JPH10270418A - Semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
Semiconductor manufacturing equipmentInfo
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- JPH10270418A JPH10270418A JP6949397A JP6949397A JPH10270418A JP H10270418 A JPH10270418 A JP H10270418A JP 6949397 A JP6949397 A JP 6949397A JP 6949397 A JP6949397 A JP 6949397A JP H10270418 A JPH10270418 A JP H10270418A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 装置内の異物を効率よく除去し、ウェハの歩
留りと稼動率の向上が図られる半導体製造装置を提供す
る。
【解決手段】 ドライエッチング装置１は、反応室３内
に所定のガスを吹き出すためのガスヘッド６、反応室内
にプラズマを形成するための高周波電源８を備えてい
る。ガスヘッド６は、一方の開孔端において最大開孔径
を有する噴出孔６ａを複数備えている。
(57) [Problem] To provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of efficiently removing foreign matter in the apparatus and improving the yield and operation rate of wafers. SOLUTION: The dry etching apparatus 1 includes a gas head 6 for blowing out a predetermined gas into a reaction chamber 3, and a high frequency power supply 8 for forming plasma in the reaction chamber. The gas head 6 has a plurality of ejection holes 6a having a maximum opening diameter at one opening end.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関し、特に、基板に所定のガスを噴き付けるためのガス
ヘッドを備えた半導体製造装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a semiconductor manufacturing apparatus having a gas head for blowing a predetermined gas onto a substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の半導体製造装置の一例として、ド
ライエッチング装置について図を用いて説明する。図８
は、従来のドライエッチング装置の断面模式図である。
図８を参照して、ドライエッチング装置１は、反応室３
内にガスヘッド５、ステージ９を有している。ガスヘッ
ド５はガス導入口２から導入された所定のガスを噴き出
す。2. Description of the Related Art As an example of a conventional semiconductor manufacturing apparatus, a dry etching apparatus will be described with reference to the drawings. FIG.
1 is a schematic sectional view of a conventional dry etching apparatus.
Referring to FIG. 8, the dry etching apparatus 1 includes a reaction chamber 3
A gas head 5 and a stage 9 are provided therein. The gas head 5 blows out a predetermined gas introduced from the gas inlet 2.
【０００３】ガスヘッド５には、図９に示すように、ほ
ぼ一定の開孔径を有する噴出孔５ａが複数設けられてい
る。ステージ９上にウェハ１１が載置される。この場
合、ガスヘッド５は、高周波電源８により反応室３内に
プラズマを形成するための一方の電極を兼ねている。ま
た、ステージ９は、他方の電極を兼ね、接地されてい
る。また、ガスヘッド５およびステージ９は絶縁リング
７によりそれぞれ電気的に絶縁されている。排気孔１３
より反応室３内の排気が行なわれる。As shown in FIG. 9, the gas head 5 is provided with a plurality of ejection holes 5a having a substantially constant opening diameter. The wafer 11 is placed on the stage 9. In this case, the gas head 5 also serves as one electrode for forming plasma in the reaction chamber 3 by the high frequency power supply 8. The stage 9 also serves as the other electrode and is grounded. The gas head 5 and the stage 9 are electrically insulated from each other by an insulating ring 7. Exhaust hole 13
The reaction chamber 3 is further evacuated.
【０００４】次に、上述したドライエッチング装置を用
いたエッチングの一例について図を用いて説明する。図
１０は、シリコン酸化膜１６上に形成されたポリシリコ
ン膜１５を所定の配線パターンに加工するために、フォ
トレジストパターン１４を形成した段階における工程の
断面図である。図９および図１０を参照して、このウェ
ハをステージ９上に載置する。Next, an example of etching using the above-described dry etching apparatus will be described with reference to the drawings. FIG. 10 is a cross-sectional view of a process at the stage where a photoresist pattern 14 is formed in order to process the polysilicon film 15 formed on the silicon oxide film 16 into a predetermined wiring pattern. Referring to FIGS. 9 and 10, the wafer is placed on stage 9.
【０００５】次に、真空ポンプ（図示せず）を用い反応
室３内を真空引きする。反応ガスとして、ガス導入口２
より流量ＨＢｒ／Ｃｌ2 ＝４０／１２０ｓｃｃｍのＨＢ
ｒとＣｌ2 とを導入するとともに、反応室内の圧力を約
４５０ｍＴｏｒｒに保持する。高周波電源８をオンし、
ＲＦパワーを４００Ｗとする。これにより、反応室内に
プラズマが形成される。プラズマにより、ラジカルが形
成される。Next, the inside of the reaction chamber 3 is evacuated using a vacuum pump (not shown). Gas inlet 2 as a reaction gas
HB with a higher flow rate HBr / Cl 2 = 40/120 sccm
While introducing r and Cl 2 , the pressure in the reaction chamber is maintained at about 450 mTorr. Turn on the high frequency power supply 8,
The RF power is 400 W. Thereby, plasma is formed in the reaction chamber. Radicals are formed by the plasma.
【０００６】高周波電源８の入力側の電極を兼ねたガス
ヘッド５側から、対向電極であるステージ上のウェハ１
１に向かってラジカルが加速されてウェハ表面に衝突す
る。このとき、フォトレジストパターン１４に被覆され
ないポリシリコン膜１５が異方性エッチングされ、図１
１に示すポリシリコン膜１５のパターンが形成される。
以上のようにして、所定のポリシリコン膜のパターニン
グが行なわれる。[0006] From the gas head 5 side, which also serves as an electrode on the input side of the high frequency power supply 8, a wafer 1 on a stage, which is a counter electrode.
Radicals are accelerated toward 1 and collide with the wafer surface. At this time, the polysilicon film 15 not covered with the photoresist pattern 14 is anisotropically etched, and
The pattern of the polysilicon film 15 shown in FIG.
As described above, the predetermined polysilicon film is patterned.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】エッチングにおいて
は、ラジカルと被エッチング膜とが反応して反応生成物
が形成される。このとき、一部の反応生成物は反応室３
の内壁やガスヘッド５の表面に異物として付着すること
がある。処理されるウェハの枚数が増えるに従い、付着
する異物の量が増加する。In etching, radicals react with the film to be etched to form a reaction product. At this time, some of the reaction products are
May adhere to the inner wall of the gas head 5 or the surface of the gas head 5 as foreign matter. As the number of wafers to be processed increases, the amount of foreign particles attached increases.
【０００８】このような状態でエッチングを続けると、
所望のエッチング形状が得られないなどのエッチング特
性が悪化する。このため、ウェハの適当な処理枚数ごと
に反応室内を洗浄する必要がある。ガスヘッドには、複
数の噴出孔が形成されているため、特に噴出孔の内面に
付着した異物を除去するのが困難であった。このため、
除去されずに残った異物が次のウェハの処理においてウ
ェハ上に落下することがあった。その結果、所望のパタ
ーンを形成することができず、ウェハの歩留りが低下す
る問題があった。また、ガスヘッドに付着した異物を除
去するために時間を要するなどして、ドライエッチング
装置の稼動率が低下する問題があった。If etching is continued in such a state,
Etching characteristics such as a desired etching shape cannot be obtained. For this reason, it is necessary to clean the reaction chamber for every suitable number of processed wafers. Since a plurality of ejection holes are formed in the gas head, it has been particularly difficult to remove foreign matter adhering to the inner surface of the ejection holes. For this reason,
In some cases, foreign matter remaining without being removed may fall on the wafer in the next wafer processing. As a result, a desired pattern cannot be formed, and there has been a problem that the yield of the wafer is reduced. In addition, there is a problem that the operation rate of the dry etching apparatus is reduced because it takes time to remove the foreign matter attached to the gas head.
【０００９】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであり、特に、所定のガスを吹き出すためのガ
スヘッドに付着する異物を容易に除去してウェハの歩留
りを上げ、しかも、稼動率の高い半導体製造装置を提供
することを目的する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and in particular, foreign matter adhering to a gas head for blowing out a predetermined gas can be easily removed to increase the yield of a wafer, and furthermore, to operate the apparatus. An object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus having a high rate.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の１つの局面にお
ける半導体製造装置は、反応室と、ガスヘッド部と、プ
ラズマ形成手段とを備えた半導体製造装置である。反応
室は、基板を収容するとともにその基板に所定の処理を
施す。ガスヘッド部は、反応室内に設けられ、所定のガ
スを基板へ向かって噴き出すための複数の噴出孔が形成
されている。プラズマ形成手段は、反応室内にプラズマ
を形成する。各噴出孔は、少なくとも一方の開孔端にお
いて最大開孔径を有し、内部または他方の開孔端におい
て開孔径が縮小されている。A semiconductor manufacturing apparatus according to one aspect of the present invention is a semiconductor manufacturing apparatus including a reaction chamber, a gas head, and plasma forming means. The reaction chamber accommodates a substrate and performs a predetermined process on the substrate. The gas head is provided in the reaction chamber, and has a plurality of ejection holes for ejecting a predetermined gas toward the substrate. The plasma forming means forms plasma in the reaction chamber. Each spout has a maximum aperture diameter at at least one aperture end and a reduced aperture diameter at the interior or at the other aperture end.
【００１１】この構成によれば、ガスヘッド部を薬液で
洗浄する際に、一方の最大開孔径の開孔端から噴出孔へ
洗浄液を導入する。導入された洗浄液は、最大開孔径か
ら開孔径の小さい方へ向かって噴出孔を流れ、その圧力
が上がり流速が高められる。流速が高められた洗浄液
は、他方の開孔端より噴き出る。これにより、噴出孔の
内面に付着した反応生成物等の異物が効率よく除去され
る。その結果、ガスヘッド部から基板上に落下する異物
が低減され、基板の歩留りが上がる。また、洗浄に要す
る時間も比較的短時間で行なわれるため、半導体製造装
置の稼動率も上がる。According to this configuration, when the gas head is cleaned with the chemical, the cleaning liquid is introduced into the ejection hole from the one end of the maximum diameter. The introduced cleaning liquid flows through the ejection holes from the maximum opening diameter to the smaller opening diameter, and the pressure increases and the flow velocity increases. The cleaning liquid having the increased flow velocity spouts from the other opening end. Thereby, foreign substances such as reaction products adhered to the inner surface of the ejection hole are efficiently removed. As a result, foreign substances falling from the gas head onto the substrate are reduced, and the yield of the substrate is increased. Further, since the time required for cleaning is relatively short, the operation rate of the semiconductor manufacturing apparatus is increased.
【００１２】好ましくは、各噴出孔の開孔径が、噴出側
の開孔端において最大開孔径を有している。[0012] Preferably, the diameter of each of the ejection holes has a maximum diameter at the ejection end of the ejection side.
【００１３】この場合、ガスヘッド部をプラズマにてド
ライクリーニングする際に、噴出側の開孔端へ入射する
プラズマの入射角度をより大きくとることができる。こ
れにより、噴出孔の内面に付着した異物が効率よく除去
される。また、プラズマクリーニングはガスヘッド部を
反応室内に装着した状態で行なうことができるため、洗
浄に要する時間がさらに短縮される。その結果、歩留り
が上がるとともに、半導体製造装置の稼動率がさらに向
上する。In this case, when the gas head is dry-cleaned with plasma, the angle of incidence of plasma incident on the opening end on the ejection side can be made larger. As a result, foreign matter attached to the inner surface of the ejection hole is efficiently removed. In addition, since plasma cleaning can be performed with the gas head mounted in the reaction chamber, the time required for cleaning is further reduced. As a result, the yield increases, and the operation rate of the semiconductor manufacturing apparatus further improves.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態に係るドライ
エッチング装置について図を用いて説明する。図１は、
本ドライエッチング装置の断面模式図である。図１を参
照して、ドライエッチング装置１は、反応室３内にガス
ヘッド６を有している。図２に示すように、ガスヘッド
６は、一方の開孔端において最大開孔径を有し、しか
も、一方の開孔端から他方の開孔端へ向かって徐々にそ
の開孔径が小さくなる噴出孔６ａを複数備えている。こ
れ以外の構成については、従来の技術の項において説明
したドライエッチング装置と同様なので詳しい説明は省
略する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG.
It is a cross section of the present dry etching apparatus. Referring to FIG. 1, dry etching apparatus 1 has gas head 6 in reaction chamber 3. As shown in FIG. 2, the gas head 6 has a maximum opening diameter at one opening end, and further, the gas head 6 has an opening whose diameter gradually decreases from one opening end to the other opening end. A plurality of holes 6a are provided. The other configuration is the same as that of the dry etching apparatus described in the section of the related art, so that the detailed description will be omitted.
【００１５】本ドライエッチング装置を、たとえば従来
の技術の項において説明したように、ポリシリコン膜の
エッチングに使用した後には、反応室３の内壁やガスヘ
ッド６には、エッチングの際に生成した反応生成物が付
着する。このため、ガスヘッド６の洗浄が必要となる。After the present dry etching apparatus has been used for etching a polysilicon film, for example, as described in the section of the prior art, the inner wall of the reaction chamber 3 and the gas head 6 are formed at the time of etching. Reaction products adhere. Therefore, the gas head 6 needs to be cleaned.
【００１６】その洗浄の１つの形態として、ガスヘッド
６を反応室３から取外し洗浄液にて洗浄する、ウエット
クリーニングがある。この場合、たとえば噴射式ノズル
を用い洗浄液を、ガスヘッド６の最大開孔径を有する開
孔端から流し込む。すなわち、洗浄液は図２に示す開孔
端６ｂから開孔端６ｃへ向かって流れる。このとき、洗
浄液が進む方向に向かって開孔径が徐々に小さくなるた
め、洗浄液の流速がより速くなる。これにより、噴出孔
６ａの内面に付着した異物が効率よくしかも短時間で除
去される。As one form of the cleaning, there is a wet cleaning in which the gas head 6 is removed from the reaction chamber 3 and cleaned with a cleaning liquid. In this case, for example, the cleaning liquid is poured from the opening end of the gas head 6 having the maximum opening diameter by using an injection nozzle. That is, the cleaning liquid flows from the opening end 6b to the opening end 6c shown in FIG. At this time, the opening diameter gradually decreases in the direction in which the cleaning liquid advances, so that the flow rate of the cleaning liquid is further increased. As a result, foreign matter adhering to the inner surface of the ejection hole 6a is efficiently and quickly removed.
【００１７】また、洗浄のもう１つの形態として、ガス
ヘッドを反応室内に装着した状態でプラズマにより洗浄
する、ドライクリーニングがある。Another form of cleaning includes dry cleaning in which a gas head is mounted in a reaction chamber and is cleaned by plasma.
【００１８】この場合、エッチング処理の後、たとえば
フッ素を含んだＮＦ3 、ＳＦ6 などのガスを反応室内に
導入する。高周波電源をオンし、プラズマを形成する。
これにより、ラジカルの一部が噴出孔６ａに進入する。
このとき、噴出孔６ａの開孔端６ｂが最大開孔径であ
る。このため、噴出孔６ａ内のある点Ａに到達し得るラ
ジカル（プラズマ）の入射角度αをより大きくとること
ができる。In this case, after the etching process, a gas such as NF 3 or SF 6 containing fluorine is introduced into the reaction chamber. A high frequency power supply is turned on to form plasma.
Thereby, a part of the radicals enters the ejection hole 6a.
At this time, the opening end 6b of the ejection hole 6a has the maximum opening diameter. Therefore, the incident angle α of the radical (plasma) that can reach a certain point A in the ejection hole 6a can be made larger.
【００１９】これは、図４に示すように、一定の開孔径
を有する従来のガスヘッドの噴出孔５ａにおけるラジカ
ルの入射角度βと比較すると幾何学的に明らかである。
このため、より多くのラジカルが噴出孔に進入する。こ
れにより、ガスヘッドの噴出孔の内面に付着した異物を
効率よく除去することができる。This is geometrically clear when compared with the incident angle β of radicals in the ejection hole 5a of the conventional gas head having a fixed opening diameter, as shown in FIG.
Therefore, more radicals enter the outlet. This makes it possible to efficiently remove foreign matter attached to the inner surface of the ejection hole of the gas head.
【００２０】また、このことからガスヘッドは、ガスの
噴出側、すなわち、反応室側の開孔端が最大開孔径とな
る状態で装着されていることが望ましい。以上より、ガ
スヘッドの噴出孔の内面に付着する異物が容易に短時間
で除去される。その結果、ウェハの歩留りの向上ととも
にドライエッチング装置の稼動率も上げることができ
る。In view of this, it is desirable that the gas head is mounted such that the opening end on the gas ejection side, that is, the reaction chamber side has a maximum opening diameter. As described above, foreign matter adhering to the inner surface of the ejection hole of the gas head is easily removed in a short time. As a result, the yield of the wafer can be improved and the operating rate of the dry etching apparatus can be increased.
【００２１】噴出孔の断面形状としては、図２に示す形
状以外に、たとえば、図５、図６に示す断面形状であっ
ても同様の効果を得ることができる。さらに、図７に示
す断面形状であってもよい。The same effect can be obtained by using, for example, the sectional shapes shown in FIGS. 5 and 6 in addition to the sectional shape shown in FIG. Further, the sectional shape shown in FIG. 7 may be used.
【００２２】この場合、噴出孔の中央付近の開孔径が両
開孔端より小さくなっている。このため、特にウエット
クリーニングにおいて、噴出孔の中央付近を流れる一方
の開孔端より導入された洗浄液の流速がより速くなる。
これにより、他方の開孔端に至るまでの噴出孔の内面に
付着した異物がさらに効率よく除去される。同様にし
て、他方の開孔端からも洗浄液を導入することにより、
噴出孔の内面に付着した異物がより効率よく除去され
る。In this case, the diameter of the opening near the center of the ejection hole is smaller than both ends. For this reason, especially in wet cleaning, the flow rate of the cleaning liquid introduced from one opening end flowing near the center of the ejection hole is further increased.
As a result, foreign matter attached to the inner surface of the ejection hole up to the other opening end is more efficiently removed. Similarly, by introducing the cleaning liquid from the other opening end,
Foreign matter adhering to the inner surface of the ejection hole is more efficiently removed.
【００２３】なお、洗浄液としては純水あるいはアルコ
ールを使用することができる。また、超音波洗浄を併用
すればさらに異物の除去効果を高めることができる。Note that pure water or alcohol can be used as the cleaning liquid. In addition, the use of ultrasonic cleaning can further enhance the effect of removing foreign substances.
【００２４】なお、上記実施の形態では、半導体製造装
置としてドライエッチング装置を例に挙げたが、この他
に、所定のガスを噴き出すガスヘッドを備えたプラズマ
式の化学気相成長（ＣＶＤ）装置であってもよい。In the above embodiment, a dry etching apparatus has been described as an example of a semiconductor manufacturing apparatus. In addition, a plasma-type chemical vapor deposition (CVD) apparatus having a gas head for injecting a predetermined gas. It may be.
【００２５】特にＣＶＤ装置では、ガスヘッド等に付着
する反応生成物等の異物が比較的多い。上述したガスヘ
ッドを備えることにより、ガスヘッドに付着する異物が
効率よくしかも短時間で除去される。その結果、ウェハ
の歩留りおよびＣＶＤ装置の稼動率を向上することがで
きる。Particularly in a CVD apparatus, there are relatively many foreign substances such as reaction products adhering to a gas head and the like. By providing the above-described gas head, foreign substances adhering to the gas head are efficiently and quickly removed. As a result, the yield of the wafer and the operation rate of the CVD apparatus can be improved.
【００２６】なお、今回開示された実施の形態はすべて
の点の例示であって制限的なものではないと考えられる
べきである。本発明の範囲は上記で説明した範囲ではな
くて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれること
が意図される。It should be noted that the embodiments disclosed this time are examples of all points and are not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the range described above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
【００２７】[0027]
【発明の効果】本発明の１つの局面における半導体製造
装置によれば、ガスヘッド部を薬液で洗浄する際に、一
方の最大開孔径の開孔端から噴出孔へ洗浄液を導入す
る。導入された洗浄液は、最大開孔径から開孔径の小さ
い方へ向かって噴出孔を流れ、その圧力が上がり流速が
高められる。流速が高められた洗浄液は、他方の開孔端
より噴き出る。これにより、噴出孔の内面に付着した反
応生成物等の異物が効率よく除去される。その結果、ガ
スヘッド部から基板上に落下する異物が低減され、基板
の歩留りが上がる。また、洗浄に要する時間も比較的短
時間で行なわれるため、半導体製造装置の稼動率も上が
る。According to the semiconductor manufacturing apparatus of one aspect of the present invention, when cleaning the gas head portion with the chemical, the cleaning liquid is introduced into the ejection hole from the opening end of one of the maximum opening diameters. The introduced cleaning liquid flows through the ejection holes from the maximum opening diameter to the smaller opening diameter, and the pressure increases and the flow velocity increases. The cleaning liquid having the increased flow velocity spouts from the other opening end. Thereby, foreign substances such as reaction products adhered to the inner surface of the ejection hole are efficiently removed. As a result, foreign substances falling from the gas head onto the substrate are reduced, and the yield of the substrate is increased. Further, since the time required for cleaning is relatively short, the operation rate of the semiconductor manufacturing apparatus is increased.
【００２８】好ましくは、各噴出孔の開孔径が、噴出側
の開孔端において最大開孔径を有している。Preferably, the diameter of each of the ejection holes has a maximum diameter at the ejection end on the ejection side.
【００２９】この場合、ガスヘッド部をプラズマにてド
ライクリーニングする際に、噴出側の開孔端へ入射する
プラズマの入射角度をより大きくとることができる。こ
れにより、噴出孔の内面に付着した異物が効率よく除去
される。また、プラズマクリーニングはガスヘッド部を
反応室内に装着した状態で行なうことができるため、洗
浄に要する時間がさらに短縮される。その結果、歩留り
が上がるとともに、半導体製造装置の稼動率がさらに向
上する。In this case, when the gas head is dry-cleaned with plasma, the incident angle of the plasma incident on the opening end on the ejection side can be made larger. As a result, foreign matter attached to the inner surface of the ejection hole is efficiently removed. In addition, since plasma cleaning can be performed with the gas head mounted in the reaction chamber, the time required for cleaning is further reduced. As a result, the yield increases, and the operation rate of the semiconductor manufacturing apparatus further improves.
【図１】 本発明の実施の形態に係るドライエッチング
装置の断面模式図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】 図１に示すガスヘッド部の第１の部分断面図
である。FIG. 2 is a first partial cross-sectional view of the gas head unit shown in FIG.
【図３】 同実施の形態において、本ドライエッチング
装置の効果を説明するための第１の図である。FIG. 3 is a first diagram illustrating an effect of the present dry etching apparatus in the embodiment.
【図４】 同実施の形態において、本ドライエッチング
装置の効果を説明するための第２の図である。FIG. 4 is a second diagram illustrating an effect of the present dry etching apparatus in the embodiment.
【図５】 同実施の形態におけるガスヘッド部の第２の
部分断面図である。FIG. 5 is a second partial cross-sectional view of the gas head unit according to the embodiment.
【図６】 同実施の形態におけるガスヘッド部の第３の
部分断面図である。FIG. 6 is a third partial cross-sectional view of the gas head unit according to the embodiment.
【図７】 同実施の形態におけるガスヘッド部の第４の
部分断面図である。FIG. 7 is a fourth partial cross-sectional view of the gas head unit in the same embodiment.
【図８】 従来のドライエッチング装置の断面図であ
る。FIG. 8 is a sectional view of a conventional dry etching apparatus.
【図９】 従来のドライエッチング装置のガスヘッド部
の部分断面図である。FIG. 9 is a partial cross-sectional view of a gas head of a conventional dry etching apparatus.
【図１０】 エッチング動作を説明するための、１工程
断面図である。FIG. 10 is a one-step cross-sectional view for describing an etching operation.
【図１１】 図１０に示す工程の後に行なわれる工程を
示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing a step performed after the step shown in FIG.
１ ドライエッチング装置、２ ガス導入口、３ 反応
室、６ ガスヘッド、６ａ 噴出孔、６ｂ、６ｃ 開孔
端、８ 高周波電源、９ ステージ、１１ ウェハ、１
３ 排気孔。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Dry etching apparatus, 2 gas inlets, 3 reaction chambers, 6 gas heads, 6a ejection holes, 6b, 6c opening end, 8 high frequency power supply, 9 stage, 11 wafer, 1
3 Exhaust vent.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 矢野 貴司 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内 (72)発明者 浦田 由紀子 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Takashi Yano 4-1-1 Mizuhara, Itami-shi, Hyogo Ryoden Semiconductor System Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Yukiko Urata 4-1-1 Mizuhara, Itami-shi, Hyogo Ryoden Semiconductor System Engineering Co., Ltd.
Claims (2)
定の処理を施すための反応室と、 前記反応室内に設けられ、所定のガスを前記基板へ向か
って噴き出すための複数の噴出孔が形成されたガスヘッ
ド部と、 前記反応室内にプラズマを形成するためのプラズマ形成
手段とを備え、 各前記噴出孔は、少なくとも一方の開孔端において最大
開孔径を有し、内部または他方の開孔端において開孔径
が縮小されている、半導体製造装置。1. A reaction chamber for accommodating a substrate and performing a predetermined process on the substrate, and a plurality of ejection holes provided in the reaction chamber for ejecting a predetermined gas toward the substrate are formed. A gas head portion, and plasma forming means for forming plasma in the reaction chamber, wherein each of the ejection holes has a maximum opening diameter at at least one opening end, and the inside or the other opening A semiconductor manufacturing apparatus in which an opening diameter is reduced at an end.
て前記最大開孔径を有する、請求項１記載の半導体製造
装置。2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein each of the ejection holes has the maximum opening diameter at an opening end on an ejection side.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6949397A JPH10270418A (en) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | Semiconductor manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6949397A JPH10270418A (en) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | Semiconductor manufacturing equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270418A true JPH10270418A (en) | 1998-10-09 |
Family
ID=13404303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6949397A Pending JPH10270418A (en) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | Semiconductor manufacturing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10270418A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100447248B1 (en) * | 2002-01-22 | 2004-09-07 | 주성엔지니어링(주) | Gas diffusion plate for use in ICP etcher |
| JP2004531903A (en) * | 2001-06-29 | 2004-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | Directed gas injection equipment for semiconductor processing |
| US6897161B2 (en) | 2002-02-13 | 2005-05-24 | Kawasaki Microelectronics, Inc. | Method of cleaning component in plasma processing chamber and method of producing semiconductor devices |
-
1997
- 1997-03-24 JP JP6949397A patent/JPH10270418A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004531903A (en) * | 2001-06-29 | 2004-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | Directed gas injection equipment for semiconductor processing |
| KR100447248B1 (en) * | 2002-01-22 | 2004-09-07 | 주성엔지니어링(주) | Gas diffusion plate for use in ICP etcher |
| US6897161B2 (en) | 2002-02-13 | 2005-05-24 | Kawasaki Microelectronics, Inc. | Method of cleaning component in plasma processing chamber and method of producing semiconductor devices |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040302 |