JPH10260431A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置Info
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- JPH10260431A JPH10260431A JP9067133A JP6713397A JPH10260431A JP H10260431 A JPH10260431 A JP H10260431A JP 9067133 A JP9067133 A JP 9067133A JP 6713397 A JP6713397 A JP 6713397A JP H10260431 A JPH10260431 A JP H10260431A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示コントラストを向上できるＩＰＳ方式の
アクティブマトリクス液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の信号配
線７と走査配線２、その各交差点に対応して少なくとも
一つ以上のスイッチング素子であるＴＦＴ１１、ＴＦＴ
１１に接続された櫛形状の画素電極８、画素電極８と咬
合して形成された櫛形状の共通電極３を有するアレイ基
板１２と、アレイ基板１２に対向して配置された対向基
板３と、アレイ基板１２と対向基板１３とに狭持された
液晶層を具備し、画素電極８が、信号配線７と同じ層に
形成され、なおかつ信号配線７の膜厚より薄い構成にす
る。この簡易な構成によって、画素電極の近傍の非配向
光抜けを防止し、またパネル外光の反射が抑えられ、コ
ントラストの高い画像を得ることができる。
アクティブマトリクス液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の信号配
線７と走査配線２、その各交差点に対応して少なくとも
一つ以上のスイッチング素子であるＴＦＴ１１、ＴＦＴ
１１に接続された櫛形状の画素電極８、画素電極８と咬
合して形成された櫛形状の共通電極３を有するアレイ基
板１２と、アレイ基板１２に対向して配置された対向基
板３と、アレイ基板１２と対向基板１３とに狭持された
液晶層を具備し、画素電極８が、信号配線７と同じ層に
形成され、なおかつ信号配線７の膜厚より薄い構成にす
る。この簡易な構成によって、画素電極の近傍の非配向
光抜けを防止し、またパネル外光の反射が抑えられ、コ
ントラストの高い画像を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＡＶ・ＯＡ機器な
どの平面ディスプレイとして用いることのできるアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置に関するものである。
どの平面ディスプレイとして用いることのできるアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、液晶を用いた表示装置は、ビデオ
カメラのビューファインダーやポケットＴＶさらには高
精細投写型ＴＶ、パソコン、ワープロなどの情報表示端
末など種々の分野で応用されてきており、開発、商品化
が活発に行われている。
カメラのビューファインダーやポケットＴＶさらには高
精細投写型ＴＶ、パソコン、ワープロなどの情報表示端
末など種々の分野で応用されてきており、開発、商品化
が活発に行われている。
【０００３】特に、スイッチング素子として薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型方式
のＴＮ（Twisted Nematic）液晶表示装置は大容量の表
示を行っても高いコントラストが保たれるという大きな
特徴をもち、近年は市場の要望の極めて高いラップトッ
プパソコンやノートパソコン、さらにはエンジニアリン
グワークステーション用の大型・大容量フルカラーディ
スプレイの本命として開発、商品化が盛んである。
ジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型方式
のＴＮ（Twisted Nematic）液晶表示装置は大容量の表
示を行っても高いコントラストが保たれるという大きな
特徴をもち、近年は市場の要望の極めて高いラップトッ
プパソコンやノートパソコン、さらにはエンジニアリン
グワークステーション用の大型・大容量フルカラーディ
スプレイの本命として開発、商品化が盛んである。
【０００４】このようなアクティブマトリクス方式の液
晶表示素子において、広く用いられている液晶表示モー
ドのＴＮ（Twisted Nematic ）方式は液晶層を狭持する
電極基板間で液晶分子が９０゜捻れた構造をとるパネル
を２枚の偏光板により挟んだものである。
晶表示素子において、広く用いられている液晶表示モー
ドのＴＮ（Twisted Nematic ）方式は液晶層を狭持する
電極基板間で液晶分子が９０゜捻れた構造をとるパネル
を２枚の偏光板により挟んだものである。
【０００５】２枚の偏光板は互いの偏光軸方向が直交
し、一方の偏光板はその偏光軸が一方の基板に接してい
る液晶分子の長軸方向と平行か垂直になるように配置さ
れている。電圧無印加の場合は白表示であるが、２枚の
基板間すなわち液晶パネルに対して垂直方向に電圧を印
加していくと、徐々に光透過率が低下して黒表示とな
る。
し、一方の偏光板はその偏光軸が一方の基板に接してい
る液晶分子の長軸方向と平行か垂直になるように配置さ
れている。電圧無印加の場合は白表示であるが、２枚の
基板間すなわち液晶パネルに対して垂直方向に電圧を印
加していくと、徐々に光透過率が低下して黒表示とな
る。
【０００６】このような表示特性が得られるのは、液晶
パネルに電圧を印加すると液晶分子は捻れ構造をほどき
ながら電界の向きに配列しようとし、この分子の配列状
態により、パネルを透過してくる光の偏光状態が変わ
り、光の透過率が変調されるからである。
パネルに電圧を印加すると液晶分子は捻れ構造をほどき
ながら電界の向きに配列しようとし、この分子の配列状
態により、パネルを透過してくる光の偏光状態が変わ
り、光の透過率が変調されるからである。
【０００７】しかし、同じ分子配列状態でも、液晶パネ
ルに入射してくる光の入射方向によって透過光の偏光状
態は変化するので、入射方向に対応して光の透過率は異
なってくる。すなわち、液晶パネルの特性は視角依存性
を持つ。この視角特性は主視角方向（液晶層の中間層に
おける液晶分子の長軸方向）に対し視点を斜めに傾ける
と輝度の逆転現象を引き起こし、液晶パネルの画質上、
重要な課題となっている。
ルに入射してくる光の入射方向によって透過光の偏光状
態は変化するので、入射方向に対応して光の透過率は異
なってくる。すなわち、液晶パネルの特性は視角依存性
を持つ。この視角特性は主視角方向（液晶層の中間層に
おける液晶分子の長軸方向）に対し視点を斜めに傾ける
と輝度の逆転現象を引き起こし、液晶パネルの画質上、
重要な課題となっている。
【０００８】この課題を解決するために、ＴＮ型液晶表
示方式のように基板垂直方向に電界を印加するのではな
く、液晶に印加する方向を基板に対してほぼ平行な方向
とするＩＰＳ（In-Plane Switching ）方式があり、例
えば特公昭６３−２１９０７号公報や特開平６−１６０
８７８号公報により提案されている。
示方式のように基板垂直方向に電界を印加するのではな
く、液晶に印加する方向を基板に対してほぼ平行な方向
とするＩＰＳ（In-Plane Switching ）方式があり、例
えば特公昭６３−２１９０７号公報や特開平６−１６０
８７８号公報により提案されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来のＩＰＳ方式の液
晶表示装置のアレイ基板の画素部の構成を図３（ａ）に
示す。図３（ｂ）は図３（ａ）図の一点鎖線での液晶表
示装置の断面構成の概略断面図を示す。
晶表示装置のアレイ基板の画素部の構成を図３（ａ）に
示す。図３（ｂ）は図３（ａ）図の一点鎖線での液晶表
示装置の断面構成の概略断面図を示す。
【００１０】この図に示すように、複数の走査配線２お
よび信号配線７が直交するように形成され、走査配線２
と信号配線７の各交差点に対応してスイッチング素子で
あるＴＦＴ１１が設けられる。隣接する２つの走査配線
２と隣接する２つの信号配線７に囲まれる１画素におい
て、複数、例えば２つの画素電極８が信号配線７に略平
行に形成されている。信号配線７と画素電極８の間およ
び隣接する画素電極８の間には、複数、例えば３つの共
通電極３が櫛形状に形成され、かつ画素電極８と咬合し
ている。蓄積容量部９は画素電極８の間で、かつ走査配
線２の上部に形成されている。
よび信号配線７が直交するように形成され、走査配線２
と信号配線７の各交差点に対応してスイッチング素子で
あるＴＦＴ１１が設けられる。隣接する２つの走査配線
２と隣接する２つの信号配線７に囲まれる１画素におい
て、複数、例えば２つの画素電極８が信号配線７に略平
行に形成されている。信号配線７と画素電極８の間およ
び隣接する画素電極８の間には、複数、例えば３つの共
通電極３が櫛形状に形成され、かつ画素電極８と咬合し
ている。蓄積容量部９は画素電極８の間で、かつ走査配
線２の上部に形成されている。
【００１１】次に製作工程を説明する。ガラス基板１の
上にアルミニウム（Ａｌ）を積層させ、フォトリソグラ
フィ法によって走査配線２と共通電極３を同時にパター
ン形成する。走査配線２と共通電極３の上にはＴＦＴの
ゲート絶縁膜として働く窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の第
１絶縁体層４を積層させる。さらに第１絶縁体層４の上
にＴＦＴのスイッチ機能を司るアモルファスシリコン
（α−Ｓｉ）の半導体層５が積層されている。その後、
ＴＦＴのチャンネル保護膜として窒化シリコン（ＳｉＮ
ｘ）の第２絶縁体層６を積層、パターン形成する。そし
てｎ＋アモルファスシリコン（ｎ＋−α−Ｓｉ）、チタ
ン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）の３層を連続堆積さ
せ、一括パターン形成を行い、信号配線７、画素電極８
と蓄積容量部９を図のように形成した。ここでｎ＋アモ
ルファスシリコン（ｎ＋−α−Ｓｉ）は半導体層５と信
号配線７、画素電極８とのオーミックコンタクトをとる
ために、チタン（Ｔｉ）はアルミニウム（Ａｌ）がアモ
ルファスシリコン（α−Ｓｉ）の半導体層５に拡散する
のを防止するために設けられた。さらにＴＦＴ保護膜と
して窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の第３絶縁体層１０を積
層させる。
上にアルミニウム（Ａｌ）を積層させ、フォトリソグラ
フィ法によって走査配線２と共通電極３を同時にパター
ン形成する。走査配線２と共通電極３の上にはＴＦＴの
ゲート絶縁膜として働く窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の第
１絶縁体層４を積層させる。さらに第１絶縁体層４の上
にＴＦＴのスイッチ機能を司るアモルファスシリコン
（α−Ｓｉ）の半導体層５が積層されている。その後、
ＴＦＴのチャンネル保護膜として窒化シリコン（ＳｉＮ
ｘ）の第２絶縁体層６を積層、パターン形成する。そし
てｎ＋アモルファスシリコン（ｎ＋−α−Ｓｉ）、チタ
ン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）の３層を連続堆積さ
せ、一括パターン形成を行い、信号配線７、画素電極８
と蓄積容量部９を図のように形成した。ここでｎ＋アモ
ルファスシリコン（ｎ＋−α−Ｓｉ）は半導体層５と信
号配線７、画素電極８とのオーミックコンタクトをとる
ために、チタン（Ｔｉ）はアルミニウム（Ａｌ）がアモ
ルファスシリコン（α−Ｓｉ）の半導体層５に拡散する
のを防止するために設けられた。さらにＴＦＴ保護膜と
して窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の第３絶縁体層１０を積
層させる。
【００１２】以上のように構成されたアレイ基板１２と
対向基板１３とに配向膜を塗布し、ラビング処理を行
う。そしてアレイ基板１２と対向基板１３とを一定のギ
ャップを隔てて貼り合わせ、その間には液晶を注入し、
液晶層１４を形成する。対向基板１３には走査配線２と
信号配線７に対応する位置に遮光膜１５が存在するが、
共通電極３と画素電極８に対応する位置に遮光膜１５が
存在しない。
対向基板１３とに配向膜を塗布し、ラビング処理を行
う。そしてアレイ基板１２と対向基板１３とを一定のギ
ャップを隔てて貼り合わせ、その間には液晶を注入し、
液晶層１４を形成する。対向基板１３には走査配線２と
信号配線７に対応する位置に遮光膜１５が存在するが、
共通電極３と画素電極８に対応する位置に遮光膜１５が
存在しない。
【００１３】しかしながら、上記構成では信号配線７と
画素電極８との膜厚が同じである。信号配線７は断線不
良に裕度を持たせるためや、配線抵抗を小さくするため
に膜厚を厚くする必要性がある。したがって画素電極８
の膜厚も厚くなり、画素電極８の近傍ではラビング処理
が行われない。そのためパネル表示では、その部分で非
配向光抜けが起こり、コントラストが低下してしまう。
また画素電極８の最表面が反射率の高いアルミニウム
（Ａｌ）で形成されているため、パネル外光を反射して
しまい、さらにコントラストが低下する問題も起こる。
画素電極８との膜厚が同じである。信号配線７は断線不
良に裕度を持たせるためや、配線抵抗を小さくするため
に膜厚を厚くする必要性がある。したがって画素電極８
の膜厚も厚くなり、画素電極８の近傍ではラビング処理
が行われない。そのためパネル表示では、その部分で非
配向光抜けが起こり、コントラストが低下してしまう。
また画素電極８の最表面が反射率の高いアルミニウム
（Ａｌ）で形成されているため、パネル外光を反射して
しまい、さらにコントラストが低下する問題も起こる。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス型液晶表示装置は、マトリクス状に配置された複
数の信号配線と走査配線、その各交差点に対応して少な
くとも一つ以上のスイッチング素子、前記スイッチング
素子に接続された櫛形状の画素電極、前記画素電極と咬
合して形成された櫛形状の共通電極を有するアレイ基板
と、前記アレイ基板に対向して配置された対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板とに狭持された液晶層を
具備し、前記画素電極が、前記信号配線と同じ層に形成
され、なおかつ前記信号配線の膜厚より薄く構成したこ
とを特徴とする。
リクス型液晶表示装置は、マトリクス状に配置された複
数の信号配線と走査配線、その各交差点に対応して少な
くとも一つ以上のスイッチング素子、前記スイッチング
素子に接続された櫛形状の画素電極、前記画素電極と咬
合して形成された櫛形状の共通電極を有するアレイ基板
と、前記アレイ基板に対向して配置された対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板とに狭持された液晶層を
具備し、前記画素電極が、前記信号配線と同じ層に形成
され、なおかつ前記信号配線の膜厚より薄く構成したこ
とを特徴とする。
【００１５】この本発明によると、画素電極の近傍でも
ラビング処理が可能となり、画素電極近傍において、非
配向光抜けは起こらない。
ラビング処理が可能となり、画素電極近傍において、非
配向光抜けは起こらない。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明のアクティブマトリクス型
液晶表示装置は、マトリクス状に配置された複数の信号
配線と走査配線、その各交差点に対応して少なくとも一
つ以上のスイッチング素子、前記スイッチング素子に接
続された櫛形状の画素電極、前記画素電極と咬合して形
成された櫛形状の共通電極を有するアレイ基板と、前記
アレイ基板に対向して配置された対向基板と、前記アレ
イ基板と前記対向基板とに狭持された液晶層を具備し、
前記画素電極が、前記信号配線と同じ層に形成され、な
おかつ前記信号配線の膜厚より薄い構成としたため、ア
レイ基板に配向膜を塗布して、ラビング処理を行って
も、画素電極が信号配線の膜厚より薄いので画素電極の
近傍でもラビング処理が可能となる。したがってパネル
表示では、画素電極近傍において非配向光抜けは起こら
ず、高いコントラストの画面が得られる。
液晶表示装置は、マトリクス状に配置された複数の信号
配線と走査配線、その各交差点に対応して少なくとも一
つ以上のスイッチング素子、前記スイッチング素子に接
続された櫛形状の画素電極、前記画素電極と咬合して形
成された櫛形状の共通電極を有するアレイ基板と、前記
アレイ基板に対向して配置された対向基板と、前記アレ
イ基板と前記対向基板とに狭持された液晶層を具備し、
前記画素電極が、前記信号配線と同じ層に形成され、な
おかつ前記信号配線の膜厚より薄い構成としたため、ア
レイ基板に配向膜を塗布して、ラビング処理を行って
も、画素電極が信号配線の膜厚より薄いので画素電極の
近傍でもラビング処理が可能となる。したがってパネル
表示では、画素電極近傍において非配向光抜けは起こら
ず、高いコントラストの画面が得られる。
【００１７】また、前記画素電極と前記信号配線が異な
る導電性材料で形成されることが好ましく、さらに、前
記画素電極の最表面がアルミニウムより反射率の小さい
導電性材料で形成されか、前記画素電極が透明導電性材
料で形成されることにより、パネル外光の反射が抑えら
れ、より高いコントラストの画面が得られる。
る導電性材料で形成されることが好ましく、さらに、前
記画素電極の最表面がアルミニウムより反射率の小さい
導電性材料で形成されか、前記画素電極が透明導電性材
料で形成されることにより、パネル外光の反射が抑えら
れ、より高いコントラストの画面が得られる。
【００１８】以下、本発明のアクティブマトリクス型液
晶表示装置を各実施の形態に基づいて説明する。 （実施の形態１）図１（ａ）は本発明の（実施の形態
１）におけるアレイ基板の画素部の平面構成を概略的に
示し、図１（ｂ）は図１（ａ）図の一点鎖線での液晶表
示装置の断面構成の概略断面図を示す。
晶表示装置を各実施の形態に基づいて説明する。 （実施の形態１）図１（ａ）は本発明の（実施の形態
１）におけるアレイ基板の画素部の平面構成を概略的に
示し、図１（ｂ）は図１（ａ）図の一点鎖線での液晶表
示装置の断面構成の概略断面図を示す。
【００１９】図１に示すガラスアレイ基板１には、複数
の走査配線２および信号配線７が直交するように形成さ
れ、走査配線２と信号配線７の各交差点に対応してスイ
ッチング素子であるＴＦＴ１１が設けられる。隣接する
２つの走査配線２と隣接する２つの信号配線７に囲まれ
る１画素において、複数、例えば２つの画素電極８が信
号配線７に略平行に形成されている。
の走査配線２および信号配線７が直交するように形成さ
れ、走査配線２と信号配線７の各交差点に対応してスイ
ッチング素子であるＴＦＴ１１が設けられる。隣接する
２つの走査配線２と隣接する２つの信号配線７に囲まれ
る１画素において、複数、例えば２つの画素電極８が信
号配線７に略平行に形成されている。
【００２０】信号配線７と画素電極８の間および隣接す
る画素電極８の間には、複数、例えば３つの共通電極３
が櫛形状に形成され、かつ画素電極８と咬合している。
蓄積容量部９は画素電極８の間で、かつ走査配線２の上
部に形成されている。
る画素電極８の間には、複数、例えば３つの共通電極３
が櫛形状に形成され、かつ画素電極８と咬合している。
蓄積容量部９は画素電極８の間で、かつ走査配線２の上
部に形成されている。
【００２１】製作工程は以下の通りである。走査配線２
としてアルミニウムを用いて、フォトリソグラフィ法に
よってガラス基板１の上に図のようにそれぞれ所定の間
隔を隔てて、略平行にパターン形成されている。それと
同時に、隣接する２つの走査配線２の間に互いに略平行
な共通電極３がパターン形成されている。
としてアルミニウムを用いて、フォトリソグラフィ法に
よってガラス基板１の上に図のようにそれぞれ所定の間
隔を隔てて、略平行にパターン形成されている。それと
同時に、隣接する２つの走査配線２の間に互いに略平行
な共通電極３がパターン形成されている。
【００２２】なお、走査配線２と共通電極３の膜厚は１
５０ｎｍであり、材料はアルミニウムに限定せず、クロ
ム（Ｃｒ）、アルミニウムを主成分とする金属など導電
性単層膜または多層膜を用いてもよい。
５０ｎｍであり、材料はアルミニウムに限定せず、クロ
ム（Ｃｒ）、アルミニウムを主成分とする金属など導電
性単層膜または多層膜を用いてもよい。
【００２３】走査配線２、共通電極３の上には、スイッ
チング素子として機能するＴＦＴ１１のゲート絶縁膜と
して働く、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などの第１
絶縁体層４が積層されている。さらに、第１絶縁体層４
の上にはＴＦＴのスイッチ機能を司る、例えばアモルフ
ァスシリコン（α−Ｓｉ）の半導体層５を積層させる。
その後、ＴＦＴのチャンネル保護膜として窒化シリコン
（ＳｉＮｘ）の第２絶縁体層６を積層、パターン形成す
る。そしてｎ＋アモルファスシリコン（ｎ＋−α−Ｓ
ｉ）、チタン（Ｔｉ）の２層を連続堆積させ、ドライエ
ッチングによって一括パターン形成を行い、画素電極８
と蓄積容量部９を図のように形成した。相互に隣接する
２つの共通電極３の間に、共通電極３と略平行となるよ
うに画素電極８が形成されている。ここでチタン（Ｔ
ｉ）の膜厚は１００ｎｍとした。
チング素子として機能するＴＦＴ１１のゲート絶縁膜と
して働く、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などの第１
絶縁体層４が積層されている。さらに、第１絶縁体層４
の上にはＴＦＴのスイッチ機能を司る、例えばアモルフ
ァスシリコン（α−Ｓｉ）の半導体層５を積層させる。
その後、ＴＦＴのチャンネル保護膜として窒化シリコン
（ＳｉＮｘ）の第２絶縁体層６を積層、パターン形成す
る。そしてｎ＋アモルファスシリコン（ｎ＋−α−Ｓ
ｉ）、チタン（Ｔｉ）の２層を連続堆積させ、ドライエ
ッチングによって一括パターン形成を行い、画素電極８
と蓄積容量部９を図のように形成した。相互に隣接する
２つの共通電極３の間に、共通電極３と略平行となるよ
うに画素電極８が形成されている。ここでチタン（Ｔ
ｉ）の膜厚は１００ｎｍとした。
【００２４】さらに、アルミニウム（Ａｌ）を３００ｎ
ｍ堆積させ、これを用いて信号配線７が走査配線２に対
して略直交し、かつ、それぞれ略平行になるようにウエ
ットエッチングによってパターン形成された。
ｍ堆積させ、これを用いて信号配線７が走査配線２に対
して略直交し、かつ、それぞれ略平行になるようにウエ
ットエッチングによってパターン形成された。
【００２５】第１絶縁体層４と半導体層５を挟んで走査
配線２の上には、２つの画素電極８を接続するように蓄
積容量部９がオーバーラップして形成された。この蓄積
容量部９は画素に供給された電圧の保持するために設け
られたものである。そして保護膜として、例えば窒化シ
リコン（ＳｉＮｘ）などの第３絶縁体層１０が積層され
た。
配線２の上には、２つの画素電極８を接続するように蓄
積容量部９がオーバーラップして形成された。この蓄積
容量部９は画素に供給された電圧の保持するために設け
られたものである。そして保護膜として、例えば窒化シ
リコン（ＳｉＮｘ）などの第３絶縁体層１０が積層され
た。
【００２６】以上のように構成されたアレイ基板１２と
対向基板１３とに配向膜を塗布し、ラビング処理を行っ
た。そしてアレイ基板１２と対向基板１３とを３μｍの
ギャップを隔てて貼り合わせ、その間には液晶を注入
し、液晶層１４を形成した。このように画素電極８の膜
厚が信号配線７より２００ｎｍ薄くなり、画素電極８の
近傍でもラビング処理が可能となるとともに、アルミニ
ウムより反射率の低いチタンで画素電極８が形成される
構成となる。この液晶表示装置の点灯画像検査を行った
ところ、画素電極８の近傍に非配向光抜けも無く、コン
トラストの高い画像が得られることが確認された。
対向基板１３とに配向膜を塗布し、ラビング処理を行っ
た。そしてアレイ基板１２と対向基板１３とを３μｍの
ギャップを隔てて貼り合わせ、その間には液晶を注入
し、液晶層１４を形成した。このように画素電極８の膜
厚が信号配線７より２００ｎｍ薄くなり、画素電極８の
近傍でもラビング処理が可能となるとともに、アルミニ
ウムより反射率の低いチタンで画素電極８が形成される
構成となる。この液晶表示装置の点灯画像検査を行った
ところ、画素電極８の近傍に非配向光抜けも無く、コン
トラストの高い画像が得られることが確認された。
【００２７】なお、画素電極８の膜厚は３０〜２００ｎ
ｍの範囲で良く、また材料はチタン以外のタンタル（Ｔ
ａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などのアル
ミニウムより反射率の低い導電性材料でもよく、または
透明導電性材料のインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）でも
かまわない。
ｍの範囲で良く、また材料はチタン以外のタンタル（Ｔ
ａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などのアル
ミニウムより反射率の低い導電性材料でもよく、または
透明導電性材料のインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）でも
かまわない。
【００２８】また、本構成は共通電極３が信号配線７と
同じ層に形成される場合においても、画素電極８に関す
る事項を共通電極３に当てはめることで有効である。 （実施の形態２）図２（ａ）は本発明の（実施の形態
２）におけるアレイ基板の画素部の平面構成を概略的に
示し、図２（ｂ）は図２（ａ）図の一点鎖線での液晶表
示装置の断面構成の概略断面図を示す。上記第１の実施
の形態の場合と共通する部分についてはその説明を省略
し、異なる部分について述べる。
同じ層に形成される場合においても、画素電極８に関す
る事項を共通電極３に当てはめることで有効である。 （実施の形態２）図２（ａ）は本発明の（実施の形態
２）におけるアレイ基板の画素部の平面構成を概略的に
示し、図２（ｂ）は図２（ａ）図の一点鎖線での液晶表
示装置の断面構成の概略断面図を示す。上記第１の実施
の形態の場合と共通する部分についてはその説明を省略
し、異なる部分について述べる。
【００２９】（実施の形態２）は、第２絶縁体層６のパ
ターン形成後、ｎ＋アモルファスシリコン（ｎ＋−α−
Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）の２層を連続堆積させ、ドライ
エッチングによって一括パターン形成を行い、画素電極
８、蓄積容量部９および信号配線部を図のように形成し
た。
ターン形成後、ｎ＋アモルファスシリコン（ｎ＋−α−
Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）の２層を連続堆積させ、ドライ
エッチングによって一括パターン形成を行い、画素電極
８、蓄積容量部９および信号配線部を図のように形成し
た。
【００３０】さらに、アルミニウム（Ａｌ）を堆積さ
せ、チタン（Ｔｉ）で形成した前記の信号配線部に重畳
するように、ウエットエッチングによって信号配線７を
形成した。この信号配線７をチタン／アルミニウム（Ｔ
ｉ／Ａｌ）の２層にする構成により、（実施の形態１）
と比較して、信号配線７の断線不良に対する裕度をより
大きくすることができ、また配線抵抗をより小さくする
ことができる。この液晶表示装置の点灯画像検査を行っ
たところ、画素電極８の近傍に非配向光抜けも無く、コ
ントラストの高い画像が得られることが確認された。
せ、チタン（Ｔｉ）で形成した前記の信号配線部に重畳
するように、ウエットエッチングによって信号配線７を
形成した。この信号配線７をチタン／アルミニウム（Ｔ
ｉ／Ａｌ）の２層にする構成により、（実施の形態１）
と比較して、信号配線７の断線不良に対する裕度をより
大きくすることができ、また配線抵抗をより小さくする
ことができる。この液晶表示装置の点灯画像検査を行っ
たところ、画素電極８の近傍に非配向光抜けも無く、コ
ントラストの高い画像が得られることが確認された。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、広い視角で良好な多階調表示を
実現できるＩＰＳ方式の液晶表示装置において、信号配
線の膜厚を薄くするという簡易な構成によって、断線不
良に対する裕度を小さくしたり、また配線抵抗を大きく
したりすることなく、画素電極の近傍の非配向光抜けを
防止でき、またパネル外光の反射を抑えることができ、
コントラストの高い画像を得ることができる。
クス型液晶表示装置は、広い視角で良好な多階調表示を
実現できるＩＰＳ方式の液晶表示装置において、信号配
線の膜厚を薄くするという簡易な構成によって、断線不
良に対する裕度を小さくしたり、また配線抵抗を大きく
したりすることなく、画素電極の近傍の非配向光抜けを
防止でき、またパネル外光の反射を抑えることができ、
コントラストの高い画像を得ることができる。
【図１】本発明の（実施の形態１）のアクティブマトリ
クス液晶表示装置におけるアレイ基板の画素部の平面構
成を概略的に示す平面図と断面図
クス液晶表示装置におけるアレイ基板の画素部の平面構
成を概略的に示す平面図と断面図
【図２】本発明の（実施の形態２）のアクティブマトリ
クス液晶表示装置におけるアレイ基板の画素部の平面構
成を概略的に示す平面図と断面図
クス液晶表示装置におけるアレイ基板の画素部の平面構
成を概略的に示す平面図と断面図
【図３】従来のアクティブマトリクス液晶表示装置にお
けるアレイ基板の画素部の平面構成を概略的に示す平面
図と断面図
けるアレイ基板の画素部の平面構成を概略的に示す平面
図と断面図
１ ガラス基板 ２ 走査配線 ３ 共通電極 ４ 第１絶縁体層 ５ 半導体層 ６ 第２絶縁体層 ７ 信号配線 ８ 画素電極 ９ 蓄積容量部 １０ 第３絶縁体層 １１ ＴＦＴ １２ アレイ基板 １３ 対向基板 １４ 液晶層 １５ 遮光膜
Claims (3)
- 【請求項１】 マトリクス状に配置された複数の信号配
線と走査配線、その各交差点に対応して少なくとも一つ
以上のスイッチング素子、前記スイッチング素子に接続
された櫛形状の画素電極、前記画素電極と咬合して形成
された櫛形状の共通電極を有するアレイ基板と、前記ア
レイ基板に対向して配置された対向基板と、前記アレイ
基板と前記対向基板とに狭持された液晶層を具備し、前
記画素電極が、前記信号配線と同じ層に形成され、なお
かつ前記信号配線の膜厚より薄いことを特徴とするアク
ティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項２】 画素電極と信号配線が異なる導電性材料
で形成されることを特徴とする請求項１記載のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項３】 画素電極の最表面がアルミニウムより反
射率の小さい導電性材料で形成されるか、画素電極が透
明導電性材料で形成されることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP6713397A JP4036498B2 (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6713397A JP4036498B2 (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004347926A Division JP4215708B2 (ja) | 2004-12-01 | 2004-12-01 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10260431A true JPH10260431A (ja) | 1998-09-29 |
| JP4036498B2 JP4036498B2 (ja) | 2008-01-23 |
Family
ID=13336105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6713397A Expired - Fee Related JP4036498B2 (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
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Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6266118B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-07-24 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Liquid crystal display of high aperture ratio and high transmittance having multi-domain having transparent conductive pixel and counter electrodes on the same substrate |
| KR20010092396A (ko) * | 2000-03-21 | 2001-10-24 | 니시가키 코지 | 능동 매트릭스 기판과 그 제조 방법 |
| KR100303448B1 (ko) * | 1999-04-26 | 2001-10-29 | 윤종용 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR100311212B1 (ko) * | 1999-06-29 | 2001-11-02 | 박종섭 | 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치 |
| JP2002297057A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Toshiba Corp | 画像表示装置及びその製造方法 |
| US6469764B1 (en) | 1998-05-29 | 2002-10-22 | Hyundai Display Technology Inc. | Liquid crystal display and method for manufacturing the same |
| JP2003222903A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
| JP2003228081A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Nec Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2005283870A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | International Display Technology Kk | 画像表示装置 |
| KR100566385B1 (ko) * | 2001-04-07 | 2006-03-31 | 오바야시세이꼬우 가부시끼가이샤 | 액티브 매트릭스형 횡전계방식 액정표시장치 |
| KR100607145B1 (ko) * | 2000-02-11 | 2006-08-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치 |
| KR100621857B1 (ko) * | 1999-03-19 | 2006-09-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시소자 |
| CN100374943C (zh) * | 2003-11-29 | 2008-03-12 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 面内切换模式液晶显示器件 |
| JP2010181785A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| CN105826328A (zh) * | 2016-05-03 | 2016-08-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
-
1997
- 1997-03-21 JP JP6713397A patent/JP4036498B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6266118B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-07-24 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Liquid crystal display of high aperture ratio and high transmittance having multi-domain having transparent conductive pixel and counter electrodes on the same substrate |
| US6469764B1 (en) | 1998-05-29 | 2002-10-22 | Hyundai Display Technology Inc. | Liquid crystal display and method for manufacturing the same |
| KR100621857B1 (ko) * | 1999-03-19 | 2006-09-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시소자 |
| KR100303448B1 (ko) * | 1999-04-26 | 2001-10-29 | 윤종용 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR100311212B1 (ko) * | 1999-06-29 | 2001-11-02 | 박종섭 | 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치 |
| KR100607145B1 (ko) * | 2000-02-11 | 2006-08-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치 |
| KR20010092396A (ko) * | 2000-03-21 | 2001-10-24 | 니시가키 코지 | 능동 매트릭스 기판과 그 제조 방법 |
| JP2002297057A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Toshiba Corp | 画像表示装置及びその製造方法 |
| KR100566385B1 (ko) * | 2001-04-07 | 2006-03-31 | 오바야시세이꼬우 가부시끼가이샤 | 액티브 매트릭스형 횡전계방식 액정표시장치 |
| US6888601B2 (en) | 2002-01-30 | 2005-05-03 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Lateral electric field liquid crystal display device |
| JP2003222903A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
| US7012665B2 (en) | 2002-01-31 | 2006-03-14 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| JP2003228081A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Nec Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US7518667B2 (en) | 2002-01-31 | 2009-04-14 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Method for manufacturing a liquid crystal display device |
| CN100374943C (zh) * | 2003-11-29 | 2008-03-12 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 面内切换模式液晶显示器件 |
| JP2005283870A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | International Display Technology Kk | 画像表示装置 |
| JP2010181785A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| CN105826328A (zh) * | 2016-05-03 | 2016-08-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| WO2017190624A1 (zh) * | 2016-05-03 | 2017-11-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP4036498B2 (ja) | 2008-01-23 |
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