JPH10256643A - Semiconductor laser - Google Patents
Semiconductor laserInfo
- Publication number
- JPH10256643A JPH10256643A JP5507097A JP5507097A JPH10256643A JP H10256643 A JPH10256643 A JP H10256643A JP 5507097 A JP5507097 A JP 5507097A JP 5507097 A JP5507097 A JP 5507097A JP H10256643 A JPH10256643 A JP H10256643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- submount
- laser device
- heat sink
- insulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 218
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 70
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 50
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 14
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 6
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ装置に
関し、特に放熱性に優れ、しかも安価な半導体レーザ装
置を関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser device, and more particularly, to a semiconductor laser device which has excellent heat dissipation and is inexpensive.
【従来の技術】ＭＯ、ＣＤ−Ｒなどの書き込み可能なデ
ィスクドライブおよび、ＤＶＤ用ディスクドライブのピ
ックアップ光源として半導体レーザ素子を組み込んだ半
導体レーザ装置が知られている。この半導体レーザ素子
は内部に形成されたＰＮジャンクションに電流を注入す
ることでレーザ光が照射されるが、同時に熱が発生す
る。一般に半導体レーザ素子ではこの熱を効率よく放熱
させるため、半導体レーザ素子のＰ側面を下にして（＝
ジャンクションダウン方式）熱伝導性のよいＳｉ製のサ
ブマウントに搭載し、半導体レーザ素子からの熱をこの
サブマントに伝えて放熱させる構造が採用されている。
特に、この構造によれば半導体レーザ素子のＰ側面を下
にしているので、発熱源であるＰＮジャンクションとサ
ブマウントの距離を短くすることができ、半導体レーザ
素子からの熱をさらに効率よくサブマウントに伝わるこ
とになる。図５に、従来の半導体レーザ素子が搭載され
たサブマウントを利用した半導体レーザ装置の実装構造
を示している。Ｃｕ等からなるヒートシンク２１に半田
を介して導電性のＳｉサブマウント２２が搭載されてい
る。サブマウント２２の表面には酸化膜２３（＝ＳｉＯ
2）介してＡｌ配線２４が形成されるとともに、Ａｌパ
ッド２５が直接形成されている。Ａｌ配線２４には放熱
効果を上げるためジャンクションダウン方式で半導体レ
ーザ素子２６が搭載されている。そして、半導体レーザ
素子２６のＮ側面とＡｌパッド２５が金属ワイヤ２７に
より電気的に接続されている。サブマウント２２の近傍
には半導体レーザ素子２６に外部から電流を供給するた
めのリードピン２８が配置されており、このリードピン
２８とＡｌ配線２４とが金属ワイヤ２９により電気的に
接続されている。一般にＭＯ、ＣＤ−Ｒなどの光ディス
ク用の半導体レーザ装置においてはプラス電源が使用さ
れるため、ヒートシンク２１がコモン、即ちマイナス電
極となり、リードピン２８がプラス電極となる。その結
果、電流が矢印に示すように、リードピン２８→金属ワ
イヤ２９→Ａｌ配線２４→半導体レーザ素子２６のＰ側
面→半導体レーザ素子２６のＮ側面→金属ワイヤ２７→
Ａｌパッド２５→サブマウント２２→ヒートシンク２１
の順に流れることにより、半導体レーザ素子２６が駆動
されレーザ光を放出する。2. Description of the Related Art A semiconductor laser device incorporating a semiconductor laser element as a pickup light source for a writable disk drive such as an MO or a CD-R and a DVD disk drive is known. This semiconductor laser element is irradiated with laser light by injecting a current into a PN junction formed therein, but generates heat at the same time. Generally, in a semiconductor laser device, in order to efficiently radiate this heat, the P side of the semiconductor laser device is turned down (=
Junction down method) A structure is used in which the semiconductor laser device is mounted on a submount made of silicon having good thermal conductivity, and the heat from the semiconductor laser element is transmitted to the submant and radiated.
In particular, according to this structure, since the P side surface of the semiconductor laser device is directed downward, the distance between the PN junction, which is a heat source, and the submount can be shortened, and the heat from the semiconductor laser device can be more efficiently submounted. It will be transmitted to. FIG. 5 shows a mounting structure of a conventional semiconductor laser device using a submount on which a semiconductor laser element is mounted. A conductive Si submount 22 is mounted on a heat sink 21 made of Cu or the like via solder. An oxide film 23 (= SiO 2) is formed on the surface of the submount 22.
2 ) The Al wiring 24 is formed through the intermediary, and the Al pad 25 is directly formed. A semiconductor laser element 26 is mounted on the Al wiring 24 by a junction down method in order to enhance a heat radiation effect. The N side surface of the semiconductor laser element 26 and the Al pad 25 are electrically connected by a metal wire 27. A lead pin 28 for supplying a current from the outside to the semiconductor laser element 26 is arranged near the submount 22, and the lead pin 28 and the Al wiring 24 are electrically connected by a metal wire 29. In general, a plus power supply is used in a semiconductor laser device for an optical disk such as an MO or a CD-R, so that the heat sink 21 becomes a common, that is, a minus electrode, and the lead pin 28 becomes a plus electrode. As a result, as shown by the arrow, the current is as shown by the arrow, the lead pin 28 → the metal wire 29 → the Al wiring 24 → the P side of the semiconductor laser device 26 → the N side of the semiconductor laser device 26 → the metal wire 27 →
Al pad 25 → submount 22 → heat sink 21
, The semiconductor laser element 26 is driven to emit laser light.
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の半
導体レーザ装置においては半導体レーザ素子２６をジャ
ンクションダウン方式でサブマウント２２にて搭載する
必要があるのと、ヒートシンク２１をマイナス電極とす
る必要があるため、導電性のサブマウント２２を用いる
場合には、半導体レーザ素子２６が搭載されるＡｌパッ
ド２５とサブマント２２を酸化膜２３で絶縁しなければ
ならなかった。しかしながら、図７の表に示すように、
酸化膜２３（＝ＳｉＯ2）はサブマウント２２（＝Ｓ
ｉ）に比較して熱伝導率が非常に小さいため、半導体レ
ーザ素子２６で発生した熱を酸化膜２３の存在によりサ
ブマウント２２側に効率よく逃がすことができないとい
った欠点があった。一方、Ｓｉ製のサブマウントでな
く、ＡｌＮのように絶縁物でありながら熱伝導率がＳｉ
以上のものをサブマウントとして使用することが知られ
ている。図６に、ＡｌＮ製のサブマウントを利用した半
導体レーザ装置の実装構造を示している。Ｃｕ等からな
るヒートシンク２１上に絶縁体であるＡｌＮ製のサブマ
ウント３０が搭載されている。サブマウント３０の表面
にはＡｌ配線３１及びＡｌ配線３２が電気的に分離する
ように形成されるとともに、Ａｌ配線３１上には半導体
レーザ素子２６がジャンクションダウン方式で搭載され
ている。そして、半導体レーザ素子２６のＮ側面とＡｌ
配線３２が金属ワイヤ３３により、Ａｌ配線３２とヒー
トシンク２１が金属ワイヤ３４により電気的に接続され
ている。さらに、サブマウント３０の近傍には半導体レ
ーザ素子２６に外部からの電流を供給するためのリード
ピン２８が配置されており、このリードピン２８とＡｌ
配線３１とが金属ワイヤ３５により電気的に接続されて
いる。この構造の半導体レーザ装置では、電流が矢印に
示すように、リードピン２８→金属ワイヤ３５→Ａｌ配
線３１→半導体レーザ素子２６のＰ側面→半導体レーザ
素子２６のＮ側面→金属ワイヤ３３→Ａｌ配線３２→金
属ワイヤ３４→ヒートシンク２１の順に流れることによ
り、半導体レーザ素子２６が駆動されレーザ光を放出す
る。この半導体レーザ装置ではサブマウント２２がＡｌ
Ｎの絶縁体であるので、Ａｌ配線３１の下面に放熱性の
悪い酸化膜を形成する必要がない。従って、半導体レー
ザ素子２６で発生した熱をＡｌ配線３１のみを介してサ
ブマウント３０に伝えることができるので、Ｓｉ製のサ
ブマウントに比較して効率的に放熱させることができ
る。ところで、図５及び図６に示す、いずれの半導体レ
ーザ装置においても半導体レーザ素子２６をサブマウン
ト２２，３０上に搭載することで放熱性を向上させてい
るが、一方で次のような利点も有している。すなわち、
半導体レーザ素子２６自体が非常に小さいため、素子の
状態でスクリーニング試験等することは取扱い上不便で
あるが、半導体レーザ素子２６を素子の何十倍の大きさ
のサブマウント２２，３０上に搭載した状態で、つまり
これを一単位として測定等を行えば、取扱いを容易なも
のとすることができる。一般的な半導体レーザ装置の組
立工程においては、半導体レーザ素子２６をサブマウン
ト２２，３０上に搭載した状態で電気的光学的特性等を
測定し、必要があれば通電バーンイン等のスクリーニン
グ試験を実施し、良品となった半導体レーザ素子２６搭
載のサブマウント２２，３０のみがヒートシンク２１に
取付けられ、不良品はそのまま、半導体レーザ素子２６
及びサブマウント２２，３０の両方が、廃棄される。上
述の組立工程において、Ｓｉ製のサブマウント２２を使
用する場合、サブマウント２２の価格が比較的安価なの
で廃棄による損失はあまり問題とならない。しかし、Ａ
ｌＮ等のように絶縁体でありながら熱伝率の高い物質の
場合、半導体レーザ装置としての放熱性はＳｉ製のサブ
マウントを使用するより優れているが、価格がＳｉ製に
比べ数十倍と非常に高価であるため廃棄による損失が膨
大なものとなっていた。その結果、半導体レーザ装置自
体のコストアップになるという問題を招いていた。本発
明の目的は、安価なＳｉ製のサブマウントを用いなが
ら、放熱にも優れた半導体レーザー装置を提供すること
にある。However, in the above-described semiconductor laser device, it is necessary to mount the semiconductor laser element 26 on the submount 22 in a junction-down manner, and it is necessary to use the heat sink 21 as a negative electrode. When the conductive submount 22 is used, the Al pad 25 on which the semiconductor laser element 26 is mounted and the submount 22 must be insulated by the oxide film 23. However, as shown in the table of FIG.
The oxide film 23 (= SiO 2 ) is formed on the submount 22 (= S
Since the thermal conductivity is very small as compared with i), there is a disadvantage that the heat generated in the semiconductor laser element 26 cannot be efficiently released to the submount 22 due to the presence of the oxide film 23. On the other hand, it is not a submount made of Si, but the heat conductivity is
It is known to use the above as a submount. FIG. 6 shows a mounting structure of a semiconductor laser device using a submount made of AlN. A submount 30 made of AlN, which is an insulator, is mounted on a heat sink 21 made of Cu or the like. An Al wiring 31 and an Al wiring 32 are formed on the surface of the submount 30 so as to be electrically separated from each other, and a semiconductor laser element 26 is mounted on the Al wiring 31 by a junction down method. Then, the N side surface of the semiconductor laser element 26 and Al
The wiring 32 is electrically connected by the metal wire 33, and the Al wiring 32 and the heat sink 21 are electrically connected by the metal wire 34. Further, a lead pin 28 for supplying a current from the outside to the semiconductor laser element 26 is disposed near the submount 30.
The wiring 31 is electrically connected by a metal wire 35. In the semiconductor laser device having this structure, as shown by the arrows, the current is as shown by the arrow, the lead pin 28 → the metal wire 35 → the Al wiring 31 → the P side of the semiconductor laser element 26 → the N side of the semiconductor laser element 26 → the metal wire 33 → the Al wiring 32. The semiconductor laser element 26 is driven and emits laser light by flowing in the order of the metal wire 34 and the heat sink 21. In this semiconductor laser device, the submount 22 is made of Al
Since it is an insulator of N, it is not necessary to form an oxide film having poor heat dissipation on the lower surface of the Al wiring 31. Therefore, since the heat generated by the semiconductor laser element 26 can be transmitted to the submount 30 only through the Al wiring 31, the heat can be dissipated more efficiently than the submount made of Si. By the way, in any of the semiconductor laser devices shown in FIGS. 5 and 6, the semiconductor laser element 26 is mounted on the submounts 22 and 30 to improve the heat dissipation, but the following advantages are also provided. Have. That is,
Since the semiconductor laser element 26 itself is very small, it is inconvenient to perform a screening test or the like in the state of the element. However, the semiconductor laser element 26 is mounted on the submounts 22 and 30 several tens of times larger than the element. If the measurement or the like is performed in a state where it is performed, that is, using this as one unit, handling can be facilitated. In the process of assembling a general semiconductor laser device, electrical and optical characteristics and the like are measured with the semiconductor laser element 26 mounted on the submounts 22 and 30, and a screening test such as energization burn-in is performed if necessary. Then, only the submounts 22, 30 on which the non-defective semiconductor laser device 26 is mounted are mounted on the heat sink 21, and the defective products are left as they are.
And both the submounts 22 and 30 are discarded. When the submount 22 made of Si is used in the above-described assembling process, the cost of the submount 22 is relatively inexpensive, so that loss due to disposal does not cause much problem. But A
In the case of a substance having a high thermal conductivity, such as 1N, which is an insulator, the heat radiation as a semiconductor laser device is better than using a submount made of Si, but the cost is several tens of times as high as that made of Si. And the cost was very high, so the loss due to disposal was enormous. As a result, there has been a problem that the cost of the semiconductor laser device itself is increased. An object of the present invention is to provide a semiconductor laser device which is excellent in heat dissipation while using an inexpensive Si submount.
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために次のような構成をとる。すなわち、本発明
の半導体レーザ装置は、金属製のヒートシンクと、前記
ヒートシンク上に搭載される絶縁体と、前記絶縁体に搭
載される導電性のサブマウントと、前記サブマウントに
ＰＮジャンクションのＰ側面が電気的に接続するように
搭載された半導体レーザ素子と、前記サブマント近傍に
配置されたリードピンを有する半導体レーザ装置におい
て、前記ヒートシンクと半導体レーザ素子のＮ側とが電
気的に接続されるとともに、前記リードピンとサブマン
トが電気的に接続されているされていることを特徴とす
るものである。また、本発明の半導体レーザ装置は、前
記ヒートシンクと半導体レーザ素子のＮ側とがサブマウ
ント上の絶縁膜に形成された金属配線を介して電気的に
接続されていことを特徴とするものである。また、本発
明の半導体レーザ装置は、絶縁体がサブマウントと同等
以上の熱伝導率を有することを特徴とするものである。The present invention has the following configuration to achieve the above object. That is, a semiconductor laser device according to the present invention includes a metal heat sink, an insulator mounted on the heat sink, a conductive submount mounted on the insulator, and a P-side surface of a PN junction on the submount. A semiconductor laser device mounted so as to be electrically connected, and a semiconductor laser device having lead pins arranged near the submount, wherein the heat sink and the N side of the semiconductor laser device are electrically connected, The lead pin and the submount are electrically connected. The semiconductor laser device of the present invention is characterized in that the heat sink and the N side of the semiconductor laser element are electrically connected via a metal wiring formed on an insulating film on the submount. . The semiconductor laser device according to the present invention is characterized in that the insulator has a thermal conductivity equal to or higher than that of the submount.
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を、図１〜
図３を参照しつつ具体的に説明する。図１は本発明の一
実施例である半導体レーザ装置の概略構成を、図２は図
１に示す半導体レーザ装置の実装構造を示している。半
導体レーザ装置は外観的にはキャン封止構造をしてお
り、円板状のステム１と、ステム１の主面に気密的に取
り付けらたキャップ２と、ステム１の裏面に設けられた
３本のリードピン３，４，５から構成されている。３本
のリードピンの内リードピン３はステム１に電気的に導
通するよう直接固定されており、残りの２本のリードピ
ン４，５は絶縁体６により固定されている。ステム１と
キャップ２により形成されるパッケージ内において、ス
テム１の主面上には半導体レーザ素子１０の後方から照
射されるレーザ光を受光し、光出力をモニターするため
の受光素子５１が搭載されており、受光素子５１はステ
ム１を介してリードピン３と電気的に接続されている。
さらに受光素子５１の上面とリードピン４とが金属ワイ
ヤ５２より電気的に接続されている。キャップ２の天井
部には窓が形成されており、この窓を塞ぐように透明な
ガラス板５３が貼りつけられている。半導体レーザ素子
１０の前方から照射されるレーザ光は、このガラス板５
３を透過して外部へ放射される。次に、本発明の半導体
レーザ装置における特徴的な実装構造について説明す
る。ステム１とキャップ２により形成されるパッケージ
内において、ヒートシンク７はステム１に対して垂直方
向にろう材等で固定されるとともに、ステム１を介して
リードピン３と電気的に接続される。ヒートシンク７に
は、一般的に放熱性が高く、しかも電気導電性が高い金
属、例えばＣｕ又はＡｇが使用される。ヒートシンク７
にはＡｌＮ，ＳｉＣ又はＢｅＯのように絶縁物でありな
がらしかも熱伝導率が高い絶縁体８が搭載されている。
そして、絶縁体８上にはＳｉ製等の安価で、熱導電率が
高く、導電性のサブマント９が搭載されている。サブマ
ウント９の表面に、放熱効果を上げるためジャンクショ
ンダウン方式で、半導体レーザ素子１０がＡｌ等からな
るパッド１１に直接マウントされている。その結果、半
導体レーザ素子１０の下面、即ちＰ側面とサブマウント
９とがパッド１１を介して電気的に接続される。半導体
レーザ素子１０の上面、即ちＮ側面とヒートシンク７が
金属ワイヤ１２により電気的に接続されている。サブマ
ウント９の近傍には外部から半導体レーザ素子１０に電
流を供給するためのリードピン５がヒートシンク７と略
平行するように配置されており、このリードピン５とサ
ブマウント９の表面に形成されたＡｌ等からなるパッド
１３とが金属ワイヤ１４により電気的に接続されてい
る。この構造における半導体レーザ装置の電流は矢印に
示すように、リードピン５→金属ワイヤ１４→パッド１
３→サブマント９→パッド１１→半導体レーザ素子１０
のＰ側面→半導体レーザ素子１０のＮ側面→金属ワイヤ
１２→ヒートシンク７の順に流れ、半導体レーザ素子１
０が駆動されレーザ光を放出する。次に、半導体レーザ
素子１０で発生する熱は、半導体レーザ素子１０とサブ
マウント９との間には放熱性の悪い酸化膜（＝Ｓｉ
Ｏ2）が介在せず、放熱性の良いパッドのみ介している
ので、効率よくサブマウント９へ伝えられる。さらに、
サブマウント９に伝えられた熱は絶縁体８を介してヒー
トシンク７へも伝えられ、そこから外部へと放散され
る。電流の流れだけを考えれば、絶縁体８はサブマウン
ト９とヒートシンク７との間を電気的に絶縁できる物質
であれば良いが、サブマント９に伝えられた熱を効率よ
くヒートシンク７に伝えるためには、絶縁体８はサブマ
ウント９と同等以上の熱伝導率を有する物質、例えばＡ
ｌＮ、ＳｉＣ，ＢｅＯ等を使用することが望まれる。半
導体レーザ素子１０に発生する熱がサブマウント９から
ヒートシンク７に伝えられ外部へ放散されることによっ
て、半導体レーザ装置全体として十分な放熱特性を有す
ることになるからである。本発明ではサブマウント９と
ヒートシンク７との間にＡｌＮ等の絶縁体８を介在させ
る構造とすることで放熱性を向上させているが、一方で
廃棄損失に対する問題も解決している。つまり、本発明
においても高価なＡｌＮ等の絶縁体８を使用してるが、
この絶縁体８は予めヒートシンク７上に固定して設けら
れたものであり、実際に電気的光学的特性等が測定さ
れ、通電バーンイン等のスクリーニング試験を実施され
るのは、あくまで半導体レーザ素子１０搭載のサブマウ
ント９のみである。従って、上記のスクリーニング試験
等により不良品となった場合にも、廃棄されるのは安価
な半導体レーザ素子１０搭載のサブマウント９のみであ
り、高価なＡｌＮ等の絶縁体８がスクリーニング試験等
の結果により廃棄されることはない。本発明の半導体レ
ーザ装置の組立工程においては、従来と同様半導体レー
ザ素子１０をサブマウント９上に搭載した状態で電気的
光学的特性等を測定し、必要があれば通電バーンイン等
のスクリーニング試験を実施し、良品となった半導体レ
ーザ素子１０搭載のサブマウント９を、ヒートシンク７
上の予め設けられた絶縁体８上に搭載することになる。
次に、本発明の半導体レーザ装置における他の実装構造
を図３に示す。ステムとキャップにより形成されるパッ
ケージ内において、放熱性が高く、しかも電気導電性が
高い金属、例えばＣｕ又はＡｇからなるヒートシンク７
がステムにろう材等で固定されている。ヒートシンク７
にはＡｌＮ又はＳｉＣ等のように絶縁物でありながらし
かも熱伝導率が高い絶縁体８が設けられている。そし
て、絶縁体８上にはＳｉ製等の安価で、熱導電率が高
く、導電性のサブマント９が搭載されている。サブマウ
ント９の表面に、放熱効果を上げるためジャンクション
ダウン方式で、半導体レーザ素子１０がパッド１１を介
してマウントされている。その結果、半導体レーザ素子
１０の下面、即ちＰ側面とサブマウント９とがパッド１
１を介して電気的に接続される。また、半導体レーザ素
子１０の上面、即ちＮ側面とサブマウント９上に酸化膜
１５を介して形成されたＡｌ等からなる金属配線１６と
が金属ワイヤ１７により電気的に接続されている。金属
配線１６とヒートシンク７とが金属ワイヤ１８により電
気的に接続されている。さらに、リードピン５とサブマ
ウント９の表面に形成されたパッド１３とが金属ワイヤ
１４により電気的に接続されている。この構造における
半導体レーザ装置の電流は矢印に示すように、リードピ
ン５→金属ワイヤ１４→パッド１３→サブマント９→パ
ッド１１→半導体レーザ素子１０のＰ側面→半導体レー
ザ素子１０のＮ側面→金属ワイヤ１７→金属配線１６→
金属ワイヤ１８→ヒートシンク７の順に流れ、半導体レ
ーザ素子１０が駆動されレーザ光を放出する。本構造と
することで、特に、電気的光学的特性等の測定や、通電
バーンイン等のスクリーニング試験等において次のよう
な利点がある。図４に示すように、半導体レーザ１０素
子搭載のサブマウント９で上記の試験を行おうとする
と、（ａ）の場合においては、測定器４１から導出した
プローブ４２を半導体レーザ素子１０に直接接触させ
て、矢印に示すように測定器４１→測定台４３→サブマ
ウント９→半導体レーザ素子１０→プローブ４２→測定
器４１の順で電流を供給し、電気的光学的特性を測定す
る。しかし、（ｂ）の場合においては、サブマウント９
上の絶縁膜１７上に形成された金属配線１８に測定器４
１から導出したプローブ４２を接触させて、矢印に示す
ように測定器４１→測定台４３→サブマウント９→パッ
ド１１→半導体レーザ素子１０→金属ワイヤ１７→金属
配線１６→プローブ４２→測定器４１の順で電流を供給
し、電気的光学的特性を測定する。かかる場合におい
て、（ａ）では半導体レーザ素子１０にプローブ４２が
接触する構造なので、測定時に半導体レーザ素子１０に
衝撃を与えないようにする必要があるが、（ｂ）では金
属配線１６にプローブ４２を接触させる構造なので半導
体レーザ素子１０に影響を与えることなく測定が可能と
なる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
This will be specifically described with reference to FIG. FIG. 1 shows a schematic configuration of a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows a mounting structure of the semiconductor laser device shown in FIG. The semiconductor laser device has a can-sealing structure in appearance, and has a disk-shaped stem 1, a cap 2 hermetically attached to the main surface of the stem 1, and a cap 3 provided on the back surface of the stem 1. It is composed of three lead pins 3, 4, and 5. Of the three lead pins, the lead pin 3 is directly fixed to the stem 1 so as to be electrically connected to the stem 1, and the remaining two lead pins 4 and 5 are fixed by an insulator 6. In a package formed by the stem 1 and the cap 2, a light receiving element 51 for receiving laser light emitted from behind the semiconductor laser element 10 and monitoring the light output is mounted on the main surface of the stem 1. The light receiving element 51 is electrically connected to the lead pin 3 via the stem 1.
Further, the upper surface of the light receiving element 51 and the lead pin 4 are electrically connected by a metal wire 52. A window is formed on the ceiling of the cap 2, and a transparent glass plate 53 is attached so as to cover the window. The laser light emitted from the front of the semiconductor laser element 10
3 and is emitted to the outside. Next, a characteristic mounting structure of the semiconductor laser device of the present invention will be described. In a package formed by the stem 1 and the cap 2, the heat sink 7 is fixed to the stem 1 in a direction perpendicular to the stem 1 with a brazing material or the like, and is electrically connected to the lead pins 3 via the stem 1. The heat sink 7 is generally made of a metal having high heat dissipation and high electrical conductivity, for example, Cu or Ag. Heat sink 7
Is mounted with an insulator 8 such as AlN, SiC or BeO, which is an insulator and has a high thermal conductivity.
An inexpensive, high thermal conductivity, conductive submount 9 made of Si or the like is mounted on the insulator 8. On the surface of the submount 9, a semiconductor laser device 10 is directly mounted on a pad 11 made of Al or the like by a junction-down method to enhance a heat radiation effect. As a result, the lower surface of the semiconductor laser device 10, that is, the P side surface, and the submount 9 are electrically connected via the pad 11. The upper surface of the semiconductor laser device 10, that is, the N side surface, and the heat sink 7 are electrically connected by the metal wire 12. In the vicinity of the submount 9, a lead pin 5 for supplying a current from the outside to the semiconductor laser element 10 is arranged so as to be substantially parallel to the heat sink 7, and the lead pin 5 and the Al formed on the surface of the submount 9 are formed. And the like are electrically connected to each other by a metal wire 14. As shown by the arrow, the current of the semiconductor laser device in this structure is changed from the lead pin 5 to the metal wire 14 to the pad 1
3 → submant 9 → pad 11 → semiconductor laser device 10
Of the semiconductor laser device 10 → the N side surface of the semiconductor laser device 10 → the metal wire 12 → the heat sink 7.
0 is driven to emit laser light. Next, heat generated in the semiconductor laser device 10 is generated between the semiconductor laser device 10 and the submount 9 by an oxide film (= Si
O 2 ) does not intervene, but only through a pad having good heat dissipation, so that it can be efficiently transmitted to the submount 9. further,
The heat transmitted to the submount 9 is also transmitted to the heat sink 7 via the insulator 8 and is radiated from there to the outside. Considering only the current flow, the insulator 8 may be any material that can electrically insulate between the submount 9 and the heat sink 7, but in order to efficiently transmit the heat transmitted to the submount 9 to the heat sink 7, The insulator 8 is made of a material having a thermal conductivity equal to or higher than that of the submount 9, for example, A
It is desired to use 1N, SiC, BeO or the like. This is because the heat generated in the semiconductor laser device 10 is transmitted from the submount 9 to the heat sink 7 and dissipated to the outside, so that the semiconductor laser device as a whole has sufficient heat radiation characteristics. According to the present invention, the heat dissipation is improved by interposing an insulator 8 such as AlN between the submount 9 and the heat sink 7, but the problem of disposal loss is also solved. That is, in the present invention, the expensive insulator 8 such as AlN is used.
The insulator 8 is fixed on the heat sink 7 in advance, and the electrical and optical characteristics and the like are actually measured and the screening test such as burn-in is performed only when the semiconductor laser device 10 is used. Only the mounted submount 9 is provided. Therefore, even if a defective product is obtained by the above screening test or the like, only the inexpensive submount 9 on which the semiconductor laser element 10 is mounted is discarded. No results are discarded. In the process of assembling the semiconductor laser device of the present invention, the electrical and optical characteristics and the like are measured with the semiconductor laser element 10 mounted on the submount 9 as in the prior art, and if necessary, a screening test such as energization burn-in is performed. The submount 9 on which the implemented semiconductor laser device 10 is mounted is mounted on the heat sink 7.
It is mounted on the insulator 8 provided beforehand.
Next, another mounting structure of the semiconductor laser device of the present invention is shown in FIG. In a package formed by the stem and the cap, a heat sink 7 made of a metal having high heat dissipation and high electrical conductivity, for example, Cu or Ag
Is fixed to the stem with brazing material or the like. Heat sink 7
Is provided with an insulator 8 such as AlN or SiC, which is an insulator and has a high thermal conductivity. An inexpensive, high thermal conductivity, conductive submount 9 made of Si or the like is mounted on the insulator 8. A semiconductor laser device 10 is mounted on the surface of the submount 9 via a pad 11 by a junction down method to enhance a heat radiation effect. As a result, the lower surface of the semiconductor laser device 10, that is, the P side surface and the submount 9 are
1 electrically. The upper surface of the semiconductor laser device 10, that is, the N side surface, and a metal wiring 16 made of Al or the like formed on the submount 9 via an oxide film 15 are electrically connected by a metal wire 17. The metal wiring 16 and the heat sink 7 are electrically connected by the metal wire 18. Further, the lead pins 5 and the pads 13 formed on the surface of the submount 9 are electrically connected by metal wires 14. As shown by the arrows, the current of the semiconductor laser device in this structure is, as shown by the arrow, lead pin 5 → metal wire 14 → pad 13 → submant 9 → pad 11 → P side of semiconductor laser device 10 → N side of semiconductor laser device 10 → metal wire 17 → metal wiring 16 →
It flows in the order of the metal wire 18 and the heat sink 7, and the semiconductor laser element 10 is driven to emit laser light. This structure has the following advantages particularly in the measurement of electrical and optical characteristics and the screening test such as burn-in. As shown in FIG. 4, when the above test is to be performed with the submount 9 on which the semiconductor laser 10 is mounted, in the case of (a), the probe 42 derived from the measuring instrument 41 is brought into direct contact with the semiconductor laser 10. Then, as shown by the arrow, a current is supplied in the order of the measuring instrument 41 → the measuring table 43 → the submount 9 → the semiconductor laser device 10 → the probe 42 → the measuring instrument 41 to measure the electrical and optical characteristics. However, in the case of (b), the submount 9
The measuring device 4 is connected to the metal wiring 18 formed on the insulating film 17 above.
The probe 42 derived from 1 is brought into contact with the measuring device 41 → measuring table 43 → submount 9 → pad 11 → semiconductor laser element 10 → metal wire 17 → metal wiring 16 → probe 42 → measuring device 41 as shown by the arrow. Are supplied in this order, and the electrical and optical characteristics are measured. In such a case, since the probe 42 is in contact with the semiconductor laser element 10 in FIG. 7A, it is necessary to prevent the semiconductor laser element 10 from being shocked at the time of measurement. Can be measured without affecting the semiconductor laser device 10.
【発明の効果】上述の本発明の半導体レーザ装置によれ
ば、半導体レーザ素子の下面に酸化膜等の放熱性の悪い
絶縁膜が存在しないので放熱が良く、しかも安価なＳｉ
製のサブマウントに搭載された状態で半導体レーザ素子
をスクリーニング試験等できるのでＡｌＮ等の高価な絶
縁体を使用するのも拘わらず、従来と同様の廃棄損失に
抑えることができる。According to the above-described semiconductor laser device of the present invention, since there is no insulating film such as an oxide film having a low heat radiation property on the lower surface of the semiconductor laser element, the heat radiation is good and the Si laser is inexpensive.
Since the semiconductor laser device can be subjected to a screening test or the like while being mounted on a submount made of a semiconductor device, it is possible to suppress the same waste loss as in the past despite using an expensive insulator such as AlN.
【図１】本発明の半導体レーザ装置を示す概略構成図。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a semiconductor laser device of the present invention.
【図２】本発明の半導体レーザ装置の実装構造を示す説
明図。FIG. 2 is an explanatory view showing a mounting structure of the semiconductor laser device of the present invention.
【図３】本発明の半導体レーザ装置の他の実装構造を示
す説明図。FIG. 3 is an explanatory view showing another mounting structure of the semiconductor laser device of the present invention.
【図４】本発明の半導体レーザ装置の他の実装構造を示
す説明図。FIG. 4 is an explanatory view showing another mounting structure of the semiconductor laser device of the present invention.
【図５】従来の半導体レーザ装置の実装構造を示す説明
図。FIG. 5 is an explanatory view showing a mounting structure of a conventional semiconductor laser device.
【図６】従来の半導体レーザ装置の実装構造を示す説明
図。FIG. 6 is an explanatory view showing a mounting structure of a conventional semiconductor laser device.
【図７】熱伝導率を示す表。FIG. 7 is a table showing thermal conductivity.
１ ステム ２ キャップ ３，４，５ リードピン ７ ヒートシンク ８ 絶縁体 ９ サブマウント １０ 半導体レーザ素子 １２，１３，１７，１８ 金属ワイヤ １５ 絶縁膜 １６ 金属配線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Stem 2 Cap 3,4,5 Lead pin 7 Heat sink 8 Insulator 9 Submount 10 Semiconductor laser device 12,13,17,18 Metal wire 15 Insulating film 16 Metal wiring
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成９年３月１２日[Submission date] March 12, 1997
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】全文[Correction target item name] Full text
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【書類名】 明細書[Document Name] Statement
【発明の名称】 半導体レーザ装置[Title of the Invention] Semiconductor laser device
【特許請求の範囲】[Claims]
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ装置に
関し、特に放熱性に優れ、しかも安価な半導体レーザ装
置を関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser device, and more particularly, to a semiconductor laser device which has excellent heat dissipation and is inexpensive.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＭＯ、ＣＤ−Ｒなどの書き込み可能なデ
ィスクドライブおよび、ＤＶＤ用ディスクドライブのピ
ックアップ光源として半導体レーザ素子を組み込んだ半
導体レーザ装置が知られている。この半導体レーザ素子
は内部に形成されたＰＮジャンクションに電流を注入す
ることでレーザ光が照射されるが、同時に熱が発生す
る。一般に半導体レーザ素子ではこの熱を効率よく放熱
させるため、半導体レーザ素子のＰ側面を下にして（＝
ジャンクションダウン方式）熱伝導性のよいＳｉ製のサ
ブマウントに搭載し、半導体レーザ素子からの熱をこの
サブマントに伝えて放熱させる構造が採用されている。
特に、この構造によれば半導体レーザ素子のＰ側面を下
にしているので、発熱源であるＰＮジャンクションとサ
ブマウントの距離を短くすることができ、半導体レーザ
素子からの熱をさらに効率よくサブマウントに伝わるこ
とになる。2. Description of the Related Art A semiconductor laser device incorporating a semiconductor laser element as a pickup light source for a writable disk drive such as an MO or a CD-R and a DVD disk drive is known. This semiconductor laser element is irradiated with laser light by injecting a current into a PN junction formed therein, but generates heat at the same time. Generally, in a semiconductor laser device, in order to efficiently radiate this heat, the P side of the semiconductor laser device is turned down (=
Junction down method) A structure is used in which the semiconductor laser device is mounted on a submount made of silicon having good thermal conductivity, and the heat from the semiconductor laser element is transmitted to the submant and radiated.
In particular, according to this structure, since the P side surface of the semiconductor laser device is directed downward, the distance between the PN junction, which is a heat source, and the submount can be shortened, and the heat from the semiconductor laser device can be more efficiently submounted. It will be transmitted to.
【０００３】図５に、従来の半導体レーザ素子が搭載さ
れたサブマウントを利用した半導体レーザ装置の実装構
造を示している。Ｃｕ等からなるヒートシンク２１に半
田を介して導電性のＳｉサブマウント２２が搭載されて
いる。サブマウント２２の表面には酸化膜２３（＝Ｓｉ
Ｏ2）介してＡｌ配線２４が形成されるとともに、Ａｌ
パッド２５が直接形成されている。Ａｌ配線２４には放
熱効果を上げるためジャンクションダウン方式で半導体
レーザ素子２６が搭載されている。そして、半導体レー
ザ素子２６のＮ側面とＡｌパッド２５が金属ワイヤ２７
により電気的に接続されている。FIG. 5 shows a mounting structure of a semiconductor laser device using a submount on which a conventional semiconductor laser element is mounted. A conductive Si submount 22 is mounted on a heat sink 21 made of Cu or the like via solder. On the surface of the submount 22, an oxide film 23 (= Si
O 2 ), an Al wiring 24 is formed, and Al
Pad 25 is formed directly. A semiconductor laser element 26 is mounted on the Al wiring 24 by a junction down method in order to enhance a heat radiation effect. Then, the N side surface of the semiconductor laser element 26 and the Al pad 25 are
Are electrically connected to each other.
【０００４】サブマウント２２の近傍には半導体レーザ
素子２６に外部から電流を供給するためのリードピン２
８が配置されており、このリードピン２８とＡｌ配線２
４とが金属ワイヤ２９により電気的に接続されている。
一般にＭＯ、ＣＤ−Ｒなどの光ディスク用の半導体レー
ザ装置においてはプラス電源が使用されるため、ヒート
シンク２１がコモン、即ちマイナス電極となり、リード
ピン２８がプラス電極となる。その結果、電流が矢印に
示すように、リードピン２８→金属ワイヤ２９→Ａｌ配
線２４→半導体レーザ素子２６のＰ側面→半導体レーザ
素子２６のＮ側面→金属ワイヤ２７→Ａｌパッド２５→
サブマウント２２→ヒートシンク２１の順に流れること
により、半導体レーザ素子２６が駆動されレーザ光を放
出する。In the vicinity of the submount 22, a lead pin 2 for supplying a current from the outside to the semiconductor laser element 26 is provided.
8 and the lead pin 28 and the Al wiring 2
4 are electrically connected by a metal wire 29.
In general, a plus power supply is used in a semiconductor laser device for an optical disk such as an MO or a CD-R, so that the heat sink 21 becomes a common, that is, a minus electrode, and the lead pin 28 becomes a plus electrode. As a result, as shown by the arrow, the current is as shown by the lead pin 28 → metal wire 29 → Al wiring 24 → P side of the semiconductor laser device 26 → N side of the semiconductor laser device 26 → metal wire 27 → Al pad 25 →
By flowing in the order of the submount 22 and the heat sink 21, the semiconductor laser element 26 is driven to emit laser light.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の半
導体レーザ装置においては半導体レーザ素子２６をジャ
ンクションダウン方式でサブマウント２２にて搭載する
必要があるのと、ヒートシンク２１をマイナス電極とす
る必要があるため、導電性のサブマウント２２を用いる
場合には、半導体レーザ素子２６が搭載されるＡｌパッ
ド２５とサブマント２２を酸化膜２３で絶縁しなければ
ならなかった。However, in the above-described semiconductor laser device, it is necessary to mount the semiconductor laser element 26 on the submount 22 in a junction-down manner, and it is necessary to use the heat sink 21 as a negative electrode. When the conductive submount 22 is used, the Al pad 25 on which the semiconductor laser element 26 is mounted and the submount 22 must be insulated by the oxide film 23.
【０００６】しかしながら、図７の表に示すように、酸
化膜２３（＝ＳｉＯ2）はサブマウント２２（＝Ｓｉ）
に比較して熱伝導率が非常に小さいため、半導体レーザ
素子２６で発生した熱を酸化膜２３の存在によりサブマ
ウント２２側に効率よく逃がすことができないといった
欠点があった。一方、Ｓｉ製のサブマウントでなく、Ａ
ｌＮのように絶縁物でありながら熱伝導率がＳｉ以上の
ものをサブマウントとして使用することが知られてい
る。However, as shown in the table of FIG. 7, the oxide film 23 (= SiO 2 ) is formed on the submount 22 (= Si).
Since the heat conductivity of the semiconductor laser device 26 is very small as compared with that of the semiconductor laser device 26, the heat generated in the semiconductor laser device 26 cannot be efficiently released to the submount 22 due to the presence of the oxide film 23. On the other hand, instead of the Si submount, A
It is known to use an insulating material such as 1N having a thermal conductivity of Si or more as a submount.
【０００７】図６に、ＡｌＮ製のサブマウントを利用し
た半導体レーザ装置の実装構造を示している。Ｃｕ等か
らなるヒートシンク２１上に絶縁体であるＡｌＮ製のサ
ブマウント３０が搭載されている。サブマウント３０の
表面にはＡｌ配線３１及びＡｌ配線３２が電気的に分離
するように形成されるとともに、Ａｌ配線３１上には半
導体レーザ素子２６がジャンクションダウン方式で搭載
されている。そして、半導体レーザ素子２６のＮ側面と
Ａｌ配線３２が金属ワイヤ３３により、Ａｌ配線３２と
ヒートシンク２１が金属ワイヤ３４により電気的に接続
されている。FIG. 6 shows a mounting structure of a semiconductor laser device using an AlN submount. A submount 30 made of AlN, which is an insulator, is mounted on a heat sink 21 made of Cu or the like. An Al wiring 31 and an Al wiring 32 are formed on the surface of the submount 30 so as to be electrically separated from each other, and a semiconductor laser element 26 is mounted on the Al wiring 31 by a junction down method. Then, the N side surface of the semiconductor laser element 26 and the Al wiring 32 are electrically connected by the metal wire 33, and the Al wiring 32 and the heat sink 21 are electrically connected by the metal wire 34.
【０００８】さらに、サブマウント３０の近傍には半導
体レーザ素子２６に外部からの電流を供給するためのリ
ードピン２８が配置されており、このリードピン２８と
Ａｌ配線３１とが金属ワイヤ３５により電気的に接続さ
れている。この構造の半導体レーザ装置では、電流が矢
印に示すように、リードピン２８→金属ワイヤ３５→Ａ
ｌ配線３１→半導体レーザ素子２６のＰ側面→半導体レ
ーザ素子２６のＮ側面→金属ワイヤ３３→Ａｌ配線３２
→金属ワイヤ３４→ヒートシンク２１の順に流れること
により、半導体レーザ素子２６が駆動されレーザ光を放
出する。Further, a lead pin 28 for supplying an external current to the semiconductor laser element 26 is arranged near the submount 30, and the lead pin 28 and the Al wiring 31 are electrically connected by a metal wire 35. It is connected. In the semiconductor laser device having this structure, as shown by the arrow, the current is changed from the lead pin 28 to the metal wire 35 to A
1 wiring 31 → P side of semiconductor laser element 26 → N side of semiconductor laser element 26 → metal wire 33 → Al wiring 32
The semiconductor laser element 26 is driven and emits laser light by flowing in the order of the metal wire 34 and the heat sink 21.
【０００９】この半導体レーザ装置ではサブマウント２
２がＡｌＮの絶縁体であるので、Ａｌ配線３１の下面に
放熱性の悪い酸化膜を形成する必要がない。従って、半
導体レーザ素子２６で発生した熱をＡｌ配線３１のみを
介してサブマウント３０に伝えることができるので、Ｓ
ｉ製のサブマウントに比較して効率的に放熱させること
ができる。In this semiconductor laser device, the submount 2
Since 2 is an insulator of AlN, it is not necessary to form an oxide film having poor heat dissipation on the lower surface of the Al wiring 31. Therefore, the heat generated by the semiconductor laser element 26 can be transmitted to the submount 30 only through the Al wiring 31, so that the S
The heat can be dissipated more efficiently than the submount made of i.
【００１０】ところで、図５及び図６に示す、いずれの
半導体レーザ装置においても半導体レーザ素子２６をサ
ブマウント２２，３０上に搭載することで放熱性を向上
させているが、一方で次のような利点も有している。す
なわち、半導体レーザ素子２６自体が非常に小さいた
め、素子の状態でスクリーニング試験等することは取扱
い上不便であるが、半導体レーザ素子２６を素子の何十
倍の大きさのサブマウント２２，３０上に搭載した状態
で、つまりこれを一単位として測定等を行えば、取扱い
を容易なものとすることができる。Incidentally, in any of the semiconductor laser devices shown in FIGS. 5 and 6, the semiconductor laser element 26 is mounted on the submounts 22 and 30 to improve the heat radiation. It also has significant advantages. That is, since the semiconductor laser element 26 itself is very small, it is inconvenient to perform a screening test or the like in the state of the element, but the semiconductor laser element 26 is mounted on the submounts 22 and 30 tens of times as large as the element. If the measurement or the like is carried out in a state of being mounted on the, that is, using this as one unit, handling can be facilitated.
【００１１】一般的な半導体レーザ装置の組立工程にお
いては、半導体レーザ素子２６をサブマウント２２，３
０上に搭載した状態で電気的光学的特性等を測定し、必
要があれば通電バーンイン等のスクリーニング試験を実
施し、良品となった半導体レーザ素子２６搭載のサブマ
ウント２２，３０のみがヒートシンク２１に取付けら
れ、不良品はそのまま、半導体レーザ素子２６及びサブ
マウント２２，３０の両方が、廃棄される。In a general semiconductor laser device assembling process, the semiconductor laser element 26 is mounted on the submounts 22 and 3.
The electrical and optical characteristics and the like are measured in a state where the semiconductor laser device 26 is mounted on the semiconductor laser device 26, and if necessary, a screening test such as energization burn-in is performed. And both the semiconductor laser element 26 and the submounts 22 and 30 are discarded while the defective product remains as it is.
【００１２】上述の組立工程において、Ｓｉ製のサブマ
ウント２２を使用する場合、サブマウント２２の価格が
比較的安価なので廃棄による損失はあまり問題とならな
い。しかし、ＡｌＮ等のように絶縁体でありながら熱伝
率の高い物質の場合、半導体レーザ装置としての放熱性
はＳｉ製のサブマウントを使用するより優れているが、
価格がＳｉ製に比べ数十倍と非常に高価であるため廃棄
による損失が膨大なものとなっていた。その結果、半導
体レーザ装置自体のコストアップになるという問題を招
いていた。When the submount 22 made of Si is used in the above-described assembling process, the cost of the submount 22 is relatively inexpensive, so that the loss due to disposal does not cause much problem. However, in the case of a substance having a high thermal conductivity while being an insulator such as AlN, the heat radiation as a semiconductor laser device is better than using a Si submount,
The price is very high, several tens of times higher than that made of Si, and the loss due to disposal is enormous. As a result, there has been a problem that the cost of the semiconductor laser device itself is increased.
【００１３】本発明の目的は、安価なＳｉ製のサブマウ
ントを用いながら、放熱にも優れた半導体レーザー装置
を提供することにある。An object of the present invention is to provide a semiconductor laser device excellent in heat dissipation while using an inexpensive Si submount.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために次のような構成をとる。すなわち、本発明
の半導体レーザ装置は、金属製のヒートシンクと、前記
ヒートシンク上に搭載される導電性のサブマウントと、
前記サブマウントにＰＮジャンクションのＰ側面が電気
的に接続するように搭載された半導体レーザ素子と、前
記サブマント近傍に配置されたリードピンを有する半導
体レーザ装置において、前記ヒートシンクと前記サブマ
ウントとの間に絶縁体が設けられるとともに、前記ヒー
トシンクと半導体レーザ素子のＮ側とが、前記リードピ
ンとサブマントとが電気的に接続されているされている
ことを特徴とするものである。The present invention has the following configuration to achieve the above object. That is, the semiconductor laser device of the present invention, a metal heat sink, a conductive sub-mount mounted on the heat sink,
In a semiconductor laser device having a semiconductor laser device mounted so that a P side surface of a PN junction is electrically connected to the submount, and a lead pin arranged near the submount, the semiconductor laser device may be provided between the heat sink and the submount. An insulator is provided, and the lead pin and the submount are electrically connected to the heat sink and the N side of the semiconductor laser element.
【００１５】また、本発明の半導体レーザ装置は、前記
ヒートシンクと半導体レーザ素子のＮ側とがサブマウン
ト上の絶縁膜に形成された金属配線を介して電気的に接
続されていことを特徴とするものである。また、本発明
の半導体レーザ装置は、絶縁体がサブマウントと同等以
上の熱伝導率を有することを特徴とするものである。The semiconductor laser device according to the present invention is characterized in that the heat sink and the N side of the semiconductor laser element are electrically connected via a metal wiring formed on an insulating film on the submount. Things. The semiconductor laser device according to the present invention is characterized in that the insulator has a thermal conductivity equal to or higher than that of the submount.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を、図１〜
図３を参照しつつ具体的に説明する。図１は本発明の一
実施例である半導体レーザ装置の概略構成を、図２は図
１に示す半導体レーザ装置の実装構造を示している。半
導体レーザ装置は外観的にはキャン封止構造をしてお
り、円板状のステム１と、ステム１の主面に気密的に取
り付けらたキャップ２と、ステム１の裏面に設けられた
３本のリードピン３，４，５から構成されている。３本
のリードピンの内リードピン３はステム１に電気的に導
通するよう直接固定されており、残りの２本のリードピ
ン４，５は絶縁体６により固定されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
This will be specifically described with reference to FIG. FIG. 1 shows a schematic configuration of a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows a mounting structure of the semiconductor laser device shown in FIG. The semiconductor laser device has a can-sealing structure in appearance, and has a disk-shaped stem 1, a cap 2 hermetically attached to the main surface of the stem 1, and a cap 3 provided on the back surface of the stem 1. It is composed of three lead pins 3, 4, and 5. Of the three lead pins, the lead pin 3 is directly fixed to the stem 1 so as to be electrically connected to the stem 1, and the remaining two lead pins 4 and 5 are fixed by an insulator 6.
【００１７】ステム１とキャップ２により形成されるパ
ッケージ内において、ステム１の主面上には半導体レー
ザ素子１０の後方から照射されるレーザ光を受光し、光
出力をモニターするための受光素子５１が搭載されてお
り、受光素子５１はステム１を介してリードピン３と電
気的に接続されている。さらに受光素子５１の上面とリ
ードピン４とが金属ワイヤ５２より電気的に接続されて
いる。In a package formed by the stem 1 and the cap 2, on the main surface of the stem 1, a light receiving element 51 for receiving a laser beam irradiated from behind the semiconductor laser device 10 and monitoring the light output. Are mounted, and the light receiving element 51 is electrically connected to the lead pin 3 via the stem 1. Further, the upper surface of the light receiving element 51 and the lead pin 4 are electrically connected by a metal wire 52.
【００１８】キャップ２の天井部には窓が形成されてお
り、この窓を塞ぐように透明なガラス板５３が貼りつけ
られている。半導体レーザ素子１０の前方から照射され
るレーザ光は、このガラス板５３を透過して外部へ放射
される。次に、本発明の半導体レーザ装置における特徴
的な実装構造について説明する。A window is formed on the ceiling of the cap 2, and a transparent glass plate 53 is attached so as to cover the window. Laser light emitted from the front of the semiconductor laser element 10 passes through the glass plate 53 and is emitted to the outside. Next, a characteristic mounting structure of the semiconductor laser device of the present invention will be described.
【００１９】ステム１とキャップ２により形成されるパ
ッケージ内において、ヒートシンク７はステム１に対し
て垂直方向にろう材等で固定されるとともに、ステム１
を介してリードピン３と電気的に接続される。ヒートシ
ンク７には、一般的に放熱性が高く、しかも電気導電性
が高い金属、例えばＣｕ又はＡｇが使用される。ヒート
シンク７にはＡｌＮ，ＳｉＣ又はＢｅＯのように絶縁物
でありながらしかも熱伝導率が高い絶縁体８が搭載され
ている。そして、絶縁体８上にはＳｉ製等の安価で、熱
導電率が高く、導電性のサブマント９が搭載されてい
る。サブマウント９の表面に、放熱効果を上げるためジ
ャンクションダウン方式で、半導体レーザ素子１０がＡ
ｌ等からなるパッド１１に直接マウントされている。そ
の結果、半導体レーザ素子１０の下面、即ちＰ側面とサ
ブマウント９とがパッド１１を介して電気的に接続され
る。In a package formed by the stem 1 and the cap 2, the heat sink 7 is fixed to the stem 1 in a direction perpendicular to the stem 1 by a brazing material or the like.
Is electrically connected to the lead pin 3 via The heat sink 7 is generally made of a metal having high heat dissipation and high electrical conductivity, for example, Cu or Ag. On the heat sink 7, an insulator 8 such as AlN, SiC or BeO, which is an insulator and has a high thermal conductivity, is mounted. An inexpensive, high thermal conductivity, conductive submount 9 made of Si or the like is mounted on the insulator 8. The semiconductor laser element 10 is mounted on the surface of the submount 9 by a junction-down method to enhance the heat radiation effect.
It is directly mounted on a pad 11 made of a 1 or the like. As a result, the lower surface of the semiconductor laser device 10, that is, the P side surface, and the submount 9 are electrically connected via the pad 11.
【００２０】半導体レーザ素子１０の上面、即ちＮ側面
とヒートシンク７が金属ワイヤ１２により電気的に接続
されている。サブマウント９の近傍には外部から半導体
レーザ素子１０に電流を供給するためのリードピン５が
ヒートシンク７と略平行するように配置されており、こ
のリードピン５とサブマウント９の表面に形成されたＡ
ｌ等からなるパッド１３とが金属ワイヤ１４により電気
的に接続されている。The upper surface of the semiconductor laser device 10, that is, the N side surface, and the heat sink 7 are electrically connected by a metal wire 12. In the vicinity of the submount 9, a lead pin 5 for supplying a current from the outside to the semiconductor laser element 10 is disposed so as to be substantially parallel to the heat sink 7. A lead pin 5 and an A formed on the surface of the submount 9 are formed.
1 and the like are electrically connected by metal wires 14.
【００２１】この構造における半導体レーザ装置の電流
は矢印に示すように、リードピン５→金属ワイヤ１４→
パッド１３→サブマント９→パッド１１→半導体レーザ
素子１０のＰ側面→半導体レーザ素子１０のＮ側面→金
属ワイヤ１２→ヒートシンク７の順に流れ、半導体レー
ザ素子１０が駆動されレーザ光を放出する。次に、半導
体レーザ素子１０で発生する熱は、半導体レーザ素子１
０とサブマウント９との間には放熱性の悪い酸化膜（＝
ＳｉＯ2）が介在せず、放熱性の良いパッドのみ介して
いるので、効率よくサブマウント９へ伝えられる。さら
に、サブマウント９に伝えられた熱は絶縁体８を介して
ヒートシンク７へも伝えられ、そこから外部へと放散さ
れる。As shown by the arrow, the current of the semiconductor laser device having this structure is changed from the lead pin 5 to the metal wire 14 to the metal wire 14.
The semiconductor laser device 10 is driven and emits a laser beam in the order of the pad 13 → the submount 9 → the pad 11 → the P side surface of the semiconductor laser device 10 → the N side surface of the semiconductor laser device 10 → the metal wire 12 → the heat sink 7. Next, heat generated in the semiconductor laser element 10 is
Oxide film with poor heat dissipation (=
Since SiO 2 ) is not interposed and only the pad having good heat dissipation is interposed, it is efficiently transmitted to the submount 9. Further, the heat transmitted to the submount 9 is also transmitted to the heat sink 7 via the insulator 8, and is radiated from there to the outside.
【００２２】電流の流れだけを考えれば、絶縁体８はサ
ブマウント９とヒートシンク７との間を電気的に絶縁で
きる物質であれば良いが、サブマント９に伝えられた熱
を効率よくヒートシンク７に伝えるためには、絶縁体８
はサブマウント９と同等以上の熱伝導率を有する物質、
例えばＡｌＮ、ＳｉＣ，ＢｅＯ等を使用することが望ま
れる。Considering only the current flow, the insulator 8 may be made of any material capable of electrically insulating the submount 9 and the heat sink 7 from each other. However, the heat transferred to the submount 9 can be efficiently transferred to the heat sink 7. To convey the insulator 8
Is a substance having a thermal conductivity equal to or higher than that of the submount 9,
For example, it is desired to use AlN, SiC, BeO, or the like.
【００２３】半導体レーザ素子１０に発生する熱がサブ
マウント９からヒートシンク７に伝えられ外部へ放散さ
れることによって、半導体レーザ装置全体として十分な
放熱特性を有することになるからである。本発明ではサ
ブマウント９とヒートシンク７との間にＡｌＮ等の絶縁
体８を介在させる構造とすることで放熱性を向上させて
いるが、一方で廃棄損失に対する問題も解決している。This is because the heat generated in the semiconductor laser element 10 is transmitted from the submount 9 to the heat sink 7 and dissipated to the outside, so that the semiconductor laser device as a whole has sufficient heat radiation characteristics. According to the present invention, the heat dissipation is improved by interposing an insulator 8 such as AlN between the submount 9 and the heat sink 7, but the problem of disposal loss is also solved.
【００２４】つまり、本発明においても高価なＡｌＮ等
の絶縁体８を使用してるが、この絶縁体８は予めヒート
シンク７上に固定して設けられたものであり、実際に電
気的光学的特性等が測定され、通電バーンイン等のスク
リーニング試験を実施されるのは、あくまで半導体レー
ザ素子１０搭載のサブマウント９のみである。従って、
上記のスクリーニング試験等により不良品となった場合
にも、廃棄されるのは安価な半導体レーザ素子１０搭載
のサブマウント９のみであり、高価なＡｌＮ等の絶縁体
８がスクリーニング試験等の結果により廃棄されること
はない。That is, in the present invention, the expensive insulator 8 such as AlN is used, but this insulator 8 is fixed on the heat sink 7 in advance, and the electrical and optical characteristics are actually measured. Only the submount 9 on which the semiconductor laser device 10 is mounted is subjected to the screening test such as the current burn-in. Therefore,
Even in the case of a defective product due to the above screening test or the like, only the inexpensive submount 9 on which the inexpensive semiconductor laser element 10 is mounted is discarded. It will not be discarded.
【００２５】本発明の半導体レーザ装置の組立工程にお
いては、従来と同様半導体レーザ素子１０をサブマウン
ト９上に搭載した状態で電気的光学的特性等を測定し、
必要があれば通電バーンイン等のスクリーニング試験を
実施し、良品となった半導体レーザ素子１０搭載のサブ
マウント９を、ヒートシンク７上の予め設けられた絶縁
体８上に搭載することになる。In the process of assembling the semiconductor laser device of the present invention, electrical and optical characteristics and the like are measured while the semiconductor laser element 10 is mounted on the submount 9 as in the prior art.
If necessary, a screening test such as energization burn-in is performed, and the submount 9 on which the non-defective semiconductor laser device 10 is mounted is mounted on the insulator 8 provided on the heat sink 7 in advance.
【００２６】次に、本発明の半導体レーザ装置における
他の実装構造を図３に示す。ステムとキャップにより形
成されるパッケージ内において、放熱性が高く、しかも
電気導電性が高い金属、例えばＣｕ又はＡｇからなるヒ
ートシンク７がステムにろう材等で固定されている。ヒ
ートシンク７にはＡｌＮ又はＳｉＣ等のように絶縁物で
ありながらしかも熱伝導率が高い絶縁体８が設けられて
いる。そして、絶縁体８上にはＳｉ製等の安価で、熱導
電率が高く、導電性のサブマント９が搭載されている。Next, another mounting structure of the semiconductor laser device of the present invention is shown in FIG. In a package formed by the stem and the cap, a heat sink 7 made of a metal having high heat dissipation and high electrical conductivity, for example, Cu or Ag, is fixed to the stem with a brazing material or the like. The heat sink 7 is provided with an insulator 8 such as AlN or SiC, which is an insulator and has a high thermal conductivity. An inexpensive, high thermal conductivity, conductive submount 9 made of Si or the like is mounted on the insulator 8.
【００２７】サブマウント９の表面に、放熱効果を上げ
るためジャンクションダウン方式で、半導体レーザ素子
１０がパッド１１を介してマウントされている。その結
果、半導体レーザ素子１０の下面、即ちＰ側面とサブマ
ウント９とがパッド１１を介して電気的に接続される。
また、半導体レーザ素子１０の上面、即ちＮ側面とサブ
マウント９上に酸化膜１５を介して形成されたＡｌ等か
らなる金属配線１６とが金属ワイヤ１７により電気的に
接続されている。金属配線１６とヒートシンク７とが金
属ワイヤ１８により電気的に接続されている。さらに、
リードピン５とサブマウント９の表面に形成されたパッ
ド１３とが金属ワイヤ１４により電気的に接続されてい
る。A semiconductor laser device 10 is mounted on the surface of the submount 9 via a pad 11 by a junction-down method in order to enhance the heat radiation effect. As a result, the lower surface of the semiconductor laser device 10, that is, the P side surface, and the submount 9 are electrically connected via the pad 11.
The upper surface of the semiconductor laser device 10, that is, the N side surface, and a metal wiring 16 made of Al or the like formed on the submount 9 via an oxide film 15 are electrically connected by a metal wire 17. The metal wiring 16 and the heat sink 7 are electrically connected by the metal wire 18. further,
The lead pins 5 and the pads 13 formed on the surface of the submount 9 are electrically connected by metal wires 14.
【００２８】この構造における半導体レーザ装置の電流
は矢印に示すように、リードピン５→金属ワイヤ１４→
パッド１３→サブマント９→パッド１１→半導体レーザ
素子１０のＰ側面→半導体レーザ素子１０のＮ側面→金
属ワイヤ１７→金属配線１６→金属ワイヤ１８→ヒート
シンク７の順に流れ、半導体レーザ素子１０が駆動され
レーザ光を放出する。The current of the semiconductor laser device in this structure is changed from the lead pin 5 to the metal wire 14 as shown by the arrow.
Pad 13 → submant 9 → pad 11 → P side of semiconductor laser device 10 → N side of semiconductor laser device 10 → metal wire 17 → metal wiring 16 → metal wire 18 → heat sink 7 to drive semiconductor laser device 10 in this order. Emit laser light.
【００２９】本構造とすることで、特に、電気的光学的
特性等の測定や、通電バーンイン等のスクリーニング試
験等において次のような利点がある。図４に示すよう
に、半導体レーザ１０素子搭載のサブマウント９で上記
の試験を行おうとすると、（ａ）の場合においては、測
定器４１から導出したプローブ４２を半導体レーザ素子
１０に直接接触させて、矢印に示すように測定器４１→
測定台４３→サブマウント９→半導体レーザ素子１０→
プローブ４２→測定器４１の順で電流を供給し、電気的
光学的特性を測定する。The present structure has the following advantages particularly in the measurement of electrical and optical characteristics and in the screening test such as burn-in. As shown in FIG. 4, when the above test is to be performed with the submount 9 on which the semiconductor laser 10 is mounted, in the case of (a), the probe 42 derived from the measuring instrument 41 is brought into direct contact with the semiconductor laser 10. And measuring instrument 41 as shown by the arrow.
Measurement table 43 → submount 9 → semiconductor laser device 10 →
A current is supplied in the order of the probe 42 and the measuring device 41, and the electrical and optical characteristics are measured.
【００３０】しかし、（ｂ）の場合においては、サブマ
ウント９上の絶縁膜１７上に形成された金属配線１８に
測定器４１から導出したプローブ４２を接触させて、矢
印に示すように測定器４１→測定台４３→サブマウント
９→パッド１１→半導体レーザ素子１０→金属ワイヤ１
７→金属配線１６→プローブ４２→測定器４１の順で電
流を供給し、電気的光学的特性を測定する。However, in the case of (b), the probe 42 derived from the measuring device 41 is brought into contact with the metal wiring 18 formed on the insulating film 17 on the submount 9, and the measuring device 41 → measuring table 43 → submount 9 → pad 11 → semiconductor laser element 10 → metal wire 1
A current is supplied in the order of 7 → metal wiring 16 → probe 42 → measurement instrument 41 to measure electrical and optical characteristics.
【００３１】かかる場合において、（ａ）では半導体レ
ーザ素子１０にプローブ４２が接触する構造なので、測
定時に半導体レーザ素子１０に衝撃を与えないようにす
る必要があるが、（ｂ）では金属配線１６にプローブ４
２を接触させる構造なので半導体レーザ素子１０に影響
を与えることなく測定が可能となる。In this case, since the probe 42 is in contact with the semiconductor laser element 10 in FIG. 1A, it is necessary to prevent the semiconductor laser element 10 from being shocked at the time of measurement. Probe 4
Since the semiconductor laser device 10 has a structure in which the two are brought into contact with each other, the measurement can be performed without affecting the semiconductor laser device 10.
【００３２】[0032]
【発明の効果】上述の本発明の半導体レーザ装置によれ
ば、半導体レーザ素子の下面に酸化膜等の放熱性の悪い
絶縁膜が存在しないので放熱が良く、しかも安価なＳｉ
製のサブマウントに搭載された状態で半導体レーザ素子
をスクリーニング試験等できるのでＡｌＮ等の高価な絶
縁体を使用するのも拘わらず、従来と同様の廃棄損失に
抑えることができる。According to the above-described semiconductor laser device of the present invention, since there is no insulating film such as an oxide film having a low heat radiation property on the lower surface of the semiconductor laser element, the heat radiation is good and the Si laser is inexpensive.
Since the semiconductor laser device can be subjected to a screening test or the like while being mounted on a submount made of a semiconductor device, it is possible to suppress the same waste loss as in the past despite using an expensive insulator such as AlN.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】本発明の半導体レーザ装置を示す概略構成図。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a semiconductor laser device of the present invention.
【図２】本発明の半導体レーザ装置の実装構造を示す説
明図。FIG. 2 is an explanatory view showing a mounting structure of the semiconductor laser device of the present invention.
【図３】本発明の半導体レーザ装置の他の実装構造を示
す説明図。FIG. 3 is an explanatory view showing another mounting structure of the semiconductor laser device of the present invention.
【図４】本発明の半導体レーザ装置の他の実装構造を示
す説明図。FIG. 4 is an explanatory view showing another mounting structure of the semiconductor laser device of the present invention.
【図５】従来の半導体レーザ装置の実装構造を示す説明
図。FIG. 5 is an explanatory view showing a mounting structure of a conventional semiconductor laser device.
【図６】従来の半導体レーザ装置の実装構造を示す説明
図。FIG. 6 is an explanatory view showing a mounting structure of a conventional semiconductor laser device.
【図７】熱伝導率を示す表。FIG. 7 is a table showing thermal conductivity.
【符号の説明】 １ ステム ２ キャップ ３，４，５ リードピン ７ ヒートシンク ８ 絶縁体 ９ サブマウント １０ 半導体レーザ素子 １２，１３，１７，１８ 金属ワイヤ １５ 絶縁膜 １６ 金属配線[Description of Signs] 1 Stem 2 Cap 3, 4, 5 Lead pin 7 Heat sink 8 Insulator 9 Submount 10 Semiconductor laser device 12, 13, 17, 18 Metal wire 15 Insulating film 16 Metal wiring
Claims (4)
ク上に搭載される絶縁体と、前記絶縁体に搭載される導
電性のサブマウントと、前記サブマウントにＰＮジャン
クションのＰ側面が電気的に接続するように搭載された
半導体レーザ素子と、前記サブマント近傍に配置された
リードピンを有する半導体レーザ装置において、前記ヒ
ートシンクと半導体レーザ素子のＮ側とが電気的に接続
されるとともに、前記リードピンとサブマントが電気的
に接続されているされていることを特徴とする半導体レ
ーザ装置。1. A metal heat sink, an insulator mounted on the heat sink, a conductive submount mounted on the insulator, and a P-side surface of a PN junction electrically connected to the submount. And a semiconductor laser device having a lead pin disposed near the submount, wherein the heat sink is electrically connected to the N side of the semiconductor laser device, and the lead pin and the submount are connected to each other. A semiconductor laser device which is electrically connected.
側とがサブマウント上の絶縁膜に形成された金属配線を
介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項
１記載の半導体レーザ装置。2. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein said heat sink and N
2. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the first side and the second side are electrically connected via a metal wiring formed on an insulating film on the submount.
伝導率を有することを特徴とする請求項１及び２記載の
半導体レーザ装置。3. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein said insulator has a thermal conductivity equal to or higher than that of a submount.
であることを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ装
置。4. The insulator according to claim 1, wherein said insulator is AlN, SiC, or Be0.
The semiconductor laser device according to claim 3, wherein
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5507097A JPH10256643A (en) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | Semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5507097A JPH10256643A (en) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | Semiconductor laser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256643A true JPH10256643A (en) | 1998-09-25 |
Family
ID=12988446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5507097A Pending JPH10256643A (en) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | Semiconductor laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256643A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005294808A (en) * | 2004-02-19 | 2005-10-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method for manufacturing optical transmission assembly |
| WO2020066821A1 (en) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | ローム株式会社 | Semiconductor laser device |
| JPWO2019116981A1 (en) * | 2017-12-15 | 2020-12-17 | ローム株式会社 | Submount and semiconductor laser equipment |
| JP2023523975A (en) * | 2020-04-27 | 2023-06-08 | エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | Method for manufacturing semiconductor laser device and semiconductor laser device |
-
1997
- 1997-03-10 JP JP5507097A patent/JPH10256643A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005294808A (en) * | 2004-02-19 | 2005-10-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method for manufacturing optical transmission assembly |
| JPWO2019116981A1 (en) * | 2017-12-15 | 2020-12-17 | ローム株式会社 | Submount and semiconductor laser equipment |
| WO2020066821A1 (en) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | ローム株式会社 | Semiconductor laser device |
| JPWO2020066821A1 (en) * | 2018-09-26 | 2021-08-30 | ローム株式会社 | Semiconductor laser device |
| US12113330B2 (en) | 2018-09-26 | 2024-10-08 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| JP2023523975A (en) * | 2020-04-27 | 2023-06-08 | エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | Method for manufacturing semiconductor laser device and semiconductor laser device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100522635B1 (en) | Semiconductor laser device | |
| WO1998035410A1 (en) | Composite laser diode enclosure and method for making the same | |
| US20070041185A1 (en) | Vehicle Lighting Device and LED Light Source Therefor | |
| US6404042B1 (en) | Subcarrier and semiconductor device | |
| US12126144B2 (en) | Light emitting device including base and base cap | |
| JPS6063981A (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JP7014645B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| US6894314B2 (en) | Optical power monitoring for a semiconductor laser device | |
| JPH10256643A (en) | Semiconductor laser | |
| JP6822451B2 (en) | Manufacturing method of light emitting device and light emitting device | |
| JP2006278361A (en) | Semiconductor light emitting device module | |
| CN118380854A (en) | Methane gas detection laser preparation method and methane gas detection laser | |
| JP2021015849A (en) | Optical module and stem part | |
| JP2002329920A (en) | Optical module | |
| JPS6352494A (en) | Manufacture and module of photoelectric device | |
| JP2019075460A (en) | Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device | |
| JP2008211025A (en) | Electronic module | |
| JP2005026333A (en) | Semiconductor laser equipment | |
| JP5659876B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor laser driving device | |
| JPH02222185A (en) | Package for optical semiconductor element | |
| JP2001036180A (en) | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same | |
| US20230327396A1 (en) | Light source device and method of manufacturing same | |
| JPH08213708A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH0927655A (en) | Optical semiconductor coupler | |
| JPH11346029A (en) | Semiconductor laser |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050301 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050927 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051121 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060307 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060808 |