JPH10270315A - Ｘ線マスクの製造方法およびｘ線マスク - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法およびｘ線マスクInfo
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- JPH10270315A JPH10270315A JP7029597A JP7029597A JPH10270315A JP H10270315 A JPH10270315 A JP H10270315A JP 7029597 A JP7029597 A JP 7029597A JP 7029597 A JP7029597 A JP 7029597A JP H10270315 A JPH10270315 A JP H10270315A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｘ線吸収体のパターニング後にもＸ線吸収体
のパターンが動かないＸ線マスクの製造方法およびそれ
により製造されるＸ線マスクを提供する。 【解決手段】 シリコン基板１の表面上にメンブレン２
が形成される。メンブレン２上にＸ線吸収体４が形成さ
れる。シリコン基板１にエッチバックが施され、メンブ
レン２の一部表面が露出する。このシリコン基板１のバ
ックエッチ前において、メンブレン２とＸ線吸収体４と
の応力むらの分布が実質的に同じようにされる。
のパターンが動かないＸ線マスクの製造方法およびそれ
により製造されるＸ線マスクを提供する。 【解決手段】 シリコン基板１の表面上にメンブレン２
が形成される。メンブレン２上にＸ線吸収体４が形成さ
れる。シリコン基板１にエッチバックが施され、メンブ
レン２の一部表面が露出する。このシリコン基板１のバ
ックエッチ前において、メンブレン２とＸ線吸収体４と
の応力むらの分布が実質的に同じようにされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線リソグラフィ
に使用するＸ線マスクの製造方法に関し、具体的にはＸ
線吸収体の応力を小さくすることによりパターニング時
の歪みを低減することの可能なＸ線マスクの製造方法お
よびそれにより製造されるＸ線マスクに関するものであ
る。
に使用するＸ線マスクの製造方法に関し、具体的にはＸ
線吸収体の応力を小さくすることによりパターニング時
の歪みを低減することの可能なＸ線マスクの製造方法お
よびそれにより製造されるＸ線マスクに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】これまで、それほど集積度の高くない半
導体記憶装置におけるパターンの転写には、主に紫外線
によるリソグラフィ技術が用いられてきた。しかし、半
導体記憶装置の高集積化が進み、たとえばＤＲＡＭ（Dy
namic Random Access Memory）において１Ｇｂｉｔ（ギ
ガビット）のようにＧｂｉｔ級となると、配線などの各
パターンがデバイスルールに従って極微細になるため、
より解像度の高いパターンの転写が必要となる。
導体記憶装置におけるパターンの転写には、主に紫外線
によるリソグラフィ技術が用いられてきた。しかし、半
導体記憶装置の高集積化が進み、たとえばＤＲＡＭ（Dy
namic Random Access Memory）において１Ｇｂｉｔ（ギ
ガビット）のようにＧｂｉｔ級となると、配線などの各
パターンがデバイスルールに従って極微細になるため、
より解像度の高いパターンの転写が必要となる。
【０００３】このような微細パターンの転写を行なう技
術としてＸ線によるリソグラフィ技術が期待されてい
る。このＸ線リソグラフィ技術では、露光光となるＸ線
の波長（軟Ｘ線：λ＝５〜２０ｎｍ）が紫外線に比べ短
波長となるため、紫外線によるリソグラフィよりも解像
度の高いパターンの転写が可能となる。
術としてＸ線によるリソグラフィ技術が期待されてい
る。このＸ線リソグラフィ技術では、露光光となるＸ線
の波長（軟Ｘ線：λ＝５〜２０ｎｍ）が紫外線に比べ短
波長となるため、紫外線によるリソグラフィよりも解像
度の高いパターンの転写が可能となる。
【０００４】このようなＸ線リソグラフィ技術に用いら
れるＸ線マスクの製造方法は、たとえば特開平５−１３
８１０４号公報に示されている。以下、この公報に示さ
れたＸ線マスクの製造方法を従来例として説明する。
れるＸ線マスクの製造方法は、たとえば特開平５−１３
８１０４号公報に示されている。以下、この公報に示さ
れたＸ線マスクの製造方法を従来例として説明する。
【０００５】図２３〜図２９は、上記公報に示された従
来のＸ線マスクの製造方法を工程順に示す概略断面図で
ある。まず、図２３を参照して、シリコン基板１上に、
たとえば厚さ１〜２μｍで軽元素からなるメンブレン
（Ｘ線透過性基板と同義）２が成膜される。
来のＸ線マスクの製造方法を工程順に示す概略断面図で
ある。まず、図２３を参照して、シリコン基板１上に、
たとえば厚さ１〜２μｍで軽元素からなるメンブレン
（Ｘ線透過性基板と同義）２が成膜される。
【０００６】図２４を参照して、シリコン基板１の裏面
からメンブレン２の一部表面が露出するまでシリコン基
板１の一部が選択的に除去（バックエッチ）される。
からメンブレン２の一部表面が露出するまでシリコン基
板１の一部が選択的に除去（バックエッチ）される。
【０００７】図２５を参照して、メンブレン２上に、た
とえばインジウム・錫酸化物などからなる反射防止膜兼
エッチングストッパ膜（以下、単に反射防止膜と称す
る）３が塗布され焼成される。
とえばインジウム・錫酸化物などからなる反射防止膜兼
エッチングストッパ膜（以下、単に反射防止膜と称す
る）３が塗布され焼成される。
【０００８】図２６を参照して、この反射防止膜３上
に、たとえばスパッタ法によりタングステン−チタン膜
からなるＸ線吸収体４が成膜される。そして、この際の
Ｘ線吸収体４の平均膜応力を測定し、この平均膜応力を
０とするための熱処理時の温度を決め、たとえばオーブ
ンで２５０℃で均一にアニールして、Ｘ線吸収体４の平
均膜応力が０に調整される。
に、たとえばスパッタ法によりタングステン−チタン膜
からなるＸ線吸収体４が成膜される。そして、この際の
Ｘ線吸収体４の平均膜応力を測定し、この平均膜応力を
０とするための熱処理時の温度を決め、たとえばオーブ
ンで２５０℃で均一にアニールして、Ｘ線吸収体４の平
均膜応力が０に調整される。
【０００９】図２７を参照して、このＸ線吸収体４上
に、レジスト５が塗布された後、たとえば１８０℃でベ
ークされる。
に、レジスト５が塗布された後、たとえば１８０℃でベ
ークされる。
【００１０】図２８を参照して、シリコン基板１の裏面
に、サポートリング６が接着剤７によって接着される。
そして、電子線描画（ＥＢ）および現像によりレジスト
５がパターニングされる。このパターニングされたレジ
スト５をマスクとしてＸ線吸収体４にドライエッチング
が行なわれ、Ｘ線吸収体４のパターニングが行なわれ
る。この後、レジスト５が除去されて、図２９に示すＸ
線マスクが製造される。
に、サポートリング６が接着剤７によって接着される。
そして、電子線描画（ＥＢ）および現像によりレジスト
５がパターニングされる。このパターニングされたレジ
スト５をマスクとしてＸ線吸収体４にドライエッチング
が行なわれ、Ｘ線吸収体４のパターニングが行なわれ
る。この後、レジスト５が除去されて、図２９に示すＸ
線マスクが製造される。
【００１１】なお、シリコン基板１のバックエッチ工程
およびサポートリング６へのシリコン基板１の接着の工
程は必ずしもこの工程順のとおりに行なわれるものでは
ない。
およびサポートリング６へのシリコン基板１の接着の工
程は必ずしもこの工程順のとおりに行なわれるものでは
ない。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】Ｘ線リソグラフィは、
Ｘ線が短波長であるため微細なパターンの転写に適用さ
れるが、Ｘ線の性質上、通常、等倍転写となる。このた
め、Ｘ線マスクには高いパターンの位置精度が要求され
る。ところが、Ｘ線吸収体４に応力が残存していた場
合、Ｘ線吸収体４のパターニング後に応力によってＸ線
吸収体４のパターンの位置が動き、位置精度が低下して
しまう。
Ｘ線が短波長であるため微細なパターンの転写に適用さ
れるが、Ｘ線の性質上、通常、等倍転写となる。このた
め、Ｘ線マスクには高いパターンの位置精度が要求され
る。ところが、Ｘ線吸収体４に応力が残存していた場
合、Ｘ線吸収体４のパターニング後に応力によってＸ線
吸収体４のパターンの位置が動き、位置精度が低下して
しまう。
【００１３】そこで、従来のＸ線マスクの製造方法で
は、Ｘ線吸収体４にアニールを施し、その加熱温度によ
りＸ線吸収体４の平均膜応力が０となるように調整され
ている。しかし、Ｘ線吸収体４はメンブレン２上に成膜
されるため、Ｘ線吸収体４の正確な膜応力値は不明であ
った。そのため、図２６に示すようにメンブレン２上に
Ｘ線吸収体４を成膜するのと同時にシリコンウェハにも
Ｘ線吸収体４を成膜し、このシリコンウェハ上のＸ線吸
収体４の応力が０となる条件で、メンブレン２上のＸ線
吸収体４のアニールが行なわれていた。
は、Ｘ線吸収体４にアニールを施し、その加熱温度によ
りＸ線吸収体４の平均膜応力が０となるように調整され
ている。しかし、Ｘ線吸収体４はメンブレン２上に成膜
されるため、Ｘ線吸収体４の正確な膜応力値は不明であ
った。そのため、図２６に示すようにメンブレン２上に
Ｘ線吸収体４を成膜するのと同時にシリコンウェハにも
Ｘ線吸収体４を成膜し、このシリコンウェハ上のＸ線吸
収体４の応力が０となる条件で、メンブレン２上のＸ線
吸収体４のアニールが行なわれていた。
【００１４】しかし、メンブレン２上とシリコンウェハ
上とでの成膜では成膜時の温度が異なる。このため、両
者上にＸ線吸収体４を同時にかつ同じ条件でスパッタし
ても、Ｘ線吸収体４の応力がメンブレン２上とシリコン
ウェハ上とで異なるという現象が生じていた。その結
果、上記のアニールはシリコンウェハ上のＸ線吸収体４
の応力を０とすることができても、メンブレン２上のＸ
線吸収体４の応力を０にすることができず、Ｘ線吸収体
４に応力が残ってしまう。このＸ線吸収体４内の残留応
力によってＸ線吸収体４のエッチング後にＸ線吸収体４
のパターンが歪むという問題があった。
上とでの成膜では成膜時の温度が異なる。このため、両
者上にＸ線吸収体４を同時にかつ同じ条件でスパッタし
ても、Ｘ線吸収体４の応力がメンブレン２上とシリコン
ウェハ上とで異なるという現象が生じていた。その結
果、上記のアニールはシリコンウェハ上のＸ線吸収体４
の応力を０とすることができても、メンブレン２上のＸ
線吸収体４の応力を０にすることができず、Ｘ線吸収体
４に応力が残ってしまう。このＸ線吸収体４内の残留応
力によってＸ線吸収体４のエッチング後にＸ線吸収体４
のパターンが歪むという問題があった。
【００１５】上記のような問題の解決のため、Ｘ線吸収
体４を成膜した後に、シリコン基板１をバックエッチし
てメンブレン化するというＸ線マスクの作成プロセスも
考えられている。この作成プロセスは具体的には、図３
０（ａ）に示すようにシリコン基板１上にメンブレン
（ＳｉＣ膜）２と反射防止膜３とＸ線吸収体４とを順次
成膜した後、Ｘ線吸収体４の応力を測定し、その応力が
０となるようにアニールを行ない、その後にバックエッ
チして図３１（ａ）に示すようにメンブレン化するとい
う手法である。
体４を成膜した後に、シリコン基板１をバックエッチし
てメンブレン化するというＸ線マスクの作成プロセスも
考えられている。この作成プロセスは具体的には、図３
０（ａ）に示すようにシリコン基板１上にメンブレン
（ＳｉＣ膜）２と反射防止膜３とＸ線吸収体４とを順次
成膜した後、Ｘ線吸収体４の応力を測定し、その応力が
０となるようにアニールを行ない、その後にバックエッ
チして図３１（ａ）に示すようにメンブレン化するとい
う手法である。
【００１６】しかし、この方法では、（１）ＳｉＣ膜２
の応力むらがバックエッチ後にＸ線吸収体４に乗り移る
ため、また（２）バックエッチでウェハが変形すること
でＸ線吸収体４に圧縮応力が発生するため、Ｘ線吸収体
４のエッチング後にパターンが動き、位置精度が低下す
るという問題点があった。以下、この（１）と（２）と
について図を用いて詳細に説明する。
の応力むらがバックエッチ後にＸ線吸収体４に乗り移る
ため、また（２）バックエッチでウェハが変形すること
でＸ線吸収体４に圧縮応力が発生するため、Ｘ線吸収体
４のエッチング後にパターンが動き、位置精度が低下す
るという問題点があった。以下、この（１）と（２）と
について図を用いて詳細に説明する。
【００１７】（１） 図３０と図３１とは、Ｘ線吸収体
４のアニール後（バックエッチ前）とバックエッチ後と
のＸ線マスクの構成を示す図（ａ）とそれに対応したＳ
ｉＣ膜およびＸ線吸収体の応力分布を示す図（ｂ）であ
る。
４のアニール後（バックエッチ前）とバックエッチ後と
のＸ線マスクの構成を示す図（ａ）とそれに対応したＳ
ｉＣ膜およびＸ線吸収体の応力分布を示す図（ｂ）であ
る。
【００１８】図３０を参照して、通常、ＳｉＣ膜２は、
シリコン基板１上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposit
ion ）法により成膜される。このＣＶＤ法では、通常、
原料ガスがウェハの外周領域から内周領域へ向かって流
れるため、ＳｉＣ膜２は中央部と外周部とでは応力が異
なり、一般的には同心円状の応力分布を有することにな
る。一方、Ｘ線吸収体４には上述したように応力をなく
すためのアニールが施されているため、Ｘ線吸収体４の
応力は実質的に０となっている。この状態から、シリコ
ン基板１にバックエッチを施すと、図３１に示すように
なる。
シリコン基板１上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposit
ion ）法により成膜される。このＣＶＤ法では、通常、
原料ガスがウェハの外周領域から内周領域へ向かって流
れるため、ＳｉＣ膜２は中央部と外周部とでは応力が異
なり、一般的には同心円状の応力分布を有することにな
る。一方、Ｘ線吸収体４には上述したように応力をなく
すためのアニールが施されているため、Ｘ線吸収体４の
応力は実質的に０となっている。この状態から、シリコ
ン基板１にバックエッチを施すと、図３１に示すように
なる。
【００１９】図３１を参照して、このバックエッチによ
りＳｉＣ膜２が部分的にシリコン基板１から露出して変
形する。その変形によりＳｉＣ膜２の応力むらが緩和さ
れ、その緩和された応力むらと逆方向の応力むらがＸ線
吸収体４に生じて、ＳｉＣ膜２とＸ線吸収体４との応力
が釣り合う。これにより、Ｘ線吸収体４には、中央部が
引張で外周部が圧縮の応力むらが生ずる。
りＳｉＣ膜２が部分的にシリコン基板１から露出して変
形する。その変形によりＳｉＣ膜２の応力むらが緩和さ
れ、その緩和された応力むらと逆方向の応力むらがＸ線
吸収体４に生じて、ＳｉＣ膜２とＸ線吸収体４との応力
が釣り合う。これにより、Ｘ線吸収体４には、中央部が
引張で外周部が圧縮の応力むらが生ずる。
【００２０】このように、Ｘ線吸収体４にＳｉＣ膜２の
応力むらが乗り移った状態で、Ｘ線吸収体４にパターニ
ングが施されると、図３２に示すように、Ｘ線吸収体４
の残留応力によってＸ線吸収体４のパターンが図中矢印
方向へ動き、位置精度が低下し、Ｇｂｉｔ級の微細な転
写は困難となる。
応力むらが乗り移った状態で、Ｘ線吸収体４にパターニ
ングが施されると、図３２に示すように、Ｘ線吸収体４
の残留応力によってＸ線吸収体４のパターンが図中矢印
方向へ動き、位置精度が低下し、Ｇｂｉｔ級の微細な転
写は困難となる。
【００２１】（２） 図３３と図３４とは、バックエッ
チ前とバックエッチ後とのＸ線マスクの構成を示す図
（ａ）とそれに対応したＳｉＣ膜およびＸ線吸収体の応
力を示す図（ｂ）である。
チ前とバックエッチ後とのＸ線マスクの構成を示す図
（ａ）とそれに対応したＳｉＣ膜およびＸ線吸収体の応
力を示す図（ｂ）である。
【００２２】図３３を参照して、通常ＳｉＣ膜２には、
１００ＭＰａ程度の平均膜応力が生じる。一方、Ｘ線吸
収体４には、上述したように応力をなくすためのアニー
ルが施されているため、Ｘ線吸収体４の膜応力は０とな
っている。この状態からシリコン基板１にバックエッチ
が施されると、図３４に示すようになる。
１００ＭＰａ程度の平均膜応力が生じる。一方、Ｘ線吸
収体４には、上述したように応力をなくすためのアニー
ルが施されているため、Ｘ線吸収体４の膜応力は０とな
っている。この状態からシリコン基板１にバックエッチ
が施されると、図３４に示すようになる。
【００２３】図３４を参照して、バックエッチによりＳ
ｉＣ膜２は部分的に露出するため変形して、その引張応
力は緩和される。一方、Ｘ線吸収体４はＳｉＣ膜２の変
形により縮むため、ＳｉＣ膜２中には圧縮応力が発生す
る。このように圧縮応力が生じたＸ線吸収体４にパター
ニングが施されると、図３５に示すようにその圧縮応力
によってＸ線吸収体４のパターンが図中矢印方向へ動
き、位置精度が低下し、Ｇｂｉｔ級の微細な転写は困難
となる。
ｉＣ膜２は部分的に露出するため変形して、その引張応
力は緩和される。一方、Ｘ線吸収体４はＳｉＣ膜２の変
形により縮むため、ＳｉＣ膜２中には圧縮応力が発生す
る。このように圧縮応力が生じたＸ線吸収体４にパター
ニングが施されると、図３５に示すようにその圧縮応力
によってＸ線吸収体４のパターンが図中矢印方向へ動
き、位置精度が低下し、Ｇｂｉｔ級の微細な転写は困難
となる。
【００２４】本発明は上記のような問題点を解決するた
めになされたもので、Ｘ線吸収体のパターニング後にも
Ｘ線吸収体のパターンが動かない、高い位置精度を有す
るＸ線マスクの製造方法を提供することを目的とする。
めになされたもので、Ｘ線吸収体のパターニング後にも
Ｘ線吸収体のパターンが動かない、高い位置精度を有す
るＸ線マスクの製造方法を提供することを目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明の一の局面に従う
Ｘ線マスクの製造方法は、以下の工程を備えている。
Ｘ線マスクの製造方法は、以下の工程を備えている。
【００２６】まず、基板の表面上にＸ線を透過するメン
ブレンが形成される。そしてメンブレン上にＸ線の透過
を遮るＸ線吸収体を形成される。そして基板の裏面から
メンブレンの一部表面が露出するように基板を選択的に
除去される。基板の選択的除去の工程前において、メン
ブレンとＸ線吸収体との応力むらの分布傾向が実質的に
同じとなるようにされる。
ブレンが形成される。そしてメンブレン上にＸ線の透過
を遮るＸ線吸収体を形成される。そして基板の裏面から
メンブレンの一部表面が露出するように基板を選択的に
除去される。基板の選択的除去の工程前において、メン
ブレンとＸ線吸収体との応力むらの分布傾向が実質的に
同じとなるようにされる。
【００２７】なお応力むらの分布傾向が実質的に同じと
は、メンブレンとＸ線吸収体との位置的に対応する領域
内の応力の増減が実質的に同じであることを意味し、メ
ンブレンとＸ線吸収体との対応する各位置での応力値は
同じであっても異なっていてもよい。
は、メンブレンとＸ線吸収体との位置的に対応する領域
内の応力の増減が実質的に同じであることを意味し、メ
ンブレンとＸ線吸収体との対応する各位置での応力値は
同じであっても異なっていてもよい。
【００２８】上記局面において好ましくは、メンブレン
とＸ線吸収体との応力むらが実質的に同一となる条件で
メンブレンおよびＸ線吸収体の少なくともいずれかが成
膜される。
とＸ線吸収体との応力むらが実質的に同一となる条件で
メンブレンおよびＸ線吸収体の少なくともいずれかが成
膜される。
【００２９】上記局面において好ましくは、メンブレン
とＸ線吸収体との応力むらが実質的に同一となるよう
に、メンブレンおよびＸ線吸収体の少なくともいずれか
に、不均一アニール、不均一イオン注入および不均一表
面研磨の群から選ばれる少なくとも一の処理が施され
る。
とＸ線吸収体との応力むらが実質的に同一となるよう
に、メンブレンおよびＸ線吸収体の少なくともいずれか
に、不均一アニール、不均一イオン注入および不均一表
面研磨の群から選ばれる少なくとも一の処理が施され
る。
【００３０】本発明の他の局面に従うＸ線マスクの製造
方法は以下の工程を備えている。まず基板の表面上にＸ
線を透過するメンブレンを形成される。そしてメンブレ
ン上にＸ線の透過を遮るＸ線吸収体が形成される。そし
て基板の裏面からメンブレンの一部表面が露出するよう
に基板を選択的に除去される。
方法は以下の工程を備えている。まず基板の表面上にＸ
線を透過するメンブレンを形成される。そしてメンブレ
ン上にＸ線の透過を遮るＸ線吸収体が形成される。そし
て基板の裏面からメンブレンの一部表面が露出するよう
に基板を選択的に除去される。
【００３１】基板の選択的除去の工程によってＸ線吸収
体の発生する圧縮応力と実質的に同じ応力が、基板の選
択的除去の工程前に引張応力としてＸ線吸収体に与えら
れる。
体の発生する圧縮応力と実質的に同じ応力が、基板の選
択的除去の工程前に引張応力としてＸ線吸収体に与えら
れる。
【００３２】上記局面において好ましくは、Ｘ線吸収体
を形成した後に熱処理を施すことによって、Ｘ線吸収体
に引張応力が与えられる。
を形成した後に熱処理を施すことによって、Ｘ線吸収体
に引張応力が与えられる。
【００３３】本発明のさらに他の局面に従うＸ線吸収体
の製造方法は以下の工程を備えている。
の製造方法は以下の工程を備えている。
【００３４】まずＸ線を透過するメンブレンが基板表面
上に形成された後、基板の表面からメンブレンの一部表
面が露出するように基板が選択的に除去されてＸ線マス
ク基板が準備される。そしてモニタ基板上およびＸ線マ
スク基板のメンブレン上に同一バッチでＸ線吸収体が形
成される。そしてモニタ基板のＸ線吸収体の応力ＳMが
測定される。そしてＸ線マスク基板のＸ線吸収体の応力
Ｓｘが測定される。そして応力ＳM とＳX との差Ｓを導
出し、この差Ｓから熱処理温度差αが導出される。そし
て熱処理を施したときにＸ線吸収体形成後のモニタ基板
の反りが熱処理によりＸ線吸収体形成前のモニタ基板の
反りと実質的に同じとなるときの熱処理温度Ｔが導出さ
れ、Ｔ−αの温度でＸ線吸収体形成後のＸ線マスク基板
に熱処理が施される。
上に形成された後、基板の表面からメンブレンの一部表
面が露出するように基板が選択的に除去されてＸ線マス
ク基板が準備される。そしてモニタ基板上およびＸ線マ
スク基板のメンブレン上に同一バッチでＸ線吸収体が形
成される。そしてモニタ基板のＸ線吸収体の応力ＳMが
測定される。そしてＸ線マスク基板のＸ線吸収体の応力
Ｓｘが測定される。そして応力ＳM とＳX との差Ｓを導
出し、この差Ｓから熱処理温度差αが導出される。そし
て熱処理を施したときにＸ線吸収体形成後のモニタ基板
の反りが熱処理によりＸ線吸収体形成前のモニタ基板の
反りと実質的に同じとなるときの熱処理温度Ｔが導出さ
れ、Ｔ−αの温度でＸ線吸収体形成後のＸ線マスク基板
に熱処理が施される。
【００３５】本発明のＸ線マスクは、基板と、メンブレ
ンと、Ｘ線吸収体とを備えている。基板は貫通孔を有し
ている。メンブレンは、貫通孔において一部表面が基板
から露出するように基板の表面上に形成されており、Ｘ
線を透過する。Ｘ線吸収体は、メンブレン上に選択的に
形成されており、Ｘ線の透過を遮る。Ｘ線吸収体の応力
は実質的に０である。
ンと、Ｘ線吸収体とを備えている。基板は貫通孔を有し
ている。メンブレンは、貫通孔において一部表面が基板
から露出するように基板の表面上に形成されており、Ｘ
線を透過する。Ｘ線吸収体は、メンブレン上に選択的に
形成されており、Ｘ線の透過を遮る。Ｘ線吸収体の応力
は実質的に０である。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図に基づいて説明する。
て図に基づいて説明する。
【００３７】実施の形態１ 図１は、本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの構
成を概略的に示す断面図である。図１を参照して、本実
施の形態のＸ線マスクは、シリコン基板１と、メンブレ
ン２と、反射防止膜３と、Ｘ線吸収体４と、サポートリ
ング６とを有している。
成を概略的に示す断面図である。図１を参照して、本実
施の形態のＸ線マスクは、シリコン基板１と、メンブレ
ン２と、反射防止膜３と、Ｘ線吸収体４と、サポートリ
ング６とを有している。
【００３８】メンブレン２は、Ｘ線透過性基板であり、
たとえば厚さ１〜２μｍで軽元素からなっており、シリ
コン基板１上に形成されている。またシリコン基板１に
は、シリコン基板１を貫通する孔１ａが設けられてお
り、この孔１ａからメンブレン２の裏面が露出してい
る。反射防止膜３は、アライメント光の反射を防止する
役割をなすもので、たとえばインジウム・錫酸化物から
なっており、メンブレン２の表面に形成されている。Ｘ
線吸収体４は、反射防止膜３上に所定の形状で形成さ
れ、Ｘ線の透過を遮る材料、たとえばタングステン−チ
タン膜からなっている。このＸ線吸収体４のパターンが
形成されている領域はＸ線の透過を遮り、またＸ線吸収
体のパターンが形成されていない領域はＸ線を透過す
る。サポートリング６は、シリコン基板１の裏面に接着
剤（図示せず）により接着されてシリコン基板１を支持
している。
たとえば厚さ１〜２μｍで軽元素からなっており、シリ
コン基板１上に形成されている。またシリコン基板１に
は、シリコン基板１を貫通する孔１ａが設けられてお
り、この孔１ａからメンブレン２の裏面が露出してい
る。反射防止膜３は、アライメント光の反射を防止する
役割をなすもので、たとえばインジウム・錫酸化物から
なっており、メンブレン２の表面に形成されている。Ｘ
線吸収体４は、反射防止膜３上に所定の形状で形成さ
れ、Ｘ線の透過を遮る材料、たとえばタングステン−チ
タン膜からなっている。このＸ線吸収体４のパターンが
形成されている領域はＸ線の透過を遮り、またＸ線吸収
体のパターンが形成されていない領域はＸ線を透過す
る。サポートリング６は、シリコン基板１の裏面に接着
剤（図示せず）により接着されてシリコン基板１を支持
している。
【００３９】Ｘ線吸収体４のパターン内では、膜応力が
実質的に０（すなわち膜応力が０あるいは無視できる程
度にまで低くなっている）である。
実質的に０（すなわち膜応力が０あるいは無視できる程
度にまで低くなっている）である。
【００４０】次に、本実施の形態のＸ線マスクの製造方
法を説明する。図２〜図５は、本発明の実施の形態１に
おけるＸ線マスクの製造方法を工程順に示す概略断面図
である。また図６と図７とは、本発明の実施の形態１に
おけるＸ線吸収体の成膜後およびバックエッチ後のＸ線
マスクの構成を示す図（ａ）とそれに対応したＳｉＣ膜
およびＸ線吸収体の応力分布を示す図（ｂ）である。
法を説明する。図２〜図５は、本発明の実施の形態１に
おけるＸ線マスクの製造方法を工程順に示す概略断面図
である。また図６と図７とは、本発明の実施の形態１に
おけるＸ線吸収体の成膜後およびバックエッチ後のＸ線
マスクの構成を示す図（ａ）とそれに対応したＳｉＣ膜
およびＸ線吸収体の応力分布を示す図（ｂ）である。
【００４１】まず図２を参照して、シリコン基板１上
に、たとえばＣＶＤ法により厚さ１〜２μｍで軽元素か
らなるメンブレン２が成膜される。
に、たとえばＣＶＤ法により厚さ１〜２μｍで軽元素か
らなるメンブレン２が成膜される。
【００４２】図３を参照して、このメンブレン２上に、
たとえばインジウム・錫酸化物などからなる反射防止膜
３が塗布された後、焼成される。この反射防止膜３上
に、図６に示すようにメンブレン２の応力むらの分布傾
向と実質的に同一の応力むらの分布傾向を有するＸ線吸
収体４が後述の方法により形成される。
たとえばインジウム・錫酸化物などからなる反射防止膜
３が塗布された後、焼成される。この反射防止膜３上
に、図６に示すようにメンブレン２の応力むらの分布傾
向と実質的に同一の応力むらの分布傾向を有するＸ線吸
収体４が後述の方法により形成される。
【００４３】図４を参照して、メンブレン２とＸ線吸収
体４との応力むらの分布傾向が実質的に同じ状態で、シ
リコン基板１にバックエッチが施され、メンブレン２の
裏面が露出する。このバックエッチにより、メンブレン
２内の応力むらが緩和されるとともに、この緩和された
応力むらと逆方向の応力むらがＸ線吸収体４に生じる。
このＸ線吸収体４には、予めメンブレン２内の応力むら
と実質的に同一の分布傾向を有する応力むらが与えられ
ているため、この予め与えられた応力むらとバックエッ
チにより生じた応力むらとが互いに相殺し合う。これに
より、図７に示すようにＸ線吸収体４の応力むらは実質
的になくなり、膜応力は実質的に０となる。
体４との応力むらの分布傾向が実質的に同じ状態で、シ
リコン基板１にバックエッチが施され、メンブレン２の
裏面が露出する。このバックエッチにより、メンブレン
２内の応力むらが緩和されるとともに、この緩和された
応力むらと逆方向の応力むらがＸ線吸収体４に生じる。
このＸ線吸収体４には、予めメンブレン２内の応力むら
と実質的に同一の分布傾向を有する応力むらが与えられ
ているため、この予め与えられた応力むらとバックエッ
チにより生じた応力むらとが互いに相殺し合う。これに
より、図７に示すようにＸ線吸収体４の応力むらは実質
的になくなり、膜応力は実質的に０となる。
【００４４】図５を参照して、このように応力が実質的
に０となった状態で、Ｘ線吸収体４上にレジスト５が塗
布された後、電子線描画（ＥＢ）および現像によりパタ
ーニングされる。このレジストパターン５をマスクとし
てエッチングを施すことにより、Ｘ線吸収体４がパター
ニングされる。この後、レジストパターン５が除去さ
れ、かつサポートリング６がシリコン基板１に接着剤
（図示せず）により接着されることにより図１に示すＸ
線マスクが完成する。
に０となった状態で、Ｘ線吸収体４上にレジスト５が塗
布された後、電子線描画（ＥＢ）および現像によりパタ
ーニングされる。このレジストパターン５をマスクとし
てエッチングを施すことにより、Ｘ線吸収体４がパター
ニングされる。この後、レジストパターン５が除去さ
れ、かつサポートリング６がシリコン基板１に接着剤
（図示せず）により接着されることにより図１に示すＸ
線マスクが完成する。
【００４５】次に、メンブレン２と実質的に同一の応力
むらの分布傾向を有するＸ線吸収体４を形成する具体的
方法（ａ）〜（ｅ）について詳述する。
むらの分布傾向を有するＸ線吸収体４を形成する具体的
方法（ａ）〜（ｅ）について詳述する。
【００４６】（ａ） まずＸ線吸収体４がたとえばスパ
ッタ法により形成される場合には、図６に示すようにス
パッタ装置１０内のステージ１３上に、Ｘ線マスク（シ
リコン基板１上にメンブレン２と反射防止膜３とが形成
された状態のもの）が載置される。この際、Ｘ線マスク
は、その中心Ｃ1 が、ターゲット１２に接続された陰極
１１の中心Ｃ2 の真下に位置するように載置されてスパ
ッタ処理される。これにより、成膜されるＸ線吸収体４
の中央部は圧縮応力となり、外周部は引張応力となる。
したがって、上述した図６に示すような応力むらを有す
るＸ線吸収体４が得られる。
ッタ法により形成される場合には、図６に示すようにス
パッタ装置１０内のステージ１３上に、Ｘ線マスク（シ
リコン基板１上にメンブレン２と反射防止膜３とが形成
された状態のもの）が載置される。この際、Ｘ線マスク
は、その中心Ｃ1 が、ターゲット１２に接続された陰極
１１の中心Ｃ2 の真下に位置するように載置されてスパ
ッタ処理される。これにより、成膜されるＸ線吸収体４
の中央部は圧縮応力となり、外周部は引張応力となる。
したがって、上述した図６に示すような応力むらを有す
るＸ線吸収体４が得られる。
【００４７】なお、通常のスパッタ処理は、同一スパッ
タ装置内に装填された複数枚のウェハ（Ｘ線吸収体成膜
前のＸ線マスク）のすべてに均一に成膜を行なうため各
ウェハが公転した状態で行なわれる。よって、従来のス
パッタ処理方法では、図６に示すようなＸ線吸収体４の
応力むらは得られない。
タ装置内に装填された複数枚のウェハ（Ｘ線吸収体成膜
前のＸ線マスク）のすべてに均一に成膜を行なうため各
ウェハが公転した状態で行なわれる。よって、従来のス
パッタ処理方法では、図６に示すようなＸ線吸収体４の
応力むらは得られない。
【００４８】（ｂ） また他の方法として、図９に示す
ようにスパッタ装置内でウェハ（シリコン基板１上にメ
ンブレン２と反射防止膜３とを形成した状態のＸ線マス
ク）を自転させながらスパッタ処理を行なうことによっ
ても、図６に示すような応力むらを有するＸ線吸収体４
を得ることができる。
ようにスパッタ装置内でウェハ（シリコン基板１上にメ
ンブレン２と反射防止膜３とを形成した状態のＸ線マス
ク）を自転させながらスパッタ処理を行なうことによっ
ても、図６に示すような応力むらを有するＸ線吸収体４
を得ることができる。
【００４９】またＸ線吸収体４の成膜と同時にＸ線吸収
体４に応力むらを与える以外に、Ｘ線吸収体４の成膜後
に何らかの処理を施して応力むらを与えることもでき
る。
体４に応力むらを与える以外に、Ｘ線吸収体４の成膜後
に何らかの処理を施して応力むらを与えることもでき
る。
【００５０】（ｃ） たとえば図１０に示すようにホッ
トプレート１５を用いてウェハを不均一に熱処理（アニ
ール）することによってもＸ線吸収体４の応力むらを制
御することができる。たとえばＸ線吸収体４の図中左側
の領域を図中右側の領域よりも高い温度で加熱すれば、
Ｘ線吸収体４の図中左側の領域は図中右側の領域よりも
圧縮応力が小さく（引張応力が大きく）なる。
トプレート１５を用いてウェハを不均一に熱処理（アニ
ール）することによってもＸ線吸収体４の応力むらを制
御することができる。たとえばＸ線吸収体４の図中左側
の領域を図中右側の領域よりも高い温度で加熱すれば、
Ｘ線吸収体４の図中左側の領域は図中右側の領域よりも
圧縮応力が小さく（引張応力が大きく）なる。
【００５１】通常、Ｘ線吸収体４には、その成膜時に雰
囲気ガスが取込まれることによって圧縮応力が生じてい
る。また、Ｘ線吸収体４のアニール温度が高いほど、原
料ガスがＸ線吸収体４から抜けやすくなる。このため、
Ｘ線吸収体４において引張応力としたい部分は比較的高
温度で、また圧縮応力としたい部分はアニールしない
か、もしくは比較的低温度でアニールすることにより、
図６に示すようなＸ線吸収体４の応力むらを得ることが
できる。
囲気ガスが取込まれることによって圧縮応力が生じてい
る。また、Ｘ線吸収体４のアニール温度が高いほど、原
料ガスがＸ線吸収体４から抜けやすくなる。このため、
Ｘ線吸収体４において引張応力としたい部分は比較的高
温度で、また圧縮応力としたい部分はアニールしない
か、もしくは比較的低温度でアニールすることにより、
図６に示すようなＸ線吸収体４の応力むらを得ることが
できる。
【００５２】（ｄ） また図１１に示すようにＸ線吸収
体４を成膜した後に、圧縮応力としたい部分をレジスト
パターン７から露出した状態でイオン注入を行なう方法
もある。このような不均一イオン注入を行なった場合、
イオンが注入されたＸ線吸収体４の領域が圧縮応力とな
るため、図６に示すようなＸ線吸収体４の応力むらを得
ることができる。
体４を成膜した後に、圧縮応力としたい部分をレジスト
パターン７から露出した状態でイオン注入を行なう方法
もある。このような不均一イオン注入を行なった場合、
イオンが注入されたＸ線吸収体４の領域が圧縮応力とな
るため、図６に示すようなＸ線吸収体４の応力むらを得
ることができる。
【００５３】（ｅ） また、Ｘ線吸収体４の成膜前に、
図１２に示すようにメンブレン２となるＳｉＣ膜を不均
一に削ってもよい。この場合、削られた部分は引張力が
小さくなる。またこの削る手段としては、たとえばＣＭ
Ｐ（Chemical Mechanical Polishing ）法が用いられ
る。
図１２に示すようにメンブレン２となるＳｉＣ膜を不均
一に削ってもよい。この場合、削られた部分は引張力が
小さくなる。またこの削る手段としては、たとえばＣＭ
Ｐ（Chemical Mechanical Polishing ）法が用いられ
る。
【００５４】本実施の形態では、図６に示すようにメン
ブレン（ＳｉＣ膜）２の応力むらの分布傾向と実質的に
同じ応力むらを有するようにＸ線吸収体４が形成され
る。よって、図７に示すようにシリコン基板１にバック
エッチが施され、メンブレン２内の応力むらが緩和され
ると、Ｘ線吸収体４にもこの緩和された応力むらと逆方
向の応力がＸ線吸収体４に加わる。つまり、メンブレン
２の緩和された応力むらがＸ線吸収体４に乗り移る。こ
のため、予めＸ線吸収体４に与えられた応力むらと、バ
ックエッチによって新たに与えられる応力むらとが互い
に相殺し合い、Ｘ線吸収体４の応力むらも実質的に０に
することができる。したがって、Ｘ線吸収体４をパター
ニングしてもＸ線吸収体４のパターンは動かず良好な位
置精度が得られる。
ブレン（ＳｉＣ膜）２の応力むらの分布傾向と実質的に
同じ応力むらを有するようにＸ線吸収体４が形成され
る。よって、図７に示すようにシリコン基板１にバック
エッチが施され、メンブレン２内の応力むらが緩和され
ると、Ｘ線吸収体４にもこの緩和された応力むらと逆方
向の応力がＸ線吸収体４に加わる。つまり、メンブレン
２の緩和された応力むらがＸ線吸収体４に乗り移る。こ
のため、予めＸ線吸収体４に与えられた応力むらと、バ
ックエッチによって新たに与えられる応力むらとが互い
に相殺し合い、Ｘ線吸収体４の応力むらも実質的に０に
することができる。したがって、Ｘ線吸収体４をパター
ニングしてもＸ線吸収体４のパターンは動かず良好な位
置精度が得られる。
【００５５】なお、図１３に示すようにメンブレン（Ｓ
ｉＣ膜）２の応力むらの分布が図６に示す応力むらの分
布と異なる場合でも、Ｘ線吸収体４の応力むらの分布傾
向をメンブレン２の応力むらの分布傾向と実質的に同じ
となるように制御すれば、図１４に示すようにシリコン
基板１にバックエッチを施すことでＸ線吸収体４の応力
分布を実質的に０とすることができる。
ｉＣ膜）２の応力むらの分布が図６に示す応力むらの分
布と異なる場合でも、Ｘ線吸収体４の応力むらの分布傾
向をメンブレン２の応力むらの分布傾向と実質的に同じ
となるように制御すれば、図１４に示すようにシリコン
基板１にバックエッチを施すことでＸ線吸収体４の応力
分布を実質的に０とすることができる。
【００５６】実施の形態２ 本実施の形態のＸ線マスクの製造方法では、図３に示す
実施の形態１の工程で、図１５に示すように所定の応力
を有するＸ線吸収体４が形成される。このＸ線吸収体４
の所定の応力として、後工程のバックエッチでウェハが
変形することによりＸ線吸収体４に発生する圧縮応力と
実質的に同じ応力が引張応力として与えられている。こ
の所定の応力はＸ線吸収体４にたとえばアニールを施す
ことにより与えることができる。なお、これ以外の製造
工程については、図２〜図５に示す実施の形態１とほぼ
同様であるため、同一の部材については同一の符号を付
し、その説明は省略する。
実施の形態１の工程で、図１５に示すように所定の応力
を有するＸ線吸収体４が形成される。このＸ線吸収体４
の所定の応力として、後工程のバックエッチでウェハが
変形することによりＸ線吸収体４に発生する圧縮応力と
実質的に同じ応力が引張応力として与えられている。こ
の所定の応力はＸ線吸収体４にたとえばアニールを施す
ことにより与えることができる。なお、これ以外の製造
工程については、図２〜図５に示す実施の形態１とほぼ
同様であるため、同一の部材については同一の符号を付
し、その説明は省略する。
【００５７】本実施の形態では、Ｘ線吸収体４に所定の
応力が予め与えられている。このため、図１６に示すよ
うにシリコン基板１にバックエッチを施した場合にウェ
ハが変形することによりＸ線吸収体４に発生する圧縮応
力は、Ｘ線吸収体４に予め与えられた引張応力によって
相殺される。これにより、Ｘ線吸収体４の応力は実質的
に０にすることができる。よって、図５に示すようにレ
ジストパターン５を用いてＸ線吸収体４をパターニング
しても、Ｘ線吸収体４のパターンは動かず良好な位置精
度を得ることができる。
応力が予め与えられている。このため、図１６に示すよ
うにシリコン基板１にバックエッチを施した場合にウェ
ハが変形することによりＸ線吸収体４に発生する圧縮応
力は、Ｘ線吸収体４に予め与えられた引張応力によって
相殺される。これにより、Ｘ線吸収体４の応力は実質的
に０にすることができる。よって、図５に示すようにレ
ジストパターン５を用いてＸ線吸収体４をパターニング
しても、Ｘ線吸収体４のパターンは動かず良好な位置精
度を得ることができる。
【００５８】また本実施の形態の方法で製造されるＸ線
マスクの構成は、図１に示す実施の形態１の構成と同じ
く、Ｘ線吸収体４の応力が実質的に０になっている。
マスクの構成は、図１に示す実施の形態１の構成と同じ
く、Ｘ線吸収体４の応力が実質的に０になっている。
【００５９】実施の形態３ 上述した従来の技術では、アニールを施してＸ線吸収体
４の応力を０にしようとする際に、メンブレン上とウェ
ハ上とに成膜されるＸ線吸収体４の応力が異なることを
考慮していなかった。これに対して本実施の形態では、
メンブレン上とウェハ上とに成膜されるＸ線吸収体４の
応力の差を考慮して、Ｘ線吸収体にアニールを施すこと
によりＸ線吸収体の応力を実質的に０にできるＸ線マス
クの製造方法を提供するものである。
４の応力を０にしようとする際に、メンブレン上とウェ
ハ上とに成膜されるＸ線吸収体４の応力が異なることを
考慮していなかった。これに対して本実施の形態では、
メンブレン上とウェハ上とに成膜されるＸ線吸収体４の
応力の差を考慮して、Ｘ線吸収体にアニールを施すこと
によりＸ線吸収体の応力を実質的に０にできるＸ線マス
クの製造方法を提供するものである。
【００６０】図１７は、本発明の実施の形態３における
Ｘ線マスクの製造方法を示すブロック図であり、図１９
〜図２２は、本発明の実施の形態３におけるＸ線マスク
の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
Ｘ線マスクの製造方法を示すブロック図であり、図１９
〜図２２は、本発明の実施の形態３におけるＸ線マスク
の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【００６１】図１７を参照して、まずモニタ基板２０
（図１９）とバックエッチ済のＸ線マスク基板（図２
４）とが準備される（ステップＳ１）。ここでモニタ基
板２０では、図１９に示すようにシリコン基板１上にメ
ンブレン（ＳｉＣ膜）２のみが成膜されている。そして
Ｘ線マスク基板では、図２４に示すようにシリコン基板
１上にメンブレン（ＳｉＣ膜）２のみが形成された状態
でバックエッチが施されている。
（図１９）とバックエッチ済のＸ線マスク基板（図２
４）とが準備される（ステップＳ１）。ここでモニタ基
板２０では、図１９に示すようにシリコン基板１上にメ
ンブレン（ＳｉＣ膜）２のみが成膜されている。そして
Ｘ線マスク基板では、図２４に示すようにシリコン基板
１上にメンブレン（ＳｉＣ膜）２のみが形成された状態
でバックエッチが施されている。
【００６２】このときモニタ基板２０はＸ線マスク基板
と同一膜構造で、唯一バックエッチの有無だけが異なる
ことが望ましいが、条件によっては、Ｓｉ基板のみから
なっていても構わない。
と同一膜構造で、唯一バックエッチの有無だけが異なる
ことが望ましいが、条件によっては、Ｓｉ基板のみから
なっていても構わない。
【００６３】図１７と図１９とを参照して、この状態で
モニタ基板２０の反りＷ0 が測定される（ステップＳ
２）。
モニタ基板２０の反りＷ0 が測定される（ステップＳ
２）。
【００６４】図１７と図２０とを参照して、たとえばＷ
−Ｔｉ膜よりなるＸ線吸収体４が、９ｍＴｏｒｒ、６５
０Ｗの条件でモニタ基板２０およびＸ線マスク基板１０
に同一バッチで成膜される（ステップＳ３）。
−Ｔｉ膜よりなるＸ線吸収体４が、９ｍＴｏｒｒ、６５
０Ｗの条件でモニタ基板２０およびＸ線マスク基板１０
に同一バッチで成膜される（ステップＳ３）。
【００６５】図１７と図２１とを参照して、成膜後、モ
ニタ基板２０の反りが初期状態の反りと同じくなるよう
にアニールが繰返される。たとえば、２５０℃、３００
℃とアニールを行ない、温度とモニタ基板２０の反りと
の変化から最終アニール温度Ｔが決定される（ステップ
Ｓ４）。たとえば３３０℃でアニールを行なったとき
に、モニタ基板２０の反りが初期状態の反りと同じくな
りＸ線吸収体４の応力が０となったとすると、そのとき
の３３０℃の温度が最終アニール温度Ｔとして決定され
る。
ニタ基板２０の反りが初期状態の反りと同じくなるよう
にアニールが繰返される。たとえば、２５０℃、３００
℃とアニールを行ない、温度とモニタ基板２０の反りと
の変化から最終アニール温度Ｔが決定される（ステップ
Ｓ４）。たとえば３３０℃でアニールを行なったとき
に、モニタ基板２０の反りが初期状態の反りと同じくな
りＸ線吸収体４の応力が０となったとすると、そのとき
の３３０℃の温度が最終アニール温度Ｔとして決定され
る。
【００６６】図１７と図２２とを参照して、この後、上
述の最終アニール温度Ｔから後述の方法で得られた熱処
理温度差αだけ下げた温度（Ｔ−α）で、Ｘ線マスク基
板１０にアニールが施される。たとえば熱処理温度差α
が１００℃の場合には、最終アニール温度Ｔから１００
℃だけ下げた温度でアニールが行なわれる。このような
温度でアニールを行なうことにより、メンブレン上でも
Ｘ線吸収体４の応力を実質的に０とすることができる。
述の最終アニール温度Ｔから後述の方法で得られた熱処
理温度差αだけ下げた温度（Ｔ−α）で、Ｘ線マスク基
板１０にアニールが施される。たとえば熱処理温度差α
が１００℃の場合には、最終アニール温度Ｔから１００
℃だけ下げた温度でアニールが行なわれる。このような
温度でアニールを行なうことにより、メンブレン上でも
Ｘ線吸収体４の応力を実質的に０とすることができる。
【００６７】この後、図２６〜図２９に示す従来例の工
程と同様の工程を経ることにより、Ｘ線マスクが完成す
る。
程と同様の工程を経ることにより、Ｘ線マスクが完成す
る。
【００６８】次に、熱処理温度差αの導出の方法につい
て説明する。図１８は、熱処理温度差αの導出の工程を
示すブロック図である。
て説明する。図１８は、熱処理温度差αの導出の工程を
示すブロック図である。
【００６９】まず図１８と図２０とを参照して、モニタ
基板２０とバックエッチ済のＸ線マスク基板１０とにＸ
線吸収体４が同時に成膜される（ステップＳ１１）。そ
してモニタ基板２０とＸ線マスク基板１０とに同一温度
でアニール（熱処理）が行なわれる（ステップＳ１
２）。ウェハ状態のモニタ基板２０はウェハの反りから
Ｘ線吸収体４の応力が求められ、またメンブレン状態の
Ｘ線マスク基板１０ではバルジ法によってＸ線吸収体４
の応力が求められる（ステップＳ１３、Ｓ１４）。
基板２０とバックエッチ済のＸ線マスク基板１０とにＸ
線吸収体４が同時に成膜される（ステップＳ１１）。そ
してモニタ基板２０とＸ線マスク基板１０とに同一温度
でアニール（熱処理）が行なわれる（ステップＳ１
２）。ウェハ状態のモニタ基板２０はウェハの反りから
Ｘ線吸収体４の応力が求められ、またメンブレン状態の
Ｘ線マスク基板１０ではバルジ法によってＸ線吸収体４
の応力が求められる（ステップＳ１３、Ｓ１４）。
【００７０】ここでウェハの反りからＸ線吸収体４の応
力を求める方法とは、たとえばウェハの表面にレーザを
スキャンし、そのレーザ光の反射光の干渉縞を観察する
ことにより、ウェハの面内の応力を測定する方法であ
る。またバルジ法とは、測定したい点にガス圧力を加
え、そのときの変形量を測定することで応力を測定する
方法であり、たとえばＴＯＰ ＯＦ ＭＩＮＤ ３１号
Ｆｅｂ．１５，１９８９の７〜１１頁に示されてい
る。
力を求める方法とは、たとえばウェハの表面にレーザを
スキャンし、そのレーザ光の反射光の干渉縞を観察する
ことにより、ウェハの面内の応力を測定する方法であ
る。またバルジ法とは、測定したい点にガス圧力を加
え、そのときの変形量を測定することで応力を測定する
方法であり、たとえばＴＯＰ ＯＦ ＭＩＮＤ ３１号
Ｆｅｂ．１５，１９８９の７〜１１頁に示されてい
る。
【００７１】そしてその応力の差Ｓ（＝ＳM −ＳX ）が
導出され（ステップＳ１５）、その応力の差Ｓから熱処
理温度差αが導出される（ステップＳ１６）。なお応力
の差Ｓから熱処理温度差αを導出する工程については、
予め求められた応力値と熱処理温度値との関係に基づい
て行なわれる。
導出され（ステップＳ１５）、その応力の差Ｓから熱処
理温度差αが導出される（ステップＳ１６）。なお応力
の差Ｓから熱処理温度差αを導出する工程については、
予め求められた応力値と熱処理温度値との関係に基づい
て行なわれる。
【００７２】なお、基板構造によっては、この熱処理温
度差αの値は異なるため、ある構造のときは１００℃で
あり、またある構造では１５０℃であったりする。
度差αの値は異なるため、ある構造のときは１００℃で
あり、またある構造では１５０℃であったりする。
【００７３】また、本実施の形態の方法により製造され
るＸ線マスクでは、図１に示す実施の形態１の構成と同
じく、Ｘ線吸収体４の応力が実質的に０となっている。
るＸ線マスクでは、図１に示す実施の形態１の構成と同
じく、Ｘ線吸収体４の応力が実質的に０となっている。
【００７４】本実施の形態の製造方法では、モニタ基板
２０とＸ線マスク基板１０とのＸ線吸収体４の応力差Ｓ
から熱処理温度差αを導出して、この熱処理温度差αを
考慮した温度（Ｔ−α）でＸ線マスク基板１０に熱処理
が施される。このため、Ｘ線吸収体４の応力を実質的に
０にすることができる。したがって、Ｘ線吸収体４をパ
ターニングしてもＸ線吸収体４のパターンは動かず、良
好な位置精度が得られる。
２０とＸ線マスク基板１０とのＸ線吸収体４の応力差Ｓ
から熱処理温度差αを導出して、この熱処理温度差αを
考慮した温度（Ｔ−α）でＸ線マスク基板１０に熱処理
が施される。このため、Ｘ線吸収体４の応力を実質的に
０にすることができる。したがって、Ｘ線吸収体４をパ
ターニングしてもＸ線吸収体４のパターンは動かず、良
好な位置精度が得られる。
【００７５】また、予め熱処理温度差αを導出しておけ
ば、熱処理温度差αの導出に用いたＸ線マスク基板１０
と異なるバッチで処理されたＸ線マスク基板１０につい
てもＸ線吸収体４の応力を測定することなく、図１７の
プロセスに従うことでＸ線吸収体４の応力を実質的に０
にできる熱処理温度（Ｔ−α）を導出することができ
る。
ば、熱処理温度差αの導出に用いたＸ線マスク基板１０
と異なるバッチで処理されたＸ線マスク基板１０につい
てもＸ線吸収体４の応力を測定することなく、図１７の
プロセスに従うことでＸ線吸収体４の応力を実質的に０
にできる熱処理温度（Ｔ−α）を導出することができ
る。
【００７６】なお、各バッチごとにバルジ法によりＸ線
吸収体４の応力を求めれば、モニタ基板の応力を求める
必要はない。しかし、バルジ法は、上述したようにある
点における応力を測定する方法であるため、Ｘ線吸収体
４の面内全体の応力分布を知るには、多数の点での測定
が必要となる。このため、Ｘ線吸収体４の精密な測定に
は向いているが、バルジ法を用いて各バッチごとにＸ線
吸収体４の応力を測定しようとすると、煩雑な測定の工
程が各バッチ処理ごとに必要となってしまう。
吸収体４の応力を求めれば、モニタ基板の応力を求める
必要はない。しかし、バルジ法は、上述したようにある
点における応力を測定する方法であるため、Ｘ線吸収体
４の面内全体の応力分布を知るには、多数の点での測定
が必要となる。このため、Ｘ線吸収体４の精密な測定に
は向いているが、バルジ法を用いて各バッチごとにＸ線
吸収体４の応力を測定しようとすると、煩雑な測定の工
程が各バッチ処理ごとに必要となってしまう。
【００７７】これに対して本実施の形態の方法は、バル
ジ法は最初の１回のみ用いればよいため、煩雑な測定工
程が不要となり、量産化に適した方法であるといえる。
ジ法は最初の１回のみ用いればよいため、煩雑な測定工
程が不要となり、量産化に適した方法であるといえる。
【００７８】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
【００７９】
【発明の効果】本発明の一の局面に従うＸ線マスクの製
造方法では、Ｘ線吸収体の応力むらの分布がメンブレン
の応力むらの分布と実質的に同じとされた状態で基板が
選択的に除去される。このため、基板が選択的に除去さ
れてメンブレンの一部が露出しメンブレンの応力が緩和
されると、その緩和された応力と逆の応力がＸ線吸収体
に与えられる。これにより、Ｘ線吸収体に予め与えられ
た応力むらと基板を選択的に除去することで新たに与え
られる応力むらとが互いに相殺し合い、Ｘ線吸収体の応
力を実質的に０にすることができ、Ｘ線吸収体をパター
ニングしてもＸ線吸収体のパターンは動かず良好な位置
精度が得られる。したがって、良好な重ね合わせを持つ
Ｘ線マスクを作成することが可能となり、低コスト・高
性能のＬＳＩを製造することができる。
造方法では、Ｘ線吸収体の応力むらの分布がメンブレン
の応力むらの分布と実質的に同じとされた状態で基板が
選択的に除去される。このため、基板が選択的に除去さ
れてメンブレンの一部が露出しメンブレンの応力が緩和
されると、その緩和された応力と逆の応力がＸ線吸収体
に与えられる。これにより、Ｘ線吸収体に予め与えられ
た応力むらと基板を選択的に除去することで新たに与え
られる応力むらとが互いに相殺し合い、Ｘ線吸収体の応
力を実質的に０にすることができ、Ｘ線吸収体をパター
ニングしてもＸ線吸収体のパターンは動かず良好な位置
精度が得られる。したがって、良好な重ね合わせを持つ
Ｘ線マスクを作成することが可能となり、低コスト・高
性能のＬＳＩを製造することができる。
【００８０】上記局面において好ましくはメンブレンと
Ｘ線吸収体との応力むらが実質的に同一となる条件でメ
ンブレンおよびＸ線吸収体の少なくともいずれかが成膜
される。これにより、成膜と同時にＸ線吸収体とメンブ
レンとの応力むらの分布を調整することが可能となる。
Ｘ線吸収体との応力むらが実質的に同一となる条件でメ
ンブレンおよびＸ線吸収体の少なくともいずれかが成膜
される。これにより、成膜と同時にＸ線吸収体とメンブ
レンとの応力むらの分布を調整することが可能となる。
【００８１】上記局面において好ましくは、メンブレン
とＸ線吸収体との応力むらが実質的に同一となるよう
に、メンブレンおよびＸ線吸収体の少なくともいずれか
に、不均一アニール、不均一イオン注入および不均一表
面研磨の群から選ばれる少なくとも一の処理が施され
る。これにより、Ｘ線吸収体とメンブレンとのいずれか
の成膜後に、応力むらの分布を調整することが可能とな
る。
とＸ線吸収体との応力むらが実質的に同一となるよう
に、メンブレンおよびＸ線吸収体の少なくともいずれか
に、不均一アニール、不均一イオン注入および不均一表
面研磨の群から選ばれる少なくとも一の処理が施され
る。これにより、Ｘ線吸収体とメンブレンとのいずれか
の成膜後に、応力むらの分布を調整することが可能とな
る。
【００８２】本発明の他の局面に従うＸ線マスクの製造
方法では、基板の選択的除去によってＸ線吸収体に発生
する圧縮応力と実質的に同じ応力が、基板の選択的除去
の工程前にＸ線吸収体に引張応力として与えられてい
る。このため、基板の選択的除去によって与えられる圧
縮応力は、予め与えられた引張応力と相殺し合う。よっ
て、基板の選択的除去後にＸ線吸収体の応力を実質的に
０にすることができ、Ｘ線吸収体をパターニングしても
Ｘ線吸収体のパターンは動かず良好な位置精度が得られ
る。したがって、良好な重ね合わせを持つＸ線マスクを
作成することが可能となり、低コスト・高性能のＬＳＩ
を製造することができる。
方法では、基板の選択的除去によってＸ線吸収体に発生
する圧縮応力と実質的に同じ応力が、基板の選択的除去
の工程前にＸ線吸収体に引張応力として与えられてい
る。このため、基板の選択的除去によって与えられる圧
縮応力は、予め与えられた引張応力と相殺し合う。よっ
て、基板の選択的除去後にＸ線吸収体の応力を実質的に
０にすることができ、Ｘ線吸収体をパターニングしても
Ｘ線吸収体のパターンは動かず良好な位置精度が得られ
る。したがって、良好な重ね合わせを持つＸ線マスクを
作成することが可能となり、低コスト・高性能のＬＳＩ
を製造することができる。
【００８３】上記局面において好ましくは、Ｘ線吸収体
を形成した後に熱処理を施すことによって、Ｘ線吸収体
に引張応力が与えられる。このＸ線吸収体中には、その
成膜時の原料ガス成分が含まれている。このため、Ｘ線
吸収体に熱処理を施して原料ガス成分をＸ線吸収体から
取り除くことにより、Ｘ線吸収体に引張応力を与えるこ
とが可能となる。
を形成した後に熱処理を施すことによって、Ｘ線吸収体
に引張応力が与えられる。このＸ線吸収体中には、その
成膜時の原料ガス成分が含まれている。このため、Ｘ線
吸収体に熱処理を施して原料ガス成分をＸ線吸収体から
取り除くことにより、Ｘ線吸収体に引張応力を与えるこ
とが可能となる。
【００８４】本発明のさらに他の局面に従うＸ線マスク
の製造方法では、モニタ基板とＸ線マスク基板とのＸ線
吸収体の応力差Ｓから熱処理温度差αを導出して、この
熱処理温度差αを考慮した温度（Ｔ−α）でＸ線マスク
基板に熱処理が施される。このため、Ｘ線吸収体の応力
を実質的に０にすることができ、Ｘ線吸収体をパターニ
ングしてもＸ線吸収体のパターンは動かず、良好な位置
精度が得られる。したがって、良好な重ね合わせを持つ
Ｘ線マスクを作成することが可能となり、低コスト・高
性能のＬＳＩを製造することができる。
の製造方法では、モニタ基板とＸ線マスク基板とのＸ線
吸収体の応力差Ｓから熱処理温度差αを導出して、この
熱処理温度差αを考慮した温度（Ｔ−α）でＸ線マスク
基板に熱処理が施される。このため、Ｘ線吸収体の応力
を実質的に０にすることができ、Ｘ線吸収体をパターニ
ングしてもＸ線吸収体のパターンは動かず、良好な位置
精度が得られる。したがって、良好な重ね合わせを持つ
Ｘ線マスクを作成することが可能となり、低コスト・高
性能のＬＳＩを製造することができる。
【００８５】また、予め熱処理温度差αを導出しておけ
ば、異なるバッチで処理されたＸ線マスク基板について
は、Ｘ線吸収体の応力を測定することなくＸ線吸収体の
応力を実質的に０にできる熱処理温度を導出することが
可能となる。
ば、異なるバッチで処理されたＸ線マスク基板について
は、Ｘ線吸収体の応力を測定することなくＸ線吸収体の
応力を実質的に０にできる熱処理温度を導出することが
可能となる。
【００８６】本発明のＸ線マスクでは、Ｘ線吸収体の応
力が実質的に０である。このため、Ｘ線吸収体のパター
ンがずれることはなく、良好な位置精度が得られる。
力が実質的に０である。このため、Ｘ線吸収体のパター
ンがずれることはなく、良好な位置精度が得られる。
【図１】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの
構成を概略的に示す断面図である。
構成を概略的に示す断面図である。
【図２】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの
製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図３】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの
製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図４】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの
製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図５】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの
製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図６】 バックエッチ前のＸ線マスクの構成とＳｉＣ
およびＸ線吸収体の応力分布とを示す図である。
およびＸ線吸収体の応力分布とを示す図である。
【図７】 バックエッチ後のＸ線マスクの構成とＳｉＣ
およびＸ線吸収体の応力分布とを示す図である。
およびＸ線吸収体の応力分布とを示す図である。
【図８】 Ｘ線吸収体の応力を調整する第１の方法を示
す図である。
す図である。
【図９】 Ｘ線吸収体の応力を調整する第２の方法を示
す図である。
す図である。
【図１０】 Ｘ線吸収体の応力を調整する第３の方法を
示す図である。
示す図である。
【図１１】 Ｘ線吸収体の応力を調整する第４の方法を
示す図である。
示す図である。
【図１２】 メンブレンの応力を調整する方法を示す図
である。
である。
【図１３】 バックエッチ前のＸ線マスクの構成とＳｉ
ＣおよびＸ線吸収体の応力分布とを示す図である。
ＣおよびＸ線吸収体の応力分布とを示す図である。
【図１４】 バックエッチ後のＸ線マスクの構成とＳｉ
ＣおよびＸ線吸収体の応力分布とを示す図である。
ＣおよびＸ線吸収体の応力分布とを示す図である。
【図１５】 本発明の実施の形態２におけるバックエッ
チ前のＸ線マスクの構成とＳｉＣおよびＸ線吸収体の応
力分布とを示す図である。
チ前のＸ線マスクの構成とＳｉＣおよびＸ線吸収体の応
力分布とを示す図である。
【図１６】 本発明の実施の形態２におけるバックエッ
チ後のＸ線マスクの構成とＳｉＣおよびＸ線吸収体の応
力分布とを示す図である。
チ後のＸ線マスクの構成とＳｉＣおよびＸ線吸収体の応
力分布とを示す図である。
【図１７】 本発明の実施の形態３におけるＸ線マスク
の製造方法を示すブロック図である。
の製造方法を示すブロック図である。
【図１８】 熱処理温度差αを導出する工程を説明する
ためのブロック図である。
ためのブロック図である。
【図１９】 本発明の実施の形態３におけるＸ線マスク
の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図２０】 本発明の実施の形態３におけるＸ線マスク
の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図２１】 本発明の実施の形態３におけるＸ線マスク
の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図２２】 本発明の実施の形態３におけるＸ線マスク
の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図２３】 従来のＸ線マスクの製造方法の第１工程を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図２４】 従来のＸ線マスクの製造方法の第２工程を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図２５】 従来のＸ線マスクの製造方法の第３工程を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図２６】 従来のＸ線マスクの製造方法の第４工程を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図２７】 従来のＸ線マスクの製造方法の第５工程を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図２８】 従来のＸ線マスクの製造方法の第６工程を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図２９】 従来のＸ線マスクの製造方法の第７工程を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図３０】 バックエッチ前の従来のＸ線マスクの構成
とＳｉＣおよびＸ線吸収体の応力分布とを示す図であ
る。
とＳｉＣおよびＸ線吸収体の応力分布とを示す図であ
る。
【図３１】 バックエッチ後の従来のＸ線マスクの構成
とＳｉＣおよびＸ線吸収体の応力分布とを示す図であ
る。
とＳｉＣおよびＸ線吸収体の応力分布とを示す図であ
る。
【図３２】 Ｘ線吸収体に応力むらが残存している場合
に生じる問題を説明するための図である。
に生じる問題を説明するための図である。
【図３３】 バックエッチ前の従来のＸ線マスクの構成
とＳｉＣおよびＸ線吸収体の応力分布とを示す図であ
る。
とＳｉＣおよびＸ線吸収体の応力分布とを示す図であ
る。
【図３４】 バックエッチ後の従来のＸ線マスクの構成
とＳｉＣおよびＸ線吸収体の応力分布とを示す図であ
る。
とＳｉＣおよびＸ線吸収体の応力分布とを示す図であ
る。
【図３５】 Ｘ線吸収体に応力が残存していた場合に生
じる問題を説明するための図である。
じる問題を説明するための図である。
１ シリコン基板、２ メンブレン、３ 反射防止膜、
４ Ｘ線吸収体、６サポートリング。
４ Ｘ線吸収体、６サポートリング。
Claims (7)
- 【請求項１】 基板の表面上にＸ線を透過するメンブレ
ンを形成する工程と、 前記メンブレン上にＸ線の透過を遮るＸ線吸収体を形成
する工程と、 前記基板の裏面から前記メンブレンの一部表面が露出す
るように前記基板を選択的に除去する工程とを備え、 前記基板の選択的除去の工程前において、前記メンブレ
ンと前記Ｘ線吸収体との応力むらの分布傾向が実質的に
同じとなるようにされる、Ｘ線マスクの製造方法。 - 【請求項２】 前記メンブレンと前記Ｘ線吸収体との応
力むらが実質的に同一となる条件で前記メンブレンおよ
び前記Ｘ線吸収体の少なくともいずれかが成膜される、
請求項１に記載のＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項３】 前記メンブレンと前記Ｘ線吸収体との応
力むらが実質的に同一となるように、前記メンブレンお
よび前記Ｘ線吸収体の少なくともいずれかに、不均一ア
ニール、不均一イオン注入および不均一表面研磨の群か
ら選ばれる少なくとも一の処理が施される、請求項１に
記載のＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項４】 基板の表面上にＸ線を透過するメンブレ
ンを形成する工程と、 前記メンブレン上にＸ線の透過を遮るＸ線吸収体を形成
する工程と、 前記基板の裏面から前記メンブレンの一部表面が露出す
るように前記基板を選択的に除去する工程とを備え、 前記基板の選択的除去の工程によって、前記Ｘ線吸収体
に発生する圧縮応力と実質的に同じ応力を、前記基板の
選択的除去の工程前に引張応力として前記Ｘ線吸収体に
与える、Ｘ線マスクの製造方法。 - 【請求項５】 前記Ｘ線吸収体を形成した後に熱処理を
施すことによって、前記Ｘ線吸収体に前記引張応力を与
える、請求項４に記載のＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項６】 Ｘ線を透過するメンブレンを基板表面上
に形成した後、前記基板の裏面から前記メンブレンの一
部表面が露出するように前記基板を選択的に除去してＸ
線マスク基板を準備する工程と、 モニタ基板上および前記Ｘ線マスク基板の前記メンブレ
ン上に同一バッチでＸ線吸収体を形成する工程と、 前記モニタ基板の前記Ｘ線吸収体の応力ＳM を測定する
工程と、 前記Ｘ線マスク基板の前記Ｘ線吸収体の応力ＳX を測定
する工程と、 前記応力ＳM とＳX との差Ｓを導出し、この差Ｓから熱
処理温度差αを導出する工程と、 熱処理を施したときに前記Ｘ線吸収体形成後の前記モニ
タ基板の反りが前記Ｘ線吸収体形成前の前記モニタ基板
の反りと実質的に同じとなるときの熱処理温度Ｔを導出
し、Ｔ−αの温度で前記Ｘ線吸収体形成後の前記Ｘ線マ
スク基板に熱処理を施す工程とを備えた、Ｘ線マスクの
製造方法。 - 【請求項７】 貫通孔を有する基板と、 前記貫通孔において一部表面が前記基板から露出するよ
うに前記基板の表面上に形成された、Ｘ線を透過するメ
ンブレンと、 前記メンブレン上に選択的に形成された、Ｘ線の透過を
遮るＸ線吸収体とを備え、 前記Ｘ線吸収体の応力は実質的に０である、Ｘ線マス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7029597A JP3588223B2 (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7029597A JP3588223B2 (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270315A true JPH10270315A (ja) | 1998-10-09 |
| JP3588223B2 JP3588223B2 (ja) | 2004-11-10 |
Family
ID=13427337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7029597A Expired - Fee Related JP3588223B2 (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3588223B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1006409A3 (en) * | 1998-11-30 | 2001-02-21 | Motorola, Inc. | Method for patterning a semiconductor wafer using a mask that has several regions with different scattering ability |
| KR100390819B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2003-07-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전자빔 리소그라피 마스크 |
| JP2004029736A (ja) * | 2002-03-29 | 2004-01-29 | Hoya Corp | 電子デバイス用基板の平坦度決定方法および製造方法、マスクブランクおよび転写用マスクの製造方法 |
| JP2007207829A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型マスクブランク、反射型フォトマスク、及び反射型フォトマスクの製造方法 |
| CN108281369A (zh) * | 2018-02-01 | 2018-07-13 | 北京派克贸易有限责任公司 | 一种半导体衬底的处理系统 |
-
1997
- 1997-03-24 JP JP7029597A patent/JP3588223B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1006409A3 (en) * | 1998-11-30 | 2001-02-21 | Motorola, Inc. | Method for patterning a semiconductor wafer using a mask that has several regions with different scattering ability |
| US6444398B1 (en) * | 1998-11-30 | 2002-09-03 | Motorola, Inc. | Method for manufacturing a semiconductor wafer using a mask that has several regions with different scattering ability |
| KR100390819B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2003-07-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전자빔 리소그라피 마스크 |
| JP2004029736A (ja) * | 2002-03-29 | 2004-01-29 | Hoya Corp | 電子デバイス用基板の平坦度決定方法および製造方法、マスクブランクおよび転写用マスクの製造方法 |
| JP2007207829A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型マスクブランク、反射型フォトマスク、及び反射型フォトマスクの製造方法 |
| CN108281369A (zh) * | 2018-02-01 | 2018-07-13 | 北京派克贸易有限责任公司 | 一种半导体衬底的处理系统 |
| CN108281369B (zh) * | 2018-02-01 | 2024-04-09 | 赵中阳 | 一种半导体衬底的处理系统 |
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|---|---|
| JP3588223B2 (ja) | 2004-11-10 |
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