、Ｙ方向信号線３０２−１、３０２−２・・・、電源
（Ｖｄｄ）線３０３−１、３０３−２・・・、スイッチ
用薄膜トランジスタ３０４−１、３０４−２・・・、電
流制御用薄膜トランジスタ３０５−１、３０５−２・・
・、有機ＥＬ素子３０６−１、３０６−２・・・、コン
デンサ３０７−１、３０７−２・・・、Ｘ方向周辺駆動
回路３０８、Ｙ方向周辺駆動回路３０９等により構成さ
れる。
【０００４】Ｘ方向信号線３０１、Ｙ方向信号線３０２
により画素が特定され、その画素においてスイッチ用薄
膜トランジスタ３０４がオンにされる。これにより電流
制御用薄膜トランジスタ３０５がオンにされ、電源線３
０３より供給される電流により有機ＥＬ素子３０６に電
流が流れ、これが発光される。
により画素が特定され、その画素においてスイッチ用薄
膜トランジスタ３０４がオンにされる。これにより電流
制御用薄膜トランジスタ３０５がオンにされ、電源線３
０３より供給される電流により有機ＥＬ素子３０６に電
流が流れ、これが発光される。
【０００５】例えばＸ方向信号線３０１−１に画像デー
タに応じた信号が出力され、Ｙ方向信号線３０２−１に
Ｙ方向走査信号が出力されると、これにより特定された
画素のスイッチ用薄膜トランジスタ３０４−１がオンに
なり、画像データに応じた信号により電流制御用薄膜ト
ランジスタ３０５−１が導通されて有機ＥＬ素子３０６
−１にこの画像データに応じた電流が流れ、発光され
る。
タに応じた信号が出力され、Ｙ方向信号線３０２−１に
Ｙ方向走査信号が出力されると、これにより特定された
画素のスイッチ用薄膜トランジスタ３０４−１がオンに
なり、画像データに応じた信号により電流制御用薄膜ト
ランジスタ３０５−１が導通されて有機ＥＬ素子３０６
−１にこの画像データに応じた電流が流れ、発光され
る。
【０００６】図６から明らかなように、アクティブマト
リックス回路を構成する場合、Ｘ方向周辺駆動回路３０
８からの配線及びＹ方向周辺駆動回路３０９からの配
線、電源（Ｖｄｄ）からの配線が必ず交差するため、こ
れらの配線が短絡しないように配線は層間絶縁膜を介し
た２層以上の積層構造とする必要がある。
リックス回路を構成する場合、Ｘ方向周辺駆動回路３０
８からの配線及びＹ方向周辺駆動回路３０９からの配
線、電源（Ｖｄｄ）からの配線が必ず交差するため、こ
れらの配線が短絡しないように配線は層間絶縁膜を介し
た２層以上の積層構造とする必要がある。
【０００７】この際、下層の配線の下面は、薄膜トラン
ジスタのシリコン活性層あるいはゲート電極シリコン層
と接続される。また下層配線の上面は上層の電極配線あ
るいはＥＬ画素の透明電極と接続される。
ジスタのシリコン活性層あるいはゲート電極シリコン層
と接続される。また下層配線の上面は上層の電極配線あ
るいはＥＬ画素の透明電極と接続される。
【０００８】従って下層配線の材料には配線として低抵
抗であること以外に、シリコンのアルミニウム配線中へ
の拡散を防ぐためのバリアメタルとしての機能、層間絶
縁膜のコンタクトホール開口エッチング時におけるダメ
ージ即ちウエットエッチング時においてはフッ化アンモ
ニウムにエッチングされない対薬品性、ドライエッチン
グ時においては層間絶縁膜との十分な選択比（エッチン
グ速度の比）が必要であること等の条件に耐えるととも
に、かつその後の上層配線と電気的に接続が可能な安定
性が求められる。
抗であること以外に、シリコンのアルミニウム配線中へ
の拡散を防ぐためのバリアメタルとしての機能、層間絶
縁膜のコンタクトホール開口エッチング時におけるダメ
ージ即ちウエットエッチング時においてはフッ化アンモ
ニウムにエッチングされない対薬品性、ドライエッチン
グ時においては層間絶縁膜との十分な選択比（エッチン
グ速度の比）が必要であること等の条件に耐えるととも
に、かつその後の上層配線と電気的に接続が可能な安定
性が求められる。
【０００９】また層間膜成膜時に係る熱ストレスに対し
てもヒロックの発生、つまり材料が結晶化して突出部分
が形成されないことが要求される。そして他の材料と反
応を起こし易いＩＴＯ（酸化インジューム・スズ）等の
透明電極とも安定に電気的接続ができる必要もある。
てもヒロックの発生、つまり材料が結晶化して突出部分
が形成されないことが要求される。そして他の材料と反
応を起こし易いＩＴＯ（酸化インジューム・スズ）等の
透明電極とも安定に電気的接続ができる必要もある。
【００１０】従来の有機ＥＬディスプレイ用の薄膜トラ
ンジスタ回路では、これらの機能を有する材料として、
５０ａｔｍ％以下の窒素を含有させた窒化チタンを使用
していた。
ンジスタ回路では、これらの機能を有する材料として、
５０ａｔｍ％以下の窒素を含有させた窒化チタンを使用
していた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このような有機ＥＬデ
ィスプレイにおいて、下層配線の材料に窒化チタンを使
用した場合、抵抗が少し大きく、比抵抗で９０μΩ・ｃ
ｍ、シート抵抗で５Ω／口以上であり、下層配線として
使用した場合、抵抗値を下げるため、膜厚を例えば２５
００Å以上に厚くする必要がある。
ィスプレイにおいて、下層配線の材料に窒化チタンを使
用した場合、抵抗が少し大きく、比抵抗で９０μΩ・ｃ
ｍ、シート抵抗で５Ω／口以上であり、下層配線として
使用した場合、抵抗値を下げるため、膜厚を例えば２５
００Å以上に厚くする必要がある。
【００１２】一方窒化チタンは、加工が非常に難しく、
ドライエッチングで膜厚の厚い窒化チタンを加工した場
合、処理時間が長くなって窒化チタン以外の部分に対す
るダメージが大きい上に、段差側壁に窒化チタン膜が残
ってショートが発生し易くなって電気不良を多発した。
ドライエッチングで膜厚の厚い窒化チタンを加工した場
合、処理時間が長くなって窒化チタン以外の部分に対す
るダメージが大きい上に、段差側壁に窒化チタン膜が残
ってショートが発生し易くなって電気不良を多発した。
【００１３】またウエットエッチングで加工した場合に
はエッチングダメージや段差側壁部の膜残りの問題はな
くなるが、現在使用されている仕様以上の微細化・高解
像度化は不可能であった。
はエッチングダメージや段差側壁部の膜残りの問題はな
くなるが、現在使用されている仕様以上の微細化・高解
像度化は不可能であった。
【００１４】このように、窒化チタンでは、現在使用さ
れている仕様以上の有機ＥＬディスプレイの微細化、高
解像度化をはかることは不可能であった。従って、本発
明の目的は、有機ＥＬディスプレイの一層の微細化、高
解像度化をはかることが可能であるのみならず、高信頼
性を可能にした配線材料を用いた半導体装置を提供する
ことである。
れている仕様以上の有機ＥＬディスプレイの微細化、高
解像度化をはかることは不可能であった。従って、本発
明の目的は、有機ＥＬディスプレイの一層の微細化、高
解像度化をはかることが可能であるのみならず、高信頼
性を可能にした配線材料を用いた半導体装置を提供する
ことである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】このような本発明の目的
は、下記の如き構成により達成することができる。 （１）ソース・ドレイン及びゲートを具備する薄膜トラ
ンジスタと、これに接続される上層配線との間に、上に
窒化チタン薄膜を積層したタングステンよりなるバリア
メタルを有することを特徴とする半導体装置。
は、下記の如き構成により達成することができる。 （１）ソース・ドレイン及びゲートを具備する薄膜トラ
ンジスタと、これに接続される上層配線との間に、上に
窒化チタン薄膜を積層したタングステンよりなるバリア
メタルを有することを特徴とする半導体装置。
【００１６】（２）ソース・ドレイン及びゲートを具備
する薄膜トランジスタと、これに接続される上層配線と
の間に、上に窒化チタン薄膜を積層したタングステンよ
りなる下層配線を有することを特徴とする半導体装置。
する薄膜トランジスタと、これに接続される上層配線と
の間に、上に窒化チタン薄膜を積層したタングステンよ
りなる下層配線を有することを特徴とする半導体装置。
【００１７】（３）有機ＥＬ素子と、これに接続された
電流制御用薄膜トランジスタを具備するアクティブマト
リックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置において、
前記電流制御用薄膜トランジスタと前記有機ＥＬ素子を
構成する透明電極との間を、上に窒化チタン薄膜を積層
したタングステンよりなる配線により接続することを特
徴とする有機ＥＬディスプレイ装置。
電流制御用薄膜トランジスタを具備するアクティブマト
リックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置において、
前記電流制御用薄膜トランジスタと前記有機ＥＬ素子を
構成する透明電極との間を、上に窒化チタン薄膜を積層
したタングステンよりなる配線により接続することを特
徴とする有機ＥＬディスプレイ装置。
【００１８】（４）ソース・ドレイン及びゲートを具備
する薄膜トランジスタと、これに接続された、上に窒化
チタン薄膜を積層したタングステンよりなる配線を形成
し、下層配線と層間絶縁膜を介して交差する上層アルミ
ニウム配線を設けるとともに、前記下層配線を、上に窒
化チタンを積層したタングステンにより構成し、この下
層配線をアルミニウム配線と接続したことを特徴とする
半導体装置。
する薄膜トランジスタと、これに接続された、上に窒化
チタン薄膜を積層したタングステンよりなる配線を形成
し、下層配線と層間絶縁膜を介して交差する上層アルミ
ニウム配線を設けるとともに、前記下層配線を、上に窒
化チタンを積層したタングステンにより構成し、この下
層配線をアルミニウム配線と接続したことを特徴とする
半導体装置。
【００１９】（５）ソース・ドレイン及びゲートを具備
する薄膜トランジスタと、これに接続される上層配線と
の間に、上に窒化チタン薄膜を積層したモリブデンより
なるバリアメタルを有することを特徴とする半導体装
置。
する薄膜トランジスタと、これに接続される上層配線と
の間に、上に窒化チタン薄膜を積層したモリブデンより
なるバリアメタルを有することを特徴とする半導体装
置。
【００２０】（６）ソース・ドレイン及びゲートを具備
する薄膜トランジスタと、これに接続される上層配線と
の間に、上に窒化チタン薄膜を積層したモリブデンより
なる下層配線を有することを特徴とする半導体装置。
する薄膜トランジスタと、これに接続される上層配線と
の間に、上に窒化チタン薄膜を積層したモリブデンより
なる下層配線を有することを特徴とする半導体装置。
【００２１】（７）有機ＥＬ素子と、これに接続された
電流制御用薄膜トランジスタを具備するアクティブマト
リックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置において、
前記電流制御用薄膜トランジスタと前記有機ＥＬ素子を
構成する透明電極との間を、上に窒化チタン薄膜を積層
したモリブデンよりなる配線により接続することを特徴
とする有機ＥＬディスプレイ装置。
電流制御用薄膜トランジスタを具備するアクティブマト
リックス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置において、
前記電流制御用薄膜トランジスタと前記有機ＥＬ素子を
構成する透明電極との間を、上に窒化チタン薄膜を積層
したモリブデンよりなる配線により接続することを特徴
とする有機ＥＬディスプレイ装置。
【００２２】（８）ソース・ドレイン及びゲートを具備
する薄膜トランジスタと、これに接続された、上に窒化
チタン薄膜を積層したモリブデンよりなる配線を形成
し、下層配線と層間絶縁膜を介して交差する上層アルミ
ニウム配線を設けるとともに、前記下層配線を、上に窒
化チタン薄膜を積層したモリブデンにより構成し、この
下層配線をアルミニウム配線と接続したことを特徴とす
る半導体装置。
する薄膜トランジスタと、これに接続された、上に窒化
チタン薄膜を積層したモリブデンよりなる配線を形成
し、下層配線と層間絶縁膜を介して交差する上層アルミ
ニウム配線を設けるとともに、前記下層配線を、上に窒
化チタン薄膜を積層したモリブデンにより構成し、この
下層配線をアルミニウム配線と接続したことを特徴とす
る半導体装置。
【００２３】このように薄膜トランジスタの活性層と上
層アルミニウム配線との間に窒化チタンとタングステン
を積層した膜、あるいは窒化チタンとモリブデンを積層
した膜を設けたので、耐熱、耐薬品性の安定した特性
の、しかも窒化チタン単層に比較して比抵抗を大幅に減
少したものとすることができるので配線を微細化するこ
とができる。
層アルミニウム配線との間に窒化チタンとタングステン
を積層した膜、あるいは窒化チタンとモリブデンを積層
した膜を設けたので、耐熱、耐薬品性の安定した特性
の、しかも窒化チタン単層に比較して比抵抗を大幅に減
少したものとすることができるので配線を微細化するこ
とができる。
【００２４】また有機ＥＬ素子の透明電極との接続に窒
化チタンとタングステンを積層した膜、あるいは窒化チ
タンとモリブデンを積層した膜を設けたので、エッチン
グ時に電食を起こし易く、酸化作用により接触不良を起
こし易い透明電極との接続を安定して行うことができ
る。
化チタンとタングステンを積層した膜、あるいは窒化チ
タンとモリブデンを積層した膜を設けたので、エッチン
グ時に電食を起こし易く、酸化作用により接触不良を起
こし易い透明電極との接続を安定して行うことができ
る。
【００２５】さらに配線交差部の下層に、窒化チタンと
タングステンを積層した膜、あるいは窒化チタンとモリ
ブデンを積層した膜を設けたので、その後の層間絶縁膜
形成に伴う熱ストレスを受けても、また電流を流して
も、アルミニウムのようにヒロックやエレクトロマイグ
レーションを発生せず、上部のアルミニウム配線との短
絡や断線の生じることがない。
タングステンを積層した膜、あるいは窒化チタンとモリ
ブデンを積層した膜を設けたので、その後の層間絶縁膜
形成に伴う熱ストレスを受けても、また電流を流して
も、アルミニウムのようにヒロックやエレクトロマイグ
レーションを発生せず、上部のアルミニウム配線との短
絡や断線の生じることがない。
【００２６】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態を図１
に基づき説明する。第１の実施の形態では、薄膜トラン
ジスタのバリアメタル部分、配線部分あるいは有機ＥＬ
部分の透明電極との配線部分にタングステンと窒化チタ
ンを積層した材料を使用した例を示し、図６における電
流制御用薄膜トランジスタ３０５と、有機ＥＬ素子３０
６に対する部分を示す。
に基づき説明する。第１の実施の形態では、薄膜トラン
ジスタのバリアメタル部分、配線部分あるいは有機ＥＬ
部分の透明電極との配線部分にタングステンと窒化チタ
ンを積層した材料を使用した例を示し、図６における電
流制御用薄膜トランジスタ３０５と、有機ＥＬ素子３０
６に対する部分を示す。
【００２７】図１（Ａ）に示す如く、まず基板１０１上
に通常の固相成長法により多結晶シリコン薄膜を形成
し、この多結晶シリコン薄膜を島状に加工してシリコン
活性層１０２を得る。この基板１０１としては、例えば
石英基板を使用することができる。
に通常の固相成長法により多結晶シリコン薄膜を形成
し、この多結晶シリコン薄膜を島状に加工してシリコン
活性層１０２を得る。この基板１０１としては、例えば
石英基板を使用することができる。
【００２８】次に、このシリコン活性層１０２の上にＳ
ｉＯ2 よりなるゲート酸化膜１０３、Ｐをドープしたポ
リシリコンよりなるゲート電極１０４を形成する。その
後シリコン活性層１０２に不純物を選択的にドープして
ソース領域１０５、チャネル形成領域１０６及びドレイ
ン領域１０７が形成される。
ｉＯ2 よりなるゲート酸化膜１０３、Ｐをドープしたポ
リシリコンよりなるゲート電極１０４を形成する。その
後シリコン活性層１０２に不純物を選択的にドープして
ソース領域１０５、チャネル形成領域１０６及びドレイ
ン領域１０７が形成される。
【００２９】それから図１（Ｂ）に示す如く、ゲート絶
縁膜１０３にエッチング処理を施し、ソース領域、ドレ
イン領域、ゲート領域に開口を設ける。そしてタングス
テンを１００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さで基
板全面にスパッタリングにより成膜形成し、それに連続
して窒化チタンをスパッタリングにより成膜する。この
場合、窒素を５０ａｔｍ％以下含有する、例えば４０ａ
ｔｍ％含有する窒化チタンを膜厚５０〜１０００Å、例
えば３００Åの厚さで、基板全面に成膜した。
縁膜１０３にエッチング処理を施し、ソース領域、ドレ
イン領域、ゲート領域に開口を設ける。そしてタングス
テンを１００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さで基
板全面にスパッタリングにより成膜形成し、それに連続
して窒化チタンをスパッタリングにより成膜する。この
場合、窒素を５０ａｔｍ％以下含有する、例えば４０ａ
ｔｍ％含有する窒化チタンを膜厚５０〜１０００Å、例
えば３００Åの厚さで、基板全面に成膜した。
【００３０】その後、このタングステンと窒化チタンの
積層膜を例えばドライエッチング処理して、ソース領域
１０５とドレイン領域１０７とゲート領域１０６、基板
１０１上で、バリアメタル１０８あるいは下層配線１０
９として、所望の形状にエッチングした。そしてこの上
に層間絶縁膜１１０として、例えばＰＳＧ（リンシリケ
ートガラス）膜を例えば４０００Åの厚さで全面に成膜
した。
積層膜を例えばドライエッチング処理して、ソース領域
１０５とドレイン領域１０７とゲート領域１０６、基板
１０１上で、バリアメタル１０８あるいは下層配線１０
９として、所望の形状にエッチングした。そしてこの上
に層間絶縁膜１１０として、例えばＰＳＧ（リンシリケ
ートガラス）膜を例えば４０００Åの厚さで全面に成膜
した。
【００３１】そしてこの層間絶縁膜１１０をエッチング
処理して、先の下層配線１０９上の部分、バリアメタル
１０８上の部分等の層間絶縁膜１１０を除去し、上層配
線用のアルミニウムを５０００Åスパッタリングにより
成膜する。そしてこのアルミニウム膜をエッチング処理
して、必要な上層配線１１１が形成される。
処理して、先の下層配線１０９上の部分、バリアメタル
１０８上の部分等の層間絶縁膜１１０を除去し、上層配
線用のアルミニウムを５０００Åスパッタリングにより
成膜する。そしてこのアルミニウム膜をエッチング処理
して、必要な上層配線１１１が形成される。
【００３２】それから図１（Ｃ）に示す如く、第２の層
間絶縁膜１１２として、例えばＮＳＧ（ノンシリケート
ガラス）を厚さ３０００Åの厚さで全面にＣＶＤ（ケミ
カルベーパーディポシット）により成膜する。そして必
要に応じて先の下層配線上、上層配線アルミニウム上及
びＥＬ画素形成領域の、この第２の層間絶縁膜１１２を
エッチング処理により除去し、電気配線を可能にする。
間絶縁膜１１２として、例えばＮＳＧ（ノンシリケート
ガラス）を厚さ３０００Åの厚さで全面にＣＶＤ（ケミ
カルベーパーディポシット）により成膜する。そして必
要に応じて先の下層配線上、上層配線アルミニウム上及
びＥＬ画素形成領域の、この第２の層間絶縁膜１１２を
エッチング処理により除去し、電気配線を可能にする。
【００３３】その後に、図１（Ｄ）に示す如く、透明電
極１１３用の電極材料、例えばＩＴＯを全面に成膜し、
ＥＬ画素領域に、該電流制御用薄膜トランジスタのドレ
イン電極からの下層配線１０９と接続されるようにウエ
ットエッチングして透明電極１１３を形成する。そして
有機ＥＬ層１１４と有機ＥＬ素子の上部共通電極１１５
を、画素領域全面にメタルマスクが設けられた状態で真
空蒸着法により形成する。この上部共通電極１１５は、
例えば銀を含むマグネシウム膜により構成される。
極１１３用の電極材料、例えばＩＴＯを全面に成膜し、
ＥＬ画素領域に、該電流制御用薄膜トランジスタのドレ
イン電極からの下層配線１０９と接続されるようにウエ
ットエッチングして透明電極１１３を形成する。そして
有機ＥＬ層１１４と有機ＥＬ素子の上部共通電極１１５
を、画素領域全面にメタルマスクが設けられた状態で真
空蒸着法により形成する。この上部共通電極１１５は、
例えば銀を含むマグネシウム膜により構成される。
【００３４】その後必要に応じ、信頼性向上のための例
えばアルミニウムの保護膜の形成を行い、有機ＥＬディ
スプレイ装置が構成される。このようにして、バリアメ
タル、下層配線等を、窒化チタンに比較して、抵抗値の
小さなタングステンを含む材料で積層構成して、しかも
有機ＥＬ素子と共用してもバリアメタルとしてクロムを
使用した場合のようなバリアメタルの溶出が生じないよ
うな材料で構成することができるので、有機ＥＬ装置の
微細化、高解像度化をはかることができる。
えばアルミニウムの保護膜の形成を行い、有機ＥＬディ
スプレイ装置が構成される。このようにして、バリアメ
タル、下層配線等を、窒化チタンに比較して、抵抗値の
小さなタングステンを含む材料で積層構成して、しかも
有機ＥＬ素子と共用してもバリアメタルとしてクロムを
使用した場合のようなバリアメタルの溶出が生じないよ
うな材料で構成することができるので、有機ＥＬ装置の
微細化、高解像度化をはかることができる。
【００３５】本発明の第２の実施の形態を図２にもとづ
き説明する。第２の実施の形態ではソース領域１０５、
ゲート領域１０６、ドレイン領域１０７、ゲート酸化膜
１０３、ゲート電極１０４により構成される薄膜トラン
ジスタのソース電極、ドレイン電極に、前記第１の実施
の形態と同様にタングステンと窒化チタンの積層膜によ
りバリアメタル１０８あるいは下層配線１０９−１を形
成する。そして上層アルミニウム配線となるアルミニウ
ム配線１１１−０、１１１−１、１１１−２を形成し、
ＮＳＧで構成される第２層間絶縁膜１１２をその上に形
成する。なお１１０はＰＳＧで構成される第１層間絶縁
膜である。
き説明する。第２の実施の形態ではソース領域１０５、
ゲート領域１０６、ドレイン領域１０７、ゲート酸化膜
１０３、ゲート電極１０４により構成される薄膜トラン
ジスタのソース電極、ドレイン電極に、前記第１の実施
の形態と同様にタングステンと窒化チタンの積層膜によ
りバリアメタル１０８あるいは下層配線１０９−１を形
成する。そして上層アルミニウム配線となるアルミニウ
ム配線１１１−０、１１１−１、１１１−２を形成し、
ＮＳＧで構成される第２層間絶縁膜１１２をその上に形
成する。なお１１０はＰＳＧで構成される第１層間絶縁
膜である。
【００３６】このようにして抵抗値の小さいタングステ
ンと窒化チタンの積層膜により下層配線を、バリアメタ
ルと同時に形成することができるので下層配線をアルミ
ニウムで作る必要がなく、特別に下層配線をアルミニウ
ムで構成する場合に比較して製造コストを抑制すること
ができる。
ンと窒化チタンの積層膜により下層配線を、バリアメタ
ルと同時に形成することができるので下層配線をアルミ
ニウムで作る必要がなく、特別に下層配線をアルミニウ
ムで構成する場合に比較して製造コストを抑制すること
ができる。
【００３７】本発明の第３の実施の形態を図３にもとづ
き説明する。第３の実施の形態ではソース領域１２１、
ゲート領域１２２、ドレイン領域１２３、ゲート酸化膜
１２４、ゲート電極１２５を具備する第１薄膜トランジ
スタのドレイン出力信号を、ソース領域又はドレイン領
域１３１、ゲート酸化膜１３２、ゲート電極１３３を具
備する第２薄膜トランジスタのゲート電極に伝達すると
き、前記第１の実施の形態と同様にタングステンと窒化
チタンの積層膜により形成された下層配線１０９−１に
よりこの伝達用の配線を構成したものである。
き説明する。第３の実施の形態ではソース領域１２１、
ゲート領域１２２、ドレイン領域１２３、ゲート酸化膜
１２４、ゲート電極１２５を具備する第１薄膜トランジ
スタのドレイン出力信号を、ソース領域又はドレイン領
域１３１、ゲート酸化膜１３２、ゲート電極１３３を具
備する第２薄膜トランジスタのゲート電極に伝達すると
き、前記第１の実施の形態と同様にタングステンと窒化
チタンの積層膜により形成された下層配線１０９−１に
よりこの伝達用の配線を構成したものである。
【００３８】図３は、図６に示すスイッチ用薄膜トラン
ジスタ３０４と電流制御用薄膜トランジスタ３０５の接
続状態を示すものである。このように薄膜トランジスタ
間の配線回路を、抵抗値の小さいタングステンと窒化チ
タンの積層膜により、バリアメタルと同時に形成するこ
とができるので、このような薄膜トランジスタ間の配線
回路をアルミニウム配線により構成する場合に比較して
製造コストを低下することができる。
ジスタ３０４と電流制御用薄膜トランジスタ３０５の接
続状態を示すものである。このように薄膜トランジスタ
間の配線回路を、抵抗値の小さいタングステンと窒化チ
タンの積層膜により、バリアメタルと同時に形成するこ
とができるので、このような薄膜トランジスタ間の配線
回路をアルミニウム配線により構成する場合に比較して
製造コストを低下することができる。
【００３９】本発明の第４の実施の形態を図４にもとづ
き説明する。第４の実施の形態では、前記の如きそのバ
リアメタルをタングステンと窒化チタンの積層膜により
形成された薄膜トランジスタ（図示省略）を有する半導
体装置において、下層配線１４１を、このタングステン
と窒化チタンの積層膜により構成するものである。図４
において、１０１は基板、１１０はＰＳＧにより構成さ
れる第１層間絶縁膜、１１２はＮＳＧで構成される第２
層間絶縁膜、１４２、１４３、１４４はそれぞれ上層ア
ルミニウム配線である。
き説明する。第４の実施の形態では、前記の如きそのバ
リアメタルをタングステンと窒化チタンの積層膜により
形成された薄膜トランジスタ（図示省略）を有する半導
体装置において、下層配線１４１を、このタングステン
と窒化チタンの積層膜により構成するものである。図４
において、１０１は基板、１１０はＰＳＧにより構成さ
れる第１層間絶縁膜、１１２はＮＳＧで構成される第２
層間絶縁膜、１４２、１４３、１４４はそれぞれ上層ア
ルミニウム配線である。
【００４０】このように上層配線部分と交差する下層配
線を、バリアメタルと同時にタングステンと窒化チタン
の積層膜により構成することができるので、この交差す
る下層部分を特別にアルミニウムで構成する場合に比較
して製造コストを安くすることができる。
線を、バリアメタルと同時にタングステンと窒化チタン
の積層膜により構成することができるので、この交差す
る下層部分を特別にアルミニウムで構成する場合に比較
して製造コストを安くすることができる。
【００４１】本発明の第５の実施の形態を図５にもとづ
き説明する。第５の実施の形態では、前記第１の実施の
形態におけるタングステンと窒化チタンの積層膜の代わ
りに、モリブデンと窒化チタンの積層膜を使用したもの
であり、この構成を除き同一のため簡単に説明する。
き説明する。第５の実施の形態では、前記第１の実施の
形態におけるタングステンと窒化チタンの積層膜の代わ
りに、モリブデンと窒化チタンの積層膜を使用したもの
であり、この構成を除き同一のため簡単に説明する。
【００４２】図５（Ａ）に示す如く、基板１０１上に多
結晶シリコン薄膜を形成し、島状に加工してシリコン活
性層１０２を得る。この上にゲート酸化膜１０３、ゲー
ト電極１０４を形成し、シリコン活性層１０２に不純物
を選択的にドープしてソース領域１０５、チャネル形成
領域１０６及びドレイン領域１０７を形成する。
結晶シリコン薄膜を形成し、島状に加工してシリコン活
性層１０２を得る。この上にゲート酸化膜１０３、ゲー
ト電極１０４を形成し、シリコン活性層１０２に不純物
を選択的にドープしてソース領域１０５、チャネル形成
領域１０６及びドレイン領域１０７を形成する。
【００４３】次に図５（Ｂ）に示す如く、ゲート酸化膜
１０３にエッチング処理を施し、ソース領域、ドレイン
領域、ゲート領域に開口を設ける。そしてモリブデンを
１００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さで基板全面
にスパッタリングにより成膜し、それに連続して窒化チ
タンをスパッタリングにより成膜する。この場合、窒素
を５０ａｔｍ％以下含有する、例えば４０ａｔｍ％含有
する窒化チタンを膜厚５０〜１０００Å、例えば３００
Åの厚さで、基板全面に成膜した。
１０３にエッチング処理を施し、ソース領域、ドレイン
領域、ゲート領域に開口を設ける。そしてモリブデンを
１００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さで基板全面
にスパッタリングにより成膜し、それに連続して窒化チ
タンをスパッタリングにより成膜する。この場合、窒素
を５０ａｔｍ％以下含有する、例えば４０ａｔｍ％含有
する窒化チタンを膜厚５０〜１０００Å、例えば３００
Åの厚さで、基板全面に成膜した。
【００４４】その後、モリブデンと窒化チタンの積層膜
を例えばドライエッチング処理して、ソース領域１０５
とドレイン領域１０７とゲート領域１０６、基板１０１
上で、バリアメタル１０８′あるいは下層配線１０９′
として所望の形状にエッチングし、この上に層間絶縁膜
１１０としてＰＳＧ膜を例えば４０００Åの厚さで全面
に成膜した。
を例えばドライエッチング処理して、ソース領域１０５
とドレイン領域１０７とゲート領域１０６、基板１０１
上で、バリアメタル１０８′あるいは下層配線１０９′
として所望の形状にエッチングし、この上に層間絶縁膜
１１０としてＰＳＧ膜を例えば４０００Åの厚さで全面
に成膜した。
【００４５】そしてこの層間絶縁膜１１０をエッチング
処理し、先の下層配線１０９′上の部分、バリアメタル
１０８′上の部分等の層間絶縁膜１１０を除去し、上部
配線用のアルミニウムを５０００Åスパッタリングで成
膜する。そしてこのアルミニウム膜をエッチング処理し
て、必要な上層配線１１１を形成する。
処理し、先の下層配線１０９′上の部分、バリアメタル
１０８′上の部分等の層間絶縁膜１１０を除去し、上部
配線用のアルミニウムを５０００Åスパッタリングで成
膜する。そしてこのアルミニウム膜をエッチング処理し
て、必要な上層配線１１１を形成する。
【００４６】それから、図５（Ｃ）に示す如く、第２の
層間絶縁膜１１２として、ＮＳＧを厚さ３０００Åで全
面にＣＶＤにより成膜し、必要に応じて先の下層配線
上、上層配線アルミニウム上及びＥＬ画素形成領域の、
この第２の層間絶縁膜１１２をエッチング処理により除
去し、電気配線を可能にする。
層間絶縁膜１１２として、ＮＳＧを厚さ３０００Åで全
面にＣＶＤにより成膜し、必要に応じて先の下層配線
上、上層配線アルミニウム上及びＥＬ画素形成領域の、
この第２の層間絶縁膜１１２をエッチング処理により除
去し、電気配線を可能にする。
【００４７】その後に図５（Ｄ）に示す如く、透明電極
１１３用のＩＴＯを全面に成膜し、ＥＬ画素領域にウエ
ットエッチングして透明電極１１３を形成する。そして
有機ＥＬ層１１４と有機ＥＬ素子の上部共通電極１１５
を、画素領域全面にメタルマスクが設けられた状態で真
空蒸着法により形成する。この上部共通電極１１５は、
例えば銀を含むマグネシウム膜により構成される。
１１３用のＩＴＯを全面に成膜し、ＥＬ画素領域にウエ
ットエッチングして透明電極１１３を形成する。そして
有機ＥＬ層１１４と有機ＥＬ素子の上部共通電極１１５
を、画素領域全面にメタルマスクが設けられた状態で真
空蒸着法により形成する。この上部共通電極１１５は、
例えば銀を含むマグネシウム膜により構成される。
【００４８】その後必要に応じ、信頼性向上のための例
えばアルミニウムの保護膜の形成を行い、有機ＥＬディ
スプレイ装置が構成される。このようにして、バリアメ
タル、下層配線等を、窒化チタンに比較して抵抗値の小
さなモリブデンを含む材料で構成して、しかも有機ＥＬ
素子と共用してもバリアメタルとしてクロムを使用した
場合のようなバリアメタルの溶出が生じないような材料
で構成することができるので、有機ＥＬ装置の微細化、
高解像度化をはかることができる。
えばアルミニウムの保護膜の形成を行い、有機ＥＬディ
スプレイ装置が構成される。このようにして、バリアメ
タル、下層配線等を、窒化チタンに比較して抵抗値の小
さなモリブデンを含む材料で構成して、しかも有機ＥＬ
素子と共用してもバリアメタルとしてクロムを使用した
場合のようなバリアメタルの溶出が生じないような材料
で構成することができるので、有機ＥＬ装置の微細化、
高解像度化をはかることができる。
【００４９】本発明の第６の実施の形態を図２にもとづ
き説明する。第６の実施の形態では、前記第２の実施の
形態におけるバリアメタル１０８、下層配線１０９−１
をタングステンと窒化チタンの積層膜により構成する代
わりに、モリブデンと窒化チタンの積層膜によりバリア
メタル１０８′、下層配線１０９−１′を構成したもの
である。これにより前記第２の実施の形態と同様の作用
効果が得られる。
き説明する。第６の実施の形態では、前記第２の実施の
形態におけるバリアメタル１０８、下層配線１０９−１
をタングステンと窒化チタンの積層膜により構成する代
わりに、モリブデンと窒化チタンの積層膜によりバリア
メタル１０８′、下層配線１０９−１′を構成したもの
である。これにより前記第２の実施の形態と同様の作用
効果が得られる。
【００５０】本発明の第７の実施の形態を図３にもとづ
き説明する。第７の実施の形態では、前記第３の実施の
形態における下層配線１０９−１をタングステンと窒化
チタンの積層膜により構成する代わりに、モリブデンと
窒化チタンの積層膜により下層配線１０９−１′を構成
したものである。これにより前記第３の実施の形態と同
様の作用効果が得れる。
き説明する。第７の実施の形態では、前記第３の実施の
形態における下層配線１０９−１をタングステンと窒化
チタンの積層膜により構成する代わりに、モリブデンと
窒化チタンの積層膜により下層配線１０９−１′を構成
したものである。これにより前記第３の実施の形態と同
様の作用効果が得れる。
【００５１】本発明の第８の実施の形態を図４にもとづ
き説明する。第８の実施の形態では、前記第４の実施の
形態における下層配線１４１をタングステンと窒化チタ
ンの積層膜により構成する代わりに、モリブデンと窒化
チタンの積層膜により下層配線１４１′を構成したもの
である。これにより前記第４の実施の形態と同様の作用
効果が得られる。
き説明する。第８の実施の形態では、前記第４の実施の
形態における下層配線１４１をタングステンと窒化チタ
ンの積層膜により構成する代わりに、モリブデンと窒化
チタンの積層膜により下層配線１４１′を構成したもの
である。これにより前記第４の実施の形態と同様の作用
効果が得られる。
【００５２】本発明においては、窒化チタンの比抵抗が
９０μΩ・ｃｍであるのに対し、タングステン、モリブ
デンの比抵抗が１０〜３０μΩ・ｃｍ（モリブデンの方
がやや低い）と窒化チタンより抵抗値がはるかに小さな
ものを使用してバリアメタルや配線部分を構成したの
で、その電気抵抗を大幅に小さくすることができ、有機
ＥＬ装置の微細化、高解像度をはかることができる。
９０μΩ・ｃｍであるのに対し、タングステン、モリブ
デンの比抵抗が１０〜３０μΩ・ｃｍ（モリブデンの方
がやや低い）と窒化チタンより抵抗値がはるかに小さな
ものを使用してバリアメタルや配線部分を構成したの
で、その電気抵抗を大幅に小さくすることができ、有機
ＥＬ装置の微細化、高解像度をはかることができる。
【００５３】また上に窒化チタンを形成したので、下の
タングステンやモリブデンの表面が酸化して接続不良の
生ずることを抑制し、信頼性の高いものを提供すること
ができる。
タングステンやモリブデンの表面が酸化して接続不良の
生ずることを抑制し、信頼性の高いものを提供すること
ができる。
【００５４】
【発明の効果】本発明によれば下記の効果を奏する。 （１）請求項１に記載された本発明によれば薄膜トラン
ジスタの活性層と、これに接続する上層アルミニウム配
線の間に、窒化チタンとタングステンを積層したバリア
メタルを設けたので、熱や薬品処理によっても腐食・変
質せず、安定な電気的接続が得られ、かつ活性層シリコ
ンやゲートシリコンとも安定な接続が得られるのみなら
ず、従来の窒化チタン単層と比べ、比抵抗が大幅に減少
しかつ加工性も向上したものを提供することができる。
ジスタの活性層と、これに接続する上層アルミニウム配
線の間に、窒化チタンとタングステンを積層したバリア
メタルを設けたので、熱や薬品処理によっても腐食・変
質せず、安定な電気的接続が得られ、かつ活性層シリコ
ンやゲートシリコンとも安定な接続が得られるのみなら
ず、従来の窒化チタン単層と比べ、比抵抗が大幅に減少
しかつ加工性も向上したものを提供することができる。
【００５５】（２）請求項２に記載された本発明によれ
ば薄膜トランジスタの活性層と、これに接続する上層ア
ルミニウム配線の間に、窒化チタンとタングステンを積
層した膜を設けたので、熱や薬品処理によっても腐食・
変質せず、安定な電気的接続が得られ、かつ活性層シリ
コンやゲートシリコンとも安定な接続が得られるため、
下層配線と共にバリアメタルとしての機能も有する。
ば薄膜トランジスタの活性層と、これに接続する上層ア
ルミニウム配線の間に、窒化チタンとタングステンを積
層した膜を設けたので、熱や薬品処理によっても腐食・
変質せず、安定な電気的接続が得られ、かつ活性層シリ
コンやゲートシリコンとも安定な接続が得られるため、
下層配線と共にバリアメタルとしての機能も有する。
【００５６】また従来の窒化チタン単層と比べ、比抵抗
が大幅に減少されかつ加工性も向上するため、微細化と
共に、薄膜化による薄膜トランジスタへの応力の低減も
可能である。
が大幅に減少されかつ加工性も向上するため、微細化と
共に、薄膜化による薄膜トランジスタへの応力の低減も
可能である。
【００５７】（３）請求項３に記載された本発明によれ
ば、有機ＥＬ素子の透明電極との接続に窒化チタンとタ
ングステンを積層した膜を設けたので、エッチング時に
電食を起こしやすく、また酸化作用により接触不良を起
こしやすい透明電極との接続を安定して行うことができ
るようになった。また、クロムを使用した場合のよう
な、ＥＬの動作電流によるメタルの溶出も発生しない。
ば、有機ＥＬ素子の透明電極との接続に窒化チタンとタ
ングステンを積層した膜を設けたので、エッチング時に
電食を起こしやすく、また酸化作用により接触不良を起
こしやすい透明電極との接続を安定して行うことができ
るようになった。また、クロムを使用した場合のよう
な、ＥＬの動作電流によるメタルの溶出も発生しない。
【００５８】（４）請求項４に記載された本発明によれ
ば、配線交差部の下層に、窒化チタンとタングステンを
積層した膜を設けたので、その後の層間絶縁膜形成に伴
う熱ストレスを受けても、また電流を流しても、アルミ
ニウムのようにヒロックやエレクトロマイグレーション
を発生せず、交差部の上層アルミニウム配線との短絡
や、断線を発生する恐れのない高信頼性の有機ＥＬディ
スプレイ装置を提供できる。
ば、配線交差部の下層に、窒化チタンとタングステンを
積層した膜を設けたので、その後の層間絶縁膜形成に伴
う熱ストレスを受けても、また電流を流しても、アルミ
ニウムのようにヒロックやエレクトロマイグレーション
を発生せず、交差部の上層アルミニウム配線との短絡
や、断線を発生する恐れのない高信頼性の有機ＥＬディ
スプレイ装置を提供できる。
【００５９】（５）請求項５に記載された本発明によれ
ば薄膜トランジスタの活性層と、これに接続する上層ア
ルミニウム配線の間に、窒化チタンとモリブデンを積層
したバリアメタルを設けたので、熱や薬品処理によって
も腐食・変質せず、安定な電気的接続が得られ、かつ活
性層シリコンやゲートシリコンとも安定な接続が得られ
るのみならず、従来の窒化チタン単層と比べ、比抵抗が
大幅に減少しかつ加工性も向上したものを提供すること
ができる。
ば薄膜トランジスタの活性層と、これに接続する上層ア
ルミニウム配線の間に、窒化チタンとモリブデンを積層
したバリアメタルを設けたので、熱や薬品処理によって
も腐食・変質せず、安定な電気的接続が得られ、かつ活
性層シリコンやゲートシリコンとも安定な接続が得られ
るのみならず、従来の窒化チタン単層と比べ、比抵抗が
大幅に減少しかつ加工性も向上したものを提供すること
ができる。
【００６０】（６）請求項６に記載された本発明によれ
ば薄膜トランジスタの活性層と、これに接続する上層ア
ルミニウム配線の間に、窒化チタンとモリブデンを積層
した膜を設けたので、熱や薬品処理によっても腐食・変
質せず、安定な電気的接続が得られ、かつ活性層シリコ
ンやゲートシリコンとも安定な接続が得られるため、下
層配線と共にバリアメタルとしての機能も有する。
ば薄膜トランジスタの活性層と、これに接続する上層ア
ルミニウム配線の間に、窒化チタンとモリブデンを積層
した膜を設けたので、熱や薬品処理によっても腐食・変
質せず、安定な電気的接続が得られ、かつ活性層シリコ
ンやゲートシリコンとも安定な接続が得られるため、下
層配線と共にバリアメタルとしての機能も有する。
【００６１】また従来の窒化チタン単層と比べ、比抵抗
が大幅に減少されかつ加工性も向上するため、微細化と
共に、薄膜化による薄膜トランジスタへの応力の低減も
可能である。
が大幅に減少されかつ加工性も向上するため、微細化と
共に、薄膜化による薄膜トランジスタへの応力の低減も
可能である。
【００６２】（７）請求項７に記載された本発明によれ
ば、有機ＥＬ素子の透明電極との接続に窒化チタンとモ
リブデンを積層した膜を設けたので、エッチング時に電
食を起こしやすく、また酸化作用により接触不良を起こ
しやすい透明電極との接続を安定して行うことができる
ようになった。また、クロムを使用した場合のような、
ＥＬの動作電流によるメタルの溶出も発生しない。
ば、有機ＥＬ素子の透明電極との接続に窒化チタンとモ
リブデンを積層した膜を設けたので、エッチング時に電
食を起こしやすく、また酸化作用により接触不良を起こ
しやすい透明電極との接続を安定して行うことができる
ようになった。また、クロムを使用した場合のような、
ＥＬの動作電流によるメタルの溶出も発生しない。
【００６３】（８）請求項８に記載された本発明によれ
ば、配線交差部の下層に、窒化チタンとモリブデンを積
層した膜を設けたので、その後の層間絶縁膜形成に伴う
熱ストレスを受けても、また電流を流しても、アルミニ
ウムのようにヒロックやエレクトロマイグレーションを
発生せず、交差部の上層アルミニウム配線との短絡や、
断線を発生する恐れのない高信頼性の有機ＥＬディスプ
レイ装置を提供できる。
ば、配線交差部の下層に、窒化チタンとモリブデンを積
層した膜を設けたので、その後の層間絶縁膜形成に伴う
熱ストレスを受けても、また電流を流しても、アルミニ
ウムのようにヒロックやエレクトロマイグレーションを
発生せず、交差部の上層アルミニウム配線との短絡や、
断線を発生する恐れのない高信頼性の有機ＥＬディスプ
レイ装置を提供できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態説明図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態及び第６の実施の形
態説明図である。
態説明図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態及び第７の実施の形
態説明図である。
態説明図である。
【図４】本発明の第４の実施の形態及び第８の実施の形
態説明図である。
態説明図である。
【図５】本発明の第５の実施の形態説明図である。
【図６】有機ＥＬディスプレイ装置の説明図である。
１０１ 基板 １０２ シリコン活性層 １０３ ゲート酸化膜 １０４ ゲート電極 １０５ ソース領域 １０７ ドレイン領域 １０８ バリアメタル １０９ 下層配線 １１０ 層間絶縁膜 １１１ 上層配線 １１２ 層間絶縁膜 １１３ 透明電極 １１４ 有機ＥＬ層 １１５ 上部共通電極
Claims (8)
- 【請求項１】ソース・ドレイン及びゲートを具備する薄
膜トランジスタと、これに接続される上層配線との間
に、上に窒化チタン薄膜を積層したタングステンよりな
るバリアメタルを有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】ソース・ドレイン及びゲートを具備する薄
膜トランジスタと、これに接続される上層配線との間
に、上に窒化チタン薄膜を積層したタングステンよりな
る下層配線を有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】有機ＥＬ素子と、これに接続された電流制
御用薄膜トランジスタを具備するアクティブマトリック
ス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置において、前記電
流制御用薄膜トランジスタと前記有機ＥＬ素子を構成す
る透明電極との間を、上に窒化チタン薄膜を積層したタ
ングステンよりなる配線により接続することを特徴とす
る有機ＥＬディスプレイ装置。 - 【請求項４】ソース・ドレイン及びゲートを具備する薄
膜トランジスタと、これに接続された、上に窒化チタン
薄膜を積層したタングステンよりなる配線を形成し、下
層配線と層間絶縁膜を介して交差する上層アルミニウム
配線を設けるとともに、前記下層配線を、上に窒化チタ
ン薄膜を積層したタングステンにより構成し、この下層
配線をアルミニウム配線と接続したことを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項５】ソース・ドレイン及びゲートを具備する薄
膜トランジスタと、これに接続される上層配線との間
に、上に窒化チタン薄膜を積層したモリブデンよりなる
バリアメタルを有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項６】ソース・ドレイン及びゲートを具備する薄
膜トランジスタと、これに接続される上層配線との間
に、上に窒化チタン薄膜を積層したモリブデンよりなる
下層配線を有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項７】有機ＥＬ素子と、これに接続された電流制
御用薄膜トランジスタを具備するアクティブマトリック
ス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置において、前記電
流制御用薄膜トランジスタと前記有機ＥＬ素子を構成す
る透明電極との間を、上に窒化チタン薄膜を積層したモ
リブデンよりなる配線により接続することを特徴とする
有機ＥＬディスプレイ装置。 - 【請求項８】ソース・ドレイン及びゲートを具備する薄
膜トランジスタと、これに接続された、上に窒化チタン
薄膜を積層したモリブデンよりなる配線を形成し、下層
配線と層間絶縁膜を介して交差する上層アルミニウム配
線を設けるとともに、前記下層配線を、上に窒化チタン
薄膜を積層したモリブデンにより構成し、この下層配線
をアルミニウム配線と接続したことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05324397A JP3641342B2 (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 半導体装置及び有機ｅｌディスプレイ装置 |
| US08/987,621 US6160272A (en) | 1997-03-07 | 1997-12-09 | Self-light-emitting apparatus and semiconductor device used in the apparatus |
| US09/663,844 US6448580B1 (en) | 1997-03-07 | 2000-09-15 | Self-light-emitting apparatus and semiconductor device used in the apparatus |
| US10/212,727 US7112462B2 (en) | 1997-03-07 | 2002-08-07 | Self-light-emitting apparatus and semiconductor device used in the apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05324397A JP3641342B2 (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 半導体装置及び有機ｅｌディスプレイ装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002327827A Division JP3895667B2 (ja) | 2002-11-12 | 2002-11-12 | 有機ｅｌディスプレイ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10254383A true JPH10254383A (ja) | 1998-09-25 |
| JP3641342B2 JP3641342B2 (ja) | 2005-04-20 |
Family
ID=12937363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05324397A Expired - Fee Related JP3641342B2 (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 半導体装置及び有機ｅｌディスプレイ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6160272A (ja) |
| JP (1) | JP3641342B2 (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001109404A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| KR100354640B1 (ko) * | 1999-10-01 | 2002-09-30 | 산요 덴키 가부시키가이샤 | Ｅｌ 표시 장치 |
| JP2004039316A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Korai Kagi Kofun Yugenkoshi | 有機エレクトロルミネッセント装置 |
| EP1028471A3 (en) * | 1999-02-09 | 2004-03-31 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Electroluminescence display device |
| JP2004158853A (ja) * | 2002-11-05 | 2004-06-03 | Samsung Sdi Co Ltd | 特性が優秀なディスプレーデバイス |
| JP2004172569A (ja) * | 2002-11-19 | 2004-06-17 | Samsung Sdi Co Ltd | 均一性に優れた薄膜トランジスタ及びこれを用いる有機電界発光素子 |
| US6995736B2 (en) | 2000-03-07 | 2006-02-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Active-driving type organic EL display device, and a method of producing the same |
| US7038836B2 (en) | 2000-03-27 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Self-light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2006317926A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
| KR100682803B1 (ko) * | 1999-10-29 | 2007-02-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자 장치 |
| US7274044B2 (en) | 2004-01-26 | 2007-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7315047B2 (en) | 2004-01-26 | 2008-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US7495257B2 (en) | 2003-12-26 | 2009-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7642559B2 (en) | 1999-06-04 | 2010-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| US7683977B2 (en) | 2006-08-04 | 2010-03-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Display device and method of manufacturing the display device |
| JP2013033762A (ja) * | 2000-12-28 | 2013-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2016012138A (ja) * | 2000-03-27 | 2016-01-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、モジュール及び電子機器 |
| JP2017098255A (ja) * | 1999-09-17 | 2017-06-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ｅｌ表示装置 |
Families Citing this family (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3641342B2 (ja) * | 1997-03-07 | 2005-04-20 | Ｔｄｋ株式会社 | 半導体装置及び有機ｅｌディスプレイ装置 |
| US6291837B1 (en) * | 1997-03-18 | 2001-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof |
| US6175345B1 (en) * | 1997-06-02 | 2001-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof |
| JP3520396B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板と表示装置 |
| EP1505648A3 (en) * | 1997-08-21 | 2005-08-10 | Seiko Epson Corporation | Active matrix display device |
| JP3580092B2 (ja) * | 1997-08-21 | 2004-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
| US6207842B1 (en) * | 1997-10-09 | 2001-03-27 | Mars Incorporated | Process for preparing procyanidin(4-6 or 4-8) oligomers and their derivatives |
| JP3403949B2 (ja) | 1998-09-03 | 2003-05-06 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ及び液晶表示装置、ならびに薄膜トランジスタの製造方法 |
| US6506635B1 (en) | 1999-02-12 | 2003-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and method of forming the same |
| US6475836B1 (en) | 1999-03-29 | 2002-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6512504B1 (en) * | 1999-04-27 | 2003-01-28 | Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. | Electronic device and electronic apparatus |
| JP3538084B2 (ja) * | 1999-09-17 | 2004-06-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP4497596B2 (ja) * | 1999-09-30 | 2010-07-07 | 三洋電機株式会社 | 薄膜トランジスタ及び表示装置 |
| JP3614335B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2005-01-26 | 三星エスディアイ株式会社 | 有機ｅｌ表示装置ならびにその製造方法 |
| US6747638B2 (en) * | 2000-01-31 | 2004-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Adhesion type area sensor and display device having adhesion type area sensor |
| TW536836B (en) * | 2000-05-22 | 2003-06-11 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and electrical appliance |
| US7339317B2 (en) | 2000-06-05 | 2008-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having triplet and singlet compound in light-emitting layers |
| GB0014961D0 (en) * | 2000-06-20 | 2000-08-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Light-emitting matrix array display devices with light sensing elements |
| US7030551B2 (en) * | 2000-08-10 | 2006-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Area sensor and display apparatus provided with an area sensor |
| US6828950B2 (en) * | 2000-08-10 | 2004-12-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of driving the same |
| US6905784B2 (en) | 2000-08-22 | 2005-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US6864628B2 (en) | 2000-08-28 | 2005-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising light-emitting layer having triplet compound and light-emitting layer having singlet compound |
| US6739931B2 (en) | 2000-09-18 | 2004-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the display device |
| US6747290B2 (en) | 2000-12-12 | 2004-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information device |
| SG111923A1 (en) | 2000-12-21 | 2005-06-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| CN101397649B (zh) | 2001-02-01 | 2011-12-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 能够将有机化合物沉积在衬底上的装置 |
| KR100533719B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2005-12-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계발광소자 및 그 제조방법 |
| JP4050503B2 (ja) * | 2001-11-29 | 2008-02-20 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
| EP1488455B1 (en) * | 2002-03-20 | 2010-08-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix electroluminescent display devices and their manufacture |
| US20080090425A9 (en) * | 2002-06-12 | 2008-04-17 | Christopher Olsen | Two-step post nitridation annealing for lower EOT plasma nitrided gate dielectrics |
| KR20040025383A (ko) * | 2002-09-19 | 2004-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| US7298350B2 (en) * | 2002-09-26 | 2007-11-20 | Seiko Epson Corporation | Image forming apparatus |
| US7429540B2 (en) * | 2003-03-07 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon oxynitride gate dielectric formation using multiple annealing steps |
| JP4038485B2 (ja) * | 2003-03-12 | 2008-01-23 | 三星エスディアイ株式会社 | 薄膜トランジスタを備えた平板表示素子 |
| US7057208B2 (en) * | 2003-03-25 | 2006-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| CN100373630C (zh) * | 2003-04-11 | 2008-03-05 | 友达光电股份有限公司 | 主动矩阵式有机电致发光显示组件及其制造方法 |
| US7291967B2 (en) * | 2003-08-29 | 2007-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element including a barrier layer and a manufacturing method thereof |
| US7492090B2 (en) * | 2003-09-19 | 2009-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| US7205716B2 (en) * | 2003-10-20 | 2007-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US7902747B2 (en) * | 2003-10-21 | 2011-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide |
| JP4055764B2 (ja) * | 2004-01-26 | 2008-03-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| KR100560792B1 (ko) * | 2004-03-23 | 2006-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전면 발광 구조를 갖는 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의제조방법 |
| US7687404B2 (en) * | 2004-05-14 | 2010-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
| KR100626008B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2006-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 및 이를 구비한 평판표시장치 |
| US7342256B2 (en) * | 2004-07-16 | 2008-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device mounted with read function and electric appliance |
| KR100700650B1 (ko) * | 2005-01-05 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| US7888702B2 (en) * | 2005-04-15 | 2011-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of the display device |
| CN101501748B (zh) * | 2006-04-19 | 2012-12-05 | 伊格尼斯创新有限公司 | 有源矩阵显示器的稳定驱动设计 |
| JP5415001B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2014-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| TWI340467B (en) * | 2007-03-21 | 2011-04-11 | Au Optronics Corp | Active matrix organic electroluminescent substrate and method of making the same |
| KR101453829B1 (ko) * | 2007-03-23 | 2014-10-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 그 제조 방법 |
| US8441018B2 (en) | 2007-08-16 | 2013-05-14 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Direct bandgap substrates and methods of making and using |
| US8441007B2 (en) | 2008-12-25 | 2013-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US20100224878A1 (en) | 2009-03-05 | 2010-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI496042B (zh) * | 2009-07-02 | 2015-08-11 | Semiconductor Energy Lab | 觸控面板及其驅動方法 |
| US10347769B2 (en) * | 2013-03-25 | 2019-07-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor with multi-layer source/drain electrodes |
| CN103354206B (zh) * | 2013-06-27 | 2017-03-15 | 北京京东方光电科技有限公司 | 过孔制作方法、显示面板制作方法及显示面板 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5221853A (en) * | 1989-01-06 | 1993-06-22 | International Business Machines Corporation | MOSFET with a refractory metal film, a silicide film and a nitride film formed on and in contact with a source, drain and gate region |
| JP2537413B2 (ja) * | 1989-03-14 | 1996-09-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH053321A (ja) | 1991-06-25 | 1993-01-08 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JPH05102152A (ja) | 1991-10-11 | 1993-04-23 | Sony Corp | 半導体装置 |
| JPH05303116A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-11-16 | Canon Inc | 半導体装置 |
| US5808315A (en) * | 1992-07-21 | 1998-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor having transparent conductive film |
| JP3212150B2 (ja) | 1992-08-07 | 2001-09-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| JP3587537B2 (ja) * | 1992-12-09 | 2004-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2546482B2 (ja) | 1993-04-06 | 1996-10-23 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH0799322A (ja) * | 1993-06-24 | 1995-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタを有する半導体装置およびその製造方法 |
| JP2947054B2 (ja) * | 1994-03-04 | 1999-09-13 | ヤマハ株式会社 | 配線形成法 |
| JP3067949B2 (ja) * | 1994-06-15 | 2000-07-24 | シャープ株式会社 | 電子装置および液晶表示装置 |
| JP3093604B2 (ja) * | 1994-06-20 | 2000-10-03 | キヤノン株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2616460B2 (ja) | 1994-09-08 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US5684365A (en) * | 1994-12-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
| US5814529A (en) * | 1995-01-17 | 1998-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing a semiconductor integrated circuit including a thin film transistor and a capacitor |
| JP3022744B2 (ja) * | 1995-02-21 | 2000-03-21 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US6853083B1 (en) * | 1995-03-24 | 2005-02-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transfer, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same |
| US5640067A (en) * | 1995-03-24 | 1997-06-17 | Tdk Corporation | Thin film transistor, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same |
| JP3184771B2 (ja) * | 1995-09-14 | 2001-07-09 | キヤノン株式会社 | アクティブマトリックス液晶表示装置 |
| TW367564B (en) * | 1995-09-25 | 1999-08-21 | Toshiba Corp | Forming method for polycrystalline silicon, thin film transistor containing the polycrystalline silicon and manufacturing method thereof, and the liquid crystal display containing the thin film transistor |
| JP3187306B2 (ja) * | 1995-10-31 | 2001-07-11 | シャープ株式会社 | 透過型液晶表示装置 |
| JP2850850B2 (ja) * | 1996-05-16 | 1999-01-27 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3641342B2 (ja) * | 1997-03-07 | 2005-04-20 | Ｔｄｋ株式会社 | 半導体装置及び有機ｅｌディスプレイ装置 |
| TW531684B (en) * | 1997-03-31 | 2003-05-11 | Seiko Epson Corporatoin | Display device and method for manufacturing the same |
| US6384427B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
-
1997
- 1997-03-07 JP JP05324397A patent/JP3641342B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-09 US US08/987,621 patent/US6160272A/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-09-15 US US09/663,844 patent/US6448580B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-08-07 US US10/212,727 patent/US7112462B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1028471A3 (en) * | 1999-02-09 | 2004-03-31 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Electroluminescence display device |
| US6940214B1 (en) | 1999-02-09 | 2005-09-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electroluminescence display device |
| US7642559B2 (en) | 1999-06-04 | 2010-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| US9368680B2 (en) | 1999-06-04 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| US9123854B2 (en) | 1999-06-04 | 2015-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| US8853696B1 (en) | 1999-06-04 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
| JP2017098255A (ja) * | 1999-09-17 | 2017-06-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ｅｌ表示装置 |
| KR100354640B1 (ko) * | 1999-10-01 | 2002-09-30 | 산요 덴키 가부시키가이샤 | Ｅｌ 표시 장치 |
| JP2001109404A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| KR100682803B1 (ko) * | 1999-10-29 | 2007-02-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자 장치 |
| US6995736B2 (en) | 2000-03-07 | 2006-02-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Active-driving type organic EL display device, and a method of producing the same |
| US7227518B2 (en) | 2000-03-07 | 2007-06-05 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Active-driving type organic el display device, and a method of producing the same |
| US7038836B2 (en) | 2000-03-27 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Self-light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7462384B2 (en) | 2000-03-27 | 2008-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Self-light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2016012138A (ja) * | 2000-03-27 | 2016-01-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、モジュール及び電子機器 |
| JP2013033762A (ja) * | 2000-12-28 | 2013-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US9362518B2 (en) | 2000-12-28 | 2016-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9209418B2 (en) | 2000-12-28 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US8878431B2 (en) | 2000-12-28 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2004039316A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Korai Kagi Kofun Yugenkoshi | 有機エレクトロルミネッセント装置 |
| US7750348B2 (en) | 2002-11-05 | 2010-07-06 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Display device having crystal grain boundaries providing superior driving and luminance characteristics |
| JP2004158853A (ja) * | 2002-11-05 | 2004-06-03 | Samsung Sdi Co Ltd | 特性が優秀なディスプレーデバイス |
| JP2004172569A (ja) * | 2002-11-19 | 2004-06-17 | Samsung Sdi Co Ltd | 均一性に優れた薄膜トランジスタ及びこれを用いる有機電界発光素子 |
| US9911800B2 (en) | 2003-12-26 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7495257B2 (en) | 2003-12-26 | 2009-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US8624257B2 (en) | 2003-12-26 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US9196638B2 (en) | 2003-12-26 | 2015-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US9583545B2 (en) | 2003-12-26 | 2017-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7977685B2 (en) | 2004-01-26 | 2011-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US7274044B2 (en) | 2004-01-26 | 2007-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7315047B2 (en) | 2004-01-26 | 2008-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US8669567B2 (en) | 2004-01-26 | 2014-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| JP2006317926A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
| US7683977B2 (en) | 2006-08-04 | 2010-03-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Display device and method of manufacturing the display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6448580B1 (en) | 2002-09-10 |
| US7112462B2 (en) | 2006-09-26 |
| US6160272A (en) | 2000-12-12 |
| JP3641342B2 (ja) | 2005-04-20 |
| US20020190329A1 (en) | 2002-12-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3641342B2 (ja) | 半導体装置及び有機ｅｌディスプレイ装置 | |
| TWI387108B (zh) | 導線結構、形成導線之方法、薄膜電晶體基材及製造薄膜電晶體基材之方法 | |
| US7662715B2 (en) | Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same | |
| US7947539B2 (en) | Thin film transistor array panel for a display device and a method of manufacturing the same | |
| US7632723B2 (en) | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof | |
| US9111802B2 (en) | Thin film transistor array panel including layered line structure and method for manufacturing the same | |
| US5897328A (en) | Thin film transistor, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same | |
| TWI394279B (zh) | 薄膜電晶體陣列面板及其製造方法 | |
| US6853083B1 (en) | Thin film transfer, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same | |
| US7524706B2 (en) | Method of fabricating a thin film transistor array panel | |
| TWI396885B (zh) | 線路結構，製造線路之方法，薄膜電晶體基板，以及製造薄膜電晶體基板之方法 | |
| JP2000347221A (ja) | 液晶ディスプレイ画素アレイのための、銅金属配線を用いた多結晶シリコンｔｆｔを形成する方法。 | |
| US20060283833A1 (en) | Wiring for display device and thin film transistor array panel with the same, and manufacturing method thereof | |
| JP3895667B2 (ja) | 有機ｅｌディスプレイ装置 | |
| WO2005018006A1 (ja) | アレイ基板、液晶表示装置およびアレイ基板の製造方法 | |
| KR100297861B1 (ko) | 다층도체시스템의제조방법 | |
| JP3302475B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイの製造方法 | |
| JP3967748B2 (ja) | エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置 | |
| KR100391156B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 패널 및 그 제조방법 | |
| JP2002289863A (ja) | アレイ基板およびその製造方法ならびに液晶表示素子 | |
| JP2010010709A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002217418A (ja) | 薄膜半導体装置、その製造方法及び表示装置 | |
| JPH11298006A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041015 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050118 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050121 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090128 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090128 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100128 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110128 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110128 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120128 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120128 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130128 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130128 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140128 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |