JPH10270401A - 酸化物対窒化物高選択性スラリー - Google Patents
酸化物対窒化物高選択性スラリーInfo
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- JPH10270401A JPH10270401A JP425698A JP425698A JPH10270401A JP H10270401 A JPH10270401 A JP H10270401A JP 425698 A JP425698 A JP 425698A JP 425698 A JP425698 A JP 425698A JP H10270401 A JPH10270401 A JP H10270401A
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- H10P95/062—Planarisation of inorganic insulating materials involving a dielectric removal step
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Colloid Chemistry (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大きな酸化物：窒化物研磨除選択性を有する
スラリーを用いて、ＳＴＩ平面化のための費用の掛から
ない一工程ＣＭＰ法を達成する。 【解決手段】 本発明は、浅い溝埋込み分離処理のため
の改良されたスラリーに関する。改良されたスラリーは
向上した酸化物対窒化物研磨除去選択性を有する。本発
明は、研磨用スラリーと、水酸化テトラメチルアンモニ
ウム及び過酸化水素とを混合することにより形成した変
性スラリーに関する。別の態様として、変性スラリー
は、テトラメチルアンモニウムの塩と、塩基及び過酸化
水素とを混合し、変性スラリーを形成することにより形
成する。
スラリーを用いて、ＳＴＩ平面化のための費用の掛から
ない一工程ＣＭＰ法を達成する。 【解決手段】 本発明は、浅い溝埋込み分離処理のため
の改良されたスラリーに関する。改良されたスラリーは
向上した酸化物対窒化物研磨除去選択性を有する。本発
明は、研磨用スラリーと、水酸化テトラメチルアンモニ
ウム及び過酸化水素とを混合することにより形成した変
性スラリーに関する。別の態様として、変性スラリー
は、テトラメチルアンモニウムの塩と、塩基及び過酸化
水素とを混合し、変性スラリーを形成することにより形
成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の化学
的機械的研磨で、浅い溝埋込み分離処理をするための改
良されたスラリーに関する。詳しくは、本発明は、研磨
用スラリーに、テトラメチルアンモニウムの塩、塩基、
及び過酸化水素を混合することにより形成した変性スラ
リーに関する。別法として、変性スラリーは、スラリー
に、水酸化テトラメチルアンモニウム及び過酸化水素と
を混合して、酸化物対窒化物研磨除去選択性を増大する
ことにより形成する。
的機械的研磨で、浅い溝埋込み分離処理をするための改
良されたスラリーに関する。詳しくは、本発明は、研磨
用スラリーに、テトラメチルアンモニウムの塩、塩基、
及び過酸化水素を混合することにより形成した変性スラ
リーに関する。別法として、変性スラリーは、スラリー
に、水酸化テトラメチルアンモニウム及び過酸化水素と
を混合して、酸化物対窒化物研磨除去選択性を増大する
ことにより形成する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を製造するために、現在種々
の分離構造体が用いられている。例えば、或る半導体回
路を製造する際に形成される隣接した電子装置（例え
ば、トランジスタ）を分離するために、浅い分離構造体
が用いられている。
の分離構造体が用いられている。例えば、或る半導体回
路を製造する際に形成される隣接した電子装置（例え
ば、トランジスタ）を分離するために、浅い分離構造体
が用いられている。
【０００３】典型的には、そのような浅い分離構造体
は、よく知られた珪素局部酸化（ＬＯＣＯＳ）分離法を
用いて形成されている。ＬＯＣＯＳ法では、パッド酸化
物（ＳｉＯ2)層を先ず半導体基体の表面上に成長させ、
一方、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4)層をそのパッド酸化物層上
に付着させる。よく知られた方法を用いて、次にこれら
の層をパターン化して、基体中に食刻すべき浅い凹所の
幅を定める。その浅い凹所を食刻したならば、基体を酸
化工程にかけ、その凹所中に二酸化珪素（ＳｉＯ 2)を成
長させる。まだ除去されていなかった窒化珪素層は、基
体表面上の酸化物成長を妨げる。その結果、浅い凹所の
幅を定めるパターン化された酸化物及び窒化珪素層中の
開口を含む全凹所を酸化物が成長して埋める。
は、よく知られた珪素局部酸化（ＬＯＣＯＳ）分離法を
用いて形成されている。ＬＯＣＯＳ法では、パッド酸化
物（ＳｉＯ2)層を先ず半導体基体の表面上に成長させ、
一方、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4)層をそのパッド酸化物層上
に付着させる。よく知られた方法を用いて、次にこれら
の層をパターン化して、基体中に食刻すべき浅い凹所の
幅を定める。その浅い凹所を食刻したならば、基体を酸
化工程にかけ、その凹所中に二酸化珪素（ＳｉＯ 2)を成
長させる。まだ除去されていなかった窒化珪素層は、基
体表面上の酸化物成長を妨げる。その結果、浅い凹所の
幅を定めるパターン化された酸化物及び窒化珪素層中の
開口を含む全凹所を酸化物が成長して埋める。
【０００４】この方法の欠点は、凹所開口中に形成され
た二酸化珪素が等方的仕方で成長し、それが半導体回路
上の表面領域を消費することである。これは、分離され
ている隣接した電子装置が一定の最小距離離れているも
のにする。
た二酸化珪素が等方的仕方で成長し、それが半導体回路
上の表面領域を消費することである。これは、分離され
ている隣接した電子装置が一定の最小距離離れているも
のにする。
【０００５】トランジスタ分離構造体を形成するのに用
いられている別の方法は、溝を用いることによる。この
方法は、浅い溝埋込み分離（ＳＴＩ）として知られてい
る。ＳＴＩ法では、パッド酸化物（ＳｉＯ2)層を、半導
体基体上に成長させ、然る後、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4)層
をパッド酸化物層上に付着する。よく知られた方法を用
いて、Ｓｉ3 Ｎ4 層をパターン化し、分離構造体の定め
られた幅まで食刻する。次に、半導体基体を食刻して溝
を形成し、その表面に二酸化珪素を付着して、窒化珪素
接合レベルの頭の上の溝を埋める。再びよく知られた方
法を用いて、その半導体装置を逆パターン化し、化学的
機械的研磨（ＣＭＰ）を用いる前に食刻する。
いられている別の方法は、溝を用いることによる。この
方法は、浅い溝埋込み分離（ＳＴＩ）として知られてい
る。ＳＴＩ法では、パッド酸化物（ＳｉＯ2)層を、半導
体基体上に成長させ、然る後、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4)層
をパッド酸化物層上に付着する。よく知られた方法を用
いて、Ｓｉ3 Ｎ4 層をパターン化し、分離構造体の定め
られた幅まで食刻する。次に、半導体基体を食刻して溝
を形成し、その表面に二酸化珪素を付着して、窒化珪素
接合レベルの頭の上の溝を埋める。再びよく知られた方
法を用いて、その半導体装置を逆パターン化し、化学的
機械的研磨（ＣＭＰ）を用いる前に食刻する。
【０００６】この方法の一つの欠点は、ＣＭＰで研磨す
るのに用いたスラリーが、４：１の二酸化珪素対窒化珪
素研磨速度の選択性を有することである。これは、ＣＭ
Ｐ法の能力に殆ど余裕を無くす。なぜなら、窒化物が研
磨除去されると、基体が露出し、電子装置が適切に機能
をしなくなり、トランジスタ特性に悪い影響（例えば、
二重Ｖｔ、二重ハンプ）を与えることになるからであ
る。別の欠点は、逆パターン化及び食刻した後に形成さ
れた二酸化珪素が、ＣＭＰ工程中にちぎり取られ、傷を
生ずることがあることである。
るのに用いたスラリーが、４：１の二酸化珪素対窒化珪
素研磨速度の選択性を有することである。これは、ＣＭ
Ｐ法の能力に殆ど余裕を無くす。なぜなら、窒化物が研
磨除去されると、基体が露出し、電子装置が適切に機能
をしなくなり、トランジスタ特性に悪い影響（例えば、
二重Ｖｔ、二重ハンプ）を与えることになるからであ
る。別の欠点は、逆パターン化及び食刻した後に形成さ
れた二酸化珪素が、ＣＭＰ工程中にちぎり取られ、傷を
生ずることがあることである。
【０００７】半導体回路を製造する機械は当分野で知ら
れている。ウエーハのＣＭＰ研磨により、製造の異なっ
た段階で平らな表面を形成する。一般に研磨工程は、研
磨スラリーを用いて達成する。この方法中、回転キャリ
ヤー上に取付けたウエーハを、液体中に不溶性研磨粒子
を懸濁したスラリーを上に噴霧した回転研磨用パッドと
接触させる。ＣＭＰは機械的研磨と化学的研磨との組合
せであり、酸性又は塩基性スラリーを用いて行うことが
できる。機械的バフ研磨及び酸又は塩基の作用の両方に
より、ウエーハから材料を除去する。
れている。ウエーハのＣＭＰ研磨により、製造の異なっ
た段階で平らな表面を形成する。一般に研磨工程は、研
磨スラリーを用いて達成する。この方法中、回転キャリ
ヤー上に取付けたウエーハを、液体中に不溶性研磨粒子
を懸濁したスラリーを上に噴霧した回転研磨用パッドと
接触させる。ＣＭＰは機械的研磨と化学的研磨との組合
せであり、酸性又は塩基性スラリーを用いて行うことが
できる。機械的バフ研磨及び酸又は塩基の作用の両方に
より、ウエーハから材料を除去する。
【０００８】ＣＭＰ法は、優れた局部的平坦性を与える
ことが知られている。全体的平坦性は、特徴的高さ、大
きさ、レイアウト、密度、及び機械的研磨パラメータ
ー、パッド及びスラリーのような研磨条件により影響を
受ける。
ことが知られている。全体的平坦性は、特徴的高さ、大
きさ、レイアウト、密度、及び機械的研磨パラメータ
ー、パッド及びスラリーのような研磨条件により影響を
受ける。
【０００９】ＳＴＩ法のためにＣＭＰを用いた場合、塩
基性又はアルカリ性スラリー材料を用いる。窒化物の除
去速度を低下させながら、酸化物の除去速度を増大する
ことが有利である。理想的な平面化法は、異なった幾何
学的形態のトポグラフィー(topography)を除去し、同時
に広い低い領域中にくぼみを形成しないことである。し
かし、従来の４：１選択性スラリーを用いて、パターン
化エッチバックをしないＳＴＩを適用する際の現在のＣ
ＭＰ法は、くぼみを生じ、分離された領域中の珪素に損
傷を与え、それを製造用に適しないものにする。くぼみ
の形成は、比較的長い研磨時間、及び大きなフィールド
領域内のパッドの片寄りのために起きる。従って、逆食
刻を用いて、研磨時間を減少し、それによってくぼみの
形成を少なくする。
基性又はアルカリ性スラリー材料を用いる。窒化物の除
去速度を低下させながら、酸化物の除去速度を増大する
ことが有利である。理想的な平面化法は、異なった幾何
学的形態のトポグラフィー(topography)を除去し、同時
に広い低い領域中にくぼみを形成しないことである。し
かし、従来の４：１選択性スラリーを用いて、パターン
化エッチバックをしないＳＴＩを適用する際の現在のＣ
ＭＰ法は、くぼみを生じ、分離された領域中の珪素に損
傷を与え、それを製造用に適しないものにする。くぼみ
の形成は、比較的長い研磨時間、及び大きなフィールド
領域内のパッドの片寄りのために起きる。従って、逆食
刻を用いて、研磨時間を減少し、それによってくぼみの
形成を少なくする。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ＣＭＰを用いたＳＴＩ
平面化は、通常余分のパターン化工程及び逆パターン食
刻を必要とし、そのため費用が増大する。従って、もし
２０：１より大きな酸化物：窒化物研磨除去速度の選択
性を有するスラリーを用いることができれば、ＳＴＩ平
面化のために費用の掛からない一工程ＣＭＰ法を達成す
ることができる。
平面化は、通常余分のパターン化工程及び逆パターン食
刻を必要とし、そのため費用が増大する。従って、もし
２０：１より大きな酸化物：窒化物研磨除去速度の選択
性を有するスラリーを用いることができれば、ＳＴＩ平
面化のために費用の掛からない一工程ＣＭＰ法を達成す
ることができる。
【００１１】くぼみ形成問題を少なくするために種々の
方法が試みられてきた。ボイド(Boyd)及びエルール(Ell
ul)(Ｊ．Ｍ．ボイドその他、Electochem. Soc. Proc.,
Vol.95-5, 1996, p. 290)は、くぼみ形成を減少させる
ために間隙充填酸化物の頭の上に薄い窒化物被覆を付着
させて用いることを報告している。窒化物被覆は、低い
所に存在する領域中の下の酸化物に対する保護を与える
が、高いレベルにある酸化物は、４：１の酸化物：窒化
物選択性のため遥かに速い速度で研磨される。ＣＭＰ法
の時間窓（CMP process time window ）は、大きな酸化
物除去速度を有するスラリーを用いることによって減少
させることができる。このスラリーは、全体的と同様局
部的に同時に平面化を達成するために、低い窒化物除去
速度も持つべきである。従って、大きな酸化物：窒化物
選択性を有するスラリーが、ＳＴＩを適用するのに望ま
しい。
方法が試みられてきた。ボイド(Boyd)及びエルール(Ell
ul)(Ｊ．Ｍ．ボイドその他、Electochem. Soc. Proc.,
Vol.95-5, 1996, p. 290)は、くぼみ形成を減少させる
ために間隙充填酸化物の頭の上に薄い窒化物被覆を付着
させて用いることを報告している。窒化物被覆は、低い
所に存在する領域中の下の酸化物に対する保護を与える
が、高いレベルにある酸化物は、４：１の酸化物：窒化
物選択性のため遥かに速い速度で研磨される。ＣＭＰ法
の時間窓（CMP process time window ）は、大きな酸化
物除去速度を有するスラリーを用いることによって減少
させることができる。このスラリーは、全体的と同様局
部的に同時に平面化を達成するために、低い窒化物除去
速度も持つべきである。従って、大きな酸化物：窒化物
選択性を有するスラリーが、ＳＴＩを適用するのに望ま
しい。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、浅い溝埋込み
分離で研磨除去選択性を向上させる方法において、半導
体装置を変性スラリーで研磨することからなり、然も、
前記変性スラリーが、スラリーに、テトラメチルアンモ
ニウムの塩、塩基、及び過酸化水素を混合して、研磨除
去選択性が向上した変性スラリーを形成する方法により
形成されたものである研磨除去選択性向上方法を与え
る。テトラメチルアンモニウムの塩は、フッ化テトラメ
チルアンモニウムであるのが好ましい。変性スラリー
は、好ましくは１１〜１２．９、最も好ましくは１１．
６〜１１．９のｐＨを有する。
分離で研磨除去選択性を向上させる方法において、半導
体装置を変性スラリーで研磨することからなり、然も、
前記変性スラリーが、スラリーに、テトラメチルアンモ
ニウムの塩、塩基、及び過酸化水素を混合して、研磨除
去選択性が向上した変性スラリーを形成する方法により
形成されたものである研磨除去選択性向上方法を与え
る。テトラメチルアンモニウムの塩は、フッ化テトラメ
チルアンモニウムであるのが好ましい。変性スラリー
は、好ましくは１１〜１２．９、最も好ましくは１１．
６〜１１．９のｐＨを有する。
【００１３】本発明は、スラリーに、水酸化テトラメチ
ルアンモニウム及び過酸化水素を混合し、研磨除去選択
性が向上した変性スラリーを形成することにより製造し
た、研磨除去選択性が向上したスラリーも与える。この
変性スラリーは、好ましくは１１〜１２．９のｐＨ、最
も好ましくは１１．５〜１２．０のｐＨを有する。
ルアンモニウム及び過酸化水素を混合し、研磨除去選択
性が向上した変性スラリーを形成することにより製造し
た、研磨除去選択性が向上したスラリーも与える。この
変性スラリーは、好ましくは１１〜１２．９のｐＨ、最
も好ましくは１１．５〜１２．０のｐＨを有する。
【００１４】本発明の他の態様及び利点は、一つには次
の説明中で記載し、一つはその記載から明らかになり、
本発明の実施から分かるであろう。
の説明中で記載し、一つはその記載から明らかになり、
本発明の実施から分かるであろう。
【００１５】
【発明の実施の形態】ＣＭＰ処理は、半導体表面上に最
適ＳＴＩ構造体を作るため、大きな研磨除去選択性を必
要とする。ここで用いる用語「研磨除去選択性」とは、
二酸化珪素（ＳｉＯ2)対窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4)の除去比
率を指す。従来技術では、研磨除去選択性は、４：１で
あるのが最も普通である。ここに記載する技術を用いる
ことにより、１５：１より大きな研磨除去選択性比が達
成される。ここで用いる用語「向上した研磨除去選択
性」とは、１５：１又はそれ以上の研磨選択性を意味す
る。この技術は、塩基性スラリー組成物を、向上した研
磨除去選択性を達成するように変性することを含む。
適ＳＴＩ構造体を作るため、大きな研磨除去選択性を必
要とする。ここで用いる用語「研磨除去選択性」とは、
二酸化珪素（ＳｉＯ2)対窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4)の除去比
率を指す。従来技術では、研磨除去選択性は、４：１で
あるのが最も普通である。ここに記載する技術を用いる
ことにより、１５：１より大きな研磨除去選択性比が達
成される。ここで用いる用語「向上した研磨除去選択
性」とは、１５：１又はそれ以上の研磨選択性を意味す
る。この技術は、塩基性スラリー組成物を、向上した研
磨除去選択性を達成するように変性することを含む。
【００１６】本発明の好ましい態様として、研磨除去選
択性を改良するために、水酸化テトラメチルアンモニウ
ム（ＴＭＡＨ）及び過酸化水素をスラリーに添加する。
これによって３０：１の向上した研磨除去選択性を有す
るスラリーが達成されている。別の態様として、異なっ
たテトラメチルアンモニウム（ＴＭＡ）の塩及び高度に
塩基性の溶液を、研磨除去選択性を向上させるためにス
ラリーに添加する。この方法を用いたスラリーは、１
５：１の向上した研磨除去選択性を示している。
択性を改良するために、水酸化テトラメチルアンモニウ
ム（ＴＭＡＨ）及び過酸化水素をスラリーに添加する。
これによって３０：１の向上した研磨除去選択性を有す
るスラリーが達成されている。別の態様として、異なっ
たテトラメチルアンモニウム（ＴＭＡ）の塩及び高度に
塩基性の溶液を、研磨除去選択性を向上させるためにス
ラリーに添加する。この方法を用いたスラリーは、１
５：１の向上した研磨除去選択性を示している。
【００１７】適当なスラリーは、約１０．５の初期ｐＨ
を有するコロイド状シリカ配合物である。適当なスラリ
ーには、キャボット(Cabot)(ＵＳＡカリフォルニア州、
Ｅ１ドラドヒルズ）ＳＣ１１２、又はローデル(Rodel)
(デラウエア州ニューアーク）ＩＬＤ１３００が含まれ
るがそれらに限定されるものではない。これらのスラリ
ーは、最も大きな米国半導体製造業者により酸化物研磨
操作で用いられている主流のスラリーである。本発明の
好ましい態様では、スラリーはキャボットからのＳＣ１
１２である。
を有するコロイド状シリカ配合物である。適当なスラリ
ーには、キャボット(Cabot)(ＵＳＡカリフォルニア州、
Ｅ１ドラドヒルズ）ＳＣ１１２、又はローデル(Rodel)
(デラウエア州ニューアーク）ＩＬＤ１３００が含まれ
るがそれらに限定されるものではない。これらのスラリ
ーは、最も大きな米国半導体製造業者により酸化物研磨
操作で用いられている主流のスラリーである。本発明の
好ましい態様では、スラリーはキャボットからのＳＣ１
１２である。
【００１８】正しい量の水酸化テトラメチルアンモニウ
ム（ＴＭＡＨ）単独を用いた場合（Ｈ2 Ｏ2 を用いな
い）、ｐＨが１３より大きくなると、シリカ又は他の懸
濁粒子が非コロイド状になり（電荷を失う）、懸濁物か
ら沈降する結果になる。従って、スラリーのコロイド性
は失われ、スラリーの性能は悪影響を受ける。過酸化水
素を導入するとｐＨを１３より低く低下し、それによっ
てシリカがスラリーから解離するのを防ぐ。スラリーの
最終ｐＨ（ＴＭＡＨ及びＨ2 Ｏ2 を添加した後）は１
１．０〜１２．９の範囲にあるのが好ましく、最も好ま
しくは１１．５〜１２．０の範囲にある。スラリー対Ｔ
ＭＡＨ比（体積：体積）は５０：１〜５５：１、即ち、
１部のＴＭＡＨに対し５０〜５５部のスラリーであるこ
とも望ましい。スラリー対Ｈ2 Ｏ2 の比は、３００：１
〜５００：１（体積：体積）であるのが好ましい。ここ
に記載する全ての混合物に対し、ＴＭＡＨは２５％の濃
度（２．７モル／ｌ）を有し、用いた過酸化水素は３０
％の濃度（９．８モル／ｌ）を有する。この変性スラリ
ー配合物を用いて、１５：１より大きな酸化物対窒化物
の向上した研磨除去選択性が達成される。実際、３０：
１の向上した研磨除去選択性比を達成することができ
る。
ム（ＴＭＡＨ）単独を用いた場合（Ｈ2 Ｏ2 を用いな
い）、ｐＨが１３より大きくなると、シリカ又は他の懸
濁粒子が非コロイド状になり（電荷を失う）、懸濁物か
ら沈降する結果になる。従って、スラリーのコロイド性
は失われ、スラリーの性能は悪影響を受ける。過酸化水
素を導入するとｐＨを１３より低く低下し、それによっ
てシリカがスラリーから解離するのを防ぐ。スラリーの
最終ｐＨ（ＴＭＡＨ及びＨ2 Ｏ2 を添加した後）は１
１．０〜１２．９の範囲にあるのが好ましく、最も好ま
しくは１１．５〜１２．０の範囲にある。スラリー対Ｔ
ＭＡＨ比（体積：体積）は５０：１〜５５：１、即ち、
１部のＴＭＡＨに対し５０〜５５部のスラリーであるこ
とも望ましい。スラリー対Ｈ2 Ｏ2 の比は、３００：１
〜５００：１（体積：体積）であるのが好ましい。ここ
に記載する全ての混合物に対し、ＴＭＡＨは２５％の濃
度（２．７モル／ｌ）を有し、用いた過酸化水素は３０
％の濃度（９．８モル／ｌ）を有する。この変性スラリ
ー配合物を用いて、１５：１より大きな酸化物対窒化物
の向上した研磨除去選択性が達成される。実際、３０：
１の向上した研磨除去選択性比を達成することができ
る。
【００１９】ＴＭＡＨは、トリメチルアミンへ分解する
ために安定性問題を有することが知られている。この分
解は、時間と共にスラリー性能の劣化を起こす。従っ
て、変性スラリーは、それを調製した後、直ぐに用いる
のが好ましい。変性スラリーは、調製後２時間以内に用
いるべきである。なぜなら、変性スラリーの研磨除去選
択性は、約３時間後、５：１以下に低下するからであ
る。
ために安定性問題を有することが知られている。この分
解は、時間と共にスラリー性能の劣化を起こす。従っ
て、変性スラリーは、それを調製した後、直ぐに用いる
のが好ましい。変性スラリーは、調製後２時間以内に用
いるべきである。なぜなら、変性スラリーの研磨除去選
択性は、約３時間後、５：１以下に低下するからであ
る。
【００２０】ＴＭＡの有用な塩には、塩化物、臭化物、
沃化物、硫化物、又はフッ化物の塩が含まれるが、それ
らに限定されるものではない。最も好ましくは、ＴＭＡ
塩はフッ化テトラメチルアンモニウムであり、ｐＨを１
１〜１２．９、最も好ましくは１１．６〜１１．９へ増
大するように添加する。正確なｐＨを塩基性溶液、例え
ば、水酸化カリウムの溶液により維持するが、それに限
定されるものではない。この変性スラリーは、１５：１
以上の選択性を与える。
沃化物、硫化物、又はフッ化物の塩が含まれるが、それ
らに限定されるものではない。最も好ましくは、ＴＭＡ
塩はフッ化テトラメチルアンモニウムであり、ｐＨを１
１〜１２．９、最も好ましくは１１．６〜１１．９へ増
大するように添加する。正確なｐＨを塩基性溶液、例え
ば、水酸化カリウムの溶液により維持するが、それに限
定されるものではない。この変性スラリーは、１５：１
以上の選択性を与える。
【００２１】水酸化テトラエチルアンモニウムの塩及び
水酸化テトラブチルアンモニウムの塩は、研磨除去選択
性を向上させるのに有効ではないことは興味のあること
である。
水酸化テトラブチルアンモニウムの塩は、研磨除去選択
性を向上させるのに有効ではないことは興味のあること
である。
【００２２】次の実施例は本発明の態様を例示するため
に提供されており、本発明の範囲を限定するものと見る
べきではない。
に提供されており、本発明の範囲を限定するものと見る
べきではない。
【００２３】
【実施例】例１：ＴＭＡＨ及び過酸化水素の使用 この例は、過酸化水素と一緒に用いたＴＭＡＨの研磨除
去選択性について記述する。パイロットウエーハ（パタ
ーン化されていない）を、プラズマ促進テトラエチルオ
ルトシリケート（ＰＥＴＥＯＳ）及び低圧化学蒸着窒化
珪素（ＬＰＣＶＤ窒化物）の両方について使用した。上
記配合物を用いてスラリーを混合し、ウエステク(Weste
ch）４７２研磨機でウエーハを研磨した。各パイロット
ウエーハを、１分当たり１５０ｍｌのスラリー流量を用
いて２分間研磨した。補正済みテンコール(Tencor)ＦＴ
７５０を用いて、研磨前及び研磨後のウエーハの厚さの
測定を行なった。
去選択性について記述する。パイロットウエーハ（パタ
ーン化されていない）を、プラズマ促進テトラエチルオ
ルトシリケート（ＰＥＴＥＯＳ）及び低圧化学蒸着窒化
珪素（ＬＰＣＶＤ窒化物）の両方について使用した。上
記配合物を用いてスラリーを混合し、ウエステク(Weste
ch）４７２研磨機でウエーハを研磨した。各パイロット
ウエーハを、１分当たり１５０ｍｌのスラリー流量を用
いて２分間研磨した。補正済みテンコール(Tencor)ＦＴ
７５０を用いて、研磨前及び研磨後のウエーハの厚さの
測定を行なった。
【００２４】スラリーを試験するための全ての実験につ
いて、研磨工程のためのウエステク装置パラメーターを
下に示す： テーブル速度 ： ６０ｒｐｍ キャリヤー速度 ： ４５ｒｐｍ 下向きの力 ： ７ｐｓｉ 背圧 ： １．５ｐｓｉ
いて、研磨工程のためのウエステク装置パラメーターを
下に示す： テーブル速度 ： ６０ｒｐｍ キャリヤー速度 ： ４５ｒｐｍ 下向きの力 ： ７ｐｓｉ 背圧 ： １．５ｐｓｉ
【００２５】ＰＥＴＥＯＳ及びＬＰＣＶＤ窒化物の研磨
速度を測定した。選択性を計算するのに次の式を用い
た： １） ＸＸ＝酸化物研磨速度／窒化物研磨速度。 これにより酸化物対窒化物選択性はＸＸ：１として表わ
される。ここで「ＸＸ」は上の式により計算する。
速度を測定した。選択性を計算するのに次の式を用い
た： １） ＸＸ＝酸化物研磨速度／窒化物研磨速度。 これにより酸化物対窒化物選択性はＸＸ：１として表わ
される。ここで「ＸＸ」は上の式により計算する。
【００２６】２） 研磨速度＝［研磨後厚さ（オングス
トローム）−研磨前の厚さ（オングストローム）］／時
間（分）
トローム）−研磨前の厚さ（オングストローム）］／時
間（分）
【００２７】これらの用語は、半導体の文献に見出すこ
とができ、半導体の分野での共通の定義である。
とができ、半導体の分野での共通の定義である。
【００２８】種々の希望の選択性を達成するために、Ｓ
Ｃ１１２に添加したＴＭＡＨ及びＨ 2 Ｏ2 の種々の比率
を反映したデータを下に示す。表中の数字は、３０００
ｍｌのＳＣ１１２スラリーに添加した、２５％ＴＭＡＨ
（２．７モル／ｌ）及び３０％Ｈ2 Ｏ2 （８．８モル／
ｌ）の体積比として表されている。
Ｃ１１２に添加したＴＭＡＨ及びＨ 2 Ｏ2 の種々の比率
を反映したデータを下に示す。表中の数字は、３０００
ｍｌのＳＣ１１２スラリーに添加した、２５％ＴＭＡＨ
（２．７モル／ｌ）及び３０％Ｈ2 Ｏ2 （８．８モル／
ｌ）の体積比として表されている。
【００２９】
【表１】 表１ 酸化物及び窒化物除去速度（ＲＲ） ＴＭＡＨ及びＨ2 Ｏ2 の比は体積：体積による ＴＭＡＨ Ｈ2 Ｏ2 酸化物（ＲＲ） 窒化物（ＲＲ） 選択性 30:1 150:1 100 7.5 13:1 100:1 150:1 2500 700 4:1 52:1 300:1 530 17.6 30:1 125:1 300:1 2600 700 4:1
【００３０】スラリー対ＴＭＡＨの比（体積：体積）
は、３０：１から１２５：１まで変化させた。過酸化水
素は、ｐＨを１１．３及び１２．３の値まで調節するた
めに用いた。５２．１のスラリー対ＴＭＡＨ比で、食刻
選択性は３０：１であった。
は、３０：１から１２５：１まで変化させた。過酸化水
素は、ｐＨを１１．３及び１２．３の値まで調節するた
めに用いた。５２．１のスラリー対ＴＭＡＨ比で、食刻
選択性は３０：１であった。
【００３１】表２は、約１１．７の最適ｐＨが好ましい
ことを示している。
ことを示している。
【００３２】
【表２】 表２ 酸化物及び窒化物除去速度（ＲＲ） ＴＭＡＨ Ｈ2 Ｏ2 酸化物（ＲＲ） 窒化物（ＲＲ） 選択性 ｐＨ 53:1 300:1 450 17.7 25.3:1 11.7 54:1 400:1 950 50 19:1 11.5 111:1 500:1 2400 600 4:1 11.1 69:1 500:1 2400 400 6:1 11.3 54:1 500:1 460 20 23:1 11.7
【００３３】例２：ＴＭＡフッ化物塩の使用 この研究は、スラリーに対するＴＭＡのフッ化物塩の寄
与を研究するために行なった。この例は、上の例１で記
述したように行なった。但し、フッ化テトラメチルアン
モニウム塩を記載の比率でスラリーへ添加した。
与を研究するために行なった。この例は、上の例１で記
述したように行なった。但し、フッ化テトラメチルアン
モニウム塩を記載の比率でスラリーへ添加した。
【００３４】混合物は、２０００ｍｌのＳＣ１１２へ４
０％のＴＭＡ（Ｆ）、Ｈ2 Ｏ2 及び８モルの水酸化カリ
ウム（ＫＯＨ）を添加することを含んでいた。ＫＯＨは
塩基性ｐＨを維持するために用いた。
０％のＴＭＡ（Ｆ）、Ｈ2 Ｏ2 及び８モルの水酸化カリ
ウム（ＫＯＨ）を添加することを含んでいた。ＫＯＨは
塩基性ｐＨを維持するために用いた。
【００３５】
【表３】 表３ フッ化物塩による選択性 ＴＭＡ（Ｆ） Ｈ2 Ｏ2 ＫＯＨ 選択性 10:1 500:1 200:1 6:1 15:1 500:1 200:1 8:1 17.5:1 500:1 200:1 15:1 20:1 500:1 200:1 13:1
【００３６】これらのデーターは、窒化物除去速度を低
下し、従って、酸化物対窒化物選択性を増大するのに、
テトラメチルアンモニウムのフッ化物塩を用いることが
できることを示している。
下し、従って、酸化物対窒化物選択性を増大するのに、
テトラメチルアンモニウムのフッ化物塩を用いることが
できることを示している。
【００３７】本発明を詳細に記述してきたが、本発明の
本質及び範囲から離れることなく、種々の変化、変更、
及び置換をここでの教示に加えることができることは分
かるであろう。本発明の範囲は特許請求の範囲によって
のみ規定されるものである。
本質及び範囲から離れることなく、種々の変化、変更、
及び置換をここでの教示に加えることができることは分
かるであろう。本発明の範囲は特許請求の範囲によって
のみ規定されるものである。
【００３８】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１） スラリーに、テトラメチルアンモニウムの塩、
塩基、及び過酸化水素を混合して向上した研磨除去選択
性を有する変性スラリーを形成する方法により形成した
変性スラリーで半導体装置を研磨することからなる、浅
い溝埋込み分離の際の研磨除去選択性を向上させる方
法。 （２） テトラメチルアンモニウムの塩を、塩化物、臭
化物、沃化物、硫化物、及びフッ化物からなる群から選
択する、第１項記載の方法。 （３） テトラメチルアンモニウムの塩が、フッ化テト
ラメチルアンモニウムである、第１項記載の方法。 （４） 変性スラリーが、１１．０〜１２．９のｐＨを
有する、第１項記載の方法。 （５） 変性スラリーが、１１．６〜１１．９のｐＨを
有する、第１項記載の方法。 （６） スラリーに、水酸化テトラメチルアンモニウム
及び過酸化水素を混合して、向上した研磨除去選択性を
有する変性スラリーを形成する方法により製造した、向
上した研磨除去選択性を有するスラリー。 （７） スラリー対水酸化テトラメチルアンモニウムの
比が、５０：１〜５５：１（体積：体積）である、第６
項記載の変性スラリー。 （８） スラリー対過酸化水素の比が、２００：１〜５
００：１（体積：体積）である、第６項記載の変性スラ
リー。 （９） スラリー対過酸化水素の比が、３００：１〜４
００：１（体積：体積）である、第６項記載の変性スラ
リー。 （１０） 変性スラリーが、１１．０〜１２．９のｐＨ
を有する、第６項記載の変性スラリー。 （１１） 変性スラリーが、１１．５〜１２．０のｐＨ
を有する、第６項記載の変性スラリー。 （１２） 本発明は、浅い溝埋込み分離処理のための改
良されたスラリーに関する。改良されたスラリーは向上
した酸化物対窒化物研磨除去選択性を有する。本発明
は、研磨用スラリーと、水酸化テトラメチルアンモニウ
ム及び過酸化水素とを混合することにより形成した変性
スラリーに関する。別の態様として、変性スラリーは、
テトラメチルアンモニウムの塩と、塩基及び過酸化水素
とを混合し、変性スラリーを形成することにより形成す
る。
る。 （１） スラリーに、テトラメチルアンモニウムの塩、
塩基、及び過酸化水素を混合して向上した研磨除去選択
性を有する変性スラリーを形成する方法により形成した
変性スラリーで半導体装置を研磨することからなる、浅
い溝埋込み分離の際の研磨除去選択性を向上させる方
法。 （２） テトラメチルアンモニウムの塩を、塩化物、臭
化物、沃化物、硫化物、及びフッ化物からなる群から選
択する、第１項記載の方法。 （３） テトラメチルアンモニウムの塩が、フッ化テト
ラメチルアンモニウムである、第１項記載の方法。 （４） 変性スラリーが、１１．０〜１２．９のｐＨを
有する、第１項記載の方法。 （５） 変性スラリーが、１１．６〜１１．９のｐＨを
有する、第１項記載の方法。 （６） スラリーに、水酸化テトラメチルアンモニウム
及び過酸化水素を混合して、向上した研磨除去選択性を
有する変性スラリーを形成する方法により製造した、向
上した研磨除去選択性を有するスラリー。 （７） スラリー対水酸化テトラメチルアンモニウムの
比が、５０：１〜５５：１（体積：体積）である、第６
項記載の変性スラリー。 （８） スラリー対過酸化水素の比が、２００：１〜５
００：１（体積：体積）である、第６項記載の変性スラ
リー。 （９） スラリー対過酸化水素の比が、３００：１〜４
００：１（体積：体積）である、第６項記載の変性スラ
リー。 （１０） 変性スラリーが、１１．０〜１２．９のｐＨ
を有する、第６項記載の変性スラリー。 （１１） 変性スラリーが、１１．５〜１２．０のｐＨ
を有する、第６項記載の変性スラリー。 （１２） 本発明は、浅い溝埋込み分離処理のための改
良されたスラリーに関する。改良されたスラリーは向上
した酸化物対窒化物研磨除去選択性を有する。本発明
は、研磨用スラリーと、水酸化テトラメチルアンモニウ
ム及び過酸化水素とを混合することにより形成した変性
スラリーに関する。別の態様として、変性スラリーは、
テトラメチルアンモニウムの塩と、塩基及び過酸化水素
とを混合し、変性スラリーを形成することにより形成す
る。
Claims (2)
- 【請求項１】 スラリーに、テトラメチルアンモニウム
の塩、塩基、及び過酸化水素を混合して向上した研磨除
去選択性を有する変性スラリーを形成する方法により形
成した変性スラリーで、半導体装置を研磨することから
なる、浅い溝埋込み分離の際の研磨除去選択性を向上さ
せる方法。 - 【請求項２】 スラリーに、水酸化テトラメチルアンモ
ニウム及び過酸化水素を混合して、向上した研磨除去選
択性を有する変性スラリーを形成する方法により製造し
た、向上した研磨除去選択性を有するスラリー。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US035020 | 1993-03-22 | ||
| US3502097P | 1997-01-10 | 1997-01-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270401A true JPH10270401A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=21880126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP425698A Pending JPH10270401A (ja) | 1997-01-10 | 1998-01-12 | 酸化物対窒化物高選択性スラリー |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0853335A3 (ja) |
| JP (1) | JPH10270401A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2000243734A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Clariant Fr Sa | アルミニウムまたはアルミニウム合金導電性材料の層の機械化学的研磨方法 |
| US7059941B2 (en) | 2000-10-23 | 2006-06-13 | Kao Corporation | Polishing composition |
| WO2006071063A1 (en) | 2004-12-29 | 2006-07-06 | Lg Chem, Ltd. | Adjuvant for chemical mechanical polishing slurry |
| JP2006191078A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-20 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 二酸化ケイ素及び窒化ケイ素をケミカルメカニカル研磨するための多工程法 |
| US7288212B2 (en) | 2001-11-15 | 2007-10-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Additive composition, slurry composition including the same, and method of polishing an object using the slurry composition |
| JP2008503874A (ja) * | 2004-06-18 | 2008-02-07 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 改善された酸化物除去速度のためのｃｍｐ組成物 |
| US7736530B2 (en) | 2006-01-25 | 2010-06-15 | Lg Chem, Ltd. | CMP slurry and method for polishing semiconductor wafer using the same |
| US8147711B2 (en) | 2005-12-08 | 2012-04-03 | Lg Chem, Ltd. | Adjuvant for controlling polishing selectivity and chemical mechanical polishing slurry |
| US8163650B2 (en) | 2005-12-08 | 2012-04-24 | Lg Chem, Ltd. | Adjuvant for controlling polishing selectivity and chemical mechanical polishing slurry comprising the same |
| WO2016017063A1 (ja) * | 2014-07-28 | 2016-02-04 | 信越半導体株式会社 | ゲルマニウムウェーハの研磨方法 |
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| US6468910B1 (en) | 1999-12-08 | 2002-10-22 | Ramanathan Srinivasan | Slurry for chemical mechanical polishing silicon dioxide |
| AU2001253308A1 (en) | 2000-04-11 | 2001-10-23 | Cabot Microelectronics Corporation | System for the preferential removal of silicon oxide |
| KR100398141B1 (ko) * | 2000-10-12 | 2003-09-13 | 아남반도체 주식회사 | 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한반도체소자의 제조방법 |
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-
1998
- 1998-01-09 EP EP98300155A patent/EP0853335A3/en not_active Withdrawn
- 1998-01-12 JP JP425698A patent/JPH10270401A/ja active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0853335A3 (en) | 1999-01-07 |
| EP0853335A2 (en) | 1998-07-15 |
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