JPH1026711A - 光ファイバカプラの製造方法 - Google Patents
光ファイバカプラの製造方法Info
- Publication number
- JPH1026711A JPH1026711A JP18046596A JP18046596A JPH1026711A JP H1026711 A JPH1026711 A JP H1026711A JP 18046596 A JP18046596 A JP 18046596A JP 18046596 A JP18046596 A JP 18046596A JP H1026711 A JPH1026711 A JP H1026711A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical fiber
- pdl
- coupler
- stretching
- fiber
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- Pending
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 偏光依存ロスが小さく、カプラ長の短い光フ
ァイバカプラの製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明による光ファイバカプラの製造方
法は、複数本の光ファイバを融着延伸する光ファイバカ
プラの製造方法において、該光ファイバを予め 120μｍ
φ以下に細径化し、この光ファイバを密着して把持し、
加熱範囲 8,000μｍ以上で加熱して融着し、 100μｍ／
秒以下のスピードで延伸することを特徴とするものであ
る。
ァイバカプラの製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明による光ファイバカプラの製造方
法は、複数本の光ファイバを融着延伸する光ファイバカ
プラの製造方法において、該光ファイバを予め 120μｍ
φ以下に細径化し、この光ファイバを密着して把持し、
加熱範囲 8,000μｍ以上で加熱して融着し、 100μｍ／
秒以下のスピードで延伸することを特徴とするものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ファイバカプラの
製造方法、特には偏光依存ロス（以下ＰＤＬと略記す
る）が低く、カプラ長の短い光ファイバカプラの製造方
法に関するものである。
製造方法、特には偏光依存ロス（以下ＰＤＬと略記す
る）が低く、カプラ長の短い光ファイバカプラの製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年エルビウムを添加した光ファイバを
用いたエルビウムドープファイバアンプ（ＥＤＦＡ）の
開発が盛んに行なわれており実用化の段階に入ってい
る。ＥＤＦＡには波長1.48μｍ帯の励起光と波長1.55μ
ｍ帯の信号光を合成するための光分波合波器（ＷＤＭカ
プラ）や増幅信号光の一部をモニタするための不等分岐
カプラが用いられている。ところがＥＤＦＡを多段に使
用したときにカプラの変動がそのまま増幅されるため
に、これらのカプラは変動幅の小さいことが要求され、
特に低ＰＤＬのものが望まれている。
用いたエルビウムドープファイバアンプ（ＥＤＦＡ）の
開発が盛んに行なわれており実用化の段階に入ってい
る。ＥＤＦＡには波長1.48μｍ帯の励起光と波長1.55μ
ｍ帯の信号光を合成するための光分波合波器（ＷＤＭカ
プラ）や増幅信号光の一部をモニタするための不等分岐
カプラが用いられている。ところがＥＤＦＡを多段に使
用したときにカプラの変動がそのまま増幅されるため
に、これらのカプラは変動幅の小さいことが要求され、
特に低ＰＤＬのものが望まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、低ＰＤＬカプ
ラとするためには、加熱部分を大きく広げてカプラのテ
ーパー形状を緩やかにすればよいが、カプラが長くなる
という問題がある。従って、低ＰＤＬで、かつカプラ長
の短いものが求められている。
ラとするためには、加熱部分を大きく広げてカプラのテ
ーパー形状を緩やかにすればよいが、カプラが長くなる
という問題がある。従って、低ＰＤＬで、かつカプラ長
の短いものが求められている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決した光ファイバカプラの製造方法に関するもの
で、これは複数本の光ファイバを融着延伸する光ファイ
バカプラの製造方法において、該光ファイバの外径を予
め 120μｍ以下に細径化し、光ファイバを密着して把持
し、加熱範囲 8,000μｍ以上で加熱して融着し、 100μ
ｍ／秒以下のスピードで延伸することよりなるものであ
る。
を解決した光ファイバカプラの製造方法に関するもの
で、これは複数本の光ファイバを融着延伸する光ファイ
バカプラの製造方法において、該光ファイバの外径を予
め 120μｍ以下に細径化し、光ファイバを密着して把持
し、加熱範囲 8,000μｍ以上で加熱して融着し、 100μ
ｍ／秒以下のスピードで延伸することよりなるものであ
る。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の光ファイバカプラの製造
方法は、まず用いる光ファイバの外径を予め細径化する
が、細径化は 120μｍを超えると得られるカプラのＰＤ
Ｌが大きいものとなり、また90μｍ未満では光ファイバ
の物理強度が低下して歩留りが悪くなるので、 120μｍ
以下とすることが必要で、好ましくは90〜 120μｍ、更
に好ましくは 100〜 120μｍとすればよい。
方法は、まず用いる光ファイバの外径を予め細径化する
が、細径化は 120μｍを超えると得られるカプラのＰＤ
Ｌが大きいものとなり、また90μｍ未満では光ファイバ
の物理強度が低下して歩留りが悪くなるので、 120μｍ
以下とすることが必要で、好ましくは90〜 120μｍ、更
に好ましくは 100〜 120μｍとすればよい。
【０００６】また、光ファイバを融着するときの加熱範
囲は 8,000μｍ未満では十分低いＰＤＬのカプラが得ら
れず、22,000μｍを超えてもそれ以上の低ＰＤＬのもの
が得られず、カプラ長も長くなってしまうことから、
8,000μｍ以上とすることが必要で、好ましくは 8,000
〜22,000μｍ、更に好ましくは10,000〜20,000μｍとす
ればよい。延伸スピードは 100μｍ／秒を超えると十分
低いＰＤＬのカプラが得られず、30μｍ／秒未満ではそ
れ以上の低ＰＤＬが得られず生産性も悪くなるので、 1
00μｍ／秒以下とすることが必要で、好ましくは30〜 1
00μｍ／秒、更に好ましくは50〜90μｍ／秒とすればよ
い。
囲は 8,000μｍ未満では十分低いＰＤＬのカプラが得ら
れず、22,000μｍを超えてもそれ以上の低ＰＤＬのもの
が得られず、カプラ長も長くなってしまうことから、
8,000μｍ以上とすることが必要で、好ましくは 8,000
〜22,000μｍ、更に好ましくは10,000〜20,000μｍとす
ればよい。延伸スピードは 100μｍ／秒を超えると十分
低いＰＤＬのカプラが得られず、30μｍ／秒未満ではそ
れ以上の低ＰＤＬが得られず生産性も悪くなるので、 1
00μｍ／秒以下とすることが必要で、好ましくは30〜 1
00μｍ／秒、更に好ましくは50〜90μｍ／秒とすればよ
い。
【０００７】図１は本発明による光ファイバカプラの製
造装置の外観斜視図を示したもので、図に従って本発明
を説明すると、まず使用される２本の光ファイバ１、２
を予め外径を 120μｍ以下に細径化してこれを移動ステ
ージ３の把持部５で把持し、バーナー４を用い 8,000μ
ｍ以上の範囲で加熱して融着し、移動ステージ３を 100
μｍ／秒以下の速度で移動させて延伸し、この際光ファ
イバ１の一端に波長 1,560nmのＬＤ光源６からのモニタ
ー光を入射し、光ファイバの反対側の二つのポート部
７、８よりモニター光を受光器９、10で受光しモニター
光が所望の分岐比となったときに延伸を中止してカプラ
を製造する。このカプラのＰＤＬ値を測定すると、図２
の点線で示すように、ＰＤＬ値は従来法のカプラ（図中
実線で示す）に比較して各波長で低下しており、図より
求めたＰＤＬ0.2 dB帯域幅も大きな値を示し低ＰＤＬの
ものであることが確認できた。またカプラ長も短いもの
が得られた。
造装置の外観斜視図を示したもので、図に従って本発明
を説明すると、まず使用される２本の光ファイバ１、２
を予め外径を 120μｍ以下に細径化してこれを移動ステ
ージ３の把持部５で把持し、バーナー４を用い 8,000μ
ｍ以上の範囲で加熱して融着し、移動ステージ３を 100
μｍ／秒以下の速度で移動させて延伸し、この際光ファ
イバ１の一端に波長 1,560nmのＬＤ光源６からのモニタ
ー光を入射し、光ファイバの反対側の二つのポート部
７、８よりモニター光を受光器９、10で受光しモニター
光が所望の分岐比となったときに延伸を中止してカプラ
を製造する。このカプラのＰＤＬ値を測定すると、図２
の点線で示すように、ＰＤＬ値は従来法のカプラ（図中
実線で示す）に比較して各波長で低下しており、図より
求めたＰＤＬ0.2 dB帯域幅も大きな値を示し低ＰＤＬの
ものであることが確認できた。またカプラ長も短いもの
が得られた。
【０００８】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例 外径が 125μｍの２本のシングルモードの光ファイバを
予め外径が 114μｍに延伸した後、この２本の光ファイ
バを密着させた状態で移動ステージの把持部で把持し、
光ファイバをプロパン／酸素火炎バーナーで加熱範囲1
4,000μｍに加熱して融着し、移動ステージを移動して7
0μｍ／秒のスピードで延伸したが、このとき一方の光
ファイバにＬＤ光源より波長 1,560nmのモニター光を入
射し、反対側の二つのポート部でこの光を受光し、分岐
比が１／99となったところで、延伸を中止して不等分岐
光ファイバカプラを作製した。このカプラの各波長での
ＰＤＬ値を測定したところ図２の点線で示す結果が得ら
れ、図よりＰＤＬ0.2 dB帯域幅を求めたところ20nmであ
った。またカプラ長は44mmであった。
予め外径が 114μｍに延伸した後、この２本の光ファイ
バを密着させた状態で移動ステージの把持部で把持し、
光ファイバをプロパン／酸素火炎バーナーで加熱範囲1
4,000μｍに加熱して融着し、移動ステージを移動して7
0μｍ／秒のスピードで延伸したが、このとき一方の光
ファイバにＬＤ光源より波長 1,560nmのモニター光を入
射し、反対側の二つのポート部でこの光を受光し、分岐
比が１／99となったところで、延伸を中止して不等分岐
光ファイバカプラを作製した。このカプラの各波長での
ＰＤＬ値を測定したところ図２の点線で示す結果が得ら
れ、図よりＰＤＬ0.2 dB帯域幅を求めたところ20nmであ
った。またカプラ長は44mmであった。
【０００９】比較例 外径が 125μｍの光ファイバ２本を細径化せず、上記と
同様に処理したが、このときの光ファイバの加熱範囲を
7,000μｍとし、延伸スピードを 200μｍ／秒とし、分
岐比が１／99となったところで延伸を中止して不等分岐
光ファイバカプラを作製した。このカプラの各波長での
ＰＤＬ値を測定したところ図２の実線で示す結果が得ら
れ大きな値となり、図よりＰＤＬ0.2 dB帯域幅を求めた
ところ12nmであった。カプラ長も47.5mmとなった。
同様に処理したが、このときの光ファイバの加熱範囲を
7,000μｍとし、延伸スピードを 200μｍ／秒とし、分
岐比が１／99となったところで延伸を中止して不等分岐
光ファイバカプラを作製した。このカプラの各波長での
ＰＤＬ値を測定したところ図２の実線で示す結果が得ら
れ大きな値となり、図よりＰＤＬ0.2 dB帯域幅を求めた
ところ12nmであった。カプラ長も47.5mmとなった。
【００１０】
【発明の効果】本発明により製造された光ファイバカプ
ラはＰＤＬ値が低く、カプラ長も短いものになる。
ラはＰＤＬ値が低く、カプラ長も短いものになる。
【図１】光ファイバカプラ製造装置の外観斜視図を示し
たものである。
たものである。
【図２】本発明の実施例および比較例により得られた不
等分岐カプラの光の波長とＰＤＬ値（dB）との関係図を
示したもので、点線は実施例、実線は比較例の結果を示
したものである。
等分岐カプラの光の波長とＰＤＬ値（dB）との関係図を
示したもので、点線は実施例、実線は比較例の結果を示
したものである。
１，２…光ファイバ ３…移動ステージ ４…バーナー ５…把持部 ６…ＬＤ光源 ７，８…光ファイバの反対側のポート部 ９，10…受光器
Claims (1)
- 【請求項１】 複数本の光ファイバを融着延伸する光フ
ァイバカプラの製造方法において、該光ファイバの外径
を予め 120μｍ以下に細径化し、光ファイバを密着して
把持し、加熱範囲 8,000μｍ以上で加熱して融着し、 1
00μｍ／秒以下のスピードで延伸することを特徴とする
光ファイバカプラの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18046596A JPH1026711A (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | 光ファイバカプラの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18046596A JPH1026711A (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | 光ファイバカプラの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1026711A true JPH1026711A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=16083705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18046596A Pending JPH1026711A (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | 光ファイバカプラの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1026711A (ja) |
-
1996
- 1996-07-10 JP JP18046596A patent/JPH1026711A/ja active Pending
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