JPH10270230A - 複合電子部品 - Google Patents
複合電子部品Info
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- JPH10270230A JPH10270230A JP9069781A JP6978197A JPH10270230A JP H10270230 A JPH10270230 A JP H10270230A JP 9069781 A JP9069781 A JP 9069781A JP 6978197 A JP6978197 A JP 6978197A JP H10270230 A JPH10270230 A JP H10270230A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電体粉末と磁性体粉末とを混合して焼結さ
せたセラミックス焼結体の内部に内部電極を設けてコン
デンサとインダクタを形成させた複合電子部品において
磁性体の電気抵抗率を大きくして絶縁抵抗を高くする。 【解決手段】 磁性体として下記組成のＮｉＺｎＣｕフ
ェライトを用いる。 （ＮｉＯx ・ＺｎＯy ・ＣｕＯz ）・（Ｆｅ2 Ｏ3 ）b ｘ＝０．０５〜０．３０ ｙ＝０．１０〜０．３５ ｚ＝０．０９〜０．１３ ｘ＋ｙ＋ｚ＝ａ ａ＝０．５１０〜０．５３０ ｂ＝０．４９０〜０．４７０ ａ＋ｂ＝１ 【効果】 磁性体の組成比を上記特定の範囲とすること
により、磁性体の電気抵抗率を大きくすることができ、
コンデンサの絶縁抵抗を高くすることができる。
せたセラミックス焼結体の内部に内部電極を設けてコン
デンサとインダクタを形成させた複合電子部品において
磁性体の電気抵抗率を大きくして絶縁抵抗を高くする。 【解決手段】 磁性体として下記組成のＮｉＺｎＣｕフ
ェライトを用いる。 （ＮｉＯx ・ＺｎＯy ・ＣｕＯz ）・（Ｆｅ2 Ｏ3 ）b ｘ＝０．０５〜０．３０ ｙ＝０．１０〜０．３５ ｚ＝０．０９〜０．１３ ｘ＋ｙ＋ｚ＝ａ ａ＝０．５１０〜０．５３０ ｂ＝０．４９０〜０．４７０ ａ＋ｂ＝１ 【効果】 磁性体の組成比を上記特定の範囲とすること
により、磁性体の電気抵抗率を大きくすることができ、
コンデンサの絶縁抵抗を高くすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は複合電子部品に係
り、特に、ＥＭＩフィルタ、バイパスフィルタ、バンド
パスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ等の電
気回路の形成に用いられるコンデンサとインダクタの複
合機能を有する複合電子部品に関する。
り、特に、ＥＭＩフィルタ、バイパスフィルタ、バンド
パスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ等の電
気回路の形成に用いられるコンデンサとインダクタの複
合機能を有する複合電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】誘電体粉末と磁性体粉末とを混合して焼
結させたセラミックス焼結体の内部に内部電極を設けて
コンデンサとインダクタを形成させた複合電子部品は、
１個の素子でコンデンサ機能とインダクタ機能とを得る
ことができるため、電気回路の小型化に極めて有用であ
る。
結させたセラミックス焼結体の内部に内部電極を設けて
コンデンサとインダクタを形成させた複合電子部品は、
１個の素子でコンデンサ機能とインダクタ機能とを得る
ことができるため、電気回路の小型化に極めて有用であ
る。
【０００３】このような複合電子部品は、誘電体粉末と
磁性体粉末とを混合し、更に、反応防止と低温焼結のた
めＣｄＯ−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 系物質を微量添加し、バイ
ンダと混合して得られる複合ペイントを、ドクターブレ
ード法でシート化し、得られたシートに導電性ペースト
を印刷してＡｇ又はＡｇ／Ｐｄ等の内部電極を形成し、
これらのシートを複数枚積層して熱圧着した後、所定の
形状に加工し、その後焼成し、端子電極を形成すること
により製造されている。
磁性体粉末とを混合し、更に、反応防止と低温焼結のた
めＣｄＯ−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 系物質を微量添加し、バイ
ンダと混合して得られる複合ペイントを、ドクターブレ
ード法でシート化し、得られたシートに導電性ペースト
を印刷してＡｇ又はＡｇ／Ｐｄ等の内部電極を形成し、
これらのシートを複数枚積層して熱圧着した後、所定の
形状に加工し、その後焼成し、端子電極を形成すること
により製造されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような複合電子部
品において、コンデンサは絶縁抵抗が高くなければなら
ないが、一方で、磁性体は一般に電気抵抗率が１０4 〜
１０6 Ω・ｃｍ程度であるため、誘電体粉末と磁性体粉
末を混合焼結して得られるセラミックスの電気抵抗率は
ほぼ磁性体の抵抗率と同レベルとなる。従って、コンデ
ンサの層間を５〜５０μｍ程度とすると、電極面積にも
よるが、その絶縁抵抗は１０3 〜１０6 Ω程度にしかな
らなかった。
品において、コンデンサは絶縁抵抗が高くなければなら
ないが、一方で、磁性体は一般に電気抵抗率が１０4 〜
１０6 Ω・ｃｍ程度であるため、誘電体粉末と磁性体粉
末を混合焼結して得られるセラミックスの電気抵抗率は
ほぼ磁性体の抵抗率と同レベルとなる。従って、コンデ
ンサの層間を５〜５０μｍ程度とすると、電極面積にも
よるが、その絶縁抵抗は１０3 〜１０6 Ω程度にしかな
らなかった。
【０００５】また、誘電体粉末としてＢａＴｉＯ3 系の
誘電体粉末を使用した場合には、誘電体と磁性体との反
応が起こり易く、反応防止と低温焼結のためにＣｄＯ−
ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 系物質を微量添加しても数％程度の反
応が見られ、得られる複合電子部品は、誘電率（ε）、
静電容量（Ｃ値）、誘電損失（ｔａｎδ値）等の電気特
性においてバラツキが大きく信頼性、再現性が不安定で
あった。
誘電体粉末を使用した場合には、誘電体と磁性体との反
応が起こり易く、反応防止と低温焼結のためにＣｄＯ−
ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 系物質を微量添加しても数％程度の反
応が見られ、得られる複合電子部品は、誘電率（ε）、
静電容量（Ｃ値）、誘電損失（ｔａｎδ値）等の電気特
性においてバラツキが大きく信頼性、再現性が不安定で
あった。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決し、磁性
体の電気抵抗率を大きくすることでコンデンサの絶縁抵
抗を高くした複合電子部品を提供することを目的とす
る。
体の電気抵抗率を大きくすることでコンデンサの絶縁抵
抗を高くした複合電子部品を提供することを目的とす
る。
【０００７】本発明はまた、磁性体と誘電体との反応を
抑制し、電気特性のバラツキが小さく、信頼性、再現性
に優れた複合電子部品を提供することを目的とする。
抑制し、電気特性のバラツキが小さく、信頼性、再現性
に優れた複合電子部品を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の複合電子部品
は、誘電体粉末と磁性体粉末とを混合して焼結させたセ
ラミックス焼結体の内部に、内部電極を設けてコンデン
サとインダクタを形成してなる複合電子部品において、
該磁性体として下記組成のＮｉＺｎＣｕフェライトを用
いたことを特徴とする。
は、誘電体粉末と磁性体粉末とを混合して焼結させたセ
ラミックス焼結体の内部に、内部電極を設けてコンデン
サとインダクタを形成してなる複合電子部品において、
該磁性体として下記組成のＮｉＺｎＣｕフェライトを用
いたことを特徴とする。
【０００９】（ＮｉＯx ・ＺｎＯy ・ＣｕＯz ）・（Ｆ
ｅ2 Ｏ3 ）b ｘ＝０．０５〜０．３０ ｙ＝０．１０〜０．３５ ｚ＝０．０９〜０．１３ ｘ＋ｙ＋ｚ＝ａ ａ＝０．５１０〜０．５３０ ｂ＝０．４９０〜０．４７０ ａ＋ｂ＝１ 磁性体の組成比を上記特定の範囲とすることにより、磁
性体の電気抵抗率を大きくすることができ、コンデンサ
の絶縁抵抗を高くすることができる。
ｅ2 Ｏ3 ）b ｘ＝０．０５〜０．３０ ｙ＝０．１０〜０．３５ ｚ＝０．０９〜０．１３ ｘ＋ｙ＋ｚ＝ａ ａ＝０．５１０〜０．５３０ ｂ＝０．４９０〜０．４７０ ａ＋ｂ＝１ 磁性体の組成比を上記特定の範囲とすることにより、磁
性体の電気抵抗率を大きくすることができ、コンデンサ
の絶縁抵抗を高くすることができる。
【００１０】本発明において、誘電体粉末として、鉛系
ペロブスカイト構造の誘電体粉末を使用することによ
り、更には、ＣｄＯ−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 系物質を併用す
ることにより、誘電体と磁性体との反応を抑制して特性
のバラツキを小さくし、信頼性、再現性を安定化させる
ことができる。
ペロブスカイト構造の誘電体粉末を使用することによ
り、更には、ＣｄＯ−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 系物質を併用す
ることにより、誘電体と磁性体との反応を抑制して特性
のバラツキを小さくし、信頼性、再現性を安定化させる
ことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１２】本発明において、ＮｉＺｎＣｕフェライト
よりなる磁性体の組成式 （ＮｉＯx ・ＺｎＯy ・ＣｕＯz ）・（Ｆｅ2 Ｏ3 ）b
（ｘ＋ｙ＋ｚ＝ａ，ａ＋ｂ＝１） において、ｂが０．４９０よりも大きく、例えばｂ＝
０．５では電気抵抗率が１０4 〜１０5 Ω・ｃｍと極め
て低くなるため、ｂは０．４９０以下とする。しかし、
ｂが過度に小さいと透磁率が小さくなりすぎて実用性に
乏しくなるため、０．４９０≧ｂ≧０．４７０とし、
０．５１０≦ａ≦０．５３０とする。
よりなる磁性体の組成式 （ＮｉＯx ・ＺｎＯy ・ＣｕＯz ）・（Ｆｅ2 Ｏ3 ）b
（ｘ＋ｙ＋ｚ＝ａ，ａ＋ｂ＝１） において、ｂが０．４９０よりも大きく、例えばｂ＝
０．５では電気抵抗率が１０4 〜１０5 Ω・ｃｍと極め
て低くなるため、ｂは０．４９０以下とする。しかし、
ｂが過度に小さいと透磁率が小さくなりすぎて実用性に
乏しくなるため、０．４９０≧ｂ≧０．４７０とし、
０．５１０≦ａ≦０．５３０とする。
【００１３】ｘ、ｙは、電気抵抗率に殆ど影響を及ぼさ
ないが、実用的な透磁率とキューリー温度を考慮した場
合、０．０５≦ｘ≦０．３０、０．１０≦ｙ≦０．３５
とするのが望ましい。
ないが、実用的な透磁率とキューリー温度を考慮した場
合、０．０５≦ｘ≦０．３０、０．１０≦ｙ≦０．３５
とするのが望ましい。
【００１４】また、上記ｂの範囲では、一般的に電気抵
抗率が１０7 〜１０8 Ω・ｃｍとなるが、ｚの範囲を
０．０９≦ｚ≦０．１３とすると、電気抵抗率がより大
きくなり、１０10〜１０11Ω・ｃｍとすることができ
る。
抗率が１０7 〜１０8 Ω・ｃｍとなるが、ｚの範囲を
０．０９≦ｚ≦０．１３とすると、電気抵抗率がより大
きくなり、１０10〜１０11Ω・ｃｍとすることができ
る。
【００１５】本発明において、ｘ，ｙ，ｚ，ａ，ｂの好
ましい範囲は次の通りである。
ましい範囲は次の通りである。
【００１６】 ｘ＝０．０５〜０．３０ ｙ＝０．１０〜０．３５ ｚ＝０．０９〜０．１３ ａ＝０．５１０〜０．５３０ ｂ＝０．４９０〜０．４７０ 一方、誘電体としては、従来、ＢａＴｉＯ3 系やリラク
サ系等があるが、ＢａＴｉＯ3 系の誘電体では電気特性
のバラツキが大きく信頼性、再現性等が不安定となるた
め、磁性体との反応性が殆どない鉛系ペロブスカイト構
造の誘電体を用いるのが好ましい。
サ系等があるが、ＢａＴｉＯ3 系の誘電体では電気特性
のバラツキが大きく信頼性、再現性等が不安定となるた
め、磁性体との反応性が殆どない鉛系ペロブスカイト構
造の誘電体を用いるのが好ましい。
【００１７】以下に本発明の複合電子部品の好適な製造
例を説明する。
例を説明する。
【００１８】本発明の複合電子部品の製造に当っては、
まず、誘電体粉末と磁性体粉末とを含む複合ペイントを
用いてセラミックスグリーンシートを製造する。ここ
で、誘電体粉末及び磁性体粉末の平均粒径は０．１〜
１．５μｍ程度であることが好ましい。
まず、誘電体粉末と磁性体粉末とを含む複合ペイントを
用いてセラミックスグリーンシートを製造する。ここ
で、誘電体粉末及び磁性体粉末の平均粒径は０．１〜
１．５μｍ程度であることが好ましい。
【００１９】また、誘電体粉末と磁性体粉末との混合割
合は、誘電体の比誘電率や磁性体の透磁率等によっても
異なるが、磁性体粉末を３０〜７０重量％、誘電体粉末
を７０〜３０重量％の範囲とするのが好ましい。
合は、誘電体の比誘電率や磁性体の透磁率等によっても
異なるが、磁性体粉末を３０〜７０重量％、誘電体粉末
を７０〜３０重量％の範囲とするのが好ましい。
【００２０】なお、複合ペイント中には、焼結助剤とし
て、ＣｄＯとＺｎＯとＢ2 Ｏ3 を、ＣｄＯ：１０〜４０
モル％、ＺｎＯ：３０〜６０モル％、Ｂ2 Ｏ3 ：１０〜
４０モル％の割合で含むＣｄＯ−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 系物
質を配合するのが好ましく、このような焼結助剤を用い
ることにより、焼結時の誘電体と磁性体との化学反応を
抑えると共に焼結温度を下げ、低温焼結により、より一
層誘電体と磁性体との化学反応を防止して、高特性複合
電子部品を製造することができる。
て、ＣｄＯとＺｎＯとＢ2 Ｏ3 を、ＣｄＯ：１０〜４０
モル％、ＺｎＯ：３０〜６０モル％、Ｂ2 Ｏ3 ：１０〜
４０モル％の割合で含むＣｄＯ−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 系物
質を配合するのが好ましく、このような焼結助剤を用い
ることにより、焼結時の誘電体と磁性体との化学反応を
抑えると共に焼結温度を下げ、低温焼結により、より一
層誘電体と磁性体との化学反応を防止して、高特性複合
電子部品を製造することができる。
【００２１】この場合、上記ＣｄＯ−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3
系物質の配合割合は、誘電体粉末と磁性体粉末との合計
量に対して０．０５〜３重量％とするのが好ましい。ま
た、この焼結助剤の平均粒径は０．５〜２．０μｍであ
ることが好ましい。
系物質の配合割合は、誘電体粉末と磁性体粉末との合計
量に対して０．０５〜３重量％とするのが好ましい。ま
た、この焼結助剤の平均粒径は０．５〜２．０μｍであ
ることが好ましい。
【００２２】複合ペイントは、誘電体粉末、磁性体粉末
及び上記焼結助剤を混合し、得られた混合粉にポリビニ
ルブチラール等のバインダーを加えて混練することによ
り調製される。この複合ペイントをドクターブレード法
により厚さ２０〜５０μｍにシート化し、このシートに
導電性ペーストを用いて内部電極を印刷する。この導電
性ペーストとしては、市販のＡｇ，Ａｇ／Ｐｄ等の導電
性ペーストを用いることができる。そして、複数枚のシ
ートを積層し、熱間圧着後、所定形状に切断する。その
後、９００〜１０００℃で１．５〜３．０時間程度焼成
し、端子電極を形成して本発明の複合電子部品を製造す
る。
及び上記焼結助剤を混合し、得られた混合粉にポリビニ
ルブチラール等のバインダーを加えて混練することによ
り調製される。この複合ペイントをドクターブレード法
により厚さ２０〜５０μｍにシート化し、このシートに
導電性ペーストを用いて内部電極を印刷する。この導電
性ペーストとしては、市販のＡｇ，Ａｇ／Ｐｄ等の導電
性ペーストを用いることができる。そして、複数枚のシ
ートを積層し、熱間圧着後、所定形状に切断する。その
後、９００〜１０００℃で１．５〜３．０時間程度焼成
し、端子電極を形成して本発明の複合電子部品を製造す
る。
【００２３】なお、内部電極の厚さは、通常の場合、２
〜４μｍ程度とされる。
〜４μｍ程度とされる。
【００２４】本発明の複合電子部品は、単層構造、積層
構造のいずれでも良い。
構造のいずれでも良い。
【００２５】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００２６】なお、用いた誘電体材料、磁性体材料及び
焼結助剤は次のようにして製造した。
焼結助剤は次のようにして製造した。
【００２７】誘電体材料：ＰｂＯ，ＷＯ3 ，Ｆ
2 Ｏ3 ，Ｎｂ2 Ｏ5 を出発原料としこれらを各々６５：
１８：５．５：３（モル比）の割合で混合後、１１５０
℃で焼成して、Ｐｂ0.65Ｗ0.18Ｆｅ0.11Ｎｂ0.06Ｏ
1.505 の誘電体材料（平均粒径１．０μｍ）を得た。 誘電体材料：ＰｂＯ，ＴｉＯ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｆｅ2
Ｏ3 を出発原料としこれらを各々６２．５：１２．５：
６．２５：６．２５（モル比）の割合で混合後、１１５
０℃で焼成して、Ｐｂ0.625 Ｔｉ0.125 Ｔａ0.125 Ｆｅ
0.125 Ｏ1.375 の誘電体材料（平均粒径１．０μｍ）を
得た。 誘電体材料：ＢａＴｉＯ3 ，ＣａＺｒＯ3 ，ＭｇＺｒ
Ｏ3 を出発原料としこれらを各々８９：１０：１（モル
比）の割合で混合後、１２５０℃で焼成して、ＢａＴｉ
Ｏ3 系の誘電体材料（平均粒径１．５μｍ）を得た。 誘電体材料：ＢａＴｉＯ3 ，ＣａＳｎＯ3 を出発原料
としこれらを各々９０：１０（モル比）の割合で混合
後、１２５０℃で焼成して、ＢａＴｉＯ3 系の誘電体材
料（平均粒径１．５μｍ）を得た。
2 Ｏ3 ，Ｎｂ2 Ｏ5 を出発原料としこれらを各々６５：
１８：５．５：３（モル比）の割合で混合後、１１５０
℃で焼成して、Ｐｂ0.65Ｗ0.18Ｆｅ0.11Ｎｂ0.06Ｏ
1.505 の誘電体材料（平均粒径１．０μｍ）を得た。 誘電体材料：ＰｂＯ，ＴｉＯ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｆｅ2
Ｏ3 を出発原料としこれらを各々６２．５：１２．５：
６．２５：６．２５（モル比）の割合で混合後、１１５
０℃で焼成して、Ｐｂ0.625 Ｔｉ0.125 Ｔａ0.125 Ｆｅ
0.125 Ｏ1.375 の誘電体材料（平均粒径１．０μｍ）を
得た。 誘電体材料：ＢａＴｉＯ3 ，ＣａＺｒＯ3 ，ＭｇＺｒ
Ｏ3 を出発原料としこれらを各々８９：１０：１（モル
比）の割合で混合後、１２５０℃で焼成して、ＢａＴｉ
Ｏ3 系の誘電体材料（平均粒径１．５μｍ）を得た。 誘電体材料：ＢａＴｉＯ3 ，ＣａＳｎＯ3 を出発原料
としこれらを各々９０：１０（モル比）の割合で混合
後、１２５０℃で焼成して、ＢａＴｉＯ3 系の誘電体材
料（平均粒径１．５μｍ）を得た。
【００２８】磁性体材料Ａ〜Ｏ：ＮｉＯ，ＺｎＯ，Ｃｕ
Ｏ，Ｆｅ2 Ｏ3 を出発原料としこれらを表１に示す組成
となるように混合後、１０００℃で焼成して各磁性体材
料（平均粒径１．５μｍ）を得た。
Ｏ，Ｆｅ2 Ｏ3 を出発原料としこれらを表１に示す組成
となるように混合後、１０００℃で焼成して各磁性体材
料（平均粒径１．５μｍ）を得た。
【００２９】
【表１】
【００３０】焼結助剤：ＣｄＯ，ＺｎＯ，Ｂ2 Ｏ3 を出
発原料としこれらを２：１：１（モル比）の割合で混合
後、９００℃で焼成してＣｄＯ−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 焼結
助剤（平均粒径１．５μｍ）を得た。
発原料としこれらを２：１：１（モル比）の割合で混合
後、９００℃で焼成してＣｄＯ−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 焼結
助剤（平均粒径１．５μｍ）を得た。
【００３１】実施例１〜２０，比較例１〜１２ 上記誘電体材料〜、磁性体材料Ａ〜Ｏ及び焼結助剤
を下記配合割合で混合し、得られた混合粉にポリビニル
ブチラールを１０重量％加えて混練して複合ペイントを
調製した。この複合ペイントでドクターブレード法によ
り厚さ３０μｍのセラミックスグリーンシートを作製し
た。
を下記配合割合で混合し、得られた混合粉にポリビニル
ブチラールを１０重量％加えて混練して複合ペイントを
調製した。この複合ペイントでドクターブレード法によ
り厚さ３０μｍのセラミックスグリーンシートを作製し
た。
【００３２】配合割合（重量％） 誘電体材料：４０ 磁性体材料：６０ 焼結助剤：２ このセラミックスグリーンシートを４０枚積層し、その
途中で市販のＡｇペーストを用いて内部電極としてアー
ス電極と信号電極を１回ずつ、約３μｍの厚さの内部電
極が形成されるように印刷し、熱間圧着後、１ｃｍ×１
ｃｍ角に切断して各々図１に示す三端子コンデンサ形状
のＥＭＩフィルタチップを得た。なお、図１において、
１は焼結体、２はアース電極、３は信号電極であり、ア
ース電極２と信号電極３との重なり面積は約１．０ｍｍ
2 である。
途中で市販のＡｇペーストを用いて内部電極としてアー
ス電極と信号電極を１回ずつ、約３μｍの厚さの内部電
極が形成されるように印刷し、熱間圧着後、１ｃｍ×１
ｃｍ角に切断して各々図１に示す三端子コンデンサ形状
のＥＭＩフィルタチップを得た。なお、図１において、
１は焼結体、２はアース電極、３は信号電極であり、ア
ース電極２と信号電極３との重なり面積は約１．０ｍｍ
2 である。
【００３３】このチップを、４００℃で脱脂処理した
後、１０００℃で２時間焼成した。得られた焼結体にＡ
ｇ／Ｐｄペーストを塗布して７５０℃で焼き付けて端子
電極を設けた後、絶縁抵抗値（ＩＲ値）、静電容量値
（Ｃ値）、誘電損失（ｔａｎδ値）を測定し（測定試料
数１００個）、結果を表２〜４に示した。
後、１０００℃で２時間焼成した。得られた焼結体にＡ
ｇ／Ｐｄペーストを塗布して７５０℃で焼き付けて端子
電極を設けた後、絶縁抵抗値（ＩＲ値）、静電容量値
（Ｃ値）、誘電損失（ｔａｎδ値）を測定し（測定試料
数１００個）、結果を表２〜４に示した。
【００３４】
【表２】
【００３５】
【表３】
【００３６】
【表４】
【００３７】上記結果より次のことが明らかである。即
ち、磁性体の組成比が本発明範囲外の場合（比較例１〜
１２）には静電容量、誘電損失については問題ないが、
絶縁抵抗値において本発明範囲内のものよりも２〜３ケ
タも劣化する傾向がある。
ち、磁性体の組成比が本発明範囲外の場合（比較例１〜
１２）には静電容量、誘電損失については問題ないが、
絶縁抵抗値において本発明範囲内のものよりも２〜３ケ
タも劣化する傾向がある。
【００３８】特に、鉛系ペロブスカイト構造の誘電体を
使用し、磁性体の組成比を本発明の範囲の組成とする
（実施例１〜１８）ことにより、より一層安定した電気
特性を得ることができる。
使用し、磁性体の組成比を本発明の範囲の組成とする
（実施例１〜１８）ことにより、より一層安定した電気
特性を得ることができる。
【００３９】なお、誘電体材料としてＢａＴｉＯ3 系誘
電体材料を使用した場合（実施例１９，２０）では、絶
縁抵抗値においては比較的良好であるが、静電容量値、
誘電損失においてバラツキが若干大きくなり、特性が不
安定になることが確認された。
電体材料を使用した場合（実施例１９，２０）では、絶
縁抵抗値においては比較的良好であるが、静電容量値、
誘電損失においてバラツキが若干大きくなり、特性が不
安定になることが確認された。
【００４０】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の複合電子部
品によれば、磁性体の組成比を特定の範囲とすることに
より、絶縁抵抗の大きい複合電子部品を得ることができ
る。特に、磁性体の組成比を特定の範囲とすると共に、
誘電体として鉛系ペロブスカイト構造の誘電体を使用す
ることにより、誘電体と磁性体との反応を抑制し、電気
特性等のバラツキを小さくして信頼性、再現性が安定し
た複合電子部品を提供することができる。
品によれば、磁性体の組成比を特定の範囲とすることに
より、絶縁抵抗の大きい複合電子部品を得ることができ
る。特に、磁性体の組成比を特定の範囲とすると共に、
誘電体として鉛系ペロブスカイト構造の誘電体を使用す
ることにより、誘電体と磁性体との反応を抑制し、電気
特性等のバラツキを小さくして信頼性、再現性が安定し
た複合電子部品を提供することができる。
【図１】実施例及び比較例で製造したチップの斜視図で
ある。
ある。
１ 焼結体 ２ アース電極 ３ 信号電極
Claims (3)
- 【請求項１】 誘電体粉末と磁性体粉末とを混合して焼
結させたセラミックス焼結体の内部に、内部電極を設け
てコンデンサとインダクタを形成してなる複合電子部品
において、 該磁性体として下記組成のＮｉＺｎＣｕフェライトを用
いたことを特徴とする複合電子部品。 （ＮｉＯx ・ＺｎＯy ・ＣｕＯz ）・（Ｆｅ2 Ｏ3 ）b ｘ＝０．０５〜０．３０ ｙ＝０．１０〜０．３５ ｚ＝０．０９〜０．１３ ｘ＋ｙ＋ｚ＝ａ ａ＝０．５１０〜０．５３０ ｂ＝０．４９０〜０．４７０ ａ＋ｂ＝１ - 【請求項２】 請求項１において、該誘電体は鉛系ペロ
ブスカイト構造の誘電体であることを特徴とする複合電
子部品。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、該セラミック
ス焼結体は、誘電体粉末と磁性体粉末とＣｄＯ−ＺｎＯ
−Ｂ2 Ｏ3 系物質とを混合して焼結させたものであるこ
とを特徴とする複合電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9069781A JPH10270230A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | 複合電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9069781A JPH10270230A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | 複合電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270230A true JPH10270230A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13412661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9069781A Pending JPH10270230A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | 複合電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10270230A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103325568A (zh) * | 2012-03-23 | 2013-09-25 | 三星电机株式会社 | 电子元件及其制造方法 |
-
1997
- 1997-03-24 JP JP9069781A patent/JPH10270230A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103325568A (zh) * | 2012-03-23 | 2013-09-25 | 三星电机株式会社 | 电子元件及其制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020305 |