JPH10261903A

JPH10261903A - 静磁波共振子

Info

Publication number: JPH10261903A
Application number: JP34323897A
Authority: JP
Inventors: Hitoyoshi Kurata; 仁義倉田
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1997-01-20
Filing date: 1997-12-12
Publication date: 1998-09-29
Anticipated expiration: 2017-12-12
Also published as: JP3130853B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】低周波数でも結合係数が高く、かつ高次モー
ドの共振を効果的に抑制でき、小型化が容易な静磁波共
振子を得ること。【解決手段】ＧＧＧ基板７と、該ＧＧＧ基板７上に形
成された少なくとも２辺がほぼ平行な形状の磁性ガーネ
ット膜６と、該磁性ガーネット膜６にＲＦ信号を供給す
る電極と、を備える静磁波共振子に改良を加える。この
静磁波共振子においては、電極は、磁性ガーネット膜６
の平行な２辺にほぼ平行に延びる少なくとも一対の主ス
トリップライン３，４と、該主ストリップライン３，４
の延びる方向にみて磁性ガーネット膜の外側に位置する
領域において該一対の主ストリップライン３，４の一端
部を互いに接続する補助ストリップライン５とを備え
る。主ストリップライン３，４の一方の他端が接地導体
に、他方の主ストリップライン３，４の他端が入出力端
子に、それぞれ接続される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、静磁波発振器を構成す
るプレーナ型静磁波共振子に関する。特に本発明は、入
力電磁波と静磁波との結合係数が低周波数で大きく、か
つ高次の共振モードを抑制可能な電極構造を設けた静磁
波共振子に関する。

【０００２】

【従来技術】プレーナ型構造の静磁波共振子としては、
特開平1-233822号公報に開示された構造が知られてい
る。この公開特許公報に開示された共振子と同様なもの
として、例えば、図８に示す構造が知られている。この
図８に示す共振子は、矩形形状のＧＧＧ基板上２７上に
形成された矩形形状の磁性ガーネット膜２６と、該磁性
ガーネット膜２６上に形成された単一のストリップ電極
２３とからなる。矩形形状の磁性ガーネット膜２６は平
行な２辺２６ａを有し、ストリップ電極２３は磁性ガー
ネット膜２６の平行な２辺２６ａに対し平行に延びる一
対の側縁２３ａを有する。ストリップ電極２３の一方の
端２３ｂは接地され、他方の端２３ｃは入出力端子とし
て使用される。

【０００３】入出力端子にはＲＦ信号が入力され、この
ＲＦ信号は、ストリップ電極の接地された端部をＲＦ磁
界最大とする定在波となり、磁性ガーネット膜中に励振
される静磁波と激しく結合する。励振された静磁波は、
ストリップ電極の左右に伝播し磁性ガーネット膜の端辺
で反射するので、磁性ガーネット膜の対向する端辺間の
距離の２倍の波長を主モードとする定在波が磁性ガーネ
ット膜中に生じて共鳴吸収が起こる。このとき、図８に
示すように、ストリップ電極の幅を磁性ガーネット膜の
平行な２辺間の距離Ｗ_Gの1/3 以上とすることにより、
波長の短い高次の不要定在波の発生を効果的に抑制でき
る。ここで、入力電磁波から静磁波への変換に関与する
結合線路長は、ストリップ電極の長さ、すなわち磁性ガ
ーネット膜上のストリップ電極の長手方向の一辺の長さ
Ｌに相当する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の静磁波
共振子において小型化を図ろうとすると、入力電磁波か
ら静磁波への変換距離が短くなるため、低い周波数では
結合が弱くなる。一般に、結合の強さを表す結合係数
は、共振時の共振子のインピーダンスと共振子に接続さ
れる伝送線路の特性インピーダンスの比で表される。こ
の特性インピーダンスとしては、ＲＦ領域では５０Ωが
使用される。そして、静磁波共振子を用いた発振器を設
計する場合、この結合係数はできるだけ高い方がよい。
しかし、従来の静磁波共振子では、１ＧＨｚ以下の低周
波数で動作する静磁波発振器を得るのが困難であった。
本発明は、上記した問題点に着目して得られたもので、
低周波数でも結合係数が高く、かつ高次モードの共振を
効果的に抑制でき、小型化が容易な静磁波共振子を得る
ことを解決すべき課題とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、ＧＧＧ基板と、該ＧＧＧ基板上に形成さ
れた少なくとも２辺がほぼ平行な形状の磁性ガーネット
膜と、該磁性ガーネット膜にＲＦ信号を供給する電極
と、を備える静磁波共振子に改良を加える。すなわち、
本発明による静磁波共振子においては、電極は、磁性ガ
ーネット膜の平行な２辺にほぼ平行に延びる少なくとも
一対の主ストリップラインと、該主ストリップラインの
延びる方向にみて磁性ガーネット膜の外側に位置する領
域において該一対の主ストリップラインの一端部を互い
に接続する補助ストリップラインとを備える。そして、
該主ストリップラインの一方の他端が接地導体に、他方
の主ストリップラインの他端が入出力端子に、それぞれ
接続される。

【０００６】本発明の他の態様においては、静磁波共振
子の電極は、磁性ガーネット膜の前記平行な２辺にほぼ
平行に延びる複数本の主ストリップラインと、該複数本
の主ストリップラインの互いに隣接する端部を、該主ス
トリップラインが延びる方向にみて磁性ガーネット膜の
外側に位置する領域でジグザグ状に接続する補助ライン
とを備えるメアンダライン電極として形成される。そし
て、該メアンダライン電極の一端は接地導体に、他端は
入出力端子に、それぞれ接続される。本発明のこの基本
的な特徴によれば、低周波数でも結合係数を高くするこ
とが可能になる。本発明においては、電極の主ストリッ
プラインは磁性ガーネット膜上に重ねて形成し、補助ラ
インは該磁性ガーネット膜が形成されている側でＧＧＧ
基板の面上に形成することが好ましい。また、上記電極
を誘電体基板上に形成し、磁性ガーネット膜は、電極の
主ストリップラインを覆うように該誘電体基板上に密着
固定する構造としてもよい。

【０００７】さらに、本発明の別の態様による静磁波共
振子においては、磁性ガーネット膜上に形成された電極
の主ストリップラインと同一本数で、ほぼ同一幅及びほ
ぼ同一ピッチの主ストリップラインと、該主ストリップ
ラインの互いに隣接する端部を接続する補助ラインとを
有する電極をＧＧＧ基板とは別の誘電体基板上に形成
し、磁性ガーネット膜上の電極の主ストリップラインと
誘電体基板上の電極の主ストリップラインとが重なるよ
うに誘電体基板をＧＧＧ基板に重ねて配置し、両基板上
の主ストリップラインを密着融合させる。この場合、誘
電体基板はＧＧＧ基板上の磁性ガーネット膜に接着剤等
により接合固定する。この構成によれば、接地導体や入
出力端子に接続されるライン電極の接続部位、及び主ス
トリップライン間を接続する補助ラインから漏れる高周
波磁界によって磁性ガーネット膜に不要な静磁波が励振
させられることがないようにして、共鳴吸収周波数にご
く接近した領域内の不要モードの共振を抑制することが
可能になる。

【０００８】本発明においては、電極の前記主ストリッ
プラインの各々の幅は、磁性ガーネット膜の平行な２辺
間の距離の1/10から1/3 の間、好ましくは1/6 から1/3
の間の値とすることが好ましい。また、電極の前記主ス
トリップライン間のピッチが磁性ガーネット膜の平行な
２辺の一つとこれに隣接する主ストリップラインとの距
離の２倍であり、かつ、前記磁性ガーネット膜の前記平
行な２辺間の距離の、１／（主ストリップラインの本
数）とすることが好ましい。この構成に加えて、あるい
はこの構成とは別に、磁性ガーネット膜の厚さが１μｍ
から１００μｍの範囲にある場合に、電極の主ストリッ
プラインの各々は、その幅を１００μｍから３５０μｍ
の範囲とすることが好ましい。本発明においては、さら
に、磁性ガーネット膜の厚さが１７μｍから９５μｍの
範囲にある場合において、電極の主ストリップラインの
各々は、その幅を１２０μｍから３４０μｍの範囲とす
ることが特に好ましい。

【０００９】また、本発明においては、電極の主ストリ
ップラインの各々は、磁性ガーネット膜の厚さが２０μ
ｍから６０μｍの範囲にある場合において、幅を１８０
μｍから３３０μｍの範囲とするか、磁性ガーネット膜
の厚さが５５μｍから１００μｍの範囲にある場合にお
いて、幅を１００μｍから２６０μｍの範囲とすること
で好結果が得られる。ここで、上述の各寸法関係の元に
おける好結果は、磁性ガーネット膜の寸法を１mm x１mm
としたときに顕著に現れる。

【００１０】

【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。先ず、図１に示すように、ほぼ矩形形状すなわち直
角四辺形のＧＧＧ基板７の上に磁性ガーネット膜６が形
成された薄片を準備する。この薄片は、ウエハからの切
り出しにより形成することができる。この薄片とは別
に、誘電体基板８上に、それぞれ一端に電極パッド１、
２を有する２本の平行な主ストリップライン３、４を形
成し、該主ストリップライン３、４の各他端間を補助ス
トリップライン５により接続して、ほぼＵ字形の電極を
形成する。磁性ガーネット膜６とＧＧＧ基板７とからな
る薄片を、磁性ガーネット膜６が誘電体基板８上の主ス
トリップライン３、４と補助ストリップライン５からな
る電極に面し、該電極を覆うように重ねる。この場合、
図１に破線で示すように、矩形形状の磁性ガーネット膜
６の平行な２辺９ａ、９ｂが電極の主ストリップライン
３、４に対しほぼ平行で、該主ストリップライン３、４
より外側に位置し、該辺９ａ、９ｂに直角な辺１０ａ、
１０ｂが主ストリップライン３、４を横切るように配置
し、磁性ガーネット膜６を接着剤で誘電体基板８上に固
定する。

【００１１】このようにして得られる共振子は、一方の
主ストリップライン３の端部の電極パッド１を接地し、
他方の主ストリップライン４の端部の電極パッド２を入
出力端子として使用する。本実施例において、電極パッ
ド１から電極パッド２までの電極の長さは、該経路上の
電磁波の波長の1/4 以内とする。この関係により、低い
周波数でも入力電磁波と静磁波の結合を高めることがで
きる。また、この構成により、電極パッド１、２及び補
助ストリップライン５から漏れる高周波磁界による磁性
ガーネット膜の長さ方向すなわち主ストリップライン
３、４に平行な方向の不要な静磁波の励振を抑制できる
ので、主共鳴周波数のごく近傍に発生する不要モードを
抑さえることが可能になる。図２は、図８に示す構造の
共振子と図１に示す構造の共振子において、結合係数が
１となる共鳴周波数と結合線路長との関係を示す実験デ
ータである。図から明らかなように、本発明の実施例の
方が、従来の共振子におけるよりも低い周波数で強い結
合を示す。

【００１２】本発明の実施例においては、上述したよう
に、補助ストリップライン５と電極パッド１、２は磁性
ガーネット膜６と重ならないように配置される。図３は
この配置の効果を示すものである。図３(a) は、電極パ
ッド１、２と補助ストリップライン５が図３(c) に示す
ように磁性ガーネット膜６に重なるように配置された場
合における静磁波共振子の反射特性を示し、図３(b) は
図１に示す配置の実施例における反射特性を示す。図３
(a) 、図３(b) の対比から明らかなように、本発明の実
施例においては、主共鳴周波数近傍の不要な共鳴モード
が十分に抑制される。したがって、本実施例の構造は、
磁性ガーネット膜の不要共振モードの抑制に効果的であ
る。本発明においては、電極の主ストリップライン３、
４の幅ｗを特定の範囲に定めることが好ましい。すなわ
ち、一つの好ましい態様においては、主ストリップライ
ン３、４の幅ｗは、磁性ガーネット膜６の長さ方向端辺
９ａ、９ｂ間の距離の1/10から1/3 までの範囲、好まし
くは1/6 から1/3 の範囲とする。

【００１３】他の好ましい態様においては、磁性ガーネ
ット膜の厚さが１μｍから１００μｍの範囲、好ましく
は１７μｍから９５μｍの範囲内で、電極の主ストリッ
プラインの各々は、その幅を１００μｍから３５０μｍ
の範囲、好ましくは１２０μｍから３４０μｍの範囲内
とする。さらに、電極の主ストリップライン３、４の各
々は、磁性ガーネット膜の厚さが２０μｍから６０μｍ
の範囲であるとき、その幅を１８０μｍから３３０μｍ
の範囲とすることが好ましく、磁性ガーネット膜の厚さ
が５５μｍから１００μｍの範囲であるとき、その幅を
１００μｍから２６０μｍの範囲とすることにより好結
果が得られる。また、本発明のさらに好ましい態様にお
いては、電極の主ストリップライン間のピッチが磁性ガ
ーネット膜の平行な２辺９ａ、９ｂの一つとこれに隣接
する主ストリップラインとの距離の２倍となり、かつ、
前記磁性ガーネット膜の前記平行な２辺間の距離の、１
／（主ストリップラインの本数）となるように均等に主
ストリップライン３、４を配置する。

【００１４】本発明においては、電極は図１の実施例に
示すようなほぼＵ字形とは限らず、複数本の主ストリッ
プラインを互いに平行に配置し、互いの隣接する端部を
補助ラインによりジグザグ状になるように接続してメア
ンダ電極の形に形成することもできる。たとえば、対の
主ストリップライン３、４を有するＵ字形の電極構造を
複数組、補助ストリップライン５が縦方向に互いに同一
の側に位置するように磁性ガーネット膜に対して配置
し、隣接する組の主ストリップラインの補助ストリップ
ライン５とは反対側の端部を別の補助ストリップライン
により接続して、ストリップラインがジクザグ状に延び
るメアンダ電極形状とする構造も本発明の範囲に含まれ
る。この構成においても、ストリップラインの厚さや
幅、ピッチ等については上述した関係を維持することが
好ましい。

【００１５】図４(a) (b) は、図１に示す構造の共振子
において、静磁波共振子の磁性ガーネット膜６のサイズ
が１mm×１mmの場合の主ストリップラインの寸法の影響
を示す実験データである。図４(a) は、磁性ガーネット
膜の高次モードの最も強い値とストリップラインの幅と
の関係を示すもので、値が小さいほど高次モードが抑制
されていることを表している。図４(b) は、高次モード
を最も抑制した時のストリップラインの幅と磁性ガーネ
ット膜の厚さの関係を示す実験データであり、この場
合、実験に使用した磁性ガーネット膜の厚さは１７μ
ｍ、２３μｍ、３０μｍ、３２μｍ、４０μｍ、５６μ
ｍ、９５μｍとした。図から、全体的には、主ストリッ
プライン３、４の幅ｗは、磁性ガーネット膜６の幅方向
端辺９ａ、９ｂ間の距離の1/６から1/3 までの範囲で高
次モードを抑制できることが分かる。さらに、ストリッ
プラインの幅と磁性ガーネット膜の厚さ幅の関係でみる
と、電磁性ガーネット膜の厚さを１μｍから１００μｍ
の範囲内、好ましくは１７μｍから９５μｍの範囲内と
した場合、電極の主ストリップラインの各々において、
その幅を１００μｍから３５０μｍの範囲内、好ましく
は１２０μｍから３４０μｍの範囲内としたとき、高次
モードの抑制効果が高まることが分かる。また、上述し
たように、電極の主ストリップライン３、４の各々は、
磁性ガーネット膜の厚さが２０μｍから６０μｍの範囲
であるとき、その幅を１８０μｍから３３０μｍの範囲
とし、磁性ガーネット膜の厚さが５５μｍから１００μ
ｍの範囲であるとき、幅を１００μｍから２６０μｍの
範囲とすることにより好結果が得られることが分かる。

【００１６】図５は、磁性ガーネット膜６の膜面に垂直
な方向に外部磁界を印加したときの磁性ガーネット膜６
中に立つ静磁波の定在波を、磁性ガーネット膜６と主ス
トリップライン３、４との関係で示すものである。この
図は、主ストリップライン３、４の幅ｗを適当に選ぶこ
とによって磁性ガーネット膜６の幅Ｗ_G方向の高次のモ
ードを抑制できることを説明するもので、(a) は最も低
次のモードが立った場合を、(b) (c) (d) は順に高次の
モードが立った場合を、それぞれ示す。ここでは、膜厚
モードを一様モードとし、電磁波が入力される方向に立
つモードを1/2波長のモードとして表してある。ここ
で、磁性ガーネット膜６の幅をＷ_Gとしたとき、電極の
主ストリップライン３、４の幅を1/6 Ｗ_G未満とする
と、図５(c) から明らかなように、主ストリップライン
３、４上の電磁波の位相と一致する６次の高次モードが
存在し得ることになる。しかし、図５(b) (d) に示すよ
うに、４次及び８次の高次共振モードは、ストリップラ
イン３、４が４次及び８次のモードの定在波の節に相当
する位置にくるので、定在波として存在し難くなる。

【００１７】主ストリップライン３、４の幅を1/3 Ｗ_G
以上とすると、４次及び８次の高次モードは、主ストリ
ップライン３、４の下に位相の異なる定在波の腹がくる
ことになるので、実質的に打ち消しあって抑制される。
しかし、この場合にも６次の高次モードは抑制できない
ことがある。その理由は、ストリップライン３、４の下
に、電極上の電磁波の位相と合致する静磁定在波の腹の
数が差し引きで実質的に一つ存在し得るからである。そ
こで、主ストリップライン３、４の幅を磁性ガーネット
膜６の幅Ｗ_Gの1/6 から1/3 の範囲に選定して、６次の
高次モードがストリップライン３、４の下の位相の異な
る一方の定在波の腹に対して互いに打ち消し合うように
すると、実質的に６次の高次モードが生じないようにす
ることができる。すなわち、高次の共振モードを抑制す
る、という観点からは、電極の主ストリップライン３、
４の幅を磁性ガーネット膜６の幅Ｗ_Gの1/6 から1/3 迄
の範囲とし、主ストリップライン３、４を、その幅方向
の中心間間隔を磁性ガーネット膜６の両側の縁の間の距
離の１／２とし、かつ、両側の縁から均等な距離に配置
することが好ましい。

【００１８】なお、本発明の実施例では、１０次以上の
高次モードが発生する可能性はあるが、この高次のモー
ドの共振は、ストリップライン３、４上の電磁波の位相
と合致し難くなるので、共鳴吸収エネルギは十分に小さ
くなる。また、この高次モードは、主たる最低次のモー
ドに比べて、その共振周波数が十分に離れているので実
用上問題は生じない。以上、本発明の実施例を短形形状
の磁性ガーネット膜について説明してきたが、本発明は
短形形状に限定されない。すなわち、少なくともほぼ平
行な２辺をもつ磁性ガーネット膜の他の２辺は、湾曲し
ている２辺でもよく、あるいは、鋸状に折れ曲がった１
組の辺を２辺とする形状でもよい。図６は、本発明の他
の実施例を示す図１と同様な分解斜視図である。この実
施例では、誘電体基板８上に形成される主ストリップラ
イン３、４と、該主ストリップラインの互いに隣接する
一方向端部を接続する補助ライン５の他に、ＧＧＧ基板
７上の磁性ガーネット膜６上に、主ストリップライン
３、４の幅ｗ₀とほぼ同一の幅ｗ₁のストリップライン
１２、１３が、主ストリップライン３、４の中心間間隔
Ｌ₂₀と同じ中心間間隔Ｌ₂₁で形成されている。この場
合、ストリップライン１２、１３の幅方向中心から磁性
ガーネット膜６の縁までの距離の２倍は、主ストリップ
ライン３、４の間隔Ｌ₂₀及びストリップライン１２、１
３間の間隔と同一である。すなわち、磁性ガーネット膜
の端辺９ａとストリップライン１３の幅方向中心との間
の距離の２倍、または、磁性ガーネット膜の端辺９ｂと
ストリップライン１２の幅方向中心との間の距離の２
倍、およびストリップライン１２、１３の幅方向中心間
距離は、磁性ガーネット膜６の幅方向端辺９ａ、９ｂ間
の幅の１／（磁性ガーネット膜上の主ストリップライン
の本数）とする。そして、ＧＧＧ基板７は、ストリップ
ライン１２、１３が主ストリップライン３、４にそれぞ
れ重なるように誘電体基板８上に置かれる。先の実施例
におけると同様に、本実施例においても、磁性ガーネッ
ト膜６が誘電体基板８に接着される。

【００１９】図７は、本発明のさらに別の実施例を示す
ものである。この実施例では、ＧＧＧ基板７上に矩形形
状の磁性ガーネット膜６が形成され、その上に主ストリ
ップライン３、４と補助ストリップライン５とからなる
電極が形成される。補助ストリップライン５は磁性ガー
ネット膜６から外れてＧＧＧ基板７上に直接形成され
る。また、補助ストリップライン５とは反対側の主スト
リップライン３、４の端部は、ＧＧＧ基板７上に直接形
成された電極パッド１、２に接続される。その他の点で
は、本実施例の構造は先の実施例におけると同様であ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す静磁波共振子の分解斜
視図である。

【図２】結合係数１における共鳴周波数を本発明の実施
例と比較例とで比較した比較実験データを示す図表であ
る。

【図３】本発明の実施例における不要モード抑制効果を
示す図表であり、(a) は比較例における静磁波反射特性
を、(b) は本発明の実施例における静磁波反射特性を、
それぞれ示し、(c) は(a) の実験データを得るのに使用
した共振子の構成を示す平面図である。

【図４】主ストリップラインの幅が高次モード抑制効果
に及ぼす影響を示すもので、(a) は主ストリップライン
の幅の影響を、(b) は主ストリップラインの幅と磁性ガ
ーネット膜の厚さの関係をそれぞれ示す図表である。

【図５】磁性ガーネット膜の膜面に垂直方向に外部磁界
を印加した場合の静磁波の発生状態を示す概略図であ
る。

【図６】本発明の他の実施例を示す図１と同様な分解斜
視図である。

【図７】本発明のさらに他の実施例を示す平面図であ
る。

【図８】従来の静磁波共振子を示す平面図である。

【符合の説明】

１、２電極パッド３、４主ストリップライン５補助ストリップライン６磁性ガーネット膜７ＧＧＧ基板８誘電体基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＧＧＧ基板と、該ＧＧＧ基板上に形成さ
れた少なくとも２辺がほぼ平行な形状の磁性ガーネット
膜と、該磁性ガーネット膜にＲＦ信号を供給する電極
と、を備える静磁波共振子であって、前記電極は、前記磁性ガーネット膜の前記平行な２辺に
ほぼ平行に延びる少なくとも一対の主ストリップライン
と、前記主ストリップラインの延びる方向にみて前記磁
性ガーネット膜の外側に位置する領域において前記一対
の主ストリップラインの一端部を互いに接続する補助ス
トリップラインとを備え、一方の前記主ストリップラインの他端が接地導体に、他
方の前記主ストリップラインの他端が入出力端子に、そ
れぞれ接続された、ことを特徴とする静磁波共振子。
【請求項２】ＧＧＧ基板と、該ＧＧＧ基板上に形成さ
れた少なくとも２辺がほぼ平行な形状の磁性ガーネット
膜と、該磁性ガーネット膜にＲＦ信号を供給する電極
と、を備える静磁波共振子であって、前記電極は、前記磁性ガーネット膜の前記平行な２辺に
ほぼ平行に延びる複数本の主ストリップラインと、前記
複数本の主ストリップラインの互いに隣接する端部を、
該主ストリップラインが延びる方向にみて前記磁性ガー
ネット膜の外側に位置する領域でジグザグ状に接続する
補助ラインとを備えるメアンダライン電極として形成さ
れ、前記メアンダライン電極の一端は接地導体に、他端は入
出力端子に、それぞれ接続された、ことを特徴とする静
磁波共振子。
【請求項３】請求項１又は請求項２に記載した静磁波
共振子であって、前記電極のうち、前記主ストリップラ
インは前記磁性ガーネット膜上に重ねて形成され、前記
補助ラインは該磁性ガーネット膜が形成されている側で
前記ＧＧＧ基板の面上に形成されたことを特徴とする静
磁波共振子。
【請求項４】請求項１又は請求項２に記載した静磁波
共振子であって、前記電極は誘電体基板上に形成され、
前記磁性ガーネット膜は、前記電極の前記主ストリップ
ラインを覆うように前記誘電体基板上に密着固定された
ことを特徴とする静磁波共振子。
【請求項５】請求項１又は請求項２に記載した静磁波
共振子であって、前記磁性ガーネット膜上に形成された
電極の主ストリップラインと同一本数で、ほぼ同一幅及
びほぼ同一ピッチの主ストリップラインと、該主ストリ
ップラインの互いに隣接する端部を接続する補助ライン
を有する電極が誘電体基板上に形成され、前記磁性ガー
ネット膜上の電極の前記主ストリップラインと前記誘電
体基板上の電極の前記主ストリップラインとが重なるよ
うに前記誘電体基板を前記磁性ガーネット膜に重ねて両
方の主ストリップラインを密着融合させたことを特徴と
する静磁波共振子。
【請求項６】請求項１から請求項５までのいずれか１
項に記載した静磁波共振子であって、前記電極の前記主
ストリップラインの各々の幅は、前記磁性ガーネット膜
の前記平行な２辺間の距離の1/10から1/3 の間の値であ
ることを特徴とする静磁波共振子。
【請求項７】請求項６に記載した静磁波共振子であっ
て、前記電極の前記主ストリップラインの各々の幅は、
前記磁性ガーネット膜の前記平行な２辺間の距離の1/6
から1/3 の間の値であることを特徴とする静磁波共振
子。
【請求項８】請求項１から請求項５までのいずれか１
項に記載した静磁波共振子であって、前記電極の前記主
ストリップライン間のピッチが前記磁性ガーネット膜の
前記平行な２辺の一つとこれに隣接する主ストリップラ
インとの距離の２倍であり、かつ、前記磁性ガーネット
膜の前記平行な２辺間の距離の、１／（主ストリップラ
インの本数）であることを特徴とする静磁波共振子。
【請求項９】請求項１から請求項８までのいずれか１
項に記載した静磁波共振子であって、前記磁性ガーネッ
ト膜の厚さが１μｍから１００μｍの範囲にある場合に
おいて、前記電極の前記主ストリップラインの各々は、
幅が１００μｍから３５０μｍの範囲にあることを特徴
とする静磁波共振子。
【請求項１０】請求項９に記載した静磁波共振子であ
って、前記磁性ガーネット膜の厚さが１７μｍから９５
μｍの範囲にある場合において、前記電極の前記主スト
リップラインの各々は、幅が１２０μｍから３４０μｍ
の範囲にあることを特徴とする静磁波共振子。
【請求項１１】請求項１から請求項８までのいずれか
１項に記載した静磁波共振子であって、前記磁性ガーネ
ット膜の厚さが２０μｍから６０μｍの範囲にある場合
において、前記電極の前記主ストリップラインの各々
は、幅が１８０μｍから３３０μｍの範囲であることを
特徴とする静磁波共振子。
【請求項１２】請求項１から請求項８までのいずれか
１項に記載した静磁波共振子であって、前記磁性ガーネ
ット膜の厚さが５５μｍから１００μｍの範囲にある場
合において、前記電極の前記主ストリップラインの各々
は、幅が１００μｍから２６０μｍの範囲であることを
特徴とする静磁波共振子。