JPH10269626A - 相変化型光ディスク - Google Patents
相変化型光ディスクInfo
- Publication number
- JPH10269626A JPH10269626A JP9067031A JP6703197A JPH10269626A JP H10269626 A JPH10269626 A JP H10269626A JP 9067031 A JP9067031 A JP 9067031A JP 6703197 A JP6703197 A JP 6703197A JP H10269626 A JPH10269626 A JP H10269626A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- thickness
- optical disk
- warpage
- change
- Prior art date
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】加速環境下での腐食の発生と反り量の経時変化
が少なく、信頼性が高い相変化型光ディスクを提供す
る。 【解決手段】直径が１２０ｍｍ以上である円板状のプラ
スチック製透明基板３０１の上に、誘電体層３０４ａ、
相変化型の記録層３０４ｂ、誘電体層３０４ｃ、および
反射層３０４ｄを形成する。この反射層３０４ｄの上に
透明な樹脂製の保護膜３０２を形成する。保護膜３０２
は、紫外線硬化型の液状樹脂を塗布して硬化させること
により形成される。保護膜３０２は、ガラス転移温度が
９５℃以上１２０℃未満の場合に厚さを４μｍ以上６μ
ｍ以下とし、ガラス転移温度が１２０℃以上の場合に厚
さを４μｍ以上８μｍ以下とする。
が少なく、信頼性が高い相変化型光ディスクを提供す
る。 【解決手段】直径が１２０ｍｍ以上である円板状のプラ
スチック製透明基板３０１の上に、誘電体層３０４ａ、
相変化型の記録層３０４ｂ、誘電体層３０４ｃ、および
反射層３０４ｄを形成する。この反射層３０４ｄの上に
透明な樹脂製の保護膜３０２を形成する。保護膜３０２
は、紫外線硬化型の液状樹脂を塗布して硬化させること
により形成される。保護膜３０２は、ガラス転移温度が
９５℃以上１２０℃未満の場合に厚さを４μｍ以上６μ
ｍ以下とし、ガラス転移温度が１２０℃以上の場合に厚
さを４μｍ以上８μｍ以下とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ディスクに関する
もので、特にコンピュータでのデータ記録再生用途に適
した高信頼性の光ディスクに関するものである。
もので、特にコンピュータでのデータ記録再生用途に適
した高信頼性の光ディスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在光ディスクとして使用されている代
表的な媒体は、ポリカーボネート等の透明樹脂からなり
厚さが１．２ｍｍで直径が１２０ｍｍの透明基板１枚を
構成要素として含むＣＤ，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｒ，Ｐ
Ｄという群である。通常、これらの光ディスクの情報記
録層ないしは反射層の上には接触による反射膜ないしは
記録膜へのキズを防止するために保護膜が形成されてい
る。
表的な媒体は、ポリカーボネート等の透明樹脂からなり
厚さが１．２ｍｍで直径が１２０ｍｍの透明基板１枚を
構成要素として含むＣＤ，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｒ，Ｐ
Ｄという群である。通常、これらの光ディスクの情報記
録層ないしは反射層の上には接触による反射膜ないしは
記録膜へのキズを防止するために保護膜が形成されてい
る。
【０００３】この保護膜は接触によるキズを防止すると
ともに、酸素や水分による腐食を防止する役割もはたし
ている。腐食の発生しやすさは加速環境下にて試験され
るが、保護膜の厚さが薄い場合には、記録層または反射
層にピンホール等の欠陥が発生しやすい。この問題を解
決する方法として、特開平２−２９２７５４号公報に開
示されているように、２枚の光ディスクをホットメルト
樹脂等で接着して保護膜の上をカバーする構成、または
特開平５−１５９３６４号公報に開示されているよう
に、保護膜の厚さを１０μｍ以上と厚くする構成が提案
されている。
ともに、酸素や水分による腐食を防止する役割もはたし
ている。腐食の発生しやすさは加速環境下にて試験され
るが、保護膜の厚さが薄い場合には、記録層または反射
層にピンホール等の欠陥が発生しやすい。この問題を解
決する方法として、特開平２−２９２７５４号公報に開
示されているように、２枚の光ディスクをホットメルト
樹脂等で接着して保護膜の上をカバーする構成、または
特開平５−１５９３６４号公報に開示されているよう
に、保護膜の厚さを１０μｍ以上と厚くする構成が提案
されている。
【０００４】しかしながら、２枚の光ディスクを接着し
た構成の場合は接着力が十分であれば問題はないが、接
着しない１枚構成の光ディスクの場合、ないしは接着力
が弱い場合には、加速試験を行うと光ディスクが記録膜
側が凹になる方向に反って変形する現象が発生する。
た構成の場合は接着力が十分であれば問題はないが、接
着しない１枚構成の光ディスクの場合、ないしは接着力
が弱い場合には、加速試験を行うと光ディスクが記録膜
側が凹になる方向に反って変形する現象が発生する。
【０００５】上記の変形の反り量は、保護膜が厚いほど
大きくなり、基板外径が大きく基板厚の薄い光ディスク
ほど大きく発生する。従って直径が３．５インチ（約８
８．９ｍｍ）で１．２ｍｍ厚である光ディスクの場合は
保護膜を厚くするという対応も可能であるが、外径が１
２０ｍｍであるＣＤサイズの光ディスクの場合、または
基板厚さが０．８ｍｍ以下の光ディスクの場合は、光デ
ィスクの加速試験による反り量の変化自体をより少なく
する手段が望まれていた。
大きくなり、基板外径が大きく基板厚の薄い光ディスク
ほど大きく発生する。従って直径が３．５インチ（約８
８．９ｍｍ）で１．２ｍｍ厚である光ディスクの場合は
保護膜を厚くするという対応も可能であるが、外径が１
２０ｍｍであるＣＤサイズの光ディスクの場合、または
基板厚さが０．８ｍｍ以下の光ディスクの場合は、光デ
ィスクの加速試験による反り量の変化自体をより少なく
する手段が望まれていた。
【０００６】この問題を解決する手段として、特開平６
−２９５４７０号公報には、保護膜の膜厚とヤング率の
積を一定以下とすることで５５℃９５％ＲＨ環境下での
加速試験による反り量の変化が抑えられることが開示さ
れている。すなわち、膜厚を厚くしたい場合にはヤング
率の低い樹脂を使用することで反り量が抑えられること
を示唆していると考えられる。
−２９５４７０号公報には、保護膜の膜厚とヤング率の
積を一定以下とすることで５５℃９５％ＲＨ環境下での
加速試験による反り量の変化が抑えられることが開示さ
れている。すなわち、膜厚を厚くしたい場合にはヤング
率の低い樹脂を使用することで反り量が抑えられること
を示唆していると考えられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、より高
い信頼性を求められる記録型の光ディスクでは、８０〜
９０℃といったより高温の条件の加速試験下で発生する
反りや腐食を抑えることが要求されているが、前記公報
では、このような厳しい加速条件下での反りに関して示
唆されていない。また、前記公報では、基板に直接形成
された凹凸が信号ピットとなる再生専用型の光ディスク
について述べてあるが、相変化型光ディスクの場合は、
出荷前に全面を結晶化する初期化工程で基板に応力が発
生する。
い信頼性を求められる記録型の光ディスクでは、８０〜
９０℃といったより高温の条件の加速試験下で発生する
反りや腐食を抑えることが要求されているが、前記公報
では、このような厳しい加速条件下での反りに関して示
唆されていない。また、前記公報では、基板に直接形成
された凹凸が信号ピットとなる再生専用型の光ディスク
について述べてあるが、相変化型光ディスクの場合は、
出荷前に全面を結晶化する初期化工程で基板に応力が発
生する。
【０００８】この応力は、初期化による原子の配列変化
により発生するものであり、初期化自体が不要な再生専
用型光ディスク、初期化により磁気的な変化は発生して
も原子の配列変化は発生しない光磁気ディスクの場合に
は生じない。
により発生するものであり、初期化自体が不要な再生専
用型光ディスク、初期化により磁気的な変化は発生して
も原子の配列変化は発生しない光磁気ディスクの場合に
は生じない。
【０００９】本発明者らの検討によれば、この初期化工
程に伴う応力は６０℃以下の加速条件ではほとんど解放
されず、加速による反り量の変化は１ミリラジアン以下
とごく少ないが、８０℃以上の加速条件では相変化型光
ディスクではこの初期化による応力が緩和するために、
反りの発生量は再生専用型、光磁気型に比較して大きく
なってしまうという問題があることが判明した。
程に伴う応力は６０℃以下の加速条件ではほとんど解放
されず、加速による反り量の変化は１ミリラジアン以下
とごく少ないが、８０℃以上の加速条件では相変化型光
ディスクではこの初期化による応力が緩和するために、
反りの発生量は再生専用型、光磁気型に比較して大きく
なってしまうという問題があることが判明した。
【００１０】相変化型光ディスクでは初期化条件が記録
再生特性に大きく影響するため、加速後の反り量の発生
を考慮して初期化条件を変更することは好ましくない
が、本発明者らの検討によると、初期化に投入するパワ
ー密度を上げるほど、加速条件下で発生する反り量も大
きくなることも判明した。
再生特性に大きく影響するため、加速後の反り量の発生
を考慮して初期化条件を変更することは好ましくない
が、本発明者らの検討によると、初期化に投入するパワ
ー密度を上げるほど、加速条件下で発生する反り量も大
きくなることも判明した。
【００１１】そこで、本発明は、この実状を鑑みて考案
したものであり、特に初期化工程を行うことが前提にあ
る相変化型光ディスクにおいて、初期化工程後に行われ
る８０℃以上の温度での厳しい加速試験によっても、反
り量の変化量と腐食の発生度合の両方が少ない光ディス
クを提供することを目的とする。
したものであり、特に初期化工程を行うことが前提にあ
る相変化型光ディスクにおいて、初期化工程後に行われ
る８０℃以上の温度での厳しい加速試験によっても、反
り量の変化量と腐食の発生度合の両方が少ない光ディス
クを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め本発明者らが検討を重ねた結果、加速試験後の腐食の
発生度合は、一般に紫外線硬化型樹脂で形成される保護
膜の厚さに大きく依存するが、樹脂の特性による差が少
ないのに対して、加速試験による反り量は、保護膜の厚
さに依存するとともに、樹脂の耐熱性にも依存すること
を見いだした。そして、この知見から、加速試験による
腐食の発生を少なくしながら反り量の変化も効果的に低
減できる構成を見いだし、本発明を完成するに至った。
め本発明者らが検討を重ねた結果、加速試験後の腐食の
発生度合は、一般に紫外線硬化型樹脂で形成される保護
膜の厚さに大きく依存するが、樹脂の特性による差が少
ないのに対して、加速試験による反り量は、保護膜の厚
さに依存するとともに、樹脂の耐熱性にも依存すること
を見いだした。そして、この知見から、加速試験による
腐食の発生を少なくしながら反り量の変化も効果的に低
減できる構成を見いだし、本発明を完成するに至った。
【００１３】すなわち、請求項１に係る発明は、直径が
１２０ｍｍ以上である円板状のプラスチック製透明基板
上に、薄膜層として、結晶状態と非晶質状態との間の相
変化が可逆的になされる材料からなる記録層を少なくと
も備えるとともに、当該薄膜層の上に紫外線硬化型の液
状樹脂を塗布して硬化させることにより透明な樹脂製の
保護膜が形成されている相変化型光ディスクにおいて、
前記保護膜は、ガラス転移温度が９５℃以上１２０℃未
満であり、厚さが４μｍ以上６μｍ以下であることを特
徴とする相変化型光ディスクを提供する。
１２０ｍｍ以上である円板状のプラスチック製透明基板
上に、薄膜層として、結晶状態と非晶質状態との間の相
変化が可逆的になされる材料からなる記録層を少なくと
も備えるとともに、当該薄膜層の上に紫外線硬化型の液
状樹脂を塗布して硬化させることにより透明な樹脂製の
保護膜が形成されている相変化型光ディスクにおいて、
前記保護膜は、ガラス転移温度が９５℃以上１２０℃未
満であり、厚さが４μｍ以上６μｍ以下であることを特
徴とする相変化型光ディスクを提供する。
【００１４】請求項２に係る発明は、直径が１２０ｍｍ
以上である円板状のプラスチック製透明基板上に、薄膜
層として、結晶状態と非晶質状態との間の相変化が可逆
的になされる材料からなる記録層を少なくとも備えると
ともに、当該薄膜層の上に紫外線硬化型の液状樹脂を塗
布して硬化させることにより透明な樹脂製の保護膜が形
成されている相変化型光ディスクにおいて、前記保護膜
は、ガラス転移温度が１２０℃以上であり、厚さが４μ
ｍ以上８μｍ以下であることを特徴とする相変化型光デ
ィスクを提供する。
以上である円板状のプラスチック製透明基板上に、薄膜
層として、結晶状態と非晶質状態との間の相変化が可逆
的になされる材料からなる記録層を少なくとも備えると
ともに、当該薄膜層の上に紫外線硬化型の液状樹脂を塗
布して硬化させることにより透明な樹脂製の保護膜が形
成されている相変化型光ディスクにおいて、前記保護膜
は、ガラス転移温度が１２０℃以上であり、厚さが４μ
ｍ以上８μｍ以下であることを特徴とする相変化型光デ
ィスクを提供する。
【００１５】上記透明基板の材料としては、ポリカーボ
ネート樹脂・ポリメチルメタクリレート樹脂・アモルフ
ァスポリオレフィン樹脂等の耐熱性のある光学材料用の
樹脂があげられるが、耐熱性とコストの観点からポリカ
ーボネート樹脂が最も好ましい。また、透明基板は、射
出成形法、射出圧縮成型法、２Ｐ法等で成形することが
できる。
ネート樹脂・ポリメチルメタクリレート樹脂・アモルフ
ァスポリオレフィン樹脂等の耐熱性のある光学材料用の
樹脂があげられるが、耐熱性とコストの観点からポリカ
ーボネート樹脂が最も好ましい。また、透明基板は、射
出成形法、射出圧縮成型法、２Ｐ法等で成形することが
できる。
【００１６】上記透明基板に成膜される記録層はＧｅＳ
ｂＴｅ合金等の任意の相変化型記録層を使用できる。ま
た反射層はＡｌ合金等が使用できる。これらはスパッタ
リング法、ＣＶＤ法、蒸着法等で成膜することができ
る。
ｂＴｅ合金等の任意の相変化型記録層を使用できる。ま
た反射層はＡｌ合金等が使用できる。これらはスパッタ
リング法、ＣＶＤ法、蒸着法等で成膜することができ
る。
【００１７】保護膜は、薄膜層の上に紫外線硬化型の液
状樹脂を塗布して硬化させることにより形成されるが、
その塗布方法としては、図２および３に示すような、ス
ピンコーティング法が挙げられる。
状樹脂を塗布して硬化させることにより形成されるが、
その塗布方法としては、図２および３に示すような、ス
ピンコーティング法が挙げられる。
【００１８】すなわち、先ず、図２に示すように、低速
で回転する基板１０１上に、目的の膜厚に対して過剰量
の液体樹脂１０２ａをノズル１０３を用いて内周より滴
下して、ドーナツ状１０２ｂに樹脂を塗布した後、図３
に示すように、高速で一定時間回転させて過剰分の樹脂
１０２ｃを外周から振り切る。この方法によれば、塗布
厚さは、樹脂の粘度・表面張力・比重といった物性及び
振り切り時の回転数、回転時間といった塗布条件により
決定されるため、これらの条件の選択によって塗布膜厚
をコントロールすることができる。
で回転する基板１０１上に、目的の膜厚に対して過剰量
の液体樹脂１０２ａをノズル１０３を用いて内周より滴
下して、ドーナツ状１０２ｂに樹脂を塗布した後、図３
に示すように、高速で一定時間回転させて過剰分の樹脂
１０２ｃを外周から振り切る。この方法によれば、塗布
厚さは、樹脂の粘度・表面張力・比重といった物性及び
振り切り時の回転数、回転時間といった塗布条件により
決定されるため、これらの条件の選択によって塗布膜厚
をコントロールすることができる。
【００１９】また、保護膜の膜厚測定法としては、塗布
前後の厚さを機械的に測定して差を求める方法、マスク
により塗布されない部分を一部設けて機械的に段差を測
定する方法等もあるが、非接触であり測定精度も高いと
いう利点を持つ光学的干渉法を採用することが好まし
い。塗布厚さは最外周部は表面張力やバリの存在等が原
因で部分的に厚くなるので、そこを除いた部分の厚さで
判定するものとする。
前後の厚さを機械的に測定して差を求める方法、マスク
により塗布されない部分を一部設けて機械的に段差を測
定する方法等もあるが、非接触であり測定精度も高いと
いう利点を持つ光学的干渉法を採用することが好まし
い。塗布厚さは最外周部は表面張力やバリの存在等が原
因で部分的に厚くなるので、そこを除いた部分の厚さで
判定するものとする。
【００２０】紫外線硬化樹脂による保護膜を作成した基
板を分光器にセットして、波長を８００ｎｍから４００
ｎｍの範囲で走査しながら反射率を測定する。図４およ
び５に模式的に示すように、保護膜表面で反射する光２
０３ａと基板表面ないし記録層または反射層との界面で
反射する光２０３ｂの干渉により、反射率は波長による
極大Ｐ１、Ｐ２・極小Ｂ１、Ｂ２の繰返しを示す。
板を分光器にセットして、波長を８００ｎｍから４００
ｎｍの範囲で走査しながら反射率を測定する。図４およ
び５に模式的に示すように、保護膜表面で反射する光２
０３ａと基板表面ないし記録層または反射層との界面で
反射する光２０３ｂの干渉により、反射率は波長による
極大Ｐ１、Ｐ２・極小Ｂ１、Ｂ２の繰返しを示す。
【００２１】そして、反射角θ及び保護膜の厚さｄと屈
折率ｎより定まる光学的距離の差２ｎｄｓｉｎθが、反
射率の極大・極小の間隔から下記の（１）式および
（２）式から計算できるため、保護膜の屈折率ｎがわか
れば膜厚ｄが求められる。フッ素や臭素等を含まない通
常の紫外線硬化樹脂を使用する限りは屈折率は１．５と
考えても膜厚の計算値には大きな誤差は発生しないの
で、以下の膜厚測定では保護膜の屈折率はすべて１．５
と仮定して求めた。
折率ｎより定まる光学的距離の差２ｎｄｓｉｎθが、反
射率の極大・極小の間隔から下記の（１）式および
（２）式から計算できるため、保護膜の屈折率ｎがわか
れば膜厚ｄが求められる。フッ素や臭素等を含まない通
常の紫外線硬化樹脂を使用する限りは屈折率は１．５と
考えても膜厚の計算値には大きな誤差は発生しないの
で、以下の膜厚測定では保護膜の屈折率はすべて１．５
と仮定して求めた。
【００２２】２ｎｄｓｉｎθ＝Ｎ・Ｐ１‥‥（１） ２ｎｄｓｉｎθ＝（Ｎ−１／２）Ｂ１‥‥（２） 反り量については、市販の光ディスク用機械特性検査機
を用いて、基板の外周部の半径方向での傾き（図６の角
度θ1 ）を求めることで測定する。この角度θ1 は、光
ディスク１０の半径方向に沿った二点１８，１９の、基
準面に平行な方向での変位Ａを測定し、この変位Ａと両
点間の半径方向の距離Ｄとを用い、下記の（３）式から
近似的に求めることができる。
を用いて、基板の外周部の半径方向での傾き（図６の角
度θ1 ）を求めることで測定する。この角度θ1 は、光
ディスク１０の半径方向に沿った二点１８，１９の、基
準面に平行な方向での変位Ａを測定し、この変位Ａと両
点間の半径方向の距離Ｄとを用い、下記の（３）式から
近似的に求めることができる。
【００２３】θ1 ＝ｔａｎ-1（Ａ／Ｄ）‥‥（３） そして、直径が１２０ｍｍの光ディスクの場合には、半
径方向内側の点１８として半径５３ｍｍの位置を、外側
の点１９として５８ｍｍの位置を設定し、それぞれの基
準面からの変位量Ａを測定して、その差と両者の距離Ｄ
（＝５ｍｍ）とにより（３）式で計算した。
径方向内側の点１８として半径５３ｍｍの位置を、外側
の点１９として５８ｍｍの位置を設定し、それぞれの基
準面からの変位量Ａを測定して、その差と両者の距離Ｄ
（＝５ｍｍ）とにより（３）式で計算した。
【００２４】なお、反り量の値は光ディスクの吸湿によ
り変化するので、測定環境は温度が２２℃から２４℃の
間でかつ湿度が４５％から５５％の間に空調された環境
で測定し、測定の少なくとも４日以上前から測定する光
ディスクをその環境下に保管しておくことが測定の再現
性のために必要である。
り変化するので、測定環境は温度が２２℃から２４℃の
間でかつ湿度が４５％から５５％の間に空調された環境
で測定し、測定の少なくとも４日以上前から測定する光
ディスクをその環境下に保管しておくことが測定の再現
性のために必要である。
【００２５】また、この測定方法は機械特性検査機にて
フォーカスをかけることが必要なので、反りが大きい、
反射率が低い等の原因でフォーカスがかからない場合に
はこの測定方法による値と校正をとった別の測定方法を
採用してもよい。一例としては点光源から出射される光
を被測定対象である光ディスクに反射させてスクリーン
に投影し、その投影径を測定することで反り量を測定す
る方法がある。
フォーカスをかけることが必要なので、反りが大きい、
反射率が低い等の原因でフォーカスがかからない場合に
はこの測定方法による値と校正をとった別の測定方法を
採用してもよい。一例としては点光源から出射される光
を被測定対象である光ディスクに反射させてスクリーン
に投影し、その投影径を測定することで反り量を測定す
る方法がある。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を、具体
的な実施例により説明する。 （実施例１）外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカ
ーボネート製透明基板を射出成型法により作製した。成
形歪みをとるために９０℃で２時間アニール処理した
後、大日本インキ化学工業（株）製の紫外線硬化樹脂Ｓ
Ｄ−１７００、ＳＤ−１０１、ＳＤ−３０１、ＳＤ−３
１８を用いてスピンコーティング法により５μｍの厚さ
の保護膜を形成し高圧水銀灯で７００ｍＪ／ｃｍ2 の光
を照射して硬化させて透明基板と保護膜のみの試料を作
成した。
的な実施例により説明する。 （実施例１）外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカ
ーボネート製透明基板を射出成型法により作製した。成
形歪みをとるために９０℃で２時間アニール処理した
後、大日本インキ化学工業（株）製の紫外線硬化樹脂Ｓ
Ｄ−１７００、ＳＤ−１０１、ＳＤ−３０１、ＳＤ−３
１８を用いてスピンコーティング法により５μｍの厚さ
の保護膜を形成し高圧水銀灯で７００ｍＪ／ｃｍ2 の光
を照射して硬化させて透明基板と保護膜のみの試料を作
成した。
【００２７】加速試験による反りの発生量を、８０℃８
０％ＲＨ１５０時間の加速環境下で試験した結果を表１
に示す。
０％ＲＨ１５０時間の加速環境下で試験した結果を表１
に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】この結果から、８０℃加速環境下では、発
生する反りの大きさは常温に近い３０℃のヤング率では
判定できず、ガラス転移温度が８０℃と低いＳＤ−１７
００の反りが大きいことがわかる。 （実施例２）断面図を図１に模式的に示したように、外
径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート製透
明基板３０１を射出成型法により作成した。
生する反りの大きさは常温に近い３０℃のヤング率では
判定できず、ガラス転移温度が８０℃と低いＳＤ−１７
００の反りが大きいことがわかる。 （実施例２）断面図を図１に模式的に示したように、外
径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート製透
明基板３０１を射出成型法により作成した。
【００３０】続いて、三菱レーヨン（株）製の紫外線硬
化樹脂ＵＲ−４５１１を用いて、スピンコーティング法
により基板３０１の記録膜形成面と逆側にコート膜３０
３を形成し、高圧水銀灯で１０００ｍＪ／ｃｍ2 の光を
照射して硬化させた。続いて、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からな
る誘電体層３０４ａ、ＧｅＳｂＴｅからなる記録層３０
４ｂ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる誘電体層３０４ｃ、お
よびＡｌＣｒからなる反射層３０４ｄの４層の薄膜層を
スパッタリング法により形成した。
化樹脂ＵＲ−４５１１を用いて、スピンコーティング法
により基板３０１の記録膜形成面と逆側にコート膜３０
３を形成し、高圧水銀灯で１０００ｍＪ／ｃｍ2 の光を
照射して硬化させた。続いて、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からな
る誘電体層３０４ａ、ＧｅＳｂＴｅからなる記録層３０
４ｂ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる誘電体層３０４ｃ、お
よびＡｌＣｒからなる反射層３０４ｄの４層の薄膜層を
スパッタリング法により形成した。
【００３１】次に、大日本インキ化学工業（株）製の紫
外線硬化樹脂ＳＤ−１０１、ＳＤ−３０１、及びＳＤ−
３１８を用いてスピンコーティング法により保護膜３０
２を形成し、高圧水銀灯で５００ｍＪ／ｃｍ2 の光を照
射して硬化させた。このようにして得られた相変化型光
ディスクに対して、レーザ光を照射することにより、Ｇ
ｅＳｂＴｅ記録層をアモルファスから結晶化させる初期
化工程を行い、初期化後の光ディスクに対して以下のよ
うな加速試験を行った。
外線硬化樹脂ＳＤ−１０１、ＳＤ−３０１、及びＳＤ−
３１８を用いてスピンコーティング法により保護膜３０
２を形成し、高圧水銀灯で５００ｍＪ／ｃｍ2 の光を照
射して硬化させた。このようにして得られた相変化型光
ディスクに対して、レーザ光を照射することにより、Ｇ
ｅＳｂＴｅ記録層をアモルファスから結晶化させる初期
化工程を行い、初期化後の光ディスクに対して以下のよ
うな加速試験を行った。
【００３２】腐食の発生度合については、１１０℃９０
％ＲＨ６７時間の加速環境下で試験した結果を図７に示
す。腐食は、ピンホールとして光学顕微鏡で１０μｍ以
上の大きさとなっているものの一定面積あたりの個数を
数えることで定量化した。この図から樹脂種に関係なく
４μｍ以上の厚さが好ましく、６μｍ以上がさらに好ま
しいことが分かる。
％ＲＨ６７時間の加速環境下で試験した結果を図７に示
す。腐食は、ピンホールとして光学顕微鏡で１０μｍ以
上の大きさとなっているものの一定面積あたりの個数を
数えることで定量化した。この図から樹脂種に関係なく
４μｍ以上の厚さが好ましく、６μｍ以上がさらに好ま
しいことが分かる。
【００３３】反りの発生量については、９０℃８０％Ｒ
Ｈ９００時間の加速環境下で試験した結果を表２に示
す。
Ｈ９００時間の加速環境下で試験した結果を表２に示
す。
【００３４】
【表２】
【００３５】この結果から、同一の厚さでもガラス転移
温度が９５℃と低いＳＤ−１０１のそりが大きいことが
分かる。反り量の許容量は７ミリラジアン（ｍｒａｄ）
であるので、ガラス転移温度が９５℃であるＳＤ−１０
１の場合は６μｍが厚さの上限であることが分かる。そ
れに対して、ガラス転移温度が１２０℃であるＳＤ−３
０１の場合は、厚さが６μｍでは反り量が５ミリラジア
ンとより少なく、厚さと反りがおおよそ比例すると考え
ると、厚さが８μｍになると反り量が７ミリラジアンに
なると推測される。
温度が９５℃と低いＳＤ−１０１のそりが大きいことが
分かる。反り量の許容量は７ミリラジアン（ｍｒａｄ）
であるので、ガラス転移温度が９５℃であるＳＤ−１０
１の場合は６μｍが厚さの上限であることが分かる。そ
れに対して、ガラス転移温度が１２０℃であるＳＤ−３
０１の場合は、厚さが６μｍでは反り量が５ミリラジア
ンとより少なく、厚さと反りがおおよそ比例すると考え
ると、厚さが８μｍになると反り量が７ミリラジアンに
なると推測される。
【００３６】したがって、外径１２０ｍｍ以上の基板を
用いた場合には、保護膜の樹脂を、硬化後のガラス転移
温度が９５℃以上１２０℃未満である場合は厚さ４〜６
μｍで、１２０℃以上である場合は厚さ４〜８μｍで形
成することにより、９０℃８０％ＲＨ加速環境下での反
り量を、反り量の許容量である７ミリラジアン以下に抑
えることができることが分かる。
用いた場合には、保護膜の樹脂を、硬化後のガラス転移
温度が９５℃以上１２０℃未満である場合は厚さ４〜６
μｍで、１２０℃以上である場合は厚さ４〜８μｍで形
成することにより、９０℃８０％ＲＨ加速環境下での反
り量を、反り量の許容量である７ミリラジアン以下に抑
えることができることが分かる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の相変化型
光ディスクは、初期化工程後に行われる８０℃以上の温
度での厳しい加速試験によっても、反り量が小さく腐食
も生じ難いものとなる。すなわち、本発明により、コン
ピュータでのデータ記録再生用途に適した高信頼性の光
ディスクが得られる。
光ディスクは、初期化工程後に行われる８０℃以上の温
度での厳しい加速試験によっても、反り量が小さく腐食
も生じ難いものとなる。すなわち、本発明により、コン
ピュータでのデータ記録再生用途に適した高信頼性の光
ディスクが得られる。
【図１】本発明の一実施例に相当する相変化記録型光デ
ィスクの構造を模式的に示す断面図である。
ィスクの構造を模式的に示す断面図である。
【図２】スピンコーティング法による紫外線硬化樹脂塗
布の原理を示す模式図である。
布の原理を示す模式図である。
【図３】スピンコーティング法による紫外線硬化樹脂塗
布の原理を示す模式図である。
布の原理を示す模式図である。
【図４】干渉法による膜厚測定の原理を示す模式図であ
る。
る。
【図５】干渉法による膜厚測定の原理を示す模式図であ
る。
る。
【図６】基板の反り量を説明するための説明図である。
【図７】保護膜の厚さと加速環境下で発生する腐食の数
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
１０１ 透明基板、ないしは記録層か反射層を成膜し
た基板 １０２ａ 滴下される紫外線硬化樹脂 １０２ｂ 内周に低速回転で塗布された紫外線硬化樹脂 １０２ｃ 高速回転時に外周から振り切られる紫外線硬
化樹脂 １０３ 紫外線硬化樹脂供給ノズル ２０１ 保護膜 ２０２ 記録層あるいは反射層を成膜した基板 ２０３ａ 保護膜の表面で反射する光 ２０３ｂ 保護膜の境界面で反射する光 ３０１ 透明基板 ３０２ 保護膜 ３０３ 基板の記録層と反対側の面の保護膜 ３０４ａ 誘電体層 ３０４ｂ 記録層 ３０４ｃ 誘電体層 ３０４ｄ 反射層
た基板 １０２ａ 滴下される紫外線硬化樹脂 １０２ｂ 内周に低速回転で塗布された紫外線硬化樹脂 １０２ｃ 高速回転時に外周から振り切られる紫外線硬
化樹脂 １０３ 紫外線硬化樹脂供給ノズル ２０１ 保護膜 ２０２ 記録層あるいは反射層を成膜した基板 ２０３ａ 保護膜の表面で反射する光 ２０３ｂ 保護膜の境界面で反射する光 ３０１ 透明基板 ３０２ 保護膜 ３０３ 基板の記録層と反対側の面の保護膜 ３０４ａ 誘電体層 ３０４ｂ 記録層 ３０４ｃ 誘電体層 ３０４ｄ 反射層
Claims (2)
- 【請求項１】 直径が１２０ｍｍ以上である円板状のプ
ラスチック製透明基板上に、薄膜層として、結晶状態と
非晶質状態との間の相変化が可逆的になされる材料から
なる記録層を少なくとも備えるとともに、当該薄膜層の
上に紫外線硬化型の液状樹脂を塗布して硬化させること
により透明な樹脂製の保護膜が形成されている相変化型
光ディスクにおいて、 前記保護膜は、ガラス転移温度が９５℃以上１２０℃未
満であり、厚さが４μｍ以上６μｍ以下であることを特
徴とする相変化型光ディスク。 - 【請求項２】 直径が１２０ｍｍ以上である円板状のプ
ラスチック製透明基板上に、薄膜層として、結晶状態と
非晶質状態との間の相変化が可逆的になされる材料から
なる記録層を少なくとも備えるとともに、当該薄膜層の
上に紫外線硬化型の液状樹脂を塗布して硬化させること
により透明な樹脂製の保護膜が形成されている相変化型
光ディスクにおいて、 前記保護膜は、ガラス転移温度が１２０℃以上であり、
厚さが４μｍ以上８μｍ以下であることを特徴とする相
変化型光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9067031A JPH10269626A (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | 相変化型光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9067031A JPH10269626A (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | 相変化型光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10269626A true JPH10269626A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13333113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9067031A Withdrawn JPH10269626A (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | 相変化型光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10269626A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7245580B2 (en) | 2002-03-07 | 2007-07-17 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium having protective and/or adhesive layers, and method of manufacture |
-
1997
- 1997-03-19 JP JP9067031A patent/JPH10269626A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7245580B2 (en) | 2002-03-07 | 2007-07-17 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium having protective and/or adhesive layers, and method of manufacture |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040601 |