JPH1145413A - 複合型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
複合型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH1145413A JPH1145413A JP9204888A JP20488897A JPH1145413A JP H1145413 A JPH1145413 A JP H1145413A JP 9204888 A JP9204888 A JP 9204888A JP 20488897 A JP20488897 A JP 20488897A JP H1145413 A JPH1145413 A JP H1145413A
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録部のインダクタンスを小さくしてヘッド
磁界の立ち上り時間を短くすることにより、ＮＬＴＳを
低減させ、それによってハードディスクドライブの記録
密度を向上させることができる複合型薄膜磁気ヘッドを
得る。 【解決手段】 磁気シールド効果を損わない範囲で共通
磁極の幅を小さくすることによってその面積を小さくす
る。
磁界の立ち上り時間を短くすることにより、ＮＬＴＳを
低減させ、それによってハードディスクドライブの記録
密度を向上させることができる複合型薄膜磁気ヘッドを
得る。 【解決手段】 磁気シールド効果を損わない範囲で共通
磁極の幅を小さくすることによってその面積を小さくす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
に搭載されて情報の記録・再生に用いられる磁気抵抗効
果素子を有する複合型薄膜磁気ヘッドに関する。
に搭載されて情報の記録・再生に用いられる磁気抵抗効
果素子を有する複合型薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の複合型薄膜磁気ヘッドの一
例を示す平面図、図６は図５のＡ−Ａ線断面図である。
例を示す平面図、図６は図５のＡ−Ａ線断面図である。
【０００３】磁気ディスク装置（ハードディスク装置：
ハードディスクドライブ）に搭載されて情報の記録・再
生に用いられる磁気抵抗効果素子を有する従来の複合型
薄膜磁気ヘッド（ＭＲ薄膜磁気ヘッド）１０は、図５お
よび図６に示すように、酸化アルミニウム−チタンカー
ボン（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）等の非磁性材料で形成し
た基板４の上に、パーマロイ（ＮｉＦｅ）や非晶質磁性
合金等の磁性材料による下部シールド層５を形成し、下
部シールド層５の上にアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3）等の非磁
性材料による第一の非磁性層６を形成し、第一の非磁性
層６の上にパーマロイ等の磁性材料による共通磁極１を
形成し、共通磁極１の上にアルミナ等の非磁性材料によ
る第二の非磁性層８を形成し、第二の非磁性層８の上に
ホトレジスト等の絶縁材料による第一の絶縁層９ａを介
して銅線による導体コイル（コイル）３を形成し、コイ
ル３をホトレジスト等の絶縁材料による第二の絶縁層９
ｂによって被覆し、第二の絶縁層９ｂの上にパーマロイ
等の磁性材料による上部磁極２を形成して上部磁極２の
前端部を第一の非磁性層６と直接接触させ、かつ上部磁
極２の後端部を共通磁極１と直接接触させて上部磁極２
と共通磁極１とによってヨーク構造を形成し、第一の非
磁性層６の前端部の中に磁気抵抗効果素子７を設けた構
成を有しており、共通磁極１は上部シールド層と下部磁
極との二つの役割を兼ねている。
ハードディスクドライブ）に搭載されて情報の記録・再
生に用いられる磁気抵抗効果素子を有する従来の複合型
薄膜磁気ヘッド（ＭＲ薄膜磁気ヘッド）１０は、図５お
よび図６に示すように、酸化アルミニウム−チタンカー
ボン（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）等の非磁性材料で形成し
た基板４の上に、パーマロイ（ＮｉＦｅ）や非晶質磁性
合金等の磁性材料による下部シールド層５を形成し、下
部シールド層５の上にアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3）等の非磁
性材料による第一の非磁性層６を形成し、第一の非磁性
層６の上にパーマロイ等の磁性材料による共通磁極１を
形成し、共通磁極１の上にアルミナ等の非磁性材料によ
る第二の非磁性層８を形成し、第二の非磁性層８の上に
ホトレジスト等の絶縁材料による第一の絶縁層９ａを介
して銅線による導体コイル（コイル）３を形成し、コイ
ル３をホトレジスト等の絶縁材料による第二の絶縁層９
ｂによって被覆し、第二の絶縁層９ｂの上にパーマロイ
等の磁性材料による上部磁極２を形成して上部磁極２の
前端部を第一の非磁性層６と直接接触させ、かつ上部磁
極２の後端部を共通磁極１と直接接触させて上部磁極２
と共通磁極１とによってヨーク構造を形成し、第一の非
磁性層６の前端部の中に磁気抵抗効果素子７を設けた構
成を有しており、共通磁極１は上部シールド層と下部磁
極との二つの役割を兼ねている。
【０００４】従って磁気抵抗効果素子７は、下部シール
ド５および共通磁極１とは第一の非磁性層６によって磁
気的に絶縁されており、また、コイル３は、共通磁極１
および上部磁極２とは第一の絶縁層９ａおよび第二の絶
縁層９ｂによって電気的に絶縁されている。
ド５および共通磁極１とは第一の非磁性層６によって磁
気的に絶縁されており、また、コイル３は、共通磁極１
および上部磁極２とは第一の絶縁層９ａおよび第二の絶
縁層９ｂによって電気的に絶縁されている。
【０００５】共通磁極１は、図５に示すように、上部磁
極２に比して相当に広い面積を有している（特に、共通
磁極１の前端部（図５における下部）の幅Ｄが、上部磁
極２の幅ｄよりも相当に大きくなっている）。
極２に比して相当に広い面積を有している（特に、共通
磁極１の前端部（図５における下部）の幅Ｄが、上部磁
極２の幅ｄよりも相当に大きくなっている）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年のハードディスク
ドライブは、記録密度を高くするために、非線形ビット
シフト（ＮＬＴＳ）を補償する回路（ＮＬＴＳ補償回
路）を設け、それによって隣接するビットの干渉を低減
するようにしている。しかしながら、ＮＬＴＳ補償回路
によるＮＬＴＳの補償にも限界がある。
ドライブは、記録密度を高くするために、非線形ビット
シフト（ＮＬＴＳ）を補償する回路（ＮＬＴＳ補償回
路）を設け、それによって隣接するビットの干渉を低減
するようにしている。しかしながら、ＮＬＴＳ補償回路
によるＮＬＴＳの補償にも限界がある。
【０００７】一方、ＮＬＴＳの増減は、ＭＲ薄膜磁気ヘ
ッドの記録部のインダクタンスに依存しており、従来の
ＭＲ薄膜磁気ヘッドは共通磁極が上部磁極に比して相当
に広い面積（概ね４０００μｍ2 〜９０００μｍ2 ）
を有しているためにインダクタンスが大きく、従ってＮ
ＬＴＳが大きい。このため、従来のＭＲ薄膜磁気ヘッド
は、ＮＬＴＳ補償回路によるＮＬＴＳの補償限界を越え
る領域に達しており、ハードディスクドライブの記録密
度の向上を妨げているという問題点を有している。
ッドの記録部のインダクタンスに依存しており、従来の
ＭＲ薄膜磁気ヘッドは共通磁極が上部磁極に比して相当
に広い面積（概ね４０００μｍ2 〜９０００μｍ2 ）
を有しているためにインダクタンスが大きく、従ってＮ
ＬＴＳが大きい。このため、従来のＭＲ薄膜磁気ヘッド
は、ＮＬＴＳ補償回路によるＮＬＴＳの補償限界を越え
る領域に達しており、ハードディスクドライブの記録密
度の向上を妨げているという問題点を有している。
【０００８】本発明の目的は、上述のような従来のＭＲ
薄膜磁気ヘッドの問題点を解消し、読み出し出力等の電
気的な特性を損うことなく記録部のインダクタンスを低
減することにより、ＮＬＴＳを改善してハードディスク
ドライブの記録密度を向上させることができるＭＲ薄膜
磁気ヘッドを提供することにある。
薄膜磁気ヘッドの問題点を解消し、読み出し出力等の電
気的な特性を損うことなく記録部のインダクタンスを低
減することにより、ＮＬＴＳを改善してハードディスク
ドライブの記録密度を向上させることができるＭＲ薄膜
磁気ヘッドを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】ＭＲ薄膜磁気ヘッドの記
録部のインダクタンスは、コイルと磁極の形状に依存す
るが、特に磁極の形状に依存する割合が大きい。磁極
は、共通磁極と上部磁極とによって構成されており、記
録部を構成する磁気抵抗効果素子は、それらの前端部に
対応する位置に配設されている。従って共通磁極の前端
部の幅は、磁気抵抗効果素子の動作のときに、磁気抵抗
効果素子を磁気的にシールドできる最小の大きさを有し
ておればよい（基本的には、共通磁極の幅が磁気抵抗効
果素子の幅よりも大きればよい）。
録部のインダクタンスは、コイルと磁極の形状に依存す
るが、特に磁極の形状に依存する割合が大きい。磁極
は、共通磁極と上部磁極とによって構成されており、記
録部を構成する磁気抵抗効果素子は、それらの前端部に
対応する位置に配設されている。従って共通磁極の前端
部の幅は、磁気抵抗効果素子の動作のときに、磁気抵抗
効果素子を磁気的にシールドできる最小の大きさを有し
ておればよい（基本的には、共通磁極の幅が磁気抵抗効
果素子の幅よりも大きればよい）。
【００１０】本発明のＭＲ薄膜磁気ヘッドは、共通磁極
の面積を磁気抵抗効果素子を磁気的にシールドできる最
小の大きさとすることにより、記録部のインダクタンス
を小さくしてＮＬＴＳを改善できるようにしたものであ
る。
の面積を磁気抵抗効果素子を磁気的にシールドできる最
小の大きさとすることにより、記録部のインダクタンス
を小さくしてＮＬＴＳを改善できるようにしたものであ
る。
【００１１】すなわち、本発明の第一のＭＲ薄膜磁気ヘ
ッドは、非磁性の基板の上に磁性層の下部シールド層を
形成し、前記下部シールド層の上に第一の非磁性層を形
成し、前記第一の非磁性層の上に上部シールド層および
下部磁極を兼ねる共通磁極を形成し、前記共通磁極の上
に第二の非磁性層を形成し、前記第二の非磁性層の上に
第一の絶縁層を介して導体コイルを形成し、前記導体コ
イルを第二の絶縁層によって被覆し、前記第二の絶縁層
の上に上部磁極を形成して前記上部磁極の前端部を前記
第一の非磁性層と直接接触させかつ前記上部磁極の後端
部を前記共通磁極と直接接触させてヨーク構造を形成
し、前記第一の非磁性層の前端部の中に磁気抵抗効果素
子を設けた複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記共通磁
極の幅を前記上部磁極の幅と同等以下としたものであ
り、特に、前記共通磁極の面積を約３０００μｍ2 以
下としたものである。
ッドは、非磁性の基板の上に磁性層の下部シールド層を
形成し、前記下部シールド層の上に第一の非磁性層を形
成し、前記第一の非磁性層の上に上部シールド層および
下部磁極を兼ねる共通磁極を形成し、前記共通磁極の上
に第二の非磁性層を形成し、前記第二の非磁性層の上に
第一の絶縁層を介して導体コイルを形成し、前記導体コ
イルを第二の絶縁層によって被覆し、前記第二の絶縁層
の上に上部磁極を形成して前記上部磁極の前端部を前記
第一の非磁性層と直接接触させかつ前記上部磁極の後端
部を前記共通磁極と直接接触させてヨーク構造を形成
し、前記第一の非磁性層の前端部の中に磁気抵抗効果素
子を設けた複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記共通磁
極の幅を前記上部磁極の幅と同等以下としたものであ
り、特に、前記共通磁極の面積を約３０００μｍ2 以
下としたものである。
【００１２】本発明の第二のＭＲ薄膜磁気ヘッドは、非
磁性の基板の上に磁性層の下部シールド層を形成し、前
記下部シールド層の上に第一の非磁性層を形成し、前記
第一の非磁性層の上に上部シールド層および下部磁極を
兼ねる共通磁極を形成し、前記共通磁極の上に第二の非
磁性層を形成し、前記第二の非磁性層の上に第一の絶縁
層を介して導体コイルを形成し、前記導体コイルを第二
の絶縁層によって被覆し、前記第二の絶縁層の上に上部
磁極を形成して前記上部磁極の前端部を前記第一の非磁
性層と直接接触させかつ前記上部磁極の後端部を前記共
通磁極と直接接触させてヨーク構造を形成し、前記第一
の非磁性層の前端部の中に磁気抵抗効果素子を設けた複
合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記共通磁極の前記磁気
抵抗効果素子に対応する前端部を除く主要部の幅を前記
上部磁極の幅と同等以下とし、前記共通磁極の前記前端
部の幅を前記主要部の幅よりも広くしたものであり、特
に、前記共通磁極の面積を約３０００μｍ2 以下とし
たものである。
磁性の基板の上に磁性層の下部シールド層を形成し、前
記下部シールド層の上に第一の非磁性層を形成し、前記
第一の非磁性層の上に上部シールド層および下部磁極を
兼ねる共通磁極を形成し、前記共通磁極の上に第二の非
磁性層を形成し、前記第二の非磁性層の上に第一の絶縁
層を介して導体コイルを形成し、前記導体コイルを第二
の絶縁層によって被覆し、前記第二の絶縁層の上に上部
磁極を形成して前記上部磁極の前端部を前記第一の非磁
性層と直接接触させかつ前記上部磁極の後端部を前記共
通磁極と直接接触させてヨーク構造を形成し、前記第一
の非磁性層の前端部の中に磁気抵抗効果素子を設けた複
合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記共通磁極の前記磁気
抵抗効果素子に対応する前端部を除く主要部の幅を前記
上部磁極の幅と同等以下とし、前記共通磁極の前記前端
部の幅を前記主要部の幅よりも広くしたものであり、特
に、前記共通磁極の面積を約３０００μｍ2 以下とし
たものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１４】図１は本発明の第一の実施形態を示す平面
図、図２は複合型薄膜磁気ヘッドにおける共通磁極の面
積と記録部のインダクタンスとの関係を示す特性図、図
３は複合型薄膜磁気ヘッドにおける記録部のインダクタ
ンスとＮＬＴＳとの関係を示す特性図である。
図、図２は複合型薄膜磁気ヘッドにおける共通磁極の面
積と記録部のインダクタンスとの関係を示す特性図、図
３は複合型薄膜磁気ヘッドにおける記録部のインダクタ
ンスとＮＬＴＳとの関係を示す特性図である。
【００１５】図１において、複合型薄膜磁気ヘッド（Ｍ
Ｒ薄膜磁気ヘッド）２０は、その断面が図６に示した従
来のＭＲ薄膜磁気ヘッド１０と同じ構成を有しており、
非磁性材料で形成した基板の上に、磁性材料による下部
シールド層を形成し、下部シールド上に第一の非磁性層
を形成し、第一の非磁性層の上に共通磁極１１を形成
し、共通磁極１１の上に第二の非磁性層を形成し、第二
の非磁性層の上に第一の絶縁層を介して導体コイル（コ
イル）１３を形成し、コイル１３を第二の絶縁層によっ
て被覆し、第二の絶縁層の上に上部磁極１２を形成して
上部磁極１２の前端部を第一の非磁性層と直接接触さ
せ、かつ上部磁極１２の後端部を共通磁極１１と直接接
触させることによって上部磁極１２と共通磁極１１とで
ヨーク構造（ヨーク）を形成し、第一の非磁性層の前端
部の中に磁気抵抗効果素子を設けた構成を有しており、
共通磁極１１は上部シールド層と下部磁極との二つの役
割を兼ねている。
Ｒ薄膜磁気ヘッド）２０は、その断面が図６に示した従
来のＭＲ薄膜磁気ヘッド１０と同じ構成を有しており、
非磁性材料で形成した基板の上に、磁性材料による下部
シールド層を形成し、下部シールド上に第一の非磁性層
を形成し、第一の非磁性層の上に共通磁極１１を形成
し、共通磁極１１の上に第二の非磁性層を形成し、第二
の非磁性層の上に第一の絶縁層を介して導体コイル（コ
イル）１３を形成し、コイル１３を第二の絶縁層によっ
て被覆し、第二の絶縁層の上に上部磁極１２を形成して
上部磁極１２の前端部を第一の非磁性層と直接接触さ
せ、かつ上部磁極１２の後端部を共通磁極１１と直接接
触させることによって上部磁極１２と共通磁極１１とで
ヨーク構造（ヨーク）を形成し、第一の非磁性層の前端
部の中に磁気抵抗効果素子を設けた構成を有しており、
共通磁極１１は上部シールド層と下部磁極との二つの役
割を兼ねている。
【００１６】磁気抵抗効果素子は、下部シールドおよび
共通磁極１１とは第一の非磁性層によって磁気的に絶縁
されており、また、コイル１３は、共通磁極１１および
上部磁極１２とは第一の絶縁層および第二の絶縁層によ
って電気的に絶縁されている。
共通磁極１１とは第一の非磁性層によって磁気的に絶縁
されており、また、コイル１３は、共通磁極１１および
上部磁極１２とは第一の絶縁層および第二の絶縁層によ
って電気的に絶縁されている。
【００１７】コイル１３は、図１に示すように、ｎ巻の
楕円形の導線を連続させたものであり、これに電流を流
すことによって磁気抵抗効果素子に磁界を発生させて磁
気ディスク装置に搭載されてている磁気ディスクに対し
て情報の記録や再生を行なう。なお、本実施形態におい
ては、コイル１３は、図６に示したＭＲ薄膜磁気ヘッド
１０と同様に１層のみであるが、２層以上（多層）とす
ることもできる。この場合は、隣接する各層のコイルの
間に絶縁層を設ける。
楕円形の導線を連続させたものであり、これに電流を流
すことによって磁気抵抗効果素子に磁界を発生させて磁
気ディスク装置に搭載されてている磁気ディスクに対し
て情報の記録や再生を行なう。なお、本実施形態におい
ては、コイル１３は、図６に示したＭＲ薄膜磁気ヘッド
１０と同様に１層のみであるが、２層以上（多層）とす
ることもできる。この場合は、隣接する各層のコイルの
間に絶縁層を設ける。
【００１８】共通磁極１１は、磁気抵抗効果素子を磁気
的にシールドするための上部シールド層と記録動作を行
うためのヨークを形成するための下部磁極との二つの役
割を兼ねている。
的にシールドするための上部シールド層と記録動作を行
うためのヨークを形成するための下部磁極との二つの役
割を兼ねている。
【００１９】ＭＲ薄膜磁気ヘッドの記録部のインダクタ
ンスＬは、
ンスＬは、
【００２０】
【式１】
【００２１】なる関係をがある。ここで、ｎ：コイル１
３の巻数、μ0 ：真空の透磁率、μ：比透磁率（ヨーク
の透磁率の真空の透磁率に対する比）、ｇ：磁気抵抗効
果素子のギャップ長（非磁性層の厚さ）、Ａg ：ギャッ
プ対向面の面積（上部磁極の先端部の幅ｓ×上部磁極と
非磁性層の接触部の長さＬ）、ｌc ：ヨークの磁路
長、Ａc ：ヨークの断面積（ヨーク全体が同一断面を有
していると見做した場合の平均等価断面積）である。
３の巻数、μ0 ：真空の透磁率、μ：比透磁率（ヨーク
の透磁率の真空の透磁率に対する比）、ｇ：磁気抵抗効
果素子のギャップ長（非磁性層の厚さ）、Ａg ：ギャッ
プ対向面の面積（上部磁極の先端部の幅ｓ×上部磁極と
非磁性層の接触部の長さＬ）、ｌc ：ヨークの磁路
長、Ａc ：ヨークの断面積（ヨーク全体が同一断面を有
していると見做した場合の平均等価断面積）である。
【００２２】従って、上部磁極の大きさが一定とした場
合は、ヨークの断面積を支配する共通磁極の面積と記録
部のインダクタンスとの関係は、図２に示すように、共
通磁極の面積に比例して記録部のインダクタンスが大き
くなる（ただし、共通磁極の膜厚とコイルの巻数とを一
定とした場合）。
合は、ヨークの断面積を支配する共通磁極の面積と記録
部のインダクタンスとの関係は、図２に示すように、共
通磁極の面積に比例して記録部のインダクタンスが大き
くなる（ただし、共通磁極の膜厚とコイルの巻数とを一
定とした場合）。
【００２３】本実施形態においては、図１に示すよう
に、共通磁極１１の幅Ｅを上部磁極１２の幅ｄとほぼ等
しくし、共通磁極１１の形状をほぼ長方形とすることに
より、磁気シールド効果を損わずに共通磁極１１の面積
を２８００μｍ2 とすると、図２のポイント３１に示す
ように、記録部のインダクタンスをほぼ１００ｎＨとす
ることができる。（従来のＭＲ薄膜磁気ヘッドは、ポイ
ント３２〜３３に示すように、共通磁極の面積が約４０
００〜９０００μｍ2 で、記録部のインダクタンスをほ
ぼ１５０〜２２０ｎＨである。） 複合型薄膜磁気ヘッドにおける記録部のインダクタンス
とＮＬＴＳとの関係は、図３の曲線３５に示すように、
記録部のインダクタンスが小さくなると、ＮＬＴＳは減
少する。記録部のインダクタンスが小さいと、情報の記
録のためにコイルに流す電流（記録電流：記録信号）の
立ち上り時間が短くなり、これに伴って記録部のギャッ
プで発生する磁界（ヘッド磁界）の立ち上り時間が短く
なる。従って、記録信号の変化に近いヘッド磁界の変化
が得られるため、ＮＬＴＳは減少する。記録部のインダ
クタンスが１００ｎＨのときは、ＮＬＴＳは約−２０ｄ
Ｂである。（従来の複合型薄膜磁気ヘッドは、記録部の
インダクタンスはほぼ２００ｎＨであり、そのときのＮ
ＬＴＳは約−１０ｄＢである。） 図４は本発明の第二の実施形態を示す平面図である。
に、共通磁極１１の幅Ｅを上部磁極１２の幅ｄとほぼ等
しくし、共通磁極１１の形状をほぼ長方形とすることに
より、磁気シールド効果を損わずに共通磁極１１の面積
を２８００μｍ2 とすると、図２のポイント３１に示す
ように、記録部のインダクタンスをほぼ１００ｎＨとす
ることができる。（従来のＭＲ薄膜磁気ヘッドは、ポイ
ント３２〜３３に示すように、共通磁極の面積が約４０
００〜９０００μｍ2 で、記録部のインダクタンスをほ
ぼ１５０〜２２０ｎＨである。） 複合型薄膜磁気ヘッドにおける記録部のインダクタンス
とＮＬＴＳとの関係は、図３の曲線３５に示すように、
記録部のインダクタンスが小さくなると、ＮＬＴＳは減
少する。記録部のインダクタンスが小さいと、情報の記
録のためにコイルに流す電流（記録電流：記録信号）の
立ち上り時間が短くなり、これに伴って記録部のギャッ
プで発生する磁界（ヘッド磁界）の立ち上り時間が短く
なる。従って、記録信号の変化に近いヘッド磁界の変化
が得られるため、ＮＬＴＳは減少する。記録部のインダ
クタンスが１００ｎＨのときは、ＮＬＴＳは約−２０ｄ
Ｂである。（従来の複合型薄膜磁気ヘッドは、記録部の
インダクタンスはほぼ２００ｎＨであり、そのときのＮ
ＬＴＳは約−１０ｄＢである。） 図４は本発明の第二の実施形態を示す平面図である。
【００２４】本実施形態は、共通磁極２１の磁気シール
ド効果を一層確実にするため、共通磁極２１の前端部の
みの幅を広くしたものである。すなわち、共通磁極２１
の前端部の幅Ｆを上部磁極２２の幅ｄよりも広くし、残
余の部分の幅Ｅを上部磁極１２の幅ｄとほぼ等しくして
ある。幅Ｆは幅Ｅのほぼ１．５倍である。幅Ｆの部分の
長さは、磁気抵抗効果素子（図６参照）の長さとほぼ同
じである。
ド効果を一層確実にするため、共通磁極２１の前端部の
みの幅を広くしたものである。すなわち、共通磁極２１
の前端部の幅Ｆを上部磁極２２の幅ｄよりも広くし、残
余の部分の幅Ｅを上部磁極１２の幅ｄとほぼ等しくして
ある。幅Ｆは幅Ｅのほぼ１．５倍である。幅Ｆの部分の
長さは、磁気抵抗効果素子（図６参照）の長さとほぼ同
じである。
【００２５】このように構成することにより、磁気抵抗
効果素子のある部分の共通磁極２１のはばが大きくなる
ため、磁気抵抗効果素子に対する磁気シールド効果が一
層確実になる。このときの共通磁極２１の面積は、５％
程度大きくなるに過ぎないため、ＮＬＴＳに対する影響
は小さい。
効果素子のある部分の共通磁極２１のはばが大きくなる
ため、磁気抵抗効果素子に対する磁気シールド効果が一
層確実になる。このときの共通磁極２１の面積は、５％
程度大きくなるに過ぎないため、ＮＬＴＳに対する影響
は小さい。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の複合型薄
膜磁気ヘッドは、磁気シールド効果を損わない範囲で共
通磁極の幅を小さくすることによってその面積を小さく
することにより、記録部のインダクタンスを小さくする
ことができるため、ヘッド磁界の立ち上り時間を短くし
てＮＬＴＳを低減させることができるという効果があ
り、従ってハードディスクドライブの記録密度を向上さ
せることができるという効果がある。
膜磁気ヘッドは、磁気シールド効果を損わない範囲で共
通磁極の幅を小さくすることによってその面積を小さく
することにより、記録部のインダクタンスを小さくする
ことができるため、ヘッド磁界の立ち上り時間を短くし
てＮＬＴＳを低減させることができるという効果があ
り、従ってハードディスクドライブの記録密度を向上さ
せることができるという効果がある。
【図１】本発明の第一の実施形態を示す平面図である。
【図２】複合型薄膜磁気ヘッドにおける共通磁極の面積
と記録部のインダクタンスとの関係を示す特性図であ
る。
と記録部のインダクタンスとの関係を示す特性図であ
る。
【図３】複合型薄膜磁気ヘッドにおける記録部のインダ
クタンスとＮＬＴＳとの関係を示す特性図である。
クタンスとＮＬＴＳとの関係を示す特性図である。
【図４】本発明の第二の実施形態を示す平面図である。
【図５】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの一例を示す平面
図である。
図である。
【図６】図５のＡ−Ａ線断面図である。
１・１１・２１ 共通磁極 ２・１２・２２ 上部磁極 ３・１３・２３ 導体コイル（コイル） ４ 基板 ５ 下部シールド層 ６・８ 非磁性層 ７ 磁気抵抗効果素子 ９ａ・９ｂ 絶縁層 １０・２０・３０ 複合型薄膜磁気ヘッド（ＭＲ薄膜
磁気ヘッド） ３１〜３３ ポイント ３５ 曲線
磁気ヘッド） ３１〜３３ ポイント ３５ 曲線
Claims (4)
- 【請求項１】 非磁性の基板の上に磁性層の下部シール
ド層を形成し、前記下部シールド層の上に第一の非磁性
層を形成し、前記第一の非磁性層の上に上部シールド層
および下部磁極を兼ねる共通磁極を形成し、前記共通磁
極の上に第二の非磁性層を形成し、前記第二の非磁性層
の上に第一の絶縁層を介して導体コイルを形成し、前記
導体コイルを第二の絶縁層によって被覆し、前記第二の
絶縁層の上に上部磁極を形成して前記上部磁極の前端部
を前記第一の非磁性層と直接接触させかつ前記上部磁極
の後端部を前記共通磁極と直接接触させてヨーク構造を
形成し、前記第一の非磁性層の前端部の中に磁気抵抗効
果素子を設けた複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記共
通磁極の幅を前記上部磁極の幅と同等以下としたことを
特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記共通磁極の面積を約３０００μｍ2
以下としたことを特徴とする請求項１記載の複合型薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項３】 非磁性の基板の上に磁性層の下部シール
ド層を形成し、前記下部シールド層の上に第一の非磁性
層を形成し、前記第一の非磁性層の上に上部シールド層
および下部磁極を兼ねる共通磁極を形成し、前記共通磁
極の上に第二の非磁性層を形成し、前記第二の非磁性層
の上に第一の絶縁層を介して導体コイルを形成し、前記
導体コイルを第二の絶縁層によって被覆し、前記第二の
絶縁層の上に上部磁極を形成して前記上部磁極の前端部
を前記第一の非磁性層と直接接触させかつ前記上部磁極
の後端部を前記共通磁極と直接接触させてヨーク構造を
形成し、前記第一の非磁性層の前端部の中に磁気抵抗効
果素子を設けた複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記共
通磁極の前記磁気抵抗効果素子に対応する前端部を除く
主要部の幅を前記上部磁極の幅と同等以下とし、前記共
通磁極の前記前端部の幅を前記主要部の幅よりも広くし
たことを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記共通磁極の面積を約３０００μｍ2
以下としたことを特徴とする請求項３記載の複合型薄膜
磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9204888A JPH1145413A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
| US09/124,072 US6088197A (en) | 1997-07-30 | 1998-07-29 | Thin film magnetic head with reduced-area common pole layer for improving recording density |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9204888A JPH1145413A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1145413A true JPH1145413A (ja) | 1999-02-16 |
Family
ID=16498066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9204888A Pending JPH1145413A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6088197A (ja) |
| JP (1) | JPH1145413A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6417998B1 (en) * | 1999-03-23 | 2002-07-09 | Read-Rite Corporation | Ultra small advanced write transducer and method for making same |
| US6466401B1 (en) * | 1999-06-02 | 2002-10-15 | Read-Rite Corporation | Thin film write head with interlaced coil winding and method of fabrication |
| JP2002015404A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US7133253B1 (en) * | 2002-06-03 | 2006-11-07 | Western Digital (Fremont), Inc. | Pole tip with sides flared at media-facing surface |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5901431A (en) * | 1995-06-07 | 1999-05-11 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating a thin film inductive head having a second pole piece having a mushroom yoke portion |
-
1997
- 1997-07-30 JP JP9204888A patent/JPH1145413A/ja active Pending
-
1998
- 1998-07-29 US US09/124,072 patent/US6088197A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6088197A (en) | 2000-07-11 |
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