JPH10265261A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH10265261A JPH10265261A JP9073471A JP7347197A JPH10265261A JP H10265261 A JPH10265261 A JP H10265261A JP 9073471 A JP9073471 A JP 9073471A JP 7347197 A JP7347197 A JP 7347197A JP H10265261 A JPH10265261 A JP H10265261A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- temperature coefficient
- relative
- dielectric
- relative permittivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 比誘電率が３０以上、Ｑが１００以上、絶縁
抵抗が５×１０12Ω・ｃｍ以上と大きく、比誘電率の温
度係数を−５００〜＋１８００ｐｐｍ／℃の範囲で任意
に制御することが可能な誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】 ｓＰｂＯ・ｔＭｇＯ・ｕＴｉＯ2 ・ｖＮ
ｂ2 Ｏ5 （５．０≦ｓ≦１５．０，４０．０≦ｔ≦５
０．０，４０．０≦ｕ≦５０．０，１．０≦ｖ≦６．
０）で表わされる誘電体磁器組成物。 【効果】 ＰｂＯ，ＭｇＯ，ＴｉＯ2 及びＮｂ2 Ｏ5 を
所定の比率で混合することにより、比誘電率、Ｑ及び絶
縁抵抗が大きく、広い範囲で制御可能な比誘電率の温度
係数を持つ誘電体磁器を得ることができる。単独で、或
いは、ＣａＴｉＯ3 やＳｒＴｉＯ3 のような大きな比誘
電率と大きな負の比誘電率の温度係数を持つ材料と組み
合せることで、比誘電率及びＱ値が大きく、比誘電率の
温度係数の絶対値が小さい材料を得ることができ、電子
機器の小型化に有効である。
抵抗が５×１０12Ω・ｃｍ以上と大きく、比誘電率の温
度係数を−５００〜＋１８００ｐｐｍ／℃の範囲で任意
に制御することが可能な誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】 ｓＰｂＯ・ｔＭｇＯ・ｕＴｉＯ2 ・ｖＮ
ｂ2 Ｏ5 （５．０≦ｓ≦１５．０，４０．０≦ｔ≦５
０．０，４０．０≦ｕ≦５０．０，１．０≦ｖ≦６．
０）で表わされる誘電体磁器組成物。 【効果】 ＰｂＯ，ＭｇＯ，ＴｉＯ2 及びＮｂ2 Ｏ5 を
所定の比率で混合することにより、比誘電率、Ｑ及び絶
縁抵抗が大きく、広い範囲で制御可能な比誘電率の温度
係数を持つ誘電体磁器を得ることができる。単独で、或
いは、ＣａＴｉＯ3 やＳｒＴｉＯ3 のような大きな比誘
電率と大きな負の比誘電率の温度係数を持つ材料と組み
合せることで、比誘電率及びＱ値が大きく、比誘電率の
温度係数の絶対値が小さい材料を得ることができ、電子
機器の小型化に有効である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層コンデンサの
誘電体材料として有用な温度補償用誘電体磁器組成物に
関する。
誘電体材料として有用な温度補償用誘電体磁器組成物に
関する。
【０００２】
【従来の技術】温度補償用誘電体磁器コンデンサは、通
信機器等に広く使用される。このような用途に供される
誘電体材料には、一般に、比誘電率が大きい、Ｑが大き
い（即ち、誘電損失が小さい）、比誘電率の温度係数が
−７５０〜＋１００ｐｐｍ／℃の範囲にあるなどの特性
が要求される。
信機器等に広く使用される。このような用途に供される
誘電体材料には、一般に、比誘電率が大きい、Ｑが大き
い（即ち、誘電損失が小さい）、比誘電率の温度係数が
−７５０〜＋１００ｐｐｍ／℃の範囲にあるなどの特性
が要求される。
【０００３】従来、温度補償用誘電体磁器組成物として
は、ＣａＴｉＯ3 −ＭｇＴｉＯ3 系材料などが知られて
いる。この材料は、比誘電率が２０〜３０程度で大きな
Ｑ（通常は１００００程度）を有している。また、その
比誘電率の温度係数は−３０〜＋３０ｐｐｍ／℃程度で
ある。
は、ＣａＴｉＯ3 −ＭｇＴｉＯ3 系材料などが知られて
いる。この材料は、比誘電率が２０〜３０程度で大きな
Ｑ（通常は１００００程度）を有している。また、その
比誘電率の温度係数は−３０〜＋３０ｐｐｍ／℃程度で
ある。
【０００４】ところで、携帯電話等の通信機器の分野で
は、近年、装置のより一層の小型化が進められており、
それに伴い、これらの装置に使用される部品の小型化へ
の要求もより一層高められている。しかしながら、上記
のような従来の誘電体磁器組成物の比誘電率では、部品
の小型化には限界があり、小型化のためには、より大き
な比誘電率を持つ材料が必要と考えられる。
は、近年、装置のより一層の小型化が進められており、
それに伴い、これらの装置に使用される部品の小型化へ
の要求もより一層高められている。しかしながら、上記
のような従来の誘電体磁器組成物の比誘電率では、部品
の小型化には限界があり、小型化のためには、より大き
な比誘電率を持つ材料が必要と考えられる。
【０００５】１００以上の大きな比誘電率を持つ材料と
してＣａＴｉＯ3 やＳｒＴｉＯ3 が知られているが、こ
れらの材料の比誘電率の温度係数はそれぞれ−１８５０
ｐｐｍ／℃，−３０００ｐｐｍ／℃と大きな負の値であ
る。
してＣａＴｉＯ3 やＳｒＴｉＯ3 が知られているが、こ
れらの材料の比誘電率の温度係数はそれぞれ−１８５０
ｐｐｍ／℃，−３０００ｐｐｍ／℃と大きな負の値であ
る。
【０００６】このように、単体で大きな比誘電率と高い
Ｑ値を有し、比誘電率の温度係数の絶対値が小さいとい
う条件をすべて満足する誘電体材料を開発することは困
難であるため、従来においては、一般には２種類以上の
誘電体材料を混合することで、各々の材料の有する特性
を兼ね備えた材料を開発する試みがなされている。
Ｑ値を有し、比誘電率の温度係数の絶対値が小さいとい
う条件をすべて満足する誘電体材料を開発することは困
難であるため、従来においては、一般には２種類以上の
誘電体材料を混合することで、各々の材料の有する特性
を兼ね備えた材料を開発する試みがなされている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】２種類以上の誘電体材
料を組み合せて要求特性を満足する材料を実現する場
合、例えば、ＣａＴｉＯ3 やＳｒＴｉＯ3 等の比誘電率
が大きく、比誘電率の温度係数が負に大きい材料と組み
合せることで、大きな比誘電率と高いＱ値を有し、比誘
電率の温度係数の絶対値が小さい材料を得るためには、
それ自体大きな比誘電率と高いＱ値を有し、比誘電率の
温度係数が正に大きい等の特性を有する材料が望まれ
る。
料を組み合せて要求特性を満足する材料を実現する場
合、例えば、ＣａＴｉＯ3 やＳｒＴｉＯ3 等の比誘電率
が大きく、比誘電率の温度係数が負に大きい材料と組み
合せることで、大きな比誘電率と高いＱ値を有し、比誘
電率の温度係数の絶対値が小さい材料を得るためには、
それ自体大きな比誘電率と高いＱ値を有し、比誘電率の
温度係数が正に大きい等の特性を有する材料が望まれ
る。
【０００８】また、このような組み合せによる材料の応
用範囲の拡大の面から、材料組成比を変えることで比誘
電率の温度係数を幅広い範囲で任意に制御することがで
きる材料が望まれる。
用範囲の拡大の面から、材料組成比を変えることで比誘
電率の温度係数を幅広い範囲で任意に制御することがで
きる材料が望まれる。
【０００９】更に、誘電体磁器組成物では、絶縁抵抗が
高いことは基本的な要求特性である。
高いことは基本的な要求特性である。
【００１０】本発明は上記従来の実情に鑑みてなされた
ものであって、比誘電率が３０以上、Ｑが１００以上、
絶縁抵抗が５×１０12Ω・ｃｍ以上と大きく、比誘電率
の温度係数を−５００ｐｐｍ／℃〜＋１８００ｐｐｍ／
℃の範囲で任意に制御することが可能な誘電体磁器組成
物を提供することを目的とする。
ものであって、比誘電率が３０以上、Ｑが１００以上、
絶縁抵抗が５×１０12Ω・ｃｍ以上と大きく、比誘電率
の温度係数を−５００ｐｐｍ／℃〜＋１８００ｐｐｍ／
℃の範囲で任意に制御することが可能な誘電体磁器組成
物を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物は、ＰｂＯ，ＭｇＯ，ＴｉＯ2 及びＮｂ2 Ｏ5 なる磁
器組成物であって、組成式ｓＰｂＯ・ｔＭｇＯ・ｕＴｉ
Ｏ2 ・ｖＮｂ2 Ｏ5 で表したとき，ｓ，ｔ，ｕ，ｖがモ
ル分率で ５．０≦ｓ≦１５．０ ４０．０≦ｔ≦５０．０ ４０．０≦ｕ≦５０．０ １．０≦ｖ≦６．０ ただし、ｓ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝１００．０の範囲にあること
を特徴とする。
物は、ＰｂＯ，ＭｇＯ，ＴｉＯ2 及びＮｂ2 Ｏ5 なる磁
器組成物であって、組成式ｓＰｂＯ・ｔＭｇＯ・ｕＴｉ
Ｏ2 ・ｖＮｂ2 Ｏ5 で表したとき，ｓ，ｔ，ｕ，ｖがモ
ル分率で ５．０≦ｓ≦１５．０ ４０．０≦ｔ≦５０．０ ４０．０≦ｕ≦５０．０ １．０≦ｖ≦６．０ ただし、ｓ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝１００．０の範囲にあること
を特徴とする。
【００１２】上記組成式で表されるように、ＰｂＯ，Ｍ
ｇＯ，ＴｉＯ2 及びＮｂ2 Ｏ5 を所定の比率で混合する
ことにより、比誘電率、Ｑ及び絶縁抵抗が大きく、−５
００〜＋１８００ｐｐｍ／℃の範囲で制御可能な比誘電
率の温度係数を持つ誘電体磁器を得ることができる。
ｇＯ，ＴｉＯ2 及びＮｂ2 Ｏ5 を所定の比率で混合する
ことにより、比誘電率、Ｑ及び絶縁抵抗が大きく、−５
００〜＋１８００ｐｐｍ／℃の範囲で制御可能な比誘電
率の温度係数を持つ誘電体磁器を得ることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１４】本発明の温度補償用誘電体磁器組成物は、
ＰｂＯ，ＭｇＯ，ＴｉＯ2 及びＮｂ2 Ｏ5 からなり、そ
の組成を式ｓＰｂＯ・ｔＭｇＯ・ｕＴｉＯ2 ・ｖＮｂ2
Ｏ5で表したとき、ｓ，ｔ，ｕ，ｖがモル分率で ５．０≦ｓ≦１５．０ ４０．０≦ｔ≦５０．０ ４０．０≦ｕ≦５０．０ １．０≦ｖ≦６．０ の範囲となるものである。
ＰｂＯ，ＭｇＯ，ＴｉＯ2 及びＮｂ2 Ｏ5 からなり、そ
の組成を式ｓＰｂＯ・ｔＭｇＯ・ｕＴｉＯ2 ・ｖＮｂ2
Ｏ5で表したとき、ｓ，ｔ，ｕ，ｖがモル分率で ５．０≦ｓ≦１５．０ ４０．０≦ｔ≦５０．０ ４０．０≦ｕ≦５０．０ １．０≦ｖ≦６．０ の範囲となるものである。
【００１５】ｓが上記範囲より小さいものでは、比誘電
率が低下する。ｓが上記範囲より大きいものでは、Ｑ及
び絶縁抵抗が低下する。ｔが上記範囲より小さいもので
は、絶縁抵抗が低下する。ｔが上記範囲より大きいもの
では比誘電率が低下する。ｕが上記範囲より小さいもの
では、絶縁抵抗が低下する。ｕが上記範囲より大きいも
のでは、比誘電率の温度係数が−１３００ｐｐｍ／℃以
下になる。ｖが上記範囲より小さいものでは、Ｑが低下
する。ｖが上記範囲より大きいものでは、比誘電率の温
度係数が−１０００ｐｐｍ／℃以下になる。
率が低下する。ｓが上記範囲より大きいものでは、Ｑ及
び絶縁抵抗が低下する。ｔが上記範囲より小さいもので
は、絶縁抵抗が低下する。ｔが上記範囲より大きいもの
では比誘電率が低下する。ｕが上記範囲より小さいもの
では、絶縁抵抗が低下する。ｕが上記範囲より大きいも
のでは、比誘電率の温度係数が−１３００ｐｐｍ／℃以
下になる。ｖが上記範囲より小さいものでは、Ｑが低下
する。ｖが上記範囲より大きいものでは、比誘電率の温
度係数が−１０００ｐｐｍ／℃以下になる。
【００１６】本発明では、 ５≦ｓ≦１４ ４１≦ｔ≦４７ ４１≦ｕ≦４９ １．２≦ｖ≦５．５ であることが好ましく、このような組成範囲であれば、
比誘電率が３０以上、Ｑが１５０以上、絶縁抵抗が１×
１０13Ω・ｃｍ以上で、−５００〜＋１８００ｐｐｍ／
℃の範囲の比誘電率の温度係数を持つ高特性誘電体が提
供される。
比誘電率が３０以上、Ｑが１５０以上、絶縁抵抗が１×
１０13Ω・ｃｍ以上で、−５００〜＋１８００ｐｐｍ／
℃の範囲の比誘電率の温度係数を持つ高特性誘電体が提
供される。
【００１７】本発明では、特に、 ５≦ｓ≦１０ ４１≦ｔ≦４７ ４２≦ｕ≦４７ ２．５≦ｖ≦５．０ であることが好ましく、このような組成範囲であれば、
比誘電率が３０以上、Ｑが１５０以上、絶縁抵抗が３×
１０13Ω・ｃｍ以上で、−１５０〜＋１３００ｐｐｍ／
℃の範囲の比誘電率の温度係数を持つより高特性の誘電
体が提供される。
比誘電率が３０以上、Ｑが１５０以上、絶縁抵抗が３×
１０13Ω・ｃｍ以上で、−１５０〜＋１３００ｐｐｍ／
℃の範囲の比誘電率の温度係数を持つより高特性の誘電
体が提供される。
【００１８】このような本発明の誘電体磁器組成物を製
造するには、例えば、酸化鉛（ＰｂＯ，Ｐｂ2 Ｏ，Ｐｂ
Ｏ2 ，Ｐｂ2 Ｏ3 ，Ｐｂ3 Ｏ4 ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ，Ｔｉ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ
2 ）、五酸化ニオブ（Ｎｂ2 Ｏ5 ）の粉末を所定の割合
となるよう秤量し、湿式ボールミル等を用いて十分に混
合する。次に、この混合物を乾燥した後、必要に応じ、
１０００〜１０５０℃の範囲で数時間程度仮焼する。得
られた仮焼物を湿式ボールミル等で粉砕する。粉砕によ
り得られた仮焼粉を乾燥後、ポリビニルアルコール等の
適当な有機バインダを加えて、顆粒を作り、これを所定
の形状にプレス成形した後、焼成を行う。この焼成は、
１１５０〜１２５０℃の温度範囲で０．５〜数時間程度
行う。（勿論、これらの製造条件は最も好適な数値であ
って、本発明の磁器組成物は上記以外の条件もしくは方
法によって製造されたものであっても良い。）
造するには、例えば、酸化鉛（ＰｂＯ，Ｐｂ2 Ｏ，Ｐｂ
Ｏ2 ，Ｐｂ2 Ｏ3 ，Ｐｂ3 Ｏ4 ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ，Ｔｉ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ
2 ）、五酸化ニオブ（Ｎｂ2 Ｏ5 ）の粉末を所定の割合
となるよう秤量し、湿式ボールミル等を用いて十分に混
合する。次に、この混合物を乾燥した後、必要に応じ、
１０００〜１０５０℃の範囲で数時間程度仮焼する。得
られた仮焼物を湿式ボールミル等で粉砕する。粉砕によ
り得られた仮焼粉を乾燥後、ポリビニルアルコール等の
適当な有機バインダを加えて、顆粒を作り、これを所定
の形状にプレス成形した後、焼成を行う。この焼成は、
１１５０〜１２５０℃の温度範囲で０．５〜数時間程度
行う。（勿論、これらの製造条件は最も好適な数値であ
って、本発明の磁器組成物は上記以外の条件もしくは方
法によって製造されたものであっても良い。）
【００１９】
【実施例】以下に本発明を実施例及び比較例を挙げて更
に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００２０】実施例１〜７，比較例１〜５ 出発原料としてＰｂＯ，ＭｇＯ，ＴｉＯ2 及びＮｂ2 Ｏ
5 を使用し、これらを表１に示す配合比となるように秤
量し、ボールミル中で純水と共に約２０時間湿式混合し
た。次いで、この混合物を脱水、乾燥後、１０００〜１
０５０℃で２時間保持して仮焼し、再びボールミル中で
純水と共に約２０時間湿式粉砕した後、脱水、乾燥し
た。
5 を使用し、これらを表１に示す配合比となるように秤
量し、ボールミル中で純水と共に約２０時間湿式混合し
た。次いで、この混合物を脱水、乾燥後、１０００〜１
０５０℃で２時間保持して仮焼し、再びボールミル中で
純水と共に約２０時間湿式粉砕した後、脱水、乾燥し
た。
【００２１】得られた粉末にポリビニルブチラール（バ
インダ）のエタノール溶液を加え、成形圧力約２ｔ／ｃ
ｍ3 で、直径約１５ｍｍ、厚さ約０．７ｍｍの円板に加
圧成形した。この成形物を約６００℃で１時間保持して
バインダを除いた後、マグネシアセッター上で１１５０
〜１２５０℃の温度で２時間焼成した。
インダ）のエタノール溶液を加え、成形圧力約２ｔ／ｃ
ｍ3 で、直径約１５ｍｍ、厚さ約０．７ｍｍの円板に加
圧成形した。この成形物を約６００℃で１時間保持して
バインダを除いた後、マグネシアセッター上で１１５０
〜１２５０℃の温度で２時間焼成した。
【００２２】得られた焼結体の両面に、銀電極を７５０
℃で焼き付けて平行平板コンデンサとし、その電気特性
を調べた。得られた試料の電気特性の測定結果を表１に
示す。
℃で焼き付けて平行平板コンデンサとし、その電気特性
を調べた。得られた試料の電気特性の測定結果を表１に
示す。
【００２３】なお、比誘電率はＹＨＰ社製「ＬＦインピ
ーダンスアナライザモデル４１９２Ａ」を用い、測定周
波数１ＭＨｚ、測定電圧１．０Ｖｒｍｓ、温度２５℃に
て測定した。また、ＱはＹＨＰ社製「Ｑメーターモデル
４３４２Ａ」を用い、測定周波数１ＭＨｚ、温度２５℃
にて測定した。また、絶縁抵抗はＹＨＰ社製「アナログ
ＩＲメータ４３２９Ａ」を使用し、温度２５℃、印加電
圧１００Ｖにて１分後の値を測定した。比誘電率の温度
係数は、２５℃及び８５℃でそれぞれ測定したコンデン
サ容量から下記式より算出した。
ーダンスアナライザモデル４１９２Ａ」を用い、測定周
波数１ＭＨｚ、測定電圧１．０Ｖｒｍｓ、温度２５℃に
て測定した。また、ＱはＹＨＰ社製「Ｑメーターモデル
４３４２Ａ」を用い、測定周波数１ＭＨｚ、温度２５℃
にて測定した。また、絶縁抵抗はＹＨＰ社製「アナログ
ＩＲメータ４３２９Ａ」を使用し、温度２５℃、印加電
圧１００Ｖにて１分後の値を測定した。比誘電率の温度
係数は、２５℃及び８５℃でそれぞれ測定したコンデン
サ容量から下記式より算出した。
【００２４】
【数１】
【００２５】
【表１】
【００２６】表１より明らかなように、本発明範囲内の
誘電体磁器組成物は、比誘電率が３０以上と大きく、Ｑ
が１００以上で、絶縁抵抗が５×１０12Ω・ｃｍ以上と
大きく、−５００〜＋１８００ｐｐｍ／℃の範囲の比誘
電率の温度係数を持つ高特性誘電体である。
誘電体磁器組成物は、比誘電率が３０以上と大きく、Ｑ
が１００以上で、絶縁抵抗が５×１０12Ω・ｃｍ以上と
大きく、−５００〜＋１８００ｐｐｍ／℃の範囲の比誘
電率の温度係数を持つ高特性誘電体である。
【００２７】
【発明の効果】以上の如く、本発明の誘電体磁器組成物
は、比誘電率が大きく、Ｑが大きく、絶縁抵抗が大き
く、−５００〜＋１８００ｐｐｍ／℃の範囲で比誘電率
の温度係数を任意に制御できる。このため、本発明の誘
電体磁器組成物を単独で使用するのみならず、ＣａＴｉ
Ｏ3 やＳｒＴｉＯ3 のような１００以上の大きな比誘電
率と大きな負の比誘電率の温度係数を持つ材料を組み合
わせることで、大きな比誘電率と高いＱ値を有し、比誘
電率の温度係数の絶対値が小さい材料を得ることもでき
る。しかして、このようにして得られる複合材料を使用
した部品は、従来製品より格段に小型化できるため、各
種電子機器の小型化に有効である。
は、比誘電率が大きく、Ｑが大きく、絶縁抵抗が大き
く、−５００〜＋１８００ｐｐｍ／℃の範囲で比誘電率
の温度係数を任意に制御できる。このため、本発明の誘
電体磁器組成物を単独で使用するのみならず、ＣａＴｉ
Ｏ3 やＳｒＴｉＯ3 のような１００以上の大きな比誘電
率と大きな負の比誘電率の温度係数を持つ材料を組み合
わせることで、大きな比誘電率と高いＱ値を有し、比誘
電率の温度係数の絶対値が小さい材料を得ることもでき
る。しかして、このようにして得られる複合材料を使用
した部品は、従来製品より格段に小型化できるため、各
種電子機器の小型化に有効である。
Claims (1)
- 【請求項１】 ＰｂＯ，ＭｇＯ，ＴｉＯ2 及びＮｂ2 Ｏ
5 からなる磁器組成物であって、組成式ｓＰｂＯ・ｔＭ
ｇＯ・ｕＴｉＯ2 ・ｖＮｂ2 Ｏ5 で表したとき、ｓ，
ｔ，ｕ，ｖがモル分率で ５．０≦ｓ≦１５．０ ４０．０≦ｔ≦５０．０ ４０．０≦ｕ≦５０．０ １．０≦ｖ≦６．０ ただし、ｓ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝１００．０の範囲にあること
を特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9073471A JPH10265261A (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9073471A JPH10265261A (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10265261A true JPH10265261A (ja) | 1998-10-06 |
Family
ID=13519233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9073471A Withdrawn JPH10265261A (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10265261A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004077460A1 (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-10 | Tdk Corporation | 薄膜容量素子用組成物、高誘電率絶縁膜、薄膜容量素子、薄膜積層コンデンサ、電子回路および電子機器 |
-
1997
- 1997-03-26 JP JP9073471A patent/JPH10265261A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004077460A1 (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-10 | Tdk Corporation | 薄膜容量素子用組成物、高誘電率絶縁膜、薄膜容量素子、薄膜積層コンデンサ、電子回路および電子機器 |
| US7319081B2 (en) | 2003-02-27 | 2008-01-15 | Tdk Corporation | Thin film capacity element composition, high-permittivity insulation film, thin film capacity element, thin film multilayer capacitor, electronic circuit and electronic apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040601 |