JPH10268242A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPH10268242A JPH10268242A JP7474497A JP7474497A JPH10268242A JP H10268242 A JPH10268242 A JP H10268242A JP 7474497 A JP7474497 A JP 7474497A JP 7474497 A JP7474497 A JP 7474497A JP H10268242 A JPH10268242 A JP H10268242A
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- crystal driving
- dicing
- dicing sheet
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プローブテストによって生じる金属ゴミがそ
のまま液晶駆動基板に付着するのを防止し、これにより
金属ゴミの付着に起因する歩留りの低下や品質の低下を
防止した液晶表示装置の製造方法の提供が望まれてい
る。 【解決手段】 電極パッドを全てショートさせる導電性
のショートラインを少なくともスクライブエリア内に形
成した液晶駆動基体1を用意し、これの内面に配向膜3
を形成し、続いて配向膜3にラビング処理を施す。次
に、液晶駆動基体1をダイシングシート4上にマウント
し、その状態で液晶駆動基体1のスクライブエリア内に
V溝6のテーパ切削加工を施してスクライブエリア内の
ショートラインを除去し、電極パッド間のショートを解
除する。次いで、ダイシングシート4上にマウントされ
たままの状態の液晶駆動基体1をプローブテストする。
その後、テーパ切削加工部分をフルカットダイシングす
る。
のまま液晶駆動基板に付着するのを防止し、これにより
金属ゴミの付着に起因する歩留りの低下や品質の低下を
防止した液晶表示装置の製造方法の提供が望まれてい
る。 【解決手段】 電極パッドを全てショートさせる導電性
のショートラインを少なくともスクライブエリア内に形
成した液晶駆動基体1を用意し、これの内面に配向膜3
を形成し、続いて配向膜3にラビング処理を施す。次
に、液晶駆動基体1をダイシングシート4上にマウント
し、その状態で液晶駆動基体1のスクライブエリア内に
V溝6のテーパ切削加工を施してスクライブエリア内の
ショートラインを除去し、電極パッド間のショートを解
除する。次いで、ダイシングシート4上にマウントされ
たままの状態の液晶駆動基体1をプローブテストする。
その後、テーパ切削加工部分をフルカットダイシングす
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に、歩留の向上
および品質の向上を図った、液晶表示装置の製造方法に
関する。
および品質の向上を図った、液晶表示装置の製造方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置の製造方法として、従来、
例えば以下に述べる方法が知られている。まず、ガラス
基体上に駆動回路等の薄膜トランジスタ(TFT)によ
る回路素子を繰り返し形成した液晶駆動基体と、同じく
ガラス基体上に色フィルタや所定の表示電極等が繰り返
し形成した対向基体とを用意する。そして、これら液晶
駆動基体と対向基体とをそれぞれ別にダイシングし、個
々の基板(液晶駆動基板、対向基板)に分割する。
例えば以下に述べる方法が知られている。まず、ガラス
基体上に駆動回路等の薄膜トランジスタ(TFT)によ
る回路素子を繰り返し形成した液晶駆動基体と、同じく
ガラス基体上に色フィルタや所定の表示電極等が繰り返
し形成した対向基体とを用意する。そして、これら液晶
駆動基体と対向基体とをそれぞれ別にダイシングし、個
々の基板(液晶駆動基板、対向基板)に分割する。
【0003】次いで、これら分割した各基板の表示部に
それぞれポリイミド配向膜を形成し、さらにラビング処
理による配向を行う。続いて、これら配向を行った液晶
駆動基板と対向基板とを、互いにその回路素子形成面、
色フィルタ形成面を対向させ、さらに所定のギャップを
形成させてその状態で重ね合わせる。そして、通常は液
晶駆動基板のシール部にコモン電極剤を塗布し、重ね合
わせ時に対向基板と液晶駆動基板を導通させる。また、
対向基板の周縁部に設けたシール剤でシールし、その内
部に液晶を封入し、液晶の配向状態をきれいに整列させ
るための熱処理を行う。
それぞれポリイミド配向膜を形成し、さらにラビング処
理による配向を行う。続いて、これら配向を行った液晶
駆動基板と対向基板とを、互いにその回路素子形成面、
色フィルタ形成面を対向させ、さらに所定のギャップを
形成させてその状態で重ね合わせる。そして、通常は液
晶駆動基板のシール部にコモン電極剤を塗布し、重ね合
わせ時に対向基板と液晶駆動基板を導通させる。また、
対向基板の周縁部に設けたシール剤でシールし、その内
部に液晶を封入し、液晶の配向状態をきれいに整列させ
るための熱処理を行う。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記液晶駆
動基体を用意し、電気的な最終チェックとしてプローブ
テストを行い、その良否を判別している。しかしなが
ら、このプローブテストでは、電極パッドにプローブ針
を立てるため、その針先で電極パッドを構成する金属材
料が削られてこれが金属ゴミとなってしまい、液晶駆動
基体の表面や裏面に付着してしまうことがある。そし
て、この金属ゴミが液晶駆動基体の表面に付着した場合
には、最終的に得られる液晶表示装置においてその液晶
内に残り、異物となって表示品質を損なってしまうおそ
れがあり、また、駆動回路上や画素トランジスタにおい
てショートを引き起こす原因となってしまうおそれもあ
る。一方、金属ゴミが液晶駆動基体の裏面に付着した場
合には、これが液晶駆動基板の外面側に設けられる偏光
板との間に挟み込まれ、画質不良を引き起こすおそれが
ある。
動基体を用意し、電気的な最終チェックとしてプローブ
テストを行い、その良否を判別している。しかしなが
ら、このプローブテストでは、電極パッドにプローブ針
を立てるため、その針先で電極パッドを構成する金属材
料が削られてこれが金属ゴミとなってしまい、液晶駆動
基体の表面や裏面に付着してしまうことがある。そし
て、この金属ゴミが液晶駆動基体の表面に付着した場合
には、最終的に得られる液晶表示装置においてその液晶
内に残り、異物となって表示品質を損なってしまうおそ
れがあり、また、駆動回路上や画素トランジスタにおい
てショートを引き起こす原因となってしまうおそれもあ
る。一方、金属ゴミが液晶駆動基体の裏面に付着した場
合には、これが液晶駆動基板の外面側に設けられる偏光
板との間に挟み込まれ、画質不良を引き起こすおそれが
ある。
【0005】このようなおそれをなくすため、従来で
は、ポリイミド配向膜形成の前に液晶駆動基体、あるい
はこれをダイシングした後の液晶駆動基板の状態で洗浄
を行っているが、このような洗浄でも十分に金属ゴミを
除去しきれないのが実状である。
は、ポリイミド配向膜形成の前に液晶駆動基体、あるい
はこれをダイシングした後の液晶駆動基板の状態で洗浄
を行っているが、このような洗浄でも十分に金属ゴミを
除去しきれないのが実状である。
【0006】また、従来では電極パッドを全てショート
させることによる同電位化での、静電気ダメージ対策を
していないので、配向膜形成やラビング処理等の液晶駆
動基体の形成プロセスなどにおいて静電気ダメージを受
け易く、これが歩留の低下、および品質の低下を招く一
因となっている。さらに、ポリイミド配向膜形成→ラビ
ング処理→ダイシング→洗浄→重ね合わせ→液晶注入・
封止・熱処理(配向)という一連の処理からなる液晶プ
ロセスにおいて、従来ではそのプロセス中に液晶駆動基
体や基板の表面のゴミ検査をしていないので、どの作業
でどのくらいのゴミ付着や欠陥が起きているのかはっき
り分からず、そのためこれらゴミ付着等に起因する品質
低下等に対し、有効な対策を施せないのが実状である。
させることによる同電位化での、静電気ダメージ対策を
していないので、配向膜形成やラビング処理等の液晶駆
動基体の形成プロセスなどにおいて静電気ダメージを受
け易く、これが歩留の低下、および品質の低下を招く一
因となっている。さらに、ポリイミド配向膜形成→ラビ
ング処理→ダイシング→洗浄→重ね合わせ→液晶注入・
封止・熱処理(配向)という一連の処理からなる液晶プ
ロセスにおいて、従来ではそのプロセス中に液晶駆動基
体や基板の表面のゴミ検査をしていないので、どの作業
でどのくらいのゴミ付着や欠陥が起きているのかはっき
り分からず、そのためこれらゴミ付着等に起因する品質
低下等に対し、有効な対策を施せないのが実状である。
【0007】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、静電気ダメージを防止
し、プローブテストによって生じる金属ゴミがそのまま
液晶駆動基板に付着するのを防止し、これにより金属ゴ
ミの付着に起因する歩留や品質の低下を防止した液晶表
示装置の製造方法を提供することにある。
で、その目的とするところは、静電気ダメージを防止
し、プローブテストによって生じる金属ゴミがそのまま
液晶駆動基板に付着するのを防止し、これにより金属ゴ
ミの付着に起因する歩留や品質の低下を防止した液晶表
示装置の製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置の
製造方法では、電極パッドを有し、該電極パッドを全て
ショートさせる導電性のショートラインを少なくともス
クライブエリア内に形成した液晶駆動基体を用意し、こ
れの内面に配向膜を形成し、続いて該配向膜にラビング
処理を施す工程と、前記液晶駆動基体をダイシングシー
ト上にマウントし、続いてその状態で該液晶駆動基体の
スクライブエリアにV溝または三角溝のテーパ切削加工
を施して該スクライブエリア内の前記ショートラインを
除去し、前記電極パッド間のショートを解除する工程
と、ショートライン除去後、ダイシングシート上にマウ
ントされたままの状態の前記液晶駆動基体をプローブテ
ストする工程と、プローブテスト後、前記テーパ切削加
工部分をフルカットダイシングする工程と、を備えてな
ることを前記課題の解決手段とした。
製造方法では、電極パッドを有し、該電極パッドを全て
ショートさせる導電性のショートラインを少なくともス
クライブエリア内に形成した液晶駆動基体を用意し、こ
れの内面に配向膜を形成し、続いて該配向膜にラビング
処理を施す工程と、前記液晶駆動基体をダイシングシー
ト上にマウントし、続いてその状態で該液晶駆動基体の
スクライブエリアにV溝または三角溝のテーパ切削加工
を施して該スクライブエリア内の前記ショートラインを
除去し、前記電極パッド間のショートを解除する工程
と、ショートライン除去後、ダイシングシート上にマウ
ントされたままの状態の前記液晶駆動基体をプローブテ
ストする工程と、プローブテスト後、前記テーパ切削加
工部分をフルカットダイシングする工程と、を備えてな
ることを前記課題の解決手段とした。
【0009】この製造方法によれば、プローブテストを
行った後、液晶駆動基体をフルカットダイシングするの
で、プローブテストの際の針立て時に電極パッドが削
れ、金属ゴミが生じても、液晶駆動基体のダイシングシ
ート側の面には該ダイシングシートによって金属ゴミが
付着することがなく、また、ダイシングシート側と反対
の面については、この面に付着した金属ゴミが例えばフ
ルカットダイシング時における切削水流で除去される。
行った後、液晶駆動基体をフルカットダイシングするの
で、プローブテストの際の針立て時に電極パッドが削
れ、金属ゴミが生じても、液晶駆動基体のダイシングシ
ート側の面には該ダイシングシートによって金属ゴミが
付着することがなく、また、ダイシングシート側と反対
の面については、この面に付着した金属ゴミが例えばフ
ルカットダイシング時における切削水流で除去される。
【0010】また、予め電極パッド全てをショートさせ
るショートラインを形成した液晶駆動基体を用意し、こ
れに配向膜を形成し、さらにラビング処理を行うので、
ショートラインによって電極パッド全てが同電位化され
ていることにより静電気ダメージが防止される。さら
に、ゴミ付着や欠陥発生が起こり易い作業である配向膜
形成、ラビンング処理の後にプローブテストを行うの
で、従来のごとく配向膜形成の前にプローブテストを行
うのに比べ、不良発生の実態が明らかになり、歩留及び
品質向上のための有効な対策を実施することが可能にな
る。
るショートラインを形成した液晶駆動基体を用意し、こ
れに配向膜を形成し、さらにラビング処理を行うので、
ショートラインによって電極パッド全てが同電位化され
ていることにより静電気ダメージが防止される。さら
に、ゴミ付着や欠陥発生が起こり易い作業である配向膜
形成、ラビンング処理の後にプローブテストを行うの
で、従来のごとく配向膜形成の前にプローブテストを行
うのに比べ、不良発生の実態が明らかになり、歩留及び
品質向上のための有効な対策を実施することが可能にな
る。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の液晶表示装置の製
造方法を詳しく説明する。本発明は、特に液晶表示装置
の製造において、駆動回路等のTFTによる回路素子を
形成した液晶駆動基板の製造に関するものであり、図1
(a)〜(f)は本発明の液晶表示装置の製造方法の第
1実施形態例を示す図である。
造方法を詳しく説明する。本発明は、特に液晶表示装置
の製造において、駆動回路等のTFTによる回路素子を
形成した液晶駆動基板の製造に関するものであり、図1
(a)〜(f)は本発明の液晶表示装置の製造方法の第
1実施形態例を示す図である。
【0012】この例では、まず、図1(a)に示すよう
に石英ガラスからなる液晶駆動基体1を用意する。この
液晶駆動基体1は、その一方の面側に、ポリシリコンで
形成されたTFTからなる液晶駆動回路及び画素部2を
有したもので、該液晶駆動回路及び画素部2上に電極パ
ッド(図示略)を有し、かつ、該電極パッドを全てショ
ートさせる導電性のショートライン(図示略)を少なく
ともスクライブエリア(図示略)内に形成したものであ
る。ここで、ショートラインとしては、二層目を約0.
14μmの厚さのITO膜とし、一層目を約1.0μm
の厚さのAl膜とする積層膜によって形成する。なお、
このような積層膜からなるショートラインの形成後に
は、アニール処理を行う。
に石英ガラスからなる液晶駆動基体1を用意する。この
液晶駆動基体1は、その一方の面側に、ポリシリコンで
形成されたTFTからなる液晶駆動回路及び画素部2を
有したもので、該液晶駆動回路及び画素部2上に電極パ
ッド(図示略)を有し、かつ、該電極パッドを全てショ
ートさせる導電性のショートライン(図示略)を少なく
ともスクライブエリア(図示略)内に形成したものであ
る。ここで、ショートラインとしては、二層目を約0.
14μmの厚さのITO膜とし、一層目を約1.0μm
の厚さのAl膜とする積層膜によって形成する。なお、
このような積層膜からなるショートラインの形成後に
は、アニール処理を行う。
【0013】次に、このようにして用意した液晶駆動基
体1の内面、すなわち液晶駆動回路及び画素部2を形成
した側の面に、図1(b)に示すようにポリイミド配向
膜3を形成する。このポリイミド配向膜3の形成につい
ては、液晶駆動回路及び画素部2形成面の所定位置にポ
リイミドを厚さ30〜50nm程度に塗布し、これを1
80℃で2時間焼成する。続いて、コットンやレーヨン
等のラビングバフ材(図示略)を用い、ポリイミド配向
膜3をラビング処理する。
体1の内面、すなわち液晶駆動回路及び画素部2を形成
した側の面に、図1(b)に示すようにポリイミド配向
膜3を形成する。このポリイミド配向膜3の形成につい
ては、液晶駆動回路及び画素部2形成面の所定位置にポ
リイミドを厚さ30〜50nm程度に塗布し、これを1
80℃で2時間焼成する。続いて、コットンやレーヨン
等のラビングバフ材(図示略)を用い、ポリイミド配向
膜3をラビング処理する。
【0014】このようにしてポリイミド配向膜3の形
成、およびそのラビング処理を行うと、特にラビング処
理時に配向膜3とバフ材との摩擦によって静電気が発生
し、前述したように従来であれば液晶駆動回路及び画素
部2のTFT等に静電気ダメージが与えられてしまう
が、本実施形態例では、電極パッドを全てショートさせ
るショートラインを形成しているので、このショートラ
インによって電極パッド全てが同電位化され、これによ
りこの静電気ダメージが防止されている。
成、およびそのラビング処理を行うと、特にラビング処
理時に配向膜3とバフ材との摩擦によって静電気が発生
し、前述したように従来であれば液晶駆動回路及び画素
部2のTFT等に静電気ダメージが与えられてしまう
が、本実施形態例では、電極パッドを全てショートさせ
るショートラインを形成しているので、このショートラ
インによって電極パッド全てが同電位化され、これによ
りこの静電気ダメージが防止されている。
【0015】次いで、図1(c)に示すように前記液晶
駆動基体1をダイシングシート4上にマウントし、さら
に支持リング5でこれを支持する。この例においては、
前記液晶駆動基体1の裏面(液晶駆動回路及び画素部2
形成面と反対の側の面)をダイシングシート4に当接さ
せた状態でマウントを行う。ここで、ダイシングシート
4としては、厚さ80μm程度のポリオレフィンベース
フィルム上にUV照射硬化型接着剤を塗布してなるUV
照射硬化型テープ(厚さ90μm程度)が好適に用いら
れる。
駆動基体1をダイシングシート4上にマウントし、さら
に支持リング5でこれを支持する。この例においては、
前記液晶駆動基体1の裏面(液晶駆動回路及び画素部2
形成面と反対の側の面)をダイシングシート4に当接さ
せた状態でマウントを行う。ここで、ダイシングシート
4としては、厚さ80μm程度のポリオレフィンベース
フィルム上にUV照射硬化型接着剤を塗布してなるUV
照射硬化型テープ(厚さ90μm程度)が好適に用いら
れる。
【0016】続いて、液晶駆動基体1をダイシングシー
ト4上にマウントしたままの状態で、該液晶駆動基体1
のスクライブエリアにV溝6のテーパ切削加工を施し、
該スクライブエリア内の前記ショートラインを除去して
前記電極パッド間のショートを解除する。ここで、V溝
6のテーパ切削加工にはVカットダイシングが用いられ
る。また、V溝6としては、図1(d)に示すように深
さdを約100μm、幅wを約200μm、開口角を約
90°とするのが好ましく、特にこのように開口角を約
90°とするためには、先端角度が90°のVカットブ
レード7を使用するのが好ましい。
ト4上にマウントしたままの状態で、該液晶駆動基体1
のスクライブエリアにV溝6のテーパ切削加工を施し、
該スクライブエリア内の前記ショートラインを除去して
前記電極パッド間のショートを解除する。ここで、V溝
6のテーパ切削加工にはVカットダイシングが用いられ
る。また、V溝6としては、図1(d)に示すように深
さdを約100μm、幅wを約200μm、開口角を約
90°とするのが好ましく、特にこのように開口角を約
90°とするためには、先端角度が90°のVカットブ
レード7を使用するのが好ましい。
【0017】なお、スクライブラインの幅については約
250μmとされる。また、前記テーパ切削加工につい
ては、V溝6に代えて図1(e)に示すように三角溝8
を形成してもよい。このような三角溝8の形成には、先
端部が平坦でその両側にテーパ面が形成されたブレード
9を用いればよい。
250μmとされる。また、前記テーパ切削加工につい
ては、V溝6に代えて図1(e)に示すように三角溝8
を形成してもよい。このような三角溝8の形成には、先
端部が平坦でその両側にテーパ面が形成されたブレード
9を用いればよい。
【0018】このようにしてテーパ切削加工を施してシ
ョートラインを除去したら、ダイシングシート4上にマ
ウントしたままの状態で前記液晶駆動基体1をプローブ
テストする。このプローブテストは、電気的な最終チェ
ックを行って液晶駆動回路等が正しく動作するかの良否
を判別するもので、電極パッドにプローブ針を立てて行
うテストである。このとき、電極パッドにプローブ針を
立てることによって電極パッドを構成する金属材料が削
られ、これが金属ゴミとなってしまうが、液晶駆動基体
1の裏面側にはダイシングシート4があるため、該裏面
に金属ゴミが付着することはない。なお、反射/透過光
でモニターする場合には、前記ダイシングシート4とし
て、UV光カットし、かつ透明なベースフィルムを用い
るようにする。
ョートラインを除去したら、ダイシングシート4上にマ
ウントしたままの状態で前記液晶駆動基体1をプローブ
テストする。このプローブテストは、電気的な最終チェ
ックを行って液晶駆動回路等が正しく動作するかの良否
を判別するもので、電極パッドにプローブ針を立てて行
うテストである。このとき、電極パッドにプローブ針を
立てることによって電極パッドを構成する金属材料が削
られ、これが金属ゴミとなってしまうが、液晶駆動基体
1の裏面側にはダイシングシート4があるため、該裏面
に金属ゴミが付着することはない。なお、反射/透過光
でモニターする場合には、前記ダイシングシート4とし
て、UV光カットし、かつ透明なベースフィルムを用い
るようにする。
【0019】このようにしてプローブテストを終了した
ら、図1(f)に示すように前記テーパ切削加工部分を
フルカットダイシングし、液晶駆動基体1を多数の液晶
駆動基板10に分割する。このフルカットダイシングと
しては、ダイシングシート4を30〜40μm程度切り
込むようにして行う。このようにしてフルカットダイシ
ングを行うと、先のプローブテストにおいて生じた金属
ゴミが、液晶駆動基体1(液晶駆動基板10)の表面側
に付着していても、フルカットダイシング処理で用いる
切削水によって洗い流され、該液晶駆動基体1(液晶駆
動基板10)の表面から除去される。
ら、図1(f)に示すように前記テーパ切削加工部分を
フルカットダイシングし、液晶駆動基体1を多数の液晶
駆動基板10に分割する。このフルカットダイシングと
しては、ダイシングシート4を30〜40μm程度切り
込むようにして行う。このようにしてフルカットダイシ
ングを行うと、先のプローブテストにおいて生じた金属
ゴミが、液晶駆動基体1(液晶駆動基板10)の表面側
に付着していても、フルカットダイシング処理で用いる
切削水によって洗い流され、該液晶駆動基体1(液晶駆
動基板10)の表面から除去される。
【0020】なお、このフルカットダイシング処理にお
いては、これに先立ち、ダイシングシート4に紫外線を
軽く、例えば20mJ/cm2 程度で照射してそのUV
照射硬化型接着剤部分を軽く硬化して若干接着力を低下
させてベタつきを低下させておいてもよく、このような
処理をしておくことにより、フルカットダイシング時に
生じたベタつくUV照射硬化型接着剤の付着で液晶駆動
基体1の切削屑やダイシングシート4の切削屑が液晶駆
動基板10の表面に付着してしまうのを防ぐことができ
る。すなわち、ダイシングシート4の接着剤部分を軽く
硬化させておくことにより、前記切削屑に接着剤が付着
し、フルカットダイシング処理で用いられる切削水流に
よっても洗い流されることなく液晶駆動基板10の表面
に残ってしまうのを防ぐことができるのである。
いては、これに先立ち、ダイシングシート4に紫外線を
軽く、例えば20mJ/cm2 程度で照射してそのUV
照射硬化型接着剤部分を軽く硬化して若干接着力を低下
させてベタつきを低下させておいてもよく、このような
処理をしておくことにより、フルカットダイシング時に
生じたベタつくUV照射硬化型接着剤の付着で液晶駆動
基体1の切削屑やダイシングシート4の切削屑が液晶駆
動基板10の表面に付着してしまうのを防ぐことができ
る。すなわち、ダイシングシート4の接着剤部分を軽く
硬化させておくことにより、前記切削屑に接着剤が付着
し、フルカットダイシング処理で用いられる切削水流に
よっても洗い流されることなく液晶駆動基板10の表面
に残ってしまうのを防ぐことができるのである。
【0021】このようにしてフルカットダイシング処理
を行い、液晶駆動基体1を多数の液晶駆動基板10に分
割したら、ダイシングシート4に紫外線を200mJ/
cm 2 程度で照射し、そのUV照射硬化型接着剤を完全
硬化させて接着力を低下させる。そして、このように硬
化させたダイシングシート4から液晶駆動基板10を個
々に剥がし、それぞれIPA(イソプロピルアルコー
ル)によって後洗浄を施す。この後は、従来と同様にコ
モン剤を塗布し、シール剤を塗布した対向基板(図示
略)と重ね合わせ、通常の液晶プロセスを経て液晶表示
装置を得る。
を行い、液晶駆動基体1を多数の液晶駆動基板10に分
割したら、ダイシングシート4に紫外線を200mJ/
cm 2 程度で照射し、そのUV照射硬化型接着剤を完全
硬化させて接着力を低下させる。そして、このように硬
化させたダイシングシート4から液晶駆動基板10を個
々に剥がし、それぞれIPA(イソプロピルアルコー
ル)によって後洗浄を施す。この後は、従来と同様にコ
モン剤を塗布し、シール剤を塗布した対向基板(図示
略)と重ね合わせ、通常の液晶プロセスを経て液晶表示
装置を得る。
【0022】このような製造方法にあっては、プローブ
テストを行った後、液晶駆動基体1をフルカットダイシ
ングするので、プローブテストの際の針立て時に電極パ
ッドが削れ、金属ゴミが生じても、液晶駆動基体1の表
面側に付着した金属ゴミについてはフルカットダイシン
グ時における切削水流で除去することができ、また、液
晶駆動基体1の裏面側にダイシングシート4があるた
め、該裏面に金属ゴミが付着することもない。
テストを行った後、液晶駆動基体1をフルカットダイシ
ングするので、プローブテストの際の針立て時に電極パ
ッドが削れ、金属ゴミが生じても、液晶駆動基体1の表
面側に付着した金属ゴミについてはフルカットダイシン
グ時における切削水流で除去することができ、また、液
晶駆動基体1の裏面側にダイシングシート4があるた
め、該裏面に金属ゴミが付着することもない。
【0023】また、液晶駆動基体1として電極パッド全
てをショートさせるショートラインを形成したものを用
い、これに配向膜を形成し、さらにラビング処理を行う
ので、ショートラインによって電極パッド全てが同電位
化されていることにより静電気ダメージを防止すること
ができる。さらに、ゴミ付着や欠陥発生が起こり易い作
業である配向膜形成、ラビンング処理の後にプローブテ
ストを行うので、従来のごとく配向膜形成の前にプロー
ブテストを行うのに比べ、不良発生の実態が明らかにな
り、歩留及び品質向上の有効な対策を実施することがで
きる。
てをショートさせるショートラインを形成したものを用
い、これに配向膜を形成し、さらにラビング処理を行う
ので、ショートラインによって電極パッド全てが同電位
化されていることにより静電気ダメージを防止すること
ができる。さらに、ゴミ付着や欠陥発生が起こり易い作
業である配向膜形成、ラビンング処理の後にプローブテ
ストを行うので、従来のごとく配向膜形成の前にプロー
ブテストを行うのに比べ、不良発生の実態が明らかにな
り、歩留及び品質向上の有効な対策を実施することがで
きる。
【0024】図2(a)〜(b)は本発明の液晶表示装
置の製造方法の第2実施形態例を示す図である。この例
が図1(a)〜(f)に示した第1実施形態例と異なる
ところは、プローブテストを終了した後の工程にある。
すなわち、この例では、図1(a)〜(e)に示したよ
うにV溝6あるいは三角溝8のテーパ切削加工を行い、
さらにプローブテストを行った後、ダイシングシート4
に紫外線を200mJ/cm2 程度で照射し、そのUV
照射硬化型接着剤を硬化させて接着力を低下させる。
置の製造方法の第2実施形態例を示す図である。この例
が図1(a)〜(f)に示した第1実施形態例と異なる
ところは、プローブテストを終了した後の工程にある。
すなわち、この例では、図1(a)〜(e)に示したよ
うにV溝6あるいは三角溝8のテーパ切削加工を行い、
さらにプローブテストを行った後、ダイシングシート4
に紫外線を200mJ/cm2 程度で照射し、そのUV
照射硬化型接着剤を硬化させて接着力を低下させる。
【0025】次いで、図2(a)に示すように、液晶駆
動基体1の回路素子部2側の面に別のダイシングシート
11をマウントする。なお、このダイシングシート11
としては、ダイシングシート4と同じ、ポリオレフィン
ベースフィルム上にUV照射硬化型接着剤を塗布してな
るUV照射硬化型テープが好適に用いられる。また、こ
のようなダイシングシート11のマウントにあたって
は、UV照射硬化阻害防止のために該ダイシングシート
11と液晶駆動基体1の液晶駆動回路及び画素部2側面
との間に気泡が残らないよう、十分注意して行うのが好
ましい。
動基体1の回路素子部2側の面に別のダイシングシート
11をマウントする。なお、このダイシングシート11
としては、ダイシングシート4と同じ、ポリオレフィン
ベースフィルム上にUV照射硬化型接着剤を塗布してな
るUV照射硬化型テープが好適に用いられる。また、こ
のようなダイシングシート11のマウントにあたって
は、UV照射硬化阻害防止のために該ダイシングシート
11と液晶駆動基体1の液晶駆動回路及び画素部2側面
との間に気泡が残らないよう、十分注意して行うのが好
ましい。
【0026】このようにしてダイシングシート11をマ
ウントしたら、先に紫外線照射により接着剤を硬化させ
て接着力を低下させたダイシングシート4を液晶駆動基
体1から剥離し、図2(b)に示すように残ったダイシ
ングシート11を下側にしていわゆるフェースダウンマ
ウントの状態にする。そして、この状態で前記テーパ切
削加工部分をフルカットダイシングし、液晶駆動基体1
を多数の液晶駆動基板10に分割する。なお、このフル
カットダイシングについては、ダイシングシート11を
切断することなく、先に形成したV溝6内にVカットブ
レード7の下端を停止させ、その位置でフルカットダイ
シングで分割する。
ウントしたら、先に紫外線照射により接着剤を硬化させ
て接着力を低下させたダイシングシート4を液晶駆動基
体1から剥離し、図2(b)に示すように残ったダイシ
ングシート11を下側にしていわゆるフェースダウンマ
ウントの状態にする。そして、この状態で前記テーパ切
削加工部分をフルカットダイシングし、液晶駆動基体1
を多数の液晶駆動基板10に分割する。なお、このフル
カットダイシングについては、ダイシングシート11を
切断することなく、先に形成したV溝6内にVカットブ
レード7の下端を停止させ、その位置でフルカットダイ
シングで分割する。
【0027】このようにしてフルカットダイシング処理
を行い、液晶駆動基体1を多数の液晶駆動基板10に分
割したら、先の第1実施形態例と同様にダイシングシー
ト11に紫外線を200mJ/cm2 程度で照射し、そ
のUV照射硬化型接着剤を硬化させて接着力を低下させ
る。そして、このように硬化させたダイシングシート1
1から液晶駆動基板10を個々に剥がし、それぞれIP
A(イソプロピルアルコール)によって洗浄を施す。こ
の後は、従来と同様にコモン剤を塗布し、シール剤を塗
布した対向基板(図示略)と重ね合わせ、通常の液晶プ
ロセスを経て液晶表示装置を得る。
を行い、液晶駆動基体1を多数の液晶駆動基板10に分
割したら、先の第1実施形態例と同様にダイシングシー
ト11に紫外線を200mJ/cm2 程度で照射し、そ
のUV照射硬化型接着剤を硬化させて接着力を低下させ
る。そして、このように硬化させたダイシングシート1
1から液晶駆動基板10を個々に剥がし、それぞれIP
A(イソプロピルアルコール)によって洗浄を施す。こ
の後は、従来と同様にコモン剤を塗布し、シール剤を塗
布した対向基板(図示略)と重ね合わせ、通常の液晶プ
ロセスを経て液晶表示装置を得る。
【0028】このような製造方法にあっては、プローブ
テストを行った後、液晶駆動基体1をフルカットダイシ
ングするので、プローブテストの際の針立て時に電極パ
ッドが削れ、金属ゴミが生じても、液晶駆動基体1の裏
面側にダイシングシート4があるため、該裏面に金属ゴ
ミが付着することがなく、また、液晶駆動基体1の表面
側に付着した金属ゴミについては、該面にダイシングシ
ート11をマウントし、その後これを剥離することによ
って該ダイシングシート11に付着させた状態で液晶駆
動基体1(液晶駆動基板10)から除去することができ
る。
テストを行った後、液晶駆動基体1をフルカットダイシ
ングするので、プローブテストの際の針立て時に電極パ
ッドが削れ、金属ゴミが生じても、液晶駆動基体1の裏
面側にダイシングシート4があるため、該裏面に金属ゴ
ミが付着することがなく、また、液晶駆動基体1の表面
側に付着した金属ゴミについては、該面にダイシングシ
ート11をマウントし、その後これを剥離することによ
って該ダイシングシート11に付着させた状態で液晶駆
動基体1(液晶駆動基板10)から除去することができ
る。
【0029】また、この例においても、先の例と同様
に、ショートラインによって電極パッド全てを同電位化
することにより、静電気ダメージを防止することがで
き、さらに、配向膜形成、ラビンング処理の後にプロー
ブテストを行うので、従来に比べ不良発生の実態が明ら
かになり、歩留および品質向上の有効な対策を実施する
ことができる。
に、ショートラインによって電極パッド全てを同電位化
することにより、静電気ダメージを防止することがで
き、さらに、配向膜形成、ラビンング処理の後にプロー
ブテストを行うので、従来に比べ不良発生の実態が明ら
かになり、歩留および品質向上の有効な対策を実施する
ことができる。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように本発明の液晶表示装
置の製造方法は、配向膜形成とラビング処理後にショー
トラインを切断しプローブテストを行った後、液晶駆動
基体をフルカットダイシングで分割する方法であるか
ら、プローブテストの際の針立て時に電極パッドが削
れ、金属ゴミが生じても、液晶駆動基体のダイシングシ
ート側の面には該ダイシングシートによって金属ゴミが
付着することがなく、また、ダイシングシート側と反対
の面については、この面に付着した金属ゴミを例えばフ
ルカットダイシング時における切削水流で除去すること
ができる。
置の製造方法は、配向膜形成とラビング処理後にショー
トラインを切断しプローブテストを行った後、液晶駆動
基体をフルカットダイシングで分割する方法であるか
ら、プローブテストの際の針立て時に電極パッドが削
れ、金属ゴミが生じても、液晶駆動基体のダイシングシ
ート側の面には該ダイシングシートによって金属ゴミが
付着することがなく、また、ダイシングシート側と反対
の面については、この面に付着した金属ゴミを例えばフ
ルカットダイシング時における切削水流で除去すること
ができる。
【0031】また、予め電極パッド全てをショートさせ
るショートラインを形成した液晶駆動基体を用意し、こ
れに配向膜を形成し、さらにラビング処理を行うので、
ショートラインによって電極パッド全てが同電位化され
ていることにより静電気ダメージを防止することができ
る。さらに、ゴミ付着や欠陥発生が起こり易い作業であ
る配向膜形成、ラビンング処理の後にプローブテストを
行うので、不良発生の実態が明らかになり、従来のごと
く配向膜形成の前にプローブテストを行うのに比べ、歩
留及び品質向上の有効な対策を実施することができる。
したがって、本発明によれば、プローブテストで生じる
金属ゴミに起因する不都合を防止することができ、さら
には静電気ダメージを防止することがきることなどか
ら、歩留や品質低下が起こるの防止するだけでなく、こ
れら歩留及び品質向上の有効な対策を図ることができ
る。
るショートラインを形成した液晶駆動基体を用意し、こ
れに配向膜を形成し、さらにラビング処理を行うので、
ショートラインによって電極パッド全てが同電位化され
ていることにより静電気ダメージを防止することができ
る。さらに、ゴミ付着や欠陥発生が起こり易い作業であ
る配向膜形成、ラビンング処理の後にプローブテストを
行うので、不良発生の実態が明らかになり、従来のごと
く配向膜形成の前にプローブテストを行うのに比べ、歩
留及び品質向上の有効な対策を実施することができる。
したがって、本発明によれば、プローブテストで生じる
金属ゴミに起因する不都合を防止することができ、さら
には静電気ダメージを防止することがきることなどか
ら、歩留や品質低下が起こるの防止するだけでなく、こ
れら歩留及び品質向上の有効な対策を図ることができ
る。
【図1】図1(a)〜(f)は本発明の第1実施形態例
を工程順に説明するための図である。
を工程順に説明するための図である。
【図2】図2(a)、(b)は本発明の第2実施形態例
を工程順に説明するための図である。
を工程順に説明するための図である。
1 液晶駆動基体 2 液晶駆動回路及び画素部
3 ポリイミド配向膜 4、11 ダイシングシート 6 V溝 8 三角
溝 10 液晶駆動基板
3 ポリイミド配向膜 4、11 ダイシングシート 6 V溝 8 三角
溝 10 液晶駆動基板
Claims (2)
- 【請求項1】 電極パッドを有し、該電極パッドを全て
ショートさせる導電性のショートラインを少なくともス
クライブエリア内に形成した液晶駆動基体を用意し、こ
れの内面に配向膜を形成し、続いて該配向膜にラビング
処理を施す工程と、 前記液晶駆動基体をダイシングシート上にマウントし、
続いてその状態で該液晶駆動基体のスクライブエリア内
にV溝または三角溝のテーパ切削加工を施して該スクラ
イブエリア内の前記ショートラインを除去し、前記電極
パッド間のショートを解除する工程と、 ショートライン除去後、ダイシングシート上にマウント
されたままの状態の前記液晶駆動基体をプローブテスト
する工程と、 プローブテスト後、前記テーパ切削加工部分をフルカッ
トダイシングする工程と、を備えてなることを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項2】 前記のテーパ切削加工部分をフルカット
ダイシングする工程が、前記のダイシングシート上にマ
ウントされたままの状態の液晶駆動基体を、別のダイシ
ングシート上にフェースマウントし、次いで先のマウン
トに用いられたダイシングシートを液晶駆動基体から剥
離し、その後この状態でテーパ切削加工部分のフルカッ
トダイシングを前記別のダイシングシートを切ることな
く行うものであることを特徴とする請求項1記載の液晶
表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7474497A JPH10268242A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7474497A JPH10268242A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10268242A true JPH10268242A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13556075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7474497A Pending JPH10268242A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10268242A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103257469A (zh) * | 2013-05-22 | 2013-08-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示器基板质量检测装置及检测方法 |
| CN116535090A (zh) * | 2023-04-23 | 2023-08-04 | 重庆两江联创电子有限公司 | 一种lcd人工裂片防止ito线路损伤的方法 |
-
1997
- 1997-03-27 JP JP7474497A patent/JPH10268242A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103257469A (zh) * | 2013-05-22 | 2013-08-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示器基板质量检测装置及检测方法 |
| CN116535090A (zh) * | 2023-04-23 | 2023-08-04 | 重庆两江联创电子有限公司 | 一种lcd人工裂片防止ito线路损伤的方法 |
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