JPH1026634A - ダイヤフラム型加速度センサの製造方法 - Google Patents
ダイヤフラム型加速度センサの製造方法Info
- Publication number
- JPH1026634A JPH1026634A JP8182086A JP18208696A JPH1026634A JP H1026634 A JPH1026634 A JP H1026634A JP 8182086 A JP8182086 A JP 8182086A JP 18208696 A JP18208696 A JP 18208696A JP H1026634 A JPH1026634 A JP H1026634A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon element
- acceleration sensor
- weight glass
- glass
- diaphragm
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコン素子と重りガラスとを高精度で位置
合わせし、位置合わせ後のずれも防止して、両者を高精
度で接合することができるダイヤフラム型加速度センサ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 ダイヤフラム部が設けられたシリコン素
子と、重りガラスとを位置合わせして接合し、ダイヤフ
ラム型加速度センサを組み立てる製造方法である。この
場合に、前記シリコン素子の中心部に異方性エッチング
により位置合わせ用マーク４１を形成し、前記重りガラ
スにサンドブラストにより位置合わせ用マーク４２を形
成し、両者を顕微鏡観察により整合させてシリコン素子
と重りガラスの位置合わせを行う。その後、両者を弾性
部材により相互に固定して接合する。
合わせし、位置合わせ後のずれも防止して、両者を高精
度で接合することができるダイヤフラム型加速度センサ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 ダイヤフラム部が設けられたシリコン素
子と、重りガラスとを位置合わせして接合し、ダイヤフ
ラム型加速度センサを組み立てる製造方法である。この
場合に、前記シリコン素子の中心部に異方性エッチング
により位置合わせ用マーク４１を形成し、前記重りガラ
スにサンドブラストにより位置合わせ用マーク４２を形
成し、両者を顕微鏡観察により整合させてシリコン素子
と重りガラスの位置合わせを行う。その後、両者を弾性
部材により相互に固定して接合する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はダイヤフラム型加速
度センサの組立技術の改良に関し、特に、センサ素子の
中心とガラス重りの中心とを高精度で位置合わせするこ
とを可能にするダイヤフラム型加速度センサの製造方法
に関する。
度センサの組立技術の改良に関し、特に、センサ素子の
中心とガラス重りの中心とを高精度で位置合わせするこ
とを可能にするダイヤフラム型加速度センサの製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は加速度センサの構造を示す縦断面
図であり、図４はその平面模式図である。加速度センサ
１は、シリコン製ボトムキャップ５と、ボトムキャップ
５の４側縁に立設されたペデスタル６と、このペデスタ
ル６の上端に支持されたシリコン素子３と、このシリコ
ン素子３の下面にその中心を一致させて接合された重り
ガラス４とを有する。シリコン素子３は厚さが例えば１
７μｍのダイヤフラム１０が設けられた検知部を有し、
このダイヤフラム１０上に４個のＸ軸検出用ピエゾ抵抗
７と、４個のＹ軸検出用ピエゾ抵抗８とが設けられてい
る。各ピエゾ抵抗７、８はシリコン素子３の縁部に設け
られた端子１１に接続されている。
図であり、図４はその平面模式図である。加速度センサ
１は、シリコン製ボトムキャップ５と、ボトムキャップ
５の４側縁に立設されたペデスタル６と、このペデスタ
ル６の上端に支持されたシリコン素子３と、このシリコ
ン素子３の下面にその中心を一致させて接合された重り
ガラス４とを有する。シリコン素子３は厚さが例えば１
７μｍのダイヤフラム１０が設けられた検知部を有し、
このダイヤフラム１０上に４個のＸ軸検出用ピエゾ抵抗
７と、４個のＹ軸検出用ピエゾ抵抗８とが設けられてい
る。各ピエゾ抵抗７、８はシリコン素子３の縁部に設け
られた端子１１に接続されている。
【０００３】この加速度センサ１はセラミック又はプラ
スチックパッケージ２内に収納されており、加速度セン
サ１の各端子１１は、金線１２によりパッケージ２に設
けられた端子（図示せず）に接続されており、これによ
り、加速度センサ１の駆動信号及び検出信号が外部に導
出されるようになっている。
スチックパッケージ２内に収納されており、加速度セン
サ１の各端子１１は、金線１２によりパッケージ２に設
けられた端子（図示せず）に接続されており、これによ
り、加速度センサ１の駆動信号及び検出信号が外部に導
出されるようになっている。
【０００４】而して、上述のごとく構成される加速度セ
ンサ１は、シリコン素子３と、重りガラス４とを、それ
らの中心を一致させて位置合わせした後、両者を陽極接
合で接合することにより組み立てられる。
ンサ１は、シリコン素子３と、重りガラス４とを、それ
らの中心を一致させて位置合わせした後、両者を陽極接
合で接合することにより組み立てられる。
【０００５】この場合に、シリコン素子３のダイヤフラ
ムの中心と、重りガラス４の中心とがずれていると、加
速度が印加された場合に、偏位した重りガラス４により
ダイヤフラム１０には正しい加速度方向と異なる方向に
荷重が印加され、ダイヤフラム１０を傾斜させてしま
う。このため、他軸感度が悪くなる。
ムの中心と、重りガラス４の中心とがずれていると、加
速度が印加された場合に、偏位した重りガラス４により
ダイヤフラム１０には正しい加速度方向と異なる方向に
荷重が印加され、ダイヤフラム１０を傾斜させてしま
う。このため、他軸感度が悪くなる。
【０００６】従来の加速度センサの製造方法において
は、シリコン素子と重りガラスとを位置合わせして接合
するために、シリコン素子及び重りガラスを高精度で切
断した後、その交差する２縁辺を位置出し治具に押し当
てて位置決めし、その後陽極接合するか（以下、第１の
従来技術）、又は赤外顕微鏡を使用し、この顕微鏡によ
り観察しながら、シリコン素子と重りガラスとを位置合
わせして、陽極接合していた（以下、第２の従来技
術）。
は、シリコン素子と重りガラスとを位置合わせして接合
するために、シリコン素子及び重りガラスを高精度で切
断した後、その交差する２縁辺を位置出し治具に押し当
てて位置決めし、その後陽極接合するか（以下、第１の
従来技術）、又は赤外顕微鏡を使用し、この顕微鏡によ
り観察しながら、シリコン素子と重りガラスとを位置合
わせして、陽極接合していた（以下、第２の従来技
術）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の位置合わせ技術はいずれも以下に示す問題点を有
する。先ず、第１の従来技術においては、接合前のシリ
コン素子及び重りガラスの切断加工精度及び位置出し治
具の形状精度等が位置ずれの要因になり、加工機の性能
等によりシリコン素子と重りガラスとの位置合わせ精度
が依存するという欠点がある。
従来の位置合わせ技術はいずれも以下に示す問題点を有
する。先ず、第１の従来技術においては、接合前のシリ
コン素子及び重りガラスの切断加工精度及び位置出し治
具の形状精度等が位置ずれの要因になり、加工機の性能
等によりシリコン素子と重りガラスとの位置合わせ精度
が依存するという欠点がある。
【０００８】また、第２の従来技術においては、顕微鏡
観察により実際にシリコン素子と重りガラスとを観察し
ながら位置合わせするので、高精度で位置合わせするこ
とができるが、位置合わせのマークの付け方及び接合中
の位置ずれ等により、必ずしも両者を高精度で位置合わ
せして接合することができないという問題点がある。即
ち、従来、シリコン素子及び重りガラスにはフォトリソ
グラフィ及びエッチングによりマークを形成していた
が、この従来の方法でガラス表面にマークを加工するこ
とは処理コストが極めて高いという欠点がある。
観察により実際にシリコン素子と重りガラスとを観察し
ながら位置合わせするので、高精度で位置合わせするこ
とができるが、位置合わせのマークの付け方及び接合中
の位置ずれ等により、必ずしも両者を高精度で位置合わ
せして接合することができないという問題点がある。即
ち、従来、シリコン素子及び重りガラスにはフォトリソ
グラフィ及びエッチングによりマークを形成していた
が、この従来の方法でガラス表面にマークを加工するこ
とは処理コストが極めて高いという欠点がある。
【０００９】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、シリコン素子と重りガラスとを高精度で位
置合わせし、位置合わせ後のずれも防止して、両者を高
精度で接合することができるダイヤフラム型加速度セン
サの製造方法を提供することを目的とする。
のであって、シリコン素子と重りガラスとを高精度で位
置合わせし、位置合わせ後のずれも防止して、両者を高
精度で接合することができるダイヤフラム型加速度セン
サの製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係るダイヤフラ
ム型加速度センサの製造方法は、ダイヤフラム部が設け
られたシリコン素子と、重りガラスとを位置合わせして
接合し、ダイヤフラム型加速度センサを組み立てる製造
方法において、前記シリコン素子の中心部に異方性エッ
チングにより位置合わせ用マークを形成し、前記重りガ
ラスにサンドブラストにより位置合わせ用マークを形成
し、両者を顕微鏡観察により整合させてシリコン素子と
重りガラスの位置合わせを行い、その後、両者を相互に
固定して接合することを特徴とする。
ム型加速度センサの製造方法は、ダイヤフラム部が設け
られたシリコン素子と、重りガラスとを位置合わせして
接合し、ダイヤフラム型加速度センサを組み立てる製造
方法において、前記シリコン素子の中心部に異方性エッ
チングにより位置合わせ用マークを形成し、前記重りガ
ラスにサンドブラストにより位置合わせ用マークを形成
し、両者を顕微鏡観察により整合させてシリコン素子と
重りガラスの位置合わせを行い、その後、両者を相互に
固定して接合することを特徴とする。
【００１１】本発明においては、シリコン素子の位置合
わせ用マークを異方性エッチングにより形成するから、
高精度でマークを形成することができ、また重りガラス
の位置合わせ用マークをサンドブラストにより形成する
から、低コストで且つ高精度でマークを形成することが
できる。そして、両マークを顕微鏡観察により位置合わ
せしてシリコン素子と重りガラスとの位置合わせをする
から、両者を高精度で位置合わせすることができ、加速
度センサの他軸感度等の特性を向上させることができ
る。
わせ用マークを異方性エッチングにより形成するから、
高精度でマークを形成することができ、また重りガラス
の位置合わせ用マークをサンドブラストにより形成する
から、低コストで且つ高精度でマークを形成することが
できる。そして、両マークを顕微鏡観察により位置合わ
せしてシリコン素子と重りガラスとの位置合わせをする
から、両者を高精度で位置合わせすることができ、加速
度センサの他軸感度等の特性を向上させることができ
る。
【００１２】このダイヤフラム型加速度センサの製造方
法において、前記位置合わせマークを赤外顕微鏡を使用
して位置合わせすることが好ましく、前記シリコン素子
の位置合わせ用マークは十字、前記重りガラスの位置合
わせ用マークは前記十字の部分が欠落した方形にするこ
とができる。また、シリコン素子と重りガラスの位置合
わせの後、両者を弾性部材により固定して接合すること
が好ましい。このようにすることにより、位置合わせ精
度が更に向上する。
法において、前記位置合わせマークを赤外顕微鏡を使用
して位置合わせすることが好ましく、前記シリコン素子
の位置合わせ用マークは十字、前記重りガラスの位置合
わせ用マークは前記十字の部分が欠落した方形にするこ
とができる。また、シリコン素子と重りガラスの位置合
わせの後、両者を弾性部材により固定して接合すること
が好ましい。このようにすることにより、位置合わせ精
度が更に向上する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について、
添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は本願発
明の実施例に係る加速度センサの製造方法に使用する位
置合わせ用マークを示す図であり、図２はその位置合わ
せの実施状態を示す模式図である。
添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は本願発
明の実施例に係る加速度センサの製造方法に使用する位
置合わせ用マークを示す図であり、図２はその位置合わ
せの実施状態を示す模式図である。
【００１４】ウエハ３０には、シリコン素子３の各チッ
プが多数形成されており、各チップのダイヤフラムを異
方性エッチングにより形成する工程において、同時に位
置合わせ用マークも異方性エッチングにより形成する。
図１（ａ）はこのシリコン素子の位置合わせ用マーク４
０を示す平面図である。この図１（ａ）に示すように、
シリコン素子の位置合わせ用マーク４１は、幅が例えば
２０μｍの帯が十字に交差するマークである。このマー
ク４１は各チップの中心に配置され、マークのクロス中
心が各チップに形成されるダイヤフラムの中心に一致す
るように形成されている。
プが多数形成されており、各チップのダイヤフラムを異
方性エッチングにより形成する工程において、同時に位
置合わせ用マークも異方性エッチングにより形成する。
図１（ａ）はこのシリコン素子の位置合わせ用マーク４
０を示す平面図である。この図１（ａ）に示すように、
シリコン素子の位置合わせ用マーク４１は、幅が例えば
２０μｍの帯が十字に交差するマークである。このマー
ク４１は各チップの中心に配置され、マークのクロス中
心が各チップに形成されるダイヤフラムの中心に一致す
るように形成されている。
【００１５】一方、ガラス３１には、ウエハ３０の各チ
ップに整合する位置に、図３及び４に示す重りガラス４
及びペデスタル６が多数形成される。即ち、ガラス３１
の表面には、重りガラス４の中心とペデスタル６が形成
される部分とを除く領域に凹部パターン（図示せず）が
形成されていると共に、ガラス３１の裏面にも、重りガ
ラス４が形成される領域に凹部パターン（図示せず）が
形成されている。また、重りガラス４となる部分とペデ
スタル６となる部分との間には、ガラス３１の表面から
裏面近傍に至る切り込み（図示せず）が形成されてい
る。
ップに整合する位置に、図３及び４に示す重りガラス４
及びペデスタル６が多数形成される。即ち、ガラス３１
の表面には、重りガラス４の中心とペデスタル６が形成
される部分とを除く領域に凹部パターン（図示せず）が
形成されていると共に、ガラス３１の裏面にも、重りガ
ラス４が形成される領域に凹部パターン（図示せず）が
形成されている。また、重りガラス４となる部分とペデ
スタル６となる部分との間には、ガラス３１の表面から
裏面近傍に至る切り込み（図示せず）が形成されてい
る。
【００１６】更に、重りガラスとなる部分の中心のウエ
ハとの接合部分には、図１（ｂ）に示す位置合わせ用マ
ーク４２が形成されている。この重りガラスの位置合わ
せ用マーク４２は、シリコン素子の十字マークに整合す
る部分が欠落した方形をなすものである。即ち、図１
（ｂ）に示すように、このマーク４２は、例えば、幅が
８０μｍの帯状のスペースを間に挟んで、１辺１００μ
ｍの４個の正方形のパターンが配置された形状を有す
る。従って、正方形パターンに挟まれた領域が、マーク
４１に対応する十字を形成する。このマーク４２の４個
の正方形パターンは、ガラス３１の表面及び裏面に重り
ガラスの凹部パターンを形成する際に、同時にサンドブ
ラストにより形成することができる。
ハとの接合部分には、図１（ｂ）に示す位置合わせ用マ
ーク４２が形成されている。この重りガラスの位置合わ
せ用マーク４２は、シリコン素子の十字マークに整合す
る部分が欠落した方形をなすものである。即ち、図１
（ｂ）に示すように、このマーク４２は、例えば、幅が
８０μｍの帯状のスペースを間に挟んで、１辺１００μ
ｍの４個の正方形のパターンが配置された形状を有す
る。従って、正方形パターンに挟まれた領域が、マーク
４１に対応する十字を形成する。このマーク４２の４個
の正方形パターンは、ガラス３１の表面及び裏面に重り
ガラスの凹部パターンを形成する際に、同時にサンドブ
ラストにより形成することができる。
【００１７】図２に示すように、ガラス３１とウエハ３
０を位置合わせするときには、先ず、ＸＹθステージ４
３上に配置されたヒータ板２０上に、ウエハ３０を固定
する。このヒータ板２０には、２本の支柱４４が立設さ
れており、各支柱４４の上端には板バネ４５が取り付け
られていて、ガラス３１とウエハ３０とを位置合わせし
た後に、この板バネ４５によって両者をヒータ板２０に
固定できるようになっている。そして、ウエハ３０の上
方において、Ｚ方向（即ち、上下方向）に移動可能の真
空チャック２１により、ガラス３１をその表面を下方に
向けて吸引固定する。ＸＹθステージ４３の下方には赤
外顕微鏡２３が配設されており、真空チャック２１によ
り固定されたガラス３１の上方には赤外光源２４が配設
されていて、ＸＹθステージ４３及びヒータ板２０の赤
外光源２４からの赤外線が照射される位置には、孔４６
が形成されている。
０を位置合わせするときには、先ず、ＸＹθステージ４
３上に配置されたヒータ板２０上に、ウエハ３０を固定
する。このヒータ板２０には、２本の支柱４４が立設さ
れており、各支柱４４の上端には板バネ４５が取り付け
られていて、ガラス３１とウエハ３０とを位置合わせし
た後に、この板バネ４５によって両者をヒータ板２０に
固定できるようになっている。そして、ウエハ３０の上
方において、Ｚ方向（即ち、上下方向）に移動可能の真
空チャック２１により、ガラス３１をその表面を下方に
向けて吸引固定する。ＸＹθステージ４３の下方には赤
外顕微鏡２３が配設されており、真空チャック２１によ
り固定されたガラス３１の上方には赤外光源２４が配設
されていて、ＸＹθステージ４３及びヒータ板２０の赤
外光源２４からの赤外線が照射される位置には、孔４６
が形成されている。
【００１８】上述のごとく、ウエハ３０及びガラス３１
には、夫々図１（ａ）、（ｂ）に示すマーク４１、４２
が形成されているので、赤外光源２４からヒータ板２０
上のガラス３１及びウエハ３０に向けて赤外線を照射
し、赤外光源２４に対向設置された赤外顕微鏡２３によ
り、ウエハ３０及びガラス３１に設けたマーク４１及び
４２を観察する。次いで、ＸＹθステージ４３をＸＹ方
向に移動させることにより、これらのマーク４１とマー
ク４２とが相互に重なり、マーク４２の中心にて十字状
に延びるパターン非加工部内に、マーク４１が納まるよ
うに、ガラス３１とウエハ３０とを位置合わせする。こ
れにより、シリコン素子と重りガラスとの位置合わせが
完了する。
には、夫々図１（ａ）、（ｂ）に示すマーク４１、４２
が形成されているので、赤外光源２４からヒータ板２０
上のガラス３１及びウエハ３０に向けて赤外線を照射
し、赤外光源２４に対向設置された赤外顕微鏡２３によ
り、ウエハ３０及びガラス３１に設けたマーク４１及び
４２を観察する。次いで、ＸＹθステージ４３をＸＹ方
向に移動させることにより、これらのマーク４１とマー
ク４２とが相互に重なり、マーク４２の中心にて十字状
に延びるパターン非加工部内に、マーク４１が納まるよ
うに、ガラス３１とウエハ３０とを位置合わせする。こ
れにより、シリコン素子と重りガラスとの位置合わせが
完了する。
【００１９】その後、ヒータ板２０の支柱４４に取り付
けられた板バネ４５によって、ガラス３１を押さえるこ
とにより、ガラス３１及びウエハ３０がヒータ板２０上
に弾性的に固定される。これにより、位置合わせ後、両
者間に位置ずれが生じることが防止される。
けられた板バネ４５によって、ガラス３１を押さえるこ
とにより、ガラス３１及びウエハ３０がヒータ板２０上
に弾性的に固定される。これにより、位置合わせ後、両
者間に位置ずれが生じることが防止される。
【００２０】その後、ヒータ板２０上に固定されたガラ
ス３１及びウエハ３０をヒータ板２０と共に接合装置
（図示せず）上に移動し、陽極接合法により、ガラス３
１とウエハ３０とを相互に固着する。その後、重りガラ
スとなる部分とペデスタルとなる部分とを切り離した
後、ボトムキャップとなるシリコンウエハを同様に位置
合わせして陽極接合する。そして、接合が終了したＳｉ
／ガラス／Ｓｉの３層構造体を各チップ毎に切断分離
し、パッケージ内に収納した後、配線して製品とする。
ス３１及びウエハ３０をヒータ板２０と共に接合装置
（図示せず）上に移動し、陽極接合法により、ガラス３
１とウエハ３０とを相互に固着する。その後、重りガラ
スとなる部分とペデスタルとなる部分とを切り離した
後、ボトムキャップとなるシリコンウエハを同様に位置
合わせして陽極接合する。そして、接合が終了したＳｉ
／ガラス／Ｓｉの３層構造体を各チップ毎に切断分離
し、パッケージ内に収納した後、配線して製品とする。
【００２１】以上のようにして、シリコン素子３と重り
ガラス４とが高精度で位置合わせされた加速度センサが
得られる。本実施例においては、シリコン素子３の位置
合わせ用マーク４１はそのダイヤフラムの加工工程に
て、異方性エッチングにより同時に高精度で形成するこ
とができ、また重りガラス４の位置合わせ用マーク４２
が、重りガラスの凹部パターン形成時に、同時にサンド
ブラストにより形成するので、低コスト且つ高精度で形
成することができる。そして、これらのマークを利用し
てシリコン素子と重りガラスとを位置合わせすることに
より、高精度で位置合わせすることができ、センサ特性
を高めることができる。例えば、本実施例によれば、ダ
イヤフラムの中心と、重りの中心とを３０μｍ以内の精
度で位置合わせすることができる。
ガラス４とが高精度で位置合わせされた加速度センサが
得られる。本実施例においては、シリコン素子３の位置
合わせ用マーク４１はそのダイヤフラムの加工工程に
て、異方性エッチングにより同時に高精度で形成するこ
とができ、また重りガラス４の位置合わせ用マーク４２
が、重りガラスの凹部パターン形成時に、同時にサンド
ブラストにより形成するので、低コスト且つ高精度で形
成することができる。そして、これらのマークを利用し
てシリコン素子と重りガラスとを位置合わせすることに
より、高精度で位置合わせすることができ、センサ特性
を高めることができる。例えば、本実施例によれば、ダ
イヤフラムの中心と、重りの中心とを３０μｍ以内の精
度で位置合わせすることができる。
【００２２】なお、本願発明は上記実施例に限定されな
いことは勿論である。位置合わせ用マークのパターンは
図１に示すものに限らず、例えば、シリコン素子と、重
りガラスのマークを相互に逆にしてもよいし、形状自
体、十字に限らないことは勿論である。また、本願発明
はＳｉ−Ｓｉ接合デバイス及びガラス−Ｓｉ−ガラスデ
バイスにも応用することができる。
いことは勿論である。位置合わせ用マークのパターンは
図１に示すものに限らず、例えば、シリコン素子と、重
りガラスのマークを相互に逆にしてもよいし、形状自
体、十字に限らないことは勿論である。また、本願発明
はＳｉ−Ｓｉ接合デバイス及びガラス−Ｓｉ−ガラスデ
バイスにも応用することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
シリコン素子と重りガラスとを高精度で位置合わせする
ことができ、他軸感度等のセンサ特性を向上させること
ができる。また、シリコン素子の位置合わせ用マークは
異方性エッチングにより形成するので、高精度で加工す
ることができ、重りガラスの位置合わせ用マークはサン
ドブラストにより行うので、低コストで且つ高精度で加
工することができる。
シリコン素子と重りガラスとを高精度で位置合わせする
ことができ、他軸感度等のセンサ特性を向上させること
ができる。また、シリコン素子の位置合わせ用マークは
異方性エッチングにより形成するので、高精度で加工す
ることができ、重りガラスの位置合わせ用マークはサン
ドブラストにより行うので、低コストで且つ高精度で加
工することができる。
【図１】本願発明の実施例に使用する位置合わせ用マー
クを示す図であり、（ａ）はシリコン素子のマーク、
（ｂ）は重りガラスのマークである。
クを示す図であり、（ａ）はシリコン素子のマーク、
（ｂ）は重りガラスのマークである。
【図２】位置合わせの実施状態を示す模式図である。
【図３】加速度センサの構造を示す縦断面図である。
【図４】同じくその平面図である。
１：加速度センサ ２：セラミックＬＣＣパッケージ ３：シリコン素子 ４：重りガラス ３０：ウエハ ３１：ガラス ４１、４２：位置合わせ用マーク ４５：板バネ
Claims (4)
- 【請求項１】 ダイヤフラム部が設けられたシリコン素
子と、重りガラスとを位置合わせして接合し、ダイヤフ
ラム型加速度センサを組み立てる製造方法において、前
記シリコン素子の中心部に異方性エッチングにより位置
合わせ用マークを形成し、前記重りガラスにサンドブラ
ストにより位置合わせ用マークを形成し、両者を顕微鏡
観察により整合させてシリコン素子と重りガラスの位置
合わせを行い、その後、両者を相互に固定して接合する
ことを特徴とするダイヤフラム型加速度センサの製造方
法。 - 【請求項２】 前記位置合わせマークを赤外顕微鏡を使
用して位置合わせすることを特徴とする請求項１に記載
のダイヤフラム型加速度センサの製造方法。 - 【請求項３】 前記シリコン素子の位置合わせ用マーク
は十字であり、前記重りガラスの位置合わせ用マークは
前記十字の部分が欠落した方形であることを特徴とする
請求項１又は２に記載のダイヤフラム型加速度センサの
製造方法。 - 【請求項４】 前記シリコン素子と重りガラスの位置合
わせの後、両者を弾性部材により固定して接合すること
を特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のダ
イヤフラム型加速度センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8182086A JPH1026634A (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | ダイヤフラム型加速度センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8182086A JPH1026634A (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | ダイヤフラム型加速度センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1026634A true JPH1026634A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=16112124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8182086A Pending JPH1026634A (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | ダイヤフラム型加速度センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1026634A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2006009194A1 (ja) * | 2004-07-21 | 2008-05-01 | 北陸電気工業株式会社 | 半導体センサ |
| JP2014021094A (ja) * | 2012-07-24 | 2014-02-03 | Seiko Epson Corp | 物理量検出器の製造方法および物理量検出器、並びに電子機器および移動体 |
| CN113933538A (zh) * | 2021-09-18 | 2022-01-14 | 重庆邮电大学 | 一种压阻式高g值加速度计 |
-
1996
- 1996-07-11 JP JP8182086A patent/JPH1026634A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2006009194A1 (ja) * | 2004-07-21 | 2008-05-01 | 北陸電気工業株式会社 | 半導体センサ |
| JP2014021094A (ja) * | 2012-07-24 | 2014-02-03 | Seiko Epson Corp | 物理量検出器の製造方法および物理量検出器、並びに電子機器および移動体 |
| CN113933538A (zh) * | 2021-09-18 | 2022-01-14 | 重庆邮电大学 | 一种压阻式高g值加速度计 |
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