JPH1026569A - Measuring apparatus for sticking force - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば基板に付着
している測定対象物、特に細胞や生体試料等の微小体の
付着力を測定するための付着力測定装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an adhesive force measuring apparatus for measuring an adhesive force of a measurement object, for example, a cell or a minute sample such as a biological sample attached to a substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、例えば特開平6−213655号
公報に開示されているように、先端が尖鋭化した探針を
測定対象物に対して走査した際に、この探針に加えられ
た力を検出することによって、測定対象物に関する種々
の情報を測定することが可能な測定装置が知られてい
る。2. Description of the Related Art Conventionally, as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-213655, when a probe having a sharpened tip scans an object to be measured, the force applied to the probe is measured. There has been known a measuring device capable of measuring various kinds of information on a measurement object by detecting the information.
【0003】そして、近年、上述したような測定技術を
応用することによって、例えば基板に付着している測定
対象物、特に細胞や生体試料等の微小体の付着力を測定
する試みが成されている。In recent years, attempts have been made to measure, for example, the adhesion of an object to be measured attached to a substrate, in particular, a minute object such as a cell or a biological sample, by applying the above-described measurement technique. I have.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、先端が
尖鋭化した探針を用いて微小体の付着力を測定する場合
には、以下のような問題が生じることが知られている。
具体的には、図5(a),(b)に示すように、図中矢
印F方向の押圧力を作用させた状態で片持ち梁2に設け
られた探針4を微小体6に当付けた場合、微小体6に
は、F方向に沿った力が作用することが理想的である。However, it is known that the following problems occur when the adhesion of a minute object is measured using a probe having a sharpened tip.
Specifically, as shown in FIGS. 5A and 5B, the probe 4 provided on the cantilever 2 is applied to the micro body 6 in a state where a pressing force in the direction of arrow F in the drawing is applied. When attached, it is ideal that a force along the F direction acts on the minute body 6.
【0005】しかし、探針4の稜線(又は側周面)4a
は、所定の傾斜角度を成しているため、探針4を微小体
6に当付けた際、その当付け点Sにおいて、微小体6に
は、稜線4aに直交する方向の力F′が作用することに
なる。この場合、微小体6には、図中矢印F方向に沿っ
た分力F1と、この分力F1に直交する方向の分力F2
(即ち、微小体6を基板8に押し付ける力)とが作用す
ることになる(図5(a)参照)。この結果、微小体6
には、実際の付着力に加えて分力F2が働いてしまうた
め、微小体6の付着力の測定精度は著しく低下してしま
う。However, the ridge line (or side peripheral surface) 4a of the probe 4
Has a predetermined inclination angle, so that when the probe 4 is applied to the minute body 6, a force F ′ in the direction perpendicular to the ridge line 4 a is applied to the minute body 6 at the abutting point S. Will work. In this case, the minute body 6 has a component force F1 along the arrow F direction in the figure and a component force F2 in a direction orthogonal to the component force F1.
(That is, the force pressing the minute body 6 against the substrate 8) acts (see FIG. 5A). As a result, the minute body 6
In this case, since the component force F2 acts in addition to the actual adhesive force, the measurement accuracy of the adhesive force of the minute body 6 is significantly reduced.
【0006】更に、探針4が微小体6の中心軸Aから外
れた位置に当付けられた場合、微小体6は、当付け点S
に働く力のモーメントによって、中心軸Aに対して図中
矢印M方向へ回転することになる(図5(b)参照)。
このような回転力が働いた場合には、上記同様に、微小
体6の付着力の測定精度は著しく低下してしまう。Further, when the probe 4 is applied to a position deviated from the center axis A of the minute body 6, the minute body 6
Is rotated in the direction of the arrow M in the figure with respect to the center axis A by the moment of the force acting on (see FIG. 5B).
When such a rotational force acts, the measurement accuracy of the adhesive force of the minute body 6 is significantly reduced as described above.
【0007】本発明は、このような問題点を解決するた
めに成されており、その目的は、簡単な構成によって微
小体の付着力を高精度に測定することが可能な付着力測
定装置を提供することにある。The present invention has been made in order to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide an adhesive force measuring device capable of measuring the adhesive force of a minute body with a simple configuration with high accuracy. To provide.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の付着力測定装置は、片持ち梁と、こ
の片持ち梁の先端に設けられ且つ微小体に当付け可能な
当付け面を有する楔型形状の触針と、前記片持ち梁を支
持すると共に、前記触針の当付け面に前記微小体が当付
けられた際、前記片持ち梁に作用する力に応じて弾性変
形自在な支持機構とを備えている。In order to achieve the above object, an adhesive force measuring apparatus according to the present invention is provided with a cantilever and a tip provided at the end of the cantilever and capable of abutting on a minute body. A wedge-shaped stylus having an abutment surface, supporting the cantilever, and responding to a force acting on the cantilever when the minute body is applied to the abutment surface of the stylus. And a support mechanism that is elastically deformable.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本発明の第1の実施の形態
に係る付着力測定装置について、図1及び図2を参照し
て説明する。図1(a),(b),(c)に示すよう
に、本実施の形態の付着力測定装置は、片持ち梁10
と、この片持ち梁10の先端に設けられ且つ微小体18
に当付け可能な当付け面16aを有する楔型形状の触針
16と、片持ち梁10を支持すると共に、触針16の当
付け面16aに微小体18が当付けられた際、片持ち梁
10に作用する力に応じて弾性変形自在な支持機構とを
備えている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an adhesive force measuring device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. As shown in FIGS. 1A, 1B, and 1C, the adhesive force measuring device according to the present embodiment includes a cantilever 10
And a micro body 18 provided at the tip of the cantilever 10
The wedge-shaped stylus 16 having an abutment surface 16a capable of abutment with the stylus 16 and the cantilever 10 are supported. And a support mechanism that is elastically deformable in response to a force acting on the beam 10.
【0010】片持ち梁10は、この片持ち梁10の長手
軸方向に延出した梁部12と、この梁部12の基端を支
持する支持部14と、基板20に所定の付着力で付着し
ている微小体18に当付け可能な当付け面16a(図1
(b)参照)を有し且つ梁部12の先端(自由端)に設
けられた楔型形状の触針16とから構成されている。The cantilever 10 has a beam portion 12 extending in the longitudinal axis direction of the cantilever 10, a support portion 14 for supporting the base end of the beam portion 12, and a substrate 20 with a predetermined adhesive force. The contact surface 16a that can be attached to the attached minute body 18 (FIG. 1)
(See (b)) and a wedge-shaped stylus 16 provided at the tip (free end) of the beam portion 12.
【0011】当付け面16aは、片持ち梁10の長手軸
に直交する方向に拡がって形成されており、この当付け
面16aを微小体18に当付けた際、微小体18が基板
20に押し付けられること無く且つ微小体18が殆ど回
転すること無く、微小体18を並進運動させる力のみが
働くように構成されている。The contact surface 16 a is formed so as to extend in a direction perpendicular to the longitudinal axis of the cantilever 10. When the contact surface 16 a contacts the minute body 18, the minute body 18 is attached to the substrate 20. It is configured such that only the force for translating the minute body 18 acts without being pressed and the minute body 18 hardly rotates.
【0012】支持機構は、その基端が付着力測定装置本
体(図示しない)に設けられた保持部22に弾性変形自
在に支持された1つの板ばね24と、この板ばね24の
先端に設けられ且つ片持ち梁10の支持部14を支持す
る支持手段とを備えている。The supporting mechanism has one leaf spring 24 whose base end is elastically deformed and supported by a holding portion 22 provided on a main body (not shown) of the adhesive force measuring device, and is provided at the tip of this leaf spring 24. And supporting means for supporting the supporting portion 14 of the cantilever 10.
【0013】支持手段には、片持ち梁10の支持部14
が貼り付けられた中間固定部材26と、この中間固定部
材26を板ばね24の先端に固定する押さえ部材28と
が設けられている。The support means includes a support portion 14 of the cantilever 10.
Are provided, and a pressing member 28 for fixing the intermediate fixing member 26 to the tip of the leaf spring 24 is provided.
【0014】また、本実施の形態の付着力測定装置に
は、片持ち梁10の梁部12の変位を光学的に測定可能
な第1の変位センサ30と、板ばね24の変位を光学的
に測定可能な第2の変位センサ32とが設けられてい
る。The adhesive force measuring device according to the present embodiment has a first displacement sensor 30 capable of optically measuring the displacement of the beam portion 12 of the cantilever 10 and an optical sensor for measuring the displacement of the leaf spring 24. And a second displacement sensor 32 that can be measured.
【0015】なお、本実施の形態において、微小体18
は、基板20に付着している例えば細胞や生体試料等が
該当するが、以下の説明では、これらを総称して単に微
小体18と呼ぶことにする。In the present embodiment, the minute body 18
Corresponds to, for example, a cell or a biological sample attached to the substrate 20, and in the following description, these are collectively simply referred to as a micro body 18.
【0016】このような構成によれば、触針16の当付
け面16aに微小体18が当付けられた際、触針16に
作用する力に応じて変位する梁部12の変位が第1の変
位センサ30によって光学的に測定され、同時に、片持
ち梁10に作用する力に応じて弾性変形する板ばね24
の変位が第2の変位センサ32によって光学的に測定さ
れる。このとき第1及び第2の変位センサ30,32か
ら出力された変位データは、外部処理装置(図示しな
い)によって所定の演算処理が施される。そして、その
演算結果に基づいて基板20に付着している微小体18
の付着力が測定されることになる。According to such a configuration, when the minute body 18 is applied to the contact surface 16a of the stylus 16, the displacement of the beam portion 12 which is displaced in accordance with the force acting on the stylus 16 is changed to the first position. The leaf spring 24 is optically measured by the displacement sensor 30 and elastically deforms at the same time according to the force acting on the cantilever 10.
Is optically measured by the second displacement sensor 32. At this time, the displacement data output from the first and second displacement sensors 30 and 32 are subjected to predetermined arithmetic processing by an external processing device (not shown). Then, based on the calculation result, the minute body 18 attached to the substrate 20
Will be measured.
【0017】次に、本実施の形態に適用した片持ち梁1
0の作製方法について、図2(a)〜(d)を参照して
説明する。なお、この作製方法によって作製される片持
ち梁10は、図2(d)に示すように、支持部14から
延出した部分の梁部12の長さLが数μm〜数mm程
度、梁部12の厚さTが0.5μm〜数十μm程度、触
針16の高さHが1μm〜数十μm程度、当付け面16
aの幅W(図1(b)参照)が0.5μm〜数十μm程
度となっている。Next, the cantilever 1 applied to the present embodiment.
0 will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 2D, the cantilever 10 manufactured by this manufacturing method has a length L of the beam portion 12 extending from the support portion 14 of about several μm to several mm. The thickness T of the portion 12 is about 0.5 μm to several tens μm, the height H of the stylus 16 is about 1 μm to several tens μm,
The width W of a (see FIG. 1B) is about 0.5 μm to several tens μm.
【0018】まず、図2(a)に示すように、面方位
〈100〉のシリコン製の活性層34が酸化シリコン層
(絶縁層)36を介してシリコン基板38に貼り合わさ
れたシリコンウェハを用意する。そして、このシリコン
ウェハの表裏面に窒化シリコン膜40を形成した後、フ
ォトリソグラフィーを施すことによって、表面側に形成
された窒化シリコン膜40を所定形状にパターニングす
る。この後、露出している活性層34に対してドライエ
ッチングを施すことによって、この活性層34を酸化シ
リコン層(絶縁層)36まで垂直に掘り下げる(ステッ
プ1)。First, as shown in FIG. 2A, a silicon wafer having an active layer 34 made of silicon having a <100> plane orientation bonded to a silicon substrate 38 via a silicon oxide layer (insulating layer) 36 is prepared. I do. After forming the silicon nitride film 40 on the front and back surfaces of the silicon wafer, photolithography is performed to pattern the silicon nitride film 40 formed on the front surface into a predetermined shape. Thereafter, the active layer 34 that is exposed is subjected to dry etching, whereby the active layer 34 is dug down vertically to a silicon oxide layer (insulating layer) 36 (step 1).
【0019】続いて、図2(a),(b)に示すよう
に、図示しない拡散炉内において、上記ドライエッチン
グによって露出した活性層34に熱酸化処理を施して、
酸化シリコン製のサイドウォール42を形成する(ステ
ップ2)。Subsequently, as shown in FIGS. 2A and 2B, the active layer 34 exposed by the dry etching is subjected to a thermal oxidation treatment in a diffusion furnace (not shown).
A sidewall 42 made of silicon oxide is formed (Step 2).
【0020】このとき、上記ステップ1,2の作製プロ
セスによって、シリコンウェハの活性層34には、〈1
10〉方向に延出する台形状部44が形成されることに
なる(図2(b)参照)。At this time, the active layer 34 of the silicon wafer is subjected to <1
A trapezoidal portion 44 extending in the <10> direction is formed (see FIG. 2B).
【0021】次に、図2(c)に示すように、後述する
ドライエッチングによってシリコンウェハの裏面側がエ
ッチングされないように、シリコンウェハの裏面側に酸
化膜保護層(図示しない)を形成する。そして、表面側
の窒化シリコン膜40をドライエッチンクによって除去
した後、KOH水溶液(36%)を用いて活性層34に
対して湿式異方性エッチングを施す(ステップ3)。Next, as shown in FIG. 2C, an oxide film protection layer (not shown) is formed on the back surface of the silicon wafer so that the back surface of the silicon wafer is not etched by dry etching described later. Then, after removing the silicon nitride film 40 on the front side by dry etching, wet anisotropic etching is performed on the active layer 34 using a KOH aqueous solution (36%) (step 3).
【0022】この結果、台形状部44の先端にシリコン
製の(111)面46が露出することによって、楔型形
状の触針16(図1参照)に相当する部分が形成され
る。なお、ステップ3の作製プロセスにおいて、活性層
34には、その厚さが上述した片持ち梁10の梁部12
の厚さTとなるように、湿式異方性エッチングが施され
る(図2(d)参照)。As a result, a portion corresponding to the wedge-shaped stylus 16 (see FIG. 1) is formed by exposing the (111) surface 46 made of silicon at the tip of the trapezoidal portion 44. In the manufacturing process of Step 3, the active layer 34 has the thickness of the beam portion 12 of the cantilever 10 described above.
The wet anisotropic etching is performed so as to have a thickness T (see FIG. 2D).
【0023】続いて、図2(d)に示すように、活性層
34の表面に酸化膜保護層(図示しない)を形成した
後、シリコンウェハの裏面側に形成されている酸化膜保
護層を除去する。そして、KOH水溶液(36%)を用
いてシリコンウェハの裏面側からシリコン基板38に対
して湿式異方性エッチングを施す(ステップ4)。Subsequently, as shown in FIG. 2D, after an oxide film protection layer (not shown) is formed on the surface of the active layer 34, the oxide film protection layer formed on the back side of the silicon wafer is removed. Remove. Then, wet anisotropic etching is performed on the silicon substrate 38 from the back side of the silicon wafer using an aqueous KOH solution (36%) (step 4).
【0024】なお、ステップ4の作製プロセスにおい
て、シリコンウェハの裏面側に形成されている窒化シリ
コン膜40は、湿式異方性エッチング用のマスクとして
機能している。In the manufacturing process of step 4, the silicon nitride film 40 formed on the back side of the silicon wafer functions as a mask for wet anisotropic etching.
【0025】最後に、活性層34の表面に形成されてい
る酸化膜保護層、長さLの梁部12の部分に残留してい
る酸化シリコン膜(絶縁層)36をエッチングすると共
に、片持ち梁10の支持部14(図1(a),(b))
の形状となるように、シリコン基板38をエッチングす
る(ステップ5)。Finally, the oxide film protection layer formed on the surface of the active layer 34 and the silicon oxide film (insulating layer) 36 remaining on the beam portion 12 having the length L are etched and cantilevered. Support portion 14 of beam 10 (FIGS. 1A and 1B)
The silicon substrate 38 is etched so as to have the shape (step 5).
【0026】この結果、本実施の形態に適用した片持ち
梁10が作製されることになる。なお、ステップ5に続
いて、第1の変位センサ30からの変位測定光を円滑に
反射させるように、梁部12の面のうち、触針16が形
成されている面とは反対側の面に、例えば金属をコーテ
ィングしても良い。As a result, the cantilever 10 applied to the present embodiment is manufactured. In addition, following step 5, the surface of the beam portion 12 on the opposite side to the surface on which the stylus 16 is formed so as to smoothly reflect the displacement measurement light from the first displacement sensor 30. Then, for example, a metal may be coated.
【0027】このように本実施の形態によれば、片持ち
梁10の長手軸に直交する方向に拡がった当付け面16
aを有する触針16を形成したことによって、付着力測
定時に当付け面16aを微小体18に当付けた際、微小
体18が基板20に押し付けられること無く且つ微小体
18が殆ど回転すること無く、微小体18を並進運動さ
せる力のみを効率良く発生させることが可能となる。こ
の結果、微小体18の付着力を高精度に測定することが
できる付着力測定装置を提供することが可能となる。As described above, according to the present embodiment, the abutment surface 16 that extends in the direction orthogonal to the longitudinal axis of the cantilever 10.
a, when the contact surface 16a is applied to the minute body 18 at the time of measuring the adhesive force, the minute body 18 is almost not rotated against the substrate 20 and almost rotates. Thus, it is possible to efficiently generate only the force for translating the minute body 18. As a result, it is possible to provide an adhesive force measuring device capable of measuring the adhesive force of the minute body 18 with high accuracy.
【0028】なお、本実施の形態に適用した片持ち梁1
0は、半導体作製プロセスを用いて作製することができ
るため、形状の再現性が高い触針16を低コストで大量
に作製することが可能となる。また、片持ち梁10の梁
部12の先端(自由端)に触針16を形成したことによ
って、例えば光学顕微鏡を用いて触針16と微小体18
との間の位置合わせを行う際、その位置合わせを極めて
容易且つ正確に行うことが可能となる。The cantilever 1 applied to this embodiment
0 can be manufactured using a semiconductor manufacturing process, so that a large number of styluses 16 having high reproducibility of shape can be manufactured at low cost. Further, by forming the stylus 16 at the tip (free end) of the beam portion 12 of the cantilever 10, the stylus 16 and the minute body 18 can be formed using, for example, an optical microscope.
When performing the positioning between, the positioning can be performed extremely easily and accurately.
【0029】次に、本発明の第2の実施の形態に係る付
着力測定装置について、図3を参照して説明する。な
お、本実施の形態の説明に際し、第1の実施の形態と同
一の構成には、同一符号を付して、その説明を省略す
る。Next, an adhesive force measuring apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the description of the present embodiment, the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
【0030】図3(a)に示すように、本実施の形態の
付着力測定装置は、片持ち梁48と、この片持ち梁48
と一体的に形成され且つ片持ち梁48に作用する力に応
じて弾性変形自在な支持機構とを備えている。As shown in FIG. 3A, the adhesive force measuring device according to the present embodiment includes a cantilever 48 and this cantilever 48.
And a support mechanism formed integrally with the support member and elastically deformable in response to a force acting on the cantilever 48.
【0031】片持ち梁48には、その梁部50の先端
(自由端)に設けられ且つ微小体18(図1(a)参
照)に当付け可能な当付け面52aを有する楔型形状の
触針52が形成されている。The cantilever 48 has a wedge-shaped shape provided at the tip (free end) of the beam portion 50 and having an abutting surface 52a capable of abutting against the minute body 18 (see FIG. 1A). A stylus 52 is formed.
【0032】当付け面52aは、片持ち梁48の長手軸
に直交する方向に拡がって形成されており、この当付け
面52aを微小体18に当付けた際、微小体18が基板
20(図1(a)参照)に押し付けられること無く且つ
微小体18が殆ど回転すること無く、微小体18を並進
運動させる力のみが働くように構成されている。The contact surface 52a is formed so as to extend in a direction perpendicular to the longitudinal axis of the cantilever 48. When the contact surface 52a is applied to the minute body 18, the minute body 18 1 (a)), and only the force for translating the minute body 18 is exerted without being pressed against the minute body 18 and hardly rotating.
【0033】支持機構は、触針52の当付け面52aに
微小体18が当付けられた際、片持ち梁48に作用する
力に応じて弾性変形するように、片持ち梁48の長手軸
に直交し且つ互いに平行に配置された一対のばね手段5
4と、これら一対のばね手段54と一体的に形成され且
つ一対のばね手段54を弾性変形自在に支持する支持部
56とを備えている。The support mechanism is arranged so that when the minute body 18 is applied to the contact surface 52 a of the stylus 52, the longitudinal axis of the cantilever 48 is elastically deformed in accordance with the force acting on the cantilever 48. Pair of spring means 5 arranged perpendicular to and parallel to each other
4 and a supporting portion 56 formed integrally with the pair of spring means 54 and supporting the pair of spring means 54 so as to be elastically deformable.
【0034】本実施の形態に適用した一対のばね手段5
4は、例えば互いに平行に配置された一対の板ばね54
を備えた平行ばね構造体を構成している。なお、支持機
構の支持部56は、付着力測定装置本体(図示しない)
に設けられたホルダ58の固定面58aに接着可能に構
成されている。A pair of spring means 5 applied to this embodiment
4 is, for example, a pair of leaf springs 54 arranged in parallel with each other.
To form a parallel spring structure. In addition, the support portion 56 of the support mechanism is provided with an adhesive force measuring device main body (not shown).
Is configured to be able to be adhered to the fixing surface 58a of the holder 58 provided in the first embodiment.
【0035】このような構成において、支持機構の支持
部56をホルダ58の固定面58aに接着するだけで、
付着力測定時に当付け面52aを微小体18に当付けた
際、微小体18が基板20に押し付けられること無く且
つ微小体18が殆ど回転すること無く、微小体18を並
進運動させる力のみが働くように、片持ち梁48を所定
位置に位置付けることができる。In such a configuration, only by bonding the support portion 56 of the support mechanism to the fixing surface 58a of the holder 58,
When the contact surface 52a is applied to the minute body 18 at the time of measuring the adhesive force, only the force for translating the minute body 18 without the minute body 18 being pressed against the substrate 20 and the minute body 18 hardly rotating. To work, the cantilever 48 can be positioned in place.
【0036】このような構成によれば、触針52の当付
け面52aに微小体18が当付けられた際、触針52に
作用する力に応じて変位する梁部50の変位が第1の変
位センサ30によって光学的に測定され、同時に、片持
ち梁48に作用する力に応じて弾性変形する一対の板ば
ね54の変位が第2の変位センサ32によって光学的に
測定される。そして、第1の実施の形態と同様に、第1
及び第2の変位センサ30,32から出力される変位デ
ータに基づいて、基板20に付着している微小体18の
付着力が測定されることになる。According to such a configuration, when the minute body 18 is applied to the contact surface 52a of the stylus 52, the displacement of the beam portion 50 which is displaced according to the force acting on the stylus 52 is changed to the first position. The displacement of a pair of leaf springs 54 elastically deformed in response to the force acting on the cantilever 48 is measured optically by the second displacement sensor 32. Then, similarly to the first embodiment, the first
Based on the displacement data output from the second displacement sensors 30 and 32, the adhesive force of the minute body 18 attached to the substrate 20 is measured.
【0037】次に、本実施の形態に適用した片持ち梁4
8及び支持機構の作製方法について、図3(b)〜
(d)を参照して説明する。なお、この作製方法は、第
1の実施の形態と同様に、半導体作製プロセスを用いる
ことが可能であり、この作製方法によって作製される片
持ち梁48の梁部50及び触針52,当付け面52aの
夫々の寸法は、第1の実施の形態と同じ寸法にすること
が可能である。Next, the cantilever 4 applied to this embodiment will be described.
8 and the method of manufacturing the support mechanism are shown in FIGS.
This will be described with reference to FIG. Note that this manufacturing method can use a semiconductor manufacturing process as in the first embodiment, and the beam portion 50 and the stylus 52 of the cantilever 48 manufactured by this manufacturing method can be used. Each dimension of the surface 52a can be the same dimension as in the first embodiment.
【0038】まず、図3(b)に示すように、シリコン
製の活性層60が酸化シリコン層(絶縁層)62を介し
てシリコン基板64に貼り合わされたシリコンウェハを
用意する。そして、このシリコンウェハの表裏面に窒化
シリコン膜66を形成した後、フォトリソグラフィーを
施すことによって、表面側に形成された窒化シリコン膜
66を所定形状にパターニングする(ステップ1)。First, as shown in FIG. 3B, a silicon wafer having an active layer 60 made of silicon bonded to a silicon substrate 64 via a silicon oxide layer (insulating layer) 62 is prepared. After the silicon nitride film 66 is formed on the front and back surfaces of the silicon wafer, photolithography is performed to pattern the silicon nitride film 66 formed on the front surface into a predetermined shape (step 1).
【0039】この後、図3(c)に示すように、露出し
ている活性層60に対してドライエッチングを施すこと
によって、この活性層60を酸化シリコン層(絶縁層)
62まで垂直に掘り下げる(ステップ2)。Thereafter, as shown in FIG. 3C, the exposed active layer 60 is subjected to dry etching, so that the active layer 60 is converted to a silicon oxide layer (insulating layer).
Drill vertically down to 62 (step 2).
【0040】このステップ1,2の作製プロセスが終了
した時点において、梁部50や触針52及び一対の板ば
ね54に相当する部分が形成される。なお、図3(c)
は、図3(b)のc−c線に沿った部分の断面図であ
る。At the time when the manufacturing process of Steps 1 and 2 is completed, portions corresponding to the beam portion 50, the stylus 52, and the pair of leaf springs 54 are formed. FIG. 3 (c)
FIG. 4 is a cross-sectional view of a portion taken along line cc in FIG.
【0041】続いて、図示しない拡散炉内において、上
記ドライエッチングによって露出した活性層60に熱酸
化処理を施して、酸化シリコン製のサイドウォール68
(図3(c)参照)を形成する(ステップ3)。Subsequently, in a diffusion furnace (not shown), the active layer 60 exposed by the dry etching is subjected to a thermal oxidation treatment, so that a silicon oxide sidewall 68 is formed.
(See FIG. 3C) is formed (step 3).
【0042】次に、図3(d)に示すように、第1の実
施の形態の作製プロセスと同様に、活性層60上に残留
している窒化シリコン膜66を除去した後、シリコンウ
ェハの裏面側からシリコン基板64に対して湿式異方性
エッチングを施すことによって支持機構の支持部56を
形成する(ステップ4)。Next, as shown in FIG. 3D, the silicon nitride film 66 remaining on the active layer 60 is removed in the same manner as in the manufacturing process of the first embodiment. The support portion 56 of the support mechanism is formed by performing wet anisotropic etching on the silicon substrate 64 from the back side (step 4).
【0043】この結果、本実施の形態に適用した片持ち
梁48及び支持機構が一体的に作製されることになる。
本実施の形態によれば、第1の実施の形態の効果に加え
て、支持機構として一対の板ばね54を備えた平行ばね
構造体を採用したことによって、片持ち梁48に作用す
る力に応じて一対の板ばね54は、常に、平行移動する
こととなる。この結果、夫々の板ばね54が反り返るこ
とに起因する測定誤差を減少させることができるため、
より高い測定精度で付着力を測定することが可能とな
る。As a result, the cantilever 48 and the support mechanism applied to the present embodiment are integrally manufactured.
According to the present embodiment, in addition to the effect of the first embodiment, by adopting a parallel spring structure having a pair of leaf springs 54 as a support mechanism, the force acting on the cantilever 48 is reduced. Accordingly, the pair of leaf springs 54 always move in parallel. As a result, it is possible to reduce the measurement error caused by the warpage of each leaf spring 54,
The adhesive force can be measured with higher measurement accuracy.
【0044】また、本実施の形態に適用した支持機構
は、半導体作製プロセスを用いて一体形成することがで
きるため、平行ばね構造体を簡単にコンパクト化させる
ことが可能となる。この結果、一対の板ばね54の共振
周波数を高くすることができるため、外乱振動ノイズの
影響を受け難い構造を実現することが可能となる。この
ため、高いS/N比で付着力を測定することが可能とな
る。Further, since the support mechanism applied to the present embodiment can be integrally formed by using a semiconductor manufacturing process, it is possible to easily make the parallel spring structure compact. As a result, the resonance frequency of the pair of leaf springs 54 can be increased, so that a structure that is not easily affected by disturbance vibration noise can be realized. For this reason, it is possible to measure the adhesive force with a high S / N ratio.
【0045】更に、半導体作製プロセスによって、より
小さな平行ばね構造体を形成することができるため、装
置のコンパクト化を実現することが可能となる。次に、
本発明の第3の実施の形態に係る付着力測定装置につい
て、図4を参照して説明する。なお、本実施の形態の説
明に際し、第2の実施の形態と同一の構成には、同一符
号を付して、その説明を省略する。Further, since a smaller parallel spring structure can be formed by the semiconductor manufacturing process, it is possible to realize a compact apparatus. next,
An adhesive force measuring device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the description of the present embodiment, the same components as those of the second embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
【0046】図4に示すように、本実施の形態に適用し
た支持機構には、触針52の当付け面52aに微小体1
8(図1(a)参照)が当付けられた際、片持ち梁48
に作用する力に応じて生じる一対の板ばね54の変位を
検出可能な変位検出素子が一体的に形成されている。ま
た、本実施の形態において、一対の板ばね54は、後述
するドーピング処理によって導電化されている。なお、
他の構成は、第2の実施の形態と同一であるため、その
説明は省略する。As shown in FIG. 4, the supporting mechanism applied to the present embodiment has a small body 1 on the contact surface 52a of the stylus 52.
8 (see FIG. 1 (a)), the cantilever 48
Is integrally formed with a displacement detection element capable of detecting the displacement of the pair of leaf springs 54 generated in response to the force acting on the pair of leaf springs 54. Further, in the present embodiment, the pair of leaf springs 54 are made conductive by a doping process described later. In addition,
The other configuration is the same as that of the second embodiment, and the description is omitted.
【0047】変位検出素子は、一対の板ばね54と平行
に集積された対抗電極70と、付着力測定時に片持ち梁
48に作用する力に応じて一対の板ばね54が変位した
際、対抗電極70と板ばね54との間の静電容量の変化
を検出可能な検出回路とを備えている。The displacement detecting element has a counter electrode 70 integrated in parallel with the pair of leaf springs 54 and a counter electrode when the pair of leaf springs 54 is displaced according to the force acting on the cantilever 48 during the measurement of the adhesive force. A detection circuit capable of detecting a change in capacitance between the electrode 70 and the leaf spring 54 is provided.
【0048】ここで、一対の板ばね54のうち、対向電
極70に対向した板ばね54を仮に符号54aで示す
と、検出回路は、この板ばね54aと対向電極70との
間の静電容量の変化を検出することができるように構成
されている。Here, if the leaf spring 54 of the pair of leaf springs 54 facing the opposing electrode 70 is temporarily indicated by reference numeral 54a, the detection circuit detects the capacitance between the leaf spring 54a and the opposing electrode 70. Is configured to be able to detect a change in
【0049】このような検出回路には、支持機構の支持
部56から対抗電極70に亘って集積された第1の電極
72と、支持部56から平行ばね構造体に亘って集積さ
れた第2の電極74とが設けられており、第1及び第2
の電極72,74を介して出力された信号は、第1及び
第2の配線76,78を介して外部処理装置(図示しな
い)へ供給されるように構成されている。In such a detection circuit, the first electrode 72 integrated from the support portion 56 of the support mechanism to the counter electrode 70 and the second electrode 72 integrated from the support portion 56 to the parallel spring structure are provided. And the first and second electrodes 74 are provided.
The signals output through the electrodes 72 and 74 are supplied to an external processing device (not shown) via the first and second wirings 76 and 78.
【0050】このような構成において、触針52の当付
け面52aに微小体18が当付けられた際、片持ち梁4
8に作用する力に応じて弾性変形する平行ばね構造体の
変位が、検出回路によって静電容量の変化として検出さ
れ、その検出信号が、第1及び第2の配線76,78を
介して外部処理装置へ供給される。一方、触針52の当
付け面52aに微小体18が当付けられた際、触針52
に作用する力に応じて変位する梁部50の変位は、第1
の変位センサ30(図1(a)参照)によって光学的に
測定され、その変位データが外部処理装置へ供給され
る。そして、外部処理装置において、これら検出信号及
び変位データに対して所定の演算処理が施され、その演
算結果に基づいて基板20(図1(a)参照)に付着し
ている微小体18の付着力が測定されることになる。In such a configuration, when the minute body 18 is applied to the contact surface 52a of the stylus 52, the cantilever 4
The displacement of the parallel spring structure which is elastically deformed in response to the force acting on the capacitance 8 is detected by the detection circuit as a change in the capacitance, and the detection signal is transmitted to the outside via the first and second wirings 76 and 78. It is supplied to the processing device. On the other hand, when the minute body 18 is applied to the contact surface 52a of the stylus 52,
The displacement of the beam portion 50 that is displaced in accordance with the force acting on
Is optically measured by a displacement sensor 30 (see FIG. 1A), and the displacement data is supplied to an external processing device. Then, in the external processing device, predetermined processing is performed on the detection signal and the displacement data, and based on the calculation result, the attachment of the minute body 18 attached to the substrate 20 (see FIG. 1A) is performed. The adhesion will be measured.
【0051】次に、本実施の形態に適用した片持ち梁4
8及び支持機構の作製方法について簡単に説明する。な
お、本実施の形態の作製方法は、第2の実施の形態のス
テップ1〜4と基本的に同様のプロセスであるため、以
下の説明では、相違点についてのみ説明を加える。Next, the cantilever 4 applied to the present embodiment
8 and a method of manufacturing the support mechanism will be briefly described. Note that the manufacturing method of this embodiment is basically the same process as steps 1 to 4 of the second embodiment, and therefore, only the differences will be described in the following description.
【0052】まず、ステップ1(図3(b)参照)にお
いて、貼り合わせシリコンウェハの活性層60にドーピ
ング処理を施して導電化させる。そして、窒化シリコン
膜66を所定形状にパターニングする際に、同時に、対
抗電極70に相当するパターンを形成する。First, in step 1 (see FIG. 3B), the active layer 60 of the bonded silicon wafer is made conductive by doping. Then, when the silicon nitride film 66 is patterned into a predetermined shape, a pattern corresponding to the counter electrode 70 is formed at the same time.
【0053】次に、ステップ2(図3(c)参照)にお
いて、梁部50や触針52及び一対の板ばね54に相当
する部分を形成すると同時に、対抗電極70に相当する
部分を形成する。Next, in step 2 (see FIG. 3C), a portion corresponding to the beam portion 50, the stylus 52, and the pair of leaf springs 54 is formed, and at the same time, a portion corresponding to the counter electrode 70 is formed. .
【0054】そして、ステップ3,4(図3(d)参
照)の作製プロセスを経た後、第1及び第2の電極7
2,74を成膜する。この結果、本実施の形態に適用し
た片持ち梁48及び支持機構が一体的に作製されること
になる。Then, after the fabrication process of steps 3 and 4 (see FIG. 3D), the first and second electrodes 7
2, 74 are formed. As a result, the cantilever 48 and the support mechanism applied to the present embodiment are integrally manufactured.
【0055】本実施の形態によれば、第1及び第2の実
施の形態の効果に加えて、平行ばね構造体の変位検出素
子を支持機構に集積させたことによって、付着力測定装
置から第2の変位センサ32(図1(a)参照)を除去
することができる。この結果、付着力測定装置のコンパ
クト化を実現することが可能となる。According to the present embodiment, in addition to the effects of the first and second embodiments, the displacement detecting element of the parallel spring structure is integrated in the support mechanism, so that the adhesive force measuring device can be used in the second embodiment. The second displacement sensor 32 (see FIG. 1A) can be eliminated. As a result, it is possible to reduce the size of the adhesive force measuring device.
【0056】また、平行ばね構造体の変位を検出する変
位検出手段(具体的には、第2の変位センサ32)を別
途配置した場合には、この変位検出手段の寸法によって
平行ばね構造体の寸法(具体的には、一対の板ばね54
の長さ)が規定されてしまうため、一対の板ばね54の
長さを一定値以下に短くすることは困難である。これに
対して、本実施の形態では、半導体作製プロセスによっ
て、平行ばね構造体と同程度の寸法の変位検出素子を一
体形成することができるため、平行ばね構造体の寸法
(具体的には、一対の板ばね54の長さ)を高精度且つ
容易に短くすることができる。この結果、一対の板ばね
54の共振周波数を高くすることができるため、外乱振
動ノイズの影響を受け難い構造を実現することが可能と
なる。When the displacement detecting means (specifically, the second displacement sensor 32) for detecting the displacement of the parallel spring structure is separately provided, the size of the parallel spring structure depends on the size of the displacement detecting means. Dimensions (specifically, a pair of leaf springs 54
Is determined, it is difficult to shorten the length of the pair of leaf springs 54 to a certain value or less. On the other hand, in this embodiment, since the displacement detection element having the same size as the parallel spring structure can be integrally formed by the semiconductor manufacturing process, the dimensions of the parallel spring structure (specifically, The length of the pair of leaf springs 54) can be shortened with high accuracy and easily. As a result, the resonance frequency of the pair of leaf springs 54 can be increased, so that a structure that is not easily affected by disturbance vibration noise can be realized.
【0057】なお、本実施の形態では、静電容量の変化
を検出するタイプの変位検出素子を適用したが、これに
限定されることはない。例えば、変位検出素子として一
対の板ばね54に圧電層や歪み抵抗層を一体形成し、平
行ばね構造体が変位した際の抵抗変化に起因する電流変
化を検出することによって、微小体18の付着力を測定
しても良い。なお、この変形例を適用した場合には、対
抗電極70は不要となる。In this embodiment, a displacement detecting element of a type for detecting a change in capacitance is applied, but the present invention is not limited to this. For example, a piezoelectric layer or a strain resistance layer is integrally formed on a pair of leaf springs 54 as a displacement detecting element, and by detecting a current change due to a resistance change when the parallel spring structure is displaced, the attachment of the minute body 18 is performed. The contact force may be measured. When this modification is applied, the counter electrode 70 becomes unnecessary.
【0058】[0058]
【発明の効果】本発明によれば、微小体に当付け可能な
当付け面を有する楔型形状の触針を備えたことによっ
て、微小体の付着力を高精度に測定することが可能な付
着力測定装置を提供することが可能となる。According to the present invention, the provision of a wedge-shaped stylus having an abutting surface capable of abutting on a minute body makes it possible to measure the adhesion of the minute body with high accuracy. An adhesive force measuring device can be provided.
【図1】(a)は、本発明の第1の実施の形態に係る付
着力測定装置の構成を示す図、(b)は、片持ち梁の構
成を示す斜視図、(c)は、梁部の先端に設けられた触
針の部分を拡大して示す斜視図。1A is a diagram showing a configuration of an adhesive force measuring device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 1B is a perspective view showing a configuration of a cantilever, and FIG. The perspective view which expands and shows the part of the stylus provided in the front-end | tip of a beam part.
【図2】(a)〜(d)は、図1に示された片持ち梁の
作製プロセスを示す図。2 (a) to 2 (d) are views showing a process for manufacturing the cantilever shown in FIG. 1;
【図3】(a)は、本発明の第2の実施の形態に係る付
着力測定装置の構成を示す図、(b)〜(d)は、同図
(a)に示された片持ち梁及び支持機構の作製プロセス
を示す図。3A is a diagram showing a configuration of an adhesive force measuring device according to a second embodiment of the present invention, and FIGS. 3B to 3D are cantilevers shown in FIG. The figure which shows the manufacturing process of a beam and a support mechanism.
【図4】本発明の第3の実施の形態に係る付着力測定装
置の構成を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a configuration of an adhesive force measuring device according to a third embodiment of the present invention.
【図5】従来の装置を用いて付着力を測定している状態
を示す図であって、(a)は、実際の付着力に加えて微
小体を基板に押し付ける力が働いている状態を示す図、
(b)は、微小体に力のモーメントが働いている状態を
示す図。5A and 5B are diagrams showing a state in which an adhesive force is measured using a conventional apparatus, and FIG. 5A shows a state in which a force for pressing a minute body against a substrate acts in addition to the actual adhesive force. Diagram,
(B) is a diagram showing a state in which a moment of force is acting on the minute body.
10 片持ち梁 12 梁部 14 支持部 16 触針 16a 当付け面 18 微小体 20 基板 22 保持部 24 板ばね DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Cantilever 12 Beam 14 Support 16 Contact stylus 16a Contact surface 18 Micro body 20 Substrate 22 Holder 24 Leaf spring
Claims (3)
な当付け面を有する楔型形状の触針と、 前記片持ち梁を支持すると共に、前記触針の当付け面に
前記微小体が当付けられた際、前記片持ち梁に作用する
力に応じて弾性変形自在な支持機構とを備えていること
を特徴とする付着力測定装置。A wedge-shaped stylus provided at a tip of the cantilever and having an abutting surface capable of abutting on a minute body; supporting the cantilever; An adhesive force measuring device, comprising: a support mechanism that is elastically deformable according to a force acting on the cantilever when the minute body is applied to an abutting surface of a stylus.
前記微小体が当付けられた際、前記片持ち梁に作用する
力に応じて弾性変形するように、前記片持ち梁の長手軸
に直交し且つ互いに平行に配置された一対のばね手段を
備えており、これら一対のばね手段は、前記片持ち梁と
一体的に形成されていることを特徴とする請求項1に記
載の付着力測定装置。2. The support mechanism according to claim 1, wherein the cantilever is elastically deformed in response to a force acting on the cantilever when the minute body is applied to the contact surface of the stylus. 2. The device according to claim 1, further comprising a pair of spring means arranged perpendicular to the longitudinal axis and parallel to each other, wherein the pair of spring means are formed integrally with the cantilever. Adhesive force measuring device.
に前記微小体が当付けられた際、前記片持ち梁に作用す
る力に応じて生じる前記一対のばね手段の変位を検出可
能な変位検出素子が一体的に形成されていることを特徴
とする請求項2に記載の付着力測定装置。3. The support mechanism detects a displacement of the pair of spring means caused by a force acting on the cantilever when the minute body is applied to an abutting surface of the stylus. 3. The adhesive force measuring device according to claim 2, wherein a possible displacement detecting element is formed integrally.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18355096A JPH1026569A (en) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | Measuring apparatus for sticking force |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18355096A JPH1026569A (en) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | Measuring apparatus for sticking force |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1026569A true JPH1026569A (en) | 1998-01-27 |
Family
ID=16137774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18355096A Withdrawn JPH1026569A (en) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | Measuring apparatus for sticking force |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1026569A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014178147A (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Seiko Instruments Inc | Probe and probe microscope |
| JP2014178148A (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Seiko Instruments Inc | Probe and probe microscope |
-
1996
- 1996-07-12 JP JP18355096A patent/JPH1026569A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014178147A (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Seiko Instruments Inc | Probe and probe microscope |
| JP2014178148A (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Seiko Instruments Inc | Probe and probe microscope |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031007 |