JPH0571538B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0571538B2 JPH0571538B2 JP63103125A JP10312588A JPH0571538B2 JP H0571538 B2 JPH0571538 B2 JP H0571538B2 JP 63103125 A JP63103125 A JP 63103125A JP 10312588 A JP10312588 A JP 10312588A JP H0571538 B2 JPH0571538 B2 JP H0571538B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- dielectric
- present
- composition
- dielectric constant
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明は誘電体磁器組成物に係り、特に酸化ス
トロンチウム（SrO）、酸化バリウム（BaO）、酸
化チタン（TiO2）、酸化ネオヂウム（Nd2O3）を
主成分として構成される誘電体磁器組成物であつ
て、比誘電率（ε）が大きく、かつその温度係数
（TC）が小さく、高周波における無負荷Ｑ値の大
きい誘電体磁器を提供することができる誘電体磁
器組成物に関する。 ［従来の技術］ 従来より誘電体磁器としては、MgTiO3、
CaTiO3、SrTiO3、CaTiO3−La2O3・2TiO2−
MgTiO2系などの組成物が用いられており、これ
らの組成物を用いることにより比誘電率（ε）が
15〜280で、その温度係数（TC）が＋100〜−
3000ppm／℃の範囲の誘電体磁器が得られること
が知られている。 ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来提供されている組成物にお
いては、比誘電率が大きくなると、温度係数の絶
対値も大きくなり、温度係数の絶対値を小さくし
ようとすれば比誘電率の小さい誘電体磁器しか得
られないという欠点があり、比誘電率及び温度係
数が共に良好な誘電体磁器組成物は得られていな
かつた。 本発明は上記従来の問題点を解決し、誘電率が
高く、しかもその温度係数の絶対値が比較的小さ
く、高周波における無負荷Ｑ値の大きい誘電体磁
器を提供することができる誘電体磁器組成物を提
供することを目的とする。 ［課題を解決するための手段］ 本発明の誘電体磁器組成物は、酸化ストロンチ
ウム（SrO）、酸化バリウム（BaO）、酸化チタン
（TiO2）及び酸化ネオヂウム（Nd2O3）を主成分
として含む組成物であつて、一般式［］ xMO−yTiO2−zNd2O3 ……［］ ｛但し、Ｍ＝Ba1-pSrP（０＜ｐ≦１）｝と表した
とき、MO−TiO2−Nd2O3系において、ｘ、ｙ、
ｚが次のＡ〜Ｅの５点を結んでできる範囲の中に
あり、該主成分に対して15重量％以下の酸化ビス
マス（Bi2O3）を含むことを特徴とする。
トロンチウム（SrO）、酸化バリウム（BaO）、酸
化チタン（TiO2）、酸化ネオヂウム（Nd2O3）を
主成分として構成される誘電体磁器組成物であつ
て、比誘電率（ε）が大きく、かつその温度係数
（TC）が小さく、高周波における無負荷Ｑ値の大
きい誘電体磁器を提供することができる誘電体磁
器組成物に関する。 ［従来の技術］ 従来より誘電体磁器としては、MgTiO3、
CaTiO3、SrTiO3、CaTiO3−La2O3・2TiO2−
MgTiO2系などの組成物が用いられており、これ
らの組成物を用いることにより比誘電率（ε）が
15〜280で、その温度係数（TC）が＋100〜−
3000ppm／℃の範囲の誘電体磁器が得られること
が知られている。 ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来提供されている組成物にお
いては、比誘電率が大きくなると、温度係数の絶
対値も大きくなり、温度係数の絶対値を小さくし
ようとすれば比誘電率の小さい誘電体磁器しか得
られないという欠点があり、比誘電率及び温度係
数が共に良好な誘電体磁器組成物は得られていな
かつた。 本発明は上記従来の問題点を解決し、誘電率が
高く、しかもその温度係数の絶対値が比較的小さ
く、高周波における無負荷Ｑ値の大きい誘電体磁
器を提供することができる誘電体磁器組成物を提
供することを目的とする。 ［課題を解決するための手段］ 本発明の誘電体磁器組成物は、酸化ストロンチ
ウム（SrO）、酸化バリウム（BaO）、酸化チタン
（TiO2）及び酸化ネオヂウム（Nd2O3）を主成分
として含む組成物であつて、一般式［］ xMO−yTiO2−zNd2O3 ……［］ ｛但し、Ｍ＝Ba1-pSrP（０＜ｐ≦１）｝と表した
とき、MO−TiO2−Nd2O3系において、ｘ、ｙ、
ｚが次のＡ〜Ｅの５点を結んでできる範囲の中に
あり、該主成分に対して15重量％以下の酸化ビス
マス（Bi2O3）を含むことを特徴とする。
【表】
即ち、本発明者らは前記従来の欠点を克服する
材料について種々検討した結果、上記一般式
［］で表される組成において、ｘ、ｙ、ｚが上
記Ａ〜Ｅの５点を結んでできる範囲の中にあるも
のを主成分とし、これに酸化ビスマス（Bi2O3）
を15重量％以下含有させることにより、比誘電率
（ε）が大きく、かつその温度係数（TC）が小さ
く、高周波における無負荷Ｑ値の大きい誘電体磁
器が得られることを見出し、本発明を完成させ
た。 以下、本発明を詳細に説明する。 まず、本発明の誘電体磁器組成物の主成分組成
の範囲の限定理由を第１図を参照して説明する。 第１図において、まず、上記範囲外のａ領域で
は誘電率が小さくなり実用的でない。ｂ領域では
Ｃ・IR積が小さくなり、やはり実用的でない。
ｃ領域では比誘電率が小さく、その温度変化が大
きくなる。ｄ領域では、比誘電率の温度変化が大
きくなりすぎる。また、ｅ領域では焼結が困難と
なり緻密な磁器が得られなくなる。このため、
ｘ、ｙ、ｚは前述のＡ〜Ｅの５点で囲まれる範囲
とするのが適当である。 ｐについては、それが０であると本発明の目的
である高い比誘電率が得られない。従つて、０＜
ｐ≦１とする。 Bi2O3の添加については、その含有量が増加す
るに従い比誘電率を大きくし、温度係数を改善す
ることができるが、主成分の15重量％を超えて添
加すると無負荷Ｑが低下する。このため、Bi2O3
の添加量は15重量％以下とする。 なお、本発明においては、焼結助材として一般
的に利用されているSiO2、MnCO3などを、主成
分の組成、特性を変えない範囲で添加することも
可能である。この場合、SiO2、MnCO3はそれぞ
れ主成分の0.1〜0.3重量％程度添加するのが好ま
しい。 このような本発明の誘電体磁器組成物を製造す
るには、例えば、酸化ストロンチウム（SrO）、
炭酸ストロンチウム（SrCO3）、酸化バリウム
（BaO）、酸化チタン（TiO2）、チタン酸バリウム
（BaTiO3）、酸化ネオヂウム（Nd2O3）及び酸化
ビスマス（Bi2O3）等の粉末を所定の割合となる
よう秤量し、湿式ボールミル等を用いて十分に混
合する。次にこの混合物を乾燥した後、必要に応
じ、1000〜1100℃の範囲で数時間程度仮焼する。
この仮焼は必ずしも行う必要はないが、これを行
うことにより粒子がより均一化され、誘電特性が
向上する傾向がある。仮焼を行つた場合には、仮
焼物を更に湿式ボールミル等で粉砕し、乾燥後、
ポリビニルアルコールなどの適当な有機バインダ
を加えて、顆粒を作り、これを所定の形状にプレ
ス形成した後、焼成を行う。この焼成は、1250〜
1400℃の温度範囲で0.5〜数時間程度行う。（勿
論、これらの製造条件は最も好適な数値であつ
て、本発明の磁器組成物は上記以外の条件もしく
は方法によつて製造されても良い。） ［実施例］ 以下に本発明を実施例を挙げて更に具体的に説
明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以
下の実施例に限定されるものはない。 実施例 １ 出発原料として、化学的に高純度のBaTiO3、
SrCO3、TiO2、Nd2O3、Bi2O3及びSiO2、
MnCO3を用い、これらの原料を第１表に示す配
合比になるように秤量し、ボールミルを用いて純
水と共に約18時間湿式粉砕した。混合粉砕後の原
料を乾燥後、約1075℃で４時間空気中に仮焼成を
行い、再びボールミルで純水とともに約18時間湿
式粉砕した。得られた粉砕物を乾燥後、バインダ
ー（ポリビニルアルコール13重量％水溶液）を加
えて造粒し、直径約16mm、厚さ約0.7mmの円板状
にプレス成形した。この円板状試料を第１表に示
す焼成温度で１時間焼成し、第１表及び第１図に
示す配合組成の誘電体磁器No.１〜34を得た。 このようにして得られた誘電体磁器の両面に銀
ペーストを塗布、乾燥後、約810℃３分間焼付を
行い、平行平板コンデンサーとし、その電気的諸
特性を評価した。結果を第１表に示す。 なお、誘電率ε及び無負荷Ｑは、25℃、1MHz
で測定した。また、誘電率の温度係数（TC）は、
−55℃〜＋125℃の温度範囲における100KHzでの
測定値より求めた。絶縁抵抗（IR）は、室温に
おいてDC100V、60秒の測定値を示した。 第１表より明らかなように、本発明の範囲内の
誘電体磁器組成物は、比誘電率（ε）が大きく、
かつその温度係数（TC）が比較的小さく、高周
波における無負荷Ｑが大きいという優れた特性を
有し、温度補償用、高周波用等の材料に適してい
る。
材料について種々検討した結果、上記一般式
［］で表される組成において、ｘ、ｙ、ｚが上
記Ａ〜Ｅの５点を結んでできる範囲の中にあるも
のを主成分とし、これに酸化ビスマス（Bi2O3）
を15重量％以下含有させることにより、比誘電率
（ε）が大きく、かつその温度係数（TC）が小さ
く、高周波における無負荷Ｑ値の大きい誘電体磁
器が得られることを見出し、本発明を完成させ
た。 以下、本発明を詳細に説明する。 まず、本発明の誘電体磁器組成物の主成分組成
の範囲の限定理由を第１図を参照して説明する。 第１図において、まず、上記範囲外のａ領域で
は誘電率が小さくなり実用的でない。ｂ領域では
Ｃ・IR積が小さくなり、やはり実用的でない。
ｃ領域では比誘電率が小さく、その温度変化が大
きくなる。ｄ領域では、比誘電率の温度変化が大
きくなりすぎる。また、ｅ領域では焼結が困難と
なり緻密な磁器が得られなくなる。このため、
ｘ、ｙ、ｚは前述のＡ〜Ｅの５点で囲まれる範囲
とするのが適当である。 ｐについては、それが０であると本発明の目的
である高い比誘電率が得られない。従つて、０＜
ｐ≦１とする。 Bi2O3の添加については、その含有量が増加す
るに従い比誘電率を大きくし、温度係数を改善す
ることができるが、主成分の15重量％を超えて添
加すると無負荷Ｑが低下する。このため、Bi2O3
の添加量は15重量％以下とする。 なお、本発明においては、焼結助材として一般
的に利用されているSiO2、MnCO3などを、主成
分の組成、特性を変えない範囲で添加することも
可能である。この場合、SiO2、MnCO3はそれぞ
れ主成分の0.1〜0.3重量％程度添加するのが好ま
しい。 このような本発明の誘電体磁器組成物を製造す
るには、例えば、酸化ストロンチウム（SrO）、
炭酸ストロンチウム（SrCO3）、酸化バリウム
（BaO）、酸化チタン（TiO2）、チタン酸バリウム
（BaTiO3）、酸化ネオヂウム（Nd2O3）及び酸化
ビスマス（Bi2O3）等の粉末を所定の割合となる
よう秤量し、湿式ボールミル等を用いて十分に混
合する。次にこの混合物を乾燥した後、必要に応
じ、1000〜1100℃の範囲で数時間程度仮焼する。
この仮焼は必ずしも行う必要はないが、これを行
うことにより粒子がより均一化され、誘電特性が
向上する傾向がある。仮焼を行つた場合には、仮
焼物を更に湿式ボールミル等で粉砕し、乾燥後、
ポリビニルアルコールなどの適当な有機バインダ
を加えて、顆粒を作り、これを所定の形状にプレ
ス形成した後、焼成を行う。この焼成は、1250〜
1400℃の温度範囲で0.5〜数時間程度行う。（勿
論、これらの製造条件は最も好適な数値であつ
て、本発明の磁器組成物は上記以外の条件もしく
は方法によつて製造されても良い。） ［実施例］ 以下に本発明を実施例を挙げて更に具体的に説
明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以
下の実施例に限定されるものはない。 実施例 １ 出発原料として、化学的に高純度のBaTiO3、
SrCO3、TiO2、Nd2O3、Bi2O3及びSiO2、
MnCO3を用い、これらの原料を第１表に示す配
合比になるように秤量し、ボールミルを用いて純
水と共に約18時間湿式粉砕した。混合粉砕後の原
料を乾燥後、約1075℃で４時間空気中に仮焼成を
行い、再びボールミルで純水とともに約18時間湿
式粉砕した。得られた粉砕物を乾燥後、バインダ
ー（ポリビニルアルコール13重量％水溶液）を加
えて造粒し、直径約16mm、厚さ約0.7mmの円板状
にプレス成形した。この円板状試料を第１表に示
す焼成温度で１時間焼成し、第１表及び第１図に
示す配合組成の誘電体磁器No.１〜34を得た。 このようにして得られた誘電体磁器の両面に銀
ペーストを塗布、乾燥後、約810℃３分間焼付を
行い、平行平板コンデンサーとし、その電気的諸
特性を評価した。結果を第１表に示す。 なお、誘電率ε及び無負荷Ｑは、25℃、1MHz
で測定した。また、誘電率の温度係数（TC）は、
−55℃〜＋125℃の温度範囲における100KHzでの
測定値より求めた。絶縁抵抗（IR）は、室温に
おいてDC100V、60秒の測定値を示した。 第１表より明らかなように、本発明の範囲内の
誘電体磁器組成物は、比誘電率（ε）が大きく、
かつその温度係数（TC）が比較的小さく、高周
波における無負荷Ｑが大きいという優れた特性を
有し、温度補償用、高周波用等の材料に適してい
る。
【表】
【表】
［発明の効果］
以上詳述した通り、本発明の誘電体磁器組成物
によれば、誘電率が高く、しかもその温度係数の
絶対値が比較的小さく、高周波における無負荷Ｑ
値の大きい誘電体磁器が提供される。従つて、本
発明の誘電体磁器組成物は、温度補償用、高周波
用等の誘電体磁器として極めて有用である。 特に、本発明においては、酸化ビスマス
（Bi2O3）を前記主成分の15重量％以下含有させ
るため、比較電率を大きくし、温度係数を改善す
ることができる。
によれば、誘電率が高く、しかもその温度係数の
絶対値が比較的小さく、高周波における無負荷Ｑ
値の大きい誘電体磁器が提供される。従つて、本
発明の誘電体磁器組成物は、温度補償用、高周波
用等の誘電体磁器として極めて有用である。 特に、本発明においては、酸化ビスマス
（Bi2O3）を前記主成分の15重量％以下含有させ
るため、比較電率を大きくし、温度係数を改善す
ることができる。
第１図は本発明の誘電体磁器組成物の組成を説
明する三元組成図である。
明する三元組成図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酸化ストロンチウム（SrO）、酸化バリウム
（BaO）、酸化チタン（TiO2）及び酸化ネオヂウ
ム（Nd2O3）を主成分として含む組成物であつ
て、一般式［］ xMO−yTiO2−zNd2O3 ……［］ ｛但し、Ｍ＝Ba1-pSrP（０＜ｐ≦１）｝と表した
とき、MO−TiO2−Nd2O3系において、ｘ、ｙ、
ｚが次のＡ〜Ｅの５点を結んでできる範囲の中に
あり、かつ、該主成分に対して15重量％以下の酸
化ビスマス（Bi2O3）を含むことを特徴とする誘
電体磁器組成物。 【表】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63103125A JPH01275466A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63103125A JPH01275466A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01275466A JPH01275466A (ja) | 1989-11-06 |
| JPH0571538B2 true JPH0571538B2 (ja) | 1993-10-07 |
Family
ID=14345849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63103125A Granted JPH01275466A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01275466A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264403A (en) * | 1991-09-27 | 1993-11-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass |
| US5479140A (en) * | 1991-09-27 | 1995-12-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| JP2613722B2 (ja) * | 1991-09-27 | 1997-05-28 | 日本碍子株式会社 | 低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法 |
| JP5104852B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2012-12-19 | 株式会社村田製作所 | 感光性誘電体ペーストおよびそれを用いた電子部品 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| YU40018B (en) * | 1977-11-10 | 1985-06-30 | Iskra | Process for the manufature of dielectric ceramic of predetermined dielectrical temperature coefficient |
| JPS5814518A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | 松下電器産業株式会社 | 表面誘電体層型半導体磁器組成物およびその製造方法 |
| JPS593804A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | 株式会社小糸製作所 | 自動車用灯具のレンズ |
| JPS6221607A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-30 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 矩形運動する杆状部材を用いた搬送装置 |
| JPH0644405B2 (ja) * | 1985-11-07 | 1994-06-08 | 株式会社住友金属セラミックス | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
-
1988
- 1988-04-26 JP JP63103125A patent/JPH01275466A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01275466A (ja) | 1989-11-06 |
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