JPH1026761A - 液晶の配向方法および配向装置ならびに液晶表示素子 - Google Patents
液晶の配向方法および配向装置ならびに液晶表示素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示素子において簡易かつ確実にＣ２配
向を得る。 【解決手段】 ラビングによる一軸配向処理が施された
配向膜をそれぞれ有する電極基板１０・１１の間に強誘
電性液晶材料からなる液晶１２を封入した液晶セル１を
ホットプレート２１上に固定し加熱する。加熱と同時に
液晶セル１をローラ２２により加圧し、ホットプレート
２１またはローラ２２の移動により、その加圧部分を移
動させる。液晶１２のＳｍＡ相−ＳｍＣ* 相転移温度と
この温度より１０℃低い温度の間の範囲で液晶１２を加
熱し、加圧部分をラビング方向と同方向に移動させる
と、Ｃ２配向が高率で形成される。この場合と同一の加
熱温度下で加圧部分をラビング方向と逆方向に移動させ
ると、Ｃ２配向がより高率（ほぼ１００％）で形成され
る。
向を得る。 【解決手段】 ラビングによる一軸配向処理が施された
配向膜をそれぞれ有する電極基板１０・１１の間に強誘
電性液晶材料からなる液晶１２を封入した液晶セル１を
ホットプレート２１上に固定し加熱する。加熱と同時に
液晶セル１をローラ２２により加圧し、ホットプレート
２１またはローラ２２の移動により、その加圧部分を移
動させる。液晶１２のＳｍＡ相−ＳｍＣ* 相転移温度と
この温度より１０℃低い温度の間の範囲で液晶１２を加
熱し、加圧部分をラビング方向と同方向に移動させる
と、Ｃ２配向が高率で形成される。この場合と同一の加
熱温度下で加圧部分をラビング方向と逆方向に移動させ
ると、Ｃ２配向がより高率（ほぼ１００％）で形成され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶を配向させる
配向方法と配向装置およびこれらを用いて配向された液
晶表示素子に係り、特に、液晶材料が強誘電性を示す素
子に好適な液晶の配向方法および配向装置ならびに液晶
表示素子に関するものである。
配向方法と配向装置およびこれらを用いて配向された液
晶表示素子に係り、特に、液晶材料が強誘電性を示す素
子に好適な液晶の配向方法および配向装置ならびに液晶
表示素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】強誘電性液晶は、１９７５年にR.B.Meye
r らによって発見された。その後、水平配向処理が施さ
れるとともに、１μｍ程度のセルギャップに形成された
セル内に強誘電性液晶を封入することにより、強誘電性
液晶の螺旋構造が消滅することが、Clark とLagerwall
によって見いだされ、これにより、強誘電性液晶を表示
素子として使用できることが明らかになった。このよう
な強誘電性液晶は、表面安定強誘電性液晶（ＳＳＦＬ
Ｃ）と呼ばれている。
r らによって発見された。その後、水平配向処理が施さ
れるとともに、１μｍ程度のセルギャップに形成された
セル内に強誘電性液晶を封入することにより、強誘電性
液晶の螺旋構造が消滅することが、Clark とLagerwall
によって見いだされ、これにより、強誘電性液晶を表示
素子として使用できることが明らかになった。このよう
な強誘電性液晶は、表面安定強誘電性液晶（ＳＳＦＬ
Ｃ）と呼ばれている。
【０００３】強誘電性液晶は、研究の初期において表示
素子に簡単に利用できると思われていたが、その後の活
発な研究によって様々な複雑な構造や物性が明らかにな
り、同時にその制御の難しさも明らかになってきた。強
誘電性液晶に関する明らかにされた事実として注目すべ
きは、強誘電相（ＳｍＣ* 相）における特異な層構造で
ある。
素子に簡単に利用できると思われていたが、その後の活
発な研究によって様々な複雑な構造や物性が明らかにな
り、同時にその制御の難しさも明らかになってきた。強
誘電性液晶に関する明らかにされた事実として注目すべ
きは、強誘電相（ＳｍＣ* 相）における特異な層構造で
ある。
【０００４】強誘電性液晶の発見当初、図８に示すよう
に、強誘電性液晶を構成する層Ｌは、基板５１・５１の
面に対し垂直方向に形成される“ブックシェルフ構造”
をなすと考えられていた。ところが、その後の研究によ
り、図９に示すように、層Ｌは、中央部分で折れ曲がっ
ている“シェブロン構造”をなすことがわかった。この
ような層構造は、ＳｍＣ* 相において分子Ｍが傾くこと
により生じる体積収縮を層Ｌの表面積で補おうとするた
めに形成される。
に、強誘電性液晶を構成する層Ｌは、基板５１・５１の
面に対し垂直方向に形成される“ブックシェルフ構造”
をなすと考えられていた。ところが、その後の研究によ
り、図９に示すように、層Ｌは、中央部分で折れ曲がっ
ている“シェブロン構造”をなすことがわかった。この
ような層構造は、ＳｍＣ* 相において分子Ｍが傾くこと
により生じる体積収縮を層Ｌの表面積で補おうとするた
めに形成される。
【０００５】その後、このシェブロン構造が、ＳＳＦＬ
Ｃ素子でよく観察されるジグザグ欠陥と本質的に関係し
ていることがわかった。さらに、図１０に示すように、
基板５１・５１の近傍の分子Ｍを基板５１・５１の面に
対し所定角度傾斜させるプレチルトを導入することによ
り、層Ｌの屈曲方向が互いに異なるＣ１配向およびＣ２
配向が配向の形態として現れることが明らかになった。
Ｃ素子でよく観察されるジグザグ欠陥と本質的に関係し
ていることがわかった。さらに、図１０に示すように、
基板５１・５１の近傍の分子Ｍを基板５１・５１の面に
対し所定角度傾斜させるプレチルトを導入することによ
り、層Ｌの屈曲方向が互いに異なるＣ１配向およびＣ２
配向が配向の形態として現れることが明らかになった。
【０００６】強誘電性液晶を表示素子に用いる場合、液
晶分子を表示素子全体にわたって一軸方向に配向させる
ことによりモノドメインを形成する必要がある。この配
向方法としては、磁場配向法、温度勾配法、ラビング法
等が知られている。
晶分子を表示素子全体にわたって一軸方向に配向させる
ことによりモノドメインを形成する必要がある。この配
向方法としては、磁場配向法、温度勾配法、ラビング法
等が知られている。
【０００７】磁場配向法は、磁場を印加しながら液晶材
料を等方相まで昇温したのち液晶相に徐冷する。温度勾
配法は、ポリマースペーサの切断面が有する配向規制力
を利用し、温度勾配下で切断面から液晶相を成長させ
る。ラビング法は、配向膜を布等で擦ることにより一軸
方向に液晶を配向させる方法であり、工業的に最も有効
である。
料を等方相まで昇温したのち液晶相に徐冷する。温度勾
配法は、ポリマースペーサの切断面が有する配向規制力
を利用し、温度勾配下で切断面から液晶相を成長させ
る。ラビング法は、配向膜を布等で擦ることにより一軸
方向に液晶を配向させる方法であり、工業的に最も有効
である。
【０００８】また、すでに上記のような周知の配向方法
によって配向された表示素子に対する再配向によってモ
ノドメインを得る場合、等方相にまで加熱された表示素
子を徐冷することが再配向の手法として一般的であっ
た。
によって配向された表示素子に対する再配向によってモ
ノドメインを得る場合、等方相にまで加熱された表示素
子を徐冷することが再配向の手法として一般的であっ
た。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】強誘電性液晶素子を用
いる場合、上記のＣ１配向とＣ２配向のいずれか一方を
用いる。それは、上記の２種類の配向が混在すると、そ
の境界にジグザグ欠陥が発生し、表示素子としての品質
が著しく損なわれるからである。したがって、Ｃ１配向
とＣ２配向を制御することは、表示品位の向上を図る上
で非常に重要である。また、Ｃ２配向が、低温下で安定
して存在するという利点と、Ｃ１配向に比べて応答速度
が高いという利点を有していることから、Ｃ１配向より
Ｃ２配向を用いる方が好ましい。
いる場合、上記のＣ１配向とＣ２配向のいずれか一方を
用いる。それは、上記の２種類の配向が混在すると、そ
の境界にジグザグ欠陥が発生し、表示素子としての品質
が著しく損なわれるからである。したがって、Ｃ１配向
とＣ２配向を制御することは、表示品位の向上を図る上
で非常に重要である。また、Ｃ２配向が、低温下で安定
して存在するという利点と、Ｃ１配向に比べて応答速度
が高いという利点を有していることから、Ｃ１配向より
Ｃ２配向を用いる方が好ましい。
【００１０】従来、Ｃ２配向を表示素子全面にわたって
統一させるには、液晶材料と配向膜材料の組み合わせ、
あるいはラビングの条件によって配向を制御することが
主であった。また、再配向においても、温度の昇降や電
界処理を用いることが多かった。
統一させるには、液晶材料と配向膜材料の組み合わせ、
あるいはラビングの条件によって配向を制御することが
主であった。また、再配向においても、温度の昇降や電
界処理を用いることが多かった。
【００１１】しかしながら、それぞれに良好な特性を示
す液晶材料と配向膜材料を組み合わせても、その組み合
わせが適切でない場合、通常のラビング法で配向処理を
施してもＣ２配向をほとんど得ることができない。この
ような場合は、配向の面で制限が生じ、液晶材料および
配向膜材料の良好な特性を生かすことができない。
す液晶材料と配向膜材料を組み合わせても、その組み合
わせが適切でない場合、通常のラビング法で配向処理を
施してもＣ２配向をほとんど得ることができない。この
ような場合は、配向の面で制限が生じ、液晶材料および
配向膜材料の良好な特性を生かすことができない。
【００１２】一方、ラビングの条件については、ラビン
グ強度を高めるとＣ２配向を出現させることができる。
しかしながら、その反面、強いラビングにより表示素子
に多くの傷が生じるので、表示品位が低下するという問
題がある。
グ強度を高めるとＣ２配向を出現させることができる。
しかしながら、その反面、強いラビングにより表示素子
に多くの傷が生じるので、表示品位が低下するという問
題がある。
【００１３】また、再配向によっても、Ｃ２配向を確実
に得ることは困難である。
に得ることは困難である。
【００１４】このため、液晶材料と配向膜材料の組み合
わせ、およびラビング条件などによらず、常にＣ２配向
を表示素子全面に出現させることのできる方法が強く望
まれていた。
わせ、およびラビング条件などによらず、常にＣ２配向
を表示素子全面に出現させることのできる方法が強く望
まれていた。
【００１５】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、液晶材料や配向膜材料の種類またはラビン
グ条件によらず、簡易かつ確実にＣ２配向を得ることが
できる方法を提供することを主な目的としている。
のであって、液晶材料や配向膜材料の種類またはラビン
グ条件によらず、簡易かつ確実にＣ２配向を得ることが
できる方法を提供することを主な目的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の液晶配向方法は、上記の課題を解決するために、対向
する表面にそれぞれ配向膜が形成された一対の透光性基
板の間に液晶材料が封入されてなる液晶表示素子におけ
る上記液晶材料を加熱しながら局所的に加圧する工程を
有することを特徴としている。
の液晶配向方法は、上記の課題を解決するために、対向
する表面にそれぞれ配向膜が形成された一対の透光性基
板の間に液晶材料が封入されてなる液晶表示素子におけ
る上記液晶材料を加熱しながら局所的に加圧する工程を
有することを特徴としている。
【００１７】液晶材料に対し加熱と同時に加圧する処理
を施すことにより、これらの処理後に徐冷された液晶表
示素子においては、液晶材料の加圧された部分にＣ２配
向が出現する。したがって、本発明の請求項２に記載の
液晶配向方法は、加圧部分を移動させることにより、液
晶材料において加圧部分が移動した範囲にＣ２配向を出
現させることができる。
を施すことにより、これらの処理後に徐冷された液晶表
示素子においては、液晶材料の加圧された部分にＣ２配
向が出現する。したがって、本発明の請求項２に記載の
液晶配向方法は、加圧部分を移動させることにより、液
晶材料において加圧部分が移動した範囲にＣ２配向を出
現させることができる。
【００１８】なお、上記の処理においては、液晶材料に
加える圧力を液晶材料の層構造を破壊しない程度に設定
しなければならないのは勿論である。
加える圧力を液晶材料の層構造を破壊しない程度に設定
しなければならないのは勿論である。
【００１９】また、Ｃ２配向の出現率は、加圧部分の移
動方向に依存する。例えば、本発明の請求項３に記載の
ように、（１）加圧部分を配向膜に施された配向処理の
方向と同方向に移動させる場合と、本発明の請求項５に
記載のように、（２）加圧部分を上記の配向処理の方向
と逆方向に移動させる場合では、特定の加熱温度下でい
ずれも高率でＣ２配向を得ることができる。同一の加熱
温度下でのＣ２配向の出現率は、（２）の場合が（１）
の場合より高く、より好ましい。
動方向に依存する。例えば、本発明の請求項３に記載の
ように、（１）加圧部分を配向膜に施された配向処理の
方向と同方向に移動させる場合と、本発明の請求項５に
記載のように、（２）加圧部分を上記の配向処理の方向
と逆方向に移動させる場合では、特定の加熱温度下でい
ずれも高率でＣ２配向を得ることができる。同一の加熱
温度下でのＣ２配向の出現率は、（２）の場合が（１）
の場合より高く、より好ましい。
【００２０】また、加圧部分を移動させる場合（請求項
２、３および５）または移動させない場合（請求項１）
において、本発明の請求項４および６に記載のように、
液晶材料が強誘電性を示すことにより、強誘電性液晶表
示素子にＣ２配向を確実に出現させることができる。し
かも、加圧部分の移動方向を配向処理の方向と逆にする
場合では、本発明の請求項７に記載のように、液晶材料
としてＳｍＣ* 相を示すＳｍＣ* 相液晶材料を用い、所
定の温度範囲内でそのＳｍＣ* 相液晶材料を加熱すれ
ば、Ｃ２配向の出現率が１００％またはほぼそれに近い
値になる。上記の温度範囲は、ＳｍＣ* 相液晶材料が降
温過程においてＳｍＡ相からＳｍＣ* 相に転移する相転
移温度より１０℃低い温度から上記相転移温度までの温
度範囲である。
２、３および５）または移動させない場合（請求項１）
において、本発明の請求項４および６に記載のように、
液晶材料が強誘電性を示すことにより、強誘電性液晶表
示素子にＣ２配向を確実に出現させることができる。し
かも、加圧部分の移動方向を配向処理の方向と逆にする
場合では、本発明の請求項７に記載のように、液晶材料
としてＳｍＣ* 相を示すＳｍＣ* 相液晶材料を用い、所
定の温度範囲内でそのＳｍＣ* 相液晶材料を加熱すれ
ば、Ｃ２配向の出現率が１００％またはほぼそれに近い
値になる。上記の温度範囲は、ＳｍＣ* 相液晶材料が降
温過程においてＳｍＡ相からＳｍＣ* 相に転移する相転
移温度より１０℃低い温度から上記相転移温度までの温
度範囲である。
【００２１】なお、強誘電相が反強誘電相より高温側に
現れることから、液晶材料が反強誘電性を示す場合にお
いても、Ｃ２配向を高率で得ることができる。
現れることから、液晶材料が反強誘電性を示す場合にお
いても、Ｃ２配向を高率で得ることができる。
【００２２】本発明の請求項８に記載の液晶配向装置
は、上記の課題を解決するために、対向する表面にそれ
ぞれ配向膜が形成された一対の透光性基板の間に液晶材
料が封入されてなる液晶表示素子における上記液晶材料
を加熱する加熱手段と、この加熱手段による加熱下にあ
る上記液晶材料を局所的に加圧する加圧手段とを備えて
いることを特徴としている。
は、上記の課題を解決するために、対向する表面にそれ
ぞれ配向膜が形成された一対の透光性基板の間に液晶材
料が封入されてなる液晶表示素子における上記液晶材料
を加熱する加熱手段と、この加熱手段による加熱下にあ
る上記液晶材料を局所的に加圧する加圧手段とを備えて
いることを特徴としている。
【００２３】加熱手段および加圧手段による処理後に徐
冷された液晶表示素子においては、液晶材料の加圧され
た部分にＣ２配向が出現する。したがって、本発明の請
求項９に記載の液晶配向装置は、加圧部分を移動させる
移動手段をさらに備え、移動手段により加圧部分を移動
させることにより、請求項２に記載の液晶配向方法と同
様に、液晶材料において加圧部分の移動範囲にＣ２配向
を出現させることができる。
冷された液晶表示素子においては、液晶材料の加圧され
た部分にＣ２配向が出現する。したがって、本発明の請
求項９に記載の液晶配向装置は、加圧部分を移動させる
移動手段をさらに備え、移動手段により加圧部分を移動
させることにより、請求項２に記載の液晶配向方法と同
様に、液晶材料において加圧部分の移動範囲にＣ２配向
を出現させることができる。
【００２４】また、本発明の請求項１０または１１に記
載のように、移動手段が加圧部分を配向膜に施された配
向処理の方向と同方向または逆方向に移動させる構成で
あれば、特定の加熱温度下でいずれも高率でＣ２配向を
得ることができる。移動手段が上記の２方向に加圧部分
を移動させる場合を同一の加熱温度下で比較すると、前
述のように、配向処理の方向と逆方向に移動させる場合
の方がより高率でＣ２配向を得ることができる。
載のように、移動手段が加圧部分を配向膜に施された配
向処理の方向と同方向または逆方向に移動させる構成で
あれば、特定の加熱温度下でいずれも高率でＣ２配向を
得ることができる。移動手段が上記の２方向に加圧部分
を移動させる場合を同一の加熱温度下で比較すると、前
述のように、配向処理の方向と逆方向に移動させる場合
の方がより高率でＣ２配向を得ることができる。
【００２５】しかも、ＳｍＣ* 相を示す強誘電性液晶材
料を用いて、移動手段により加圧部分を配向処理の方向
と逆方向に移動させる場合には、本発明の請求項１２に
記載のように加熱温度の範囲を限定することにより、さ
らに高率でＣ２配向を出現させることができる。具体的
には、加熱手段がその強誘電性液晶材料が降温過程にお
いてＳｍＡ相からＳｍＣ* 相に転移する相転移温度より
１０℃低い温度から上記相転移温度までの温度範囲内に
上記の強誘電性液晶材料を加熱可能であれば、前述のよ
うに、その温度範囲内で加熱された液晶材料には、１０
０％またはほぼそれに近い値でＣ２配向が出現する。
料を用いて、移動手段により加圧部分を配向処理の方向
と逆方向に移動させる場合には、本発明の請求項１２に
記載のように加熱温度の範囲を限定することにより、さ
らに高率でＣ２配向を出現させることができる。具体的
には、加熱手段がその強誘電性液晶材料が降温過程にお
いてＳｍＡ相からＳｍＣ* 相に転移する相転移温度より
１０℃低い温度から上記相転移温度までの温度範囲内に
上記の強誘電性液晶材料を加熱可能であれば、前述のよ
うに、その温度範囲内で加熱された液晶材料には、１０
０％またはほぼそれに近い値でＣ２配向が出現する。
【００２６】本発明の請求項１３に記載の液晶表示素子
は、上記の課題を解決するために、対向する表面にそれ
ぞれ配向膜が形成された一対の透光性基板の間に、加熱
しながら局所的に加圧する処理が施された液晶材料が封
入されていることを特徴としている。
は、上記の課題を解決するために、対向する表面にそれ
ぞれ配向膜が形成された一対の透光性基板の間に、加熱
しながら局所的に加圧する処理が施された液晶材料が封
入されていることを特徴としている。
【００２７】液晶材料が加熱と同時に加圧する処理が施
されていることにより、Ｃ２配向が液晶材料の加圧され
た部分に出現している。したがって、本発明の請求項１
４に記載のように、加圧部分の移動を伴う処理が施され
た液晶材料には、加圧部分が移動した範囲にＣ２配向が
出現する。また、本発明の請求項１５または１７に記載
のように、配向膜に施された配向処理の方向と一致する
方向または逆の方向への加圧部分の移動を伴う処理が施
された液晶材料におけるＣ２配向は、特定の加熱温度下
でいずれも高率で出現している。上記の２方向に加圧部
分の移動を伴う処理を同一の加熱温度下で比較すると、
配向処理の方向に対し逆方向への加圧部分の移動を伴う
処理の方がより高率でＣ２配向を出現させることができ
る。
されていることにより、Ｃ２配向が液晶材料の加圧され
た部分に出現している。したがって、本発明の請求項１
４に記載のように、加圧部分の移動を伴う処理が施され
た液晶材料には、加圧部分が移動した範囲にＣ２配向が
出現する。また、本発明の請求項１５または１７に記載
のように、配向膜に施された配向処理の方向と一致する
方向または逆の方向への加圧部分の移動を伴う処理が施
された液晶材料におけるＣ２配向は、特定の加熱温度下
でいずれも高率で出現している。上記の２方向に加圧部
分の移動を伴う処理を同一の加熱温度下で比較すると、
配向処理の方向に対し逆方向への加圧部分の移動を伴う
処理の方がより高率でＣ２配向を出現させることができ
る。
【００２８】また、加圧処理に移動が伴う場合（請求項
１４、１５および１７）または伴わない場合（請求項１
３）において、本発明の請求項１６または１８に記載の
ように、液晶材料が強誘電性を示すことにより、強誘電
性液晶を有する液晶表示素子においてＣ２配向を確実に
出現させることができる。しかも、配向処理の方向と逆
方向への移動を伴う加圧が施されている液晶表示素子
（請求項１８）においては、本発明の請求項１９に記載
のように加熱温度が設定されていることにより、Ｃ２配
向の出現率が１００％またはほぼそれに近い値になる。
上記の加熱温度は、ＳｍＣ* 相を示す液晶材料に、この
液晶材料が降温過程においてＳｍＡ相からＳｍＣ* 相に
転移する相転移温度より１０℃低い温度から上記相転移
温度までの温度範囲内の温度である。
１４、１５および１７）または伴わない場合（請求項１
３）において、本発明の請求項１６または１８に記載の
ように、液晶材料が強誘電性を示すことにより、強誘電
性液晶を有する液晶表示素子においてＣ２配向を確実に
出現させることができる。しかも、配向処理の方向と逆
方向への移動を伴う加圧が施されている液晶表示素子
（請求項１８）においては、本発明の請求項１９に記載
のように加熱温度が設定されていることにより、Ｃ２配
向の出現率が１００％またはほぼそれに近い値になる。
上記の加熱温度は、ＳｍＣ* 相を示す液晶材料に、この
液晶材料が降温過程においてＳｍＡ相からＳｍＣ* 相に
転移する相転移温度より１０℃低い温度から上記相転移
温度までの温度範囲内の温度である。
【００２９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態について図
１ないし図７に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。
１ないし図７に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。
【００３０】図２に示すように、本実施の形態に係る液
晶表示素子、すなわち液晶セル１は、互いに対向する２
枚のガラス基板２・３を有している。なお、透光性かつ
絶縁性を有しておれば、ガラス基板２・３の代わりに樹
脂からなる基板を用いてもよい。
晶表示素子、すなわち液晶セル１は、互いに対向する２
枚のガラス基板２・３を有している。なお、透光性かつ
絶縁性を有しておれば、ガラス基板２・３の代わりに樹
脂からなる基板を用いてもよい。
【００３１】ガラス基板２の表面には、インジウム錫酸
化物（ＩＴＯ）からなる透明な電極膜４が所定のパター
ンに形成されている。その上には、例えばＳｉＯ2 から
なる透明な絶縁膜５が積層されている。一方、ガラス基
板３上には、電極膜４と同様な材料からなる電極膜６が
所定のパターンに形成されている。その上には、絶縁膜
５と同様の材料からなる透明な絶縁膜７が積層されてい
る。
化物（ＩＴＯ）からなる透明な電極膜４が所定のパター
ンに形成されている。その上には、例えばＳｉＯ2 から
なる透明な絶縁膜５が積層されている。一方、ガラス基
板３上には、電極膜４と同様な材料からなる電極膜６が
所定のパターンに形成されている。その上には、絶縁膜
５と同様の材料からなる透明な絶縁膜７が積層されてい
る。
【００３２】絶縁膜５・７上には、ラビングによる一軸
配向処理が施された配向膜８・９がそれぞれ形成されて
いる。配向膜８・９のラビング方向（配向処理の方向）
は、配向膜８・９の面に沿った同一の方向である。配向
膜８・９は、ポリイミド膜、ナイロン膜、ポリビニルア
ルコール膜などの有機高分子膜が用いられる。
配向処理が施された配向膜８・９がそれぞれ形成されて
いる。配向膜８・９のラビング方向（配向処理の方向）
は、配向膜８・９の面に沿った同一の方向である。配向
膜８・９は、ポリイミド膜、ナイロン膜、ポリビニルア
ルコール膜などの有機高分子膜が用いられる。
【００３３】上記のように、ガラス基板２、電極膜４、
絶縁膜５および配向膜８により、電極基板１０が形成さ
れる。一方、ガラス基板３、電極膜６、絶縁膜７および
配向膜９により、電極基板１１が形成される。
絶縁膜５および配向膜８により、電極基板１０が形成さ
れる。一方、ガラス基板３、電極膜６、絶縁膜７および
配向膜９により、電極基板１１が形成される。
【００３４】上記の電極基板１０・１１は、図示しない
シール剤により所定の間隔（セルギャップ）をおいて貼
り合わされている。強誘電性を示す液晶（液晶材料）１
２は、対向する配向膜８・９に接するように電極基板１
０・１１の間に上記のシール剤にて封入されている。こ
の液晶１２を構成する層Ｌ内の電極基板１０・１１の近
傍における分子Ｍは、配向膜８・９が有する配向規制力
（アンカリング）により、電極基板１０・１１に対しそ
れぞれ所定の角度で傾いている。
シール剤により所定の間隔（セルギャップ）をおいて貼
り合わされている。強誘電性を示す液晶（液晶材料）１
２は、対向する配向膜８・９に接するように電極基板１
０・１１の間に上記のシール剤にて封入されている。こ
の液晶１２を構成する層Ｌ内の電極基板１０・１１の近
傍における分子Ｍは、配向膜８・９が有する配向規制力
（アンカリング）により、電極基板１０・１１に対しそ
れぞれ所定の角度で傾いている。
【００３５】上記のように構成される液晶セル１に次の
ような加熱および加圧の処理を施す。図１に示すよう
に、加熱手段としてのホットプレート２１の水平面に固
定された液晶セル１をホットプレート２１により加熱し
ながら、液晶１２の層構造を破壊しない程度の局所的な
圧力を加圧手段としてのローラ２２により液晶セル１に
加え、その加圧箇所を水平方向（移動方向）に移動させ
る。この処理においては、液晶１２すなわち強誘電性液
晶材料がＳｍＡ相からＳｍＣ* 相に転移する温度からそ
れより１０℃程度低い温度までの範囲に加熱温度を設定
するとともに、適度な圧力が得られるような大きさおよ
び重量のローラ２２を用いる。
ような加熱および加圧の処理を施す。図１に示すよう
に、加熱手段としてのホットプレート２１の水平面に固
定された液晶セル１をホットプレート２１により加熱し
ながら、液晶１２の層構造を破壊しない程度の局所的な
圧力を加圧手段としてのローラ２２により液晶セル１に
加え、その加圧箇所を水平方向（移動方向）に移動させ
る。この処理においては、液晶１２すなわち強誘電性液
晶材料がＳｍＡ相からＳｍＣ* 相に転移する温度からそ
れより１０℃程度低い温度までの範囲に加熱温度を設定
するとともに、適度な圧力が得られるような大きさおよ
び重量のローラ２２を用いる。
【００３６】なお、加圧箇所を移動させるには、ローラ
２２の移動に代えて、ローラ２２を固定して液晶セル１
をホットプレート２１とともに移動させてもよい。ま
た、加圧部分の移動方向は、ラビング方向と逆方向であ
る。さらに、液晶セル１に加える圧力は、０．５Ｋｇ／
ｃｍ2 に設定されているが、耐衝撃性の高い構造の液晶
セル１に対してはさらに大きく設定されてもよい。
２２の移動に代えて、ローラ２２を固定して液晶セル１
をホットプレート２１とともに移動させてもよい。ま
た、加圧部分の移動方向は、ラビング方向と逆方向であ
る。さらに、液晶セル１に加える圧力は、０．５Ｋｇ／
ｃｍ2 に設定されているが、耐衝撃性の高い構造の液晶
セル１に対してはさらに大きく設定されてもよい。
【００３７】図１に示す加熱および加圧のための装置と
同様な処理を行う他の装置は、図３に示すように構成さ
れている。図３に示す装置は、Ｚステージ３１と、ステ
ージ３２と、移動装置３３と、ラバーヒータ３４と、ロ
ーラ３５と、冷却装置３６とを備えている。
同様な処理を行う他の装置は、図３に示すように構成さ
れている。図３に示す装置は、Ｚステージ３１と、ステ
ージ３２と、移動装置３３と、ラバーヒータ３４と、ロ
ーラ３５と、冷却装置３６とを備えている。
【００３８】Ｚステージ３１は、ステージ３２の下面中
央部に１つ設けられ、ステージ３２をハンドル３１ａの
操作により鉛直方向に移動させるようになっている。ま
た、本装置においては、同等の４台のＺステージ３１を
ステージ３２の下面四隅に設けてもよい。このような構
成では、ステージ３２の上面を水平に調整することがで
きるのでより好ましい。
央部に１つ設けられ、ステージ３２をハンドル３１ａの
操作により鉛直方向に移動させるようになっている。ま
た、本装置においては、同等の４台のＺステージ３１を
ステージ３２の下面四隅に設けてもよい。このような構
成では、ステージ３２の上面を水平に調整することがで
きるのでより好ましい。
【００３９】移動手段としての移動装置３３は、Ｚステ
ージ３１を水平方向に移動させる装置であり、無端のベ
ルト３３ａとモータ３３ｂとを有している。Ｚステージ
３１は、ベルト３３ａ上に固定されており、モータ３３
ｂの駆動力により動くベルト３３ａにより移動するよう
になっている。
ージ３１を水平方向に移動させる装置であり、無端のベ
ルト３３ａとモータ３３ｂとを有している。Ｚステージ
３１は、ベルト３３ａ上に固定されており、モータ３３
ｂの駆動力により動くベルト３３ａにより移動するよう
になっている。
【００４０】ステージ３２は、液晶セル１を載置するた
めの台であり、液晶セル１より広くかつローラ３５によ
る加圧に耐えうる強度を備えるようにステンレスにより
形成されている。また、ステージ３２は、ラバーヒータ
３４による加熱およびローラ３５による加圧に耐えうる
材料であれば、その他の材料からなっていてもよい。
めの台であり、液晶セル１より広くかつローラ３５によ
る加圧に耐えうる強度を備えるようにステンレスにより
形成されている。また、ステージ３２は、ラバーヒータ
３４による加熱およびローラ３５による加圧に耐えうる
材料であれば、その他の材料からなっていてもよい。
【００４１】加熱手段としてのラバーヒータ３４は、液
晶セル１を加熱するためのヒータであり、ステージ３２
の上面を覆うように設けられている。このラバーヒータ
３４は、２次元的に張り巡らされた電熱線と、これを覆
うラバーとを有する面状のヒータである。
晶セル１を加熱するためのヒータであり、ステージ３２
の上面を覆うように設けられている。このラバーヒータ
３４は、２次元的に張り巡らされた電熱線と、これを覆
うラバーとを有する面状のヒータである。
【００４２】加圧手段としてのローラ３５は、液晶セル
１を局所的に加圧する加圧手段であり、所定高さの位置
において、固定されるかまたは移動可能に配置されてい
る。また、ローラ３５は、回転自在かまたは回転できな
い状態に設けられている。さらに、ローラ３５は、円柱
形（直径７．５ｃｍ、長さ２５ｃｍ）にステンレスによ
り形成されている。加えて、ローラ３５の周囲には、液
晶セル１を傷つけないように、保護膜３７が設けられて
いる。
１を局所的に加圧する加圧手段であり、所定高さの位置
において、固定されるかまたは移動可能に配置されてい
る。また、ローラ３５は、回転自在かまたは回転できな
い状態に設けられている。さらに、ローラ３５は、円柱
形（直径７．５ｃｍ、長さ２５ｃｍ）にステンレスによ
り形成されている。加えて、ローラ３５の周囲には、液
晶セル１を傷つけないように、保護膜３７が設けられて
いる。
【００４３】なお、局所的に液晶セル１を加圧すること
ができれば、ローラ３５の形状および材料は問わない。
ができれば、ローラ３５の形状および材料は問わない。
【００４４】ローラ３５の長さは、ローラ３５の長手方
向に沿った方向について、液晶セル１における表示領域
の両端間の長さより長く、かつ液晶セル１の両端間の長
さより短く設定されている。このように設定するのは、
液晶セル１の端縁が液晶セル１の作製工程で形成された
微小な凹凸を有することに起因しており、ローラ３５が
その凹凸に接触することにより液晶セル１に圧力が均一
にかからなくなることを防止するためである。
向に沿った方向について、液晶セル１における表示領域
の両端間の長さより長く、かつ液晶セル１の両端間の長
さより短く設定されている。このように設定するのは、
液晶セル１の端縁が液晶セル１の作製工程で形成された
微小な凹凸を有することに起因しており、ローラ３５が
その凹凸に接触することにより液晶セル１に圧力が均一
にかからなくなることを防止するためである。
【００４５】冷却装置３６は、液晶セル１の熱によりロ
ーラ３５の形状が歪むことを防ぐためにローラ３５の近
傍に設けられ、水冷または空冷による冷却機能を有して
いる。水冷式の冷却装置３６としては、例えば、図４ま
たは図５に示す構成が用いられる。図４に示す構成は、
ローラ３５の両端に貫通する中空部３５ａに冷却水を図
示しないノズルにより供給するようになっている。一
方、図５に示す構成は、ローラ３５と液晶セル１の接触
部分Ｃにノズル３６ａにより冷却水を流し込むようにな
っている。
ーラ３５の形状が歪むことを防ぐためにローラ３５の近
傍に設けられ、水冷または空冷による冷却機能を有して
いる。水冷式の冷却装置３６としては、例えば、図４ま
たは図５に示す構成が用いられる。図４に示す構成は、
ローラ３５の両端に貫通する中空部３５ａに冷却水を図
示しないノズルにより供給するようになっている。一
方、図５に示す構成は、ローラ３５と液晶セル１の接触
部分Ｃにノズル３６ａにより冷却水を流し込むようにな
っている。
【００４６】上記の装置において、Ｚステージ３１、ス
テージ３２およびラバーヒータ３４は、移動装置３３に
より矢印で示すラビング方向に一定速度で移動する。こ
のとき、ローラ３５が固定されているので、加圧部分の
移動方向はラビング方向と逆になる。また、Ｚステージ
３１、ステージ３２およびラバーヒータ３４を移動させ
る代わりに、ローラ３５を図示しない他の移動装置によ
り移動させてもよい。なお、この場合、ローラ３５がラ
ビング方向と逆の方向に移動するので、加圧部分の移動
方向はやはりラビング方向と逆になる。
テージ３２およびラバーヒータ３４は、移動装置３３に
より矢印で示すラビング方向に一定速度で移動する。こ
のとき、ローラ３５が固定されているので、加圧部分の
移動方向はラビング方向と逆になる。また、Ｚステージ
３１、ステージ３２およびラバーヒータ３４を移動させ
る代わりに、ローラ３５を図示しない他の移動装置によ
り移動させてもよい。なお、この場合、ローラ３５がラ
ビング方向と逆の方向に移動するので、加圧部分の移動
方向はやはりラビング方向と逆になる。
【００４７】このように、上記の装置において、ローラ
３５またはローラ３５以外の各部が移動することによ
り、ローラ３５による液晶セル１の加圧部分が移動す
る。
３５またはローラ３５以外の各部が移動することによ
り、ローラ３５による液晶セル１の加圧部分が移動す
る。
【００４８】上記の装置においては、ハンドル３１ａを
正方向または逆方向に回転させることにより、ステージ
３２が昇降する。このようなステージ３２の昇降に伴っ
てローラ３５と液晶セル１との接触度が変化するので、
液晶セル１にかかる圧力を最適に調整することができ
る。
正方向または逆方向に回転させることにより、ステージ
３２が昇降する。このようなステージ３２の昇降に伴っ
てローラ３５と液晶セル１との接触度が変化するので、
液晶セル１にかかる圧力を最適に調整することができ
る。
【００４９】上記のように、ラビングによる配向が施さ
れた液晶セル１に対し、加熱および加圧による再配向を
施すことにより、Ｃ２配向を容易かつ確実に得ることが
できる。さらに、後述の実施例において説明するよう
に、加圧部分の移動方向や加熱温度を最適に調整するこ
とにより、液晶セル１の全体にわたってＣ２配向を得る
ことができ、欠陥のない液晶表示素子を得ることができ
る。
れた液晶セル１に対し、加熱および加圧による再配向を
施すことにより、Ｃ２配向を容易かつ確実に得ることが
できる。さらに、後述の実施例において説明するよう
に、加圧部分の移動方向や加熱温度を最適に調整するこ
とにより、液晶セル１の全体にわたってＣ２配向を得る
ことができ、欠陥のない液晶表示素子を得ることができ
る。
【００５０】なお、強誘電相が反強誘電相より高温側に
現れるので、強誘電相において配向をＣ２配向に統一す
ることにより、温度が低下して液晶相が反強誘電相に至
っても、Ｃ２配向の統一状態を維持することができる。
したがって、反強誘電性液晶についても、上記のように
強誘電性液晶を用いた場合と同様に、液晶セルの全面に
わたってＣ２配向を出現させることができる。
現れるので、強誘電相において配向をＣ２配向に統一す
ることにより、温度が低下して液晶相が反強誘電相に至
っても、Ｃ２配向の統一状態を維持することができる。
したがって、反強誘電性液晶についても、上記のように
強誘電性液晶を用いた場合と同様に、液晶セルの全面に
わたってＣ２配向を出現させることができる。
【００５１】続いて、本実施の形態をさらに詳細に説明
する。
する。
【００５２】
【実施例】 〔実施例１〕本実施例で用いる液晶セル１は、次のよう
にして作製される。
にして作製される。
【００５３】まず、一対のガラス基板２・３に、それぞ
れ電極膜４・６を１０００Åの厚さに形成し、電極膜４
・６の上にそれぞれ絶縁膜５・７を１２００Åの厚さに
形成する。絶縁膜５・７の形成においては、ＳｉＯ2 系
の材料であるＡ一２０１４（日産化学工業株式会社製）
の溶液の皮膜をスピンコーティングにより電極膜４・６
上にそれぞれ形成した後、その皮膜を２００℃で９０分
焼成する。
れ電極膜４・６を１０００Åの厚さに形成し、電極膜４
・６の上にそれぞれ絶縁膜５・７を１２００Åの厚さに
形成する。絶縁膜５・７の形成においては、ＳｉＯ2 系
の材料であるＡ一２０１４（日産化学工業株式会社製）
の溶液の皮膜をスピンコーティングにより電極膜４・６
上にそれぞれ形成した後、その皮膜を２００℃で９０分
焼成する。
【００５４】次に、絶縁膜５・７のそれぞれの上に、配
向膜８・９を４９０Åの厚さに形成する。配向膜８・９
の形成においては、ポリアミドカルボン酸であるＳＥ一
７７９２（日産化学工業株式会社製）の溶液の皮膜をス
ピンコーティングにより絶縁膜５・７上にそれぞれ形成
した後、その皮膜を１８０℃で９０分焼成する。このよ
うにして、電極基板１０・１１が得られる。
向膜８・９を４９０Åの厚さに形成する。配向膜８・９
の形成においては、ポリアミドカルボン酸であるＳＥ一
７７９２（日産化学工業株式会社製）の溶液の皮膜をス
ピンコーティングにより絶縁膜５・７上にそれぞれ形成
した後、その皮膜を１８０℃で９０分焼成する。このよ
うにして、電極基板１０・１１が得られる。
【００５５】続いて、電極基板１０・１１に次の条件で
ラビング処理を施す。
ラビング処理を施す。
【００５６】ラビングローラの直径：１５０ｍｍ ラビングローラの回転数：５００ｒｐｍ ステージの送り速度：１０ｍｍ／ｓ 繰り返し回数：３回 布の押し込み量：０．２ｍｍ さらに、電極基板１０・１１を、それぞれのラビング方
向が同一になるよう貼り合わせ、電極基板１０・１１と
前記のシール剤とで形成される空間に液晶１２を注入す
ることにより、図２に示す液晶セル１（パラレルラビン
グセル）が作製される。この液晶セル１のセルギャップ
は、１．０〜１．５μｍに設定されている。そして、こ
の液晶セル１に注入される液晶１２としては、 という相転移温度を示す強誘電性液晶材料（以降単に、
液晶材料と称する）を用いる。
向が同一になるよう貼り合わせ、電極基板１０・１１と
前記のシール剤とで形成される空間に液晶１２を注入す
ることにより、図２に示す液晶セル１（パラレルラビン
グセル）が作製される。この液晶セル１のセルギャップ
は、１．０〜１．５μｍに設定されている。そして、こ
の液晶セル１に注入される液晶１２としては、 という相転移温度を示す強誘電性液晶材料（以降単に、
液晶材料と称する）を用いる。
【００５７】上記の液晶セル１を前述の装置におけるラ
バーヒータ３４上に固定し、液晶セル１をラバーヒータ
３４により液晶１２の温度が７０℃になるように加熱す
る。
バーヒータ３４上に固定し、液晶セル１をラバーヒータ
３４により液晶１２の温度が７０℃になるように加熱す
る。
【００５８】そして、Ｚステージ３１の高さを調整して
液晶セル１にローラ３５により配向が壊れない程度の圧
力を加える。加圧を終えると同時に加熱を停止し、液晶
セル１を徐冷する。なお、本実施例では、液晶セル１の
特定の部分のみ加圧し、加圧部分を移動させないように
した。
液晶セル１にローラ３５により配向が壊れない程度の圧
力を加える。加圧を終えると同時に加熱を停止し、液晶
セル１を徐冷する。なお、本実施例では、液晶セル１の
特定の部分のみ加圧し、加圧部分を移動させないように
した。
【００５９】この結果、液晶１２における加圧部分にＣ
２配向が形成された。
２配向が形成された。
【００６０】〔実施例２〕本実施例では、実施例１と同
様にして液晶セル１に熱および圧力を加え、さらに、Ｚ
ステージ３１、ステージ３２およびラバーヒータ３４と
ともに液晶セル１を図３に示すラビング方向に３ｍｍ／
ｓの速度で移動させる。このときの加圧部分の移動方向
は、ラビング方向と逆になる。
様にして液晶セル１に熱および圧力を加え、さらに、Ｚ
ステージ３１、ステージ３２およびラバーヒータ３４と
ともに液晶セル１を図３に示すラビング方向に３ｍｍ／
ｓの速度で移動させる。このときの加圧部分の移動方向
は、ラビング方向と逆になる。
【００６１】この結果、液晶セル１における加圧部分全
体に欠陥のないＣ２配向が現れた。
体に欠陥のないＣ２配向が現れた。
【００６２】〔実施例３〕本実施例では、実施例１と同
様にして液晶セル１に熱および圧力を加え、さらに、液
晶セル１を図３の装置を用いて実施例２と同様に移動さ
せるが、液晶セル１の移動方向が実施例２と異なってい
る。
様にして液晶セル１に熱および圧力を加え、さらに、液
晶セル１を図３の装置を用いて実施例２と同様に移動さ
せるが、液晶セル１の移動方向が実施例２と異なってい
る。
【００６３】まず、加圧部分がラビング方向に移動する
ように、実施例２と逆方向に液晶セル１を移動させる場
合、液晶セル１における加圧部分の９５％にＣ２配向が
形成される。また、加圧部分がラビング方向に対し水平
面内で垂直になる２方向に移動するように液晶セル１を
移動させる場合、両方向についても、やはり、液晶セル
１における加圧部分の９５％にＣ２配向が形成される。
ように、実施例２と逆方向に液晶セル１を移動させる場
合、液晶セル１における加圧部分の９５％にＣ２配向が
形成される。また、加圧部分がラビング方向に対し水平
面内で垂直になる２方向に移動するように液晶セル１を
移動させる場合、両方向についても、やはり、液晶セル
１における加圧部分の９５％にＣ２配向が形成される。
【００６４】実施例２および本実施例の結果から、加圧
部分の移動方向がラビング方向と逆であることが最も好
ましいことが判る。
部分の移動方向がラビング方向と逆であることが最も好
ましいことが判る。
【００６５】〔実施例４〕本実施例では、液晶セル１の
加熱温度を変えて、その他は実施例２と同様にして加圧
処理を行う。
加熱温度を変えて、その他は実施例２と同様にして加圧
処理を行う。
【００６６】この結果、液晶セル１のＣ２配向出現率
は、表１および図６に示すように液晶１２の温度変化に
応じて変化する。ここで、図６で示すＴp は、実施例１
で用いた液晶材料がＳｍＡ相からＳｍＣ* 相へ転移する
ときの液晶１２の温度である。
は、表１および図６に示すように液晶１２の温度変化に
応じて変化する。ここで、図６で示すＴp は、実施例１
で用いた液晶材料がＳｍＡ相からＳｍＣ* 相へ転移する
ときの液晶１２の温度である。
【００６７】
【表１】
【００６８】このことから、液晶１２の温度がＴp （７
８℃）からＴp より１０℃低い温度（６８℃）までの範
囲内の温度になるように液晶セル１を加熱することによ
り、１００％またはほぼそれに近い率でＣ２配向を得る
ことができる。
８℃）からＴp より１０℃低い温度（６８℃）までの範
囲内の温度になるように液晶セル１を加熱することによ
り、１００％またはほぼそれに近い率でＣ２配向を得る
ことができる。
【００６９】〔実施例５〕本実施例で用いる液晶セル１
は、前述のようにして作製されており、液晶１２とし
て、 という相転移温度を示す液晶材料が注入されている。
は、前述のようにして作製されており、液晶１２とし
て、 という相転移温度を示す液晶材料が注入されている。
【００７０】このようにして作製された液晶セル１に対
し、液晶セル１の加熱温度を変えて、その他は実施例２
と同様にして加圧処理を行う。
し、液晶セル１の加熱温度を変えて、その他は実施例２
と同様にして加圧処理を行う。
【００７１】この結果、液晶セル１のＣ２配向出現率
は、表２および図７に示すように液晶１２の温度変化に
応じて変化する。したがって、液晶１２の温度がＴ
p （６９℃）からＴp より１０℃低い温度（５９℃）ま
での範囲の温度になるように液晶セル１を加熱すること
により、１００％またはほぼそれに近い率でＣ２配向を
得ることができる。
は、表２および図７に示すように液晶１２の温度変化に
応じて変化する。したがって、液晶１２の温度がＴ
p （６９℃）からＴp より１０℃低い温度（５９℃）ま
での範囲の温度になるように液晶セル１を加熱すること
により、１００％またはほぼそれに近い率でＣ２配向を
得ることができる。
【００７２】
【表２】
【００７３】したがって、本液晶材料についても、上記
の温度範囲で液晶セル１における加圧部分全体に欠陥の
ないＣ２配向が形成される。
の温度範囲で液晶セル１における加圧部分全体に欠陥の
ないＣ２配向が形成される。
【００７４】以上のように、加熱および加圧を同時に行
うことにより、各実施例の液晶セル１の液晶材料によら
ずＣ２配向が確実に出現することが判る。
うことにより、各実施例の液晶セル１の液晶材料によら
ずＣ２配向が確実に出現することが判る。
【００７５】〔比較例１〕本比較例では、実施例１で用
いた液晶セル１を加圧せずに等方相まで加熱した後に徐
冷するが、この液晶セル１にはＣ１配向は出現するがＣ
２配向は出現しない。
いた液晶セル１を加圧せずに等方相まで加熱した後に徐
冷するが、この液晶セル１にはＣ１配向は出現するがＣ
２配向は出現しない。
【００７６】〔比較例２〕本比較例では、実施例５で用
いた液晶セル１に比較例１と同様な処理を施すが、やは
り、この液晶セル１にもＣ２配向は出現しない。
いた液晶セル１に比較例１と同様な処理を施すが、やは
り、この液晶セル１にもＣ２配向は出現しない。
【００７７】〔実施例６〕本実施例で用いる液晶セル１
は、絶縁膜５・７および配向膜８・９の材料が実施例１
で用いた液晶セル１と異なっており、次のようにして作
製される。
は、絶縁膜５・７および配向膜８・９の材料が実施例１
で用いた液晶セル１と異なっており、次のようにして作
製される。
【００７８】まず、一対のガラス基板２・３に、それぞ
れ電極膜４と電極膜６を１０００Åの厚さに形成し、電
極膜４と電極膜６の上に絶縁膜５・７を１２００Åの厚
さに形成する。絶縁膜５・７の形成においては、ＳｉＯ
2 であるＯＣＤ（東京応化工業株式会社製）の溶液の皮
膜をスピンコーティングにより形成した後、その皮膜を
４５０℃で９０分焼成する。
れ電極膜４と電極膜６を１０００Åの厚さに形成し、電
極膜４と電極膜６の上に絶縁膜５・７を１２００Åの厚
さに形成する。絶縁膜５・７の形成においては、ＳｉＯ
2 であるＯＣＤ（東京応化工業株式会社製）の溶液の皮
膜をスピンコーティングにより形成した後、その皮膜を
４５０℃で９０分焼成する。
【００７９】次に、絶縁膜５・７のそれぞれの上に、配
向膜８・９を５００Åの厚さに形成する。配向膜８・９
の形成においては、ポリアミドカルボン酸であるＸ００
７（チッソ石油株式会社製）の溶液の皮膜をスピンコー
ティングにより形成した後、その皮膜を２００℃で９０
分焼成する。このようにして、電極基板１０・１１が得
られる。
向膜８・９を５００Åの厚さに形成する。配向膜８・９
の形成においては、ポリアミドカルボン酸であるＸ００
７（チッソ石油株式会社製）の溶液の皮膜をスピンコー
ティングにより形成した後、その皮膜を２００℃で９０
分焼成する。このようにして、電極基板１０・１１が得
られる。
【００８０】続いて、電極基板１０・１１に次の条件で
ラビング処理を施す。
ラビング処理を施す。
【００８１】ラビングローラの直径：１５０ｍｍ ラビングローラの回転数：５００ｒｐｍ ステージの送り速度：１０ｍｍ／ｓ 繰り返し回数：３回 布の押し込み量：０．２ｍｍ さらに、電極基板１０・１１を、それぞれのラビング方
向が同一になるよう貼り合わせることにより、図２に示
す液晶セル１（パラレルラビングセル）が作製される。
この液晶セル１のセルギャップは、１．０〜１．５μｍ
に設定されている。そして、この液晶セル１の電極基板
１０・１１間に、液晶１２として、 という相転移温度を示す液晶材料を注入する。
向が同一になるよう貼り合わせることにより、図２に示
す液晶セル１（パラレルラビングセル）が作製される。
この液晶セル１のセルギャップは、１．０〜１．５μｍ
に設定されている。そして、この液晶セル１の電極基板
１０・１１間に、液晶１２として、 という相転移温度を示す液晶材料を注入する。
【００８２】上記のようにして作製される液晶セル１に
対し、液晶セル１の加熱温度を６２℃に設定し、その他
は実施例２と同様にして加圧処理を行った。
対し、液晶セル１の加熱温度を６２℃に設定し、その他
は実施例２と同様にして加圧処理を行った。
【００８３】この結果、上記の液晶材料についても、液
晶セル１における加圧部分全体に欠陥のないＣ２配向が
現れた。
晶セル１における加圧部分全体に欠陥のないＣ２配向が
現れた。
【００８４】以上のように、加熱および加圧を同時に行
うことにより、各実施例の液晶セル１に液晶材料だけで
なく絶縁膜および配向膜によらずＣ２配向が確実に出現
することが判る。
うことにより、各実施例の液晶セル１に液晶材料だけで
なく絶縁膜および配向膜によらずＣ２配向が確実に出現
することが判る。
【００８５】〔比較例３〕本比較例では、実施例６で用
いた液晶セル１に比較例１と同様な処理を施すが、やは
り、この液晶セル１にもＣ２配向は出現しない。
いた液晶セル１に比較例１と同様な処理を施すが、やは
り、この液晶セル１にもＣ２配向は出現しない。
【００８６】
【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１に記載
の液晶配向方法は、対向する表面にそれぞれ配向膜が形
成された一対の透光性基板の間に液晶材料が封入されて
なる液晶表示素子における上記液晶材料を加熱しながら
局所的に加圧する工程を有する方法である。
の液晶配向方法は、対向する表面にそれぞれ配向膜が形
成された一対の透光性基板の間に液晶材料が封入されて
なる液晶表示素子における上記液晶材料を加熱しながら
局所的に加圧する工程を有する方法である。
【００８７】このように、液晶材料に対し加熱と同時に
加圧する処理を施すことにより、これらの処理後に徐冷
された液晶表示素子においては、液晶材料の加圧された
部分にＣ２配向が出現する。それゆえ、液晶表示素子に
おいて液晶材料や配向膜材料の種類によらずＣ２配向を
簡易かつ確実に出現させることができるという効果を奏
する。
加圧する処理を施すことにより、これらの処理後に徐冷
された液晶表示素子においては、液晶材料の加圧された
部分にＣ２配向が出現する。それゆえ、液晶表示素子に
おいて液晶材料や配向膜材料の種類によらずＣ２配向を
簡易かつ確実に出現させることができるという効果を奏
する。
【００８８】本発明の請求項２に記載の液晶配向方法
は、上記請求項１に記載の液晶配向方法において、液晶
材料における加圧部分を移動させるので、その移動範囲
にＣ２配向を出現させることができる。それゆえ、液晶
表示素子の表示品位を向上させることができるという効
果を奏する。
は、上記請求項１に記載の液晶配向方法において、液晶
材料における加圧部分を移動させるので、その移動範囲
にＣ２配向を出現させることができる。それゆえ、液晶
表示素子の表示品位を向上させることができるという効
果を奏する。
【００８９】また、本発明の請求項３または５に記載の
液晶配向方法は、上記請求項２に記載の液晶配向方法に
おいて、上記加圧部分を上記配向膜に施された配向処理
の方向と同方向または逆方向に移動させるので、特定の
加熱温度下でいずれも高率でＣ２配向を得ることができ
る。それゆえ、加圧部分の移動方向をこのように特定す
ることにより、液晶表示素子の表示品位をより高めるこ
とができるという効果を奏する。上記の２つの移動方向
について比較すると、同一の加熱温度下でのＣ２配向の
出現率は、配向処理の方向と逆方向である方がより高
く、好ましい。
液晶配向方法は、上記請求項２に記載の液晶配向方法に
おいて、上記加圧部分を上記配向膜に施された配向処理
の方向と同方向または逆方向に移動させるので、特定の
加熱温度下でいずれも高率でＣ２配向を得ることができ
る。それゆえ、加圧部分の移動方向をこのように特定す
ることにより、液晶表示素子の表示品位をより高めるこ
とができるという効果を奏する。上記の２つの移動方向
について比較すると、同一の加熱温度下でのＣ２配向の
出現率は、配向処理の方向と逆方向である方がより高
く、好ましい。
【００９０】本発明の請求項４または６に記載の液晶配
向方法は、上記請求項１、２、３または５に記載の液晶
配向方法において、液晶材料が強誘電性を示すので、Ｃ
２配向を確実に含む強誘電性液晶表示素子を得ることが
できる。それゆえ、表示品位の安定した強誘電性液晶表
示素子を提供することができるという効果を奏する。
向方法は、上記請求項１、２、３または５に記載の液晶
配向方法において、液晶材料が強誘電性を示すので、Ｃ
２配向を確実に含む強誘電性液晶表示素子を得ることが
できる。それゆえ、表示品位の安定した強誘電性液晶表
示素子を提供することができるという効果を奏する。
【００９１】本発明の請求項７に記載の液晶配向方法
は、上記請求項６に記載の液晶配向方法において、上記
液晶材料としてＳｍＣ* 相を示すＳｍＣ* 相液晶材料を
用い、このＳｍＣ* 相液晶材料が降温過程においてＳｍ
Ａ相からＳｍＣ* 相に転移する相転移温度より１０℃低
い温度から上記相転移温度までの温度範囲内で上記Ｓｍ
Ｃ* 相液晶材料を加熱するので、Ｃ２配向の出現率を１
００％またはほぼそれに近い値にすることができる。そ
れゆえ、極めて表示品位の高い液晶表示素子を提供する
ことができるという効果を奏する。
は、上記請求項６に記載の液晶配向方法において、上記
液晶材料としてＳｍＣ* 相を示すＳｍＣ* 相液晶材料を
用い、このＳｍＣ* 相液晶材料が降温過程においてＳｍ
Ａ相からＳｍＣ* 相に転移する相転移温度より１０℃低
い温度から上記相転移温度までの温度範囲内で上記Ｓｍ
Ｃ* 相液晶材料を加熱するので、Ｃ２配向の出現率を１
００％またはほぼそれに近い値にすることができる。そ
れゆえ、極めて表示品位の高い液晶表示素子を提供する
ことができるという効果を奏する。
【００９２】本発明の請求項８に記載の液晶配向装置
は、対向する表面にそれぞれ配向膜が形成された一対の
透光性基板の間に液晶材料が封入されてなる液晶表示素
子における上記液晶材料を加熱する加熱手段と、この加
熱手段による加熱下にある上記液晶材料を局所的に加圧
する加圧手段とを備えている構成である。
は、対向する表面にそれぞれ配向膜が形成された一対の
透光性基板の間に液晶材料が封入されてなる液晶表示素
子における上記液晶材料を加熱する加熱手段と、この加
熱手段による加熱下にある上記液晶材料を局所的に加圧
する加圧手段とを備えている構成である。
【００９３】これにより、加熱手段および加圧手段によ
る処理後に徐冷された液晶表示素子においては、液晶材
料の加圧された部分にＣ２配向が出現する。それゆえ、
液晶表示素子において液晶材料や配向膜材料の種類によ
らずＣ２配向を簡易かつ確実に出現させることができる
という効果を奏する。
る処理後に徐冷された液晶表示素子においては、液晶材
料の加圧された部分にＣ２配向が出現する。それゆえ、
液晶表示素子において液晶材料や配向膜材料の種類によ
らずＣ２配向を簡易かつ確実に出現させることができる
という効果を奏する。
【００９４】また、本発明の請求項９に記載の液晶配向
装置は、上記請求項８に記載の液晶配向装置において、
加圧部分を移動させる移動手段をさらに備えているの
で、移動手段により加圧部分を移動させた範囲にＣ２配
向を出現させることができる。それゆえ、液晶表示素子
の表示品位を向上させることができるという効果を奏す
る。
装置は、上記請求項８に記載の液晶配向装置において、
加圧部分を移動させる移動手段をさらに備えているの
で、移動手段により加圧部分を移動させた範囲にＣ２配
向を出現させることができる。それゆえ、液晶表示素子
の表示品位を向上させることができるという効果を奏す
る。
【００９５】本発明の請求項１０または１１に記載の液
晶配向装置は、上記請求項９に記載の液晶配向装置にお
いて、上記移動手段が、加圧部分を配向膜に施された配
向処理の方向と同方向または逆方向に移動させるので、
特定の加熱温度下でいずれも高率でＣ２配向を得ること
ができる。それゆえ、加圧部分の移動方向を上記のよう
に特定することにより、液晶表示素子の表示品位をより
高めることができるという効果を奏する。特に、前述の
ように、同一の加熱温度下では加圧部分を配向処理の方
向と逆方向に移動させる場合の方がより高率でＣ２配向
を得ることができる。したがって、請求項１１に記載の
液晶配向装置を採用すれば、表示品位のより高い液晶表
示素子を提供することができる。
晶配向装置は、上記請求項９に記載の液晶配向装置にお
いて、上記移動手段が、加圧部分を配向膜に施された配
向処理の方向と同方向または逆方向に移動させるので、
特定の加熱温度下でいずれも高率でＣ２配向を得ること
ができる。それゆえ、加圧部分の移動方向を上記のよう
に特定することにより、液晶表示素子の表示品位をより
高めることができるという効果を奏する。特に、前述の
ように、同一の加熱温度下では加圧部分を配向処理の方
向と逆方向に移動させる場合の方がより高率でＣ２配向
を得ることができる。したがって、請求項１１に記載の
液晶配向装置を採用すれば、表示品位のより高い液晶表
示素子を提供することができる。
【００９６】本発明の請求項１２に記載の液晶配向装置
は、上記請求項１１に記載の液晶配向装置において、上
記加熱手段が、上記液晶材料として用いられるＳｍＣ*
相を示すＳｍＣ* 相液晶材料が降温過程においてＳｍＡ
相からＳｍＣ* 相に転移する相転移温度より１０℃低い
温度から上記相転移温度までの温度範囲内で上記ＳｍＣ
* 相液晶材料を加熱するようになっているので、液晶材
料に１００％またはほぼそれに近い値でＣ２配向を出現
させることができる。それゆえ、極めて表示品位の高い
液晶表示素子を提供することができるという効果を奏す
る。
は、上記請求項１１に記載の液晶配向装置において、上
記加熱手段が、上記液晶材料として用いられるＳｍＣ*
相を示すＳｍＣ* 相液晶材料が降温過程においてＳｍＡ
相からＳｍＣ* 相に転移する相転移温度より１０℃低い
温度から上記相転移温度までの温度範囲内で上記ＳｍＣ
* 相液晶材料を加熱するようになっているので、液晶材
料に１００％またはほぼそれに近い値でＣ２配向を出現
させることができる。それゆえ、極めて表示品位の高い
液晶表示素子を提供することができるという効果を奏す
る。
【００９７】本発明の請求項１３に記載の液晶表示素子
は、対向する表面にそれぞれ配向膜が形成された一対の
透光性基板の間に、加熱しながら局所的に加圧する処理
が施されている液晶材料が封入されている構成である。
は、対向する表面にそれぞれ配向膜が形成された一対の
透光性基板の間に、加熱しながら局所的に加圧する処理
が施されている液晶材料が封入されている構成である。
【００９８】これにより、液晶表示素子は、加圧された
部分にＣ２配向が形成された液晶材料を有するようにな
る。それゆえ、液晶表示素子において液晶材料や配向膜
材料の種類によらずＣ２配向を簡易かつ確実に出現させ
ることができるという効果を奏する。
部分にＣ２配向が形成された液晶材料を有するようにな
る。それゆえ、液晶表示素子において液晶材料や配向膜
材料の種類によらずＣ２配向を簡易かつ確実に出現させ
ることができるという効果を奏する。
【００９９】また、本発明の請求項１４に記載の液晶表
示素子は、上記請求項１３に記載の液晶表示素子におい
て、上記の処理が加圧部分の移動を伴うので、その液晶
材料の加圧部分が移動した範囲にＣ２配向が出現する。
それゆえ、液晶表示素子の表示品位を向上させることが
できるという効果を奏する。
示素子は、上記請求項１３に記載の液晶表示素子におい
て、上記の処理が加圧部分の移動を伴うので、その液晶
材料の加圧部分が移動した範囲にＣ２配向が出現する。
それゆえ、液晶表示素子の表示品位を向上させることが
できるという効果を奏する。
【０１００】本発明の請求項１５または１７に記載の液
晶表示素子は、上記請求項１４に記載の液晶表示素子に
おける液晶材料が、配向膜に施された配向処理の方向と
一致する方向または逆の方向への加圧部分の移動を伴う
処理が施されているので、Ｃ２配向を特定の加熱温度下
でいずれも高率で出現させることができる。それゆえ、
加圧部分の移動方向が上記のように特定された処理によ
り、液晶表示素子の表示品位をより高めることができる
という効果を奏する。特に、配向処理の方向に対し逆方
向への加圧部分の移動を伴う処理の方がより高率でＣ２
配向を出現させることができる。
晶表示素子は、上記請求項１４に記載の液晶表示素子に
おける液晶材料が、配向膜に施された配向処理の方向と
一致する方向または逆の方向への加圧部分の移動を伴う
処理が施されているので、Ｃ２配向を特定の加熱温度下
でいずれも高率で出現させることができる。それゆえ、
加圧部分の移動方向が上記のように特定された処理によ
り、液晶表示素子の表示品位をより高めることができる
という効果を奏する。特に、配向処理の方向に対し逆方
向への加圧部分の移動を伴う処理の方がより高率でＣ２
配向を出現させることができる。
【０１０１】また、本発明の請求項１６または１８に記
載の液晶表示素子は、上記請求項１３、１４、１５また
は１７に記載の液晶表示素子において、液晶材料が強誘
電性を示すので、Ｃ２配向を確実に含む強誘電性液晶表
示素子を得ることができる。それゆえ、表示品位の安定
した強誘電性液晶表示素子を提供することができるとい
う効果を奏する。
載の液晶表示素子は、上記請求項１３、１４、１５また
は１７に記載の液晶表示素子において、液晶材料が強誘
電性を示すので、Ｃ２配向を確実に含む強誘電性液晶表
示素子を得ることができる。それゆえ、表示品位の安定
した強誘電性液晶表示素子を提供することができるとい
う効果を奏する。
【０１０２】本発明の請求項１９に記載の液晶表示素子
は、上記請求項１８に記載の液晶表示素子において、上
記液晶材料がＳｍＣ* 相を示す一方、この液晶材料が降
温過程においてＳｍＡ相からＳｍＣ* 相に転移する相転
移温度より１０℃低い温度から上記相転移温度までの温
度範囲内の加熱処理が上記液晶材料に施されているの
で、Ｃ２配向の出現率が１００％またはほぼそれに近い
値になる。それゆえ、極めて表示品位の高い液晶表示素
子を提供することができるという効果を奏する。
は、上記請求項１８に記載の液晶表示素子において、上
記液晶材料がＳｍＣ* 相を示す一方、この液晶材料が降
温過程においてＳｍＡ相からＳｍＣ* 相に転移する相転
移温度より１０℃低い温度から上記相転移温度までの温
度範囲内の加熱処理が上記液晶材料に施されているの
で、Ｃ２配向の出現率が１００％またはほぼそれに近い
値になる。それゆえ、極めて表示品位の高い液晶表示素
子を提供することができるという効果を奏する。
【図１】本発明の実施の一形態に係る液晶配向方法を説
明するための一構成を示す正面図である。
明するための一構成を示す正面図である。
【図２】上記液晶配向方法により配向される液晶セルの
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図３】上記液晶配向方法を実現するための装置の概略
構成を示す正面図である。
構成を示す正面図である。
【図４】上記装置において上記液晶セルを加圧するロー
ラを冷却する冷却方法を示す斜視図である。
ラを冷却する冷却方法を示す斜視図である。
【図５】上記装置において上記ローラを冷却する他の冷
却方法を示す斜視図である。
却方法を示す斜視図である。
【図６】上記液晶配向方法を具体化した第４の実施例に
おける測定結果であって、液晶の温度に対するＣ２配向
出現率の変化を示すグラフである。
おける測定結果であって、液晶の温度に対するＣ２配向
出現率の変化を示すグラフである。
【図７】上記液晶配向方法を具体化した第５の実施例に
おける測定結果であって、液晶の温度に対するＣ２配向
出現率の変化を示すグラフである。
おける測定結果であって、液晶の温度に対するＣ２配向
出現率の変化を示すグラフである。
【図８】強誘電性液晶の研究初期に考えられていた表面
安定強誘電性液晶セルにおける強誘電性液晶の層構造を
示す断面図である。
安定強誘電性液晶セルにおける強誘電性液晶の層構造を
示す断面図である。
【図９】表面安定強誘電性液晶セルにおける強誘電性液
晶の実際の層構造を示す断面図である。
晶の実際の層構造を示す断面図である。
【図１０】Ｃ１配向とＣ２配向とが混在する表面安定強
誘電性液晶セルを示す断面図である。
誘電性液晶セルを示す断面図である。
１ 液晶セル（液晶表示素子） ２・３ ガラス基板（透光性基板） ８・９ 配向膜 １２ 液晶（液晶材料） ２１ ホットプレート（加熱手段） ２２ ローラ（加圧手段） ３３ 移動装置（移動手段） ３４ ラバーヒータ（加熱手段） ３５ ローラ（加圧手段）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 390040604 イギリス国 ＴＨＥ ＳＥＣＲＥＴＡＲＹ ＯＦ ＳＴ ＡＴＥ ＦＯＲ ＤＥＦＥＮＣＥ ＩＮ ＨＥＲ ＢＲＩＴＡＮＮＩＣ ＭＡＪＥＳ ＴＹ’Ｓ ＧＯＶＥＲＮＭＥＮＴ ＯＦ ＴＨＥ ＵＮＥＴＥＤ ＫＩＮＧＤＯＭ ＯＦ ＧＲＥＡＴ ＢＲＩＴＡＩＮ ＡＮ Ｄ ＮＯＲＴＨＥＲＮ ＩＲＥＬＡＮＤ イギリス国 ハンプシャー ジーユー14 ０エルエックス ファーンボロー アイヴ ェリー ロード（番地なし） ディフェン ス エヴァリュエイション アンド リサ ーチ エージェンシー (72)発明者 加邉 正章 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 金子 毅 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 向殿 充浩 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 繁田 光浩 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 伊藤 信行 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (19)
- 【請求項１】対向する表面にそれぞれ配向膜が形成され
た一対の透光性基板の間に液晶材料が封入されてなる液
晶表示素子における上記液晶材料を配向する液晶配向方
法であって、 上記液晶材料を加熱しながら局所的に加圧することを特
徴とする液晶配向方法。 - 【請求項２】上記液晶材料における加圧部分を移動させ
ることを特徴とする請求項１に記載の液晶配向方法。 - 【請求項３】上記加圧部分を上記配向膜に施された配向
処理の方向と同方向に移動させることを特徴とする請求
項２に記載の液晶配向方法。 - 【請求項４】上記液晶材料が強誘電性を示すことを特徴
とする請求項１ないし３のいずれかに記載の液晶配向方
法。 - 【請求項５】上記加圧部分を上記配向膜に施された配向
処理の方向と逆方向に移動させることを特徴とする請求
項２に記載の液晶配向方法。 - 【請求項６】上記液晶材料が強誘電性を示すことを特徴
とする請求項５に記載の液晶配向方法。 - 【請求項７】上記液晶材料としてＳｍＣ* 相を示すＳｍ
Ｃ* 相液晶材料を用い、このＳｍＣ* 相液晶材料が降温
過程においてＳｍＡ相からＳｍＣ* 相に転移する相転移
温度より１０℃低い温度から上記相転移温度までの温度
範囲内で上記ＳｍＣ* 相液晶材料を加熱することを特徴
とする請求項６に記載の液晶配向方法。 - 【請求項８】対向する表面にそれぞれ配向膜が形成され
た一対の透光性基板の間に液晶材料が封入されてなる液
晶表示素子における上記液晶材料を配向する液晶配向装
置であって、 上記液晶材料を加熱する加熱手段と、 上記加熱手段による加熱下にある上記液晶材料を局所的
に加圧する加圧手段とを備えていることを特徴とする液
晶配向装置。 - 【請求項９】上記液晶材料における加圧部分を移動させ
る移動手段をさらに備えていることを特徴とする請求項
８に記載の液晶配向装置。 - 【請求項１０】上記移動手段が、上記加圧部分を上記配
向膜に施された配向処理の方向と同方向に移動させるこ
とを特徴とする請求項９に記載の液晶配向装置。 - 【請求項１１】上記移動手段が、上記加圧部分を上記配
向膜に施された配向処理の方向と逆方向に移動させるこ
とを特徴とする請求項９に記載の液晶配向装置。 - 【請求項１２】上記加熱手段が、上記液晶材料として用
いられたＳｍＣ* 相を示すＳｍＣ* 相液晶材料が降温過
程においてＳｍＡ相からＳｍＣ* 相に転移する相転移温
度より１０℃低い温度から上記相転移温度までの温度範
囲内に上記ＳｍＣ* 相液晶材料を加熱するように加熱温
度を設定しうることを特徴とする請求項１１に記載の液
晶配向装置。 - 【請求項１３】対向する表面にそれぞれ配向膜が形成さ
れた一対の透光性基板の間に液晶材料が封入されてなる
液晶表示素子であって、 加熱しながら局所的に加圧する処理が上記液晶材料に施
されていることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項１４】上記処理が上記液晶材料における加圧部
分の移動を伴うことを特徴とする請求項１３に記載の液
晶表示素子。 - 【請求項１５】上記加圧部分の移動方向が上記配向膜に
施された配向処理の方向に一致することを特徴とする請
求項１４に記載の液晶表示素子。 - 【請求項１６】上記液晶材料が強誘電性を示すことを特
徴とする請求項１３ないし１５のいずれかに記載の液晶
表示素子。 - 【請求項１７】上記加圧部分の移動方向が上記配向膜に
施された配向処理の方向と逆であることを特徴とする請
求項１４に記載の液晶表示素子。 - 【請求項１８】上記液晶材料が強誘電性を示すことを特
徴とする請求項１７に記載の液晶表示素子。 - 【請求項１９】上記液晶材料がＳｍＣ* 相を示す一方、
この液晶材料が降温過程においてＳｍＡ相からＳｍＣ*
相に転移する相転移温度より１０℃低い温度から上記相
転移温度までの温度範囲内に上記処理における加熱温度
が設定されていることを特徴とする請求項１８に記載の
液晶表示素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8180885A JPH1026761A (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | 液晶の配向方法および配向装置ならびに液晶表示素子 |
| US08/842,245 US6295112B1 (en) | 1996-07-10 | 1997-04-23 | Method for aligning liquid crystals, alignment device and liquid crystal display element |
| EP97302940A EP0818705A3 (en) | 1996-07-10 | 1997-04-30 | Method and device for aligning liquid crystals and liquid crystal display element |
| KR1019970017182A KR100228244B1 (ko) | 1996-07-10 | 1997-05-03 | 액정의 배향 방법, 배향 장치 및 액정 표시 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8180885A JPH1026761A (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | 液晶の配向方法および配向装置ならびに液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1026761A true JPH1026761A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=16091045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8180885A Pending JPH1026761A (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | 液晶の配向方法および配向装置ならびに液晶表示素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
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