JPH10268804A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】可及的にキズの発生や汚れの付着を防止できる
と共に、基板の反りによる不良の発生を抑制でき、コス
ト低減できる液晶表示装置の製造方法を提供する。 【解決手段】液晶駆動基板１と対向基板２とを所定のギ
ャップを形成して重ね合わせ、このギャップに液晶８を
注入封止する液晶表示装置の製造方法において、表面側
に透明電極を含む液晶駆動素子１１が形成され、裏面側
に該駆動素子形成時の余剰薄膜１２が形成されている該
液晶駆動基板１の表面側に保護膜１３を形成する工程
と、該余剰薄膜の一部又は全部を除去する工程とを有す
る液晶表示装置の製造方法とする。この場合、上記余剰
薄膜１２を除去する工程において、画素開口部の余剰薄
膜を選択的に除去するとすることが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の利用分野】本発明は、歩留まり、品質を向上で
きる液晶表示装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置の製造は、例えば、ガラス
基板にＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の液晶駆動素
子及び回路、透明電極、配向膜等が形成された液晶駆動
基板と対向基板としての透明電極、配向膜が形成された
カラーフィルター基板とを予め作成し、液晶駆動基板の
駆動素子形成側（表面）とカラーフィルター基板とを所
定のギャップを持って重ね合わせ、このギャップに液晶
を注入し封止する液晶組立により製造される。

【０００３】この場合、液晶駆動基体と対向基体に配向
膜形成と配向処理を行い、分割を行った後に双方の基板
を重ね合わせを行ういわゆる面単組立方式と、液晶駆動
基体と対向基体に配向膜形成と配向処理を行い、双方の
基体の重ね合わせを行った後に分割を行ういわゆる面面
組立方式とがある。

【０００４】これら何れの方式においても、液晶駆動基
体は、リソグラフィー、ＣＶＤ（Chemical Vapor Depos
ition ）、エッチング、スパッタリング成膜等の半導体
技術を駆使して製造されるが、その裏面にはポリシリコ
ン、ＰＳＧ（Phosho-Silicate-Glass ）等のＴＦＴ構成
薄膜からなる余剰薄膜が形成される。この余剰薄膜は不
要であるので、途中の工程で除去している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、基体裏面の余
剰薄膜を除去した後に液晶駆動基体の液晶駆動素子や回
路を形成している多層膜の圧縮応力で凹状反りが大きく
なることが認められる。この反りは、その後の工程での
リソグラフィー精度等に悪影響を及ぼしている。また、
液晶駆動基板に凹状反りがあると、対向基板との重ね合
わせでギャップ制御が難しくなり、光透過率低下、コン
トラスト低下等の画質低下の一因となっている。

【０００６】更に、裏面の余剰薄膜除去後の作業におい
て、基体裏面に例えばフォトレジストコーターチャック
治具跡等のキズや汚れが発生する。このような裏面のキ
ズや汚れは画質不良となるので、液晶注入封止及び熱処
理後の画質検査で発見された裏面キズや汚れ有りのＬＣ
Ｄ（Liquid Crystal Display）パネルは裏面の光学研磨
加工が施される。これは、作業工数の増大を招きコスト
アップの要因となっている。

【０００７】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、可及的にキズの発生や汚れの付着を防止できると共
に、基板の反りによる画質不良の発生を抑制でき、特性
上、歩留及び品質向上、コスト低減できる液晶表示装置
の製造方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、液晶駆動基板と対向基板とを所定のギャッ
プを形成して重ね合わせ、このギャップに液晶を注入封
止する液晶表示装置の製造方法において、表面側に透明
電極を含む液晶駆動素子及び回路が形成され、裏面側に
該駆動素子形成時の余剰薄膜が形成されている該液晶駆
動基体の表面側に保護膜を形成する工程と、該余剰薄膜
の一部又は全部を除去する工程とを有することを特徴と
する液晶表示装置の製造方法を提供する。

【０００９】この場合、上記余剰薄膜を除去する工程に
おいて、表示開口部の余剰薄膜を選択的に除去するとす
ることが好ましい。

【００１０】本発明の液晶表示装置の製造方法は、基体
表面に透明電極を含む駆動素子を形成した後、この基体
表面を被覆するレジスト等の保護膜を形成し、その後、
ＴＦＴ等形成時に基体裏面に成膜されたポリシリコン等
の余剰薄膜を除去する。そのため、余剰薄膜の除去を最
終工程に近い段階まで残しておくので、基体裏面が余剰
薄膜で最終工程に近い段階まで保護され、キズや汚れが
裏面に付きにくくなる。従って、ＬＣＤパネル単体での
裏面研磨に比べ、液晶駆動基板の裏面研磨は効率が良
く、作業性が向上し、研磨量も大きくできるので深いキ
ズ、大きなキズ、汚れも除去でき、この結果、歩留及び
品質向上、コスト低減が可能である。また、余剰薄膜除
去に伴う反りの発生は最終工程近くで発生する。そのた
め、途中工程でのリソグラフィー精度等に悪影響を及ぼ
さない。

【００１１】この場合、表示開口部に相当する部分の余
剰薄膜を選択的に除去し、その周辺の液晶駆動回路領域
に相当する部分の余剰薄膜を残存させることが好まし
い。これにより、余剰薄膜を全面的に除去する場合に比
べて余剰薄膜が残存している分、反りの発生は減少す
る。そのため、対向基板と重ね合わせ時のギャップ制御
が容易になり、光透過率低下、コントランスト低下等の
画質低下が生じにくい。また、液晶駆動回路領域に相当
する部分に残存する余剰薄膜は、液晶駆動回路への反射
光を遮光する遮光膜となり、例えば放熱用厚板ガラスへ
の遮光膜形成が不要になり、コストを低減することが可
能である。更に、ポリＳｉ、ＰＳＧの静電気チャージし
にくい余剰薄膜を残在させているので静電気ダメージに
強いＬＣＤパネルとなる。

【００１２】以上の手段は、いわゆる面単組立方式と面
面組立方式の何れにも適用可能である。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て具体的に説明するが、本発明は下記の実施の形態に限
定されるものではない。

【００１４】［第１実施例］第１実施例では、液晶駆動
基体と対向基体に配向膜形成と配向処理を施し、それぞ
れの基体の分割を行った後に双方の基板を重ね合わせを
行ういわゆる面単組立式の製造方法で、液晶駆動基体の
裏面の余剰薄膜を部分的に除去する例を示す。図１
（ａ）〜（ｅ）はその製造工程の一例を示す断面図であ
る。

【００１５】図１（ａ）に示す液晶駆動基体は、例えば
６〜８インチ径で０．８ｍｍ程度の厚さの石英ガラス等
のガラス基体１０を用いる。その基体１０の表面側に液
晶駆動用の薄膜トランジスタ等をマトリックス状に形成
したＴＦＴとＩＴＯ（Indiumu Tin Oxide ）等の透明電
極膜等とからなる液晶駆動素子及び液晶駆動回路１１が
形成されており、基体１０の裏面には１１を形成時のポ
リシリコン、ＰＳＧ等の余剰薄膜１２が形成されてい
る。

【００１６】次に、図１（ｂ）に示すように、このよう
な液晶駆動基体の液晶駆動素子１１が形成されている基
体表面に保護膜１３を全面に形成する。この保護膜１３
としてはネガ又はポジタイプのフォトレジストでも良い
が、例えば剥離の際にＩＴＯ等に悪影響を与えないアル
カリ剥離タイプの保護膜が好ましく、このような保護膜
を例えばスピンコート等で成膜する。保護膜１３の厚さ
としては、例えば５〜１０μｍ程度がよい。

【００１７】次に、基体裏面の余剰薄膜１２を部分的に
除去する。このような余剰薄膜１２は不透明であるか
ら、画素開口部に相当する部分を除去する必要がある
が、できる限り余剰薄膜１２を残存させる。画素開口部
以外に除去する部分としては、図１（ｂ）に示すような
スクライブラインに相当する部分も除去対象とすること
ができる。基体裏面の余剰薄膜１２の上にフォトレジス
トをスピンコート等の方法で成膜し、フォトリソグラフ
ィーによりマスク露光、現像、ポストベークしてして除
去すべき余剰薄膜以外の部分を覆うようにフォトレジス
ト１４のパターニングを行う。この時、基体表面１１に
は保護膜１３があるのでキズ、汚れの恐れはない。

【００１８】次に、図１（ｃ）に示すように、フォトレ
ジスト１４をマスクとしてエッチングを行い、余剰薄膜
１２のパターニングを行う。このエッチングは、例えば
エッチングガスとしてＣＦ₄ を用い、ＲＦパワー３００
Ｗの条件でプラズマエッチングを行い、連続して酸素ア
ッシングでフォトレジスト１４を剥離除去する。これに
より、基体裏面の余剰薄膜１２が画素開口部に相当する
部分以外の周辺に残存した駆動基体を得る。

【００１９】この駆動基体は、余剰薄膜を全面的に除去
する場合に比べて、基体の反りは低減している。そのた
め、対向基体との貼り合わせ時のギャップの均一性、シ
ールの信頼性が向上し、製品の歩留まりが向上する。ま
た、画素開口部周囲に残存する余剰薄膜は、ＴＦＴ駆動
用回路領域の遮蔽膜となる。そのため、反射光や迷光に
よるＴＦＴリークを防止して画質劣化がなくなる。更
に、放熱用厚板ガラスに対して遮光膜を別途設ける必要
がなくなり、コスト低減が可能である。しかも、画素開
口部の余剰薄膜を除去する際に、画素開口部の基体裏面
の傷や汚れを同時に除去することが可能であるため、製
品の歩留、品質が向上すると共に、生産性も向上する。
加えて、基体裏面に形成されている余剰薄膜は、導電性
薄膜を含む多層薄膜であるため、この余剰薄膜を一部残
存させることにより、製造工程中や市場で静電気ダメー
ジに強くなり、信頼性が向上する。例えば、偏光フィル
ムを貼ったり、その保護膜を剥離するときに発生する静
電気がこの多層膜である余剰薄膜を通じて放電されるの
で、ＴＦＴが静電気破壊し難くなる。

【００２０】次に、図１（ｄ）に示すように、保護膜１
３の上にダイシングテープ２１を貼着する。このダイシ
ングテープ２１としては、例えば紫外線照射硬化型テー
プや熱収縮剥離型テープを用いる。なお、保護膜１３と
してのレジスト膜が十分に厚い場合は、レジスト膜１３
でダイシングテープを兼用できるため、ダイシングテー
プ２１を省略することも可能である。この場合の保護膜
１３の厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度が適当であ
る。ダイシングテープ２１を貼着した後、余剰薄膜を除
去した基体裏面のスクライブラインに沿って切断用溝１
５を形成する。この切断用溝１５は、後のダイシング分
割の際のダイシングテープとダイシングブレードとの間
に隙間を形成できるようにするためである。そのため、
例えば同図に示すようにＶカット用ダイシングブレード
３１を用いて断面Ｖ字状に形成することができるが、Ｖ
字状に限らず矩形状その他の形状でも良い。切断用溝１
５の深さは例えば０．１〜０．２ｍｍ程度がよい。ま
た、Ｖ字状の場合のＶ字の頂角は、例えば９０〜１２０
°の範囲で選択することができる。

【００２１】次に、図１（ｅ）に示すように、ダイシン
グテープ２１を除去した後、表面の保護膜１３をＫＯＨ
等のアルカリ系剥離剤で剥離洗浄して除去する。その
後、ＴＦＴ等の検査を行い、良否判定を行う。その後、
配向膜としてのポリイミド膜１６を例えば３０〜５０ｎ
ｍ程度の膜厚で成膜し焼成する。そして、このポリイミ
ド膜１６にラビング処理を行って配向膜を形成する。そ
の後、ダイシングテープ２２を切断用溝１５を形成した
基体裏面に貼着する。このダイシングテープ２２として
は、例えば紫外線照射硬化型テープや熱収縮剥離型テー
プを用いる。そして基体表側からダイシングブレード３
２を用いてダイシングテープを切らないフルカットダイ
シング分割を行う。この場合、ガラス基体１０の裏面に
切断用溝１５を形成してあるため、この切断用溝１５の
部分でダイシングテープ２２と基体１０との間に空隙が
生じる。そのため、ダイシングブレード３２の位置の調
整により、ダイシングブレード３２とダイシングテープ
２２との間に間隙を設けることが可能である。このよう
なダイシングテープ２２を切らない方法の採用により、
洗浄困難なフルカットダイシング時のダイシングテープ
の糊付着したダストがなく、生じるのはガラス粉である
から洗浄が容易であり、歩留まり及び品質が向上する。
なお、切断用溝１５を深く形成することにより、例えば
外力を加えてガラス基体１０を分割することも可能であ
る。ガラス基体１０の分割を行った後、ダイシングテー
プ２２が紫外線照射硬化型テープの場合は所定の紫外線
を照射してダイシングテープ２２の硬化を行い、熱収縮
剥離型テープの場合は７０℃以上に加熱して自己収縮さ
せ、接着力を低下させる。その後、ダイシングテープ２
２を付けたままで分割したガラス基板を突き上げ用のピ
ンを下から突き上げることにより良品基板をピックアッ
プして取り出す。その後、例えばイソプロパノール等の
溶剤で洗浄を行う。その後は、例えばコモン電極を塗布
する処理を行う。

【００２２】一方、対向基体は、図２に示すように、例
えば厚さ１．１ｍｍ程度のホウケイ酸ガラス５にカラー
フィルター、透明電極膜、配向膜等６を形成する。この
場合、上述した方法と同様な方法を対向基体に適用する
ことが好ましい。即ち、対向基体はリソグラフィー、エ
ッチング、スパッタリング成膜等の半導体技術を駆使し
て製造されているが、液晶駆動基体同様に、その裏面に
はレジスト汚れ、キズ等が発生する。そのため、カラー
フィルター等が形成され、駆動側基板と貼り合わされる
表面に保護膜として例えばレジスト膜を成膜した後、裏
面の光学研磨を行い、表面にダイシングテープを貼り、
スクライブラインに沿って切断用溝をＶカットダイシン
グブレード等により裏面に形成する。ダイシングテープ
と保護膜を剥離した後、検査を行って良品判別し、その
後ポリイミド膜の成膜と焼成、ラビング処理を行って配
向膜を形成する。その後、ダイシングテープを裏面に貼
り、ダイシングブレードを用いてダイシングテープを切
らないで切断用溝に沿ってガラス基体を分割する。ガラ
ス基体の分割を行った後、ダイシングテープが紫外線照
射硬化型テープの場合は所定の紫外線を照射してダイシ
ングテープの硬化を行い、熱収縮剥離型テープの場合は
７０℃以上に加熱して自己収縮させ、接着力を低下させ
る。その後、ダイシングテープを付けたままで分割した
ガラス基板を突き上げ用のピンを下から突き上げること
により良品基板をピックアップして取り出す。その後、
例えばイソプロパノール等の溶剤で洗浄を行う。その
後、液晶を封止するための液晶シール剤７を印刷塗布す
る。

【００２３】そして、これらの駆動側基板１と対向基板
２とを所定のギャップを設けて貼り合わせてシールし、
その空隙に液晶８を注入した後、液晶シール剤７の液晶
注入口を封止し熱処理して液晶配向させて液晶パネル部
品を製造する。

【００２４】以上の第１実施例の液晶表示装置の製造方
法によれば、駆動基体裏面に形成されるＴＦＴ製造時の
余剰薄膜を基体の分割直前までそのまま基体に付着させ
ておく。従来は、例えばＴＦＴのアルミニウム配線形成
前に余剰薄膜を除去していた。そのため、その後の透明
電極膜形成等の工程で基体裏面に傷や汚れが生じ、これ
を除くため、液晶パネルとなった状態の裏面を研磨等す
る工程が必要であったが、本実施例では、基体裏面は余
剰薄膜で分割直前まで保護されているから、傷や汚れの
発生を防止して歩留及び品質が向上する。

【００２５】また、第１実施例では、余剰薄膜を選択的
に除去するためのフォトリソグラフィーとエッチングの
パターニング工程が加わるが、画素開口部の余剰薄膜の
除去と汚れの除去を同一工程で行え、しかも画素開口部
の周辺の遮光膜形成が不要になるなど、全体としては画
質向上と工程が簡略化し、コスト低減が可能である。

【００２６】［第２実施例］第２実施例では、液晶駆動
基体と対向基体に配向膜形成と配向処理を行い、双方の
基体の分割を行った後に双方の基板の重ね合わせを行う
いわゆる面単組立式の製造方法で、駆動基板の裏面の余
剰薄膜を全面的に除去する例を示す。図３（ａ）〜
（ｅ）はその製造工程の一例を示す断面図である。

【００２７】図３（ａ）に示す液晶駆動基体は、例えば
６〜８インチ径で０．８ｍｍ程度の厚さの石英ガラス等
のガラス基体１０を用いる。その基体１０の表側面に液
晶駆動用の薄膜トランジスタ等をマトリックス状に形成
したＴＦＴとＩＴＯ等の透明電極膜等からなる液晶駆動
素子及び回路部１１が形成されており、基体１０の裏側
面には１１形成時のポリシリコン、ＰＳＧ等の余剰薄膜
１２が形成されている。

【００２８】次に、図３（ｂ）に示すように、このよう
な液晶駆動基体の表面に保護膜１３を全面に形成する。
この保護膜１３としては、ネガ又はポジタイプのフォト
レジストでも良いが、例えばアルカリ剥離タイプの保護
膜が好ましく、このような保護膜を例えばスピンコート
等で成膜する。保護膜の厚さとしては、実施例１と同様
でよい。

【００２９】次に、図３（ｃ）に示すように、基体裏面
の余剰薄膜１２を全面的に除去する。除去方法として
は、例えば酸化セリウムを主体にした研磨剤で光学研磨
加工する方法、あるいはＣＦ₄ 等のガスを用いたプラズ
マエッチングにより行う方法を採用することができる。

【００３０】次に、図３（ｄ）に示すように、保護膜１
３の上にダイシングテープ２０を貼着する。このダイシ
ングテープ２１としては、例えば紫外線照射硬化型テー
プや熱収縮剥離型テープを用いる。なお、保護膜１３と
してのレジスト膜が十分に厚い場合は、このダイシング
テープ２１を省略することも可能である。ダイシングテ
ープ２１を貼着した後、余剰薄膜を除去した裏面のスク
ライブラインに沿って切断用溝１５を形成する。この切
断用溝１５は、後のダイシング分割の際のダイシングテ
ープとダイシングブレードとの間に隙間を形成できるよ
うにするためである。そのため、例えば同図に示すよう
にＶカット用ダイシングブレード３１を用いて断面Ｖ字
状に形成することができるが、Ｖ字状に限らず矩形状そ
の他の形状でも良い。切断用溝１５の深さは例えば０．
１〜０．２ｍｍ程度がよい。また、Ｖ字状の場合のＶ字
の頂角は、例えば９０〜１２０°の範囲で選択すること
ができる。

【００３１】次に、図３（ｅ）に示すように、ダイシン
グシート２１を除去した後、表面の保護膜１３をＫＯＨ
等のアルカリ系剥離剤で剥離洗浄して除去する。その
後、ＴＦＴ等の検査を行い、良否判定を行う。更に、配
向膜としてのポリイミド膜１６を例えば３０〜５０ｎｍ
程度の膜厚で成膜し焼成する。そして、このポリイミド
膜１６をラビング処理を行って配向膜を形成する。その
後、ダイシングテープ２２を切断用溝１５を形成した基
体裏面に貼着する。このダイシングテープとしては、例
えば紫外線照射硬化型テープや熱収縮剥離型テープを用
いる。そして表側からダイシングブレード３２を用いて
ダイシングテープを切らないフルカットダイシング分割
を行う。この場合、ガラス基体１０に切断用溝１５を形
成してあるため、ダイシングブレード３２の位置の調整
により、ダイシングブレード３２とダイシングテープ２
２との間に間隙を設けることが可能である。なお、切断
用溝１５を深く形成することにより、例えば外力を加え
てガラス基体１０を分割することも可能である。ガラス
基体の分割を行った後、ダイシングテープが紫外線照射
硬化型テープの場合は所定の紫外線を照射してダイシン
グテープの硬化を行い、熱収縮剥離型テープの場合は７
０℃以上に加熱して自己収縮させ、接着力を低下させ
る。その後、ダイシングテープを付けたままで分割した
ガラス基板を突き上げ用のピンを下から突き上げること
により良品チップのみピックアップして取り出す。その
後、例えばイソプロパノール等の溶剤で洗浄を行う。そ
の後は、例えばコモン電極を塗布する処理を行う。

【００３２】一方、対向基板は、実施例１と同様であ
り、図２に示すように、例えば厚さ１．１ｍｍ程度のホ
ウケイ酸ガラス基体７にカラーフィルター、透明電極、
配向膜等６を形成する。この場合、実施例１と同様に、
カラーフィルター等が形成され、液晶駆動基板と貼り合
わされる表面に保護膜を成膜した後、裏面の光学研磨を
行い、表面にダイシングテープを貼り、スクライブライ
ンに沿って切断用溝をＶカットダイシングブレード等に
より裏面に形成する。ダイシングテープと保護膜を剥離
した後、検査を行って良否判別を行い、その後ポリイミ
ド膜の成膜を焼成、ラビング処理を行って配向膜を形成
する。その後、ダイシングテープを裏面に貼り、ダイシ
ングブレードを用いてダイシングテープを切らないで切
断溝に沿って対向基体を分割する。分割した良品の基板
を取り出して洗浄を行う。その後、液晶を封止するため
の液晶シール剤７を印刷塗布する。

【００３３】そして、これらの液晶駆動基板１と対向基
板２とを所定のギャップを設けて貼り合わせシ−ルし、
その空隙に液晶８を注入した後、液晶シール剤７の液晶
注入口を封止し、熱処理で液晶配向させて液晶パネル部
品を製造する。

【００３４】以上の第２実施例の液晶表示装置の製造方
法によれば、基体裏面に形成される液晶駆動素子及び回
路の形成時の余剰薄膜を基体の分割直前までそのまま基
体に付着させておく。従来は、例えばＴＦＴのアルミニ
ウム配線形成前に余剰薄膜を除去していた。そのため、
その後の透明電極膜形成等の工程で基体裏面に傷や汚れ
が生じ、これを除くため、ＬＣＤパネルの裏面を光学研
磨等する工程が必要であったが、本実施例では、液晶駆
動基体や対向基体裏面は余剰薄膜で分割直前まで保護さ
れているから、静電気ダメージに強く歩留及び品質が向
上する。また、基体裏面の余剰薄膜の除去を光学研磨で
行うため、余剰薄膜の除去と基体表面の傷や汚れの除去
を同一工程で行え、生産性が向上する。

【００３５】更に、余剰薄膜の除去が基体の分割直前で
あり、余剰薄膜の除去に伴う基体の反りの発生は、基体
に液晶駆動素子を形成した後になるから、液晶駆動素子
の形成時のリソグラフィー精度に影響を与えないので、
高精度のリソグラフィー加工ができ、特性、歩留及び品
質が向上する。

【００３６】

【発明の効果】本発明の液晶表示素子の製造方法によれ
ば、可及的にキズの発生や汚れの付着を防止できると共
に、基板の反りによる不良の発生を抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｅ）は、第１実施例の液晶表示素子
の製造方法の工程を示すそれぞれ断面図である。

【図２】第１実施例で得られた液晶表示装置の一例を示
す断面図である。

【図３】（ａ）〜（ｅ）は、第２実施例の液晶表示素子
の製造方法の工程を示すそれぞれ断面図である。

【符号の説明】

１…液晶駆動基板、２…対向基板、８…液晶、１０…ガ
ラス基板、１１…液晶駆動素子及び回路、１２…余剰薄
膜、１３…保護膜、１４…フォトレジスト膜、１５…切
断用溝、２１…ダイシングテープ、２２…ダイシングテ
ープ、３１…Ｖ型ダイシングブレード、３２…ダイシン
グブレード

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】液晶駆動基板と対向基板とを所定のギャッ
   プを形成して重ね合わせ、このギャップに液晶を注入封
   止する液晶表示装置の製造方法において、 表面側に透明電極を含む液晶駆動素子及び回路が形成さ
   れ、裏面側に該駆動素子形成時の余剰薄膜が形成されて
   いる該液晶駆動基体の表面側に保護膜を形成する工程
   と、 該余剰薄膜の一部又は全部を除去する工程とを有するこ
   とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
2. 【請求項２】上記余剰薄膜を除去する工程において、 表示開口部に相当する余剰薄膜を選択的に除去する請求
   項１記載の液晶表示装置の製造方法。
3. 【請求項３】上記余剰薄膜を除去する工程において、 スラクイブラインに相当する余剰薄膜を選択的に除去す
   る請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
4. 【請求項４】上記余剰薄膜除去後に該液晶駆動基体を分
   割する分割工程を有する請求項１記載の液晶表示装置の
   製造方法。
5. 【請求項５】上記分割工程において、 上記液晶駆動基体の裏面側の分割を行う位置に切断用溝
   を形成する工程と上記保護膜を除去する工程と、 該切断用溝を形成した裏面側にダイシングテープを貼る
   工程と、 該液晶駆動基体の表面側から該ダイシングテープに接触
   しないようにダイシングブレードで該液晶駆動基体を切
   断分割する工程とを有する請求項４記載の液晶表示素子
   の製造方法。
6. 【請求項６】液晶駆動基板と対向基板とを所定のギャッ
   プを形成して重ね合わせ、このギャップに液晶を注入封
   止する液晶表示装置の製造方法において、 表面側にカラーフィルターと透明電極を含む積層膜が形
   成されている該対向基体の表面側に保護膜を形成する工
   程と、 上記対向基体の裏面側のスクライブラインに相当する位
   置に切断用溝を形成する工程と、 該切断用溝を形成した裏面側にダイシングテープを貼る
   工程と、 該対向基体の表面側から該ダイシングテープに接触しな
   いようにダイシングブレードで該対向基体を切断分割す
   る工程とを有することを特徴とする液晶表示素子の製造
   方法。