JPH10270208A - サーミスタ温度センサ - Google Patents
サーミスタ温度センサInfo
- Publication number
- JPH10270208A JPH10270208A JP7549597A JP7549597A JPH10270208A JP H10270208 A JPH10270208 A JP H10270208A JP 7549597 A JP7549597 A JP 7549597A JP 7549597 A JP7549597 A JP 7549597A JP H10270208 A JPH10270208 A JP H10270208A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- temperature sensor
- thermistor element
- electrode
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐久性が良く、特性のばらつきが少なく、し
かも製造コストが安いサーミスタ温度センサを提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 チップ型サーミスタ素子８に絶縁被覆電
線５が接続され、保護ケース６に挿入され、樹脂９がモ
ールドされ、サーミスタ温度センサが形成される。チッ
プ型サーミスタ素子８は、直方体形状のサーミスタ素体
９の長手方向に延びる側面にガラス又は高分子材料（例
えばエポキシ）よりなる絶縁コート１０を形成し、長手
方向に離隔した１対の端面に電極層１１を形成したもの
である。
かも製造コストが安いサーミスタ温度センサを提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 チップ型サーミスタ素子８に絶縁被覆電
線５が接続され、保護ケース６に挿入され、樹脂９がモ
ールドされ、サーミスタ温度センサが形成される。チッ
プ型サーミスタ素子８は、直方体形状のサーミスタ素体
９の長手方向に延びる側面にガラス又は高分子材料（例
えばエポキシ）よりなる絶縁コート１０を形成し、長手
方向に離隔した１対の端面に電極層１１を形成したもの
である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エアコン、冷蔵庫
などに用いられるサーミスタ温度センサに関する。
などに用いられるサーミスタ温度センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】サーミスタ温度センサとしては、図２
（ａ）〜（ｄ）に示すように、ディスク型サーミスタ素
子１、フレーク型サーミスタ素子２、あるいはラジアル
リード型・ガラス封入サーミスタ素子３、アキシャルリ
ード型・ガラス封入サーミスタ素子４などを絶縁被覆電
線５に接続し、金属あるいは樹脂製保護ケース６に挿入
し、樹脂７でモールドしたものが知られている。
（ａ）〜（ｄ）に示すように、ディスク型サーミスタ素
子１、フレーク型サーミスタ素子２、あるいはラジアル
リード型・ガラス封入サーミスタ素子３、アキシャルリ
ード型・ガラス封入サーミスタ素子４などを絶縁被覆電
線５に接続し、金属あるいは樹脂製保護ケース６に挿入
し、樹脂７でモールドしたものが知られている。
【０００３】
Ｉ． 前記のディスク型サーミスタ素子、フレーク型サ
ーミスタ素子を使用したサーミスタ温度センサは、サー
ミスタ素子コストが安価であるが、次の〜の問題が
あった。
ーミスタ素子を使用したサーミスタ温度センサは、サー
ミスタ素子コストが安価であるが、次の〜の問題が
あった。
【０００４】 電極間のサーミスタ素体が露出してい
るため、素体あるいは素体と電極の界面への水の侵入に
よる腐食などにより、特性の劣化を生じ易い。 また、銀を含む電極が素子表面に露出しているた
め、銀のマイグレーションを生じ易い。 マイグレーションの防止策としては、銀を含む電極
表面にマイグレーションを起こし難い金属をめっきする
ことが効果的であるが、めっき液によりサーミスタ素体
が浸食される。 露出素体表面にガラス膜などの絶縁性物質膜を形成
することが信頼性を高めるためには効果的であるが、デ
ィスク型サーミスタ素子、フレーク型サーミスタ素子は
実用的なコストで絶縁性物質膜を形成する事が困難であ
る。 ディスク型サーミスタ素子は、粉体プレス成形法に
よる製造のため寸法のばらつきが大きく、従ってサーミ
スタ抵抗値のばらつきが大きい。
るため、素体あるいは素体と電極の界面への水の侵入に
よる腐食などにより、特性の劣化を生じ易い。 また、銀を含む電極が素子表面に露出しているた
め、銀のマイグレーションを生じ易い。 マイグレーションの防止策としては、銀を含む電極
表面にマイグレーションを起こし難い金属をめっきする
ことが効果的であるが、めっき液によりサーミスタ素体
が浸食される。 露出素体表面にガラス膜などの絶縁性物質膜を形成
することが信頼性を高めるためには効果的であるが、デ
ィスク型サーミスタ素子、フレーク型サーミスタ素子は
実用的なコストで絶縁性物質膜を形成する事が困難であ
る。 ディスク型サーミスタ素子は、粉体プレス成形法に
よる製造のため寸法のばらつきが大きく、従ってサーミ
スタ抵抗値のばらつきが大きい。
【０００５】II. ラジアルリード型あるいはアキシャ
ルリード型素子を使用したサーミスタ温度センサは、素
子コストが高いという問題があった。
ルリード型素子を使用したサーミスタ温度センサは、素
子コストが高いという問題があった。
【０００６】III. 本発明は、このような種々の問題点
を解決し、耐久性が良く、特性のばらつきが少なく、し
かも製造コストが安いサーミスタ温度センサを提供する
ことを目的とする。
を解決し、耐久性が良く、特性のばらつきが少なく、し
かも製造コストが安いサーミスタ温度センサを提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のサーミスタ温度
センサは、サーミスタ素子と、該サーミスタ素子に接続
されたリード線とを備え、該サーミスタ素子を樹脂コー
トまたは樹脂モールドしたサーミスタ温度センサにおい
て、該サーミスタ素子として直方体形状の長手方向の端
部に端子電極を形成したチップ型サーミスタ素子を使用
したことを特徴とするものである。
センサは、サーミスタ素子と、該サーミスタ素子に接続
されたリード線とを備え、該サーミスタ素子を樹脂コー
トまたは樹脂モールドしたサーミスタ温度センサにおい
て、該サーミスタ素子として直方体形状の長手方向の端
部に端子電極を形成したチップ型サーミスタ素子を使用
したことを特徴とするものである。
【０００８】かかる本発明に採用したチップ型サーミス
タ素子は、表面実装用として、形状、寸法が一定に製造
される。このためセンサの組立工程で自動機の使用が容
易で組立コストを低減できる。また、このチップ型サー
ミスタ素子は、例えば焼成ブロックをスライス加工した
ウエハより切断形成されるため、ディスク型サーミスタ
素子に比べ寸法精度が高く、従って抵抗値のばらつきが
小さい。
タ素子は、表面実装用として、形状、寸法が一定に製造
される。このためセンサの組立工程で自動機の使用が容
易で組立コストを低減できる。また、このチップ型サー
ミスタ素子は、例えば焼成ブロックをスライス加工した
ウエハより切断形成されるため、ディスク型サーミスタ
素子に比べ寸法精度が高く、従って抵抗値のばらつきが
小さい。
【０００９】このチップ型サーミスタ素子は、ウエハ切
断後の棒状段階にて、スクリーン印刷法などにより実用
的コストで絶縁コートが可能である。（絶縁コートとし
ては、ガラスなどの無機物質が望ましいが、エポキシな
どの有機物質である高分子材料でもよい。）この絶縁コ
ートにより、めっき液による素体の腐食を防止できるた
め、銀を含む電極表面にニッケルなどのマイグレーショ
ンを起こし難い金属をめっきすることが可能である。ま
た、絶縁コートの形成により、素体への水の侵入を防止
できる。
断後の棒状段階にて、スクリーン印刷法などにより実用
的コストで絶縁コートが可能である。（絶縁コートとし
ては、ガラスなどの無機物質が望ましいが、エポキシな
どの有機物質である高分子材料でもよい。）この絶縁コ
ートにより、めっき液による素体の腐食を防止できるた
め、銀を含む電極表面にニッケルなどのマイグレーショ
ンを起こし難い金属をめっきすることが可能である。ま
た、絶縁コートの形成により、素体への水の侵入を防止
できる。
【００１０】なお、チップ型サーミスタ素子の別の製造
方法として、サーミスタ粉体材料をシート成形し、この
シートを重ね合わせ、これをチップ状に切断加工し、焼
成する方法があるが、この方法には、絶縁コートを形成
しにくい；あるいは、抵抗値のばらつきが大きいという
欠点がある。
方法として、サーミスタ粉体材料をシート成形し、この
シートを重ね合わせ、これをチップ状に切断加工し、焼
成する方法があるが、この方法には、絶縁コートを形成
しにくい；あるいは、抵抗値のばらつきが大きいという
欠点がある。
【００１１】本発明では、チップ型サーミスタ素子とし
て、下地電極にＡｇＰｄを使用し、かつＰｄが２０％以
上であるものが好ましい。この場合、電極材料として
は、焼結により電極が形成される電極ペースト（金属粉
末材料、ガラスフリット及び有機溶剤）か、熱硬化によ
り電極が形成される導電性樹脂ペースト（金属粉末材
料、樹脂及び有機溶剤）を用いることができる。
て、下地電極にＡｇＰｄを使用し、かつＰｄが２０％以
上であるものが好ましい。この場合、電極材料として
は、焼結により電極が形成される電極ペースト（金属粉
末材料、ガラスフリット及び有機溶剤）か、熱硬化によ
り電極が形成される導電性樹脂ペースト（金属粉末材
料、樹脂及び有機溶剤）を用いることができる。
【００１２】本発明では、サーミスタ素子に抵抗調整用
電極を形成すれば形状が一定でかつ抵抗値を自由に高精
度で調整できる。
電極を形成すれば形状が一定でかつ抵抗値を自由に高精
度で調整できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明では、図１（ａ）の如く、
サーミスタ素子としてチップ型サーミスタ素子８を用い
る。図１（ｂ）は、このチップ型サーミスタ素子８の斜
視図、図１（ｃ）はこのチップ型サーミスタ素子８の模
式的な断面図である。
サーミスタ素子としてチップ型サーミスタ素子８を用い
る。図１（ｂ）は、このチップ型サーミスタ素子８の斜
視図、図１（ｃ）はこのチップ型サーミスタ素子８の模
式的な断面図である。
【００１４】このチップ型サーミスタ素子８は、直方体
形状のサーミスタ素体９の長手方向に延びる側面にガラ
ス又は高分子材料（例えばエポキシ）よりなる絶縁コー
ト１０を形成し、長手方向に離隔した１対の端面に端子
電極１１を形成したものである。
形状のサーミスタ素体９の長手方向に延びる側面にガラ
ス又は高分子材料（例えばエポキシ）よりなる絶縁コー
ト１０を形成し、長手方向に離隔した１対の端面に端子
電極１１を形成したものである。
【００１５】この端子電極１１は、下地電極１２と、該
下地電極１２を覆うニッケル（Ｎｉ）めっき１３と、該
ニッケルめっき１３を覆うはんだめっき１４とからな
る。
下地電極１２を覆うニッケル（Ｎｉ）めっき１３と、該
ニッケルめっき１３を覆うはんだめっき１４とからな
る。
【００１６】下地電極１２としては、Ｐｄ含有量が２０
％以上（例えば２０〜５０％）のＡｇＰｄを用いるのが
好ましい。また、Ｎｉめっき１３によりＡｇのマイグレ
ーションを防止できる。Ｎｉめっきの代わりにＣｒめっ
きを採用しても良い。
％以上（例えば２０〜５０％）のＡｇＰｄを用いるのが
好ましい。また、Ｎｉめっき１３によりＡｇのマイグレ
ーションを防止できる。Ｎｉめっきの代わりにＣｒめっ
きを採用しても良い。
【００１７】このチップ型サーミスタ素子８に絶縁被覆
電線５が接続され、金属（例えばＳＵＳ，銅）あるいは
樹脂（例えばエポキシ、ＡＢＳ、ＰＢＴなど）製の保護
ケース６に挿入され、樹脂９がモールドされ、サーミス
タ温度センサが形成される。
電線５が接続され、金属（例えばＳＵＳ，銅）あるいは
樹脂（例えばエポキシ、ＡＢＳ、ＰＢＴなど）製の保護
ケース６に挿入され、樹脂９がモールドされ、サーミス
タ温度センサが形成される。
【００１８】図１（ｃ）に示すチップ型サーミスタ素子
８の代わりに、図１（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）に示す抵抗
調整用電極を有したチップ型サーミスタ素子８Ａ，８
Ｂ，８Ｃを用いても良い。チップ型サーミスタ素子８Ａ
は、サーミスタ素体９の長手方向に延びる側面に抵抗調
整用電極１５を設けたものであり、チップ型サーミスタ
素子８Ｂ，８Ｃはサーミスタ素体９の内部に長手方向に
延びる抵抗調整用電極１６、１７を設けたものである。
チップ型サーミスタ素子８Ａは、抵抗調整用電極１５を
覆うように絶縁コート１０を設けるのが好ましい。チッ
プ型サーミスタ素子８Ｂでは抵抗調整用電極が露出して
いないので絶縁を省略しているが、より信頼性を高める
ためにはチップ型サーミスタ素子８Ｃのように素体表面
に絶縁コート１０を形成することが望ましい。
８の代わりに、図１（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）に示す抵抗
調整用電極を有したチップ型サーミスタ素子８Ａ，８
Ｂ，８Ｃを用いても良い。チップ型サーミスタ素子８Ａ
は、サーミスタ素体９の長手方向に延びる側面に抵抗調
整用電極１５を設けたものであり、チップ型サーミスタ
素子８Ｂ，８Ｃはサーミスタ素体９の内部に長手方向に
延びる抵抗調整用電極１６、１７を設けたものである。
チップ型サーミスタ素子８Ａは、抵抗調整用電極１５を
覆うように絶縁コート１０を設けるのが好ましい。チッ
プ型サーミスタ素子８Ｂでは抵抗調整用電極が露出して
いないので絶縁を省略しているが、より信頼性を高める
ためにはチップ型サーミスタ素子８Ｃのように素体表面
に絶縁コート１０を形成することが望ましい。
【００１９】
【発明の効果】以上の通り、本発明のサーミスタ温度セ
ンサは、サーミスタ素子としてチップ型サーミスタ素子
を用いたものであり、組立コストが安く、またセンサ特
性のばらつきが小さいと共に、耐久性（とくに耐水性）
が良好である。
ンサは、サーミスタ素子としてチップ型サーミスタ素子
を用いたものであり、組立コストが安く、またセンサ特
性のばらつきが小さいと共に、耐久性（とくに耐水性）
が良好である。
【図１】（ａ）は、実施の形態に係るサーミスタ温度セ
ンサの断面図、（ｂ）は、チップ型サーミスタ素子の斜
視図、（ｃ），（ｄ），（ｅ），（ｆ）はチップ型サー
ミスタ素子の断面図である。
ンサの断面図、（ｂ）は、チップ型サーミスタ素子の斜
視図、（ｃ），（ｄ），（ｅ），（ｆ）はチップ型サー
ミスタ素子の断面図である。
【図２】従来のサーミスタ温度センサの断面図である。
５ 絶縁被覆電線 ６ 保護ケース ７ モールド樹脂 ８，８Ａ，８Ｂ，８Ｃ チップ型サーミスタ素子 ９ サーミスタ素体 １０ 絶縁コート １１ 端子電極 １２ 下地電極 １３ Ｎｉめっき １４ はんだめっき
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 越村 正己 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社電子技術研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 サーミスタ素子と、該サーミスタ素子に
接続されたリード線とを備え、該サーミスタ素子を樹脂
コートまたは樹脂モールドしたサーミスタ温度センサに
おいて、該サーミスタ素子として直方体形状の長手方向
の端部に端子電極を形成したチップ型サーミスタ素子を
使用したことを特徴とするサーミスタ温度センサ。 - 【請求項２】 請求項１において、前記サーミスタ素子
の前記端子電極は、銀を含む下地電極及び該下地電極を
覆う表面めっき層を有しており、該表面めっき層はニッ
ケルなどのマイグレーションを起こし難い層を含むこと
を特徴とするサーミスタ温度センサ。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、前記チップ型
サーミスタ素子として端子電極の下地電極に含まれる金
属がＡｇＰｄで、かつＰｄが２０％以上からなるチップ
型サーミスタ素子を用いることを特徴とするサーミスタ
温度センサ。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれか１項におい
て、前記直方体形状のチップ型サーミスタ素子の端子電
極以外の表面を絶縁性物質で覆ったことを特徴とするサ
ーミスタ温度センサ。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか１項におい
て、前記直方体形状のチップ型サーミスタ素子の内部に
抵抗調整用の電極を形成したことを特徴とするサーミス
タ温度センサ。 - 【請求項６】 請求項４において、前記端子電極以外の
素体表面に抵抗調整用の電極を形成し、該抵抗調整用電
極を含めて端子電極以外の表面を絶縁性物質にて覆った
サーミスタ素子を用いたことを特徴とするサーミスタ温
度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7549597A JPH10270208A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | サーミスタ温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7549597A JPH10270208A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | サーミスタ温度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270208A true JPH10270208A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13577921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7549597A Pending JPH10270208A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | サーミスタ温度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10270208A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6527014B1 (en) | 1999-11-30 | 2003-03-04 | Owens Corning Fiberglas Technology, Inc. | Flexible duct insulation having improved flame resistance |
| JP2007180523A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-07-12 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | サーミスタ |
| JP2009206498A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ素子及びその製造方法 |
| JP2012049330A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Tdk Corp | サーミスタ素子 |
| CN104075524A (zh) * | 2014-07-01 | 2014-10-01 | 安徽省宁国天成电工有限公司 | 一种化霜保护装置总成 |
| WO2015163617A1 (ko) * | 2014-04-24 | 2015-10-29 | (주)래트론 | 온도 센서 소자 및 그 제조 방법 |
| KR20150123390A (ko) * | 2014-04-24 | 2015-11-04 | (주) 래트론 | 온도 센서 소자 및 그 제조 방법 |
| CN116136435A (zh) * | 2023-01-13 | 2023-05-19 | 杭州高特电子设备股份有限公司 | 一种温度传感器及制造方法 |
-
1997
- 1997-03-27 JP JP7549597A patent/JPH10270208A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6527014B1 (en) | 1999-11-30 | 2003-03-04 | Owens Corning Fiberglas Technology, Inc. | Flexible duct insulation having improved flame resistance |
| JP2007180523A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-07-12 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | サーミスタ |
| JP2009206498A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ素子及びその製造方法 |
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| WO2015163617A1 (ko) * | 2014-04-24 | 2015-10-29 | (주)래트론 | 온도 센서 소자 및 그 제조 방법 |
| KR20150123390A (ko) * | 2014-04-24 | 2015-11-04 | (주) 래트론 | 온도 센서 소자 및 그 제조 방법 |
| CN104075524A (zh) * | 2014-07-01 | 2014-10-01 | 安徽省宁国天成电工有限公司 | 一种化霜保护装置总成 |
| CN116136435A (zh) * | 2023-01-13 | 2023-05-19 | 杭州高特电子设备股份有限公司 | 一种温度传感器及制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011030 |