JPH10268096A - 光学装置及び粒子線装置 - Google Patents

光学装置及び粒子線装置

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JPH10268096A
JPH10268096A JP9300741A JP30074197A JPH10268096A JP H10268096 A JPH10268096 A JP H10268096A JP 9300741 A JP9300741 A JP 9300741A JP 30074197 A JP30074197 A JP 30074197A JP H10268096 A JPH10268096 A JP H10268096A
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  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 粒子線に影響を与えるための電界装置を備え
た光学装置及びそのような光学装置を備えた粒子線装置
を提供することを目的とする。 【解決手段】 光学装置は粒子線(6) に影響を与えるた
めの電界装置(1) を備え、この電界装置は少なくとも１
つの第１の電極(2) 及び少なくとも１つの第２の電極
(3) よりなる。これらの電極は、粒子線(6) 方向に互い
に前後に配置され、各々或る電位が印加され、粒子線の
ための通路を有する高抵抗体(4) に電気的に接触してい
る。光学装置は更に、電界装置の領域に配置され粒子線
に影響を与えるための更なる構成要素(210-217) を有す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、粒子線に影響を与
えるための光学装置に関する。本発明は更にそのような
光学装置を備えた粒子線装置を意図している。
【０００２】
【従来の技術】粒子線に影響を与えるための、特に、粒
子線を集光するための電界装置又は結合された電界磁気
装置の様々な変形例が当業者に知られている。従来の電
界レンズでは、２個又はそれ以上の電極を備えた装置が
使用され、これらの電極には異なる電位が印加され、そ
れによって電極間の空間に粒子線のためのレンズとして
作用する電場分布が生成されるように構成されている。
この場合、これらの電極は互いに形状も寸法も異なる。
開口、リング要素、円筒形状又は円錐形状の電極があ
る。焦点及び収差等のレンズ特性は電極の形状及び寸法
と供給電位によって固定される。しかしながら、電極数
が制限されるために、複雑な電場分布を生成するのは極
めて困難である。
【０００３】従って、従来、この問題を解決するために
多極電極形態が使用されているが、その場合、電場分布
に影響を与えるために各電極によって更なるパラメータ
が生成される。付加的は電極は実質的により困難な機械
的構造を必要とするばかりでなく、付加的な電圧源を必
要とし、従って非常に高価となる。
【０００４】米国特許ＵＳ４１２６７８１号は電界レン
ズとして使用するための成形された電場を発生すること
に関するが、これは電場を成形するために抵抗材上の表
面電流を使用する。この既知の電界装置は、特に二次イ
オン質量分析計の分野にて適用される場合、改良型のエ
ネルギ分析器に使用される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、粒子
線に影響を与えるための電界装置を改良することであ
り、それによって、従来のものより改善され、特に簡単
でコンパクトな製品という特徴を有する電場分布に影響
を与えるための装置が生成される。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によると、この目
的は特許請求の範囲第１項の特徴部によって達成され
る。
【０００７】この電界装置では、２つの電極は高抵抗体
に電気的に接触しており、この高抵抗体は粒子線のため
のチャンネル、即ち、通路を有する。このような電界装
置では、電場の構造は特にこの高抵抗体の形状に依存す
る。この場合、高抵抗体は複数の電極の代わりとなるマ
ルチ分圧器として機能する。本発明による電界装置は特
に簡単でコンパクトな製品である特徴を有し、殆どどの
ような電場分布も生成可能であり、従って殆どどのよう
なレンズ特性も生成可能であり、最少の電極、構成要素
及び供給電圧が必要である。
【０００８】本発明によると、この電界装置と電界装置
の領域において粒子線に影響を与えるための更なる構成
要素とを組み合わせることによって、光学装置を形成す
ると都合が良い。こうして、レンズ装置又は光学装置は
粒子線装置において特に利益があるものである。
【０００９】本発明の更なる例は特許請求の範囲の従属
項の内容にあり、幾つかの例及び図面の説明によって以
下に明らかとなるであろう。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明によると、光学装置は電界
装置に対して更にこの電界装置の領域において粒子線に
影響を与えるための更なる構成要素を組み合わせたもの
である。
【００１１】図１〜図１２には電界装置の幾つかの例が
示されている。図１３〜図２１は光学装置に関し、図２
２にはこのような光学装置を備えた粒子線装置が示され
ている。
【００１２】図１及び図２には粒子線に影響を与えるた
めの電界装置が示されており、この電界装置は粒子線の
方向に互いに前後に配置された第１及び第２の電極２、
３からなり、この電極には各々或る電位に印加されてい
る。２つの電極２、３は高抵抗体４に電気的に接触して
おり、この高抵抗体は粒子線のためのチャンネル、即
ち、通路５を有する。図示の例では、この通路５は２つ
の電極２、３を貫通して延在している。
【００１３】高抵抗体４の材料は、１０5 Ωｃｍと１０
11Ωｃｍの間の抵抗率を有し、好ましくは、１０7 Ωｃ
ｍと１０9 Ωｃｍの間の抵抗率である。適当な材料とし
て例えば、マーフロー青銅（ＰＴＦＥ−ＣｕＳｎ）があ
る。
【００１４】もし抵抗率が高すぎる値に選択されると、
通路５の表面、例えば、壁に衝突する粒子によって高抵
抗体４が荷電される危険がある。一方、抵抗率が低すぎ
ると大きな電流を引き起こし、従って電力消費量が大き
くなる。
【００１５】２つの電極２、３は、例えば平面電極とし
て、高抵抗体４の端面４ａ、４ｂにそれぞれ取り付けら
れている。この取り付け加工は加圧法又は真空蒸着法に
よってなされる。
【００１６】高抵抗体４は、２つの端面４ａ、４ｂに加
えて、内壁４ｃ及び外壁４ｄによって境界されている。
内壁４ｃは同時に通路５の壁を形成している。
【００１７】２つの電極２、３の各々には図２に概略的
に示されているように、電位Ｖ2 、Ｖ3 がそれぞれ印加
されている。電圧を印加することによって、高抵抗体４
に電流が流れ、一方、高抵抗体４の表面には電位の分布
が生ずる。その結果、通路５内の静電場は、印加された
電圧Ｖ2 、Ｖ3 及び２つの電極２、３の形状ばかりでな
く、高抵抗体４の形状及び壁の厚さによっても決まる。
【００１８】高抵抗体４は、抵抗率が全ての方向に同一
な値を有する電気的等方性の材料より構成されてよい。
もし、高抵抗体４に対して電気的異方性の材料が使用さ
れるなら、例えば、Ｚ軸方向の抵抗率がＸ軸方向及びＹ
軸方向の抵抗率と異なるという事実が起き得る。電気的
異方性の材料を使用することによって、電界装置に所定
の効果及び特性が生ずる。こうして、例えば、Ｚ軸方向
の抵抗率が高いことによって低い電流が生成され、高抵
抗体４内の電力消費量が低くなる。Ｘ軸方向及びＹ軸方
向の抵抗率が低いことによってＸＹ平面内により均一な
電位分布が生成される。しかしながら、電気的異方性の
材料の場合、特別な非対称性が生成され、それによって
新しい、しかしながら未知の特性が生成される。
【００１９】高抵抗体４は、図２に概略的に示されてい
るように、好ましくは、電気的絶縁性材料からなるクラ
ッディング１４を有する。所定の適用例では、電気的シ
ールドを設けることが好ましい。
【００２０】図１及び図２に図示された高抵抗体４は円
錐台の断面を有する回転体として構成されているが、所
望の電場分布を得るために、本発明の範囲にて他の形状
が考慮されてよい。
【００２１】図３〜図５に関する以下の記述にて、高抵
抗体４の様々な例及び電場の構造に対する高抵抗体４の
影響が詳細に説明される。
【００２２】図３に示された電界装置１０は、光軸８方
向に上下の端面４０ａ、４０ｂによって境界され、更
に、内壁４０ｃ及び外壁４０ｄによって境界されてい
る。内壁４０ｃは実質的に円筒状であるが、外壁４０ｄ
は２つの端面の間にて膨らんでいる。
【００２３】この例では、高抵抗体４０の壁の厚さは、
中心から２つの端面４０ａ、４０ｂへ連続的に傾斜して
いる。
【００２４】第１の電極２０は端面４０ａに電気的に接
触しており、第２の電極３０は端面４０ｂに電気的に接
触している。もし２つの電極２０、３０に異なる電位が
印加されるなら、図３の電場線７０によって示されてい
るように、電場が通路５０の領域に生成される。
【００２５】この電場の粒子線６に対する影響は３つの
部分粒子線６ａ、６ｂ、６ｃに関係して現れる。電界装
置１０は、高抵抗体４０に加えて、互いに異なる電位に
印加されることができる２つの電極２０、３０を有する
だけであり、２つの端面４０ａ、４０ｂの領域にそれぞ
れ配置された２つのレンズの影響に対応した電場分布が
生成される。もし従来の方法にて、このような電場分布
を達成しようとすれば、互いに異なる電位に印加される
ことができる複数の電極がこれらの２つの“レンズ”の
各々に対して設けられなければならないであろう。
【００２６】図４は電界装置１１の更に他の例を示して
おり、この電界装置は、高抵抗体４１、第１の電極２１
及び第２の電極２２からなる。内壁４１ｃは、粒子線の
方向に円錐状に傾斜した通路５１を境界している。高抵
抗体４１の外側も円錐台の形状を呈しており、外径は粒
子線の方向に増加している。これに基づいて、高抵抗体
４１の壁の厚さもまた、上端面４１ａから下端面４１ｂ
に増加している。
【００２７】２つの電極２１、２２に異なる電位を印加
することによって、電場線７１によって概略的に表され
る電場が生成される。
【００２８】図５に図示された高抵抗体４２は、略中央
部に凸部４２ｅを有する内壁４２ｃを有し、この凸部４
２ｅは通路５２に一種の“スロットル”を形成してい
る。外壁４２ｄは、これに対応して、この領域にて収縮
している。
【００２９】更に図６に図示された例では、高抵抗体４
３は実質的に円筒状の内壁４３ｃと実質的に円筒状の外
壁４３ｄを有し、外壁４３ｄは略中央部に凸部４３ｆを
有する。
【００３０】結局、高抵抗体の形状には制限が無い。こ
うして、図７の高抵抗体４４によって示されるように、
所定の電場を生成するためには、比較的複雑な形状が確
かに生成される。
【００３１】以上の例では高抵抗体は回転体として構成
されていたが、図８に示された高抵抗体４９は実際に円
筒形状の外壁４９ｄを有するが、内壁は矩形断面の通路
を形成している。当然だが、外壁として回転対称でない
構造が考えられる。
【００３２】高抵抗体の形状の変形例から離れて、電場
は高抵抗体が製造されている材料の変更によって影響を
与えられる。こうして、図９に示された高抵抗体４５は
３つの部分体４５ｇ、４５ｈ、４５ｉからなり、これら
は粒子線方向に互いに隣接しており、少なくとも隣接し
た部分体は互いに異なる高抵抗率の材料によって形成さ
れている。特に、高抵抗体の形状の変更によって所望の
電位分布が達成されることが既に可能でない時には、異
なる高抵抗率の材料を使用することが考慮される。も
し、例えば、多数のオーダの大きさの壁の厚さが急速に
変化する必要があるときは、他の抵抗率を有する材料を
使用することがより好ましい。しかしながら、Ｚ軸方
向、即ち、粒子線方向ばかりでなく半径方向にも材料を
変化させることを考慮することができる。当然である
が、両方向に組み合わせることも可能である。
【００３３】更に、形成された電場を成形することの可
能性は、付加的な電極を備えることによって達成され
る。従って、図１０の例では、高抵抗体４６の外壁４６
ｄ上に、金属製リングとして付加電極９６が装着されて
いる。付加電極によって、高抵抗体周りに等電位線が生
成され、電圧分布の安定性が達成される。この付加電極
にも電位が印加されてよい。しかしながら、このような
リング状電極を内壁４６ｃに設けることも可能である。
【００３４】図１１の例では、付加電極９７は平面電極
として構成されており、この平面電極は高抵抗体４７の
内壁４７ｃから外壁４７ｄまで延在し、２つの外側電極
２７及び３７の間に配置されている。この付加電極９７
には同様に電位が印加され、それによってこの電界装置
は例えば、上部では加速レンズとして機能し、下部では
減速レンズとして機能する。
【００３５】本発明の範囲では、両電極を高抵抗体の端
面上に設けることは必ずしも必須ではない。２つの電極
の少なくとも一方は、例えば、外壁上にリング状電極と
して設けられることができる。
【００３６】図１２に示された変形例では、一方の電極
２８は高抵抗体４８の端面上に設けられ、他方の電極３
８は高抵抗体４８の内部に設けられている。こうして、
高抵抗体４８の表面上の電極３８の下方に一定の電位分
布が得られる。
【００３７】図１〜図１２の例によって説明した電界装
置に対して更に、粒子線に対して影響を与える構成要素
を組み合わせると、光学装置が形成される。
【００３８】このような光学装置の幾つかの例が図１３
〜図２１に示されており、以下に説明するが、これらの
例では電界装置１の形状は単なる例示であると理解され
るべきであり、特に図１〜図１２のいずれかによる電界
装置によって置き換えられることが可能である。
【００３９】図１３は光学装置２００の第１の例を示
す。電界装置に対して２つの偏向電極２１０、２１１が
組み合わされており、これらの偏向電極は例えば、高抵
抗体４の外面の両側に配置されている。２つの偏向電極
２１０、２１１の各々は、可変電圧源に接続され、粒子
線の偏向は適当な電圧の印加によって達成される。
【００４０】しかしながら、電界装置に対して１つの偏
向装置を組み合わせる他の方法も可能であり、例えば、
図１４の光学装置２０１にて例示されている。この例で
も、電極２、３は高抵抗体の端面上に設けられている。
更に、２つの電極２１２、２１４が高抵抗体の一方の端
面上に設けられ、２つの電極２１３、２１５が高抵抗体
の反対側の他方の端面上に設けられている。これらの電
極２１２〜２１５の領域では、リング状の電極２、３
は、それに対応して断続され且つ絶縁されている。各場
合に、一方の端面上の一方の電極と反対側の他方の端面
上の他方の電極は、１つの電圧源に接続されている、従
って、電流ＩX1が高抵抗体４を通って電極２１２及び２
１３間に流れ、電流ＩX2が高抵抗体４を通って電極２１
４及び２１５間に流れる。２つの電流ＩX1、ＩX2によっ
て、光軸８であるＺ軸方向に沿って、電圧降下が生成さ
れる。こうして生成された電位降下は高抵抗体の全長に
渡って偏向電場に影響を与える。
【００４１】図１５に示す光学装置２０２では、電界装
置１に複数の電極２１６が設けられ、これらの電極には
電圧が印加されることが可能であり、これらの電極は同
様に高抵抗体４の表面上の等電位線に沿って配置されて
いる。これらの電極は対応する電気回路によってスチグ
マトール（無非点収差装置又は点対点結像装置）として
機能する。
【００４２】電界装置１に対して電界偏向装置の代わり
に磁気偏向装置が組み合わされてよく、それによって図
１６に概略的に示されているような光学装置２０３が形
成される。
【００４３】もし電界装置１が電界レンズ装置として構
成されているなら、それを磁気レンズ２１７と共に組み
立てると特に都合がよく、それによって図１７に示され
ているように電界磁気対物レンズ２０４が形成される。
【００４４】図１８及び図１９には光学装置２０５が示
されており、この光学装置は検出装置１０３を備えた電
界装置を含む。この検出装置１０３は通路５の略中央に
て高抵抗体４の内壁４ｃ上に固定されており、リング状
に構成されている。
【００４５】粒子線装置では、このような検出装置１０
３は、例えば、試験片上にトリガーされた２次粒子を検
出する機能を有し、２次粒子はこの検出装置１０３に衝
突しそこに電流ｉDet を引き起こす。
【００４６】図２０及び図２１には光学装置２０６の第
２の例が示されており、この例では検出装置１０３’は
４つのセグメント１０３’ａ、１０３’ｂ、１０３’
ｃ、１０３’ｄに分割されている。このセグメント１０
３’ａ、１０３’ｂ、１０３’ｃ、１０３’ｄ上に、２
次粒子によって電流ｉDet1、ｉDet2、ｉDet3、ｉDet4が
引き起こされ、これらの電流は別個に処理され検出され
る。
【００４７】図１８〜図２１に示された例では検出装置
は高抵抗体の内壁４ｃより通路５内に突出しているが、
勿論、検出装置を高抵抗体の内壁４ｃの対応したリセス
に挿入した構成例も可能である。
【００４８】電界装置１のコンパクトな構造及び電界装
置に対して更に粒子線に影響を与えるための構成要素を
組み合わせる簡単な可能性は、粒子線装置に使用される
場合に特に都合がよい。なぜなら、粒子線装置では、し
ばしば設置のために必要な空間が比較的小さいからであ
る。
【００４９】図２２は粒子線装置１００を示し、この粒
子線装置は基本的に、粒子線を生成するためのソース１
０１とこのソース１０１と検査すべき試験片１０２との
間にて粒子線に影響を与えるための装置とを有する。こ
れらの装置は、特に、例えば、上述の例の１つである電
界装置を含む。
【００５０】検出装置１０３は試験片１０２上にトリガ
ーされた粒子を受け入れるように構成されている。この
場合、検出装置は電界装置１の前、後又はその中のいず
れか選択された位置に配置されることができる。図示の
例では、検出装置は粒子線の方向に電界装置１の前に配
置されている。更に、開口及びダイヤフラムに加えて、
ブランキング装置１０４が示されている。偏向装置１０
５は試験片１０２上に粒子線を偏向させるように機能す
る。
【００５１】本発明による電界装置は色収差及び球面収
差特性が低いため、低電圧範囲にて粒子線装置を使用す
る場合に特に好適である。高抵抗体４は非磁性材料より
製造されているため、電界装置は重畳された磁場と組み
合わせるのに特に都合がよい。更に、電界装置はコンパ
クトな構造であるため、図１７及び図２２に示すよう
に、磁気レンズに近接して又は磁気レンズの隙間に配置
されることができる。このような配置によっても、より
良好なレンズ特性が得られる。電界装置は当然、磁気レ
ンズ又は鉄回路なしに磁場を生成する他の装置と組み合
わせられることができる。
【００５２】電子線に適用した場合及び上記のように低
電圧に適用した場合、ソース１０１は好ましくは電界放
射陰極又は光電陰極として又は熱陰極として構成されて
よい。
【００５３】このような構造であるため、電界装置は真
空と大気の間のリンクとして使用されると特に都合がよ
い。こうして、真空装置はかなり簡略化されることがで
きる。電界装置において、全ての電圧及び電位の供給
は、外部より簡単な方法にてなされ得る。一方通路はビ
ーム管として機能する。
【００５４】
【発明の効果】本発明による光学装置及び粒子線装置で
は、複雑な電場分布を生成する電界装置が簡単でコンパ
クトな構成となる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を構成する電界装置の第１の例の３次元
的な概略図である。
【図２】図１の第１の例の断面図である。
【図３】本発明を構成する電界装置の他の例の断面図で
ある。
【図４】本発明を構成する電界装置の他の例の断面図で
ある。
【図５】本発明を構成する電界装置の他の例の断面図で
ある。
【図６】本発明を構成する電界装置の他の例の断面図で
ある。
【図７】本発明を構成する電界装置の他の例の断面図で
ある。
【図８】本発明を構成する電界装置の他の例の断面図で
ある。
【図９】本発明を構成する電界装置の他の例の断面図で
ある。
【図１０】本発明を構成する電界装置の他の例の断面図
である。
【図１１】本発明を構成する電界装置の他の例の断面図
である。
【図１２】本発明を構成する電界装置の他の例の断面図
である。
【図１３】電界装置及び偏向装置からなる本発明の光学
装置の第１の例の３次元的な概略図である。
【図１４】電界装置及び偏向装置からなる本発明の光学
装置の第２の例の３次元的な概略図である。
【図１５】スチグマトールを備えた電界装置からなる本
発明の光学装置の３次元的な概略図である。
【図１６】電界装置及び偏向装置からなる本発明の光学
装置の第３の例の３次元的な概略図である。
【図１７】電界装置及び重畳された磁気レンズからなる
本発明の光学装置の概略図である。
【図１８】電界装置及び検出装置からなる本発明による
光学装置の第１の例の断面図である。
【図１９】図１８の光学装置の平面図である。
【図２０】電界装置及び検出装置からなる本発明による
光学装置の第２の例の断面図である。
【図２１】図２０の光学装置の平面図である。
【図２２】電界装置を備えた本発明の粒子線装置概略図
である。
【符号の説明】
１ 電界装置 ２，３ 電極 ４ 高抵抗体 ５ 通路 ６ 粒子線 ８ 光軸 １０，１１ 電界装置 １４ クラッディング ２０，２１，２２，２７，２８，２９，３０，３７，３
８，３９ 電極 ４０，４１，４２，４３，４４，４５，４６，４７，４
８，４９ 高抵抗体 ５０，５１，５２，５３ 通路 ７０，７１ 等電位線 ９６，９７ 付加電極 １００ 粒子線装置 １０１ ソース １０２ 試験片 １０３，１０３’ 検出装置 １０４ ブランキング装置 １０５ 偏向装置 ２００，２０１，２０２，２０３，２０５，２０６ 光
学装置 ２０４ 電界磁気対物レンズ ２１０，２１１，２１２，２１３，２１４，２１５，２
１６ 偏向電極 ２１７ 磁気レンズ
フロントページの続き (72)発明者 ユルゲン フロジエン ドイツ連邦共和国、85521 リーマーリン グ、クフシュタイナーシュトラーセ 16 アー (72)発明者 シュテファン ラニオ ドイツ連邦共和国、85435 エルディング、 グライヴィッツェルシュトラーセ 59 (72)発明者 ラインホルト シュミット ドイツ連邦共和国、81379 ミュンヘン、 ヨゼフ・キーファー・ヴェーク ６ (72)発明者 ゲラルド シェーネッカー ドイツ連邦共和国、81549 ミュンヘン、 バート・ベルネック・シュトラーセ １

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 粒子線(6) 方向に互いに前後に配置され
    各々或る電位が印加され上記粒子線のための通路(5) を
    有する高抵抗体(4) に電気的に接触している少なくとも
    １つの第１の電極(2) 及び少なくとも１つの第２の電極
    (3) よりなり上記粒子線(6) に影響を与えるための電界
    装置(1) と、 上記電界装置の領域にて上記粒子線に影響を与えるため
    の更なる構成要素(210-217) と、を有する光学装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の光学装置において、上記
    高抵抗体の材料は１０5Ωｃｍと１０11Ωｃｍの間の抵
    抗率を有することを特徴とする光学装置。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の光学装置において、上記
    第１及び第２の電極(2,3) は上記高抵抗体(4) の両側の
    ２つの端面(4a,4b) にそれぞれ配置されていることを特
    徴とする光学装置。
  4. 【請求項４】 請求項１記載の光学装置において、上記
    高抵抗体(4) は回転体として構成されていることを特徴
    とする光学装置。
  5. 【請求項５】 請求項１記載の光学装置において、上記
    高抵抗体(4) は上記粒子線の方向に全長に渡って断面が
    変化していることを特徴とする光学装置。
  6. 【請求項６】 請求項１記載の光学装置において、上記
    高抵抗体(4) の形状が上記電界装置による電場の形成に
    影響を与えるように構成されていることを特徴とする光
    学装置。
  7. 【請求項７】 請求項１記載の光学装置において、上記
    高抵抗体(4) は上記粒子線方向に上側端面及び下側端面
    によって境界され、上記粒子線を横切る方向に内壁及び
    外壁によって境界されていることを特徴とする光学装
    置。
  8. 【請求項８】 請求項１記載の光学装置において、上記
    高抵抗体(4) は上記粒子線を横切る方向に内壁及び外壁
    によって境界され、上記内壁及び外壁の間に形成される
    壁厚さは上記高抵抗体(4) の全長に渡って変化している
    ことを特徴とする光学装置。
  9. 【請求項９】 請求項１記載の光学装置において、上記
    高抵抗体(4) は上記粒子線を横切る方向に内壁及び外壁
    によって境界され、上記内壁及び外壁の形状は互いに所
    定の電場を生成するように構成されていることを特徴と
    する光学装置。
  10. 【請求項１０】 請求項１記載の光学装置において、上
    記電極の少なくとも１つの電極は上記高抵抗体(4) の外
    壁(4d)上に配置されていることを特徴とする光学装置。
  11. 【請求項１１】 請求項１記載の光学装置において、上
    記電極の少なくとも１つの電極は上記高抵抗体(4) に埋
    め込まれていることを特徴とする光学装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１記載の光学装置において、上
    記高抵抗体(4) は異なる高抵抗率の材料よりなる少なく
    とも２つの部分体(45b,45h,45i) よりなり、上記部分体
    は上記粒子線の方向に互いに隣接して配置されているこ
    とを特徴とする光学装置。
  13. 【請求項１３】 請求項１記載の電子線装置において、
    少なくとも１つの第３の電極(96,97) が設けられている
    ことを特徴とする電子線装置。
  14. 【請求項１４】 請求項１記載の光学装置において、上
    記高抵抗体(4) は電気的等方性材料より構成されている
    ことを特徴とする光学装置。
  15. 【請求項１５】 請求項１記載の光学装置において、上
    記高抵抗体(4) は電気的異方性材料より構成されている
    ことを特徴とする光学装置。
  16. 【請求項１６】 請求項１記載の光学装置において、上
    記高抵抗体(4) は電気的絶縁性材料のクラッディングを
    有することを特徴とする光学装置。
  17. 【請求項１７】 請求項１記載の光学装置において、上
    記高抵抗体(4) は電気的シールドによって囲まれている
    ことを特徴とする光学装置。
  18. 【請求項１８】 請求項１記載の光学装置において、上
    記電界装置は上記粒子線を集光するための電界レンズ装
    置として構成されていることを特徴とする光学装置。
  19. 【請求項１９】 請求項１記載の光学装置において、上
    記更なる構成要素は上記高抵抗体に接触していることを
    特徴とする光学装置。
  20. 【請求項２０】 請求項１記載の光学装置において、上
    記更なる構成要素は上記高抵抗体(4) の外壁上に同一の
    高さにて配置された複数の電極(216) によって形成され
    ていることを特徴とする光学装置。
  21. 【請求項２１】 請求項１記載の光学装置において、上
    記更なる構成要素は上記高抵抗体(4) の端面上の付加電
    極(212-215) によって形成されていることを特徴とする
    光学装置。
  22. 【請求項２２】 請求項１記載の光学装置において、上
    記更なる構成要素は上記電界装置上に重畳された磁場を
    生成する磁気レンズ(217) によって形成されていること
    を特徴とする光学装置。
  23. 【請求項２３】 請求項１記載の光学装置において、上
    記更なる構成要素は上記粒子線のための偏向装置(210-2
    15) によって形成されていることを特徴とする光学装
    置。
  24. 【請求項２４】 請求項１記載の光学装置において、上
    記更なる構成要素は検出装置(103,103')によって形成さ
    れていることを特徴とする光学装置。
  25. 【請求項２５】 請求項１記載の光学装置において、上
    記更なる構成要素は多極装置によって形成されているこ
    とを特徴とする光学装置。
  26. 【請求項２６】 (a) 粒子線を生成するためのソース(1
    01) と、(b) 上記ソース(101) と検査すべき試験片(10
    2) の間の粒子線に影響を与えるための装置と、 (c) 光学装置と、を有し、該光学装置は、 (c1) 粒子線(6) 方向に互いに前後に配置され各々或る
    電位が印加され上記粒子線のための通路を有する高抵抗
    体(4) に電気的に接触している少なくとも１つの第１の
    電極(2) 及び少なくとも１つの第２の電極(3) よりなり
    粒子線(6) に影響を与えるための電界装置(1) と、 (c2)上記電界装置の領域にて上記粒子線に影響を与える
    ための更なる構成要素(210-217) と、 を有する粒子線装置。
  27. 【請求項２７】 請求項２６記載の粒子線装置におい
    て、上記試験片(102) 上にトリガーされた粒子を受け入
    れるための検出装置(103) が設けられていることを特徴
    とする粒子線装置。
  28. 【請求項２８】 請求項２６記載の粒子線装置におい
    て、上記検出装置(103) は上記電界装置の前の粒子線の
    経路に設けられていることを特徴とする粒子線装置。
  29. 【請求項２９】 請求項２６記載の粒子線装置におい
    て、上記検出装置(103,103')は上記電界装置内に設けら
    れていることを特徴とする粒子線装置。
  30. 【請求項３０】 請求項２６記載の粒子線装置におい
    て、上記粒子線のためのブランキング装置(105) が設け
    られていることを特徴とする粒子線装置。
  31. 【請求項３１】 請求項２６記載の粒子線装置におい
    て、上記粒子線を生成するためのソースは電界放出陰極
    として構成されていることを特徴とする粒子線装置。
  32. 【請求項３２】 請求項２６記載の粒子線装置におい
    て、上記ソースは粒子線を生成するための光電陰極とし
    て構成されていることを特徴とする粒子線装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003107383A1 (ja) * 2002-06-13 2003-12-24 Okumura Katsuya 電子光学鏡筒およびその製造方法
JP2022188764A (ja) * 2021-06-09 2022-12-21 韓國電子通信研究院 高電圧駆動装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19824783A1 (de) * 1998-06-03 1999-12-16 Siemens Ag Vorrichtung zur Formung eines Elektronenstrahls, Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung und Anwendung
EP0989583A1 (en) * 1998-09-25 2000-03-29 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Method and device for focusing a charged particle beam
USD503087S1 (en) 2001-05-09 2005-03-22 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Container for contact lens packages
DE10317894B9 (de) 2003-04-17 2007-03-22 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Fokussiersystem für geladene Teilchen, Elektronenmikroskopiesystem und Elektronenmikroskopieverfahren
EP1605492B1 (en) 2004-06-11 2015-11-18 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device with retarding field analyzer
US8502159B2 (en) * 2010-04-29 2013-08-06 Battelle Energy Alliance, Llc Apparatuses and methods for generating electric fields
US20110266436A1 (en) * 2010-04-29 2011-11-03 Battelle Energy Alliance, Llc Apparatuses and methods for forming electromagnetic fields
JP2012195097A (ja) * 2011-03-15 2012-10-11 Canon Inc 荷電粒子線レンズおよびそれを用いた露光装置
US8969798B2 (en) * 2011-07-07 2015-03-03 Bruker Daltonics, Inc. Abridged ion trap-time of flight mass spectrometer
US8927940B2 (en) * 2011-06-03 2015-01-06 Bruker Daltonics, Inc. Abridged multipole structure for the transport, selection and trapping of ions in a vacuum system
EP2551889B1 (en) * 2011-07-26 2016-03-02 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam apparatus with shielding member having a charge control electrode
WO2014068434A2 (en) * 2012-10-31 2014-05-08 Koninklijke Philips N.V. Optical element with manipulated coating resistance

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE440927A (ja) * 1940-05-08
US4126781A (en) * 1977-05-10 1978-11-21 Extranuclear Laboratories, Inc. Method and apparatus for producing electrostatic fields by surface currents on resistive materials with applications to charged particle optics and energy analysis
US4556823A (en) * 1983-07-28 1985-12-03 International Business Machines Corporation Multi-function charged particle apparatus
CN85102774B (zh) * 1985-04-01 1987-11-04 复旦大学 利用封闭边界产生静电四极场的结构
US4926054A (en) * 1988-03-17 1990-05-15 Ict Integrated Circuit Testing Gesellschaft Fur Halbleiterpruftechnik Mbh Objective lens for focusing charged particles in an electron microscope
JPH04328236A (ja) * 1991-04-26 1992-11-17 Fujitsu Ltd 電子ビーム露光装置
JPH05190129A (ja) * 1992-01-13 1993-07-30 Toshiba Corp 静電型レンズ
JP3090802B2 (ja) * 1992-12-17 2000-09-25 株式会社東芝 静電レンズおよびその製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003107383A1 (ja) * 2002-06-13 2003-12-24 Okumura Katsuya 電子光学鏡筒およびその製造方法
KR100685588B1 (ko) * 2002-06-13 2007-02-22 가부시키가이샤 도쿄다이가쿠 티엘오 전자 광학 경통 및 그 제조 방법
US7193221B2 (en) 2002-06-13 2007-03-20 Toudai Tlo, Ltd. Electronic optical lens barrel and production method therefor
JP2022188764A (ja) * 2021-06-09 2022-12-21 韓國電子通信研究院 高電圧駆動装置
US11894224B2 (en) 2021-06-09 2024-02-06 Electronics And Telecommunications Research Institute High voltage driving device

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